CN111597171B - 信息处理装置、介质、光刻装置、产品的制造方法和系统 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 153
- 230000010365 information processing Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 221
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 219
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 148
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 94
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 claims description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 7
- 238000012549 training Methods 0.000 description 7
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000699670 Mus sp. Species 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000003066 decision tree Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000852 hydrogen donor Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 210000002569 neuron Anatomy 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012706 support-vector machine Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F16/00—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor
- G06F16/20—Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor of structured data, e.g. relational data
- G06F16/21—Design, administration or maintenance of databases
- G06F16/215—Improving data quality; Data cleansing, e.g. de-duplication, removing invalid entries or correcting typographical errors
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
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- G05B19/02—Programme-control systems electric
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06N20/10—Machine learning using kernel methods, e.g. support vector machines [SVM]
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/04—Architecture, e.g. interconnection topology
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
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- G06N3/02—Neural networks
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Abstract
本公开涉及信息处理装置、存储介质、光刻装置、产品的制造方法以及产品的制造系统。信息处理装置使用第一系统输出校正数据,该第一系统输出用于校正限定要在光刻装置中执行的处理的条件的校正数据,该光刻装置在基板上形成图案。第一系统包括在输入指示处理的结果的处理结果的情况下输出校正数据的第一模型,以及在输入条件的情况下输出处理结果的第二模型。第一系统使用从第一模型输出的校正数据来校正条件,并且基于通过将校正后的条件输入到第二模型而输出的处理结果来输出校正数据。
Description
技术领域
本公开涉及信息处理装置、计算机可读存储介质、光刻装置、光刻系统以及产品的制造方法。
背景技术
在诸如半导体设备、微机电系统(MEMS)或平板显示面板之类的产品的制造中,在基板上形成的结构已经变得越来越小型化,并且越来越需要增强光刻装置的性能。
为了满足对光刻装置的性能增强的需求,当光刻装置执行用于在基板上形成图案的处理时,需要施加适当的处理条件。
日本专利申请特许公开No.2011-187951讨论了一种确定由执行处理的光刻装置的控制模块获取的处理结果的技术。更具体而言,该技术确定处理结果与参考值的偏差是否超出可允许范围。然后,如果确定偏差超出可允许范围,那么该技术施加相对于从诸如校正系统(制造执行系统(MES))之类的外部系统获取的处理条件改变的处理条件,并在该条件下执行处理。
在日本专利申请特许公开No.2011-187951中讨论的技术以如下假设为前提:对于偏离可允许范围的处理结果,改变处理条件的方式是清楚的。因此,如果对于偏离可允许范围的处理结果,改变处理条件的方式是不清楚的,那么可能变得难以改变处理条件。例如,如果将新功能添加到光刻装置,那么对于与该功能相关的处理条件,获取校正数据的单元可能是不清楚的。
发明内容
本公开旨在提供信息处理装置、计算机可读存储介质、光刻装置、产品的制造方法以及产品的制造系统,该信息处理装置提供获取用于校正要施加到在光刻装置中执行的处理的处理条件的校正数据的单元。
根据本发明的一个方面,信息处理装置使用第一系统输出校正数据,该第一系统输出用于校正限定要在将图案形成到基板上的光刻装置中执行的处理的条件的校正数据,其中第一系统包括在输入指示处理的结果的处理结果的情况下输出校正数据的第一模型以及在输入条件的情况下输出处理结果的第二模型。第一系统使用从第一模型输出的校正数据来校正条件,并且基于通过将校正后的条件输入到第二模型而输出的处理结果来输出校正数据。
通过以下参考附图对示例性实施例的描述,本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1是图示压印装置的图。
图2是图示信息处理装置的图。
图3是图示压印处理的流程图。
图4A、图4B和图4C是图示模具的图案部分和供应到基板上的压印材料的图。
图5是图示其中形成图案的压射(shot)区域的布局的图。
图6A和图6B是图示校正模型和装置模型的图。
图7是图示子系统的图。
图8是图示子系统中的处理的流程图。
图9是图示根据第一示例性实施例的产品的制造系统的图。
图10是图示根据第二示例性实施例的产品的制造系统的图。
图11A至图11F是图示产品制造方法的图。
图12是图示产品的常规制造系统的图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细描述本发明的示例性实施例。在附图中,相同的部件被分配相同的附图标记,并且将省略冗余的描述。
在下文中,将描述第一示例性实施例。在本示例性实施例中,将描述其中压印装置被用作光刻装置的示例。图1是图示压印装置的图。首先,将参考图1描述压印装置的代表性配置。压印装置100是形成固化材料的图案的装置,通过使供应到基板101上的压印材料122和模具111彼此接触并向压印材料122供应固化能,模具111(原件)的凹凸图案被转印到该固化材料上。
通过供应的固化能固化的可固化组合物(有时也称为未固化状态的树脂)被用作压印材料122。固化能的示例包括电磁波和热。使用例如波长选自大于或等于150nm且小于或等于1mm的范围的诸如红外光、可见光或紫外光的光作为电磁波。
可固化组合物是通过被光照射或加热而固化的组合物。在可固化组合物中,通过被光照射而固化的光固化性组合物至少包含可聚合化合物和光聚合引发剂,并且根据需要可以包含不可聚合化合物或溶剂。不可聚合化合物是选自包括敏化剂、氢供体、内部添加剂脱模剂、表面活化剂、抗氧化剂和聚合物成分的组的至少一种类型的不可聚合化合物。
压印材料122通过旋涂机或狭缝涂机以膜状施加到基板101上。可替代地,压印材料122可以通过液体注入头以液滴状态或岛状或由多个连续液滴形成的膜状被施加到基板101上。压印材料122的粘度(在25℃处的粘度)例如为大于或等于1mPa·s且小于或等于100mPa·s。
玻璃、陶瓷、金属或树脂用于基板101,并且可以根据需要在基板101的表面上形成由与基板101的材料不同的材料制成的构件。基板101的具体示例包括硅晶片、化合物半导体晶片和包含石英作为材料的玻璃晶片。
模具111具有矩形的外周形状,并且包括图案部分,该图案部分包括三维地形成在面向基板101的表面(图案表面)上的图案(要转印到基板101上的诸如电路图案之类的凹凸图案)。模具111由可让光透过的材料(诸如,石英)形成。模具111还包括在图案部分的相对侧的凹陷部分。
在本示例性实施例中,将假设压印装置100采用通过光照射来固化压印材料122的光固化方法来进行描述。在下面的描述中,平行于发射到基板101上的压印材料122上的光的光轴的方向被定义为Z轴方向,并且在垂直于Z轴方向的平面中彼此正交的两个方向被定义为X轴方向和Y轴方向。另外,绕X轴的旋转、绕Y轴的旋转和绕Z轴的旋转分别被定义为θX、θY和θZ。相对于X轴、Y轴或Z轴的控制或移动分别是指相对于平行于X轴的方向、平行于Y轴的方向或平行于Z轴的方向的控制或移动。另外,相对于θX、θY或θZ的控制或移动分别是指相对于绕平行于X轴的轴的旋转、绕平行于Y轴的轴的旋转或绕平行于Z轴的轴的旋转的控制或移动。另外,位置是指可以基于X轴方向、Y轴方向和Z轴方向上的坐标来识别的信息,并且朝向是指可以基于θX、θY和θZ的值来识别的信息。另外,包括X轴和Y轴的平面被定义为X-Y平面,包括X轴和Z轴的平面被定义为X-Z平面,并且包括Y轴和Z轴的平面被定义为Y-Z平面。
压印装置100可以包括基板台106、模具保持单元113、模具校正单元112、照射单元142、对准测量单元114、供应单元121、成像单元131和控制单元150。
基板台106保持并移动基板101。基板台106包括抽吸单元(未示出),并且可以通过由抽吸单元抽吸基板101来保持基板101。抽吸单元抽吸基板101的方法可以是真空抽吸法、静电抽吸法或其它抽吸法。基板台106还包括诸如线性马达之类的驱动单元(未示出),并且可以使基板101例如在X轴方向、Y轴方向和θZ(期望地,X轴方向、Y轴方向、Z轴方向、θX、θY和θZ)上移动。另外,基板台106可以由放置在地板表面上的台表面桌107支撑。
模具保持单元113保持并移动模具111。模具保持单元113包括抽吸单元(未示出),并且可以通过抽吸模具111来保持模具111。抽吸单元抽吸模具111的方法可以是真空抽吸法、静电抽吸法或其它抽吸法。模具保持单元113还包括诸如音圈马达之类的驱动单元(未示出),并且可以使模具111在Z轴方向、θX和θY(期望地,X轴方向、Y轴方向、Z轴方向、θX、θY和θZ)上移动。
基板台106和模具保持单元113调整基板101和模具111的相对位置和相对朝向,并且移动基板101和模具111中的至少任一个,使得基板101上的压印材料122和模具111的图案部分彼此接触。另外,基板台106和模具保持单元113移动基板101和模具111中的至少任一个,使得固化的压印材料122和模具111的图案部分彼此分离。由于需要精确地调整基板101和模具111的位置和朝向,因此基板台106和模具保持单元113的驱动单元可以各自包括多个驱动单元,诸如粗略运动驱动单元和精细运动驱动单元。
模具保持单元113还可以包括一个或多个传感器(未示出),传感器检测施加到模具111的按压力和脱模力中的至少任一个。按压力是被添加到模具111用于使模具111与基板101上的压印材料122接触的力。脱模力是添加到模具111用于使基板101上的压印材料122与模具111彼此分离的力。按压力和脱模力主要作用在沿着Z轴方向延伸的方向上。按压力和脱模力与例如供应给模具保持单元113的驱动单元的电流的大小相关,并且传感器可以基于电流的大小来检测按压力和脱模力。传感器是测量在图案形成中添加到模具111的按压力和脱模力中的至少任一个的传感器的示例。如果模具保持单元113的驱动单元包括多个传感器,那么可以检测作用在模具111中的多个位置处的按压力和脱模力,并且获取按压力和脱模力的分布信息。
模具校正单元112校正模具111的图案部分的形状,以使模具111的图案部分的形状与基板101的压射区域的形状配合。在一些情况下,由于制造误差或热变形,可能在模具111的图案部分中发生包括诸如放大成分或梯形成分之类的成分的变形。模具校正单元112可以使用例如通过从模具111的侧面的多个位置添加力来使模具111的图案部分的形状在沿着X-Y平面延伸的方向上变形的单元。模具校正单元112包括多个致动器,所述多个致动器例如在用于将模具111的每一侧朝着中心推动的方向(沿着X-Y平面延伸的方向)上添加力。然后,通过每个致动器单独地从模具111的侧面添加力,可以校正模具111的图案部分的形状。作为模具校正单元112的致动器,使用例如线性马达、气缸或压电致动器。
照射单元142将用于固化压印材料122的固化光(例如,诸如紫外光的光)发射到基板101上的压印材料122上。照射单元142包括例如发射固化光的光源141以及包括使从光源141发射的光的光路偏转的镜子的光学元件143。照射单元142还可以包括将从光源141发射的光调整为适合于压印处理的光的多个光学元件(未示出)。另外,可以取决于压印材料122的类型适当地确定从光源141发射的光的波长。模具保持单元113还包括在其中央部分(内侧)处的开口区域(未示出),使得从照射单元142发射的光经由模具111被发射到基板101上。照射单元142还可以包括基板变形单元(未示出),该基板变形单元使压射区域变形以使基板101的压射区域的形状与模具111的图案部分的形状配合。例如,作为基板变形单元,使用通过将不固化压印材料122的光(例如,诸如红外光的光)从照射单元142发射到压射区域上并使压射区域热膨胀来使压射区域在沿着X-Y平面延伸的方向上变形的单元。
对准测量单元114测量在沿着X-Y平面延伸的方向上基板101上形成的压射区域和模具111的其中形成图案的图案部分的相对位置。例如,对准测量单元114照亮基板101的对准标记和模具111的对准标记,并使用这些对准标记的拍摄图像来测量对准标记的相对位置。然后,对准测量单元114基于检测结果来测量在沿着X-Y平面延伸的方向上基板101上形成的压射区域和模具111的其中形成图案的图案部分的相对位置。对准测量单元114可以由驱动单元(未示出)根据要观察的对准标记的位置来定位。另外,为了同时测量在基板101和模具111中的每一个上提供的多个对准标记,可以提供多个对准测量单元114。
例如,供应单元121利用喷墨方法通过排放压印材料122将压印材料122供应到基板101上。另外,供应单元121根据限定压印材料122的供应量和压印材料122将被供应到的位置的处理条件来供应压印材料122。考虑要在基板101上形成的图案的厚度和密度,预先限定压印材料122的供应量和压印材料122将被供应到的位置,并且将处理条件存储在例如将在下面描述的控制单元150的存储单元中。由基板台106保持的基板101在供应单元121正在供应压印材料122的同时移动,并且压印材料122被供应到基板101上的预定位置。
成像单元131例如包括相机,并且可以经由光学元件143拍摄包括模具111的图案部分的区域的图像。成像单元131通过拍摄与模具111的图案部分接触的压印材料122的图像来获取图像数据。可以基于由成像单元131获取的图像数据来检查与模具111的图案部分接触的压印材料122的状态。另外,要获取的图像数据可以是静止图像的数据或者可以是移动图像的数据。
控制单元150通过控制压印装置100的每个单元(诸如,基板台106)的操作和调整来控制例如在基板101上形成图案的压印处理。控制单元150是信息处理装置,其可以例如包括诸如现场可编程门阵列(FPGA)之类的可编程逻辑设备(PLD)、专用集成电路(ASIC)或安装程序的计算机,或这些中的一部分或全部的组合。控制单元150可以与压印装置100的其它部分一体地形成(在共同的壳体中),或者可以与压印装置100的其它部分分离地形成(在不同的壳体中)。
图2是图示信息处理装置的图。信息处理装置的每个部件根据程序工作。在图2中所示的示例中,中央处理单元(CPU)201是根据程序执行用于控制的计算并且控制连接到总线208的每个部件的处理设备。只读存储器ROM 202是专用于数据读取的存储器,并存储程序和数据。随机存取存储器(RAM)203是用于数据读取和写入的存储器,并且用于存储程序和数据。RAM 203用于临时存储诸如CPU201的计算结果之类的数据。存储设备204也用于存储程序和数据。存储设备204也用作信息处理装置的操作系统(OS)的数据和程序的临时存储区。虽然存储设备204的数据输入输出速度比RAM 203的数据输入输出速度慢,但是存储设备204可以存储大量数据。期望存储设备204是可以永久存储数据从而使得所存储的数据可长时间引用的非易失性存储设备。存储设备204主要包括磁存储设备(硬盘驱动器(HDD),但是可以是通过加载诸如光盘(CD)、数字通用盘(DVD)或存储器卡之类的外部介质来执行数据读取和写入的设备。ROM 202、RAM 203和存储设备204中的至少一个用作信息处理装置的存储单元。输入设备205是用于将字符或数据输入到信息处理装置中的设备,并且包括各种键盘或鼠标。显示设备206是用于显示信息处理装置的操作所需的信息和处理结果的设备,诸如阴极射线管(CRT)和液晶监视器。当通过连接到网络(未示出)根据诸如传输控制协议/互联网协议(TCP/IP)之类的通信协议来执行数据通信时,使用通信设备207,并且与另一个信息处理装置执行通信。
接下来,将描述由压印装置100执行的压印处理。图3是图示压印处理的流程图。在步骤S301中,控制单元150获取处理条件,该处理条件包括诸如限定压印处理的条件的参数之类的数据。控制单元150可以从控制单元150的存储单元获取处理条件,或者可以经由网络从外部信息处理装置获取处理条件。
在步骤S302中,控制单元150使模具输送单元(未示出)将模具111输送到模具保持单元113。类似地,控制单元150使基板输送单元(未示出)将基板101输送到基板台106。
在步骤S303中,控制单元150移动基板台106,以使得基板101上的压射区域被定位在供应单元121的下方。然后,控制单元150使供应单元121将压印材料122供应到基板101上的压射区域。
在步骤S304中,控制单元150移动基板台106,以使得供应有压印材料122的压射区域被定位在由模具保持单元113保持的模具111的图案部分的下方。图4A至图4C是图示模具111的图案部分118和供应在基板101上的压印材料122的图。图4A图示了其中供应有压印材料122的压射区域被定位在模具111的图案部分118的下方的状态。
通过模具保持单元113使模具111在向下方向(-Z轴方向)上移动,控制单元150将模具111的图案部分118压靠在压射区域上的压印材料122上(按压)。此时,控制单元150可以通过基板台106使基板101在向上方向(+Z轴方向)上移动。
在步骤S305中,为了用压印材料122填充模具111的图案部分118的凹陷部分,控制单元150控制模具保持单元113和基板台106以保持模具111的图案部分118和基板101之间的距离恒定。图4B图示了其中模具111的图案部分118被压靠在压射区域上的压印材料122上并且模具111的图案部分118的凹陷部分被压印材料122填充的状态。在步骤S305中,控制单元150使对准测量单元114测量压射区域和模具111的图案部分118的相对位置。然后,控制单元150基于测得的位置在X-Y平面方向上移动基板台106和模具保持单元113中的至少一个,并且使压射区域和模具111的图案部分118的位置对准。此外,控制单元150使对准测量单元114提前测量在多个压射区域上的对准标记,并将通过统计处理测量结果而获得的信息存储到存储单元中。然后,可以基于通过统计处理测量结果而获得的信息来对准压射区域和模具111的图案部分118的位置。
在步骤S306中,控制单元150通过由照射单元142向基板101上的压印材料122发射固化光来固化基板101上的压印材料122(固化)。
在步骤S307中,控制单元150通过由模具保持单元113使模具111在向上方向(+Z轴方向)上移动来分离模具111的图案部分118和基板101上的压印材料122(脱模)。此时,控制单元150可以替代地通过基板台106在向下方向(-Z轴方向)上移动基板101。图4C图示了其中模具111的图案部分118和基板101上的压印材料122彼此分离并且压印材料122的图案形成在基板101上的状态。
在步骤S308中,控制单元150确定是否已经对基板101上的多个压射区域中的所有压射区域完成压印处理。图5是图示其中形成有图案的压射区域的布局的图。布局401指示与基板101上的多个压射区域402的布置相关的信息,并且由处理条件限定。已经使用在从步骤S303至S307的处理中在一个压射区域上形成图案的示例进行了描述,但是在从步骤S303至S307的处理中可以在多个压射区域上形成图案。
如果确定已经对所有压射区域完成压印处理(步骤S308中为“是”),则处理进行到步骤S309。另一方面,如果确定尚未对所有压射区域完成压印处理(步骤S308中为“否”),则处理返回到S303,并且控制单元150将压印材料122供应给尚未完成压印处理的压射区域。
在步骤S309中,控制单元150通过模具输送单元(未示出)将模具111从模具保持单元113中取出。控制单元150还通过基板输送单元(未示出)将基板101从基板台106中取出。
此时,如果压印装置100执行了压印处理,则控制单元150将用于控制模具保持单元113和基板台106的命令值存储到存储单元中。控制单元150还将从对准测量单元114和成像单元131已获得的测量值和图像数据存储到控制单元150的存储单元中。此外,控制单元150还将通过统计处理所存储的命令值、测量值和图像数据获得的信息存储到存储单元中。存储在存储单元中的信息经由网络发送到校正系统500(第二系统)。校正系统500是执行诸如压印装置100之类的制造装置的制造管理和过程控制的系统。然后,在校正系统500中,分析接收到的信息,并校正要应用于压印处理的处理条件以改善压印装置100中的压印处理。
接下来,将描述包括校正系统500以及包括压印装置100的装置系统510的产品的制造系统。图12是图示产品的常规制造系统的图。产品的常规制造系统例如包括校正系统500、装置系统510和检查装置503。校正系统500例如包括制造执行系统(MES)501、高级过程控制(APC)502和数据库505。
MES 501全面地管理制造并通过向压印装置100输出处理条件来指示压印处理。APC 502控制要应用于压印装置100中的压印处理的处理条件。MES 501和APC 502各自包括一个或多个信息处理装置。MES 501和APC 502替代地可以各自包括一个信息处理装置。
将由压印装置100处理的基板101输送到检查装置503,并且检查装置503检查基板101。检查装置503可以包括例如覆盖检查装置、CD检查装置、图案检查装置和电气特性检查装置。覆盖检查装置是通过测量以多层方式在其上形成图案的基板中的上层图案和下层图案的位置偏移量(在下文中称为图案的位置偏移量)来检查位置偏移的精确度的装置。CD检查装置是通过测量形成在基板上的图案的线宽的尺寸来检查图案的尺寸的精确度的装置。另外,图案检查装置是检查由于在形成有图案的基板上附着有异物或压印材料未填充状态而导致不满足标准的非标准图案的存在或不存在以及非标准图案的位置的装置。电气特性检查装置是检查由在其上形成图案的基板制造的半导体设备等的电气特性的精确度的装置。检查装置503包括至少一个信息处理装置,并且可以经由网络将关于检查结果的信息发送到数据库505。
数据库505被包括在信息处理装置的存储单元中并且保持各种类型的信息。数据库505与外部信息处理装置之间发送和接收各种类型的信息。数据库505可以被包括在MES501或APC 502中包括的信息处理装置的存储单元中。
装置系统510包括例如压印装置100和数据库515。在图12中所示的示例中,一个压印装置100连接到校正系统500,但是多个压印装置100可以连接到校正系统500。连接到校正系统500的装置不限于压印装置100,并且使基板曝光的曝光装置或经由带电粒子光学系统通过带电粒子辐射(电子束、离子束等)在基板上进行绘图的绘图装置可以连接到校正系统500。用光敏剂涂覆基板的涂覆装置、使曝光的基板显影的显影装置、蚀刻基板上的氧化膜的蚀刻装置或在基板上形成薄膜的成膜装置可以连接到校正系统500。另外,包括压印装置100、曝光装置和绘图装置的多个装置可以连接到校正系统500。
数据库515被包括在信息处理装置的存储单元中并且保持各种类型的信息。数据库515与外部信息处理装置之间发送和接收各种类型的信息。数据库515可以被包括在压印装置100的控制单元150的存储单元中。
制造系统包括校正系统500和装置系统510,并且校正系统500和装置系统510均连接到网络。另外,校正系统500和装置系统510可以经由网络彼此发送和接收各种类型的信息。
压印装置100从校正系统500(MES 501)获取处理条件,并根据该处理条件执行压印处理。但是,为了以高成品率制造诸如半导体设备之类的产品,需要根据取决于制造过程或压印装置100而优化的处理条件来执行压印处理。在校正系统500中,因此需要管理取决于制造过程或压印装置100而优化的多个处理条件。
处理条件可以包括关于由供应单元121要供应到基板101上的压印材料122的量以及由供应单元121将压印材料122要供应到的位置的信息。处理条件还可以包括关于由对准测量单元114测量的模具111的对准标记位置和基板101的对准标记位置的信息。处理条件还可以包括关于在模具保持单元113和基板台106的驱动下模具111的图案部分和基板101上的压印材料122彼此保持接触的时间段的信息。处理条件还可以包括关于在模具111的图案部分和基板101上的压印材料122彼此接触的状态下在Z轴方向上要添加到模具111的力(按压力和脱模力)的大小的信息。处理条件还可以包括关于通过照射单元142要发射到压印材料122上的固化光的量以及通过照射单元142将固化光要发射到压印材料122上的时间段的信息。处理条件还可以包括关于由模具校正单元112在沿着X-Y平面延伸的方向上要添加到模具111的侧面的力的大小的信息。处理条件还可以包括关于通过照射单元142的基板变形单元要发射的用于加热基板的光的照射量、照射量分布和照射时间段的信息。
接下来,将描述用于校正处理条件的处理。压印装置100从MES 501接收处理条件。接下来,压印装置100的控制单元150控制压印装置100的每个单元根据接收到的处理条件来执行压印处理。作为指示压印处理的结果的数据获取的处理数据(处理结果)被保持在数据库515中。已经进行了压印处理的基板101被输送至检查装置503,并且进行诸如覆盖检查、图案的尺寸的检查、异物的检查或电气特性检查之类的检查。
另外,数据库505接收并保持来自数据库515的处理数据和来自检查装置503的处理数据。
处理数据可以包括作为由压印装置100执行的压印处理的结果而获取的各种类型的信息。处理数据可以包括关于用于驱动对准测量单元114、模具保持单元113和基板台106的命令值的信息。处理数据还可以包括关于由对准测量单元114测得的测量值的信息。测量值可以包括关于与对准标记的位置相关的测量值以及与对准标记的相对位置相关的测量值的信息。处理数据还可以包括关于已经由对准测量单元114拍摄的对准标记的图像的信息。处理数据还可以包括关于已由成像单元131拍摄的与模具111的图案部分接触的压印材料122的图像的信息。处理数据还可以包括关于已由模具保持单元113测得的作用在模具111上的力(脱模力或按压力)的信息。
处理数据还可以包括作为由检查装置503执行的检查的结果而获取的信息。处理数据可以包括关于图案的位置偏移量的信息。处理数据还可以包括关于在基板101上形成的图案的线宽的尺寸的信息。处理数据还可以包括关于基板101上是否存在不满足标准的图案以及不满足标准的图案的位置的信息。处理数据还可以包括关于由在其上形成图案的基板101制造的半导体设备的电气特性的信息。
APC 502从数据库505获取关于处理结果的信息和关于测量结果的信息作为处理数据,分析包括在所获取的处理数据中的各种类型的信息,获取处理条件中包括的信息的校正数据,以及校正处理条件中包括的信息。
校正数据可以包括关于用于校正要由供应单元121供应到基板101上的压印材料122的量以及供应单元121将压印材料122要供应到的位置的校正值的信息。校正数据还可以包括关于用于校正将由对准测量单元114测量的模具111的对准标记位置和基板101的对准标记位置的校正值的信息。校正数据还可以包括关于用于校正通过驱动模具保持单元113和基板台106而使模具111的图案部分和基板101上的压印材料122保持彼此接触的时间段的校正值的信息。校正数据还可以包括关于用于校正要由照射单元142发射到压印材料122上的固化光的量以及照射单元142将固化光要发射到压印材料122上的时间段的校正值的信息。校正数据还可以包括关于用于校正将由模具校正单元112添加到模具111的力的大小的校正值的信息。校正数据还可以包括关于用于校正要通过照射单元142的基板变形单元发射的用于加热基板的光的照射量、照射量分布和照射时间段的校正值的信息。
MES 501将校正后的处理条件发送到压印装置100,并且压印装置100根据校正后的处理条件执行压印处理。通过校正处理条件,可以制造诸如半导体设备之类的产品,同时维持良好的成品率。
此外,如果压印装置100执行压印处理,则可以获取关于由对准测量单元114测得的多个对准标记的测量值的信息。此外,成像单元131可以获取包括模具111的图案部分的区域的静止图像的多条图像数据。成像单元131还可以获取包括模具111的图案部分的区域的移动图像的图像数据。此外,可以获取通过测量用作模具保持单元113或基板台106的驱动单元的线性马达或音圈马达的推力而获得的测量值。特别地,基于在图3中的从步骤S304至S307的处理中通过周期性地测量驱动单元的推力而获得的多个测量值,可以获得关于作用在模具111和基板101上的力的变化的信息。虽然可以以这种方式从每个单元获取压印处理中的信息,但是为了获取用于进一步增强图案形成的精确度的校正数据,APC 502需要获取并分析大量的详细信息。
在APC 502中从处理数据和处理条件获取校正数据的情况下,如果处理条件与处理数据之间的关系是清楚的,那么可以使用表格或数学公式从处理数据和处理条件中获取校正数据。但是,如果处理条件与处理数据之间的关系不清楚,那么难以使用表格或数学公式从处理数据和处理条件获取校正数据。例如,容易从已作为处理数据被获取的关于由对准测量单元114测得的对准标记的位置的信息中获得用于计算与处理条件中包括的对准标记位置相关的校正数据的数学公式。例如,识别出关于图案的位置偏移量的信息与由模具校正单元112添加到模具111的力的大小相关。但是,由于添加到模具111的力的大小相对于图案的位置偏移量的相关程度不清楚,因此难以使用表格或数学公式获取校正数据。
鉴于前述内容,在本示例性实施例中,使用子系统700(第一系统)获取校正数据,该子系统700使用处理数据和处理条件作为输入,并输出校正数据。子系统700使用第一处理数据611和第一处理条件612作为输入,并输出第一校正数据613。子系统700包括校正模型701(第一模型)和装置模型702(第二模型)。子系统700还包括一个或多个程序,并且通过在信息处理装置中操作的一个或多个程序来实现。另外,子系统700可以包括被并入在主程序中进行操作的一个或多个程序。子系统700还可以包括诸如限定校正模型701和装置模型702的结构的参数之类的数据。
现在将描述校正模型701和装置模型702。图6A和图6B是分别图示校正模型701和装置模型702的图。图6A中所示的校正模型701可以包括通过机器学习获取的学习模型。如果处理数据601被输入到校正模型701,则校正数据603被获取作为输出。
现在将描述在覆盖检查中校正模型701的生成。首先,准备指示输入数据与训练数据之间的关系的学习数据。输入数据是作为执行压印处理的结果而获取的处理数据601。处理数据601可以包括例如通过由检查装置503进行检查而获得的图案的位置偏移量。训练数据是用于相对于用作输入数据的处理数据601来校正处理条件602的校正数据603。校正数据603可以包括例如关于用于校正将由模具校正单元112添加到模具111的力的大小的校正值的信息。校正数据603还可以包括例如关于用于校正将由基板变形单元发射的光的照射量的校正值、用于校正照射量分布的校正值和用于校正照射时间段的校正值中的至少一个的信息。使用指示输入数据和训练数据之间的关系的这样准备的学习数据来执行机器学习。例如,可以使用神经网络来执行机器学习。神经网络是具有包括输入层、中间层和输出层的多层网络结构的模型。使用指示输入数据和训练数据之间的关系的学习数据,通过诸如误差反向传播方法之类的算法来优化网络中的随机变量,从而可以获取学习模型。已经描述了使用神经网络获取学习模型的示例,但是获取方法不限于神经网络。例如,可以使用另一种模型和算法,诸如支持向量机和决策树。然后,通过将新的处理数据601输入到获取的校正模型701,校正数据603作为输出数据被输出。处理数据601和校正数据603不限于上述示例。如果存在处理数据601和校正数据603的多个组合,则校正模型701可以包括多个学习模型。另外,除了学习模型之外,校正模型701还可以包括使用指示处理条件602和处理数据601之间的关系的表格或数学公式来获取处理数据601和校正数据603的模型。
图6B中所示的装置模型702是例如通过机器学习获取的学习模型。如果处理条件602被输入到装置模型702,则处理数据601被获取作为输出。现在将描述在覆盖检查中的装置模型702的生成。首先,准备指示输入数据与训练数据之间的关系的学习数据。输入数据是限定压印处理的条件的处理条件602。例如,处理条件602可以包括要由模具校正单元112添加到模具111的力的大小、要由基板变形单元发射的光的照射量、照射量分布和照射时间段中的至少一个。训练数据是通过基于用作输入数据的处理条件602执行压印处理而获取的处理数据601。处理数据601例如可以包括通过由检查装置503进行检查而获得的图案的位置偏移量。使用指示输入数据和训练数据之间的关系的这样准备的学习数据来执行机器学习。例如,可以使用神经网络来执行机器学习。然后,通过向获取的装置模型702输入新的处理条件602,将处理数据601作为输出数据输出。处理条件602和处理数据601不限于上述示例。另外,如果存在处理条件602和处理数据601的多个组合,则装置模型702可以包括多个学习模型。另外,除了学习模型之外,装置模型702还可以包括使用指示处理条件602和处理数据601之间的关系的表格来获取处理条件602和处理数据601的模型。
接下来,将参考图7和图8描述子系统700中的处理。图7是图示子系统700的图。图8是图示子系统700中的处理的流程图。在步骤S801中,第一处理数据611被输入到校正模型701,并且第二校正数据623从校正模型701输出。在步骤S802中,使用输出的第二校正数据623更新第三校正数据633。如果最初使用第二校正数据623更新第三校正数据633,则将第三校正数据633替换为第二校正数据623。如果第二次和之后使用第二校正数据623更新第三校正数据633,则例如可以通过将第二校正数据623中包括的校正值添加到第三校正数据633中的校正值来更新第三校正数据633。可替代地,可以例如通过将第三校正数据633中的校正值乘以第二校正数据623中包括的校正值与先前校正值之间的比率来更新第三校正数据633。还可以例如通过使用从第二校正数据623中包括的校正值获得的矩阵对第三校正数据633中的校正值进行矩阵运算来更新第三校正数据633。
在步骤S803中,使用在步骤S802中更新的第三校正数据633校正输入到子系统700的第一处理条件612,并输出第二处理条件622。在步骤S804中,输出的第二处理条件622被输入到装置模型702,并且从装置模型702输出第二处理数据621。在步骤S805中,确定从装置模型702输出的第二处理数据621是否落入预限定的可允许范围内。如果确定第二处理数据621落入预限定的可允许范围内(步骤S805为“是”),则处理进行到步骤S806。在步骤S806中,从子系统700输出在步骤S802中更新的第三校正数据633作为第一校正数据613。另一方面,如果确定第二处理数据621没有落入预限定的可允许范围内(在步骤S805中为“否”),则处理进行到步骤S807。在步骤S807中,从装置模型702输出的第二处理数据621被输入到校正模型701。然后,从校正模型701输出相对于输入的第二处理数据621的新的第二校正数据623。然后,处理返回到步骤S802。在步骤S802中,使用输出的第二校正数据623来更新第三校正数据633。然后,在步骤S803中,再次使用在步骤S802中更新的第三校正数据633来校正第一处理条件612,并且输出第二处理条件622。重复执行上述处理,直到从装置模型702输出的第二处理数据621落入预限定的可允许范围内为止。
如果第二处理数据621包括多条处理数据,则为每条处理数据限定预限定的可允许范围。例如,在图案的位置偏移量的情况下,根据图案的期望位置精确度来预限定图案的位置偏移量的可允许范围。
图6A和图6B中的处理数据601是与参考图7描述的第一处理数据611类似的信息。图6B中的处理条件602是与参考图7描述的第一处理条件612和第二处理条件622类似的信息。另外,校正数据603是与参考图7描述的第一校正数据613和第二校正数据623类似的信息。第一处理数据611和第一处理条件612是输入到子系统700的数据。第一处理条件612被应用于由压印装置100执行的压印处理,并且作为压印处理的结果获取第一处理数据611。同时,第二处理数据621和第二处理条件622是在获取第一校正数据613的同时在子系统700中获取的处理数据和处理条件。第一校正数据613是用于校正第一处理条件612的校正数据,并且是从子系统700输出的校正数据。第二校正数据623和第三校正数据633是在获取第一校正数据613的同时在子系统700中获取的多条校正数据。
图9是图示根据本示例性实施例的产品的制造系统的图。本示例性实施例中的子系统700被并入到校正系统500中,并且将校正数据输出到MES 501。子系统700经由路径801连接到数据库505,并且可以从数据库505获取处理数据和处理条件。子系统700还经由路径802连接到MES 501,并且可以将校正数据输出到MES 501。
此时,对于多个压印装置100中的每一个,处理数据与校正数据之间的关系以及处理条件与处理数据之间的关系可以变化。即使对于同一压印装置100,处理数据与校正数据之间的关系以及处理条件与处理数据之间的关系也可以随着时间的流逝而变化。因此,子系统700中包括的校正模型701和装置模型702需要被更新。鉴于前述内容,本示例性实施例中的装置系统510更新子系统700,并将关于更新后的子系统700的信息输出到校正系统500。要输出到校正系统500的关于子系统700的信息可以包括关于用于实现子系统700的功能的程序的信息。关于子系统700的信息还可以包括关于限定模型的参数的信息,诸如形成校正模型701和装置模型702的神经网络的层数、神经元数或随机变量。
在装置系统510中,子系统700经由路径811连接到压印装置100,并且可以获取处理条件和校正数据。子系统700经由路径812连接到数据库515,并且可以获取处理数据。从而在用于新的处理条件的处理数据和校正数据被添加到学习数据的状态下执行机器学习,并且校正模型701和装置模型702被更新。关于并入更新后的校正模型701和装置模型702的子系统700的信息被输出到校正系统500,并且现有子系统700用更新后的子系统700替换。然后,校正系统500使用更新后的子系统700获取校正数据。
期望地,子系统700在完成一个或多个基板101的压印处理时被更新。可替代地,子系统700可以在装置系统510从校正系统500接收到子系统700的更新请求时被更新。
然后,子系统700被并入到校正系统500中,并且子系统700使用保持在数据库505中的处理数据和处理条件作为输入来输出校正数据。从子系统700输出的校正数据与由APC502获取的另一校正数据一起被输出到MES 501。MES 501将基于从APC 502输出的校正数据校正的处理条件输出到压印装置100。压印装置100根据校正后的处理条件执行压印处理。
此时,子系统700可以代替APC 502进行操作。换句话说,子系统700直接连接到数据库505,而无需APC 502,并且可以直接从数据库505获取处理数据和处理条件。子系统700也直接连接到MES 501,而无需APC 502,并且可以将校正数据直接输出到MES 501。
另外,MES 501可以基于从APC 502输出的校正数据来确定是否校正处理条件。例如,如果校正数据没有落在预限定的可允许范围内,则MES 501可以确定未校正处理条件。可替代地,如果要施加到另一个压印装置100的处理条件与校正后的处理条件之间的差没有落在可允许范围内,则MES 501可以确定未校正处理条件。如果MES 501确定未校正处理条件,则MES 501可以使用部分校正数据来校正处理条件,或者可以划分校正数据并使用划分后的校正数据逐步地校正处理条件。
另外,如果存在多个装置系统510,则多个子系统700可以被并入到用于多个相应装置系统510的校正系统500中并在其中操作。利用该配置,可以获取考虑对于多个装置系统510中的每一个而变化的特性的校正数据。
如上所述,根据本示例性实施例,可以通过将子系统700并入到APC 502中来获取用于校正处理条件的校正数据。
接下来,将描述根据第二示例性实施例的校正系统500和装置系统510。在第二示例性实施例中未提及的项目可以参考在第一示例性实施例中的那些项目。在本示例性实施例中,子系统700没有并入校正系统500并在其中操作而是并入在装置系统510中并在其中操作。
图10是图示根据本示例性实施例的产品的制造系统的图。根据本示例性实施例的子系统700被并入到装置系统510中,并且将校正数据输出到MES 501。子系统700经由路径901连接到数据库505,并且可以从数据库505获取处理数据和处理条件。子系统700经由路径902连接到MES 501,并且可以将校正数据输出到MES 501。
另外,类似于第一示例性实施例,装置系统510更新子系统700。子系统700使用保持在数据库505中的处理数据和处理条件作为输入来输出校正数据。从子系统700输出的校正数据与由APC 502获取的另一校正数据一起被输出到MES 501。MES 501将基于校正数据校正的处理条件输出到压印装置100,并且压印装置100根据校正后的处理条件执行压印处理。
在装置系统510中,可以准备用于更新的子系统700和用于获取校正数据的子系统700。可以在任意定时更新用于更新的子系统700,并且可以在特定定时,诸如当一个或多个基板101的压印处理完成的时间,将用于获取校正数据的子系统700替换为用于更新的子系统700。
另外,子系统700可以被并入到独立于校正系统500和装置系统510的信息处理装置中并在其中操作。在这种情况下,其中并入子系统700的信息处理装置经由网络连接到校正系统500、装置系统510和检查装置503,并且可以向其和从其发送和接收各种类型的信息。
如上所述,根据本示例性实施例,可以通过将子系统700并入到装置系统510中来获取用于校正处理条件的校正数据。
(产品的制造方法)
将描述根据本示例性实施例的产品的制造方法。图11A至图11F是图示产品的制造方法的图。使用压印装置形成的固化材料的图案被永久地用于各种产品的至少一部分中,或者临时用于制造各种产品。产品的示例包括电路元件、光学元件、微机电系统(MEMS)、记录元件、传感器和模具。电路元件的示例包括诸如动态随机存取存储器(DRAM)、静态RAM(SRAM)、闪速存储器和磁性RAM(MRAM)之类的易失性或非易失性半导体存储器以及诸如大规模集成电路(LSI)、电荷耦合设备(CCD)传感器、图像传感器和FPGA之类的半导体元件。模具的示例包括压印模具。
固化材料的图案按原样用作上述产品的至少一部分的部件,或临时用作抗蚀剂掩模。在基板的处理过程中执行蚀刻或离子注入之后,去除抗蚀剂掩模。
接下来,将描述产品的具体制造方法。如图11A中所示,准备基板1z,诸如硅基板,该基板具有在其上形成诸如绝缘材料之类的经处理材料2z的表面。压印材料3z通过喷墨方法被施加到经处理材料2z的表面上。图11A图示了其中由多个液滴形成的压印材料3z被施加在基板1z上的状态。
如图11B中所示,使压印模具4z面向基板1z上的压印材料3z,压印模具4z的形成有凹凸图案的一侧面向压印材料3z。如图11C中所示,使其上施加有压印材料3z的基板1z和模具4z彼此接触,并添加压力。模具4z与经处理材料2z之间的间隙被压印材料3z填充。如果在该状态下经由模具4z发射光作为固化能,则压印材料3z固化。
如图11D中所示,在压印材料3z固化之后,如果模具4z和基板1z彼此分离,则在基板1z上形成压印材料3z的固化材料的图案。固化材料的图案具有这样的形状,其中模具的凹陷部分对应于固化材料的突出部分,并且模具的突出部分对应于固化材料的凹陷部分。换句话说,模具4z的凹凸图案被转印到压印材料3z上。
如图11E中所示,如果对作为蚀刻抗蚀剂掩模的固化材料的图案执行蚀刻,则从经处理材料2z的表面去除不具有固化材料或具有少量残留固化材料的部分,并形成沟槽5z。如图11F中所示,如果去除固化材料的图案,则可以获得在经处理材料2z的表面上形成有沟槽5z的产品。在这个示例中,固化材料的图案被去除,但是固化材料的图案可以用作例如包括在半导体元件中的层间绝缘膜,甚至无需在处理之后被去除。换句话说,固化材料的图案可以用作产品的部件。
已经给出其中将设有凹凸图案的用于电路图案转印的模具用作模具4z的示例的描述,但是可以使用具有平坦部分而没有凹凸图案的模具(空白模板)。空白模板用在平坦化装置中,该平坦化装置执行通过平坦部分平坦地使基板上的组合物成形的平坦化处理。平坦化处理包括通过在空白模板的平坦部分保持与可固化组合物接触的状态下向可固化组合物上发射光或对可固化组合物进行加热来固化在基板上供应的可固化组合物的过程。
目前为止,已经描述了本发明的示例性实施例。但是,本发明不限于这些示例性实施例,并且可以在不脱离本发明的精神的情况下进行各种修改和改变。已经描述了压印装置作为光刻装置的示例,但是光刻装置不限于此。作为光刻装置的示例,可以使用曝光装置,该曝光装置将光发射到在其上形成图案的原件(original)上,并且基于来自原件的光将图案投影到基板上。可替代地,作为光刻装置的示例,可以使用绘图装置,该绘图装置经由带电粒子光学系统通过带电粒子辐射(电子束、离子束等)在基板上进行绘制并且在基板上形成图案。另外,光刻装置的示例还可以包括制造装置,该制造装置在制造诸如设备之类的产品时执行除由诸如压印装置之类的装置执行的上述过程之外的其它过程。这样的制造装置的示例包括用光敏介质涂覆基板的表面的涂覆装置以及对在其上转印有图案的基板进行显影的显影装置。
虽然独立地执行第一示例性实施例和第二示例性实施例,但是也可以组合地执行第一示例性实施例和第二示例性实施例。
根据本发明的示例性实施例,可以提供一种信息处理装置、程序、光刻装置、产品的制造方法以及产品的制造系统,该信息处理装置提供获取用于校正要施加到在光刻装置中执行的处理的处理条件的校正数据的单元。
其它实施例
本发明的(一个或多个)实施例还可以通过以下系统或装置的计算机或者方法来实现,该系统或装置读出并执行记录在存储介质(其也可以被更完整地称为“非瞬态计算机可读存储介质”)上的计算机可执行指令(例如,一个或多个程序)以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或包括用于执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能的一个或多个电路(例如,专用集成电路(ASIC)),该方法通过例如从存储介质读出并执行计算机可执行指令以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或控制一个或多个电路以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能而由系统或装置的计算机执行。计算机可以包括一个或多个处理器(例如,中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU)),并且可以包括单独计算机或单独处理器的网络,以读出并执行计算机可执行指令。计算机可执行指令可以例如从网络或存储介质提供给计算机。存储介质可以包括例如硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、分布式计算系统的存储装置、光盘(诸如紧凑盘(CD)、数字多功能盘(DVD)或蓝光盘(BD)TM)、闪速存储器设备、存储器卡等中的一个或多个。
其它实施例
本发明的实施例还可以通过如下的方法来实现,即,通过网络或者各种存储介质将执行上述实施例的功能的软件(程序)提供给系统或装置,该系统或装置的计算机或是中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU)读出并执行程序的方法。
虽然已经参考示例性实施例描述了本发明,但是应当理解的是,本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围将被赋予最广泛的解释,以便涵盖所有此类修改以及等效的结构和功能。
Claims (15)
1.一种信息处理装置,其特征在于所述信息处理装置用于输出用于校正要在光刻装置中执行的处理的第一处理条件的第一校正数据,所述光刻装置被配置为在基板上形成图案,所述信息处理装置包括:
第一系统,被配置为基于所述第一处理条件和指示所述处理的执行的结果的第一处理结果输出所述第一校正数据;
其中,所述第一系统包括被配置为在输入所述第一处理结果或第二处理结果的情况下输出第二校正数据的第一模型,以及被配置为在输入第二处理条件的情况下输出所述第二处理结果的第二模型,
其中,所述第一系统通过将所述第一处理结果输入到所述第一模型中来使所述第一模型输出用于校正与所述第一处理结果有关的所述第一处理条件的所述第二校正数据,
其中,所述第一系统通过将使用第三校正数据校正的所述第二处理条件输入到所述第二模型中来使所述第二模型输出所述第二处理结果,所述第三校正数据使用从所述第一模型输出的所述第二校正数据来更新,以及
其中,在从所述第二模型输出的所述第二处理结果在预限定的可允许范围内的情况下,所述第一系统输出所述第三校正数据作为所述第一校正数据。
2.根据权利要求1所述的信息处理装置,其中,在从所述第二模型输出的所述第二处理结果未落入所述预限定的可允许范围内的情况下,所述第一系统使用所述第三校正数据来重新校正所述第一处理条件,所述第三校正数据使用通过将从所述第二模型输出的所述第二处理结果输入到所述第一模型中而输出的所述第二校正数据来更新,并且在通过将所述第二处理条件输入到所述第二模型中而输出的所述第二处理结果在所述预限定的可允许范围内的情况下,输出所述第三校正数据作为所述第一校正数据。
3.根据权利要求1所述的信息处理装置,其中,所述第一模型包括通过使用指示所述处理的执行的结果的处理结果和用于校正所述处理的处理条件的校正数据作为学习数据的机器学习生成的学习模型。
4.根据权利要求1所述的信息处理装置,其中,所述第二模型包括通过使用所述处理的处理条件和指示所述处理的执行的结果的处理结果作为学习数据的机器学习生成的学习模型。
5.根据权利要求1所述的信息处理装置,
其中,所述光刻装置是被配置为通过使原件的图案部分和基板上的压印材料彼此接触而形成图案的压印装置,
其中,所述第一处理结果包括关于以下中的至少一项的信息:与在所述原件上形成的标记的位置相关的测量值、与在所述基板上形成的标记的位置相关的测量值、在所述原件上形成的标记的拍摄图像、在所述基板上形成的标记的拍摄图像、与所述图案部分接触的所述压印材料的拍摄图像、作用在所述原件上的力的测量值、所述图案的位置偏移量、所述图案的线宽的尺寸、是否存在不满足标准的所述图案、不满足所述标准的图案的位置以及由在其上形成所述图案的所述基板制造的半导体设备的电气特性,以及
其中,所述第一处理条件包括关于以下中的至少一项的信息:要供应到所述基板上的压印材料的量、所述压印材料要供应到的位置、在所述原件上形成的标记的位置、在所述基板上形成的标记的位置、所述图案部分和所述基板上的压印材料保持彼此接触的时间段、在所述图案部分和所述基板上的压印材料彼此接触的状态下要添加到所述原件的力的大小、要发射到所述压印材料上的光的量、要发射光的时间段、要添加到所述原件的力的大小、要发射的用于加热所述基板的光的照射量、照射量分布以及照射时间段。
6.根据权利要求4所述的信息处理装置,其中,所述第一校正数据包括用于校正包括在所述第一处理条件中的信息的信息。
7.根据权利要求1所述的信息处理装置,其中,关于所述第一系统的信息被输出到将所述第一处理条件输出到所述光刻装置的第二系统。
8.根据权利要求1所述的信息处理装置,其中,所述第一系统从将所述第一处理条件输出到所述光刻装置的第二系统获取所述第一处理条件和所述第一处理结果,并且将基于所述第一处理条件和所述第一处理结果而获取的所述第一校正数据输出到所述第二系统。
9.一种非暂态计算机可读存储介质,其特征在于所述非暂态计算机可读存储介质存储程序,所述程序用于使计算机使用第一系统输出用于校正要在光刻装置中执行的处理的第一处理条件的第一校正数据,所述光刻装置在基板上形成图案,所述第一系统基于所述第一处理条件和指示所述处理的执行的结果的第一处理结果输出所述第一校正数据,
其中,所述第一系统包括在输入所述第一处理结果或第二处理结果的情况下输出第二校正数据的第一模型,以及在输入第二处理条件的情况下输出所述第二处理结果的第二模型,
其中,所述第一系统通过将所述第一处理结果输入到所述第一模型中来使所述第一模型输出用于校正与所述第一处理结果有关的所述第一处理条件的所述第二校正数据,
其中,所述第一系统通过将使用第三校正数据校正的所述第二处理条件输入到所述第二模型中来使所述第二模型输出所述第二处理结果,所述第三校正数据使用从所述第一模型输出的所述第二校正数据来更新,以及
其中,在从所述第二模型输出的所述第二处理结果在预限定的可允许范围内的情况下,所述第一系统输出所述第三校正数据作为所述第一校正数据。
10.一种用于在基板上形成图案的光刻装置,其特征在于所述光刻装置包括:
信息处理装置,被配置为输出用于校正要在所述光刻装置中执行的处理的第一处理条件的第一校正数据,
其中,所述信息处理装置包括第一系统,所述第一系统被配置为基于所述第一处理条件和指示所述处理的执行的结果的第一处理结果输出所述第一校正数据,
其中,所述第一系统包括在输入所述第一处理结果或第二处理结果的情况下输出第二校正数据的第一模型,以及在输入第二处理条件的情况下输出所述第二处理结果的第二模型,
其中,所述第一系统通过将所述第一处理结果输入到所述第一模型中来使所述第一模型输出用于校正与所述第一处理结果有关的所述第一处理条件的所述第二校正数据,
其中,所述第一系统通过将使用第三校正数据校正的所述第二处理条件输入到所述第二模型中来使所述第二模型输出所述第二处理结果,所述第三校正数据使用从所述第一模型输出的所述第二校正数据来更新,以及
其中,在从所述第二模型输出的所述第二处理结果在预限定的可允许范围内的情况下,所述第一系统输出所述第三校正数据作为所述第一校正数据。
11.一种产品的制造方法,其特征在于所述制造方法包括:
获得指示要在光刻装置中执行的处理的执行的结果的第一处理结果,所述光刻装置被配置为在基板上形成图案;
通过将所述第一处理结果输入到第一模型中来从所述第一模型输出用于校正与指示所述处理的执行的结果的第一处理结果有关的第一处理条件的第二校正数据;
通过将使用第三校正数据校正的第二处理条件输入到第二模型中来从所述第二模型输出第二处理结果,所述第三校正数据使用从所述第一模型输出的所述第二校正数据来更新;
在从所述第二模型输出的所述第二处理结果在预限定的可允许范围内的情况下,输出所述第三校正数据作为第一校正数据;
根据使用所述第一校正数据校正的处理条件使用所述光刻装置在基板上形成图案;
处理在其上形成所述图案的所述基板;以及
从经处理的基板制造产品。
12.一种产品的制造系统,其特征在于所述制造系统包括:
第一信息处理装置,被配置为输出用于校正要在光刻装置中执行的处理的第一处理条件的第一校正数据,所述光刻装置被配置为在基板上形成图案;
其中,所述第一信息处理装置包括第一系统,所述第一系统被配置为基于所述第一处理条件和指示所述处理的执行的结果的第一处理结果输出所述第一校正数据,
所述光刻装置;以及
第二信息处理装置,被配置为将所述第一处理条件输出到所述光刻装置,
其中,所述第二信息处理装置包括第二系统,所述第二系统将使用由所述第一系统输出的所述第一校正数据校正的所述第一处理条件输出到所述光刻装置,
其中,所述第一系统包括在输入所述第一处理结果或第二处理结果的情况下输出第二校正数据的第一模型,以及在输入第二处理条件的情况下输出所述第二处理结果的第二模型,
其中,所述第一系统通过将所述第一处理结果输入到所述第一模型中来使所述第一模型输出用于校正与所述第一处理结果有关的所述第一处理条件的所述第二校正数据,
其中,所述第一系统通过将使用第三校正数据校正的所述第二处理条件输入到所述第二模型中来使所述第二模型输出所述第二处理结果,所述第三校正数据使用从所述第一模型输出的所述第二校正数据来更新,以及
其中,在从所述第二模型输出的所述第二处理结果在预限定的可允许范围内的情况下,所述第一系统输出所述第三校正数据作为所述第一校正数据。
13.根据权利要求12所述的产品的制造系统,还包括检查装置,所述检查装置被配置为检查由所述光刻装置在其上形成图案的基板,
其中,所述第一处理结果包括由所述检查装置执行的检查的结果的数据。
14.根据权利要求12所述的产品的制造系统,
其中,所述制造系统包括多个所述光刻装置,以及
其中,在所述多个光刻装置中的至少一个光刻装置中使用的所述第一系统与在其它光刻装置中使用的所述第一系统不同。
15.一种用于输出第一校正数据的方法,其特征在于,所述第一校正数据用于校正要在光刻装置中执行的处理的第一处理条件,所述光刻装置被配置为在基板上形成图案,所述方法包括:
通过将指示所述处理的执行的结果的第一处理结果输入到第一模型中来从所述第一模型输出用于校正与所述第一处理结果有关的所述第一处理条件的第二校正数据;
通过将使用第三校正数据校正的第二处理条件输入到第二模型中来从所述第二模型输出第二处理结果,所述第三校正数据使用从所述第一模型输出的所述第二校正数据来更新,以及
在从所述第二模型输出的所述第二处理结果在预限定的可允许范围内的情况下,输出所述第三校正数据作为所述第一校正数据。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019028394A JP7171468B2 (ja) | 2019-02-20 | 2019-02-20 | 情報処理装置、プログラム、リソグラフィ装置、物品の製造方法、物品の製造システム、及び出力方法 |
JP2019-028394 | 2019-02-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111597171A CN111597171A (zh) | 2020-08-28 |
CN111597171B true CN111597171B (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=72040620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010103445.8A Active CN111597171B (zh) | 2019-02-20 | 2020-02-20 | 信息处理装置、介质、光刻装置、产品的制造方法和系统 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11131935B2 (zh) |
JP (1) | JP7171468B2 (zh) |
KR (1) | KR102601383B1 (zh) |
CN (1) | CN111597171B (zh) |
TW (1) | TWI791946B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210007275A (ko) * | 2019-07-10 | 2021-01-20 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 보정 방법, 및 그 보정 방법을 기초로 한 포토리소그라피 방법, 반도체 소자 제조방법 및 스캐너 시스템 |
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KR101769258B1 (ko) | 2007-01-18 | 2017-08-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 스캐너 기반의 광 근접 보정 시스템 및 이용 방법 |
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---|---|
KR102601383B1 (ko) | 2023-11-14 |
US20200264513A1 (en) | 2020-08-20 |
JP2020136502A (ja) | 2020-08-31 |
TW202043933A (zh) | 2020-12-01 |
KR20200101848A (ko) | 2020-08-28 |
JP7171468B2 (ja) | 2022-11-15 |
US11131935B2 (en) | 2021-09-28 |
CN111597171A (zh) | 2020-08-28 |
TWI791946B (zh) | 2023-02-11 |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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