JP2014110408A - 露光方法、露光装置および物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スリット光が入射する基板上の領域における露光量の分布を調整可能な照明光学系を含み、前記スリット光により前記基板を走査露光する露光装置における露光方法は、前記基板の表面形状を計測する計測工程と、前記基板上における複数の位置にそれぞれ転写されるパターンの線幅の誤差がそれぞれ許容範囲に収まるように、少なくとも前記走査露光における走査方向と異なる第1方向に沿った各位置における目標露光量の分布を前記表面形状に基づいて決定する決定工程と、各位置における露光量が前記目標露光量になるように、前記第1方向における前記基板の露光量の分布を前記照明光学系において調整する調整工程と、前記調整された露光量の分布に基づいて、前記基板を走査露光する露光工程と、を含む。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態の露光装置100について、図1を参照しながら説明する。第1実施形態の露光装置100は、スリット光により基板を走査露光する露光装置であり、照明光学系1と、アライメントスコープ2と、投影光学系4と、基板ステージ17と、計測部18と、制御系19とを含む。また、原版3は、アライメントスコープ2と投影光学系4との間に配置されており、基板16は、基板ステージ17に保持されている。
本発明の第2実施形態の露光装置200について、図6を参照しながら説明する。第2実施形態の露光装置200は、第1実施形態の露光装置100と比較して、スリット光の入射領域における露光量の分布を調整する方法が異なっている。露光装置200では、スリット光の入射領域において、走査方向と異なる第1方向(X方向)における露光量の分布が調整可能になるように、複数の光源(光源アレイ21)がスリット規定部材9におけるスリット形状に基づいて配置されている。例えば、当該スリット形状が円弧状であれば、光源アレイ21における複数の光源も円弧状に配列される。そして、露光装置200は、スリット規定部材9におけるスリット幅でなく、各光源から射出される光の強度を制御系19によりそれぞれ制御して、スリット光の入射領域における露光量の分布を調整している。
本発明の第3実施形態の露光装置300について、図7を参照しながら説明する。第3実施形態の露光装置300は、第1実施形態の露光装置100と比較して、スリット光の入射領域における露光量の分布を調整する方法が異なっている。露光装置300では、照明光学系1に、平面鏡11として、光源5から射出された光の方向を変える複数のミラーを有するデジタルミラーデバイス(DMD)23を含んでいる。そして、露光装置300は、DMD23に含まれる各ミラーにおける光の反射方向を制御系19により個別に制御して、スリット光の入射領域における露光量の分布を調整している。
本発明の実施形態にかける物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の走査露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (8)
- スリット光が入射する基板上の領域における露光量の分布を調整可能な照明光学系を含み、前記スリット光により前記基板を走査露光する露光装置における露光方法であって、
前記基板の表面形状を計測する計測工程と、
前記基板上における複数の位置にそれぞれ転写されるパターンの線幅の誤差がそれぞれ許容範囲に収まるように、少なくとも前記走査露光における走査方向と異なる第1方向に沿った各位置における目標露光量の分布を前記表面形状に基づいて決定する決定工程と、
各位置における露光量が前記目標露光量になるように、前記第1方向における前記基板の露光量の分布を前記照明光学系において調整する調整工程と、
前記調整された露光量の分布に基づいて、前記基板を走査露光する露光工程と、
を含む、ことを特徴とする露光方法。 - 前記照明光学系は、前記スリット光における前記走査方向の幅を変更することにより、前記第1方向の露光量の分布を調整する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記照明光学系は、前記スリット光を規定する第1ブレードと複数の第2ブレードとを含み、前記第1ブレードに対して各第2ブレードを前記走査方向に移動させることにより、前記スリット光における前記走査方向の幅を変更する、ことを特徴とする請求項2に記載の露光方法。
- 前記照明光学系は、複数の光源を含み、各光源から射出される光の強度を変更することにより前記第1方向の露光量の分布を調整する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記照明光学系は、光源から射出された光の方向を変える複数のミラーを有するデジタルミラーデバイスを含み、各ミラーの角度を個別に変更することにより前記第1方向の露光量の分布を調整する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記露光工程では、前記領域における光軸方向の平均位置がベストフォーカス位置になるように前記基板の前記光軸方向の位置を変えながら走査露光する、ことを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の露光方法。
- スリット光により基板を走査露光する露光装置であって、
前記スリット光が入射する前記基板上の領域における露光量の分布を調整可能な照明光学系と、
前記基板の表面形状を計測する計測部と、
前記基板上における複数の位置にそれぞれ転写されるパターンの線幅の誤差がそれぞれ許容範囲に収まるように、少なくとも前記走査露光における走査方向と異なる第1方向に沿った各位置における目標露光量の分布を前記表面形状に基づいて決定する決定部と、
各位置における露光量が前記目標露光量になるように、前記第1方向における前記基板の露光量の分布を前記照明光学系において調整する調整部と、
を含む、ことを特徴とする露光装置。 - 請求項7に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップで露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012265667A JP6139870B2 (ja) | 2012-12-04 | 2012-12-04 | 露光方法、露光装置および物品の製造方法 |
KR1020130142629A KR101783076B1 (ko) | 2012-12-04 | 2013-11-22 | 노광 방법, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012265667A JP6139870B2 (ja) | 2012-12-04 | 2012-12-04 | 露光方法、露光装置および物品の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014110408A true JP2014110408A (ja) | 2014-06-12 |
JP2014110408A5 JP2014110408A5 (ja) | 2016-03-31 |
JP6139870B2 JP6139870B2 (ja) | 2017-05-31 |
Family
ID=51030852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012265667A Expired - Fee Related JP6139870B2 (ja) | 2012-12-04 | 2012-12-04 | 露光方法、露光装置および物品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6139870B2 (ja) |
KR (1) | KR101783076B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102348108B1 (ko) | 2015-10-05 | 2022-01-10 | 주식회사 미코세라믹스 | 온도 편차 특성이 개선된 기판 가열 장치 |
JP7260959B2 (ja) * | 2018-03-16 | 2023-04-19 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、照明装置及び物品の製造方法 |
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JP2012227526A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Asml Netherlands Bv | オブジェクトによる使用のために放射ビームを調整するための光学装置、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4485282B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2010-06-16 | シャープ株式会社 | 露光装置、露光量制御方法、露光量制御プログラムとその記録媒体 |
-
2012
- 2012-12-04 JP JP2012265667A patent/JP6139870B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-11-22 KR KR1020130142629A patent/KR101783076B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2007145139A1 (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Nikon Corporation | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2012227526A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Asml Netherlands Bv | オブジェクトによる使用のために放射ビームを調整するための光学装置、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6139870B2 (ja) | 2017-05-31 |
KR20140071902A (ko) | 2014-06-12 |
KR101783076B1 (ko) | 2017-09-28 |
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A621 | Written request for application examination |
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