JP2020136502A - 情報処理装置、プログラム、リソグラフィ装置、物品の製造方法、及び物品の製造システム - Google Patents

情報処理装置、プログラム、リソグラフィ装置、物品の製造方法、及び物品の製造システム Download PDF

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Abstract

【課題】 リソグラフィ装置において行われる処理に適用される処理条件を補正する補正データを取得する手段を提供する。【解決手段】 基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置において行われる処理を定める条件を補正する補正データを出力する第１システムを用いて補正データを出力する情報処理装置であって、第１システムは、処理が行われた結果を示す処理結果が入力されると補正データを出力する第１モデルと、条件が入力されると処理結果を出力する第２モデルと、を備え、第１システムは、第１モデルから出力された補正データを用いて条件を補正し、補正された条件を第２モデルに入力することにより出力された処理結果に基づいて、補正データを出力する。【選択図】 図７

Description

本発明は、情報処理装置、プログラム、リソグラフィ装置、リソグラフィシステム、及び物品の製造方法に関する。
半導体デバイス、ＭＥＭＳ、またはフラットディスプレイパネルなどの物品の製造において、基板上に形成する構造体の微細化が進み、リソグラフィ装置に対する性能の向上への要求が高まっている。
リソグラフィ装置に対する性能の向上への要求を満たすためには、リソグラフィ装置が基板上にパターンを形成するための処理を行う場合に適切な処理条件を適用する必要がある。
特許文献１では、リソグラフィ装置の制御モジュールが、処理を行って取得された処理結果について基準値からの逸脱が許容範囲を超えているかを判定する。そして、許容範囲を超えていると判定された場合には、補正システム（ＭＥＳ）等の外部システムから取得した処理条件を変更した処理条件を適用して処理を行う技術が開示されている。
特開２０１１−１８７９５１号公報
特許文献１では、許容範囲を逸脱した処理結果に対して、処理条件をどのように変更すればよいかが明確になっていることが前提である。よって、許容範囲を逸脱した処理結果に対して、どのように処理条件を変更するかが明確になっていない場合は、処理条件を変更することが困難になり得る。例えば、リソグラフィ装置において、新たな機能が追加された場合に、該機能に関する処理条件に対する補正データを取得する手段が明確になっていないことがあり得る。
そこで本発明は、リソグラフィ装置において行われる処理に適用される処理条件を補正する補正データを取得する手段を提供する情報処理装置、プログラム、リソグラフィ装置、物品の製造方法、及び物品の製造システムを提供することを目的とする。
上記課題を解決する本発明の一側面としての情報処理装置は、基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置において行われる処理を定める条件を補正する補正データを出力する第１システムを用いて補正データを出力する情報処理装置であって、第１システムは、処理が行われた結果を示す処理結果が入力されると補正データを出力する第１モデルと、条件が入力されると処理結果を出力する第２モデルと、を備え、第１システムは、第１モデルから出力された補正データを用いて条件を補正し、補正された条件を第２モデルに入力することにより出力された処理結果に基づいて、補正データを出力する。
本発明によれば、リソグラフィ装置において行われる処理に適用される処理条件を補正する補正データを取得する手段を提供する情報処理装置、プログラム、リソグラフィ装置、物品の製造方法、及び物品の製造システムを提供することができる。
インプリント装置を示した図である。 情報処理装置を示した図である。 インプリント処理を示したフローチャートである。 型のパターン部と基板上に供給されたインプリント材を示した図である。 パターンを形成するショット領域のレイアウトを示した図である。 補正モデルと装置モデルを示した図である。 サブシステムを示した図である。 サブシステムにおける処理を示したフローチャートである。 第１実施形態に係る物品の製造システムを示した図である。 第２実施形態に係る物品の製造システムを示した図である。 物品製造方法を説明するための図である。 従来の物品の製造システムを示した図である。
以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
＜第１実施形態＞
本実施形態では、リソグラフィ装置としてインプリント装置を用いた例について説明する。図１はインプリント装置を示した図である。まず、図１を用いて、インプリント装置の代表的な構成について説明する。インプリント装置１００は、基板１０１上に供給されたインプリント材１２２と型１１１（原版）とを接触させ、インプリント材１２２に硬化用のエネルギーを与えることにより、型１１１の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
ここで、インプリント材１２２には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１５０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
インプリント材１２２は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材１２２の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。
基板１０１は、ガラス、セラミックス、金属、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板１０１とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英を材料に含むガラスウエハなどである。
型１１１は、矩形の外周形状を有し、基板に対向する面（パターン面）に３次元状に形成されたパターン（回路パターンなどの基板１０１に転写すべき凹凸パターン）を備えたパターン部を有する。型１１１は、光を透過させることが可能な材料、例えば、石英で構成される。また、型１１１は、パターン部とは反対側に凹部を有する。
本実施形態では、インプリント装置１００は、光の照射によりインプリント材１２２を硬化させる光硬化法を採用するものとして説明する。また、以下では、基板上のインプリント材１２２に対して照射する光の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とする。また、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または移動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または移動を意味する。また、θＸ、θＹ、θＺに関する制御または移動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または移動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向の座標に基づいて特定されうる情報を意味し、姿勢は、θＸ、θＹ、θＺの値で特定されうる情報を意味する。また、Ｘ軸とＹ軸を含む平面をＸＹ平面、Ｘ軸とＺ軸を含む平面をＸＺ平面、Ｙ軸とＺ軸を含む平面をＹＺ平面とする。
インプリント装置１００は、基板ステージ１０６、型保持部１１３、型補正部１１２、照射部１４２、アライメント計測部１１４、供給部１２１、撮像部１３１、及び制御部１５０を備えうる。
基板ステージ１０６は、基板１０１を保持して移動する。基板ステージ１０６は、吸着手段（不図示）を備え、基板１０１を吸着して保持可能に構成されている。吸着手段が基板１０１を吸着する方式は、真空吸着方式、静電吸着方式、またはその他の吸着方式とすることができる。また、基板ステージ１０６は、リニアモータ等の駆動手段（不図示）を備え、基板１０１を、例えば、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ（好ましくは、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ、θＹ、及びθＺ）に移動可能に構成されている。また、基板ステージ１０６は、床面上に載置されたステージ定盤１０７によって支持されうる。
型保持部１１３は、型１１１を保持して移動する。型保持部１１３は、吸着手段（不図示）を備え、型１１１を吸着して保持可能に構成されている。吸着手段が基板１０１を吸着する方式は、真空吸着方式、静電吸着方式、またはその他の吸着方式とすることができる。また、型保持部１１３は、ボイスコイルモータ等の駆動手段（不図示）を備え、型１１１をＺ軸方向、θＸ、及びθＹ（好ましくは、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ、θＹ、及びθＺ）に移動可能に構成されている。
基板ステージ１０６及び型保持部１１３は、基板１０１と型１１１との相対的な位置及び相対的な姿勢を調整し、基板１０１の上のインプリント材１２２と型１１１のパターン部との接触のために、基板１０１及び型１１１のうち少なくとも一方を移動させる。また、基板ステージ１０６及び型保持部１１３は、硬化したインプリント材１２２と型１１１のパターン部との分離のために、基板１０１及び型１１１のうち少なくとも一方を移動させる。また、基板１０１及び型１１１の位置、姿勢を高精度に調整する必要があるため、基板ステージ１０６及び型保持部１１３の駆動手段には、粗動駆動手段や微動駆動手段などの複数の駆動手段が構成されてもよい。
また、型保持部１１３は、型１１１に加えられる押印力及び離型力のうち少なくとも一方を検出する１又は複数のセンサ（不図示）を備えうる。押印力は、基板１０１の上のインプリント材１２２に型１１１を接触させるために型１１１に加えられる力である。離型力は、基板１０１の上のインプリント材１２２と型１１１とを分離するために型１１１に加えられる力である。押印力及び離型力は、主に、Ｚ軸方向に沿う方向に作用する力である。押印力及び離型力は、例えば、型保持部１１３の駆動手段に供給される電流の大きさに相関を有し、センサは、該電流の大きさに基づいて押印力及び離型力を検出することができる。センサは、パターンの形成において型１１１に加えられる押印力及び離型力のうち少なくとも一方を計測するセンサの一例である。また、型保持部１１３の駆動手段に複数のセンサが備えられる場合、型１１１における複数の位置において作用する押印力及び離型力を検出することができ、押印力及び離型力の分布の情報を取得することができる。
型補正部１１２は、型１１１のパターン部の形状と基板１０１のショット領域の形状とを合わせるために、型１１１のパターン部の形状を補正する。型１１１のパターン部には、製造誤差や熱変形などにより、例えば、倍率成分や台形成分などの成分を含む変形が生じている場合がある。型補正部１１２は、例えば、型１１１の側面における複数の位置から力を加えることにより型１１１のパターン部のＸＹ平面に沿う方向の形状を変形させる手段を用いることができる。型補正部１１２は、例えば、型１１１の各辺を中央に向かって押し込む方向（ＸＹ平面に沿う方向）に力を加える複数のアクチュエータによって構成されている。そして、各アクチュエータが型１１１の側面から個別に力を加えることにより、型１１１のパターン部の形状を補正することができる。型補正部１１２のアクチュエータとしては、例えば、リニアモータ、エアシリンダ、又はピエゾアクチュエータなどが用いられる。
照射部１４２は、基板１０１上のインプリント材１２２にインプリント材１２２を硬化させるための硬化光（例えば、紫外光等の光）を照射する。照射部１４２は、例えば、硬化光を射出する光源１４１と、光源１４１から射出された光の光路を折り曲げるミラー等を備える光学素子１４３とを含む。また、照射部１４２は、光源１４１から射出された光をインプリント処理において適切な光に調整する複数の光学素子（不図示）を含みうる。また、光源１４１から射出される光の波長は、インプリント材１２２の種類に応じて適宜決定されうる。また、照射部１４２から射出された光が型１１１を介して基板１０１に照射されるように、型保持部１１３には、中心部（内側）に開口領域（不図示）が構成されている。また、照射部１４２は、型１１１のパターン部と基板１０１のショット領域の形状を合わせるために、ショット領域を変形させる不図示の基板変形手段を備えてもよい。例えば、基板変形手段としては、照射部１４２からインプリント材１２２を硬化させない光（例えば、赤外線等の光）をショット領域に照射して、ショット領域が熱で膨張することによりショット領域のＸＹ平面に沿う方向の形状を変形する手段を用いる。
アライメント計測部１１４は、基板１０１上に形成されたショット領域とパターンが形成された型１１１のパターン部とのＸＹ平面に沿う方向の相対的な位置を計測する。アライメント計測部１１４は、例えば、基板１０１のアライメントマークと型１１１のアライメントマークを照明するとともに、それらのアライメントマークを撮像して得られた画像を用いて、アライメントマーク間の相対的な位置を計測する。そして、検出結果に基づいて、基板１０１上に形成されたショット領域とパターンが形成された型１１１のパターン部とのＸＹ平面に沿う方向の相対的な位置を計測する。また、アライメント計測部１１４は、観察すべきアライメントマークの位置に応じて駆動手段（不図示）によって位置決めされうる。また、基板１０１及び型１１１のそれぞれに設けられた複数のアライメントマークを並行して計測するために、複数のアライメント計測部１１４が構成されてもよい。
供給部１２１は、例えば、インクジェット法によりインプリント材１２２を吐出して、基板１０１上にインプリント材１２２を供給する。また、供給部１２１は、インプリント材１２２を供給する量やインプリント材１２２を供給する位置などが定められた処理条件に従ってインプリント材１２２を供給する。インプリント材１２２を供給する量やインプリント材１２２を供給する位置は基板１０１上に形成されるべきパターンの厚さや密度などを考慮して事前に定められ、例えば、処理条件は後述の制御部１５０の記憶部に記憶される。また、供給部１２１がインプリント材１２２を供給する間に基板保持部１０２に保持された基板１０１が移動することで基板１０１の所定の位置にインプリント材１２２が供給される。
撮像部１３１は、例えば、カメラを含み、光学素子１４３を介して型１１１のパターン部を含む領域を撮像可能なように構成される。撮像部１３１は、型１１１のパターン部に接触したインプリント材１２２を撮像して画像データを取得する。撮像部１３１により取得される画像データによって、型１１１のパターン部に接触したインプリント材１２２の状態を確認することができる。また、取得される画像データは、静止画像のデータでもよいし、動画のデータでもよい。
制御部１５０は、基板ステージ１０６等のインプリント装置１００の各部の動作及び調整などを制御することで、例えば、基板１０１上にパターンを形成するインプリント処理を制御する。制御部１５０は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれたコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合せによって構成されうる。情報処理装置である。また、制御部１５０は、インプリント装置１００の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１００の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
図２は情報処理装置を示した図である。情報処理装置の各構成要素は、プログラムに従って機能する。図２の例では、ＣＰＵ２０１は、プログラムに従って制御のための演算を行い、バス２０８に接続された各構成要素を制御する処理装置である。ＲＯＭ２０２は、データ読出し専用のメモリであり、プログラムやデータが格納されている。ＲＡＭ２０３は、データ読み書き用のメモリであり、プログラムやデータの保存用に用いられる。ＲＡＭ２０３は、ＣＰＵ２０１の演算の結果等のデータの一時保存用に用いられる。記憶装置２０４も、プログラムやデータの保存用に用いられる。記憶装置２０４は、情報処理装置のオペレーティングシステム（ＯＳ）のプログラム、及びデータの一時保存領域としても用いられる。記憶装置２０４は、ＲＡＭ２０３に比べてデータの入出力は遅いが、大容量のデータを保存することが可能である。記憶装置２０４は、保存するデータを長期間にわたり参照できるように、永続的なデータとして保存できる不揮発性記憶装置であることが望ましい。記憶装置２０４は、主に磁気記憶装置（ＨＤＤ）で構成されるが、ＣＤ、ＤＶＤ、メモリカードといった外部メディアを装填してデータの読み込みや書き込みを行う装置であってもよい。また、ＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、及び記憶装置２０４のうち少なくとも１つを情報処理装置の記憶部とする。入力装置２０５は、情報処理装置に文字やデータを入力するための装置であり、各種のキーボードやマウスなどが該当する。表示装置２０６は、情報処理装置の操作に必要な情報や処理結果などを表示するための装置であり、ＣＲＴ又は液晶モニターなどが該当する。通信装置２０７は、後述のネットワーク３０４に接続してＴＣＰ／ＩＰ等の通信プロトコルによるデータ通信を行い、他の情報処理装置と相互に通信を行う場合に使用される。
次に、インプリント装置１００によるインプリント処理について説明する。図３は、インプリント処理を示したフローチャートである。Ｓ３０１において、制御部１５０は、インプリント処理の条件を定めたパラメータなどのデータを含む処理条件を取得する。制御部１５０は、処理条件を、制御部１５０の記憶部から取得してもよいし、外部の情報処理装置からネットワーク経由で取得してもよい。
Ｓ３０２において、制御部１５０は、不図示の型搬送部により型１１１を型保持部１１３に搬送させる。また、不図示の基板搬送部により基板１０１を基板ステージ１０６に搬送させる。
Ｓ３０３において、制御部１５０は、基板１０１上のショット領域が供給部１２１の下に位置するように基板ステージ１０６を移動させる。そして、制御部１５０は、供給部１２１により基板１０１上のショット領域にインプリント材１２２を供給させる。
Ｓ３０４において、制御部１５０は、インプリント材１２２を供給したショット領域が型保持部１１３に保持された型１１１のパターン部の下に位置するように基板ステージ１０６を移動させる。ここで、図４は、型１１１のパターン部１１８と基板１０１上に供給されたインプリント材１２２を示した図である。図４（ａ）は、インプリント材１２２を供給したショット領域が型１１１のパターン部１１８の下に位置している様子を示している。
そして、制御部１５０は、型保持部１１３により型１１１を下方向（−Ｚ軸方向）に移動させることにより、型１１１のパターン部１１８をショット領域上のインプリント材１２２に押し付ける（押印）。ここで、制御部１５０は、基板ステージ１０６により基板１０１を上方向（＋Ｚ軸方向）に移動させてもよい。
Ｓ３０５において、制御部１５０は、インプリント材１２２を型１１１のパターン部１１８の凹凸に充填させるために、型保持部１１３及び基板ステージ１０６を制御して、型１１１のパターン部１１８と基板１０１との間隔を一定に保つように制御する。図４（ｂ）は、型１１１のパターン部１１８がショット領域上のインプリント材１２２に押し付けられ、インプリント材１２２が型１１１のパターン部１１８の凹凸に充填した様子を示している。また、Ｓ３０５において、制御部１５０は、アライメント計測部１１４によりショット領域と型１１１のパターン部１１８との相対的な位置を計測させる。そして、制御部１５０は、計測された位置に基づき、基板ステージ１０６及び型保持部１１３の少なくとも１つをＸＹ平面方向に沿って移動させ、ショット領域と型１１１のパターン部１１８との位置合わせを行う。また、制御部１５０は、アライメント計測部１１４により複数のショット領域上のアライメントマークを事前に計測しておき、その計測結果を統計処理した情報を記憶部に記憶しておく。そして、計測結果を統計処理した情報に基づいてショット領域と型１１１のパターン部１１８との位置合わせを行ってもよい。
Ｓ３０６において、制御部１５０は、照射部１４２により基板１０１上のインプリント材１２２に硬化光を照射させて、基板１０１上のインプリント材１２２を硬化させる（硬化）。
Ｓ３０７において、制御部１５０は、型保持部１１３により型１１１を上方向（＋Ｚ軸方向）に移動させることにより、型１１１のパターン部１１８と基板１０１上のインプリント材１２２とを引き離す（離型）。ここで、制御部１５０は、基板ステージ１０６により基板１０１を下方向（−Ｚ軸方向）に移動させてもよい。図４（ｃ）は、型１１１のパターン部１１８と基板１０１上のインプリント材１２２とが引き離され、基板１０１上にインプリント材１２２のパターンが形成された様子を示している。
Ｓ３０８において、制御部１５０は、基板１０１上の複数のショット領域の全てに対してインプリント処理が完了したかを判定する。図５は、パターンを形成するショット領域のレイアウトを示した図である。レイアウト４０１は、基板１０１上の複数のショット領域４０２の配置の情報を示しており、処理条件により定められる。なお、ここでは、Ｓ３０３からＳ３０７までの処理で１つのショット領域にパターンが形成されるものとして説明したが、Ｓ３０３からＳ３０７までの処理で複数のショット領域にパターンが形成されるようにしてもよい。
全てのショット領域に対してインプリント処理が完了したと判定された場合はＳ３０９に進む。また、全てのショット領域に対してインプリント処理が完了していないと判定された場合は、Ｓ３０３に戻り、制御部１５０は、インプリント処理が完了していないショット領域にインプリント材１２２を供給させる。
Ｓ３０９において、制御部１５０は、制御部１５０は、不図示の型搬送部により型１１１を型保持部１１３から搬出させる。また、不図示の基板搬送部により基板１０１を基板ステージ１０６から搬出させる。
ここで、インプリント装置１００によるインプリント処理が行われる場合、制御部１５０は、型保持部１１３、基板ステージ１０６などに対して制御を行うための指令値を記憶部に記憶する。また、制御部１５０は、アライメント計測部１１４、撮像部１３１などから得られた計測値や画像データは制御部１５０の記憶部に記憶する。また、制御部１５０は、記憶した指令値、計測値、画像データを統計処理して得られた情報も記憶部に記憶する。記憶部に記憶された情報は、ネットワークを経由して補正システム５００（第２システム）に送信される。ここで、補正システム５００は、例えば、インプリント装置１００等の製造装置の生産管理やプロセス制御を行うシステムである。そして、補正システム５００において、受信した情報に対する解析が行われ、インプリント装置１００におけるインプリント処理を改善するために、インプリント処理に適用される処理条件の補正が行われる。
次に、補正システム５００とインプリント装置１００を含む装置システム５１０を含む物品の製造システムについて説明する。図１２は従来の物品の製造システムを示した図である。物品の製造システムは、例えば、補正システム５００と、装置システム５１０と、検査装置５０３を有する。ここで、補正システム５００は、例えば、ＭＥＳ（Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｅｘｅｃｕｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ）５０１と、ＡＰＣ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｎｔｒｏｌ）５０２と、データベース５０５とを有する。
ＭＥＳ５０１は統合的に生産を管理して、インプリント装置１００に対して処理条件を出力してインプリント処理を指示する。ＡＰＣ５０２は、インプリント装置１００におけるインプリント処理に適用する処理条件を制御する。ＭＥＳ５０１及びＡＰＣ５０２のそれぞれは、１又は複数の情報処理装置で構成される。また、ＭＥＳ５０１及びＡＰＣ５０２は１つの情報処理装置で構成されてもよい。
検査装置５０３は、インプリント装置１００において処理された基板１０１が搬送され、基板１０１について検査を行う装置である。検査装置５０３は、例えば、重ね合わせ検査装置、ＣＤ検査装置、パターン検査装置、電気特性検査装置などを含みうる。ここで、重ね合わせ検査装置とは、多層にパターンが形成された基板において上層のパターンと下層のパターンとの位置ずれ量（以下、パターンの位置ずれ量とする。）を計測して位置ずれの精度を検査する装置である。また、ＣＤ検査装置とは、基板上に形成されたパターンの線幅等の寸法を計測してパターンの寸法の精度を検査する装置である。また、パターン検査装置とは、パターンが形成された基板上に付着した異物やインプリント材の未充填などによって基準を満たさない基準外のパターンの有無と、基準外のパターンの位置を検査する装置である。また、電気特性検査装置とは、パターンが形成された基板から製造された半導体デバイス等の電気特性の精度を検査する装置である。また、検査装置５０３は、少なくとも１つの情報処理装置を含み、ネットワーク経由で検査結果に関わる情報をデータベース５０５に送信可能に構成されている。
データベース５０５は、情報処理装置の記憶部内に構成され、各種の情報を保持する。また、データベース５０５は、外部の情報処理装置との間で各種の情報の送受信をする。また、データベース５０５は、ＭＥＳ５０１又はＡＰＣ５０２を構成する情報処理装置の記憶部内に構成されてもよい。
また、装置システム５１０は、例えば、インプリント装置１００と、データベース５１５とを有する。図１２の例では１台のインプリント装置１００が補正システム５００と接続しているが、複数のインプリント装置１００が接続するように構成されてもよい。また、インプリント装置１００だけに限られず、基板を露光する露光装置や、荷電粒子光学系を介して荷電粒子線（電子線やイオンビームなど）で基板に描画を行う描画装置が接続するように構成されてもよい。また、基板に感光剤を塗布する塗布装置、露光後の基板を現像する現像装置、基板上の酸化膜をエッチングするエッチング装置、基板上に薄膜を形成する成膜装置が接続するように構成されてもよい。また、インプリント装置１００、露光装置、及び描画装置が混在して、複数の装置が補正システム５００と接続するように構成されてもよい。
データベース５１５は、情報処理装置の記憶部内に構成され、各種の情報を保持する。また、データベース５１５は、外部の情報処理装置との間で各種の情報の送受信をする。また、データベース５１５は、インプリント装置１００の制御部１５０の記憶部内に構成されてもよい。
補正システム５００と装置システム５１０によって構成され、相互にネットワークで接続されている。また、このネットワークを介して各種の情報を相互に送受信できるように構成されている。
ここで、インプリント装置１００は、補正システム５００（ＭＥＳ５０１）から、処理条件を取得して、処理条件に従ってインプリント処理を実行する。しかし、良好な歩留まりで半導体デバイスなどの物品を製造するためには、製造プロセスやインプリント装置１００に応じて適正化された処理条件に従ってインプリント処理を実行する必要がある。そのために、補正システム５００では、製造プロセスやインプリント装置１００に応じて適正化された、複数の処理条件を管理する必要がある。
ここで、処理条件は、供給部１２１により、基板１０１上に供給されるインプリント材１２２の量、及びインプリント材１２２が供給される位置の情報を含み得る。また、処理条件は、アライメント計測部１１４により計測される型１１１のアライメントマーク位置、及び基板１０１のアライメントマーク位置の情報を含み得る。また、処理条件は、型保持部１１３及び基板ステージ１０６の駆動により、型１１１のパターン部と基板１０１上のインプリント材１２２を接触させる時間を含み得る。また、処理条件は、型１１１のパターン部と基板１０１上のインプリント材１２２を接触させている状態で、Ｚ軸方向において型１１１に加えられる力（押印力、又は離型力）の大きさの情報を含み得る。また、処理条件は、照射部１４２により、インプリント材１２２に照射させる硬化光の光量、及びインプリント材１２２に硬化光を照射させる時間の情報を含み得る。また、処理条件は、型補正部１１２によりＸＹ平面に沿う方向において型１１１の側面に加えられる力の大きさの情報を含み得る。また、処理条件は、照射部１４２の基板変形手段により基板を加熱させるために照射される光の照射量、照射量分布、及び照射時間の情報を含み得る。
次に、処理条件を補正するための処理について説明する。インプリント装置１００は、ＭＥＳ５０１から処理条件を受信する。次に、インプリント装置１００の制御部１５０は、受信した処理条件に従って、インプリント装置１００の各部を制御して、インプリント処理を行う。インプリント処理が行われた結果を示すデータとして取得された処理データ（処理結果）はデータベース５１５に保持される。また、インプリント処理が行われた基板１０１は、検査装置５０３に搬送され、重ね合わせ検査、パターンの寸法の検査、異物の検査、電気特性の検査などの検査が行われる。
また、データベース５０５は、データベース５１５からの処理データや、検査装置５０３からの処理データを受信して保持する。
ここで、処理データは、インプリント装置１００によりインプリント処理が行われた結果として取得された様々な情報を含み得る。処理データは、アライメント計測部１１４、型保持部１１３、基板ステージ１０６を駆動させるための指令値の情報を含み得る。また、処理データは、アライメント計測部１１４により計測された計測値の情報を含み得る。ここで、該計測値は、アライメントマークの位置に関する計測値、およびアライメントマーク間の相対位置に関する計測値の情報を含み得る。また、処理データは、アライメント計測部１１４により撮像されたアライメントマークの画像の情報を含み得る。また、処理データは、撮像部１３１により撮像された型１１１のパターン部に接触したインプリント材１２２の画像の情報を含み得る。また、処理データは、型保持部１１３により計測された型１１１に作用する力（離型力、又は押印力）の情報を含み得る。
また、処理データは、検査装置５０３により検査された結果、取得された情報を含み得る。処理データは、パターンの位置ずれ量の情報を含み得る。また、処理データは、基板１０１上に形成されたパターンの線幅の寸法の情報を含み得る。また、処理データは、基板１０１上の基準を満たさないパターンの有無、基準を満たさないパターンの位置の情報を含み得る。また、処理データは、パターンが形成された基板１０１から製造された半導体デバイスの電気特性の情報を含み得る。
ＡＰＣ５０２は、データベース５０５から処理結果の情報や計測結果の情報を処理データとして取得して、取得した処理データに含まれる様々な情報を分析して、処理条件に含まれる情報に対する補正データを取得し、処理条件に含まれる情報を補正する。
ここで、補正データは、供給部１２１により、基板１０１上に供給されるインプリント材１２２の量、及びインプリント材１２２が供給される位置を補正するための補正値の情報を含み得る。また、補正データは、アライメント計測部１１４により計測される型１１１のアライメントマーク位置、及び基板１０１のアライメントマーク位置を補正するための補正値の情報を含み得る。また、補正データは、型保持部１１３及び基板ステージ１０６の駆動により、型１１１のパターン部と基板１０１上のインプリント材１２２を接触させる時間を補正するための補正値の情報を含み得る。また、補正データは、照射部１４２により、インプリント材１２２に照射させる硬化光の光量、及びインプリント材１２２に硬化光を照射させる時間を補正するための補正値の情報を含み得る。また、補正データは、型補正部１１２により型１１１に加えられる力の大きさを補正するための補正値の情報を含み得る。また、補正データには、照射部１４２の基板変形手段により基板を加熱させるために照射される光の照射量、照射量分布、及び照射時間を補正するための補正値の情報を含み得る。
ＭＥＳ５０１は補正された処理条件をインプリント装置１００に送信して、インプリント装置１００は、補正された処理条件に従ってインプリント処理を実行する。処理条件の補正によって、良好な歩留まりを維持した半導体デバイス等の物品の製造が可能となる。
また、インプリント装置１００においてインプリント処理が行われる場合、アライメント計測部１１４による計測値の情報を複数のアライメントマークについて取得することができる。また、撮像部１３１によって、型１１１のパターン部を含む領域の静止画の画像データを複数、取得することができる。撮像部１３１によって、型１１１のパターン部を含む領域の動画の画像データを取得することもできる。さらに、型保持部１１３や基板ステージ１０６の駆動手段であるリニアモータやボイスコイルモータの推力を計測した計測値を取得することができる。特に、図２におけるＳ３０４からＳ３０７の間に駆動手段の推力を定期的に計測した複数の計測値により、型１１１、基板１０１に作用する力の変動の情報を得ることができる。このように各部からインプリント処理における情報を取得することができるが、ＡＰＣ５０２は、パターン形成の精度をより向上させる補正データを取得するためには、詳細で大量の情報を取得して分析する必要がある。
また、ＡＰＣ５０２において、処理データ及び処理条件から補正データを取得する場合、処理条件と処理データの関係が明確であれば、テーブルや数式などを用いて処理データ及び処理条件から補正データを取得することができる。しかし、処理条件と処理データの関係が明確でない場合には、テーブルや数式などを用いて処理データ及び処理条件から補正データを取得することは困難である。例えば、処理データとして取得された、アライメント計測部１１４により計測されたアライメントマークの位置の情報から、処理条件に含まれるアライメントマーク位置に関する補正データを算出する数式を求めることは容易である。しかし、例えば、パターンの位置ずれ量の情報は、型補正部１１２により型１１１に加えられる力の大きさに相関関係があることはわかっている。しかし、パターンの位置ずれ量に対する型１１１に加えられる力の大きさが有する相関の度合いが明確ではないため、補正データをテーブルや数式などを用いて取得することは困難である。
そこで、本実施形態では、処理データと処理条件を入力とし、補正データを出力するサブシステム７００（第１システム）を用いて補正データを取得する。サブシステム７００は、第１処理データ６１１と第１処理条件６１２を入力として、第１補正データ６１３を出力する。また、サブシステム７００は、補正モデル７０１（第１モデル）と装置モデル７０２（第２モデル）により構成されている。また、サブシステム７００は、１又は複数のプログラムにより構成され、該プログラムが情報処理装置内で動作されることにより実現される。また、サブシステム７００は、主となるプログラムに組み込まれて動作する１又は複数のプログラムにより構成されてもよい。また、サブシステム７００は、補正モデル７０１と装置モデル７０２の構造を定めるパラメータなどのデータを含み得る。
ここで、補正モデル７０１と装置モデル７０２について説明する。図６は補正モデル７０１と装置モデル７０２を示した図である。図６（ａ）に示された補正モデル７０１は、機械学習により取得される学習済モデルを含み得る。処理データ６０１が補正モデル７０１に入力されると、補正データ６０３が出力として取得される。
ここでは、重ね合わせ検査に関して補正モデル７０１の生成について説明する。まず、入力データと教師データとの関係を示す学習データを用意する。ここで、入力データは、インプリント処理を行った結果、取得された処理データ６０１である。処理データ６０１は、例えば、検査装置５０３で検査して得られたパターンの位置ずれ量を含み得る。また、教師データは入力データである処理データ６０１に対して処理条件６０２を補正する補正データ６０３である。補正データ６０３は、例えば、型補正部１１２により型１１１に加えられる力の大きさを補正するための補正値の情報を含み得る。また、補正データ６０３は、例えば、基板変形手段により照射される光の照射量を補正するための補正値、照射量分布を補正するための補正値、及び照射時間を補正するための補正値のうち少なくとも１つの情報を含み得る。このような入力データと教師データとの関係を示す学習データを用意して機械学習を行う。機械学習は、例えばニューラルネットワークを用いて行うことができる。ニューラルネットワークとは、入力層、中間層、出力層といった多層のネットワーク構造を有するモデルである。入力データと教師データとの関係を示す学習データを用いて、誤差逆伝搬法等のアルゴリズムでネットワーク内部の確率変数が最適化されることにより、学習済モデルを取得することができる。ここで、ニューラルネットワークを用いて学習済モデルを取得する例を説明したが、ニューラルネットワークに限られない。例えば、サポートベクターマシン、決定木など他のモデル、アルゴリズムを用いてもよい。そして、取得した補正モデル７０１に新たな処理データ６０１を入力することにより、出力データとして補正データ６０３が出力される。また、処理データ６０１、補正データ６０３は、上記の例に限られない。また、処理データ６０１と補正データ６０３の組合せが複数ある場合には、補正モデル７０１は、複数の学習済モデルから構成されても良い。また、補正モデル７０１は、学習済モデルだけでなく、処理条件６０２と処理データ６０１の関係を示すテーブルや数式等を用いて処理データ６０１と補正データ６０３を取得するモデルを含んでも良い。
図６（ｂ）に示された装置モデル７０２は、例えば、機械学習により取得される学習済モデルである。装置モデル７０２に処理条件６０２が入力されると、処理データ６０１が出力として取得される。ここでは、重ね合わせ検査に関して装置モデル７０２の生成について説明する。まず、入力データと教師データとの関係を示す学習データを用意する。ここで、入力データは、インプリント処理の条件を定めた処理条件６０２である。処理条件６０２は、例えば、型補正部１１２により型１１１に加えられる力の大きさ、基板変形手段により照射される光の照射量、照射量分布、及び照射時間のうち少なくとも１つを含み得る。また、教師データは入力データである処理条件６０２でインプリント処理を行い取得された処理データ６０１である。処理データ６０１は、例えば、検査装置５０３で検査して得られたパターンの位置ずれ量を含み得る。このような入力データと教師データとの関係を示す学習データを用意して機械学習を行う。機械学習は、例えばニューラルネットワークを用いて行うことができる。そして、取得した装置モデル７０２に新たな処理条件６０２を入力することにより、出力データとして処理データ６０１が出力される。また、処理条件６０２、処理データ６０１は、上記の例に限られない。また、処理条件６０２と処理データ６０１の組合せが複数ある場合には、装置モデル７０２は、複数の学習済モデルから構成されても良い。また、装置モデル７０２は、学習済モデルだけでなく、処理条件６０２と処理データ６０１の関係を示すテーブル等を用いて処理条件６０２と処理データ６０１を取得するモデルを含んでも良い。
次に、図７および図８を参照して、サブシステム７００における処理について説明する。図７はサブシステムを示した図である。また、図８はサブシステム７００における処理を示したフローチャートである。Ｓ８０１において、第１処理データ６１１が補正モデル７０１に入力され、補正モデル７０１から第２補正データ６２３が出力される。Ｓ８０２において、出力された第２補正データ６２３により第３補正データ６３３が更新される。ここで、最初に第２補正データ６２３により第３補正データ６３３が更新される場合は、第２補正データ６２３により第３補正データ６３３が置き換えられる。２回目以降に第２補正データ６２３により第３補正データ６３３が更新される場合は、例えば、第２補正データ６２３に含まれる補正値が第３補正データ６３３の補正値に加算されることで第３補正データ６３３が更新されてもよい。また、例えば、第２補正データ６２３に含まれる補正値と前回の補正値との比率を第３補正データ６３３の補正値に乗じることで第３補正データ６３３が更新されてもよい。また、例えば、第２補正データ６２３に含まれる補正値から求められる行列を用いて、第３補正データ６３３の補正値に関して行列演算を行って更新してもよい。
Ｓ８０３において、サブシステム７００に入力された第１処理条件６１２がＳ８０２で更新された第３補正データ６２３により補正され、第２処理条件６２２が出力される。Ｓ８０４において、出力された第２処理条件６２２が装置モデル７０２に入力され、装置モデル７０２から第２処理データ６２１が出力される。Ｓ８０５において、装置モデル７０２から出力された第２処理データ６２１が予め定めた許容範囲内に収まっているか判定される。第２処理データ６２１が予め定めた許容範囲内に収まっていると判定された場合、Ｓ８０２において更新された第３補正データ６３３が第１補正データ６１３としてサブシステム７００から出力される。一方、第２処理データ６２１が予め定めた許容範囲内に収まっていないと判定された場合、Ｓ８０７において、補正モデル７０１に装置モデル７０２から出力された第２処理データ６２１が入力される。そして、補正モデル７０１から、入力された第２処理データ６２１に応じた、新たな第２補正データ６２３が出力される。そして、Ｓ８０２に戻り、出力された第２補正データ６２３により第３補正データ６３３が更新される。そして、Ｓ８０３において、第１処理条件６１２がＳ８０２で更新された第３補正データ６２３により、再度、補正され、第２処理条件６２２が出力される。このような処理を装置モデル７０２から出力された第２処理データ６２１が、予め定めた許容範囲内に収まるまで繰り返し行う。
ここで、予め定めた許容範囲は、第２処理データ６２１に複数の処理データが含まれる場合は、処理データ毎に定められる。例えば、パターンの位置ずれ量の場合、要求されるパターンの位置精度に応じてパターンの位置ずれ量の許容範囲が予め定められる。
また、図６における処理データ６０１は、図７で説明した第１処理データ６１１と同様の情報である。また、図６における処理条件６０２は、図７で説明した第１処理条件６１２、及び第２処理条件６２２と同様の情報である。また、補正データ６０３は、図７で説明した第１補正データ６１３、及び第２補正データ６２３と同様の情報である。また、第１処理データ６１１、及び第１処理条件６１２は、サブシステム７００に入力されるデータである。また、インプリント装置１００において行われたインプリント処理において第１処理条件６１２が適用され、該インプリント処理が行われた結果として第１処理データ６１１が取得される。一方、第２処理データ６２１、及び第２処理条件は、第１補正データ６１３を取得する間にサブシステム７００において取得される処理データ、及び処理条件である。また、第１補正データ６１３は、第１処理条件６１２を補正するための補正データであり、サブシステム７００から出力される補正データである。一方、第２補正データ、及び第３補正データは、第１補正データ６１３を取得する間にサブシステム７００において取得される補正データである。
図９は、本実施形態に係る物品の製造システムを示した図である。本実施形態におけるサブシステム７００は、補正システム５００に組み込まれ、ＭＥＳ５０１に補正データを出力する。サブシステム７００は、経路８０１でデータベース５０５と接続して、処理データと処理条件を取得可能なように構成される。また、サブシステム７００は、経路８０２でＭＥＳ５０１と接続して、補正データを出力可能なように構成される。
ここで、処理データと補正データの関係、及び処理条件と処理データの関係は、複数のインプリント装置１００のそれぞれで異なることがある。また、同じインプリント装置１００であっても、時間の経過とともに処理データと補正データの関係、及び処理条件と処理データの関係が変化することがある。そのため、サブシステム７００に構成される補正モデル７０１、及び装置モデル７０２を更新する必要がある。そこで、本実施形態における装置システム５１０は、サブシステム７００を更新して、更新したサブシステム７００に関する情報を補正システム５００に出力する。ここで、補正システム５００に出力するサブシステム７００に関する情報は、サブシステム７００の機能を実現するためのプログラムに関する情報を含み得る。また、サブシステム７００に関する情報は、補正モデル７０１、及び装置モデル７０２を構成するニューラルネットワークの層数、ニューロン数、確率変数など、モデルを定めるパラメータの情報を含み得る。
装置システム５１０において、サブシステム７００は、経路８１１でインプリント装置１００と接続して処理条件、及び補正データを取得可能なように構成しておく。また、サブシステム７００は、経路８１２でデータベース５１５と接続して処理データを取得可能なように構成しておく。これにより、新たな処理条件、及び補正データに対する処理データを学習データに追加して、機械学習が行われ補正モデル７０１、及び装置モデル７０２が更新される。更新された補正モデル７０１、及び装置モデル７０２を組み込んだサブシステム７００の情報を補正システム５００に出力し、既存のサブシステム７００は更新されたサブシステム７００に置き換えられる。そして、補正システム５００は更新されたサブシステム７００を用いて補正データを取得する。
サブシステム７００は、１又は複数の基板１０１のインプリント処理が完了した時に更新されるようにするとよい。また、装置システム５１０が補正システム５００からサブシステム７００の更新の要求を受信した時に更新されるようにしてもよい。
そして、補正システム５００にサブシステム７００が組み込まれて、サブシステム７００はデータベース５０５に保持される処理データと処理条件を入力として、補正データを出力する。サブシステム７００から出力された補正データは、ＡＰＣ５０２で取得された他の補正データと共にＭＥＳ５０１に出力される。ＭＥＳ５０１は、ＡＰＣ５０２から出力された補正データに基づき補正された処理条件をインプリント装置１００に出力する。インプリント装置１００は補正された処理条件に従ってインプリント処理を行う。
ここで、サブシステム７００は、ＡＰＣ５０２と置き換えて運用されてもよい。つまり、サブシステム７００は、ＡＰＣ５０２を経由せずに、直接、データベース５０５と接続して、処理データと処理条件を取得可能なように構成される。また、サブシステム７００は、ＡＰＣ５０２を経由せずに、直接、ＭＥＳ５０１と接続して、補正データを出力可能なように構成される。
また、ＭＥＳ５０１は、ＡＰＣ５０２から出力された補正データに基づき処理条件を補正するか否かを判定してもよい。例えば、ＭＥＳ５０１は、補正データが予め定めた許容範囲内に収まらない場合は、処理条件を補正しないと判定してもよい。また、ＭＥＳ５０１は、他のインプリント装置１００に適用する処理条件と補正した処理条件とを比較して、差分が許容範囲内に収まらない場合は、処理条件を補正しないと判定してもよい。また、ＭＥＳ５０１は、処理条件を補正しないと判定した場合、一部の補正データにより処理条件を補正してもよいし、補正データを分割して段階的に処理条件を補正してもよい。
また、複数の装置システム５１０がある場合には、複数の装置システム５１０毎に複数のサブシステム７００が補正システム５００に組み込まれて運用されてもよい。これにより、複数の装置システム５１０毎に異なる特性を考慮した補正データを取得することができる。
以上、本実施形態によれば、サブシステム７００をＡＰＣ５０２に組み込むことにより処理条件を補正する補正データを取得することができる。
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る補正システム５００及び装置システム５１０について説明する。なお、ここで言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。本実施形態では、サブシステム７００が補正システム５００ではなく、装置システム５１０に組み込まれて運用される。
図１０は、本実施形態に係る物品の製造システムを示した図である。本実施形態におけるサブシステム７００は、装置システム５１０に組み込まれ、ＭＥＳ５０１に補正データを出力する。サブシステム７００は、経路９０１でデータベース５０５と接続して、処理データと処理条件を取得可能なように構成される。また、サブシステム７００は、経路９０２でＭＥＳ５０１と接続して、補正データを出力可能なように構成される。
また、第１実施形態と同様に、装置システム５１０は、サブシステム７００を更新する。そして、サブシステム７００はデータベース５０５に保持される処理データと処理条件を入力として、補正データを出力する。サブシステム７００から出力された補正データは、ＡＰＣ５０２で取得された他の補正データと共にＭＥＳ５０１に出力される。ＭＥＳ５０１は、補正データに基づき補正された処理条件をインプリント装置１００に出力して、インプリント装置１００は補正された処理条件に従ってインプリント処理を行う。
また、装置システム５１０には、更新用のサブシステム７００と補正データの取得用のサブシステム７００を用意しておいてもよい。そして、更新用のサブシステム７００は任意のタイミングで更新され、例えば、１又は複数の基板１０１のインプリント処理が完了した時のように特定のタイミングで補正データの取得用のサブシステム７００を更新用のサブシステム７００で置き換えてもよい。
また、サブシステム７００は、補正システム５００、装置システム５１０とは独立した情報処理装置内に組み込まれて、運用されてもよい。この場合、サブシステム７００が組み込まれた情報処理装置は、補正システム５００、装置システム５１０、検査装置５０３とネットワークで接続して、各種の情報の送受信が可能なように構成される。
以上、本実施形態によれば、サブシステム７００を装置システム５１０に組み込むことにより処理条件を補正する補正データを取得することができる。
（物品の製造方法）
本実施例における物品の製造方法について説明する。図１１は、物品の製造方法を説明するための図である。インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１１（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
図１１（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１１（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
図１１（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
図１１（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１１（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品をうることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
なお、型４ｚとして、凹凸パターンを設けた回路パターン転写用の型を用いた例について述べたが、凹凸パターンがない平面部を有する型（ブランクテンプレート）であってもよい。ブランクテンプレートは、平面部によって基板上の組成物を平坦化するように成形する平坦化処理を行う平坦化装置に用いられる。平坦化処理は、基板上に供給された硬化性組成物にブランクテンプレートの平坦部を接触させた状態で、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化性組成物を硬化させる工程を含む。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。リソグラフィ装置の一例として、インプリント装置について説明したが、これらに限定されるものではない。リソグラフィ装置の一例として、パターンが形成された原版に光を照射して、原版からの光で基板上にパターンを投影する露光装置であってもよい。また、リソグラフィ装置の一例として、荷電粒子光学系を介して荷電粒子線（電子線やイオンビームなど）で基板に描画を行って、基板にパターン形成を行う描画装置であってもよい。また、リソグラフィ装置は、感光媒体を基板の表面上に塗布する塗布装置、パターンが転写された基板を現像する現像装置等、デバイス等の物品の製造において前述のようなインプリント装置等の装置が実施する工程以外の工程を実施する製造装置も含みうる。
また、第１実施形態及び第２実施形態は、単独で実施するだけでなく、第１実施形態及び第２実施形態の組合せで実施することができる。

Claims (15)

  1. 基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置において行われる処理を定める条件を補正する補正データを出力する第１システムを用いて前記補正データを出力する情報処理装置であって、
    前記第１システムは、前記処理が行われた結果を示す処理結果が入力されると前記補正データを出力する第１モデルと、前記条件が入力されると前記処理結果を出力する第２モデルと、を備え、
    前記第１システムは、前記第１モデルから出力された前記補正データを用いて前記条件を補正し、補正された前記条件を前記第２モデルに入力することにより出力された前記処理結果に基づいて、前記補正データを出力することを特徴とする情報処理装置。
  2. 前記第１システムは、前記処理結果が予め定めた許容範囲に収まる場合に、前記補正データを出力することを特徴とする、請求項１に記載の情報処理装置。
  3. 前記第１システムは、前記処理結果が予め定めた許容範囲に収まらない場合に、前記処理結果を前記第１モデルに入力することにより出力された前記補正データを用いて前記条件を再度、補正することを特徴とする、請求項１または２に記載の情報処理装置。
  4. 前記第１モデルは、前記処理結果と前記補正データを学習データとして用いた機械学習により生成される学習済モデルを含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
  5. 前記第２モデルは、前記条件と前記処理結果を学習データとして用いた機械学習により生成される学習済モデルを含むことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
  6. 前記リソグラフィ装置は原版のパターン部と基板上のインプリント材とを接触させてパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記処理結果は、前記原版に形成されたマークの位置に関する計測値、前記基板に形成されるマークの位置に関する計測値、前記原版に形成されたマークを撮像した画像、前記基板に形成されるマークを撮像した画像、前記パターン部に接触した前記インプリント材を撮像した画像、前記原版に作用する力の計測値、前記パターンの位置ずれ量、前記パターンの線幅の寸法、基準を満たさない前記パターンの有無、基準を満たさない前記パターンの位置、前記パターンが形成された前記基板から製造された半導体デバイスの電気特性のうち少なくとも１つの情報を含み、
    前記条件は、前記基板上に供給される前記インプリント材の量、前記インプリント材が供給される位置、前記原版に形成されるマークの位置、前記基板に形成されるマークの位置、前記パターン部と前記基板上の前記インプリント材を接触させる時間、前記パターン部と前記基板上の前記インプリント材を接触させる状態で前記原版に加えられる力の大きさ、前記インプリント材に照射させる光の光量、前記光を照射させる時間、前記原版に加えられる力の大きさ、前記基板を加熱させるために照射される光の照射量、照射量分布、及び照射時間のうち少なくとも１つの情報を含むことを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
  7. 前記補正データは、前記条件に含まれる情報を補正するための情報を含むことを特徴とする、請求項６に記載の情報処理装置。
  8. 前記条件を前記リソグラフィ装置に出力する第２システムに前記第１システムに関する情報を出力することを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
  9. 前記第１システムは、前記条件を前記リソグラフィ装置に出力する第２システムから前記条件および前記処理結果を取得して、前記条件および前記処理結果に基づき取得した前記補正データを、前記第２システムに出力することを特徴とする、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の情報処理装置。
  10. 基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置において行われる処理を定める条件を補正する補正データを出力する第１システムを用いてコンピュータに前記補正データを出力させるプログラムであって、
    前記第１システムは、前記処理が行われた結果を示す処理結果が入力されると前記補正データを出力する第１モデルと、前記条件が入力されると前記処理結果を出力する第２モデルと、を備え、
    前記第１システムは、前記第１モデルから出力された前記補正データを用いて前記条件を補正し、補正された前記条件を前記第２モデルに入力することにより出力された前記処理結果に基づいて、前記補正データを出力することを特徴とするプログラム。
  11. 基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の情報処理装置を有し、
    前記リソグラフィ装置において行われる処理の条件を補正する補正データを出力するシステムを用いて前記補正データを出力することを特徴とするリソグラフィ装置。
  12. 請求項１１に記載のリソグラフィ装置を用いて、パターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、を有し、
    前記処理された基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
  13. 請求項１ないし９のいずれか１項に記載の情報処理装置と、
    原版を用いて基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置と、
    基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置において行われる処理を定める条件を前記リソグラフィ装置に出力する第２システムと、を有し
    前記第２システムは、前記第１システムを用いて出力された補正データを用いて補正された前記条件を前記リソグラフィ装置に出力することを特徴とする物品の製造システム。
  14. 前記リソグラフィ装置によりパターンが形成された基板を検査する検査装置を有し、
    前記処理結果は、前記検査装置により検査された結果のデータを含むことを特徴とする、請求項１３に記載の物品の製造システム。
  15. 複数の前記リソグラフィ装置を有し、
    複数の前記リソグラフィ装置のうち少なくとも１つに用いられる前記第１システムは、他の前記リソグラフィ装置に用いられる前記第１システムとは異なることを特徴とする請求項１３または１４に記載の物品の製造システム。
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