JPH10116781A - 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法Info
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- JPH10116781A JPH10116781A JP8291144A JP29114496A JPH10116781A JP H10116781 A JPH10116781 A JP H10116781A JP 8291144 A JP8291144 A JP 8291144A JP 29114496 A JP29114496 A JP 29114496A JP H10116781 A JPH10116781 A JP H10116781A
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Abstract
面上のパターンを投影光学系によりウエハ面上に高い光
学性能を有して投影することのできる面位置検出装置及
びそれを用いたデバイスの製造方法を得ること。 【解決手段】 第1物体面上のパターンを投影光学系に
より第2物体面上の露光領域に投影露光する際に、該第
2物体面上の露光領域を挟んで対向する複数の計測エリ
アの各計測エリアに該投影光学系の光軸に対して斜方向
から1つの光源部から分岐した光束を照射し、各計測エ
リアからのうちの1つの計測エリアからの反射光束の所
定面上における入射位置情報より該第2物体面の面位置
情報を検出していること。
Description
それを用いたデバイスの製造方法に関し、特にレチクル
(マスク)面上に形成されているIC,LSIなどの微
細な電子回路パターンを投影レンズ(投影光学系)によ
りウエハ面上に投影または走査機構を利用し、該レチク
ルとウエハとを同期して走査しながら投影し、露光する
ときに該ウエハ面の該投影レンズの光軸方向の面位置及
び傾きなどの面位置情報を検出し、該ウエハを投影光学
系の最良結像面に位置させることにより高集積度のデバ
イスを製造する際に好適なものである。
ざましく、それに伴う微細加工技術の進展も著しい。特
に光加工技術は、サブミクロンの解像力を有する縮小投
影露光装置、通称ステッパーが主流であり、解像力向上
のために開口数(NA)の拡大や、露光波長の短波長化
が計られている。
系、或いはレンズ系とミラー系で構成された縮小走査型
の投影露光装置(走査型露光装置)が考案されており、
今後は投影露光装置の主流になるものと注目されてい
る。
パターンを有するレチクルが載置されたステージと、パ
ターン転写を行うウエハが載置されたステージの双方を
投影光学系の縮小倍率に応じた速度比で相対走査しなが
ら露光を行っている。
伴い、投影光学系の許容深度(焦点深度)が減少し、ウ
エハ面を投影光学系の合焦位置に設定する際の精度に対
して厳しい精度が要求されている。
露光装置では、第1物体としてのレクチルの回路パター
ンを投影レンズ系により第2物体としてのウエハ上に投
影露光するのに先立って面位置検出装置(オートフォー
カス装置,AF装置)を用いてウエハ面の光軸方向の位
置を検出して、該ウエハ面を投影レンズの最良結像面に
位置するようにしている。
置検出機構の1つとしてウエハ面に対して光束を斜入射
に入射させて構成されるオフアクシス(Off Axis)の検
出機構がある。
上に複数の光束を照射し、ウエハ面から反射された複数
の光束をそれぞれ光電変換素子にて受光し、光電変換素
子上での光束の入射位置情報から、ウエハ面のZ方向の
位置情報(フォーカス)を検出したり、さらに複数の計
測点のフォーカス情報から、ウエハ面の傾き情報(チル
ト)を検出するといった総合的なウエハ面の面位置情報
を計測している。
面位置検出装置を、本出願人は先に特開平3−2464
11号公報や、特開平4−354320号公報などで提
案している。
の光束を被走査面に斜め方向から照射する場合の、計測
用投影像が被検査面上のどの計測点においても同形状と
なる方法などについて開示している。また特開平4−3
54320号公報では、複数の光束を被検査面に斜め方
向から照射する場合の、照射角度や平面上における照射
方向などについて開示している。
の1ショット一括方法の投影露光装置とは異なり、露光
領域をスリット状に制限し、ウエハを一方向に駆動しな
がら1ショットの露光を行っている。
を一定に保つためには、スリット状の露光領域よりも所
定の距離だけ手前(走査前方位置)に複数の面位置計測
点を設け、その計測点での面位置情報を先に計測し、露
光領域の面位置情報にフィードバックさせるといった、
リアルタイムの計測,制御が必要となっている。
ループットを向上させるために、往復露光が可能となる
ように構成している。即ち、第1のショットを走査露光
し終った後にステップ移動し、第2のショットを露光す
る際には、第1のショット露光時とは反対の方向に走査
するように構成している。
出装置においては、往復露光に対応すべく、露光領域を
挟んで対向するように、かつ露光領域から等距離だけ離
れた位置に複数の面位置計測点を設定する必要がある。
検出装置が、例えば特開平6−283403号公報で提
案されている。また、被走査面であるウエハ表面には様
々な微細線形状のデバイスパターンや種々のレジストが
形成されており、1チップ内の領域によって光の反射率
が異なっている場合が多い。
おける複数の計測点が異なる位置に設けられている面位
置検出装置では、被検査面で反射した後に光電変換素子
に取り込まれる光の強度が計測点毎に異なってくる場合
がある。
度の良い面位置計測値を得るためには、入射される光の
強度が計測に最適となるように、複数の面位置計測点に
ついて個別に光量の調節を行うことが好ましい。
は感光剤であるレジストが厚さ1μm程度といった薄膜
状に塗布されている。ウエハのレジスト表面の面位置を
精度良く検出するためには、レジスト薄膜による光の干
渉による影響を除去する必要がある。そのためには、面
位置検出用の光束の波長幅を拡げることが効果的であ
る。
測点に光束を照射し、その反射光の情報から被検査面の
面位置情報を検出するといった面位置検出装置におい
て、照射する複数の光の強度の調節を個別に行う場合、
光源や光源駆動手段、さらには調節処理に要する電気基
板を、その計測点の数だけ設けると装置全体が複雑化及
び大型化するという問題点が生じてくる。
高精度な投影露光を維持しようとしているために、計測
点毎に発熱源である光源部や調光システム用の電気処理
基板などを設けることは、装置内に熱源を増やすことと
なり、面位置検出装置自体の検出精度の劣化や、さらに
は露光装置の焼き付け性能の悪化、といった装置性能へ
の悪影響につながってくるという問題点が生じてくる。
計測点での面位置情報を検出する際に光源部を適切に構
成することによって複数の計測点の光強度の調節を共通
で行うようにして、不要な光源の増加を無くし、熱源の
増加を防ぎ、さらには調光用の電気基板の数を最小限に
し、これより物体面の表面位置を高精度に検出し、物体
面を所定位置に高精度に設定することができる高集積度
のデバイスを容易に製造することができる面位置検出装
置及びそれを用いたデバイスの製造方法の提供を目的と
する。
露光エリアを挟んで対向する複数の領域に設定された複
数の計測エリアに光束を入射させる際の光源部の構成を
適切に設定することによって、走査露光する被検査面の
面位置情報を高精度に検出し、高集積度のデバイスを容
易に得ることができる走査型露光装置の提供を目的とす
る。
は、 (1-1) 第1物体面上のパターンを投影光学系により第2
物体面上の露光領域に投影露光する際に、該第2物体面
上の露光領域を挟んで対向する複数の計測エリアの各計
測エリアに該投影光学系の光軸に対して斜方向から1つ
の光源部から分岐した光束を照射し、各計測エリアから
のうちの1つの計測エリアからの反射光束の所定面上に
おける入射位置情報より該第2物体面の面位置情報を検
出していることを特徴としている。
は該複数の光源部から各々複数の光束が照射されてお
り、各計測エリアのうちの1つの計測エリアからの複数
の反射光束の所定面上における入射位置情報を用いて前
記第2物体面の面位置情報を検出していること。
アのうちの1つの計測エリアに光束を選択して照射する
光路切換手段を有していること。
数の光源を有し、該複数の光源からの光束を合成した光
束を射出していること。
源部から分岐した光束の代わりにその光束に基づくパタ
ーンを照射していること。などを特徴としている。
ーンを投影光学系により第2可動ステージに載置した第
2物体面上の露光領域に走査手段により該第1,第2可
動ステージを該投影光学系の撮影倍率に対応させた速度
比で同期させて走査させながら投影露光する走査型露光
装置において、該第2物体面上の露光領域を走査方向に
挟んだ対向する複数の計測エリアの各計測エリアに該投
影光学系の光軸に対して斜方向から1つの光源部から分
岐した各計測エリアのうちの走査進行方向の1つの計測
エリアからの反射光束の所定面上への入射位置情報より
該第2物体面の面位置情報を検出し、該面位置情報を利
用して走査投影露光していることを特徴としている。
は該複数の光源部から各々複数の光束が照射されてお
り、各計測エリアのうちの1つの計測エリアからの複数
の反射光束の所定面上における入射位置情報を用いて前
記第2物体面の面位置情報を検出していること。
アのうちの1つの計測エリアに光束を選択して照射する
光路切換手段を有していること。
数の光源を有し、該複数の光源からの光束を合成した光
束を射出していること。
源部から分岐した光束の代わりにその光束に基づくパタ
ーンを照射していること。などを特徴としている。
成要件(2-1) の走査型露光装置を用いて、レチクルとウ
エハとの位置合わせを行った後に、レチクル面上のパタ
ーンをウエハ面上に投影露光し、その後、該ウエハを現
像処理工程を介してデバイスを製造していることを特徴
としている。
搭載された走査型露光装置の実施形態1の要部概略図、
図2は図1の一部分の拡大説明図である。本実施形態で
は第1物体としてのレクチル1と第2物体としてのウエ
ハ4とを投影光学系2の結像倍率に応じた速度比で同期
をとりながらY方向に走査(スキャン)させながら走査
投影露光を行っている場合を示している。
のデバイスパターンが形成されている。前記レチクル1
はレチクルステージ駆動制御用のレーザー干渉計200
0によってX,Y方向に駆動制御されるレチクルステー
ジ5に載置されている。レチクルステージ5は走査露光
の際にはZ方向の位置を投影光学系2に対して一定に保
った状態で、Y方向に駆動可能となっている。
6に吸着保持されている。ウエハチャック6はレーザー
干渉計900と駆動制御手段1000によってX,Y方
向に駆動制御されるウエハステージ700に載置されて
いる。
学系2の光軸方向(Z方向)の位置、及び傾きがZ及び
チルト駆動手段800により制御可能となっている。
を介して光学的に共役な位置におかれており、照明光学
系3からの照明光束(露光光)がレチクル1上に照明さ
れ、X方向に長いスリット状の露光光束がレチクル1上
に形成されている。
は、投影光学系2を介し、その投影倍率に比した大きさ
のスリット状の露光光束としてウエハ4上に形成されて
いる。EFはウエハ4面上の露光チップ領域200内の
露光領域である。
のスリット状の露光光束に対してレチクルステージ5と
ウエハステージ700の双方を光学倍率に応じた速度比
でY方向に動かし、固定されたスリット状の露光光束に
対して、レチクル1上のパターン転写領域とウエハ4上
のパターン転写領域を走査することによって行ってい
る。
焦点深度が、例えば約1μmと微小である。最適な解像
力を得るためには、露光されるウエハ表面の位置を投影
レンズの最適な露光位置に設定する必要がある。
0〜110を有する面位置検出装置でウエハステージ7
00上に載置されたウエハ4の投影光学系2の光軸AZ
方向の面位置状態を投影光学系を介さない斜入射方法を
用いて計測している。
理は、被検面であるウエハ表面に光束を斜め方向から照
射し、被検面で反射した光束の所定面上への入射位置を
位置検出素子で検出し、その位置情報から被検面のZ方
向(光軸AZ方向)の位置情報を検出している。また略
X方向に設定された複数の光束を被検面上の複数の計測
点に投影し、各々の計測点で求めたZ方向の位置情報を
用いて被検面の傾き情報を算出している。
いて説明する。図1において、25は面位置検出用の光
源部である。22は面位置検出用の発光光源である。1
10は駆動回路であり、発光光源22から発せられる光
の強度を任意にコントロール可能なよう構成している。
ーターレンズ23により略平行光束にした後に光束分割
手段の1つであるハーフミラー24によって反射光と透
過光の2つの光束に分割している。
ズ20,21によって後述するようにウエハ4上の露光
領域EFを走査方向(Y方向)に挟んで対向した2つの
面位置計測用の計測エリアSB,SFに照射されるべく
それぞれに設けられた光ファイバーなどの光伝達手段7
0,71に導かれている。
はそれぞれの光束に設けられた照明レンズ30,31に
より、スリット90を照明する。スリット90上にはウ
エハ4の面位置計測用のマーク90F,90Bが施され
ており、該マーク90F,90Bは結像レンズ10によ
りミラー50を介して被検面であるウエハ4上に投影さ
れている。結像レンズ10によりスリット90とウエハ
4の表面は光学的な共役関係になっている。
を示している。60,61はそれぞれ、ウエハ4上の露
光領域EFを挟んで走査方向(Y方向)に対向した2つ
の計測エリアSF,SBに照射される光軸(主光線)で
ある。
はウエハ4面で反射し、ミラー51を介して結像レンズ
11により最結像位置91上にマーク像を再結像する。
再結像位置91に再結像したマーク像に基づく光束はウ
エハ4面上の各計測点毎にそれぞれの光軸位置に設けら
れた拡大光学系40,41により各々集光されて位置検
出用の受光素子80,81上に略結像している。
信号処理系100にて計測処理され、被検面であるウエ
ハ4面のZ、及び傾きの情報として処理され、ウエハス
テージ700の制御用のCPU1000にフィードバッ
クがかけられる。
とSBの2点に対応する光軸しか記していないが、実際
には図2に示すようにY軸回りのチルト検出が可能なよ
うに、ウエハ4上にはX方向にも複数(3点以上)の計
測点が設定されている。
投影マーク(スリット90上に)や拡大レンズ、位置検
出素子などが構成されている。
ける露光領域EFと面位置計測点の関係を示している。
図中200は露光チップ領域(ショット)を示してい
る。面位置計測用の計測エリアSFとSBは露光領域E
Fを挟んで、走査方向(Y方向)に距離Lだけ離れ、か
つ対称な位置に設定されている。各計測エリア内SF,
SBのうち、計測エリアSF内には計測点A,B,C、
計測エリアSB内には計測点a,b,cといったように
各3点の計測点に計測用の光束100a,100b,1
00cが斜め方向から照射されている。
時計測されることがない計測位置に同一の光源からの光
束が照射されるようにしている。そして、それぞれの計
測エリア内において3点のZ方向の計測値から、Y軸回
りのウエハ面傾き(以下“チルト”と呼ぶ)が算出でき
るように構成している。
検出方法としては、被検面に光束(スポット)を照射す
る代わりに被検面にパターンを投影し、該パターンの所
定面上における結像位置を検出し、これより求める方法
も適用可能である。
及び面位置検出動作についての説明図である。同図にお
いて200は露光チップ領域(ショット)を示してい
る。図4は矢印で示す如く1ショット毎にスキャン方向
を180°反転させて露光している際のウエハ上での様
子を表している。
図中のFRONT方向にウエハステージを駆動させて露
光を行う場合は、計測エリアSF内の複数の計測点A,
B,Cを用いて、Z及びチルト計測値が露光領域EFの
面位置情報に反映するようにしている。
合には、BACK方向にウエハステージを駆動させて露
光を行う。その際は、計測エリアSB内の複数の計測点
a,b,cを用いて、Z及び傾き計測値が露光領域EF
の面位置情報に反映するようにしている。露光動作中の
面位置計測では、露光スキャン方向に応じて計測エリア
SFまたはSBのどちらか一方の情報を切り替えて用い
ている。
測エリアSF,SBを切り替えて計測を行うので、計測
エリアSFとSBについて同時に計測することは無く、
従って計測エリアSFとSBを同時にかつ個別に調光す
る必要もない。
22から射出した光束を2つの光束に分け、各光束をス
キャン露光エリアを挟んで対向する計測エリアSF,S
Bにある計測点に配することによって、従来、各計測点
毎に設けていた光源及び、光源の駆動装置または光量調
整PCBなどの個数が半分で所定の性能を満たすことを
可能としている。
配光方法の説明図である。それぞれが露光エリアFEを
挟んで対向する位置に設けられた、計測点Aとa、計測
点Bとb、計測点Cとcがそれぞれ同じ光源から導かれ
るよう3つの光源部L1,L2,L3が構成されてお
り、各光源を駆動させる光源駆動PCB1〜3によっ
て、各々の計測点での照射光量の調整を可能としてい
る。
用いない計測点同士を組み合わせることで、光源の個数
は3個で良いようにしている。
導体レーザといった半導体素子を用いれば、その電流制
御のみで容易な光量制御が可能となる。
る。図5は本実施形態の一部分の要部概略図である。実
施形態1では、1つの光源から発せられた光をハーフミ
ラーを用いて2つの光束に分割し、各光束でウエハ面上
の2カ所の計測点を同時に照明している。
うに、切り替えミラーなど24aを用いて、光源22か
らの光束を集光レンズ20または21に導光し、使用す
る計測点毎に切り替えて照明している。
が終って次のショットに移る際に切り替えミラー24a
を切り替えて、これによってセンサー40または41へ
光が導かれるようにしている。
全ての光量を各々の計測点に導くことができるために、
実施形態1に比べて発光光源22の容量も半分で済むた
め、発生する熱量も半分に押さえることができるという
長所がある。
る。図6は本実施形態の一部分の要部概略図である。
であるレジストが厚さ1μm程度といった薄膜状に塗布
されている。ウエハのレジスト表面の面位置を精度良く
検出するためには、レジスト薄膜による光の干渉による
影響を除去する必要がある。そのためには、面位置検出
用の光源の波長幅を広げて干渉縞が生じないようにする
ことが効果的である。
域の異なる複数の光源L1,L2からの光束を分割及び
合成させ、照明光として用いて光の波長帯域を広くさ
せ、かつ、同時に異なる計測点に導くようにしている。
て示している。図6において異なる波長を発する光源L
1とL2から発せられた光束は、ハーフミラー26によ
りそれぞれ2光束に分割されると同時に、集光レンズ2
0,21により2つの光束を合成し、各々の測定点Aま
たはaに導光している。そしてこれら2つの光を露光領
域EFを挟んで対向する計測エリアSF,SBの各位置
に設けられ同時に計測することの無い2つの計測点に導
いている。
幅が拡げられた光を照射し、レジスト薄膜による影響を
十分に除いている。その結果、面位置計測の精度の向上
を図り、かつ、複数の計測点を同じ光源で調光すること
で、調光手段の簡略化、熱源である光源の少量化を行う
ことを可能にしている。
る。図7は本実施形態の一部分の要部概略図である。本
実施形態では光源22からの光束を集光レンズ28で集
光した後に光路分割手段としての分岐型の光ファイバー
29などを用いて2光束に分割している。そして各光束
を光伝達手段29を介して各計測点に導光している。
することができる。
る。図8は本実施形態の一部分の要部概略図である。
ハ面上での面位置検出用の測定点が露光位置を挟んで3
点づつ設けられている場合について説明してきたが、さ
らに測定点が増えるような場合にも本発明は適用可能で
ある。
リアからの距離が異なる複数の計測エリアSB1,SB
2,SF1,SF2を有し、かつ、これらが、露光エリ
アを対称に、対向して設けられている場合について示し
ている。
方法として、露光スキャンスピードを変化させる方法が
ある。
異なる複数の計測エリアを有することにより、露光スキ
ャンスピードに応じて測定点を切り替えて面位置計測を
行うようにしている。
には、露光エリアEFに近い計測エリアSF1またはS
B1での面位置計測情報を用い、また、露光スキャンス
ピードが早い場合には、露光エリアEFからの距離が離
れた計測エリアSF2またはSB2での面位置計測の情
報を用いている。
測点からの面位置情報に基づいて、ウエハステージの駆
動手段によって露光位置でのウエハ面位置姿勢にフィー
ドバックをかける時間をある程度必要とされるために、
露光位置から距離が離れていなければならない。逆に露
光スキャンスピードが遅い場合には、露光エリアからの
距離が近くても十分にフィードバックをかけることが可
能である。
も、12点以上必要となり、これらに個々に光源を設け
ていたならば、発熱源の増大による装置性能への影響が
かなり大きくなってくる。
バーなどを用いて1つの光源から出た光を、露光エリア
EFを挟んで対向する位置の4カ所の領域SB1,SB
2,SF1,SF2内の計測点に導き、これらを同時に
調光するようにしている。
源L1,L2,L3のみで、有効に照明、かつ、光量調
整することを可能とし、露光スキャンスピードに応じ
て、面位置計測点を切り替えて計測を行うことで、精度
の良い面位置情報を露光エリアにフィードバックするこ
とができるようにしている。
態と同様に、露光エリアEFを挟んで対向する同時計測
しない複数の計測点A1,A2,a1,a2を同じ光源
で照明することにより、最小の個数の光源で有効な照
明、かつ光量調整を可能としている。
外の他の構成は図1の実施形態1と同じである。
イスの製造方法の実施例を説明する。
の半導体チップ、或は液晶パネルやCCDなど)の製造
のフローを示す。
スの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
コンなどの材料を用いてウエハを製造する。ステップ4
(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
れ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシ
ング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)などの工程を含む。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
などの検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイ
スが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
ーを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打
込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15
(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
を現像する。ステップ18(エッチング)では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジ
スト剥離)ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。
により物体面の複数の計測点での面位置情報を検出する
際に光源部を適切に構成することによって複数の計測点
の光強度の調節を共通で行うようにして、不要な光源の
増加を無くし、熱源の増加を防ぎ、さらには調光用の電
気基板の数を最小限にし、これより物体面の表面位置を
高精度に検出し、物体面を所定位置に高精度に設定する
ことができる高集積度のデバイスを容易に製造すること
ができる面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製
造方法を達成することができる。
いて露光エリアを挟んで対向する複数の領域に設定され
た複数の計測エリアに光束を入射させる際の光源部の構
成を適切に設定することによって、走査露光する被検査
面の面位置情報を高精度に検出し、高集積度のデバイス
を容易に得ることができる走査型露光装置を達成するこ
とができる。
けられた光を、スキャン露光エリアを挟んで対向する位
置にあり、かつ同時に計測しない複数の計測点を1つの
光源から導いて同時に照明するようにすることで、最小
の個数の光源で有効な照明、かつ光量調整を可能とする
ことができる。さらに調光用の電気基板の数を最小限に
とどめることができるためコストの増加をも最小限にと
どめることができ、また、複数の光源を合成させて波長
帯域を拡げるなどの手段を用いた場合などには特に効果
的であり、レジスト薄膜の影響を低減できるために面位
置検出装置性能の向上が同時に図れる上、効率よく複数
の計測点に照明光の配分ができ、不用意に光源の数量を
増やすことにつながらないため、熱源の増加を押さえる
ことができ、かつ装置コストの削減にも貢献できる、と
いった効果が得られる。
表す説明図
明図
ト
Claims (12)
- 【請求項1】 第1物体面上のパターンを投影光学系に
より第2物体面上の露光領域に投影露光する際に、該第
2物体面上の露光領域を挟んで対向する複数の計測エリ
アの各計測エリアに該投影光学系の光軸に対して斜方向
から1つの光源部から分岐した光束を照射し、各計測エ
リアからのうちの1つの計測エリアからの反射光束の所
定面上における入射位置情報より該第2物体面の面位置
情報を検出していることを特徴とする面位置検出装置。 - 【請求項2】 前記光源部を複数個有し、前記各計測エ
リアには該複数の光源部から各々複数の光束が照射され
ており、各計測エリアのうちの1つの計測エリアからの
複数の反射光束の所定面上における入射位置情報を用い
て前記第2物体面の面位置情報を検出していることを特
徴とする請求項1の面位置検出装置。 - 【請求項3】 前記光源部は前記複数の計測エリアのう
ちの1つの計測エリアに光束を選択して照射する光路切
換手段を有していることを特徴とする請求項1の面位置
検出装置。 - 【請求項4】 前記光源部は波長帯域の異なる複数の光
源を有し、該複数の光源からの光束を合成した光束を射
出していることを特徴とする請求項1の面位置検出装
置。 - 【請求項5】 前記各計測エリアに前記1つの光源部か
ら分岐した光束の代わりにその光束に基づくパターンを
照射していることを特徴とする請求項1の面位置検出装
置。 - 【請求項6】 第1可動ステージに載置した第1物体面
上のパターンを投影光学系により第2可動ステージに載
置した第2物体面上の露光領域に走査手段により該第
1,第2可動ステージを該投影光学系の撮影倍率に対応
させた速度比で同期させて走査させながら投影露光する
走査型露光装置において、該第2物体面上の露光領域を
走査方向に挟んだ対向する複数の計測エリアの各計測エ
リアに該投影光学系の光軸に対して斜方向から1つの光
源部から分岐した各計測エリアのうちの走査進行方向の
1つの計測エリアからの反射光束の所定面上への入射位
置情報より該第2物体面の面位置情報を検出し、該面位
置情報を利用して走査投影露光していることを特徴とす
る走査型露光装置。 - 【請求項7】 前記光源部を複数個有し、前記各計測エ
リアには該複数の光源部から各々複数の光束が照射され
ており、各計測エリアのうちの1つの計測エリアからの
複数の反射光束の所定面上における入射位置情報を用い
て前記第2物体面の面位置情報を検出していることを特
徴とする請求項6の走査型露光装置。 - 【請求項8】 前記光源部は前記複数の計測エリアのう
ちの1つの計測エリアに光束を選択して照射する光路切
換手段を有していることを特徴とする請求項6の走査型
露光装置。 - 【請求項9】 前記光源部は波長帯域の異なる複数の光
源を有し、該複数の光源からの光束を合成した光束を射
出していることを特徴とする請求項6の走査型露光装
置。 - 【請求項10】 前記各計測エリアに前記1つの光源部
から分岐した光束の代わりにその光束に基づくパターン
を照射していることを特徴とする請求項6の走査型露光
装置。 - 【請求項11】 請求項1〜5のいずれか1項記載の面
位置検出装置を用いてレチクルとウエハとの位置合わせ
を行った後に、レチクル面上のパターンをウエハ面上に
投影露光し、その後、該ウエハを現像処理工程を介して
デバイスを製造していることを特徴とするデバイスの製
造方法。 - 【請求項12】 請求項6〜10のいずれか1項記載の
走査型露光装置を用いてレチクルとウエハとの位置合わ
せを行った後に、レチクル面上のパターンをウエハ面上
に投影露光し、その後、該ウエハを現像処理工程を介し
てデバイスを製造していることを特徴とするデバイスの
製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29114496A JP3667009B2 (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29114496A JP3667009B2 (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10116781A true JPH10116781A (ja) | 1998-05-06 |
JP3667009B2 JP3667009B2 (ja) | 2005-07-06 |
Family
ID=17765016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29114496A Expired - Fee Related JP3667009B2 (ja) | 1996-10-14 | 1996-10-14 | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3667009B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999039374A1 (fr) * | 1998-01-29 | 1999-08-05 | Nikon Corporation | Procede d'exposition et dispositif associe |
US7046333B2 (en) | 2003-03-10 | 2006-05-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
CN103163740A (zh) * | 2011-12-14 | 2013-06-19 | 上海微电子装备有限公司 | 一种倾斜物体位置测量装置 |
-
1996
- 1996-10-14 JP JP29114496A patent/JP3667009B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999039374A1 (fr) * | 1998-01-29 | 1999-08-05 | Nikon Corporation | Procede d'exposition et dispositif associe |
US6813000B1 (en) | 1998-01-29 | 2004-11-02 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
US7046333B2 (en) | 2003-03-10 | 2006-05-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method |
CN103163740A (zh) * | 2011-12-14 | 2013-06-19 | 上海微电子装备有限公司 | 一种倾斜物体位置测量装置 |
CN103163740B (zh) * | 2011-12-14 | 2015-01-21 | 上海微电子装备有限公司 | 一种倾斜物体位置测量装置 |
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---|---|
JP3667009B2 (ja) | 2005-07-06 |
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