JP2002141277A - 露光装置及び気圧補正方法 - Google Patents
露光装置及び気圧補正方法Info
- Publication number
- JP2002141277A JP2002141277A JP2000338002A JP2000338002A JP2002141277A JP 2002141277 A JP2002141277 A JP 2002141277A JP 2000338002 A JP2000338002 A JP 2000338002A JP 2000338002 A JP2000338002 A JP 2000338002A JP 2002141277 A JP2002141277 A JP 2002141277A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- correction
- atmospheric pressure
- stage
- optical system
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 236
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 129
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 153
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 71
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 96
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 47
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 46
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 31
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 16
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 62
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 26
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 21
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 3
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000013024 troubleshooting Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 気圧変動に伴う結像特性の変化を補正し、装
置のスループットや補正精度の観点から適正な補正を可
能にする。 【解決手段】 露光位置へのステージ駆動を開始し（Ｓ
５０１）、大気圧及び装置内環境気圧の少なくともいず
れか一方を一定間隔で読み込み、読み込んだ気圧値より
気圧変動量を算出し（Ｓ５０２）、算出した気圧変動量
より気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正する少なく
とも１つ以上の補正手段より自動的に補正手段を決定
し、且つ気圧変動量より補正値を算出し（Ｓ５０３）、
結像特性の補正を行い（Ｓ５０４）、投影光学系を介し
て原版のパターンを、基板のステージ上に載置した基板
上に投影露光する（Ｓ５０５）。
置のスループットや補正精度の観点から適正な補正を可
能にする。 【解決手段】 露光位置へのステージ駆動を開始し（Ｓ
５０１）、大気圧及び装置内環境気圧の少なくともいず
れか一方を一定間隔で読み込み、読み込んだ気圧値より
気圧変動量を算出し（Ｓ５０２）、算出した気圧変動量
より気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正する少なく
とも１つ以上の補正手段より自動的に補正手段を決定
し、且つ気圧変動量より補正値を算出し（Ｓ５０３）、
結像特性の補正を行い（Ｓ５０４）、投影光学系を介し
て原版のパターンを、基板のステージ上に載置した基板
上に投影露光する（Ｓ５０５）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置及び気圧
補正方法に関し、特に大気圧または装置内環境気圧の変
動に伴う結像特性の変動成分を補正し、高精度な投影露
光を可能にした投影露光装置に適するものである。
補正方法に関し、特に大気圧または装置内環境気圧の変
動に伴う結像特性の変動成分を補正し、高精度な投影露
光を可能にした投影露光装置に適するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子等の製造に用いられる投影露
光装置は、マスクとしてのレチクル上に形成された回路
パターンを感光基板としてのウエハまたはガラスプレー
ト等の上のフォトレジスト層に高い重ね合わせ精度で転
写するために、レチクルとウエハとを高精度に位置合わ
せ（アライメント）する事が求められている。レチクル
に対するウエハの焦点位置を合わせる手法としては、フ
ォーカスキャリブレーションが良く知られている。
光装置は、マスクとしてのレチクル上に形成された回路
パターンを感光基板としてのウエハまたはガラスプレー
ト等の上のフォトレジスト層に高い重ね合わせ精度で転
写するために、レチクルとウエハとを高精度に位置合わ
せ（アライメント）する事が求められている。レチクル
に対するウエハの焦点位置を合わせる手法としては、フ
ォーカスキャリブレーションが良く知られている。
【０００３】図１は、ＴＴＬ（Through The Lens）方式
によるフォーカスキャリブレーション機能を有する投影
露光装置の概略図である。同図において、１は露光用の
光源である。レチクル２上の回路パターンをウエハ８上
に転写露光する際には、露光装置制御系７０の指示が光
源制御系３０に伝えられ、光源制御系３０の指示により
露光光源１の動作が制御されている。
によるフォーカスキャリブレーション機能を有する投影
露光装置の概略図である。同図において、１は露光用の
光源である。レチクル２上の回路パターンをウエハ８上
に転写露光する際には、露光装置制御系７０の指示が光
源制御系３０に伝えられ、光源制御系３０の指示により
露光光源１の動作が制御されている。
【０００４】２は原版としてのレチクルであり、原版の
ステージであるレチクルステージ４に保持されている。
また、３はレチクル基準プレートであり、レチクル基準
プレート３は同図においてはレチクルステージ４に保持
されているが、光学的にレチクル２と等価な位置に固定
されている場合もある。
ステージであるレチクルステージ４に保持されている。
また、３はレチクル基準プレートであり、レチクル基準
プレート３は同図においてはレチクルステージ４に保持
されているが、光学的にレチクル２と等価な位置に固定
されている場合もある。
【０００５】レチクルステージ４は、走査型露光装置で
は投影光学系５の光軸方向（ｚ）及びこの方向に直交す
る方向（ｘ，ｙ）に移動可能であり、光軸に対して回転
させる事も可能である。
は投影光学系５の光軸方向（ｚ）及びこの方向に直交す
る方向（ｘ，ｙ）に移動可能であり、光軸に対して回転
させる事も可能である。
【０００６】レチクルステージ４の駆動制御は、露光装
置制御系７０の指示がレチクルステージ制御系４０に伝
えられ、レチクルステージ制御系４０の指示によりレチ
クルステージ４は駆動制御されている。
置制御系７０の指示がレチクルステージ制御系４０に伝
えられ、レチクルステージ制御系４０の指示によりレチ
クルステージ４は駆動制御されている。
【０００７】レチクル基準プレート３上には、不図示で
はあるが数種類の基準マークが設けられている。
はあるが数種類の基準マークが設けられている。
【０００８】投影光学系５は、複数のレンズで構成され
ており、露光時はレチクル２上の回路パターンをウエハ
８上に投影光学系５の縮小倍率に対応した倍率で結像さ
せている。なお、５０は後に説明する投影光学系制御系
である。
ており、露光時はレチクル２上の回路パターンをウエハ
８上に投影光学系５の縮小倍率に対応した倍率で結像さ
せている。なお、５０は後に説明する投影光学系制御系
である。
【０００９】６，７はオフアクシスのオートフォーカス
光学系を形成している。６は投光光学系であり、投光光
学系６より発せられた非露光光である光束は、ステージ
基準プレート９上の点（またはウエハ８の上面）に集光
し、反射される。反射された光束は、検出光学系７に入
射する。不図示ではあるが、検出光学系７内には位置検
出用受光素子が配置され、位置検出用受光素子とステー
ジ基準プレート９上の光束の反射点が共役となるように
構成されており、ステージ基準プレート９の投影光学系
５の光軸方向の位置ズレは、検出光学系７内の位置検出
用受光素子上での入射光束の位置ズレとして計測され
る。
光学系を形成している。６は投光光学系であり、投光光
学系６より発せられた非露光光である光束は、ステージ
基準プレート９上の点（またはウエハ８の上面）に集光
し、反射される。反射された光束は、検出光学系７に入
射する。不図示ではあるが、検出光学系７内には位置検
出用受光素子が配置され、位置検出用受光素子とステー
ジ基準プレート９上の光束の反射点が共役となるように
構成されており、ステージ基準プレート９の投影光学系
５の光軸方向の位置ズレは、検出光学系７内の位置検出
用受光素子上での入射光束の位置ズレとして計測され
る。
【００１０】検出光学系７により計測されたステージ基
準プレート９の所定の基準面からの位置ズレは、ウエハ
ステージ制御系６０に伝達される。ウエハステージ制御
系６０は、後述するフォーカスキャリブレーション計測
時に、ステージ基準プレート９を所定の基準位置の近傍
で投影光学系５の光軸方向（ｚ方向）に上下駆動の制御
を行う。また、ウエハステージ制御系６０は露光時にお
けるウエハ８の位置制御も行っている。
準プレート９の所定の基準面からの位置ズレは、ウエハ
ステージ制御系６０に伝達される。ウエハステージ制御
系６０は、後述するフォーカスキャリブレーション計測
時に、ステージ基準プレート９を所定の基準位置の近傍
で投影光学系５の光軸方向（ｚ方向）に上下駆動の制御
を行う。また、ウエハステージ制御系６０は露光時にお
けるウエハ８の位置制御も行っている。
【００１１】次に、ウエハ８面のフォーカス状態を検知
して、その信号に基づいてウエハステージ１０を駆動さ
せてレチクル２に対するウエハ８の最適焦点位置を検出
するための構成要素について説明する。
して、その信号に基づいてウエハステージ１０を駆動さ
せてレチクル２に対するウエハ８の最適焦点位置を検出
するための構成要素について説明する。
【００１２】２０はフォーカスキャリブレーションの画
像検出光学系であり、後述する要素２１，２２，２３，
２４，２５を有している。ファイバ２１から出射した照
明光束はハーフミラー２２を通過し、対物レンズ２３と
ミラー２４を介してレチクル基準プレート３（またはレ
チクル２）近傍に集光する。
像検出光学系であり、後述する要素２１，２２，２３，
２４，２５を有している。ファイバ２１から出射した照
明光束はハーフミラー２２を通過し、対物レンズ２３と
ミラー２４を介してレチクル基準プレート３（またはレ
チクル２）近傍に集光する。
【００１３】レチクル基準プレート３近傍に集光した照
明光束は、投影光学系５を介してステージ基準プレート
９上に集光する。ステージ基準プレート９面上には不図
示ではあるが数種類の基準マークが設けられている。ス
テージ基準プレート９からの反射光は元の光路を戻り、
順に投影光学系５、レチクル基準プレート３、ミラー２
４、対物レンズ２３を介し、ハーフミラー２２で反射し
て位置センサ２５に入射する。
明光束は、投影光学系５を介してステージ基準プレート
９上に集光する。ステージ基準プレート９面上には不図
示ではあるが数種類の基準マークが設けられている。ス
テージ基準プレート９からの反射光は元の光路を戻り、
順に投影光学系５、レチクル基準プレート３、ミラー２
４、対物レンズ２３を介し、ハーフミラー２２で反射し
て位置センサ２５に入射する。
【００１４】このステージ基準プレート９はウエハ８と
同様に基板のステージであるウエハステージ１０上に配
置されており、ウエハ８とは等価なフォーカス面上に固
定されている。
同様に基板のステージであるウエハステージ１０上に配
置されており、ウエハ８とは等価なフォーカス面上に固
定されている。
【００１５】ウエハ８の上面とステージ基準プレート９
の上面の各々の投影光学系５に対する焦点位置または両
面間のフォーカスオフセット量は露光装置制御系７０に
より管理されている。
の上面の各々の投影光学系５に対する焦点位置または両
面間のフォーカスオフセット量は露光装置制御系７０に
より管理されている。
【００１６】次に、ＴＴＬ方式のフォーカスキャリブレ
ーションの具体的な動作について説明する。図７はフォ
ーカスキャリブレーションのシーケンスを示すフローチ
ャートである。図１及び図７に示すように、まずレチク
ル基準プレート３上の基準マーク（またはレチクル２上
のマーク）に検出光学系２０のフォーカスを粗調整する
（ステップＳ７０１）。ステップＳ７０１の目的はレチ
クル基準プレート３（またはレチクル２）上のマークに
対して検出光学系２０の焦点を合わせる事である。ここ
では、ステージ基準マークの焦点位置を−１４３９ｎｍ
〜＋３６１ｎｍの範囲で１００ｎｍ間隔で焦点位置をず
らした時のステージ基準マーク計測をする場合を例に挙
げ説明する。
ーションの具体的な動作について説明する。図７はフォ
ーカスキャリブレーションのシーケンスを示すフローチ
ャートである。図１及び図７に示すように、まずレチク
ル基準プレート３上の基準マーク（またはレチクル２上
のマーク）に検出光学系２０のフォーカスを粗調整する
（ステップＳ７０１）。ステップＳ７０１の目的はレチ
クル基準プレート３（またはレチクル２）上のマークに
対して検出光学系２０の焦点を合わせる事である。ここ
では、ステージ基準マークの焦点位置を−１４３９ｎｍ
〜＋３６１ｎｍの範囲で１００ｎｍ間隔で焦点位置をず
らした時のステージ基準マーク計測をする場合を例に挙
げ説明する。
【００１７】次に、検出光学系２０でステージ基準プレ
ート９上の基準マークが観察可能な位置にステージ基準
プレート９を駆動する（ステップＳ７０２）。ステップ
Ｓ７０２での、ステージ基準マークの焦点位置は−１４
３９ｎｍとなる。
ート９上の基準マークが観察可能な位置にステージ基準
プレート９を駆動する（ステップＳ７０２）。ステップ
Ｓ７０２での、ステージ基準マークの焦点位置は−１４
３９ｎｍとなる。
【００１８】以下の手順（ステップＳ７０３〜Ｓ７０５
のループ）をステージ基準マークの焦点位置が＋３６１
ｎｍとなるまで繰り返し、投影光学系５に対するステー
ジ基準プレート９の焦点位置を変化させた時の光量値ま
たはコントラスト値と、光量値またはコントラスト値の
計測時のステージ基準プレート９の焦点位置を記憶す
る。 （１）検出光学系２０で基準マークを計測する（ステッ
プＳ７０３） （２）オートフォーカス検出系（投光光学系６及び検出
光学系７）によりステージ基準プレート９の上面の投影
光学系５に対する焦点位置を計測する（ステップＳ７０
４） ステップＳ７０３とステップＳ７０４の順番は逆でも良
い。 （３）投影光学系５に対するステージ基準プレート９の
焦点位置を変える（ステップＳ７０５）。具体的には、
現在のステージ基準プレート焦点位置から＋１００ｎｍ
駆動する。
のループ）をステージ基準マークの焦点位置が＋３６１
ｎｍとなるまで繰り返し、投影光学系５に対するステー
ジ基準プレート９の焦点位置を変化させた時の光量値ま
たはコントラスト値と、光量値またはコントラスト値の
計測時のステージ基準プレート９の焦点位置を記憶す
る。 （１）検出光学系２０で基準マークを計測する（ステッ
プＳ７０３） （２）オートフォーカス検出系（投光光学系６及び検出
光学系７）によりステージ基準プレート９の上面の投影
光学系５に対する焦点位置を計測する（ステップＳ７０
４） ステップＳ７０３とステップＳ７０４の順番は逆でも良
い。 （３）投影光学系５に対するステージ基準プレート９の
焦点位置を変える（ステップＳ７０５）。具体的には、
現在のステージ基準プレート焦点位置から＋１００ｎｍ
駆動する。
【００１９】計測により得られた光量値またはコントラ
スト値と焦点位置の情報を基に近似計算または重心計算
により、レチクル基準プレート３（またはレチクル２）
に対するステージ基準プレート９（またはウエハ８）の
最適焦点位置を算出している（ステップＳ７０６）。
スト値と焦点位置の情報を基に近似計算または重心計算
により、レチクル基準プレート３（またはレチクル２）
に対するステージ基準プレート９（またはウエハ８）の
最適焦点位置を算出している（ステップＳ７０６）。
【００２０】以下、気圧変化に伴う結像特性の変化を補
正する方法に関して図１を用いて説明する。図１では、
不図示ではあるが大気圧または装置内環境気圧を読み取
る気圧計が配置されている。気圧計で読み取られた気圧
値は露光装置制御系７０に送信されている。
正する方法に関して図１を用いて説明する。図１では、
不図示ではあるが大気圧または装置内環境気圧を読み取
る気圧計が配置されている。気圧計で読み取られた気圧
値は露光装置制御系７０に送信されている。
【００２１】露光装置制御系７０は、送信された気圧値
より気圧変動量を算出し、気圧変動量が所定量を超えた
場合に結像特性の補正を制御している。
より気圧変動量を算出し、気圧変動量が所定量を超えた
場合に結像特性の補正を制御している。
【００２２】可動ステージを投影光学系５の光軸方向へ
駆動する補正方法は、露光装置制御系７０からの指示を
受けたウエハステージ制御系６０が、ウエハステージ１
０に対して気圧変動に伴う結像特性の変化に対する補正
量を反映させた位置への駆動司令を与える事により補正
を行っている。
駆動する補正方法は、露光装置制御系７０からの指示を
受けたウエハステージ制御系６０が、ウエハステージ１
０に対して気圧変動に伴う結像特性の変化に対する補正
量を反映させた位置への駆動司令を与える事により補正
を行っている。
【００２３】投影光学系５の補正レンズを光軸方向へ駆
動する補正方法は、露光装置制御系７０からの指示を受
けた投影光学系制御系５０が、不図示の補正レンズに対
して気圧変動に伴う結像特性の変化に対する補正量を反
映させた位置への駆動司令を与える事により補正を行っ
ている。
動する補正方法は、露光装置制御系７０からの指示を受
けた投影光学系制御系５０が、不図示の補正レンズに対
して気圧変動に伴う結像特性の変化に対する補正量を反
映させた位置への駆動司令を与える事により補正を行っ
ている。
【００２４】光源の波長を切り替える補正方法は、露光
装置制御系７０からの指示を受けた光源制御系３０が、
露光光源１に対して気圧変動に伴う結像特性の変化に対
する補正量を反映させた不図示の光源の波長への切り替
え司令を与える事により補正を行っている。
装置制御系７０からの指示を受けた光源制御系３０が、
露光光源１に対して気圧変動に伴う結像特性の変化に対
する補正量を反映させた不図示の光源の波長への切り替
え司令を与える事により補正を行っている。
【００２５】レチクルステージ４の走査速度を変化させ
る補正方法は、露光装置制御系７０からの指示を受けた
レチクルステージ制御系４０が、レチクルステージ４に
対して気圧変動に伴う結像特性の変化に対する補正量を
ウエハステージ１０との走査速度比に応じた走査速度に
変換した走査駆動司令を与える事により補正を行ってい
る。
る補正方法は、露光装置制御系７０からの指示を受けた
レチクルステージ制御系４０が、レチクルステージ４に
対して気圧変動に伴う結像特性の変化に対する補正量を
ウエハステージ１０との走査速度比に応じた走査速度に
変換した走査駆動司令を与える事により補正を行ってい
る。
【００２６】ウエハステージ１０の走査速度を変化させ
る補正方法は、露光装置制御系７０からの指示を受けた
ウエハステージ制御系６０が、ウエハステージ１０に対
して気圧変動に伴う結像特性の変化に対する補正量をレ
チクルステージ４との走査速度比に応じた走査速度に変
換した走査駆動司令を与える事によって補正を行ってい
る。
る補正方法は、露光装置制御系７０からの指示を受けた
ウエハステージ制御系６０が、ウエハステージ１０に対
して気圧変動に伴う結像特性の変化に対する補正量をレ
チクルステージ４との走査速度比に応じた走査速度に変
換した走査駆動司令を与える事によって補正を行ってい
る。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子の製造に用
いられる投影露光装置においては、原版としてのマスク
やレチクル上に形成された回路パターンを感光基板とし
てのウエハまたはガラスプレートなどの上のフォトレジ
スト層に高い重ね合わせ精度で転写するために、レチク
ルとウエハとを高精度に位置合わせ（アライメント）す
る事が求められている。また、形成する回路パターンの
線幅も、より微細化が進んでいるために、焦点深度も、
より浅くなってきている。
いられる投影露光装置においては、原版としてのマスク
やレチクル上に形成された回路パターンを感光基板とし
てのウエハまたはガラスプレートなどの上のフォトレジ
スト層に高い重ね合わせ精度で転写するために、レチク
ルとウエハとを高精度に位置合わせ（アライメント）す
る事が求められている。また、形成する回路パターンの
線幅も、より微細化が進んでいるために、焦点深度も、
より浅くなってきている。
【００２８】従来はフォーカスキャリブレーション計測
中等といった短期的な気圧変動に関しては補正を行って
いなかった。
中等といった短期的な気圧変動に関しては補正を行って
いなかった。
【００２９】しかし、装置の焦点深度が浅くなっている
事や、高いアライメント精度が要求されている現状を踏
まえると、短期的な気圧変動に伴う結像特性の変動分は
無視する事が出来なくなってきている。更に、ＡＳＩＣ
等の少量多品種製品が主流となってきているため、投影
露光装置においてはスループットの向上が求められてい
る。
事や、高いアライメント精度が要求されている現状を踏
まえると、短期的な気圧変動に伴う結像特性の変動分は
無視する事が出来なくなってきている。更に、ＡＳＩＣ
等の少量多品種製品が主流となってきているため、投影
露光装置においてはスループットの向上が求められてい
る。
【００３０】従来は、スループットや補正精度の観点か
ら適切な補正時期を決定または補正方法を選択していな
かったため、必ずしも装置にとって最適な気圧補正方法
により補正していなかった。
ら適切な補正時期を決定または補正方法を選択していな
かったため、必ずしも装置にとって最適な気圧補正方法
により補正していなかった。
【００３１】本発明は、気圧変動に伴う結像特性の変化
を補正し、例えば装置のスループットや補正精度の観点
から、適正な補正が可能な補正方法を備えた露光装置及
びその気圧補正方法を提供することを目的とする。
を補正し、例えば装置のスループットや補正精度の観点
から、適正な補正が可能な補正方法を備えた露光装置及
びその気圧補正方法を提供することを目的とする。
【００３２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る露光装置は、原版のパターンを投影光
学系を介して基板ステージ上に載置した基板上に繰り返
して投影露光する露光手段と、投影光学系のフォーカス
検出を行なうフォーカス検出系と、大気圧及び装置内環
境気圧の少なくともいずれか一方をモニタする気圧モニ
タリング手段と、前記フォーカス検出系に対して、気圧
変動に伴う前記投影光学系の結像特性の変化分を補正す
る補正手段とを有し、前記補正手段は前記フォーカス検
出系のキャリブレーション実行時に前記気圧モニタリン
グ手段のモニタ結果に基づいて補正を実行することを特
徴とする。
に、本発明に係る露光装置は、原版のパターンを投影光
学系を介して基板ステージ上に載置した基板上に繰り返
して投影露光する露光手段と、投影光学系のフォーカス
検出を行なうフォーカス検出系と、大気圧及び装置内環
境気圧の少なくともいずれか一方をモニタする気圧モニ
タリング手段と、前記フォーカス検出系に対して、気圧
変動に伴う前記投影光学系の結像特性の変化分を補正す
る補正手段とを有し、前記補正手段は前記フォーカス検
出系のキャリブレーション実行時に前記気圧モニタリン
グ手段のモニタ結果に基づいて補正を実行することを特
徴とする。
【００３３】前記投影光学系を介した前記基板ステージ
上マークの検出によって該マークの焦点位置を計測して
前記フォーカス検出系のキャリブレーションを実行する
ことが望ましく、前記補正手段は前記マークの焦点位置
計測時に前記マークの高さを気圧変動分換算補正して前
記フォーカス検出系のキャリブレーションを実行する
か、前記マークの焦点位置計測において前記マークの高
さ変更動作を実行する時に前記マークの高さに気圧変動
分の補正値を反映させる形でキャリブレーションを実行
するか、前記マークの焦点位置計測において前記マーク
の高さ変更動作を実行する際に計測に使用する光源の波
長に気圧変動分の補正値を反映させて前記フォーカス検
出系のキャリブレーションを実行するのが望ましい。
上マークの検出によって該マークの焦点位置を計測して
前記フォーカス検出系のキャリブレーションを実行する
ことが望ましく、前記補正手段は前記マークの焦点位置
計測時に前記マークの高さを気圧変動分換算補正して前
記フォーカス検出系のキャリブレーションを実行する
か、前記マークの焦点位置計測において前記マークの高
さ変更動作を実行する時に前記マークの高さに気圧変動
分の補正値を反映させる形でキャリブレーションを実行
するか、前記マークの焦点位置計測において前記マーク
の高さ変更動作を実行する際に計測に使用する光源の波
長に気圧変動分の補正値を反映させて前記フォーカス検
出系のキャリブレーションを実行するのが望ましい。
【００３４】上記目的を達成するために、他の本発明に
係る露光装置は、原版のパターンを投影光学系を介して
基板のステージ上に載置した基板上に繰り返して投影露
光する露光手段と、大気圧及び装置内環境気圧の少なく
ともいずれか一方をモニタする気圧モニタリング手段
と、気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正する為の複
数の補正手段を自動的に切り替え、且つ気圧変動量に基
づいて補正を制御する補正制御手段とを有する事を特徴
とする。
係る露光装置は、原版のパターンを投影光学系を介して
基板のステージ上に載置した基板上に繰り返して投影露
光する露光手段と、大気圧及び装置内環境気圧の少なく
ともいずれか一方をモニタする気圧モニタリング手段
と、気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正する為の複
数の補正手段を自動的に切り替え、且つ気圧変動量に基
づいて補正を制御する補正制御手段とを有する事を特徴
とする。
【００３５】前記補正制御手段は、可動ステージを前記
投影光学系の光軸方向へ駆動する補正手段、気圧変動量
を前記可動ステージの前記投影光学系の光軸方向に対す
る焦点位置に換算する補正手段、前記投影光学系の補正
レンズを光軸方向へ駆動する補正手段、光源の波長を切
り替える補正手段、及び前記可動ステージの走査速度を
変化させる補正手段、の内、少なくともいずれか１つの
補正手段により気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正
すべく制御している事が望ましく、前記可動ステージと
は、基板のステージ及び原版のステージを含み、前記補
正制御手段は、スループット及び補正精度の内、少なく
ともいずれかの判断基準により自動的に補正手段を切り
替え、且つ気圧変動量より補正値を算出し補正を制御し
ている事が好ましい。
投影光学系の光軸方向へ駆動する補正手段、気圧変動量
を前記可動ステージの前記投影光学系の光軸方向に対す
る焦点位置に換算する補正手段、前記投影光学系の補正
レンズを光軸方向へ駆動する補正手段、光源の波長を切
り替える補正手段、及び前記可動ステージの走査速度を
変化させる補正手段、の内、少なくともいずれか１つの
補正手段により気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正
すべく制御している事が望ましく、前記可動ステージと
は、基板のステージ及び原版のステージを含み、前記補
正制御手段は、スループット及び補正精度の内、少なく
ともいずれかの判断基準により自動的に補正手段を切り
替え、且つ気圧変動量より補正値を算出し補正を制御し
ている事が好ましい。
【００３６】また、本発明は、原版のパターンを投影光
学系を介して基板のステージ上に載置した基板上に繰り
返して投影露光する露光装置の気圧補正方法において、
大気圧及び装置内環境気圧の少なくともいずれか一方の
気圧値より気圧変動量を算出し、気圧変動に伴う結像特
性の変化分を補正する複数の補正手段から算出した気圧
変動量により自動的に補正手段を決定し、且つ気圧変動
量より補正値を算出し補正を行う事を特徴とする。
学系を介して基板のステージ上に載置した基板上に繰り
返して投影露光する露光装置の気圧補正方法において、
大気圧及び装置内環境気圧の少なくともいずれか一方の
気圧値より気圧変動量を算出し、気圧変動に伴う結像特
性の変化分を補正する複数の補正手段から算出した気圧
変動量により自動的に補正手段を決定し、且つ気圧変動
量より補正値を算出し補正を行う事を特徴とする。
【００３７】この気圧補正方法は、可動ステージを前記
投影光学系の光軸方向へ駆動する補正手段、気圧変動量
を前記可動ステージの前記投影光学系の光軸方向に対す
る焦点位置に換算する補正手段、前記投影光学系の補正
レンズを光軸方向へ駆動する補正手段、光源の波長を切
り替える補正手段、及び前記可動ステージの走査速度を
変化させる補正手段、の内、少なくともいずれか１つの
補正手段により気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正
している事が望ましく、前記可動ステージとは、基板の
ステージ及び原版のステージを含み、スループット及び
補正精度の内、少なくとも１つ以上の判断基準により自
動的に補正手段を決定し、且つ気圧変動量より補正値を
算出し補正をしている事が好ましい。
投影光学系の光軸方向へ駆動する補正手段、気圧変動量
を前記可動ステージの前記投影光学系の光軸方向に対す
る焦点位置に換算する補正手段、前記投影光学系の補正
レンズを光軸方向へ駆動する補正手段、光源の波長を切
り替える補正手段、及び前記可動ステージの走査速度を
変化させる補正手段、の内、少なくともいずれか１つの
補正手段により気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正
している事が望ましく、前記可動ステージとは、基板の
ステージ及び原版のステージを含み、スループット及び
補正精度の内、少なくとも１つ以上の判断基準により自
動的に補正手段を決定し、且つ気圧変動量より補正値を
算出し補正をしている事が好ましい。
【００３８】本発明は、上記いずれかの露光装置または
気圧補正方法を用いることを特徴とする半導体デバイス
製造方法にも適用可能であり、上記いずれかの露光装置
を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に
設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセス
によって半導体デバイスを製造する工程とを有する半導
体デバイス製造方法にも適用でき、前記製造装置群をロ
ーカルエリアネットワークで接続する工程と、前記ロー
カルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部
ネットワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１
台に関する情報をデータ通信する工程とをさらに有する
ことが望ましく、前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行うことが好ましい。
気圧補正方法を用いることを特徴とする半導体デバイス
製造方法にも適用可能であり、上記いずれかの露光装置
を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に
設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセス
によって半導体デバイスを製造する工程とを有する半導
体デバイス製造方法にも適用でき、前記製造装置群をロ
ーカルエリアネットワークで接続する工程と、前記ロー
カルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部
ネットワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１
台に関する情報をデータ通信する工程とをさらに有する
ことが望ましく、前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行うことが好ましい。
【００３９】また、本発明は、上記いずれかの露光装置
を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を
接続するローカルエリアネットワークと、該ローカルエ
リアネットワークから工場外の外部ネットワークにアク
セス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の
少なくとも１台に関する情報をデータ通信することを可
能にした半導体製造工場にも適用可能であり、上記いず
れかの露光装置の保守方法であって、前記露光装置のベ
ンダもしくはユーザが、半導体製造工場の外部ネットワ
ークに接続された保守データベースを提供する工程と、
前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを介し
て前記保守データベースへのアクセスを許可する工程
と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前記
外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信する
工程とを有するものとしてもよい。
を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を
接続するローカルエリアネットワークと、該ローカルエ
リアネットワークから工場外の外部ネットワークにアク
セス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の
少なくとも１台に関する情報をデータ通信することを可
能にした半導体製造工場にも適用可能であり、上記いず
れかの露光装置の保守方法であって、前記露光装置のベ
ンダもしくはユーザが、半導体製造工場の外部ネットワ
ークに接続された保守データベースを提供する工程と、
前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを介し
て前記保守データベースへのアクセスを許可する工程
と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前記
外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信する
工程とを有するものとしてもよい。
【００４０】また、本発明は、上記いずれかの露光装置
において、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュ
ータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュー
タネットワークを介してデータ通信することを可能にし
たものとしてもよく、その際前記ネットワーク用ソフト
ウェアは、前記露光装置が設置された工場の外部ネット
ワークに接続され前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供する保守データベースにアクセスするためのユー
ザインタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記
外部ネットワークを介して該データベースから情報を得
ることを可能にすることが好ましい。
において、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュ
ータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュー
タネットワークを介してデータ通信することを可能にし
たものとしてもよく、その際前記ネットワーク用ソフト
ウェアは、前記露光装置が設置された工場の外部ネット
ワークに接続され前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供する保守データベースにアクセスするためのユー
ザインタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記
外部ネットワークを介して該データベースから情報を得
ることを可能にすることが好ましい。
【００４１】
【発明の実施の形態】本発明の以下に述べる実施形態に
係る気圧変動に伴う結像特性の変動に対する補正方法
は、 （１）フォーカスキャリブレーション計測中は、可動ス
テージを投影光学系の光軸方向に対して相対位置を変化
させながら可動ステージ上のマークまたは基板表面を観
察する時に、光量値またはコントラスト値を計測すると
同時に、可動ステージの投影光学系の光軸方向に対する
焦点位置の計測と、現在の気圧値を読み込む。
係る気圧変動に伴う結像特性の変動に対する補正方法
は、 （１）フォーカスキャリブレーション計測中は、可動ス
テージを投影光学系の光軸方向に対して相対位置を変化
させながら可動ステージ上のマークまたは基板表面を観
察する時に、光量値またはコントラスト値を計測すると
同時に、可動ステージの投影光学系の光軸方向に対する
焦点位置の計測と、現在の気圧値を読み込む。
【００４２】一つの実施形態として、読み込んだ気圧値
より気圧の変動分を投影光学系の光軸方向の焦点位置に
換算し、換算した値を光量値またはコントラスト値を計
測した時の可動ステージの投影光学系の光軸方向の焦点
位置に加算する。可動ステージの実際の駆動量や計測に
使用する光源の波長に反映させてもよい。最適焦点位置
は、光量値またはコントラスト値と光量値またはコント
ラスト値を計測した時の可動ステージの投影光学系の光
軸方向に対する相対位置より、近似計算または重心計算
により算出する。このため、算出される最適焦点位置に
は、短期的な気圧変動に伴う結像特性の変動分が含まれ
る事になる。
より気圧の変動分を投影光学系の光軸方向の焦点位置に
換算し、換算した値を光量値またはコントラスト値を計
測した時の可動ステージの投影光学系の光軸方向の焦点
位置に加算する。可動ステージの実際の駆動量や計測に
使用する光源の波長に反映させてもよい。最適焦点位置
は、光量値またはコントラスト値と光量値またはコント
ラスト値を計測した時の可動ステージの投影光学系の光
軸方向に対する相対位置より、近似計算または重心計算
により算出する。このため、算出される最適焦点位置に
は、短期的な気圧変動に伴う結像特性の変動分が含まれ
る事になる。
【００４３】（２）ショット露光時は、一定間隔で気圧
値を読み込み、読み込んだ気圧値より気圧変動量を算出
し、気圧変動量に基づき補正量を算出し且つ自動的に補
正方法を切り替える補正制御手段により結像特性を補正
する。
値を読み込み、読み込んだ気圧値より気圧変動量を算出
し、気圧変動量に基づき補正量を算出し且つ自動的に補
正方法を切り替える補正制御手段により結像特性を補正
する。
【００４４】補正制御手段では、 ・可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する、 ・投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する、 ・光源の波長を切り替える、 ・可動ステージの走査速度を変化させる、 などの補正方法より、「スループット重視の場合」、
「補正精度重視の場合」、「両方重視の場合」等の条件
に合った補正方法を自動的に選択し、補正を制御してい
る。ここでの可動ステージは、レチクルステージ及びウ
エハステージを指す。
「補正精度重視の場合」、「両方重視の場合」等の条件
に合った補正方法を自動的に選択し、補正を制御してい
る。ここでの可動ステージは、レチクルステージ及びウ
エハステージを指す。
【００４５】（３）装置稼働中は、前回気圧変動に伴う
結像特性の補正駆動を実施した時の気圧値と、現在気圧
値の差分より、気圧の変動量に基づき補正値を算出し且
つ自動的に補正方法を切り替える補正制御手段により結
像特性を補正制御する。
結像特性の補正駆動を実施した時の気圧値と、現在気圧
値の差分より、気圧の変動量に基づき補正値を算出し且
つ自動的に補正方法を切り替える補正制御手段により結
像特性を補正制御する。
【００４６】補正制御手段では、 ・可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する、 ・投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する、 ・光源の波長を切り替える、 ・可動ステージの走査速度を変化させる、 などの補正方法より、「スループット重視の場合」、
「補正精度重視の場合」、「両方重視の場合」等の条件
に合った補正方法を自動的に選択し、補正を制御してい
る。ここでの可動ステージは、レチクルステージ及びウ
エハステージを指す。
「補正精度重視の場合」、「両方重視の場合」等の条件
に合った補正方法を自動的に選択し、補正を制御してい
る。ここでの可動ステージは、レチクルステージ及びウ
エハステージを指す。
【００４７】具体的に、一つの好ましい実施の形態は、
光量値またはコントラスト値計測と同時に、可動ステー
ジの投影光学系の光軸方向に対する相対位置の計測と、
現在の気圧値を読み込む。
光量値またはコントラスト値計測と同時に、可動ステー
ジの投影光学系の光軸方向に対する相対位置の計測と、
現在の気圧値を読み込む。
【００４８】読み込んだ現在気圧値より気圧変動分を算
出し、算出した変動分を可動ステージの投影光学系の光
軸方向に対する相対位置に換算する。
出し、算出した変動分を可動ステージの投影光学系の光
軸方向に対する相対位置に換算する。
【００４９】換算した相対位置は光量値またはコントラ
スト値を計測した時の可動ステージの投影光学系の光軸
方向に対する相対位置に加算する。あるいは可動ステー
ジの駆動量や計測用光源波長に反映する。
スト値を計測した時の可動ステージの投影光学系の光軸
方向に対する相対位置に加算する。あるいは可動ステー
ジの駆動量や計測用光源波長に反映する。
【００５０】最適焦点位置の算出は、光量値またはコン
トラスト値と気圧変動分を含んだ可動ステージの投影光
学系の光軸方向に対する相対位置より近似計算または重
心計算により実施する事ができる。
トラスト値と気圧変動分を含んだ可動ステージの投影光
学系の光軸方向に対する相対位置より近似計算または重
心計算により実施する事ができる。
【００５１】他の一つの発明の好ましい実施の形態は、
気圧モニタリング手段により、ショット露光中の気圧値
を一定間隔で読み込む。
気圧モニタリング手段により、ショット露光中の気圧値
を一定間隔で読み込む。
【００５２】自動的に補正方法を切り替える補正制御手
段では、１ショット露光終了時の気圧値と次ショット露
光直前までの気圧値を基に露光時の気圧を算出し、 ・可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する補正
方法、 ・投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する補正方
法、 ・光源の波長を切り替える補正方法、 ・可動ステージの走査速度を変化させる補正方法、 などの補正方法より、「スループット重視の場合」、
「補正精度重視の場合」、「両方重視の場合」等の条件
に合った補正方法を自動的に選択し、且つ気圧変動量よ
り補正値を算出し補正を制御する。
段では、１ショット露光終了時の気圧値と次ショット露
光直前までの気圧値を基に露光時の気圧を算出し、 ・可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する補正
方法、 ・投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する補正方
法、 ・光源の波長を切り替える補正方法、 ・可動ステージの走査速度を変化させる補正方法、 などの補正方法より、「スループット重視の場合」、
「補正精度重視の場合」、「両方重視の場合」等の条件
に合った補正方法を自動的に選択し、且つ気圧変動量よ
り補正値を算出し補正を制御する。
【００５３】更に他の一つの発明の好ましい実施の形態
は、装置稼働中の前回気圧変動に伴う結像特性の補正駆
動を行った時の気圧値と、現在気圧値の差分を算出す
る。
は、装置稼働中の前回気圧変動に伴う結像特性の補正駆
動を行った時の気圧値と、現在気圧値の差分を算出す
る。
【００５４】自動的に補正方法を切り替える補正制御手
段では、気圧の変動量に基づき、 ・可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する補正
方法、 ・投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する補正方
法、 ・光源の波長を切り替える補正方法、 ・可動ステージの走査速度を変化させる補正方法、 などの補正方法より、「スループット重視の場合」、
「補正精度重視の場合」、「両方重視の場合」の条件に
合った補正方法を自動的に選択し、且つ補正値を算出し
補正を制御する。
段では、気圧の変動量に基づき、 ・可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する補正
方法、 ・投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する補正方
法、 ・光源の波長を切り替える補正方法、 ・可動ステージの走査速度を変化させる補正方法、 などの補正方法より、「スループット重視の場合」、
「補正精度重視の場合」、「両方重視の場合」の条件に
合った補正方法を自動的に選択し、且つ補正値を算出し
補正を制御する。
【００５５】（第１の実施形態）図１は本発明の第１の
実施形態における要部概略図であり、同図は後述の第２
〜４の実施形態にも共通の図である。概要は従来技術で
説明した通りであり、重複説明を省略する。
実施形態における要部概略図であり、同図は後述の第２
〜４の実施形態にも共通の図である。概要は従来技術で
説明した通りであり、重複説明を省略する。
【００５６】本発明の第１の実施形態について説明す
る。図２は本発明の第１の実施形態におけるフォーカス
キャリブレーションの処理シーケンスを示すフローチャ
ートである。同図及び図１に示すように、まずレチクル
基準プレート３上の基準マーク（またはレチクル２上の
マーク）に画像検出光学系２０のフォーカスを粗調整す
る（ステップＳ２０１）。この粗調整の目的はレチクル
基準プレート３（またはレチクル２）上のマークに対し
て画像検出光学系２０の焦点を合わせる事である。
る。図２は本発明の第１の実施形態におけるフォーカス
キャリブレーションの処理シーケンスを示すフローチャ
ートである。同図及び図１に示すように、まずレチクル
基準プレート３上の基準マーク（またはレチクル２上の
マーク）に画像検出光学系２０のフォーカスを粗調整す
る（ステップＳ２０１）。この粗調整の目的はレチクル
基準プレート３（またはレチクル２）上のマークに対し
て画像検出光学系２０の焦点を合わせる事である。
【００５７】本実施形態では、ステージ基準マークの焦
点位置を−１４３９ｎｍ〜＋３６１ｎｍの範囲で１００
ｎｍ間隔で焦点位置をずらした時のステージ基準マーク
計測をする場合を例に挙げ説明する。
点位置を−１４３９ｎｍ〜＋３６１ｎｍの範囲で１００
ｎｍ間隔で焦点位置をずらした時のステージ基準マーク
計測をする場合を例に挙げ説明する。
【００５８】次に、画像検出光学系２０でステージ基準
プレート９上の基準マークが観察可能な位置にステージ
基準プレート９を駆動する（ステップＳ２０２）。ステ
ップＳ２０２では、ステージ基準マークの焦点位置は−
１４３９ｎｍとなる。
プレート９上の基準マークが観察可能な位置にステージ
基準プレート９を駆動する（ステップＳ２０２）。ステ
ップＳ２０２では、ステージ基準マークの焦点位置は−
１４３９ｎｍとなる。
【００５９】以下の手順（ステップＳ２０３〜Ｓ２０
７）をステージ基準マークの焦点位置が＋３６１ｎｍと
なるまで繰り返し、投影光学系５に対するステージ基準
プレート９の焦点位置を変化させた時の光量値またはコ
ントラスト値と、光量値またはコントラスト値を計測し
た時のステージ基準プレート９の焦点位置とを記憶す
る。 （１）画像検出光学系２０で基準マークを計測する（ス
テップＳ２０３）。 （２）オートフォーカス検出系（投光光学系６及び検出
光学系７）によりステージ基準プレート９の上面の投影
光学系５に対する焦点位置を計測する（ステップＳ２０
４）。ステップＳ２０３とステップＳ２０４の順番は逆
でも良い。 （３）大気圧または装置内環境気圧の変動量を求め、変
動量から焦点位置への換算値を算出する（ステップＳ２
０５）。 （４）オートフォーカス検出系（投光光学系６及び検出
光学系７）で計測した焦点位置に気圧変化による焦点位
置の変動分を加算（換算）する（ステップＳ２０６）。 （５）投影光学系５に対するステージ基準プレート９の
焦点位置を変える（ステップＳ２０７）。具体的には現
在のステージ基準プレート焦点位置から＋１００ｎｍ駆
動する。
７）をステージ基準マークの焦点位置が＋３６１ｎｍと
なるまで繰り返し、投影光学系５に対するステージ基準
プレート９の焦点位置を変化させた時の光量値またはコ
ントラスト値と、光量値またはコントラスト値を計測し
た時のステージ基準プレート９の焦点位置とを記憶す
る。 （１）画像検出光学系２０で基準マークを計測する（ス
テップＳ２０３）。 （２）オートフォーカス検出系（投光光学系６及び検出
光学系７）によりステージ基準プレート９の上面の投影
光学系５に対する焦点位置を計測する（ステップＳ２０
４）。ステップＳ２０３とステップＳ２０４の順番は逆
でも良い。 （３）大気圧または装置内環境気圧の変動量を求め、変
動量から焦点位置への換算値を算出する（ステップＳ２
０５）。 （４）オートフォーカス検出系（投光光学系６及び検出
光学系７）で計測した焦点位置に気圧変化による焦点位
置の変動分を加算（換算）する（ステップＳ２０６）。 （５）投影光学系５に対するステージ基準プレート９の
焦点位置を変える（ステップＳ２０７）。具体的には現
在のステージ基準プレート焦点位置から＋１００ｎｍ駆
動する。
【００６０】本実施形態では、計測により得られた光量
値またはコントラスト値と焦点位置の情報を基に近似計
算または重心計算により、レチクル基準プレート３（ま
たはレチクル２）に対するステージ基準プレート９（ま
たはウエハ８）の最適焦点位置を算出している（ステッ
プＳ２０８）。即ち本実施形態においては、気圧変動に
よる影響をステージ基準プレート９の駆動目標位置には
反映せず、気圧変動分の補正値を記録しておき、ベスト
フォーカス位置計算でこの補正値を計算上で使用する。
値またはコントラスト値と焦点位置の情報を基に近似計
算または重心計算により、レチクル基準プレート３（ま
たはレチクル２）に対するステージ基準プレート９（ま
たはウエハ８）の最適焦点位置を算出している（ステッ
プＳ２０８）。即ち本実施形態においては、気圧変動に
よる影響をステージ基準プレート９の駆動目標位置には
反映せず、気圧変動分の補正値を記録しておき、ベスト
フォーカス位置計算でこの補正値を計算上で使用する。
【００６１】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態について説明する。図３は本発明の第２の実施形態に
おけるフォーカスキャリブレーションの処理シーケンス
を示すフローチャートである。同図及び図１に示すよう
に、まずレチクル基準プレート３上の基準マーク（また
はレチクル２上のマーク）に画像検出光学系２０のフォ
ーカスを粗調整する（ステップＳ３０１）。この粗調整
の目的はレチクル基準プレート３（またはレチクル２）
上のマークに対して画像検出光学系２０の焦点を合わせ
る事である。
態について説明する。図３は本発明の第２の実施形態に
おけるフォーカスキャリブレーションの処理シーケンス
を示すフローチャートである。同図及び図１に示すよう
に、まずレチクル基準プレート３上の基準マーク（また
はレチクル２上のマーク）に画像検出光学系２０のフォ
ーカスを粗調整する（ステップＳ３０１）。この粗調整
の目的はレチクル基準プレート３（またはレチクル２）
上のマークに対して画像検出光学系２０の焦点を合わせ
る事である。
【００６２】本実施形態では、ステージ基準マークの焦
点位置を−１４３９ｎｍ〜＋３６１ｎｍの範囲で１００
ｎｍ間隔で焦点位置をずらした時のステージ基準マーク
計測をする場合を例に挙げ説明する。
点位置を−１４３９ｎｍ〜＋３６１ｎｍの範囲で１００
ｎｍ間隔で焦点位置をずらした時のステージ基準マーク
計測をする場合を例に挙げ説明する。
【００６３】次に、現在の大気圧または装置内の環境気
圧の変動量を求め、変動量を焦点位置に換算した補正駆
動量を算出する（ステップＳ３０２）。補正駆動量は＋
１１．０１ｎｍ。
圧の変動量を求め、変動量を焦点位置に換算した補正駆
動量を算出する（ステップＳ３０２）。補正駆動量は＋
１１．０１ｎｍ。
【００６４】画像検出光学系２０でステージ基準プレー
ト９上の基準マークが観察可能な位置にステージ基準プ
レート９を駆動すると共に、ステップＳ３０２で算出し
た焦点位置補正量を反映した位置にウエハステージ１０
を駆動する（ステップＳ３０３）。ステップＳ３０３で
の焦点位置は−１４３９ｎｍ＋１１．０１ｎｍ＝−１４
２７．９９ｎｍとなる。
ト９上の基準マークが観察可能な位置にステージ基準プ
レート９を駆動すると共に、ステップＳ３０２で算出し
た焦点位置補正量を反映した位置にウエハステージ１０
を駆動する（ステップＳ３０３）。ステップＳ３０３で
の焦点位置は−１４３９ｎｍ＋１１．０１ｎｍ＝−１４
２７．９９ｎｍとなる。
【００６５】以下の手順（ステップＳ３０４〜Ｓ３０
７）をステージ基準マークの気圧補正前の焦点位置が＋
３６１ｎｍとなるまで繰り返し、投影光学系５に対する
ステージ基準プレート９の焦点位置を変化させた時の光
量値またはコントラスト値と、光量値またはコントラス
ト値の計測時のステージ基準プレート９の焦点位置を記
憶する。 （１）画像検出光学系２０で基準マークを計測する（ス
テップＳ３０４）。 （２）現在の大気圧または装置内の環境気圧の変動量を
求め、変動量を焦点位置に換算した補正駆動量を算出す
る（ステップＳ３０５）。 （３）ステップＳ３０５で算出した焦点位置補正駆動量
を反映させ、投影光学系５に対するステージ基準プレー
ト９の焦点位置を変える（ステップＳ３０６）。具体的
には現在のステージ基準プレート焦点位置をステップＳ
３０５で求めた焦点位置補正駆動量＋１００ｎｍ駆動す
る。
７）をステージ基準マークの気圧補正前の焦点位置が＋
３６１ｎｍとなるまで繰り返し、投影光学系５に対する
ステージ基準プレート９の焦点位置を変化させた時の光
量値またはコントラスト値と、光量値またはコントラス
ト値の計測時のステージ基準プレート９の焦点位置を記
憶する。 （１）画像検出光学系２０で基準マークを計測する（ス
テップＳ３０４）。 （２）現在の大気圧または装置内の環境気圧の変動量を
求め、変動量を焦点位置に換算した補正駆動量を算出す
る（ステップＳ３０５）。 （３）ステップＳ３０５で算出した焦点位置補正駆動量
を反映させ、投影光学系５に対するステージ基準プレー
ト９の焦点位置を変える（ステップＳ３０６）。具体的
には現在のステージ基準プレート焦点位置をステップＳ
３０５で求めた焦点位置補正駆動量＋１００ｎｍ駆動す
る。
【００６６】ステップＳ３０８では、計測により得られ
た光量値またはコントラスト値と焦点位置の情報を基に
近似計算または重心計算により、レチクル基準プレート
３（またはレチクル２）に対するステージ基準プレート
９（またはウエハ８）の最適焦点位置を算出している。
このように第２実施形態では第１実施形態とは異なり、
気圧変動分の補正値をステージ基準プレートの駆動目標
位置に直接反映する形をとっている。
た光量値またはコントラスト値と焦点位置の情報を基に
近似計算または重心計算により、レチクル基準プレート
３（またはレチクル２）に対するステージ基準プレート
９（またはウエハ８）の最適焦点位置を算出している。
このように第２実施形態では第１実施形態とは異なり、
気圧変動分の補正値をステージ基準プレートの駆動目標
位置に直接反映する形をとっている。
【００６７】本発明の第１の実施形態及び第２の実施形
態に基づきフォーカスキャリブレーション計測を気圧変
動分の補正を行った場合と行わない場合に発生するオフ
セットに関して説明する。
態に基づきフォーカスキャリブレーション計測を気圧変
動分の補正を行った場合と行わない場合に発生するオフ
セットに関して説明する。
【００６８】表１は、フォーカスキャリブレーション計
測で計測したコントラスト値と、コントラスト計測実施
時の気圧補正前のウエハステージ焦点位置との関係を示
している数値表である。
測で計測したコントラスト値と、コントラスト計測実施
時の気圧補正前のウエハステージ焦点位置との関係を示
している数値表である。
【００６９】
【表１】
【００７０】表２は、フォーカスキャリブレーション計
測で計測したコントラスト値と、コントラスト計測実施
時の気圧補正後のウエハステージ焦点位置との関係を示
している数値表である。
測で計測したコントラスト値と、コントラスト計測実施
時の気圧補正後のウエハステージ焦点位置との関係を示
している数値表である。
【００７１】
【表２】
【００７２】表１のフォーカスキャリブレーション計測
値を基に最適焦点位置の算出を重心計算で実施した場合
の気圧補正前の最適焦点位置は−６６２ｎｍとなる。
値を基に最適焦点位置の算出を重心計算で実施した場合
の気圧補正前の最適焦点位置は−６６２ｎｍとなる。
【００７３】一方、表２のフォーカスキャリブレーショ
ン計測値を基に最適焦点位置の算出を重心計算で実施し
た場合の気圧補正後の最適焦点位置は−６５３ｎｍとな
る。
ン計測値を基に最適焦点位置の算出を重心計算で実施し
た場合の気圧補正後の最適焦点位置は−６５３ｎｍとな
る。
【００７４】フォーカスキャリブレーション実行中の気
圧変化分の補正を行わない場合は、焦点位置が９ｎｍの
オフセットをもつ事となる。
圧変化分の補正を行わない場合は、焦点位置が９ｎｍの
オフセットをもつ事となる。
【００７５】フォーカスキャリブレーション実行中の気
圧の変動が大きい場合には、このオフセット量が更に大
きくなる。
圧の変動が大きい場合には、このオフセット量が更に大
きくなる。
【００７６】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態について説明する。図４は本発明の第３の実施形態に
おけるフォーカスキャリブレーションの処理シーケンス
を示すフローチャートである。同図及び図１に示すよう
に、まずレチクル基準プレート３上の基準マーク（また
はレチクル２上のマーク）に画像検出光学系２０のフォ
ーカスを粗調整する（ステップＳ４０１）。この粗調整
の目的はレチクル基準プレート３（またはレチクル２）
上のマークに対して画像検出光学系２０の焦点を合わせ
る事である。
態について説明する。図４は本発明の第３の実施形態に
おけるフォーカスキャリブレーションの処理シーケンス
を示すフローチャートである。同図及び図１に示すよう
に、まずレチクル基準プレート３上の基準マーク（また
はレチクル２上のマーク）に画像検出光学系２０のフォ
ーカスを粗調整する（ステップＳ４０１）。この粗調整
の目的はレチクル基準プレート３（またはレチクル２）
上のマークに対して画像検出光学系２０の焦点を合わせ
る事である。
【００７７】本実施形態では、ステージ基準マークの焦
点位置を−１４３９ｎｍ〜＋３６１ｎｍの範囲で１００
ｎｍ間隔で焦点位置をずらした時のステージ基準マーク
計測をする場合を例に挙げ説明する。
点位置を−１４３９ｎｍ〜＋３６１ｎｍの範囲で１００
ｎｍ間隔で焦点位置をずらした時のステージ基準マーク
計測をする場合を例に挙げ説明する。
【００７８】次に、現在の大気圧または装置内環境気圧
の変動量を求め、変動量を画像検出系光源の波長に換算
し、換算した波長に切り替える（ステップＳ４０２）。
の変動量を求め、変動量を画像検出系光源の波長に換算
し、換算した波長に切り替える（ステップＳ４０２）。
【００７９】画像検出光学系２０でステージ基準プレー
ト９上の基準マークが観察可能な位置にウエハステージ
１０を駆動する（ステップＳ４０３）。ステップＳ４０
３では、ステージ基準マークの焦点位置は−１４３９ｎ
ｍとなる。
ト９上の基準マークが観察可能な位置にウエハステージ
１０を駆動する（ステップＳ４０３）。ステップＳ４０
３では、ステージ基準マークの焦点位置は−１４３９ｎ
ｍとなる。
【００８０】以下の手順（ステップＳ４０４〜Ｓ４０
７）をステージ基準マークの焦点位置が＋３６１ｎｍと
なるまで繰り返し、投影光学系５に対するステージ基準
プレート９の焦点位置を変化させた時の光量値またはコ
ントラスト値と、光量値またはコントラスト値の計測時
のステージ基準プレート９の焦点位置とを記憶する。 （１）画像検出光学系２０で基準マークを計測する（ス
テップＳ４０４）。 （２）オートフォーカス検出系（投光光学系６及び検出
光学系７）によりステージ基準プレート９の上面の投影
光学系５に対する焦点位置を計測する（ステップＳ４０
５）。ステップＳ４０４とステップＳ４０５の順番は逆
でも良い。 （３）現在の大気圧または装置内環境気圧の変動量を求
め、変動量を画像検出系光源の波長に換算し、換算した
波長に切り替える（ステップＳ４０６）。 （４）次の計測位置へステージ基準マークを駆動する
（ステップＳ４０７）。具体的には、現在のステージ基
準プレート焦点位置から＋１００ｎｍ駆動する。
７）をステージ基準マークの焦点位置が＋３６１ｎｍと
なるまで繰り返し、投影光学系５に対するステージ基準
プレート９の焦点位置を変化させた時の光量値またはコ
ントラスト値と、光量値またはコントラスト値の計測時
のステージ基準プレート９の焦点位置とを記憶する。 （１）画像検出光学系２０で基準マークを計測する（ス
テップＳ４０４）。 （２）オートフォーカス検出系（投光光学系６及び検出
光学系７）によりステージ基準プレート９の上面の投影
光学系５に対する焦点位置を計測する（ステップＳ４０
５）。ステップＳ４０４とステップＳ４０５の順番は逆
でも良い。 （３）現在の大気圧または装置内環境気圧の変動量を求
め、変動量を画像検出系光源の波長に換算し、換算した
波長に切り替える（ステップＳ４０６）。 （４）次の計測位置へステージ基準マークを駆動する
（ステップＳ４０７）。具体的には、現在のステージ基
準プレート焦点位置から＋１００ｎｍ駆動する。
【００８１】ステップＳ４０８では、計測により得られ
た光量値またはコントラスト値と焦点位置の情報を基に
近似計算または重心計算により、レチクル基準プレート
３（またはレチクル２）に対するステージ基準プレート
９（またはウエハ８）の最適焦点位置を算出している。
た光量値またはコントラスト値と焦点位置の情報を基に
近似計算または重心計算により、レチクル基準プレート
３（またはレチクル２）に対するステージ基準プレート
９（またはウエハ８）の最適焦点位置を算出している。
【００８２】本発明の第１から第３の実施形態によれ
ば、フォーカスキャリブレーション実行中という短期的
な気圧変化に伴う焦点位置の変動を補正する事が可能と
なる。
ば、フォーカスキャリブレーション実行中という短期的
な気圧変化に伴う焦点位置の変動を補正する事が可能と
なる。
【００８３】本発明の第１から第３の実施形態中の大気
圧または装置内環境気圧の変動量は、前回気圧補正を行
った時の気圧値からの変動量であっても良いし、前回光
源の波長を切り替えた時の気圧値からの変動量であって
も良いし、前回補正レンズを駆動させた時の気圧値から
の変動量であっても良い。
圧または装置内環境気圧の変動量は、前回気圧補正を行
った時の気圧値からの変動量であっても良いし、前回光
源の波長を切り替えた時の気圧値からの変動量であって
も良いし、前回補正レンズを駆動させた時の気圧値から
の変動量であっても良い。
【００８４】（第４の実施形態）本発明の第４の実施形
態について説明する。図５は本発明の第４の実施形態に
係る露光処理のシーケンスを示したフローチャートであ
る。同図及び図１に示すように、先ず、露光位置へのウ
エハステージ１０の駆動を開始する（ステップＳ５０
１）。
態について説明する。図５は本発明の第４の実施形態に
係る露光処理のシーケンスを示したフローチャートであ
る。同図及び図１に示すように、先ず、露光位置へのウ
エハステージ１０の駆動を開始する（ステップＳ５０
１）。
【００８５】次に、ウエハステージ１０を第１ショット
露光位置へ駆動中に大気圧または装置内環境気圧の変動
量を算出する。（ステップＳ５０２）。大気圧または装
置内環境気圧の変動量の算出は、気圧モニタリングによ
り一定期間（例えば前ショットの露光終了時から次ショ
ットの露光位置への駆動終了まで）の気圧値を読み込ん
でおき、読み込んだ全気圧値の平均値と、前回気圧補正
を行った時の気圧値との差分を変動量としても良いし、
前回光源の波長を切り替えた時の気圧値との差分を変動
量としても良いし、前回補正レンズを駆動させた時の気
圧値との差分を変動量としても良い。
露光位置へ駆動中に大気圧または装置内環境気圧の変動
量を算出する。（ステップＳ５０２）。大気圧または装
置内環境気圧の変動量の算出は、気圧モニタリングによ
り一定期間（例えば前ショットの露光終了時から次ショ
ットの露光位置への駆動終了まで）の気圧値を読み込ん
でおき、読み込んだ全気圧値の平均値と、前回気圧補正
を行った時の気圧値との差分を変動量としても良いし、
前回光源の波長を切り替えた時の気圧値との差分を変動
量としても良いし、前回補正レンズを駆動させた時の気
圧値との差分を変動量としても良い。
【００８６】また、気圧モニタリングにより一定期間
（例えば前ショットの露光終了時から次ショットの露光
位置への駆動終了まで）の気圧値を読み込んでおき、読
み込んだ全気圧値の変動状況より次ショット露光時の気
圧値を予測し、予測した気圧値と、前回気圧補正を行っ
た時の気圧値との差分を変動量としても良いし、前回光
源の波長を切り替えた時の気圧値との差分を変動量とし
ても良いし、前回補正レンズを駆動させた時の気圧値と
の差分を変動量としても良い。
（例えば前ショットの露光終了時から次ショットの露光
位置への駆動終了まで）の気圧値を読み込んでおき、読
み込んだ全気圧値の変動状況より次ショット露光時の気
圧値を予測し、予測した気圧値と、前回気圧補正を行っ
た時の気圧値との差分を変動量としても良いし、前回光
源の波長を切り替えた時の気圧値との差分を変動量とし
ても良いし、前回補正レンズを駆動させた時の気圧値と
の差分を変動量としても良い。
【００８７】算出された気圧の変動量に基づき、気圧変
動に伴う結像特性の変化分を補正する補正量を算出し、
補正方法を選択する（ステップＳ５０３）。
動に伴う結像特性の変化分を補正する補正量を算出し、
補正方法を選択する（ステップＳ５０３）。
【００８８】ここで、結像特性の補正方法の選択に関し
説明する。結像特性の補正方法としては、 １．可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する、 ２．投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する、 ３．光源の波長を切り替える、 ４．可動ステージの走査速度を変化させる、 の４つの方法が考えられる。ここで、「可動ステージ」
とは、レチクルステージ４またはウエハステージ１０の
事を指す。
説明する。結像特性の補正方法としては、 １．可動ステージを投影光学系の光軸方向へ駆動する、 ２．投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する、 ３．光源の波長を切り替える、 ４．可動ステージの走査速度を変化させる、 の４つの方法が考えられる。ここで、「可動ステージ」
とは、レチクルステージ４またはウエハステージ１０の
事を指す。
【００８９】表３は、前記４つの結像特性の補正方法を
補正時間及び補正精度の観点に基づきまとめたものであ
る。
補正時間及び補正精度の観点に基づきまとめたものであ
る。
【００９０】
【表３】
【００９１】表３に示す通り、「可動ステージを投影光
学系の光軸方向へ駆動する」方法、及び「可動ステージ
の走査速度を切り替える」方法の場合、補正時間が短
い。ただし、「可動ステージの走査速度を切り替える」
方法は、走査型露光装置のみ実現可能な方法である。
学系の光軸方向へ駆動する」方法、及び「可動ステージ
の走査速度を切り替える」方法の場合、補正時間が短
い。ただし、「可動ステージの走査速度を切り替える」
方法は、走査型露光装置のみ実現可能な方法である。
【００９２】これに対して、「投影光学系の補正レンズ
を光軸方向へ駆動する」方法、及び「光源の波長を切り
替える」方法の場合は、補正時間が長い。
を光軸方向へ駆動する」方法、及び「光源の波長を切り
替える」方法の場合は、補正時間が長い。
【００９３】補正精度は、「投影光学系の補正レンズを
光軸方向へ駆動する」方法、及び「光源の波長を切り替
える」方法の場合が良好である。
光軸方向へ駆動する」方法、及び「光源の波長を切り替
える」方法の場合が良好である。
【００９４】特に、「光源の波長を切り替える」方法
は、波長を切り替える事で、結像特性（フォーカス、倍
率、歪み等）を最も効果的に補正する事が可能である。
は、波長を切り替える事で、結像特性（フォーカス、倍
率、歪み等）を最も効果的に補正する事が可能である。
【００９５】これに対して「可動ステージを投影光学系
の光軸方向へ駆動する」方法、及び「可動ステージの走
査速度を切り替える」方法は、若干ではあるが補正精度
が劣っている。
の光軸方向へ駆動する」方法、及び「可動ステージの走
査速度を切り替える」方法は、若干ではあるが補正精度
が劣っている。
【００９６】露光処理中の気圧変動に伴う結像特性の補
正では、スループットまたは補正精度を考慮し、気圧変
動量に応じた補正方法を選択する事により、露光処理の
最適化を図る事が可能となる。
正では、スループットまたは補正精度を考慮し、気圧変
動量に応じた補正方法を選択する事により、露光処理の
最適化を図る事が可能となる。
【００９７】ステップＳ５０３で選択された補正方法に
基づき気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正する（ス
テップＳ５０４）。
基づき気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正する（ス
テップＳ５０４）。
【００９８】補正方法の選択基準に関し、説明する。例
えば、コンタクトホールの露光工程等、露光時に焦点深
度を確保する必要がある場合は、スループットを多少犠
牲にしても補正精度を重視した補正方法を選択する。ラ
フレイヤ露光工程等、露光時にある程度の焦点深度が確
保されていれば良い場合は、補正精度を多少犠牲にして
もスループットを重視した補正方法を選択する。
えば、コンタクトホールの露光工程等、露光時に焦点深
度を確保する必要がある場合は、スループットを多少犠
牲にしても補正精度を重視した補正方法を選択する。ラ
フレイヤ露光工程等、露光時にある程度の焦点深度が確
保されていれば良い場合は、補正精度を多少犠牲にして
もスループットを重視した補正方法を選択する。
【００９９】ステップＳ５０４による結像特性の変化分
の補正が終了後、ショットの露光処理を行う（ステップ
Ｓ５０５）。
の補正が終了後、ショットの露光処理を行う（ステップ
Ｓ５０５）。
【０１００】ショットの露光終了後、全ウエハの露光が
終了したか判断する（ステップＳ５０６）。全てのショ
ットの露光が終了した場合はそのまま露光処理が終了と
なる。未露光ショットが残っている場合は、ステップＳ
５０１に戻り次の露光ショット処理が開始される。
終了したか判断する（ステップＳ５０６）。全てのショ
ットの露光が終了した場合はそのまま露光処理が終了と
なる。未露光ショットが残っている場合は、ステップＳ
５０１に戻り次の露光ショット処理が開始される。
【０１０１】本発明の第４の実施形態によれば、露光処
理中の気圧変動に伴う結像特性の変動分の補正方法を選
択する事により、露光処理の最適化が図れる。
理中の気圧変動に伴う結像特性の変動分の補正方法を選
択する事により、露光処理の最適化が図れる。
【０１０２】（第５の実施形態）本発明の第５の実施形
態について説明する。図６は第５の実施形態における装
置稼働中のフローチャートを示している。同図に示すよ
うに、装置稼働中は、ジョブが開始されるとジョブで使
用するレチクルをセットする（ステップＳ６０１）。ス
テップＳ６０２でウエハを供給する。ウエハ供給後に大
気圧または装置内環境気圧の変動量を求め、変動量より
補正量及び補正方法を決定する（ステップＳ６０３）。
大気圧または装置内環境気圧の変動量の算出は、ウエハ
供給後の気圧値を読み込み、読み込んだ気圧値と、前回
気圧補正を行った時の気圧値との差分を変動量としても
良いし、前回光源の波長を切り替えた時の気圧値との差
分を変動量としても良いし、前回補正レンズを駆動させ
た時の気圧値との差分を変動量としても良い。
態について説明する。図６は第５の実施形態における装
置稼働中のフローチャートを示している。同図に示すよ
うに、装置稼働中は、ジョブが開始されるとジョブで使
用するレチクルをセットする（ステップＳ６０１）。ス
テップＳ６０２でウエハを供給する。ウエハ供給後に大
気圧または装置内環境気圧の変動量を求め、変動量より
補正量及び補正方法を決定する（ステップＳ６０３）。
大気圧または装置内環境気圧の変動量の算出は、ウエハ
供給後の気圧値を読み込み、読み込んだ気圧値と、前回
気圧補正を行った時の気圧値との差分を変動量としても
良いし、前回光源の波長を切り替えた時の気圧値との差
分を変動量としても良いし、前回補正レンズを駆動させ
た時の気圧値との差分を変動量としても良い。
【０１０３】算出された気圧の変動量に基づき、気圧変
動に伴う結像特性の変化分を補正する補正量を算出し、
補正方法を選択する。結像特性の補正方法としては、 １．投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する、 ２．光源の波長を切り替える、 の２つの方法が考えられる。
動に伴う結像特性の変化分を補正する補正量を算出し、
補正方法を選択する。結像特性の補正方法としては、 １．投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する、 ２．光源の波長を切り替える、 の２つの方法が考えられる。
【０１０４】ステップＳ６０４では結像特性を補正す
る。ウエハ供給後の結像特性の補正方法としては、上記
２つの選択肢のみであるため、表３より、補正時間及び
補正精度の観点に基づき補正方法を決定すれば良い。
る。ウエハ供給後の結像特性の補正方法としては、上記
２つの選択肢のみであるため、表３より、補正時間及び
補正精度の観点に基づき補正方法を決定すれば良い。
【０１０５】補正精度はどちらの方法で補正を行っても
変わらないため、補正時間に着目して補正方法を決定す
れば良い。
変わらないため、補正時間に着目して補正方法を決定す
れば良い。
【０１０６】補正時間は、「投影光学系の補正レンズを
光軸方向へ駆動する」、「光源の波長を切り替える」の
いずれの方法も補正時間が長いが、このような場合はそ
の後の処理（この場合はステップＳ６０５のアライメン
ト処理）と並列処理で補正駆動が実施可能な方法を選択
すれば良い。補正量の算出は、決定された補正方法に合
わせて求める。
光軸方向へ駆動する」、「光源の波長を切り替える」の
いずれの方法も補正時間が長いが、このような場合はそ
の後の処理（この場合はステップＳ６０５のアライメン
ト処理）と並列処理で補正駆動が実施可能な方法を選択
すれば良い。補正量の算出は、決定された補正方法に合
わせて求める。
【０１０７】補正方法が「投影光学系の補正レンズを光
軸方向へ駆動する」の場合に算出する補正量は、補正レ
ンズの駆動量であるため、気圧変動量を補正レンズの駆
動量に換算した値を補正量とする。
軸方向へ駆動する」の場合に算出する補正量は、補正レ
ンズの駆動量であるため、気圧変動量を補正レンズの駆
動量に換算した値を補正量とする。
【０１０８】補正方法が「光源の波長を切り替える」の
場合に算出する補正量は、変更する波長値であるため、
気圧変動量を光源の波長値に換算した値を補正値とす
る。
場合に算出する補正量は、変更する波長値であるため、
気圧変動量を光源の波長値に換算した値を補正値とす
る。
【０１０９】ステップＳ６０３で決定された補正量及び
補正方法で気圧変動に伴う結像特性の補正を行う（ステ
ップＳ６０４）。
補正方法で気圧変動に伴う結像特性の補正を行う（ステ
ップＳ６０４）。
【０１１０】ステップＳ６０５でアライメント計測を行
う。ステップＳ６０５のアライメント計測中では、前述
の第１から第３の実施形態で述べたいずれかの方法によ
り補正を行っても良い。ステップＳ６０５でのアライメ
ント計測中に、大気圧または装置内環境気圧が大きく変
動した場合は、ステップＳ６０３及びステップＳ６０４
の方法を用いて気圧変動に伴う結像特性の変化分の補正
を行っても良い。
う。ステップＳ６０５のアライメント計測中では、前述
の第１から第３の実施形態で述べたいずれかの方法によ
り補正を行っても良い。ステップＳ６０５でのアライメ
ント計測中に、大気圧または装置内環境気圧が大きく変
動した場合は、ステップＳ６０３及びステップＳ６０４
の方法を用いて気圧変動に伴う結像特性の変化分の補正
を行っても良い。
【０１１１】その後、露光が行われる（ステップＳ６０
６）。ステップＳ６０６の露光処理中では、前述の第４
の実施形態で述べた方法により補正を行っても良い。ス
テップＳ６０６での露光処理中に、大気圧または装置内
環境気圧が大きく変動した場合は、ステップＳ６０３及
びステップＳ６０４の方法を用いて気圧変動に伴う結像
特性の変化分の補正を行っても良い。
６）。ステップＳ６０６の露光処理中では、前述の第４
の実施形態で述べた方法により補正を行っても良い。ス
テップＳ６０６での露光処理中に、大気圧または装置内
環境気圧が大きく変動した場合は、ステップＳ６０３及
びステップＳ６０４の方法を用いて気圧変動に伴う結像
特性の変化分の補正を行っても良い。
【０１１２】ショットの露光終了後、全ウエハの露光が
終了したか判断する（ステップＳ６０７）。全てのショ
ットの露光が終了した場合はそのまま露光処理が終了と
なる。未露光ショットが残っている場合は、ステップＳ
６０２に戻り次の露光ショット処理が開始される。以上
が装置稼動中の処理となっている。
終了したか判断する（ステップＳ６０７）。全てのショ
ットの露光が終了した場合はそのまま露光処理が終了と
なる。未露光ショットが残っている場合は、ステップＳ
６０２に戻り次の露光ショット処理が開始される。以上
が装置稼動中の処理となっている。
【０１１３】第５の実施形態中では、大気圧または装置
内環境気圧の変動に伴う結像特性の変化分の補正は、ス
テップＳ６０２のウエハ供給後、ステップＳ６０５のア
ライメント計測中及びステップＳ６０６の露光処理中に
行っている。
内環境気圧の変動に伴う結像特性の変化分の補正は、ス
テップＳ６０２のウエハ供給後、ステップＳ６０５のア
ライメント計測中及びステップＳ６０６の露光処理中に
行っている。
【０１１４】本実施形態中では、大気圧または装置内環
境気圧の変動に伴う結像特性の変化分の補正のタイミン
グを限定しているが、勿論任意のタイミング（例えば気
圧値の変動が大きい時）に補正を行っても良い。
境気圧の変動に伴う結像特性の変化分の補正のタイミン
グを限定しているが、勿論任意のタイミング（例えば気
圧値の変動が大きい時）に補正を行っても良い。
【０１１５】露光処理中の気圧変動に伴う結像特性の補
正では、スループットまたは補正精度を考慮し、気圧変
動量に応じた補正方法を選択する事により、露光処理の
最適化を図る事が可能となる。
正では、スループットまたは補正精度を考慮し、気圧変
動量に応じた補正方法を選択する事により、露光処理の
最適化を図る事が可能となる。
【０１１６】本発明の第５の実施形態によれば、装置稼
動中の気圧変動に伴う結像特性の変動分の補正方法を選
択する事により、露光処理の最適化が図れる。
動中の気圧変動に伴う結像特性の変動分の補正方法を選
択する事により、露光処理の最適化が図れる。
【０１１７】（半導体生産システムの実施形態）次に、
本発明に係る装置または方法を用いた半導体デバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システ
ムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された
製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいは
ソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワークを利用して行うものである。
本発明に係る装置または方法を用いた半導体デバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システ
ムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された
製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいは
ソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外の
コンピュータネットワークを利用して行うものである。
【０１１８】図８は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、１１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１１０１内には、製造
装置の保守データベースを提供するホスト管理システム
１１０８、複数の操作端末コンピュータ１１１０、これ
らを結んでイントラネット等を構築するローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）１１０９を備える。ホスト管理
システム１１０８は、ＬＡＮ１１０９を事業所の外部ネ
ットワークであるインターネット１１０５に接続するた
めのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセ
キュリティ機能を備える。
して表現したものである。図中、１１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１１０１内には、製造
装置の保守データベースを提供するホスト管理システム
１１０８、複数の操作端末コンピュータ１１１０、これ
らを結んでイントラネット等を構築するローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）１１０９を備える。ホスト管理
システム１１０８は、ＬＡＮ１１０９を事業所の外部ネ
ットワークであるインターネット１１０５に接続するた
めのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセ
キュリティ機能を備える。
【０１１９】一方、１１０２〜１１０４は、製造装置の
ユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製
造工場１１０２〜１１０４は、互いに異なるメーカに属
する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場
（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっ
ても良い。各工場１１０２〜１１０４内には、夫々、複
数の製造装置１１０６と、それらを結んでイントラネッ
ト等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）
１１１１と、各製造装置１１０６の稼動状況を監視する
監視装置としてホスト管理システム１１０７とが設けら
れている。各工場１１０２〜１１０４に設けられたホス
ト管理システム１１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１１
を工場の外部ネットワークであるインターネット１１０
５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより
各工場のＬＡＮ１１１１からインターネット１１０５を
介してベンダ１１０１側のホスト管理システム１１０８
にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１１０８
のセキュリティ機能によって限られたユーザだけにアク
セスが許可となっている。具体的には、インターネット
１１０５を介して、各製造装置１１０６の稼動状況を示
すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装
置の症状）を工場側からベンダ側に通知する他、その通
知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処
方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）
や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報を
ベンダ側から受け取ることができる。各工場１１０２〜
１１０４とベンダ１１０１との間のデータ通信および各
工場内のＬＡＮ１１１１でのデータ通信には、インター
ネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣ
Ｐ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワ
ークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者
からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネ
ットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。
また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限
らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク
上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへの
アクセスを許可するようにしてもよい。
ユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製
造工場１１０２〜１１０４は、互いに異なるメーカに属
する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場
（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっ
ても良い。各工場１１０２〜１１０４内には、夫々、複
数の製造装置１１０６と、それらを結んでイントラネッ
ト等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）
１１１１と、各製造装置１１０６の稼動状況を監視する
監視装置としてホスト管理システム１１０７とが設けら
れている。各工場１１０２〜１１０４に設けられたホス
ト管理システム１１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１１
を工場の外部ネットワークであるインターネット１１０
５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより
各工場のＬＡＮ１１１１からインターネット１１０５を
介してベンダ１１０１側のホスト管理システム１１０８
にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１１０８
のセキュリティ機能によって限られたユーザだけにアク
セスが許可となっている。具体的には、インターネット
１１０５を介して、各製造装置１１０６の稼動状況を示
すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装
置の症状）を工場側からベンダ側に通知する他、その通
知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処
方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）
や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報を
ベンダ側から受け取ることができる。各工場１１０２〜
１１０４とベンダ１１０１との間のデータ通信および各
工場内のＬＡＮ１１１１でのデータ通信には、インター
ネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣ
Ｐ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワ
ークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者
からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネ
ットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。
また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限
らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク
上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへの
アクセスを許可するようにしてもよい。
【０１２０】さて、図９は本実施形態の全体システムを
図８とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部
ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して
各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報を
データ通信するものであった。これに対し本例は、複数
のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置
のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネ
ットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ
通信するものである。図中、１２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置１２０２、レジスト処理装置１２０
３、成膜処理装置１２０４が導入されている。なお図９
では製造工場１２０１は１つだけ描いているが、実際は
複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内
の各装置はＬＡＮ１２０６で接続されてイントラネット
を構成し、ホスト管理システム１２０５で製造ラインの
稼動管理がされている。
図８とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部
ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して
各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報を
データ通信するものであった。これに対し本例は、複数
のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置
のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネ
ットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ
通信するものである。図中、１２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置１２０２、レジスト処理装置１２０
３、成膜処理装置１２０４が導入されている。なお図９
では製造工場１２０１は１つだけ描いているが、実際は
複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内
の各装置はＬＡＮ１２０６で接続されてイントラネット
を構成し、ホスト管理システム１２０５で製造ラインの
稼動管理がされている。
【０１２１】一方、露光装置メーカ１２１０、レジスト
処理装置メーカ１２２０、成膜装置メーカ１２３０など
ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
１２１１，１２２１，１２３１を備え、これらは上述し
たように保守データベースと外部ネットワークのゲート
ウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理す
るホスト管理システム１２０５と、各装置のベンダの管
理システム１２１１，１２２１，１２３１とは、外部ネ
ットワーク１２００であるインターネットもしくは専用
線ネットワークによって接続されている。このシステム
において、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかに
トラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしま
うが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネッ
ト１２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応
が可能であり、製造ラインの休止を最小限に抑えること
ができる。
処理装置メーカ１２２０、成膜装置メーカ１２３０など
ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
１２１１，１２２１，１２３１を備え、これらは上述し
たように保守データベースと外部ネットワークのゲート
ウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理す
るホスト管理システム１２０５と、各装置のベンダの管
理システム１２１１，１２２１，１２３１とは、外部ネ
ットワーク１２００であるインターネットもしくは専用
線ネットワークによって接続されている。このシステム
において、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかに
トラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしま
うが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネッ
ト１２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応
が可能であり、製造ラインの休止を最小限に抑えること
ができる。
【０１２２】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図１０に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種１４０１、シリアルナンバー１４０２、トラブルの件
名１４０３、発生日１４０４、緊急度１４０５、症状１
４０６、対処法１４０７、経過１４０８等の情報を画面
上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネ
ットを介して保守データベースに送信され、その結果の
適切な保守情報が保守データベースから返信されディス
プレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供する
ユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリ
ンク機能１４１０〜１４１２を実現し、オペレータは各
項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供
するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最
新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペ
レータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出
したりすることができる。ここで、保守データベースが
提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情
報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明
を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図１０に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種１４０１、シリアルナンバー１４０２、トラブルの件
名１４０３、発生日１４０４、緊急度１４０５、症状１
４０６、対処法１４０７、経過１４０８等の情報を画面
上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネ
ットを介して保守データベースに送信され、その結果の
適切な保守情報が保守データベースから返信されディス
プレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供する
ユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリ
ンク機能１４１０〜１４１２を実現し、オペレータは各
項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供
するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最
新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペ
レータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出
したりすることができる。ここで、保守データベースが
提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情
報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明
を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【０１２３】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１１は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１１は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
【０１２４】図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。
【０１２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フォーカスキャリブレーション実行中の気圧変動による
焦点位置の補正が可能となるため、フォーカスキャリブ
レーションの計測精度が向上し、且つ適切な時期に必要
最小限で補正できるためスループットの低下を防止す
る。
フォーカスキャリブレーション実行中の気圧変動による
焦点位置の補正が可能となるため、フォーカスキャリブ
レーションの計測精度が向上し、且つ適切な時期に必要
最小限で補正できるためスループットの低下を防止す
る。
【０１２６】これとは別の本発明によれば、気圧変動に
よる結像特性の変化分の補正を行なうに際し、例えばス
ループット及び補正精度の観点等より補正方法を切り替
える事により、装置の最適化を図る事が可能となる。
よる結像特性の変化分の補正を行なうに際し、例えばス
ループット及び補正精度の観点等より補正方法を切り替
える事により、装置の最適化を図る事が可能となる。
【図１】 本発明の実施形態及び従来例に係るＴＴＬ方
式によるフォーカスキャリブレーション機能を有する投
影露光装置の概略図である。
式によるフォーカスキャリブレーション機能を有する投
影露光装置の概略図である。
【図２】 本発明の第１の実施形態におけるフォーカス
キャリブレーション計測中に気圧補正を行うシーケンス
を示すフローチャートである。
キャリブレーション計測中に気圧補正を行うシーケンス
を示すフローチャートである。
【図３】 本発明の第２の実施形態におけるフォーカス
キャリブレーション計測中に気圧補正を行うシーケンス
を示すフローチャートである。
キャリブレーション計測中に気圧補正を行うシーケンス
を示すフローチャートである。
【図４】 本発明の第３の実施形態におけるフォーカス
キャリブレーション計測中に気圧補正を行うシーケンス
を示すフローチャートである。
キャリブレーション計測中に気圧補正を行うシーケンス
を示すフローチャートである。
【図５】 本発明の第４の実施形態における露光処理中
に気圧補正を行うシーケンスを示すフローチャートであ
る。
に気圧補正を行うシーケンスを示すフローチャートであ
る。
【図６】 本発明の第５の実施形態における装置稼動中
に気圧補正を行うシーケンスを示すフローチャートであ
る。
に気圧補正を行うシーケンスを示すフローチャートであ
る。
【図７】 従来例に係るフォーカスキャリブレーション
のシーケンスを示すフローチャートである。
のシーケンスを示すフローチャートである。
【図８】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの
生産システムをある角度から見た概念図である。
生産システムをある角度から見た概念図である。
【図９】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの
生産システムを別の角度から見た概念図である。
生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図１０】 ユーザインタフェースの具体例である。
【図１１】 デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。
る図である。
【図１２】 ウエハプロセスを説明する図である。
１：露光光源、２：レチクル、３：レチクル基準プレー
ト、４：レチクルステージ、５：投影光学系、６：投光
光学系、７：検出光学系、８：ウエハ、９：ステージ基
準プレート、１０：ウエハステージ、２０：画像検出光
学系、２１：ファイバ、２２：ハーフミラー、２３：対
物レンズ、２４：ミラー、２５：位置センサ、３０：光
源制御系、４０：レチクルステージ制御系、５０：投影
光学系制御系、６０：ウエハステージ制御系、７０：露
光装置制御系、１１０１：ベンダの事業所、１１０２，
１１０３，１１０４：製造工場、１１０５：インターネ
ット、１１０６：製造装置、１１０７：工場のホスト管
理システム、１１０８：ベンダ側のホスト管理システ
ム、１１０９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク
（ＬＡＮ）、１１１０：操作端末コンピュータ、１１１
１：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１
２００：外部ネットワーク、１２０１：製造装置ユーザ
の製造工場、１２０２：露光装置、１２０３：レジスト
処理装置、１２０４：成膜処理装置、１２０５：工場の
ホスト管理システム、１２０６：工場のローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）、１２１０：露光装置メーカ、
１２１１：露光装置メーカの事業所のホスト管理システ
ム、１２２０：レジスト処理装置メーカ、１２２１：レ
ジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム、
１２３０：成膜装置メーカ、１２３１：成膜装置メーカ
の事業所のホスト管理システム、１４０１：製造装置の
機種、１４０２：シリアルナンバー、１４０３：トラブ
ルの件名、１４０４：発生日、１４０５：緊急度、１４
０６：症状、１４０７：対処法、１４０８：経過、１４
１０，１４１１，１４１２：ハイパーリンク機能。
ト、４：レチクルステージ、５：投影光学系、６：投光
光学系、７：検出光学系、８：ウエハ、９：ステージ基
準プレート、１０：ウエハステージ、２０：画像検出光
学系、２１：ファイバ、２２：ハーフミラー、２３：対
物レンズ、２４：ミラー、２５：位置センサ、３０：光
源制御系、４０：レチクルステージ制御系、５０：投影
光学系制御系、６０：ウエハステージ制御系、７０：露
光装置制御系、１１０１：ベンダの事業所、１１０２，
１１０３，１１０４：製造工場、１１０５：インターネ
ット、１１０６：製造装置、１１０７：工場のホスト管
理システム、１１０８：ベンダ側のホスト管理システ
ム、１１０９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク
（ＬＡＮ）、１１１０：操作端末コンピュータ、１１１
１：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１
２００：外部ネットワーク、１２０１：製造装置ユーザ
の製造工場、１２０２：露光装置、１２０３：レジスト
処理装置、１２０４：成膜処理装置、１２０５：工場の
ホスト管理システム、１２０６：工場のローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）、１２１０：露光装置メーカ、
１２１１：露光装置メーカの事業所のホスト管理システ
ム、１２２０：レジスト処理装置メーカ、１２２１：レ
ジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム、
１２３０：成膜装置メーカ、１２３１：成膜装置メーカ
の事業所のホスト管理システム、１４０１：製造装置の
機種、１４０２：シリアルナンバー、１４０３：トラブ
ルの件名、１４０４：発生日、１４０５：緊急度、１４
０６：症状、１４０７：対処法、１４０８：経過、１４
１０，１４１１，１４１２：ハイパーリンク機能。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｆ
Claims (21)
- 【請求項１】 原版のパターンを投影光学系を介して基
板ステージ上に載置した基板上に繰り返して投影露光す
る露光手段と、 投影光学系のフォーカス検出を行なうフォーカス検出系
と、 大気圧及び装置内環境気圧の少なくともいずれか一方を
モニタする気圧モニタリング手段と、 前記フォーカス検出系に対して、気圧変動に伴う前記投
影光学系の結像特性の変化分を補正する補正手段とを有
し、 前記補正手段は前記フォーカス検出系のキャリブレーシ
ョン実行時に前記気圧モニタリング手段のモニタ結果に
基づいて補正を実行することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記投影光学系を介した前記基板ステー
ジ上マークの検出によって該マークの焦点位置を計測し
て前記フォーカス検出系のキャリブレーションを実行す
ることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記補正手段は前記マークの焦点位置計
測時に前記マークの高さを気圧変動分換算補正して前記
フォーカス検出系のキャリブレーションを実行する請求
項２に記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記補正手段は前記マークの焦点位置計
測において前記マークの高さ変更動作を実行する時に前
記マークの高さに気圧変動分の補正値を反映させる形で
キャリブレーションを実行する請求項２に記載の露光装
置。 - 【請求項５】 前記補正手段は前記マークの焦点位置計
測ににおいて前記マークの高さ変更動作を実行する際に
計測に使用する光源の波長に気圧変動分の補正値を反映
させて前記フォーカス検出系のキャリブレーションを実
行する請求項２に記載の露光装置。 - 【請求項６】 原版のパターンを投影光学系を介して基
板のステージ上に載置した基板上に繰り返して投影露光
する露光手段と、 大気圧及び装置内環境気圧の少なくともいずれか一方を
モニタする気圧モニタリング手段と、 気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正する為の複数の
補正手段を自動的に切り替え、且つ気圧変動量に基づい
て補正を制御する補正制御手段とを有する事を特徴とす
る露光装置。 - 【請求項７】 前記補正制御手段は、 可動ステージを前記投影光学系の光軸方向へ駆動する補
正手段、 気圧変動量を前記可動ステージの前記投影光学系の光軸
方向に対する焦点位置に換算する補正手段、 前記投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する補正
手段、 光源の波長を切り替える補正手段、 及び前記可動ステージの走査速度を変化させる補正手
段、の内、少なくともいずれか１つの補正手段により気
圧変動に伴う結像特性の変化分を補正すべく制御してい
る事を特徴とする請求項６に記載の露光装置。 - 【請求項８】 前記可動ステージとは、基板のステージ
及び原版のステージを含む事を特徴とする請求項７に記
載の露光装置。 - 【請求項９】 前記補正制御手段は、スループット及び
補正精度の内、少なくともいずれかの判断基準により自
動的に補正手段を切り替え、且つ気圧変動量より補正値
を算出し補正を制御している事を特徴とする請求項６に
記載の露光装置。 - 【請求項１０】 原版のパターンを投影光学系を介して
基板のステージ上に載置した基板上に繰り返して投影露
光する露光装置の気圧補正方法において、 大気圧及び装置内環境気圧の少なくともいずれか一方の
気圧値より気圧変動量を算出し、 気圧変動に伴う結像特性の変化分を補正する複数の補正
手段から算出した気圧変動量により自動的に補正手段を
決定し、且つ気圧変動量より補正値を算出し補正を行う
事を特徴とする気圧補正方法。 - 【請求項１１】 可動ステージを前記投影光学系の光軸
方向へ駆動する補正手段、 気圧変動量を前記可動ステージの前記投影光学系の光軸
方向に対する焦点位置に換算する補正手段、 前記投影光学系の補正レンズを光軸方向へ駆動する補正
手段、 光源の波長を切り替える補正手段、 及び前記可動ステージの走査速度を変化させる補正手
段、の内、少なくともいずれか１つの補正手段により気
圧変動に伴う結像特性の変化分を補正している事を特徴
とする請求項１０に記載の気圧補正方法。 - 【請求項１２】 前記可動ステージとは、基板のステー
ジ及び原版のステージを含む事を特徴とする請求項１１
に記載の気圧補正方法。 - 【請求項１３】 スループット及び補正精度の内、少な
くとも１つ以上の判断基準により自動的に補正手段を決
定し、且つ気圧変動量より補正値を算出し補正を行って
いる事を特徴とする請求項１１または１２に記載の気圧
補正方法。 - 【請求項１４】 請求項１〜９のいずれかに記載の露光
装置または請求項１０〜１３のいずれかに記載の気圧補
正方法を用いて半導体デバイスを製造することを特徴と
する半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１〜９のいずれかに記載の露光
装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工
場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロ
セスによって半導体デバイスを製造する工程とを有する
ことを特徴とする半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１６】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
請求項１５に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１７】 前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項１６
に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１８】 請求項１〜９のいずれかに記載の露光
装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置
群を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカ
ルエリアネットワークから工場外の外部ネットワークに
アクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置
群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信すること
を可能にしたことを特徴とする半導体製造工場。 - 【請求項１９】 半導体製造工場に設置された請求項１
〜９のいずれかに記載の露光装置の保守方法であって、
前記露光装置のベンダもしくはユーザが、半導体製造工
場の外部ネットワークに接続された保守データベースを
提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネ
ットワークを介して前記保守データベースへのアクセス
を許可する工程と、前記保守データベースに蓄積される
保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工
場側に送信する工程とを有することを特徴とする露光装
置の保守方法。 - 【請求項２０】 請求項１〜９のいずれかに記載の露光
装置において、ディスプレイと、ネットワークインタフ
ェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコン
ピュータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピ
ュータネットワークを介してデータ通信することを可能
にしたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２１】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることを特徴とする請求項２０に記載の露光装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000338002A JP4666747B2 (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| US09/984,992 US6803990B2 (en) | 2000-11-06 | 2001-11-01 | Exposure apparatus and pressure correction method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000338002A JP4666747B2 (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002141277A true JP2002141277A (ja) | 2002-05-17 |
| JP2002141277A5 JP2002141277A5 (ja) | 2007-12-20 |
| JP4666747B2 JP4666747B2 (ja) | 2011-04-06 |
Family
ID=18813293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000338002A Expired - Fee Related JP4666747B2 (ja) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6803990B2 (ja) |
| JP (1) | JP4666747B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015050198A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-16 | 株式会社ピーエムティー | 温度による露光焦点変動を補正する露光装置 |
| CN111597171A (zh) * | 2019-02-20 | 2020-08-28 | 佳能株式会社 | 信息处理装置、存储介质、光刻装置、产品的制造方法以及产品的制造系统 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6917901B2 (en) * | 2002-02-20 | 2005-07-12 | International Business Machines Corporation | Contact hole profile and line edge width metrology for critical image control and feedback of lithographic focus |
| JP4095391B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2008-06-04 | キヤノン株式会社 | 位置検出方法 |
| WO2004034448A1 (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-22 | Nikon Corporation | 露光装置、露光システム、レシピ生成システムおよびデバイス製造方法 |
| JP2004281697A (ja) * | 2003-03-14 | 2004-10-07 | Canon Inc | 露光装置及び収差補正方法 |
| JP4481109B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2010-06-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィック装置、デバイス製造方法及びコンピュータ・プログラム |
| JP4603814B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2010-12-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置、合焦位置検出装置及びそれらの方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP4394528B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2010-01-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線描画方法、および電子線描画装置 |
| US7310130B2 (en) * | 2004-10-05 | 2007-12-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and position measuring method |
| JP2006344739A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Canon Inc | 位置計測装置及びその方法 |
| US9716847B1 (en) | 2012-09-25 | 2017-07-25 | Google Inc. | Image capture device with angled image sensor |
| US10585360B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-03-10 | Applied Materials, Inc. | Exposure system alignment and calibration method |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01286418A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Canon Inc | 投影露光装置 |
| JPH05182895A (ja) * | 1992-01-06 | 1993-07-23 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JPH08305034A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-22 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JPH09115819A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Nikon Corp | アライメント方法及び装置 |
| JPH09213619A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
| JPH09260273A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH1064814A (ja) * | 1996-06-13 | 1998-03-06 | Canon Inc | 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JPH10326734A (ja) * | 1997-05-26 | 1998-12-08 | Nikon Corp | 合焦位置検出方法及び該方法を使用する投影露光装置 |
| JP2000306816A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Canon Inc | 投影露光装置、フォーカス検出装置およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2516194B2 (ja) * | 1984-06-11 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法 |
| NL8601547A (nl) * | 1986-06-16 | 1988-01-18 | Philips Nv | Optisch litografische inrichting met verplaatsbaar lenzenstelsel en werkwijze voor het regelen van de afbeeldingseigenschappen van een lenzenstelsel in een dergelijke inrichting. |
-
2000
- 2000-11-06 JP JP2000338002A patent/JP4666747B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-11-01 US US09/984,992 patent/US6803990B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01286418A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Canon Inc | 投影露光装置 |
| JPH05182895A (ja) * | 1992-01-06 | 1993-07-23 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JPH08305034A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-22 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JPH09115819A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Nikon Corp | アライメント方法及び装置 |
| JPH09213619A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
| JPH09260273A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Canon Inc | 露光装置 |
| JPH1064814A (ja) * | 1996-06-13 | 1998-03-06 | Canon Inc | 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JPH10326734A (ja) * | 1997-05-26 | 1998-12-08 | Nikon Corp | 合焦位置検出方法及び該方法を使用する投影露光装置 |
| JP2000306816A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Canon Inc | 投影露光装置、フォーカス検出装置およびデバイス製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015050198A (ja) * | 2013-08-29 | 2015-03-16 | 株式会社ピーエムティー | 温度による露光焦点変動を補正する露光装置 |
| CN111597171A (zh) * | 2019-02-20 | 2020-08-28 | 佳能株式会社 | 信息处理装置、存储介质、光刻装置、产品的制造方法以及产品的制造系统 |
| CN111597171B (zh) * | 2019-02-20 | 2024-04-16 | 佳能株式会社 | 信息处理装置、介质、光刻装置、产品的制造方法和系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4666747B2 (ja) | 2011-04-06 |
| US20020085184A1 (en) | 2002-07-04 |
| US6803990B2 (en) | 2004-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7027128B2 (en) | Exposure apparatus, maintenance method therefor, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor manufacturing factory | |
| JP4666747B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2002367886A (ja) | 線形計画法で最適調整された露光装置およびその調整方法 | |
| US6608666B2 (en) | Reference plate, exposure apparatus, device manufacturing system, device manufacturing method, semiconductor manufacturing factory, and exposure apparatus maintenance method | |
| US6762825B2 (en) | Focal point position detecting method in semiconductor exposure apparatus | |
| US6876435B2 (en) | Exposure method, plane alignment method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JP2002110526A (ja) | 走査露光方法及び走査露光装置 | |
| JP4227324B2 (ja) | 露光装置 | |
| US6646714B2 (en) | Exposure apparatus, imaging performance measurement method, device manufacturing method, semiconductor manufacturing factory, and exposure apparatus maintenance method | |
| JP2003084189A (ja) | オートフォーカス検出方法および投影露光装置 | |
| JP2001297961A (ja) | 露光装置 | |
| JP2001297966A (ja) | 露光方法、露光システム、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および露光装置の保守方法 | |
| JP2002203773A (ja) | 露光装置 | |
| JP2003022948A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2003142365A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JP4817545B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2001319858A (ja) | アライメントマーク位置計測方法、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 | |
| JP2002151377A (ja) | 投影露光装置、投影露光方法、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 | |
| JP5121096B2 (ja) | 合焦位置検出方法、合焦位置検出装置及び露光装置 | |
| JP2003133224A (ja) | 表面位置設定方法、表面位置設定装置及び露光装置 | |
| JP2003142375A (ja) | 位置検出装置およびそれを用いた露光装置 | |
| JP2003188084A (ja) | 面位置検出装置、面位置検出方法及び露光装置 | |
| JP4881484B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2003203838A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP2002357405A (ja) | 信号波形補正良否判別方法および信号波形補正方法並びにこれらの方法を用いた半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071106 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071106 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20090406 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100201 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100630 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100818 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110105 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140121 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |