JP2008235457A - 露光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 物像間の光速度遅延に起因した、走査速度に依存した位置ずれが重ね合わせ精度を劣化させる。
【解決手段】 レチクルとウエハとの物像間隔と屈折率から露光光が到達するまでの遅延時間を算出する。レチクルとウエハの各ステージが同期して走査する走査速度と、遅延時間との積をとることで、走査速度に比例して発生する位置ずれ量を補正する補正値を算出し、各ステージの駆動目標値に反映させることで、重ね合わせの精度を向上させる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、原版のパターンを基板に対して転写露光する露光装置に関し、特に原版と基板が走査しながら露光する走査型の露光装置に関するものである。このような露光装置は、半導体素子製造、液晶素子製造のほか、ＭＥＭＳ要素、撮像素子、磁気ヘッド等の製造に関わる露光装置に適用される。

素子の微細化が最も進んでいるとされる半導体素子製造に関して従来の技術を説明する。
半導体素子の製造工程は、以下の前工程と後工程との繰り返しを経て、トランジスタを形成するものである。前工程はシリコンの基板上に製膜された各種の薄膜上に、レジストを塗布する工程である。後工程は、回路パターンをレジスト上に露光転写するリソグラフィ工程（以下、リソ工程という）と、レジスト現像、エッチングなどの工程からなる。トランジスタを微細化して集積度を上げるためには、特にリソ工程の露光装置によるところが大きい。半導体素子の微細化はこれまでとどまるところを知らず、２年で２倍の集積度で進化するといういわゆるムーアの法則に沿って進んできた。今後も不可避な技術課題に直面するまでは、このまま微細化が進むことになるであろう。

リソ工程の微細化は、露光装置のレンズの解像力を上げることとほぼ等価である。レーリーの式によれば解像力＝ｋ１・λ／ＮＡで表される。ここでλは光源波長、ＮＡは投影レンズの開口数である。ｋ１は、プロセスによって決まる係数である。露光装置は、ＮＡを最大限に大きく使うため、正方画角の一括露光方式（いわゆるステッパ）から露光領域をレンズの製作可能な最大直径まで使いきる短冊型とし画角の横幅を稼ぎ、縦方向に走査しながら露光する走査型露光方式（スキャナ）へと変遷してきた。走査型露光方式は、短冊露光領域によってレンズの最大径を使いきる大画角が達成できることに加え、走査露光中にフォーカスを合わせ続けられること、走査方向の画角が大きくとれること、など微細化の観点で利点が多い。

一方で、露光装置では解像力とともに生産性の向上も強力に進められてきた。特に走査型露光装置の生産性を向上させるのに有効なのは、ウエハを保持するステージの最高速度を上げ、走査露光中のスピードを高めることである。ウエハステージの移動速度に対して原版であるレチクルを保持するレチクルステージは、レンズの投影倍率の逆比の速度で移動する。現状で最も一般的なものは、投影倍率１／４倍、ウエハステージの移動速度が概ね０．５ｍ／ｓ、レチクルステージは２ｍ／ｓである。今後は生産性向上のために更に走査速度の高速化が進められるであろう。

走査型露光装置では、前述のレチクルを透過した露光光が、投影レンズを介して正確にウエハのチップ上に投影されなければならない。レチクルステージ、ウエハステージは、それぞれ独立したレーザ干渉計を用いた位置計測のシステムを有しており、予め決められたスキャン動作のプロファイルにしたがって駆動される。走査露光中には、その移動によって発生する振動や、ステージ案内面の荷重変形、駆動推力のムラなどによって、位置の誤差が生じる。各々のステージの誤差は、各々のステージの目標位置に対する偏差の指標で評価される。また本来同期して合わせるべき相対位置の合わせ誤差を評価するために、レチクルの偏差とウエハステージの偏差の差分を示す同期精度という指標を用いる。

この同期精度誤差は、走査型露光装置特有の位置ずれであり、その誤差の内、空間周波数の低い低周波成分はスキャンディストーション（画角内の形状ひずみ）の原因となり、高周波成分は、コントラスト低下（像質の低下）の原因となる。また直流成分は、ショット全体の位置ずれ量となり直接位置合わせ精度に影響する。特許文献１では、設定された走査速度においてショット毎に生じるディストーションデータを計測手段によりショット単位に設定し、そのディストーションデータに基づいて補正駆動値を算出し、ショット毎に補正して制御することが提案されている。この補正により、走査露光における位置ずれおよびディストーションは補正され、特に繰り返し再現性の高いディストーション誤差の低減には有効であった。
特開特開２００３−２７３００７号公報

しかしながら、特許文献１の補正手法にはいくつかの課題がある。まず露光結果を用いて補正にフィードバックするため補正値を算出するためには、実際にウエハに焼き付け、それを計測手段によって計測する必要があった。
また露光結果に基づき補正値を設定しているため、計測できる露光範囲内つまりショットサイズの領域でしか正確な補正量を求めることができない。露光範囲の外側に敷設されたアライメントマークを用いて、ＴＴＬ方式でレチクルステージとウエハステージを走査アライメントする場合には、補正領域外であるために補正ができないという問題点がある。特許文献１には、露光領域範囲外の補正値も近似関数で外挿し補う手段も提案されているが、露光領域での補正値追従性を上げることが目的であって、露光領域範囲外の位置補正を積極的に正確に行うための手段にはなり得ていない。

また、本発明者の知見によると、従来では問題となっていなかった新たな課題も出現しつつある。すなわち、走査露光装置の走査速度は、前述のとおり生産性を上げるため、世代を追う毎に早くなっている。加えてパターンの重ね合わせ精度の要求も年々高くなっている。この２つの技術トレンドによって、これまで影響を問題視されることのなかった光の遅延時間が問題になってくる。レチクルを透過した露光光がレンズを通してウエハ上に届くまでの時間に、ウエハステージはその時間分進む。そのため、たとえレチクル、ウエハの両ステージが制御偏差ゼロの理想的な制御状態であっても、その速度に依存した位置ずれが生じることになる。この位置ずれは光速とステージ速度によって一意に決まる確定的誤差となって影響する。

従来の技術では、露光の結果に含まれる振動や推力ムラ、変形誤差を含む種々の要因によって出現する位置ずれ誤差をすべて一括して計測、算出、そして補正している。もしその補正値の成分中に大きな誤差成分がある場合、小さな誤差成分は埋もれてしまう。大きな誤差成分が確定的に出るものであるならば、確定誤差として除去した後に、小さな誤差成分を精度よく補正するのが好ましい。本発明で着眼する光の到達遅延は確定的な誤差に相当するため、補正の精度を向上させるためには、他の誤差要因とは別に予め除去すべきものである。

ここで確定的位置ずれ誤差である、光速遅延に関する量を見積もる。
現在の走査型露光装置は、原版のレチクルと、被露光基板のウエハまでの物像間隔Ｌは約１ｍである。その中間に存在する縮小投影光学レンズのガラス充填率γは、光軸中心で約９割程度になる。光速度ｃ＝２．９９×１０^８ｍ／ｓ、空気の屈折率ｎａ＝１．００、ガラス硝材の屈折率ｎｇ＝１．４７であるから、物像間の光の通過時間ｔｌは、
ｔｌ＝Ｌ・（ｎａ（１−γ）＋γｎｇ）／ｃ ・・・・ 式１
によってｔｌ＝４．７×１０^−９ｓｅｃと求められる。

露光装置の走査速度ｖを、ウエハステージで１ｍ／ｓとすると、ウエハステージの位置ずれ量δは、
δ（ｖ）＝ｖ・ｔｌ ・・・・ 式２
により、δ＝４．７ｎｍと求められる。
隣合うショットでは、走査方向が反転するため、式２で示される位置ずれ量が隣接ショット間では２倍の９．４ｎｍになって出現する。
露光装置の位置決め精度が１０ｎｍ以下を要求されている昨今では、この光遅延による位置ずれ量は、無視できるものではない。今後のスループット向上のために走査速度をますます上げる必要もあり更に大きなずれ量に及ぶことになる。

図４は、ウエハＷ１上に転写露光されたパターンの概念図を示す。走査露光装置は、生産性を向上するために原版であるレチクルステージの露光を往復走査することで連続的に高い稼動率で露光処理をする。したがって露光される各ショットは、レチクルステージの＋方向走査と−方向走査によって転写露光されたショットＳ１、Ｓ２が交互に並んだ配列になる。図中の矢印が、当該ショットにおける露光光の走査方向（ステージの移動方向は反対）を示す。もし光の遅延がなければ原版であるレチクルステージとウエハステージの同期制御が理想的な場合には、隣接するショット間での位置ずれは生じない。ところが前述の光遅延が影響する走査速度で転写露光をした場合には、図４に示すとおり、左右で隣接するショット間では、走査方向に位置ずれを起こして配列異常が生じる。

従来の露光装置では、同期精度の算出に際して、光遅延を考慮していないため、理想的に同期精度誤差がゼロになったとしても、露光結果には位置ずれが発生していた。つまり従来の算出方法において同期精度と露光結果との相違が生じていた。
本発明は、上述の従来例における問題点を解消することを課題とする。すなわち本発明は、上記光の遅延に起因した転写露光時の位置ずれを補正し、パターンの重ね合わせ精度を向上させることを課題とする。

上記の課題を解決するために、本発明に係る第１の露光装置は、原版のパターンを投影光学系を介して基板に投影し、該投影光学系の光軸に対し前記原版と基板を同期して移動することにより前記原版のパターンを前記基板に露光する露光装置であって、前記原版と基板とを同期して移動する際、その移動の速度に応じた量、前記原版と基板との相対位置を補正する手段を有することを特徴とする。

本発明に係る第２の露光装置は、原版のパターンを投影光学系を介して基板に投影し、該投影光学系の光軸に対し前記原版と基板を同期して移動することにより前記原版のパターンを前記基板に露光する露光装置であって、前記原版と前記基板とのアライメント計測を行うためのアライメント光学系と、前記原版と基板とを同期して移動させながら、前記アライメント光学系により、前記投影光学系を介して前記原版と基板とのアライメント計測を行う際、前記原版または基板の移動の速度に応じた量、前記アライメント計測による計測値を補正することを特徴とする。

本発明に係る第１の露光方法は、原版のパターンを投影光学系を介して基板に投影し、該投影光学系の光軸に対し前記原版と基板を同期して移動することにより前記原版のパターンを前記基板に露光する露光方法であって、前記原版と基板とを同期して移動する際、その移動の速度に応じた量、前記原版と基板との相対位置を補正することを特徴とする。

本発明に係る第２の露光方法は、原版のパターンを投影光学系を介して基板に投影し、該投影光学系の光軸に対し前記原版と基板を同期して移動することにより前記原版のパターンを前記基板に露光する露光方法であって、前記原版と基板とを同期して移動させながら、前記原版と前記基板とのアライメント計測を行うためのアライメント光学系により、前記投影光学系を介して前記原版と基板とのアライメント計測を行う際、前記移動の速度に応じた量、前記アライメント計測による計測値を補正することを特徴とする。

本発明によれば、走査露光における各ショットで発生する移動（走査）速度に起因した位置ずれ量は補正され、パターンの重ね合わせ精度が向上する。

本発明の露光装置は、原版のパターンを投影光学系を介して基板に投影し、該投影光学系の光軸に対し前記原版と基板を同期して移動することにより前記原版のパターンを前記基板に露光する走査型の露光装置である。そして前記原版と基板とを同期して移動する際、その移動の速度に応じた量、前記原版と基板との相対位置を補正する手段を有することを特徴とする。また、前記原版と前記基板とのアライメント計測を行うためのアライメント光学系を備え、前記原版と基板とを同期して移動させながら前記投影光学系を介して前記原版と基板とのアライメント計測を行う装置には次のように適用される。すなわち、前記移動の速度に応じた量、前記アライメント計測による計測値を補正することを特徴とする。

ここで、前記相対位置の補正量は、前記原版のパターン面と前記基板上の被露光面との間の光の伝達遅延時間に比例する量である。具体的には、前記相対位置の補正量は、例えば、前記光の伝達遅延時間と前記基板の移動速度との積によって確定する量である。

本発明の好ましい実施の形態に係る露光装置は、露光光の遅延時間を算出する機能、露光光の遅延時間と走査速度から制御目標値補正量を演算する機能および制御目標値補正量によって補正された新たな制御目標値でステージ制御する制御機能を有する。また、制御目標の補正が加味された同期精度を演算する機能および走査中アライメントでの計測値に光の遅延に起因した補正を行う機能を有する。

前記相対位置の補正は、前記原版または前記基板の目標位置（制御目標値）に対して成される。制御目標補正量（相対位置の補正量）は、ステージ駆動（原版または基板の移動）に際してリアルタイムに演算される。すなわち、前記相対位置の補正は、走査露光中の各瞬時の移動速度に応じてリアルタイムに成される。あるいは予め設定された駆動（移動）プロファイルに補正値を反映されるものであってもよい。すなわち、前記相対位置の補正は、予め決定された走査露光の第１の移動プロファイルに対して行われ、補正の結果として第２の移動プロファイルが生成される。実露光の際は、第２の移動プロファイルにしたがって、走査露光が実行される。制御目標の補正は、制御上レチクルステージおよびウエハステージの一方または双方に対して行う。この補正は、単に実露光の時のみならず、走査しながらレチクル側とウエハ側をスキャンアライメント（位置決めのための計測）する場合にも有効である。

以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
［第１の実施例］
＜露光装置の構成＞
図３は本発明の一実施例に係る走査型露光装置の概略構成を示す。同図において、１０１は光源で、例えばエキシマレーザやｉ線ランプなどが用いられる。１２２は光源の光を減衰させる複数の減光率を持った光学部材で、透過率の違うＮＤフィルタに代表される光学部材である。１０２はレーザ光などのコヒーレントな光の角度を振動させることで、照度むらを無くすための光学ユニット、１０３は光源１０１からの光のビーム形状を整形し、かつ、インコヒーレント化するビーム整形光学系である。さらに、１０５はオプティカルインテグレータ、１０６は２次光源であるオプティカルインテグレータ１０５からの光束でマスキングブレード１０９の面を照明するためのコンデンサレンズである。

１０７はハーフミラーで、オプティカルインテグレータ１０５からの光束の一部を分割し、分割された光束は集光レンズ１１１によって光量センサ１１２に入射し、ウエハ（基板）１１８を露光している際の露光量を検出するために使用される。遮光板（マスキングブレード）１０９は上下左右４枚の独立に稼動する遮光部材から構成され、結像レンズ１１０に関して、レチクル（原版）１１６と光学的共役面にある。露光スリット１０８は、形状は紙面内で光軸と垂直な方向について光束を遮光する２組の遮光部材からなっている。スリット１０８は、マスキングブレード１０９の面から、光軸方向にシフトした位置にあるので、スリット１０８による光束の光強度分布は光軸を中心として台形状の分布となる。

結像レンズ１１０はマスキングにより遮光された光をレチクル１１６上に結像して、像を形成する。投影レンズ（投影光学系）１１３は、レチクルにより形成された像をウエハ１１８に上に投影する。レチクル１１６はレチクルステージ１１５の上に位置合わせをされて乗せられ、ウエハ１１８はウエハステージ１１７の上に乗っており、これらの各ステージはエアパッド等により、浮上した状態で駆動され、２次元に自由に駆動することができる構成となっている。

ウエハ面上に与えられる露光量は、光量センサ（フォトディテクタ）１１２により検出され、制御される。また、ウエハステージ１１７上には照度計１１４が取り付けられており、露光をする前に予め、照度計１１４と光量センサ（フォトディテクタ）１１２との検出値の関係を調べておくことで、ウエハ面上に所望の露光量を与えることが可能となる。

露光装置Ｉ／Ｆ（インターフェース）１２１は、その入力デバイス（キーボード、マウスなど）により、露光装置の動作条件を規定する種々の条件を入力するためのものである。また同時に、ウエハ焼き付け条件、焼き付けレイアウト等を管理する。オペレータはその管理されている条件から、使用したい条件を選択して、露光装置を使用するが、その際、オペレータは露光装置Ｉ／Ｆ１２１から露光装置を使用したい条件を選択入力することができる。また、この露光装置Ｉ／Ｆ１２１は露光装置が設置されている環境にある基幹ネットワーク、もしくはローカルネットワーク１２０などに接続されており、そこから露光装置の動作条件等がダウンロードされる場合もある。

主制御部１１９は、露光装置Ｉ／Ｆ１２１からのオペレータの指示もしくは、基幹ネットワークからダウンロードされた指示に従い、露光装置の各種補正機能の実行と、各ユニットの駆動、制御を行う。

＜位置ずれの補正＞
走査露光において、位置ずれやディストーション（ショット形状のひずみ）を補正するための処理を以下、具体的に説明する。走査露光における位置ずれやディストーション補正は、図１のフローチャートに示すように、ステップＳ２０４でアクチュエータ等を駆動するためのデータを生成するための前段階の処理を行うものである。即ち、前段階として（図１のＳ２０１〜Ｓ２０３）位置ずれを定量化して補正値を作成し、所望の駆動プロファイルデータを、補正値を加味した制御データに修正するものである。

ここで露光光の遅延に関する演算は、露光装置の設計値に基づき計算できる。最低限使用する設計値は、レチクルとウエハ間の物像間距離Ｌ、投影レンズの光軸上の空気間隔Ｌａ、空気屈折率ｎａ、硝材屈折率ｎｇである（Ｓ２１０）。無論投影光学系内部が、特定の気体環境である場合には、それに相当する屈折率を用いればよい。またＥＵＶ露光装置のように反射光学系を用いた場合であっても、同様に物像間距離の遅れ時間は演算できる。これらの物理量から、光がレチクルのパターン面を透過してからウエハ上に到達するまでの時間が一義的に決まる（Ｓ２１１）。この値は定数なので毎回の演算の必要はなく、事前に設定されたものであってもよい。

この遅れ時間に、ステップＳ２０１で指示された走査速度を掛け合わせることで、補正すべき位置ずれ量が算出できる（Ｓ２０２）。算出された補正量から補正駆動量を設定する（Ｓ２０３）。
続いてステップＳ２０４からステージを駆動しての露光動作に移行する。最終ショットを判断した後、露光の処理は終了する。

図１のフローで、補正値の設定は、レチクルステージあるいはウエハステージのいずれかの目標値に対して行われてもよいし、あるいは両方に配分して行われるようにしてもよい。図１には不図示としたが、従来からのディストーション補正のフローをＳ２０１〜Ｓ２０４の間に加えてもよい。

［第２の実施例］
第１の実施例では、走査露光の前段での補正値計算をしていたが、この例によらず、ウエハステージの位置指令信号に直接走査速度に光遅延時間を掛けた量だけ減算したリアルタイム演算を組み込んでもよい。

［第３の実施例］
第１の実施例では、走査露光の前段での補正値計算をしていたが、この例によらず、各ショット直前にそのショット毎に走査方向と走査速度から補正値算出を行うようにしても同様の効果が得られる。

［第４の実施例］
前記の補正計算を、露光開始時に演算処理するのではなく、走査速度をパラメータとする補正テーブルＳ３１２を予め設定して、露光条件（走査速度条件）毎に呼び出して補正をするのでもよい（図２）。また他の誤差要因を補正するための補正テーブル値に予め反映させておいてもよい。

［第５の実施例］
第５の実施例では、露光装置のインターフェースである入力デバイス上で、露光光遅延に関わる装置情報を入力するエリアを持っている。入力デバイスで各種設定される装置のコンフィギュレーション情報に、物像間隔、レンズのパス長が入力できるようになっている。
この情報によって露光光の遅延時間は機種ごとに計算される。
こうすることで、異なるレンズ設計の装置であっても同一のソフトシステムを使うことができ汎用性を持たせることが可能になる。

［第６の実施例］
第６の実施例は、露光光のみならず、レンズ光学系を通して行う走査アライメントの場合にも同様の位置補正を適用するものである。レチクルステージ上にあるアライメント光学系は、レチクルステージの移動中にレンズを通してウエハ上のアライメントマークあるいはウエハステージ上の基準マークを動的に観察し、位置ずれ量を計測している。本実施例では、その計測値に対してステージ移動速度に依存した光遅延分の位置ずれ量を補正値として加えるものである。この場合、レチクル側から出光した光はウエハ上のマークに反射し、再びレチクル側の顕微鏡まで戻る。往路の遅延については、前述の実施例に準ずるものの、復路の反射光に関しても同様に光遅延の補正を行い計測値に反映するものである。

［第７の実施例］
第１〜６の実施例は、屈折型投影系いわゆるレンズを用いた露光装置の例であった。第７の実施例は、真空中で反射光学系いわゆるミラーのみを用いて露光するＥＵＶ露光装置に関するものである。
ＥＵＶ露光装置の場合も、同様にレチクルマスク物体面からウエハ上の像面までの光学距離によって遅延が発生する。同期するステージの制御目標値に同様の補正を加えることで効果が得られる。反射光学系は、屈折系よりも光路長が長くなるので特に前述の位置ずれ補正が重要になる。

［第８の実施例］
次に、図５および図６を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図５は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップＳ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップＳ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップＳ６（検査）ではステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップＳ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
図６は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップＳ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップＳ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップＳ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップＳ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことにより、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムにより保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。

本発明の第１の実施例に係る処理フロー図である。 本発明の第５の実施例に係る処理フロー図である。 本発明の一実施例に係る走査型露光装置の構成を示す図である。 露光光の遅延によって生じる位置ずれ結果を示すウエハ概念図である。 デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。 ウエハプロセスを説明する図である。

符号の説明

１０１ ： 光源
１０５ ： オプティカルインテグレータ
１０８ ： 露光スリット
１１３ ： 投影レンズ
１１５ ： レチクルステージ
１１６ ： レチクル（原版）
１１７ ： ウエハステージ
１１８ ： ウエハ（基板）

Claims (10)

1. 原版のパターンを投影光学系を介して基板に投影し、該投影光学系の光軸に対し前記原版と基板を同期して移動することにより前記原版のパターンを前記基板に露光する走査型の露光装置であって、
   前記原版と基板とを同期して移動する際、その移動の速度に応じた量、前記原版と基板との相対位置を補正する手段を有することを特徴とする露光装置。
2. 前記相対位置の補正量は、前記原版のパターン面と前記基板上の被露光面との間の光の伝達遅延時間に比例する量であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記相対位置の補正量は、前記光の伝達遅延時間と前記基板の移動速度との積によって確定する量であることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
4. 前記相対位置の補正は、前記原版または前記基板の目標位置に対して成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露光装置。
5. 前記相対位置の補正は、予め決定された走査露光の第１の移動プロファイルに対して行われ、補正の結果として実露光のための第２の移動プロファイルが生成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の露光装置。
6. 前記相対位置の補正は、走査露光中の各瞬時の移動速度に応じてリアルタイムに成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の露光装置。
7. 原版のパターンを投影光学系を介して基板に投影し、該投影光学系の光軸に対し前記原版と基板を同期して移動することにより前記原版のパターンを前記基板に露光する露光装置であって、
   前記原版と前記基板とのアライメント計測を行うためのアライメント光学系と、前記原版と基板とを同期して移動させながら、前記アライメント光学系により、前記投影光学系を介して前記原版と基板とのアライメント計測を行う際、前記原版または基板の移動の速度に応じた量、前記アライメント計測による計測値を補正する手段とを有することを特徴とする露光装置。
8. 原版のパターンを投影光学系を介して基板に投影し、該投影光学系の光軸に対し前記原版と基板を同期して移動することにより前記原版のパターンを前記基板に露光する露光方法であって、
   前記原版と基板とを同期して移動する際、その移動の速度に応じた量、前記原版と基板との相対位置を補正することを特徴とする露光方法。
9. 原版のパターンを投影光学系を介して基板に投影し、該投影光学系の光軸に対し前記原版と基板を同期して移動することにより前記原版のパターンを前記基板に露光する露光方法であって、
   前記原版と基板とを同期して移動させながら、前記原版と前記基板とのアライメント計測を行うためのアライメント光学系により、前記投影光学系を介して前記原版と基板とのアライメント計測を行う際、前記移動の速度に応じた量、前記アライメント計測による計測値を補正することを特徴とする露光方法。
10. 請求項１乃至７のいずれか１つに記載の露光装置または請求項８もしくは９に記載の露光方法を用いて基板を露光するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。

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