KR20200101848A - 정보 처리 장치, 저장 매체, 리소그래피 장치, 제품의 제조 방법, 및 제품의 제조 시스템 - Google Patents

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Abstract

정보 처리 장치는 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치에서 수행될 처리를 정의하는 조건을 보정하기 위한 보정 데이터를 출력하는 제1 시스템을 사용하여 보정 데이터를 출력한다. 제1 시스템은 처리의 결과를 표시하는 처리 결과가 입력되는 경우에 보정 데이터를 출력하는 제1 모델, 및 조건이 입력되는 경우에 처리 결과를 출력하는 제2 모델을 포함한다. 제1 시스템은 제1 모델로부터 출력된 보정 데이터를 사용하여 조건을 보정하고, 보정된 조건을 제2 모델에 입력함으로써 출력된 처리 결과에 기초하여 보정 데이터를 출력한다.

Description

정보 처리 장치, 저장 매체, 리소그래피 장치, 제품의 제조 방법, 및 제품의 제조 시스템{INFORMATION PROCESSING APPARATUS, STORAGE MEDIUM, LITHOGRAPHY APPARATUS, MANUFACTURING METHOD OF PRODUCT, AND MANUFACTURING SYSTEM OF PRODUCT}
본 개시내용은 정보 처리 장치, 컴퓨터 판독가능 저장 매체, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템, 및 제품의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스, MEMS(microelectromechanical system), 또는 플랫 디스플레이 패널과 같은 제품들의 제조에 있어서, 기판 상에 형성된 구조체가 점점 더 소형화되었고, 리소그래피 장치들의 성능 향상에 대한 요구가 증가하고 있었다.
리소그래피 장치들의 성능 향상에 대한 요구를 충족시키기 위해서는, 리소그래피 장치가 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 처리를 수행할 때에 적절한 처리 조건을 적용할 필요가 있다.
일본 특허 출원 공개 제2011-187951호는 처리를 수행하는 리소그래피 장치의 제어 모듈에 의해 취득된 처리 결과를 판정하는 기술을 설명한다. 보다 구체적으로, 본 기술은 기준 값으로부터의 처리 결과의 일탈이 허용 범위를 초과하는지를 판정한다. 다음으로, 일탈이 허용 범위를 초과한다고 판정되면, 본 기술은 보정 시스템(MES(manufacturing execution system))과 같은 외부 시스템으로부터 취득된 처리 조건으로부터 변경된 처리 조건을 적용하고, 그 조건 하에서 처리를 수행한다.
일본 특허 출원 공개 제2011-187951호에 설명된 기술은 허용 범위로부터 일탈한 처리 결과에 대한 처리 조건을 변경하는 방식이 명확하다는 가정을 전제로 한다. 따라서, 허용 범위로부터 일탈한 처리 결과에 대한 처리 조건을 변경하는 방식이 명확하지 않으면, 처리 조건을 변경하는 것이 어려워질 수 있다. 예를 들어, 새로운 기능이 리소그래피 장치에 추가되면, 기능에 관련된 처리 조건에 대한 보정 데이터를 취득하는 유닛은 불명확할 수 있다.
본 개시내용은 리소그래피 장치에서 수행되는 처리에 적용될 처리 조건을 보정하기 위한 보정 데이터를 취득하는 유닛을 제공하는 정보 처리 장치, 컴퓨터 판독가능 저장 매체, 리소그래피 장치, 제품의 제조 방법, 및 제품의 제조 시스템을 제공하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 양태에 따르면, 정보 처리 장치는 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치에서 수행될 처리를 정의하는 조건을 보정하기 위한 보정 데이터를 출력하는 제1 시스템을 사용하여 보정 데이터를 출력하고, 여기서 제1 시스템은 처리의 결과를 표시하는 처리 결과가 입력되는 경우에 보정 데이터를 출력하는 제1 모델, 및 조건이 입력되는 경우에 처리 결과를 출력하는 제2 모델을 포함한다. 제1 시스템은 제1 모델로부터 출력된 보정 데이터를 사용하여 조건을 보정하고, 보정된 조건을 제2 모델에 입력함으로써 출력된 처리 결과에 기초하여 보정 데이터를 출력한다.
본 발명의 추가의 특징들은 첨부된 도면들을 참조하여 예시적인 실시예들에 대한 다음의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 임프린트 장치를 도시하는 도면이다.
도 2는 정보 처리 장치를 도시하는 도면이다.
도 3은 임프린트 처리를 도시하는 흐름도이다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 몰드의 패턴 부분과 기판 상에 공급되는 임프린트 재료를 도시하는 도면들이다.
도 5는 패턴이 형성되는 샷 영역의 레이아웃을 도시하는 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 보정 모델 및 장치 모델을 도시하는 도면이다.
도 7은 서브시스템을 도시하는 도면이다.
도 8은 서브시스템에서의 처리를 도시하는 흐름도이다.
도 9는 제1 예시적인 실시예에 따른 제품의 제조 시스템을 도시하는 도면이다.
도 10은 제2 예시적인 실시예에 따른 제품의 제조 시스템을 도시하는 도면이다.
도 11a 내지 도 11f는 제품 제조 방법을 도시하는 도면들이다.
도 12는 종래의 제품 제조 시스템을 도시하는 도면이다.
이하, 본 발명의 예시적인 실시예들에 대해서 도면들을 참조하여 상세하게 설명할 것이다. 도면들에서, 동일한 컴포넌트들에 동일한 참조 번호들이 할당되고, 중복 설명은 생략될 것이다.
이하, 제1 예시적인 실시예에 대해서 설명할 것이다. 본 예시적인 실시예에서, 임프린트 장치가 리소그래피 장치로서 사용되는 예가 설명될 것이다. 도 1은 임프린트 장치를 도시하는 도면이다. 먼저, 도 1을 참조하여, 임프린트 장치의 대표적인 구성들이 설명될 것이다. 임프린트 장치(100)는 기판(101) 상에 공급된 임프린트 재료(122)와 몰드(111)를 서로 접촉시키고, 경화 에너지를 임프린트 재료(122)에 공급함으로써, 몰드(111)(원판)의 요철 패턴이 전사되는 경화된 재료의 패턴을 형성하는 장치이다.
공급된 경화 에너지에 의해 경화된 경화성 조성물(때때로 미경화-상태 수지라고도 지칭됨)은 임프린트 재료(122)로서 사용된다. 경화 에너지의 예들은 전자기파 및 열을 포함한다. 전자기파로서, 예를 들어, 150nm 이상 1mm 이하의 범위로부터 선택된 파장을 갖는 적외선, 가시광선, 또는 자외선과 같은 광이 사용된다.
경화성 조성물은 광을 조사하거나 가열함으로써 경화하는 조성물이다. 경화성 조성물 중에서, 광이 조사됨으로써 경화하는 광경화성 조성물은 적어도 중합성 화합물 및 광중합 개시제를 포함하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용매를 포함할 수 있다. 비중합성 화합물은 증감제, 수소 공여체, 내부-첨가형 이형제, 표면-활성제, 산화 방지제, 및 중합체 성분으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 타입의 비중합성 화합물이다.
임프린트 재료(122)는 스핀 코터 또는 슬릿 코터에 의해 필름 형상으로 기판(101) 상에 도포된다. 대안적으로, 임프린트 재료(122)는 액체 주입 헤드에 의해 액적 상태로 또는 복수의 연속적인 액적으로 형성된 아일랜드 형상 또는 필름 형상으로 기판(101) 상에 도포될 수 있다. 임프린트 재료(122)의 점도(25℃에서의 점도)는 예를 들어, 1mPa·s 이상 100mPa·s 이하이다.
유리, 세라믹, 금속, 또는 수지가 기판(101)에 사용되고, 기판(101)의 재료와는 다른 재료로 이루어진 부재가 필요에 따라 기판(101)의 표면 상에 형성될 수 있다. 기판(101)의 구체적인 예들은 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 및 석영을 재료로서 포함하는 유리 웨이퍼를 포함한다.
몰드(111)는 직사각형 외주 형상을 갖고, 기판(101)에 대향하는 표면(패턴면) 상에 3차원으로 형성된 패턴(기판(101) 상에 전사될 회로 패턴과 같은 요철 패턴)을 포함하는 패턴 부분을 포함한다. 몰드(111)는 석영과 같은, 광을 통과시킬 수 있는 재료로 형성된다. 몰드(111)는 패턴 부분의 반대 측 상에 오목 부분을 추가로 포함한다.
본 예시적인 실시예에서는, 임프린트 장치(100)가 광 조사에 의해 임프린트 재료(122)를 경화시키는 광 경화 방법을 채용한다고 가정하여 설명할 것이다. 다음 설명에서, 기판(101) 상의 임프린트 재료(122) 상에 방출된 광의 광축에 평행한 방향은 Z축 방향으로 정의되고, Z축 방향에 수직인 평면 내에서 서로 직교하는 2개의 방향은 X축 방향 및 Y축 방향으로 정의된다. 또한, X축 주위의 회전, Y축 주위의 회전, 및 Z축 주위의 회전은 각각 θX, θY, 및 θZ로 정의된다. X축, Y축, 또는 Z축에 대한 제어 또는 이동은 각각 X축에 평행한 방향, Y축에 평행한 방향, 또는 Z축에 평행한 방향에 대한 제어 또는 이동을 의미한다. 또한, θX, θY 또는 θZ에 대한 제어 또는 이동은 X축에 평행한 축 주위의 회전, Y축에 평행한 축 주위의 회전, 또는 Z축에 평행한 축 주위의 회전에 대한 제어 또는 움직임을 의미한다. 또한, 위치는 X축 방향, Y축 방향, 및 Z축 방향의 좌표에 기초하여 식별될 수 있는 정보를 의미하고, 배향(orientation)은 θX, θY, 및 θZ의 값에 기초하여 식별될 수 있는 정보를 의미한다. 또한, X축 및 Y축을 포함하는 평면은 X-Y 평면으로서 정의되고, X축 및 Z축을 포함하는 평면은 X-Z 평면으로서 정의되고, Y축 및 Z축을 포함하는 평면은 Y-Z 평면으로서 정의된다.
임프린트 장치(100)는 기판 스테이지(106), 몰드 유지 유닛(113), 몰드 보정 유닛(112), 조사 유닛(142), 정렬 계측 유닛(114), 공급 유닛(121), 촬상 유닛(131), 및 제어 유닛(150)을 포함할 수 있다.
기판 스테이지(106)는 기판(101)을 유지하고 이동시킨다. 기판 스테이지(106)는 흡착 유닛(도시되지 않음)을 포함하고, 흡착 유닛에 의해 기판(101)을 흡착시킴으로써 기판(101)을 유지할 수 있다. 흡착 유닛이 기판(101)을 흡착하는 방법은 진공 흡착 방법, 정전기 흡착 방법, 또는 다른 흡착 방법일 수 있다. 기판 스테이지(106)는 선형 모터와 같은 구동 유닛(도시되지 않음)을 추가로 포함하고, 예를 들어, 기판(101)을 X축 방향, Y축 방향, 및 θZ(바람직하게는, X축 방향, Y축 방향, Z축 방향, θX, θY, 및 θZ)로 이동시킬 수 있다. 또한, 기판 스테이지(106)는 바닥면 상에 배치된 스테이지 표면 테이블(107)에 의해 지지될 수 있다.
몰드 유지 유닛(113)은 몰드(111)를 유지하고 이동시킨다. 몰드 유지 유닛(113)은 흡착 유닛(도시하지 않음)을 포함하고, 몰드(111)를 흡착시킴으로써 몰드(111)를 유지할 수 있다. 흡착 유닛이 몰드(111)를 흡착하는 방법은 진공 흡착 방법, 정전기 흡착 방법, 또는 다른 흡착 방법일 수 있다. 몰드 유지 유닛(113)은 보이스 코일 모터와 같은 구동 유닛(도시되지 않음)을 추가로 포함하고, 몰드(111)를 Z축 방향, θX 및 θY(바람직하게는, X축 방향, Y축 방향, Z축 방향, θX, θY, 및 θZ)로 이동시킬 수 있다.
기판 스테이지(106) 및 몰드 유지 유닛(113)은 기판(101) 및 몰드(111)의 상대적 위치들 및 상대적 배향들을 조정하고, 기판(101) 상의 임프린트 재료(122)와 몰드(111)의 패턴 부분이 서로 접촉하도록 기판(101) 및 몰드(111) 중 적어도 하나를 이동시킨다. 또한, 기판 스테이지(106) 및 몰드 유지 유닛(113)은 경화된 임프린트 재료(122) 및 몰드(111)의 패턴 부분이 서로 분리되도록 기판(101) 및 몰드(111) 중 적어도 어느 하나를 이동시킨다. 기판(101) 및 몰드(111)의 위치들 및 배향들을 정확하게 조정할 필요가 있기 때문에, 기판 스테이지(106) 및 몰드 유지 유닛(113)의 구동 유닛들 각각은 거친 모션 구동 유닛 및 미세한 모션 구동 유닛과 같은 복수의 구동 유닛을 포함할 수 있다.
몰드 유지 유닛(113)은 몰드(111)에 추가되는 압인력(pressing force) 및 이형력(mold release force) 중 적어도 하나를 검출하는 하나 또는 복수의 센서(도시되지 않음)를 추가로 포함할 수 있다. 압인력은 몰드(111)를 기판(101) 상의 임프린트 재료(122)와 접촉시키기 위해 몰드(111)에 가해지는 힘이다. 이형력은 기판(101) 상의 임프린트 재료(122)와 몰드(111)를 서로 분리하기 위해 몰드(111)에 가해지는 힘이다. 압인력 및 이형력은 주로 Z축 방향을 따라 연장되는 방향으로 작용한다. 압인력 및 이형력은 예를 들어, 몰드 유지 유닛(113)의 구동 유닛에 공급되는 전류의 크기와 상관되고, 센서는 전류의 크기에 기초하여 압인력 및 이형력을 검출할 수 있다. 센서는 패턴 형성시 몰드(111)에 가해지는 압인력 및 이형력 중 적어도 하나를 계측하는 센서의 예이다. 몰드 유지 유닛(113)의 구동 유닛이 복수의 센서를 포함하는 경우, 몰드(111)에서의 복수의 위치에서 작용하는 압인력 및 이형력을 검출할 수 있고, 압인력 및 이형력의 분포 정보를 취득할 수 있다.
몰드 보정 유닛(112)은 몰드(111)의 패턴 부분의 형상을 기판(101)의 샷 영역의 형상과 맞추기 위해 몰드(111)의 패턴 부분의 형상을 보정한다. 일부 경우에, 제조 오차 또는 열 변형으로 인해, 몰드(111)의 패턴 부분에서 배율 성분 또는 사다리꼴 성분과 같은 성분을 포함하는 변형이 발생할 수 있다. 몰드 보정 유닛(112)은 예를 들어, 몰드(111)의 측면 상의 복수의 위치로부터 힘을 가함으로써, X-Y 평면을 따라 연장되는 방향으로 몰드(111)의 패턴 부분의 형상을 변형하는 유닛을 사용할 수 있다. 몰드 보정 유닛(112)은 예를 들어, 몰드(111)의 각 변을 중심을 향해 푸싱하기 위한 방향(X-Y 평면을 따라 연장되는 방향)으로 힘을 가하는 복수의 액추에이터를 포함한다. 다음으로, 각 액추에이터가 몰드(111)의 측면으로부터 개별적으로 힘을 가함으로써, 몰드(111)의 패턴 부분의 형상이 보정될 수 있다. 몰드 보정 유닛(112)의 액추에이터로서, 예를 들어, 선형 모터, 공기 실린더, 또는 압전 액추에이터가 사용된다.
조사 유닛(142)은 기판(101) 상의 임프린트 재료(122) 상에, 임프린트 재료(122)를 경화시키기 위한 경화 광(예를 들어, 자외선과 같은 광)을 방출한다. 조사 유닛(142)은 예를 들어, 경화 광을 방출하는 광원(141), 및 광원(141)으로부터 방출된 광의 광 경로를 편향시키는 미러를 포함하는 광학 소자(143)를 포함한다. 조사 유닛(142)은 광원(141)으로부터 방출된 광을 임프린트 처리에 적합한 광으로 조정하는 복수의 광학 소자(도시되지 않음)를 추가로 포함할 수 있다. 또한, 광원(141)으로부터 방출된 광의 파장은 임프린트 재료(122)의 타입에 따라 적절하게 결정될 수 있다. 몰드 유지 유닛(113)은 조사 유닛(142)으로부터 방출된 광이 몰드(111)를 통해 기판(101) 상에 방출되도록 중심부(내측)에 개구 영역(도시되지 않음)을 추가로 포함한다. 조사 유닛(142)은 기판(101)의 샷 영역의 형상을 몰드(111)의 패턴 부분의 형상과 맞추기 위해, 샷 영역을 변형시키는 기판 변형 유닛(도시되지 않음)을 추가로 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 변형 유닛으로서, 조사 유닛(142)으로부터 임프린트 재료(122)를 경화시키지 않는 광(예를 들어, 적외선과 같은 광)을 샷 영역 상에 방출하고, 샷 영역을 열적으로 팽창시킴으로써 X-Y 평면을 따라 연장되는 방향으로 샷 영역을 변형시키는 유닛이 사용된다.
정렬 계측 유닛(114)은 기판(101) 상에 형성된 샷 영역과 패턴이 형성된 몰드(111)의 패턴 부분의 X-Y 평면을 따라 연장되는 방향의 상대 위치를 계측한다. 예를 들어, 정렬 계측 유닛(114)은 기판(101)의 정렬 마크 및 몰드(111)의 정렬 마크를 조명하고, 이러한 정렬 마크들의 캡처된 화상들을 사용하여 정렬 마크들의 상대 위치들을 계측한다. 다음으로, 정렬 계측 유닛(114)은 검출 결과에 기초하여 기판(101) 상에 형성된 샷 영역과 패턴이 형성된 몰드(111)의 패턴 부분의 X-Y 평면을 따라 연장되는 방향의 상대 위치를 계측한다. 정렬 계측 유닛(114)은 관찰될 정렬 마크의 위치에 따라 구동 유닛(도시되지 않음)에 의해 배치될 수 있다. 또한, 기판(101) 및 몰드(111) 각각에 제공된 복수의 정렬 마크를 동시에 계측하기 위해, 복수의 정렬 계측 유닛(114)이 제공될 수 있다.
공급 유닛(121)은 예를 들어, 잉크젯 방법에 의해 임프린트 재료(122)를 토출시킴으로써 기판(101) 상에 임프린트 재료(122)를 공급한다. 또한, 공급 유닛(121)은 임프린트 재료(122)의 공급량 및 임프린트 재료(122)가 공급될 위치를 정의하는 처리 조건에 따라 임프린트 재료(122)를 공급한다. 임프린트 재료(122)의 공급량 및 임프린트 재료(122)가 공급될 위치는 기판(101) 상에 형성될 패턴의 두께 및 밀도를 고려하여 미리 정의되고, 처리 조건은 예를 들어, 후술되는 제어 유닛(150)의 저장 유닛에 저장된다. 공급 유닛(121)이 임프린트 재료(122)를 공급하는 동안 기판 스테이지(106)에 의해 유지되는 기판(101)이 이동하고, 임프린트 재료(122)는 기판(101) 상의 미리 결정된 위치에 공급된다.
촬상 유닛(131)은 예를 들어, 카메라를 포함하고, 광학 소자(143)를 통해 몰드(111)의 패턴 부분을 포함하는 영역의 화상을 캡처할 수 있다. 촬상 유닛(131)은 몰드(111)의 패턴 부분과 접촉하는 임프린트 재료(122)의 화상을 캡처함으로써 화상 데이터를 취득한다. 촬상 유닛(131)에 의해 취득된 화상 데이터에 기초하여, 몰드(111)의 패턴 부분과 접촉하는 임프린트 재료(122)의 상태가 점검될 수 있다. 또한, 취득될 화상 데이터는 정지 화상의 데이터일 수 있거나 동화상의 데이터일 수 있다.
제어 유닛(150)은 기판 스테이지(106)와 같은 임프린트 장치(100)의 각각의 유닛의 동작 및 조정을 제어함으로써, 예를 들어, 기판(101) 상에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 제어한다. 제어 유닛(150)은 예를 들어, FPGA(field programmable gate array)와 같은 PLD(programmable logic device), ASIC(application specific integrated circuit), 또는 프로그램이 설치된 컴퓨터, 또는 이들의 일부 또는 전부의 조합을 포함할 수 있는 정보 처리 장치이다. 제어 유닛(150)은 임프린트 장치(100)의 다른 부분들과 일체로(공통 케이싱 내에) 형성될 수 있거나, 임프린트 장치(100)의 다른 부분들과 별도로(다른 케이싱 내에) 형성될 수 있다.
도 2는 정보 처리 장치를 도시하는 도면이다. 정보 처리 장치의 각각의 컴포넌트는 프로그램에 따라 기능한다. 도 2에 도시된 예에서, CPU(central processing unit)(201)는 프로그램에 따라 제어하기 위한 계산을 수행하고, 버스(208)에 접속된 각 컴포넌트를 제어하는 처리 디바이스이다. 판독 전용 메모리 ROM(202)은 데이터 판독 전용인 메모리이고, 프로그램들 및 데이터를 저장한다. 랜덤 액세스 메모리(RAM)(203)는 데이터 판독 및 기입을 위한 메모리이고, 프로그램들 및 데이터를 저장하는데 사용된다. RAM(203)은 CPU(201)의 계산 결과와 같은 데이터를 일시적으로 저장하는데 사용된다. 저장 디바이스(204)는 또한 프로그램들 및 데이터를 저장하는데 사용된다. 저장 디바이스(204)는 또한 정보 처리 장치의 운영 체제(OS)의 데이터 및 프로그램들의 임시 저장 영역으로서 사용된다. 저장 디바이스(204)의 데이터 입출력 속도가 RAM(203)에 비해 느리지만, 저장 디바이스(204)는 대용량 데이터를 저장할 수 있다. 저장 디바이스(204)는 저장된 데이터를 장기간 동안 참조할 수 있도록 데이터를 영구적으로 저장할 수 있는 비휘발성 저장 디바이스인 것이 바람직하다. 저장 디바이스(204)는 주로 자기 저장 디바이스(하드 디스크 드라이브(HDD))를 포함하지만, 컴팩트 디스크(CD), DVD(digital versatile disk), 또는 메모리 카드와 같은 외부 매체를 로딩함으로써 데이터 판독 및 기록을 수행하는 디바이스일 수 있다. ROM(202), RAM(203) 및 저장 디바이스(204) 중 적어도 하나는 정보 처리 장치의 저장 유닛으로서 사용된다. 입력 디바이스(205)는 문자들 또는 데이터를 정보 처리 장치에 입력하기 위한 디바이스이고, 다양한 키보드들 또는 마우스를 포함한다. 표시 디바이스(206)는 정보 처리 장치의 조작에 필요한 정보 및 처리 결과를 표시하기 위한 CRT(cathode-ray tube) 및 액정 모니터와 같은 디바이스이다. 통신 디바이스(207)는 네트워크(도시하지 않음)에 접속함으로써, TCP/IP(transmission control protocol/internet protocol)와 같은 통신 프로토콜에 따라서 데이터 통신이 수행되고, 다른 정보 처리 장치와 통신이 수행될 때 사용된다.
다음으로, 임프린트 장치(100)에 의해 수행되는 임프린트 처리에 대해서 설명할 것이다. 도 3은 임프린트 처리를 도시하는 흐름도이다. 단계 S301에서, 제어 유닛(150)은 임프린트 처리의 조건을 정의하는 파라미터와 같은 데이터를 포함하는 처리 조건을 취득한다. 제어 유닛(150)은 제어 유닛(150)의 저장 유닛으로부터 처리 조건을 취득할 수 있거나, 외부 정보 처리 장치로부터 네트워크를 통해 처리 조건을 취득할 수 있다.
단계 S302에서, 제어 유닛(150)은 몰드 운반 유닛(도시되지 않음)으로 하여금 몰드(111)를 몰드 유지 유닛(113)에 전달하게 한다. 유사하게, 제어 유닛(150)은 기판 운반 유닛(도시되지 않음)으로 하여금 기판(101)을 기판 스테이지(106)에 전달하게 한다.
단계 S303에서, 제어 유닛(150)은 기판(101) 상의 샷 영역이 공급 유닛(121) 아래에 위치되도록 기판 스테이지(106)를 이동시킨다. 다음으로, 제어 유닛(150)은 공급 유닛(121)으로 하여금 임프린트 재료(122)를 기판(101) 상의 샷 영역에 공급하게 한다.
단계 S304에서, 제어 유닛(150)은 임프린트 재료(122)가 공급되는 샷 영역이 몰드 유지 유닛(113)에 의해 유지되는 몰드(111)의 패턴 부분 아래에 위치되도록 기판 스테이지(106)를 이동시킨다. 도 4a 내지 도 4c는 몰드(111)의 패턴 부분(118)과 기판(101) 상에 공급된 임프린트 재료(122)를 도시하는 도면들이다. 도 4a는 임프린트 재료(122)가 공급된 샷 영역이 몰드(111)의 패턴 부분(118) 아래에 위치하고 있는 상태를 도시한다.
몰드(111)를 몰드 유지 유닛(113)에 의해 하부 방향(-Z축 방향)으로 이동시킴으로써, 제어 유닛(150)은 샷 영역 상의 임프린트 재료(122)에 대하여 몰드(111)의 패턴 부분(118)을 압박한다(압인(pressing)). 이때, 제어 유닛(150)은 기판 스테이지(106)에 의해 기판(101)을 상부 방향(+Z축 방향)으로 이동시킬 수 있다.
단계 S305에서, 몰드(111)의 패턴 부분(118)의 오목 부분들을 임프린트 재료(122)로 채우기 위해, 제어 유닛(150)은 몰드 유지 유닛(113) 및 기판 스테이지(106)를 제어하여 몰드(111)의 패턴 부분(118)과 기판(101) 사이의 거리를 일정하게 유지한다. 도 4b는 몰드(111)의 패턴 부분(118)이 샷 영역 상의 임프린트 재료(122)에 대해 압박되고, 몰드(111)의 패턴 부분(118)의 오목 부분들이 임프린트 재료(122)로 채워진 상태를 도시한다. 단계 S305에서, 제어 유닛(150)은 정렬 계측 유닛(114)으로 하여금 샷 영역과 몰드(111)의 패턴 부분(118)의 상대 위치들을 계측하게 한다. 다음으로, 제어 유닛(150)은 계측된 위치들에 기초하여 기판 스테이지(106) 및 몰드 유지 유닛(113) 중 적어도 하나를 X-Y 평면 방향으로 이동시키고, 샷 영역과 몰드(111)의 패턴 부분(118)의 위치들을 정렬시킨다. 또한, 제어 유닛(150)은 정렬 계측 유닛(114)으로 하여금 미리 복수의 샷 영역 상의 정렬 마크들을 계측하고, 계측 결과를 통계적으로 처리함으로써 획득된 정보를 저장 유닛에 저장하게 한다. 다음으로, 샷 영역과 몰드(111)의 패턴 부분(118)의 위치들은 계측 결과를 통계적으로 처리함으로써 획득된 정보에 기초하여 정렬될 수 있다.
단계 S306에서, 제어 유닛(150)은 조사 유닛(142)에 의해 기판(101) 상의 임프린트 재료(122)에 경화 광을 방출함으로써 기판(101) 상의 임프린트 재료(122)를 경화시킨다(경화).
단계 S307에서, 제어 유닛(150)은 몰드 유지 유닛(113)에 의해 상부 방향(+Z축 방향)으로 몰드(111)를 이동시킴으로써 몰드(111)의 패턴 부분(118)과 기판(101) 상의 임프린트 재료(122)를 분리시킨다(이형). 이때, 제어 유닛(150)은 기판(101)을 기판 스테이지(106)에 의해 하부 방향(-Z축 방향)으로 대신 이동시킬 수 있다. 도 4c는 몰드(111)의 패턴 부분(118)과 기판(101) 상의 임프린트 재료(122)가 서로 분리되고, 임프린트 재료(122)의 패턴이 기판(101) 상에 형성되어 있는 상태를 도시한다.
단계 S308에서, 제어 유닛(150)은 기판(101) 상의 복수의 샷 영역 전부에 대해 임프린트 처리가 완료되었는지를 판정한다. 도 5는 패턴이 형성되는 샷 영역의 레이아웃을 도시하는 도면이다. 레이아웃(401)은 기판(101) 상의 복수의 샷 영역(402)의 배열에 관한 정보를 표시하고, 처리 조건에 의해 정의된다. 단계들 S303 내지 S307의 처리시 하나의 샷 영역 상에 패턴이 형성되는 예를 사용하여 설명했지만, 단계들 S303 내지 S307의 처리시 복수의 샷 영역 상에 패턴이 형성될 수 있다.
임프린트 처리가 모든 샷 영역에 대해 완료되었다고 판정되면(단계 S308에서 예), 처리는 단계 S309로 진행한다. 한편, 모든 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 완료되지 않았다고 판정되면(단계 S308에서 아니오), 처리는 S303으로 복귀하고, 제어 유닛(150)은 임프린트 재료(122)를 임프린트 처리가 완료되지 않은 샷 영역에 공급한다.
단계 S309에서, 제어 유닛(150)은 몰드 운반 유닛(도시하지 않음)에 의해 몰드 유지 유닛(113)으로부터 몰드(111)를 반출시킨다. 제어 유닛(150)은 또한 기판(101)을 기판 운반 유닛(도시되지 않음)에 의해 기판 스테이지(106)로부터 반출시킨다.
이때, 임프린트 장치(100)에 의해 임프린트 처리가 수행되면, 제어 유닛(150)은 몰드 유지 유닛(113) 및 기판 스테이지(106)를 제어하기 위한 명령 값을 저장 유닛에 저장한다. 제어 유닛(150)은 또한 정렬 계측 유닛(114) 및 촬상 유닛(131)으로부터 획득된 계측 값 및 화상 데이터를 제어 유닛(150)의 저장 유닛에 저장한다. 또한, 제어 유닛(150)은 저장된 명령 값들, 계측 값들, 및 화상 데이터를 통계적으로 처리하여 획득된 정보도 저장 유닛에 저장한다. 저장 유닛에 저장된 정보는 네트워크를 통해 보정 시스템(500)(제2 시스템)에 송신된다. 보정 시스템(500)은 임프린트 장치(100)와 같은 제조 장치의 제조 관리 및 프로세스 제어를 수행하는 시스템이다. 다음으로, 보정 시스템(500)에서, 수신된 정보를 분석하고, 임프린트 처리에 적용될 처리 조건을 보정하여 임프린트 장치(100)에서의 임프린트 처리를 개선한다.
다음으로, 보정 시스템(500)과 임프린트 장치(100)를 포함하는 장치 시스템(510)을 포함하는 제품의 제조 시스템에 대해서 설명할 것이다. 도 12는 종래의 제품 제조 시스템을 도시하는 도면이다. 종래의 제품 제조 시스템은 예를 들어, 보정 시스템(500), 장치 시스템(510), 및 검사 장치(503)를 포함한다. 보정 시스템(500)은 예를 들어, MES(manufacturing execution system)(501), APC(advanced process control)(502), 및 데이터베이스(505)를 포함한다.
MES(501)는 포괄적으로 제조를 관리하고, 처리 조건을 임프린트 장치(100)에 출력함으로써 임프린트 처리를 지시한다. APC(502)는 임프린트 장치(100)에서의 임프린트 처리에 적용될 처리 조건을 제어한다. MES(501) 및 APC(502) 각각은 하나 또는 복수의 정보 처리 장치를 포함한다. MES(501) 및 APC(502) 각각은 대신에 하나의 정보 처리 장치를 포함할 수 있다.
임프린트 장치(100)에 의해 처리된 기판(101)은 검사 장치(503)에 전달되고, 검사 장치(503)는 기판(101)을 검사한다. 검사 장치(503)는 예를 들어, 중첩 검사 장치, CD 검사 장치, 패턴 검사 장치, 및 전기 특성 검사 장치를 포함할 수 있다. 중첩 검사 장치는 다층 방식으로 패턴들이 형성되는 기판에서 상부층 패턴과 하부층 패턴의 위치 시프트 량(이하, 패턴의 위치 시프트 량이라고 칭함)을 계측함으로써 위치 시프트의 정밀도를 검사하는 장치이다. CD 검사 장치는 기판 상에 형성된 패턴의 라인 폭의 치수를 계측함으로써 패턴의 치수 정밀도를 검사하는 장치이다. 또한, 패턴 검사 장치는 패턴이 형성되는 기판 상에 부착된 이물질, 또는 임프린트 재료 미충전 상태에 기인하여 표준을 충족시키지 못한 비표준 패턴의 유무와, 비표준 패턴의 위치를 검사하는 장치이다. 전기 특성 검사 장치는 패턴이 형성되는 기판으로부터 제조된 반도체 디바이스 등의 전기 특성의 정밀도를 검사하는 장치이다. 검사 장치(503)는 적어도 하나의 정보 처리 장치를 포함하고, 검사 결과에 관한 정보를 네트워크를 통해 데이터베이스(505)에 송신할 수 있다.
데이터베이스(505)는 정보 처리 장치의 저장 유닛에 포함되고 다양한 타입들의 정보를 유지한다. 데이터베이스(505)는 외부 정보 처리 장치와의 사이에서 다양한 타입들의 정보를 송수신한다. 데이터베이스(505)는 MES(501) 또는 APC(502)에 포함된 정보 처리 장치의 저장 유닛에 포함될 수 있다.
장치 시스템(510)은 예를 들어, 임프린트 장치(100) 및 데이터베이스(515)를 포함한다. 도 12에 도시된 예에서는, 하나의 임프린트 장치(100)가 보정 시스템(500)에 접속되지만, 복수의 임프린트 장치(100)가 보정 시스템(500)에 접속될 수 있다. 보정 시스템(500)에 접속되는 장치는 임프린트 장치(100)에 한정되지 않고, 기판을 노광하는 노광 장치 또는 하전 입자 광학 시스템을 통해 하전 입자 복사(전자 빔들, 이온 빔들 등)에 의해 기판 상에 드로잉을 수행하는 드로잉 장치가 보정 시스템(500)에 접속될 수 있다. 기판에 감광제를 도포하는 도포 장치, 노광된 기판을 현상하는 현상 장치, 기판 상의 산화된 막을 에칭하는 에칭 장치, 또는 기판 상에 박막을 형성하는 막 형성 장치는 보정 시스템(500)에 접속될 수 있다. 또한, 임프린트 장치(100), 노광 장치, 및 드로잉 장치를 포함하는 복수의 장치가 보정 시스템(500)에 접속될 수 있다.
데이터베이스(515)는 정보 처리 장치의 저장 유닛에 포함되고 다양한 타입들의 정보를 유지한다. 데이터베이스(515)는 외부 정보 처리 장치와의 사이에서 다양한 타입들의 정보를 송수신한다. 데이터베이스(515)는 임프린트 장치(100)의 제어 유닛(150)의 저장 유닛에 포함될 수 있다.
제조 시스템은 보정 시스템(500) 및 장치 시스템(510)을 포함하고, 보정 시스템(500) 및 장치 시스템(510)은 둘 다 네트워크에 접속된다. 또한, 보정 시스템(500) 및 장치 시스템(510)은 네트워크를 통해 서로 다양한 타입들의 정보를 송신 및 수신할 수 있다.
임프린트 장치(100)는 보정 시스템(500)(MES(501))으로부터 처리 조건을 취득하고, 처리 조건에 따라 임프린트 처리를 실행한다. 그럼에도 불구하고, 양호한 수율 비로 반도체 디바이스와 같은 제품을 제조하기 위해서는, 제조 프로세스 또는 임프린트 장치(100)에 따라 최적화된 처리 조건에 따라 임프린트 처리를 실행할 필요가 있다. 따라서, 보정 시스템(500)에서는, 제조 프로세스 또는 임프린트 장치(100)에 따라 최적화된 복수의 처리 조건을 관리할 필요가 있다.
처리 조건은 공급 유닛(121)에 의해 기판(101) 상에 공급될 임프린트 재료(122)의 양, 및 공급 유닛(121)에 의해 임프린트 재료(122)가 공급될 위치에 관한 정보를 포함할 수 있다. 처리 조건은 정렬 계측 유닛(114)에 의해 계측되는 몰드(111)의 정렬 마크 위치 및 기판(101)의 정렬 마크 위치에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 처리 조건은 몰드 유지 유닛(113) 및 기판 스테이지(106)의 구동에 의해 몰드(111)의 패턴 부분과 기판(101) 상의 임프린트 재료(122)가 서로 접촉되어 유지되는 기간에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 처리 조건은 몰드(111)의 패턴 부분과 기판(101) 상의 임프린트 재료(122)가 서로 접촉하고 있는 상태에서, Z축 방향으로 몰드(111)에 가해질 힘(압인력 또는 이형력)의 크기에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 처리 조건은 조사 유닛(142)에 의해 임프린트 재료(122) 상에 방출될 경화 광의 양, 및 경화 광이 조사 유닛(142)에 의해 임프린트 재료(122) 상에 방출될 시간에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 처리 조건은 몰드 보정 유닛(112)에 의해 X-Y 평면을 따라 연장되는 방향으로 몰드(111)의 측면에 가해질 힘의 크기에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 처리 조건은 조사 유닛(142)의 기판 변형 유닛에 의해 기판을 가열하기 위해 방출될 광의 조사량, 조사량 분포, 및 조사 기간에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다.
다음으로, 처리 조건을 보정하기 위한 처리에 대해서 설명할 것이다. 임프린트 장치(100)는 MES(501)로부터 처리 조건을 수신한다. 다음으로, 임프린트 장치(100)의 제어 유닛(150)은 수신된 처리 조건에 따라 임프린트 장치(100)의 각각의 유닛을 제어하여 임프린트 처리를 수행한다. 데이터베이스(515)에는, 임프린트 처리의 결과를 표시하는 데이터로서 취득된 처리 데이터(처리 결과)가 유지된다. 임프린트 처리를 받은 기판(101)은 검사 장치(503)에 전달되고, 중첩 검사, 패턴의 치수 검사, 이물질들에 대한 검사, 또는 전기 특성 검사와 같은 검사가 수행된다.
또한, 데이터베이스(505)는 데이터베이스(515)로부터의 처리 데이터 및 검사 장치(503)로부터의 처리 데이터를 수신하여 유지한다.
처리 데이터는 임프린트 장치(100)에 의해 수행되는 임프린트 처리의 결과로서 취득되는 다양한 타입들의 정보를 포함할 수 있다. 처리 데이터는 정렬 계측 유닛(114), 몰드 유지 유닛(113) 및 기판 스테이지(106)를 구동하기 위한 명령 값들에 관한 정보를 포함할 수 있다. 처리 데이터는 정렬 계측 유닛(114)에 의해 계측된 계측 값들에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 계측 값들은 정렬 마크의 위치에 관련된 계측 값, 및 정렬 마크들의 상대 위치들에 관련된 계측 값들에 관한 정보를 포함할 수 있다. 처리 데이터는 정렬 계측 유닛(114)에 의해 캡처된 정렬 마크의 화상에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 처리 데이터는 촬상 유닛(131)에 의해 캡처된 몰드(111)의 패턴 부분과 접촉하는 임프린트 재료(122)의 화상에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 처리 데이터는 몰드 유지 유닛(113)에 의해 계측된 몰드(111)에 작용하는 힘(이형력 또는 압인력)에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다.
처리 데이터는 검사 장치(503)에 의해 수행된 검사의 결과로서 취득된 정보를 추가로 포함할 수 있다. 처리 데이터는 패턴의 위치 시프트 량에 관한 정보를 포함할 수 있다. 처리 데이터는 기판(101) 상에 형성된 패턴의 라인 폭의 치수에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 처리 데이터는 표준을 충족시키지 못한 기판(101) 상의 패턴의 유무, 및 표준을 충족시키지 못한 패턴의 위치에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 처리 데이터는 패턴이 형성되는 기판(101)으로부터 제조된 반도체 디바이스의 전기 특성에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다.
APC(502)는 데이터베이스(505)로부터 처리 결과에 관한 정보 및 계측 결과에 관한 정보를 처리 데이터로서 취득하고, 취득된 처리 데이터에 포함되는 다양한 타입들의 정보를 분석하고, 처리 조건에 포함되는 정보에 대한 보정 데이터를 취득하고, 처리 조건에 포함되는 정보를 보정한다.
보정 데이터는 공급 유닛(121)에 의해 기판(101) 상에 공급될 임프린트 재료(122)의 양, 및 공급 유닛(121)에 의해 임프린트 재료(122)가 공급될 위치를 보정하기 위한 보정 값들에 관한 정보를 포함할 수 있다. 보정 데이터는 정렬 계측 유닛(114)에 의해 계측될 몰드(111)의 정렬 마크 위치 및 기판(101)의 정렬 마크 위치를 보정하기 위한 보정 값들에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 보정 데이터는 몰드 유지 유닛(113) 및 기판 스테이지(106)의 구동에 의해 몰드(111)의 패턴 부분 및 기판(101) 상의 임프린트 재료(122)가 서로 접촉되어 유지되는 시간을 보정하기 위한 보정 값에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 보정 데이터는 조사 유닛(142)에 의해 임프린트 재료(122) 상에 방출될 경화 광의 양, 및 경화 광이 조사 유닛(142)에 의해 임프린트 재료(122) 상에 방출될 시간을 보정하기 위한 보정 값들에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 보정 데이터는 몰드 보정 유닛(112)에 의해 몰드(111)에 가해질 힘의 크기를 보정하기 위한 보정 값에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 보정 데이터는 조사 유닛(142)의 기판 변형 유닛에 의해 기판을 가열하기 위해 방출될 광의 조사량, 조사량 분포, 및 조사 시간을 보정하기 위한 보정 값들에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다.
MES(501)는 보정된 처리 조건을 임프린트 장치(100)에 송신하고, 임프린트 장치(100)는 보정된 처리 조건에 따라 임프린트 처리를 실행한다. 처리 조건의 보정에 의해, 양호한 수율 비를 유지하면서 반도체 디바이스와 같은 제품을 제조하는 것이 가능하게 된다.
또한, 임프린트 장치(100)에 의해 임프린트 처리가 수행되는 경우, 정렬 계측 유닛(114)에 의해 계측되는 복수의 정렬 마크의 계측 값들에 관한 정보를 취득할 수 있다. 또한, 촬상 유닛(131)은 몰드(111)의 패턴 부분을 포함하는 영역의 정지 화상들의 복수의 화상 데이터를 취득할 수 있다. 촬상 유닛(131)은 또한 몰드(111)의 패턴 부분을 포함하는 영역의 동화상의 화상 데이터를 취득할 수 있다. 또한, 몰드 유지 유닛(113) 또는 기판 스테이지(106)의 구동 유닛으로서 역할하는 선형 모터 또는 보이스 코일 모터의 추진력(thrust force)을 계측함으로써 획득되는 계측 값을 취득할 수 있다. 특히, 도 3의 단계들 S304 내지 S307의 처리시 구동 유닛의 추진력을 주기적으로 계측함으로써 획득된 복수의 계측 값들에 기초하여, 몰드(111) 및 기판(101)에 작용하는 힘의 변동에 관한 정보를 획득할 수 있다. 이러한 방식으로 각각의 유닛으로부터 임프린트 처리에서의 정보가 취득될 수 있지만, 패턴 형성의 정밀도를 추가로 향상시키기 위한 보정 데이터를 취득하기 위해, APC(502)는 다량의 상세한 정보를 획득하고 분석할 필요가 있다.
APC(502)에서 처리 데이터 및 처리 조건으로부터 보정 데이터를 취득하는 경우에, 처리 조건과 처리 데이터 사이의 관계가 명확하면, 테이블 또는 수학 공식을 사용하여 처리 데이터 및 처리 조건으로부터 보정 데이터가 취득될 수 있다. 그럼에도 불구하고, 처리 조건과 처리 데이터 사이의 관계가 명확하지 않은 경우, 테이블 또는 수학 공식을 사용하여 처리 데이터 및 처리 조건으로부터 보정 데이터를 획득하는 것은 어렵다. 예를 들어, 처리 데이터로서 취득된, 정렬 계측 유닛(114)에 의해 계측된 정렬 마크의 위치에 관한 정보로부터, 처리 조건에 포함된 정렬 마크 위치에 관련된 보정 데이터를 산출하기 위한 수학 공식을 획득하는 것은 용이하다. 예를 들어, 패턴의 위치 시프트 량에 관한 정보가 몰드 보정 유닛(112)에 의해 몰드(111)에 가해지는 힘의 크기와 상관 관계에 있다는 것이 식별된다. 그럼에도 불구하고, 패턴의 위치 시프트 량에 대하여 몰드(111)에 가해지는 힘의 크기의 상관 정도가 명확하지 않기 때문에, 테이블 또는 수학 공식을 사용하여 보정 데이터를 취득하는 것은 곤란하다.
전술한 내용의 관점에서, 본 예시적인 실시예에서는, 처리 데이터 및 처리 조건을 입력으로서 사용하고 보정 데이터를 출력하는 서브시스템(700)(제1 시스템)을 사용하여 보정 데이터를 취득한다. 서브시스템(700)은 제1 처리 데이터(611)와 제1 처리 조건(612)을 입력으로서 사용하고, 제1 보정 데이터(613)를 출력한다. 서브시스템(700)은 보정 모델(701)(제1 모델) 및 장치 모델(702)(제2 모델)을 포함한다. 서브시스템(700)은 하나 또는 복수의 프로그램을 추가로 포함하고, 정보 처리 장치에서 동작되는 하나 또는 복수의 프로그램에 의해 구현된다. 또한, 서브시스템(700)은 메인 프로그램에 통합되어 동작하는 하나 또는 복수의 프로그램을 포함할 수 있다. 서브시스템(700)은 보정 모델(701) 및 장치 모델(702)의 구조들을 정의하는 파라미터들과 같은 데이터를 추가로 포함할 수 있다.
보정 모델(701) 및 장치 모델(702)이 이제 설명될 것이다. 도 6a 및 도 6b는 각각 보정 모델(701) 및 장치 모델(702)을 도시하는 도면들이다. 도 6a에 도시된 보정 모델(701)은 머신 학습에 의해 취득된 학습 모델을 포함할 수 있다. 처리 데이터(601)가 보정 모델(701)에 입력되면, 보정 데이터(603)는 출력으로서 취득된다.
중첩 검사에서의 보정 모델(701)의 생성이 이제 설명될 것이다. 우선, 입력 데이터와 트레이닝 데이터(training data) 간의 관계를 표시하는 학습 데이터가 준비된다. 입력 데이터는 임프린트 처리를 수행한 결과로서 취득된 처리 데이터(601)이다. 처리 데이터(601)는 예를 들어, 검사 장치(503)에 의해 검사를 수행함으로써 획득되는 패턴의 위치 시프트 량을 포함할 수 있다. 트레이닝 데이터는 입력 데이터로서 역할하는 처리 데이터(601)에 대해 처리 조건(602)을 보정하기 위한 보정 데이터(603)이다. 보정 데이터(603)는 예를 들어, 몰드 보정 유닛(112)에 의해 몰드(111)에 가해질 힘의 크기를 보정하기 위한 보정 값에 관한 정보를 포함할 수 있다. 보정 데이터(603)는 예를 들어, 기판 변형 유닛에 의해 방출될 광의 조사량을 보정하기 위한 보정 값, 조사량 분포를 보정하기 위한 보정 값, 및 조사 시간을 보정하기 위한 보정 값 중 적어도 하나에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다. 머신 학습은 입력 데이터와 트레이닝 데이터 사이의 관계를 표시하는 이러한 준비된 학습 데이터를 사용하여 수행된다. 머신 학습은 예를 들어, 신경망을 사용하여 수행될 수 있다. 신경망은 입력층, 중간층 및 출력층을 포함하는 다층 네트워크 구조를 갖는 모델이다. 네트워크 내의 확률 변수는 입력 데이터와 트레이닝 데이터 사이의 관계를 표시하는 학습 데이터를 사용하여, 오차 역전파 방법(error backpropagation method)과 같은 알고리즘에 의해 최적화되고, 그에 의해 학습 모델이 취득될 수 있다. 신경망을 사용하여 학습 모델을 취득하는 예가 설명되었지만, 취득 방법은 신경망에 한정되지 않는다. 예를 들어, 지원 벡터 머신(support vector machine) 및 결정 트리와 같은 다른 모델 및 알고리즘이 사용될 수 있다. 다음으로, 취득된 보정 모델(701)에 새로운 처리 데이터(601)를 입력함으로써, 보정 데이터(603)가 출력 데이터로서 출력된다. 처리 데이터(601) 및 보정 데이터(603)는 전술한 예들로 제한되지 않는다. 처리 데이터(601)와 보정 데이터(603)의 복수의 조합이 존재하는 경우, 보정 모델(701)은 복수의 학습 모델을 포함할 수 있다. 또한, 학습 모델 이외에도, 보정 모델(701)은 처리 조건(602)과 처리 데이터(601) 사이의 관계를 표시하는 테이블 또는 수학 공식을 사용하여 처리 데이터(601) 및 보정 데이터(603)를 취득하는 모델도 포함할 수 있다.
도 6b에 도시된 장치 모델(702)은 예를 들어, 머신 학습에 의해 취득된 학습 모델이다. 처리 조건(602)이 장치 모델(702)에 입력되면, 처리 데이터(601)는 출력으로서 취득된다. 중첩 검사에서의 장치 모델(702)의 생성이 이제 설명될 것이다. 우선, 입력 데이터와 트레이닝 데이터(training data) 간의 관계를 표시하는 학습 데이터가 준비된다. 입력 데이터는 임프린트 처리의 조건을 정의하는 처리 조건(602)이다. 예를 들어, 처리 조건(602)은 몰드 보정 유닛(112)에 의해 몰드(111)에 가해질 힘의 크기, 기판 변형 유닛에 의해 방출될 광의 조사량, 조사량 분포, 및 조사 시간 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 트레이닝 데이터는 입력 데이터로서 역할하는 처리 조건(602)에 기초하여 임프린트 처리를 수행함으로써 취득된 처리 데이터(601)이다. 처리 데이터(601)는 예를 들어, 검사 장치(503)에 의해 검사를 수행함으로써 획득된 패턴의 위치 시프트 량을 포함할 수 있다. 머신 학습은 입력 데이터와 트레이닝 데이터 사이의 관계를 표시하는 이러한 준비된 학습 데이터를 사용하여 수행된다. 머신 학습은 예를 들어, 신경망을 사용하여 수행될 수 있다. 다음으로, 취득된 장치 모델(702)에 새로운 처리 조건(602)을 입력함으로써, 처리 데이터(601)가 출력 데이터로서 출력된다. 처리 조건(602) 및 처리 데이터(601)는 상술한 예들에 한정되지 않는다. 또한, 처리 조건(602)과 처리 데이터(601)의 복수의 조합이 존재하는 경우, 장치 모델(702)은 복수의 학습 모델을 포함할 수 있다. 또한, 학습 모델 이외에도, 장치 모델(702)은 처리 조건(602)과 처리 데이터(601) 사이의 관계를 표시하는 테이블을 사용하여 처리 조건(602) 및 처리 데이터(601)를 취득하는 모델도 포함할 수 있다.
다음으로, 서브시스템(700)에서의 처리가 도 7 및 도 8을 참조하여 설명될 것이다. 도 7은 서브시스템(700)을 도시하는 도면이다. 도 8은 서브시스템(700)에서의 처리를 도시하는 흐름도이다. 단계 S801에서, 제1 처리 데이터(611)는 보정 모델(701)에 입력되고, 제2 보정 데이터(623)는 보정 모델(701)로부터 출력된다. 단계 S802에서, 제3 보정 데이터(633)는 출력된 제2 보정 데이터(623)를 사용하여 갱신된다. 처음에 제3 보정 데이터(633)가 제2 보정 데이터(623)를 사용하여 갱신되면, 제3 보정 데이터(633)는 제2 보정 데이터(623)로 대체된다. 2회째 이후에 제2 보정 데이터(623)를 사용하여 제3 보정 데이터(633)가 갱신되는 경우, 예를 들어, 제3 보정 데이터(633)는 제2 보정 데이터(623)에 포함된 보정 값을 제3 보정 데이터(633)의 보정 값에 추가함으로써 갱신될 수 있다. 대안으로서, 제3 보정 데이터(633)는 예를 들어, 제3 보정 데이터(633) 내의 보정 값을 제2 보정 데이터(623)에 포함된 보정 값과 이전 보정 값 간의 비율에 승산함으로써 갱신될 수 있다. 제3 보정 데이터(633)는 또한, 예를 들어, 제2 보정 데이터(623)에 포함된 보정 값으로부터 획득된 행렬을 사용하여 제3 보정 데이터(633) 내의 보정 값의 행렬 연산을 수행함으로써 갱신될 수 있다.
단계 S803에서, 서브시스템(700)에 입력된 제1 처리 조건(612)은 단계 S802에서 갱신된 제3 보정 데이터(633)를 사용하여 보정되고, 제2 처리 조건(622)이 출력된다. 단계 S804에서, 출력된 제2 처리 조건(622)은 장치 모델(702)에 입력되고, 장치 모델(702)로부터 제2 처리 데이터(621)가 출력된다. 단계 S805에서, 장치 모델(702)로부터 출력된 제2 처리 데이터(621)가 미리 정의된 허용 범위 내에 속하는지가 판정된다. 제2 처리 데이터(621)가 미리 정의된 허용 범위 내에 속한다고 판정되면(단계 S805에서 예), 처리는 단계 S806으로 진행한다. 단계 S806에서, 단계 S802에서 갱신된 제3 보정 데이터(633)는 서브시스템(700)으로부터 제1 보정 데이터(613)로서 출력된다. 한편, 제2 처리 데이터(621)가 미리 정의된 허용 범위 내에 속하지 않는다고 판정되면(단계 S805에서 아니오), 처리는 단계 S807로 진행한다. 단계 S807에서, 장치 모델(702)로부터 출력된 제2 처리 데이터(621)가 보정 모델(701)에 입력된다. 다음으로, 입력된 제2 처리 데이터(621)에 대한 새로운 제2 보정 데이터(623)가 보정 모델(701)로부터 출력된다. 다음으로, 처리는 단계 S802으로 복귀된다. 단계 S802에서, 제3 보정 데이터(633)는 출력된 제2 보정 데이터(623)를 사용하여 갱신된다. 다음으로, 단계(S803)에서, 제1 처리 조건(612)은 단계 S802에서 갱신된 제3 보정 데이터(633)를 사용하여 다시 보정되고, 제2 처리 조건(622)이 출력된다. 장치 모델(702)로부터 출력된 제2 처리 데이터(621)가 미리 정의된 허용 범위 내에 속할 때까지 전술한 처리가 반복적으로 수행된다.
제2 처리 데이터(621)가 복수의 처리 데이터를 포함하는 경우, 미리 정의된 허용 범위는 처리 데이터마다 정의된다. 예를 들어, 패턴의 위치 시프트 량의 경우에, 원하는 패턴의 원하는 위치 정밀도에 따라 패턴의 위치 시프트 량의 허용 범위가 미리 정의된다.
도 6a 및 도 6b에서의 처리 데이터(601)는 도 7을 참조하여 설명된 제1 처리 데이터(611)와 유사한 정보이다. 도 6b의 처리 조건(602)은 도 7을 참조하여 설명된 제1 처리 조건(612) 및 제2 처리 조건(622)과 유사한 정보이다. 또한, 보정 데이터(603)는 도 7을 참조하여 설명된 제1 보정 데이터(613) 및 제2 보정 데이터(623)와 유사한 정보이다. 제1 처리 데이터(611) 및 제1 처리 조건(612)은 서브시스템(700)에 입력되는 데이터이다. 제1 처리 조건(612)은 임프린트 장치(100)에 의해 수행되는 임프린트 처리에 적용되고, 제1 처리 데이터(611)는 임프린트 처리의 결과로서 취득된다. 한편, 제2 처리 데이터(621)와 제2 처리 조건(622)은 제1 보정 데이터(613)가 취득되는 동안 서브시스템(700)에서 취득되는 처리 데이터 및 처리 조건이다. 제1 보정 데이터(613)는 제1 처리 조건(612)을 보정하기 위한 보정 데이터이고, 서브시스템(700)으로부터 출력된 보정 데이터이다. 제2 보정 데이터(623) 및 제3 보정 데이터(633)는 제1 보정 데이터(613)가 취득되는 동안 서브시스템(700)에서 취득되는 보정 데이터이다.
도 9는 본 예시적인 실시예에 따른 제품의 제조 시스템을 도시하는 도면이다. 본 예시적인 실시예에서의 서브시스템(700)은 보정 시스템(500)에 통합되고, MES(501)에 보정 데이터를 출력한다. 서브시스템(700)은 경로(801)를 통해 데이터베이스(505)에 접속되고, 데이터베이스(505)로부터 처리 데이터 및 처리 조건을 취득할 수 있다. 서브시스템(700)은 또한 경로(802)를 통해 MES(501)에 접속되고, 보정 데이터를 MES(501)에 출력할 수 있다.
이때, 처리 데이터와 보정 데이터 간의 관계, 및 처리 조건과 처리 데이터 간의 관계는 복수의 임프린트 장치(100) 각각에 대하여 상이할 수 있다. 동일한 임프린트 장치(100) 이어도, 처리 데이터와 보정 데이터 간의 관계, 및 처리 조건과 처리 데이터 간의 관계가 시간 경과에 따라 변할 수 있다. 따라서, 서브시스템(700)에 포함된 보정 모델(701) 및 장치 모델(702)은 갱신될 필요가 있다. 전술한 내용의 관점에서, 본 예시적인 실시예에서의 장치 시스템(510)은 서브시스템(700)을 갱신하고 갱신된 서브시스템(700)에 관한 정보를 보정 시스템(500)에 출력한다. 보정 시스템(500)에 출력될 서브시스템(700)에 관한 정보는 서브시스템(700)의 기능을 구현하기 위한 프로그램에 관한 정보를 포함할 수 있다. 서브시스템(700)에 관한 정보는 보정 모델(701) 및 장치 모델(702)을 형성하는 신경망의 층들의 수, 뉴런들의 수, 또는 확률 변수와 같은 모델을 정의하는 파라미터에 관한 정보를 추가로 포함할 수 있다.
장치 시스템(510)에서, 서브시스템(700)은 경로(811)를 통해 임프린트 장치(100)에 접속되고, 처리 조건 및 보정 데이터를 취득할 수 있다. 서브시스템(700)은 경로(812)를 통해 데이터베이스(515)에 접속되고, 처리 데이터를 취득할 수 있다. 이에 의해, 머신 학습은 새로운 처리 조건 및 보정 데이터에 대한 처리 데이터가 학습 데이터에 추가되고, 보정 모델(701) 및 장치 모델(702)이 갱신되는 상태에서 수행된다. 갱신된 보정 모델(701)과 장치 모델(702)을 포함하는 서브시스템(700)에 관한 정보는 보정 시스템(500)에 출력되고, 기존의 서브시스템(700)은 갱신된 서브시스템(700)으로 대체된다. 다음으로, 보정 시스템(500)은 갱신된 서브시스템(700)을 사용하여 보정 데이터를 획득한다.
서브시스템(700)은 하나 또는 복수의 기판(101)의 임프린트 처리가 완료될 때 갱신되는 것이 바람직하다. 대안적으로, 서브시스템(700)은 장치 시스템(510)이 보정 시스템(500)으로부터 서브시스템(700)의 갱신 요청을 수신할 때 갱신될 수 있다.
다음으로, 서브시스템(700)은 보정 시스템(500)에 통합되고, 서브시스템(700)은 데이터베이스(505)에 유지된 처리 데이터 및 처리 조건을 입력으로서 사용하여 보정 데이터를 출력한다. 서브시스템(700)으로부터 출력된 보정 데이터는 APC(502)에 의해 획득된 다른 보정 데이터와 함께 MES(501)에 출력된다. MES(501)는 APC(502)로부터 출력된 보정 데이터에 기초하여 보정된 처리 조건을 임프린트 장치(100)에 출력한다. 임프린트 장치(100)는 보정된 처리 조건에 따라 임프린트 처리를 수행한다.
이 때, 서브시스템(700)은 APC(502) 대신에 동작할 수 있다. 즉, 서브시스템(700)은 APC(502)없이 데이터베이스(505)에 직접 접속되고, 데이터베이스(505)로부터 직접 처리 데이터 및 처리 조건을 취득할 수 있다. 서브시스템(700)은 또한 APC(502)없이 MES(501)에 직접 접속되고, 보정 데이터를 직접 MES(501)에 출력할 수 있다.
또한, MES(501)는 APC(502)로부터 출력된 보정 데이터에 기초하여 처리 조건을 보정할지를 판정할 수 있다. 예를 들어, 보정 데이터가 미리 정의된 허용 범위 내에 속하지 않으면, MES(501)는 처리 조건을 보정하지 않기로 판단할 수 있다. 대안적으로, 다른 임프린트 장치(100)에 적용될 처리 조건과 보정된 처리 조건 사이의 차이가 허용 범위 내에 속하지 않으면, MES(501)는 처리 조건을 보정하지 않기로 판단할 수 있다. MES(501)가 처리 조건을 보정하지 않기로 판단한 경우, MES(501)는 일부 보정 데이터를 사용하여 처리 조건을 보정하거나, 분할된 보정 데이터를 사용하여 보정 데이터를 분할하여 단계적으로 처리 조건을 보정할 수 있다.
또한, 복수의 장치 시스템(510)이 존재하는 경우, 복수의 서브시스템(700)은 복수의 장치 시스템(510) 마다 보정 시스템(500)에 통합되어 동작될 수 있다. 이 구성에 의해, 복수의 장치 시스템들(510) 마다 변하는 특성들을 고려하여 보정 데이터를 획득할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 예시적인 실시예에 따르면, 서브시스템(700)을 APC(502)에 통합함으로써 처리 조건을 보정하기 위한 보정 데이터를 취득할 수 있다.
다음으로, 제2 예시적인 실시예에 따른 보정 시스템(500) 및 장치 시스템(510)이 설명될 것이다. 제2 예시적인 실시예에서 언급되지 않은 사항들은 제1 예시적인 실시예를 따를 수 있다. 본 예시적인 실시예에서, 서브시스템(700)은 보정 시스템(500)이 아니라 장치 시스템(510)에 통합되어 동작된다.
도 10은 본 예시적인 실시예에 따른 제품의 제조 시스템을 도시하는 도면이다. 본 예시적인 실시예에 따른 서브시스템(700)은 장치 시스템(510)에 통합되고, MES(501)에 보정 데이터를 출력한다. 서브시스템(700)은 경로(901)를 통해 데이터베이스(505)에 접속되고, 데이터베이스(505)로부터 처리 데이터 및 처리 조건을 취득할 수 있다. 서브시스템(700)은 경로(902)를 통해 MES(501)에 접속되고, 보정 데이터를 MES(501)에 출력할 수 있다.
또한, 제1 예시적인 실시예와 유사하게, 장치 시스템(510)은 서브시스템(700)을 갱신한다. 서브시스템(700)은 데이터베이스(505)에 유지된 처리 데이터 및 처리 조건을 사용하여 보정 데이터를 입력으로서 출력한다. 서브시스템(700)으로부터 출력된 보정 데이터는 APC(502)에 의해 획득된 다른 보정 데이터와 함께 MES(501)에 출력된다. MES(501)는 보정 데이터에 기초하여 보정된 처리 조건을 임프린트 장치(100)에 출력하고, 임프린트 장치(100)는 보정된 처리 조건에 따라서 임프린트 처리를 수행한다.
장치 시스템(510)에서, 갱신을 위한 서브시스템(700) 및 보정 데이터를 취득하기 위한 서브시스템(700)이 준비될 수 있다. 갱신을 위한 서브시스템(700)은 임의의 타이밍에서 갱신될 수 있고, 보정 데이터를 취득하기 위한 서브시스템(700)은 하나 또는 복수의 기판(101)의 임프린트 처리가 완료될 때와 같은 특정한 타이밍에서 갱신을 위한 서브시스템(700)으로 대체될 수 있다.
또한, 서브시스템(700)은 보정 시스템(500) 및 장치 시스템(510)과 독립적인 정보 처리 장치에 통합되어 동작될 수 있다. 이 경우, 서브시스템(700)이 통합된 정보 처리 장치는 네트워크를 통해 보정 시스템(500), 장치 시스템(510) 및 검사 장치(503)에 접속되고, 이들 사이에서 다양한 타입들의 정보를 송수신할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 예시적인 실시예에 따르면, 서브시스템(700)을 장치 시스템(510)에 통합함으로써 처리 조건을 보정하기 위한 보정 데이터를 취득할 수 있다.
(제품의 제조 방법)
본 예시적인 실시예에 따른 제품의 제조 방법에 대해서 설명할 것이다. 도 11a 내지 도 11f는 제품의 제조 방법을 도시하는 도면들이다. 임프린트 장치를 사용하여 형성된 경화된 재료의 패턴은 다양한 제품들의 적어도 일부에서 영구적으로 사용되거나, 다양한 제품들의 제조시에 일시적으로 사용된다. 제품들의 예들은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS(microelectromechanical system), 기록 소자, 센서, 및 몰드를 포함한다. 전기 회로 소자의 예들은 DRAM(dynamic random access memory), SRAM(static RAM), 플래시 메모리, 및 MRAM(magnetic RAM)과 같은 휘발성 또는 비휘발성 반도체 메모리, 및 LSI(large-scale integrated circuit), CCD(charge-coupled device) 센서, 이미지 센서(image sensor), 및 FPGA와 같은 반도체 소자를 포함한다. 몰드의 예들은 임프린팅 몰드를 포함한다.
경화된 재료의 패턴은 상술한 제품들 중 적어도 일부의 컴포넌트로서 그대로 사용되거나, 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 에칭 또는 이온 주입이 기판의 처리 프로세스에서 수행된 후에, 레지스트 마스크가 제거된다.
다음으로, 제품의 구체적인 제조 방법이 설명될 것이다. 도 11a에 도시된 바와 같이, 절연 재료와 같은 피처리 재료(2z)가 형성되는 표면을 갖는 실리콘 기판과 같은 기판(1z)이 준비된다. 임프린트 재료(3z)는 잉크젯 방법에 의해 피처리 재료(2z)의 표면 상에 도포된다. 도 11a는 복수의 액적으로 형성된 임프린트 재료(3z)가 기판(1z) 상에 도포된 상태를 도시한다.
도 11b에 도시된 바와 같이, 임프린트 몰드(4z)를, 임프린트 재료(3z)에 대향하여 요철 패턴이 형성되는 측을 갖는 기판(1z) 상의 임프린트 재료(3z)에 대향하게 한다. 도 11c에 도시된 바와 같이, 임프린트 재료(3z)가 도포되는 기판(1z)과 몰드(4z)를 서로 접촉시켜서 압력을 가한다. 임프린트 재료(3z)는 몰드(4z)와 피처리 재료(2z) 사이의 간극에 채워진다. 이 상태에서 경화용 에너지로서 몰드(4z)를 통해 광이 방출되는 경우, 임프린트 재료(3z)는 경화한다.
도 11d에 도시된 바와 같이, 임프린트 재료(3z)가 경화된 후에, 몰드(4z) 및 기판(1z)이 서로 분리되면, 임프린트 재료(3z)의 경화된 재료의 패턴이 기판(1z) 상에 형성된다. 경화된 재료의 패턴은 몰드의 오목 부분이 경화된 재료의 볼록 부분에 대응하고 몰드의 볼록 부분은 경화된 재료의 오목 부분에 대응하는 형상을 갖는다. 즉, 임프린트 재료(3z)에 몰드(4z)의 요철 패턴이 전사된다.
도 11e에 도시된 바와 같이, 경화된 재료의 패턴을 에칭 저항 마스크(etching resistance mask)로 하여 에칭이 수행되면, 피처리 재료(2z)의 표면으로부터, 경화된 재료가 없거나 얇게 남아있는 경화된 재료를 갖는 부분이 제거되어, 홈들(5z)이 형성된다. 도 11f에 도시된 바와 같이, 경화된 재료의 패턴이 제거되면, 피처리 재료(2z)의 표면 상에 홈들(5z)이 형성된 제품이 획득될 수 있다. 이 예에서, 경화된 재료의 패턴이 제거되지만, 경화된 재료의 패턴은 예를 들어, 처리 후에도 제거되지 않고 반도체 소자에 포함된 층간 절연막으로서 사용될 수 있다. 즉, 경화된 재료의 패턴은 제품의 컴포넌트로서 사용될 수 있다.
몰드(4z)로서 요철 패턴을 구비하는 회로 패턴 전사를 위한 몰드를 사용하는 예를 설명하였지만, 요철 패턴(블랭크 템플릿)을 갖지 않는 평면 부분을 갖는 몰드가 사용될 수 있다. 블랭크 템플릿은 평면 부분에 의해 기판 상의 조성물을 평탄하게 성형하는 평탄화 처리를 수행하는 평탄화 장치에서 사용된다. 평탄화 처리는 기판 상에 공급된 경화성 조성물을, 블랭크 템플릿의 평면 부분이 경화성 조성물과 접촉하여 유지되는 상태에서, 경화성 조성물 상에 광을 방출하거나 경화성 조성물을 가열함으로써 경화시키는 프로세스를 포함한다.
지금까지, 본 발명의 예시적인 실시예들이 설명되었다. 그러나, 본 발명은 이들 예시적인 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 사상을 벗어나지 않고 다양한 수정들 및 변경들이 이루어질 수 있다. 임프린트 장치는 리소그래피 장치의 예로서 설명되었지만, 리소그래피 장치는 이에 한정되지 않는다. 리소그래피 장치의 예로서, 패턴이 형성되는 원판 상에 광을 방출하고, 원판으로부터의 광에 기초하여 패턴을 기판 상에 투영하는 노광 장치가 사용될 수 있다. 대안적으로, 리소그래피 장치의 예로서, 하전 입자 광학 시스템을 통해 하전 입자 복사(전자 빔들, 이온 빔들 등)에 의해 기판 상에 드로잉을 수행하고, 기판 상에 패턴을 형성하는 드로잉 장치가 사용될 수 있다. 또한, 리소그래피 장치의 예들은 디바이스와 같은 제품을 제조시 임프린트 장치와 같은 장치에 의해 실행되는 상술한 프로세스들 이외의 프로세스를 실행하는 제조 장치도 포함할 수 있다. 이러한 제조 장치의 예들은 기판의 표면을 감광 매체로 코팅하는 코팅 장치, 및 패턴이 전사되는 기판을 현상하는 현상 장치를 포함한다.
제1 예시적인 실시예 및 제2 예시적인 실시예가 독립적으로 실행되지만, 제1 예시적인 실시예 및 제2 예시적인 실시예는 또한 조합하여 실행될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예에 따르면, 리소그래피 장치에서 수행되는 처리에 적용될 처리 조건을 보정하기 위한 보정 데이터를 취득하는 유닛을 제공하는 정보 처리 장치, 프로그램, 리소그래피 장치, 제품의 제조 방법 및 제품의 제조 시스템을 제공할 수 있다.
다른 실시예들
본 발명의 실시예(들)는 하나 이상의 상술한 실시예(들)의 기능들을 수행하기 위하여 저장 매체(보다 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라고도 칭함)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어들(예를 들면, 하나 이상의 프로그램)을 판독하여 실행하고/실행하거나, 하나 이상의 상술한 실시예(들)의 기능들을 수행하기 위한 하나 이상의 회로(예를 들면, ASIC(application specific integrated circuit))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해서, 그리고, 예를 들면, 하나 이상의 상술한 실시예(들)의 기능들을 수행하기 위하여 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어들을 판독하여 실행하고/실행하거나, 하나 이상의 상술한 실시예(들)의 기능들을 수행하기 위하여 하나 이상의 회로를 제어함으로써 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 수행되는 방법에 의해서도 구현될 수 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들면, CPU(central processing unit), MPU(micro processing unit))를 포함할 수 있을 것이며, 컴퓨터 실행가능 명령어들을 판독하여 실행하기 위한 개별 컴퓨터 또는 개별 프로세서의 네트워크를 포함할 수도 있을 것이다. 컴퓨터 실행가능 명령어들은 예를 들어, 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는 예를 들어, RAM(random-access memory), ROM(read only memory), 분산된 연산 시스템들의 스토리지, (CD(compact disc), DVD(digital versatile disc) 또는 Blu-ray Disc(BD™과 같은) 광학 디스크, 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명을 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예들로 한정되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 다음의 청구 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (15)

  1. 정보 처리 장치로서,
    기판 상에 패턴을 형성하도록 구성된 리소그래피 장치에서 수행될 처리를 정의하기 위한 조건을 보정하기 위한 보정 데이터를 출력하도록 구성되는 제1 시스템을 포함하고,
    상기 제1 시스템은 상기 정의된 처리의 결과를 표시하는 처리 결과가 입력되는 경우에 상기 보정 데이터를 출력하도록 구성되는 제1 모델, 및 상기 조건이 입력되는 경우에 상기 처리 결과를 출력하도록 구성되는 제2 모델을 포함하고,
    상기 제1 시스템은 상기 제1 모델로부터 출력된 상기 보정 데이터를 사용하여 상기 조건을 보정하고, 상기 보정된 조건을 상기 제2 모델에 입력함으로써 출력된 상기 처리 결과에 기초하여 상기 보정 데이터를 출력하도록 구성되는 정보 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 시스템은 상기 처리 결과가 미리 정의된 허용 범위 내에 속하는 경우에 상기 보정 데이터를 출력하는 정보 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 처리 결과가 미리 정의된 허용 범위 내에 속하지 않는 경우에, 상기 제1 시스템은 상기 처리 결과를 상기 제1 모델에 입력함으로써 출력된 상기 보정 데이터를 사용하여 상기 조건을 다시 보정하는 정보 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 모델은 상기 처리 결과 및 상기 보정 데이터를 학습 데이터로서 사용하는 머신 학습에 의해 생성된 학습 모델을 포함하는 정보 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 모델은 상기 조건 및 상기 처리 결과를 학습 데이터로서 사용하여 머신 학습에 의해 생성된 학습 모델을 포함하는 정보 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치는 원판의 패턴 부분과 기판 상의 임프린트 재료를 서로 접촉시킴으로써 패턴을 형성하도록 구성되는 임프린트 장치이고,
    상기 처리 결과는 상기 원판 상에 형성된 마크의 위치에 관련된 계측 값, 상기 기판 상에 형성된 마크의 위치에 관련된 계측 값, 상기 원판 상에 형성된 마크의 캡처된 화상, 상기 기판 상에 형성된 마크의 캡처된 화상, 상기 패턴 부분과 접촉하는 상기 임프린트 재료의 캡처된 화상, 상기 원판에 작용하는 힘의 계측 값, 상기 패턴의 위치 시프트 량, 상기 패턴의 라인 폭의 치수, 상기 표준을 충족시키지 못한 패턴의 유무, 표준을 충족시키지 못한 패턴의 위치, 및 상기 패턴이 형성된 상기 기판으로부터 제조된 반도체 디바이스의 전기 특성 중 적어도 하나에 관한 정보를 포함하고,
    상기 조건은 상기 기판 상에 공급될 상기 임프린트 재료의 양, 상기 임프린트 재료가 공급될 위치, 상기 원판 상에 형성되는 마크의 위치, 상기 기판 상에 형성되는 마크의 위치, 상기 패턴 부분과 상기 기판 상의 상기 임프린트 재료가 서로 접촉하여 유지되는 시간, 상기 패턴 부분과 상기 기판 상의 상기 임프린트 재료가 서로 접촉하고 있는 상태에서 상기 원판에 가해질 힘의 크기, 상기 임프린트 재료 상에 방출될 광의 양, 상기 광이 방출될 시간, 상기 원판에 가해질 힘의 크기, 상기 기판을 가열하기 위해 방출될 광의 조사량, 조사량 분포, 및 조사 시간 중 적어도 하나에 관한 정보를 포함하는 정보 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 보정 데이터는 상기 조건에 포함되는 정보를 보정하기 위한 정보를 포함하는 정보 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 시스템에 관한 정보는 상기 조건을 상기 리소그래피 장치에 출력하는 제2 시스템에 출력되는 정보 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 시스템은 상기 조건을 상기 리소그래피 장치에 출력하는 제2 시스템으로부터 상기 조건 및 상기 처리 결과를 취득하고, 상기 조건 및 상기 처리 결과에 기초하여 취득된 상기 보정 데이터를 상기 제2 시스템에 출력하는 정보 처리 장치.
  10. 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치에서 수행될 처리를 정의하는 조건을 보정하기 위한 보정 데이터를 출력하는 제1 시스템을 사용하여 컴퓨터가 상기 보정 데이터를 출력하게 하는 프로그램을 저장하는 컴퓨터 판독가능 저장 매체로서,
    상기 제1 시스템은 상기 처리의 결과를 표시하는 처리 결과가 입력되는 경우에 상기 보정 데이터를 출력하는 제1 모델, 및 상기 조건이 입력되는 경우에 상기 처리 결과를 출력하는 제2 모델을 포함하고,
    상기 제1 시스템은 상기 제1 모델로부터 출력된 상기 보정 데이터를 사용하여 상기 조건을 보정하고, 상기 보정된 조건을 상기 제2 모델에 입력함으로써 출력된 상기 처리 결과에 기초하여 상기 보정 데이터를 출력하는 컴퓨터 판독가능 저장 매체.
  11. 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치로서,
    상기 리소그래피 장치에서 수행될 처리를 정의하는 조건을 보정하기 위한 보정 데이터를 출력하는 제1 시스템을 사용하여 상기 보정 데이터를 출력하도록 구성되는 정보 처리 장치를 포함하고,
    상기 제1 시스템은 상기 처리의 결과를 표시하는 처리 결과가 입력되는 경우에 상기 보정 데이터를 출력하는 제1 모델, 및 상기 조건이 입력되는 경우에 상기 처리 결과를 출력하는 제2 모델을 포함하고,
    상기 제1 시스템은 상기 제1 모델로부터 출력된 상기 보정 데이터를 사용하여 상기 조건을 보정하고, 상기 보정된 조건을 상기 제2 모델에 입력함으로써 출력된 상기 처리 결과에 기초하여 상기 보정 데이터를 출력하는 리소그래피 장치.
  12. 제품의 제조 방법으로서,
    기판 상에 패턴을 형성하도록 구성된 리소그래피 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계;
    패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계; 및
    상기 처리된 기판으로부터 제품을 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 리소그래피 장치는 상기 리소그래피 장치에서 수행될 처리를 정의하는 조건을 보정하기 위한 보정 데이터를 출력하는 제1 시스템을 사용하여 보정 데이터를 출력하도록 구성되는 정보 처리 장치를 포함하고,
    상기 제1 시스템은 상기 처리의 결과를 표시하는 처리 결과가 입력되는 경우에 상기 보정 데이터를 출력하는 제1 모델, 및 상기 조건이 입력되는 경우에 상기 처리 결과를 출력하는 제2 모델을 포함하고,
    상기 제1 시스템은 상기 제1 모델로부터 출력된 상기 보정 데이터를 사용하여 상기 조건을 보정하고, 상기 보정된 조건을 상기 제2 모델에 입력함으로써 출력된 상기 처리 결과에 기초하여 상기 보정 데이터를 출력하는 제품의 제조 방법.
  13. 제품의 제조 시스템으로서,
    기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치에서 수행될 처리를 정의하는 조건을 보정하기 위한 보정 데이터를 출력하는 제1 시스템을 사용하여 상기 보정 데이터를 출력하도록 구성되는 정보 처리 장치;
    상기 리소그래피 장치; 및
    상기 리소그래피 장치에서 수행될 처리를 정의하는 조건을 상기 리소그래피 장치에 출력하도록 구성되는 제2 시스템을 포함하고,
    상기 제2 시스템은 상기 제1 시스템에 의해 출력된 상기 보정 데이터를 사용하여 보정된 상기 조건을 상기 리소그래피 장치에 출력하고,
    상기 제1 시스템은 상기 처리의 결과를 표시하는 처리 결과가 입력되는 경우에 상기 보정 데이터를 출력하는 제1 모델, 및 상기 조건이 입력되는 경우에 상기 처리 결과를 출력하는 제2 모델을 포함하고,
    상기 제1 시스템은 상기 제1 모델로부터 출력된 상기 보정 데이터를 사용하여 상기 조건을 보정하고, 상기 보정된 조건을 상기 제2 모델에 입력함으로써 출력된 상기 처리 결과에 기초하여 상기 보정 데이터를 출력하는 제품의 제조 시스템.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치에 의해 패턴이 형성되는 기판을 검사하도록 구성되는 검사 장치를 추가로 포함하고,
    상기 처리 결과는 상기 검사 장치에 의해 수행된 검사의 결과의 데이터를 포함하는 제품의 제조 시스템.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제조 시스템은 복수의 리소그래피 장치를 포함하고,
    상기 복수의 리소그래피 장치 중 적어도 하나에서 사용되는 제1 시스템은 다른 리소그래피 장치들에서 사용되는 제1 시스템과 상이한 제품의 제조 시스템.
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