JP2008292801A - 露光装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 大型液晶表示パネル用の投影露光装置では装置の大型化に伴い光学部品の自重変形による性能変化が無視できなくなってきた。また、大型化に伴い面誤差やメカ歪による性能変化も無視できなくなってきた。
【解決手段】 原版1を照明する照明光学系と、該原版からの光を基板2に投影する投影光学系3、5〜9とを有し、該原版および該基板を前記投影光学系の光軸断面内の一方向に走査させながら該原版および前記投影光学系を介して該基板を露光する露光装置において、前記投影光学系内の光学部品3、9を保持する手段4、10による保持位置を前記投影光学系の光軸断面内で変更することにより像性能を調整する機構11、12を設ける。
【選択図】 図1
【解決手段】 原版1を照明する照明光学系と、該原版からの光を基板2に投影する投影光学系3、5〜9とを有し、該原版および該基板を前記投影光学系の光軸断面内の一方向に走査させながら該原版および前記投影光学系を介して該基板を露光する露光装置において、前記投影光学系内の光学部品3、9を保持する手段4、10による保持位置を前記投影光学系の光軸断面内で変更することにより像性能を調整する機構11、12を設ける。
【選択図】 図1
Description
本発明は、露光装置および露光方法に関するもので、光学部品の自重変形を制御することでマスクパターンを感光性基板に精度よく投影露光する露光装置および露光方法に関するものである。
液晶表示パネルは、マスクのパターンを感光性基板に転写しフォトリソグラフィの手法により製造される。マスクパターンを転写する行程では、微細なパターン像を結像させるため高精度な投影露光装置が用いられる。
近年の液晶表示パネルの大型化に伴い、投影露光装置の露光領域の拡大が望まれている。特に特許文献1に記載された結像光学系においては、露光領域を拡大するために、結像光学系に用いる光学部品を大型化させる必要がある。光学部品が大型化するに伴い、部品の自重変形量も大きくなる。
USP 4688904
近年の液晶表示パネルの大型化に伴い、投影露光装置の露光領域の拡大が望まれている。特に特許文献1に記載された結像光学系においては、露光領域を拡大するために、結像光学系に用いる光学部品を大型化させる必要がある。光学部品が大型化するに伴い、部品の自重変形量も大きくなる。
光学部品の大型化に伴い光学部品の自重変形による像性能への影響も大きくなる。
図2−1は結像光学系に用いられている透過型光学部品の保持位置を示しており、斜め下方向から見た保持位置を示している。光学部品は扇型の形状をしており、有効径外の3点で保持している。いわゆる3点支持である。
図3は光学部品が図2−1の位置で保持された時の自重による形状変化を斜め上方向から見た状態を等高線で表している。
図2−1は結像光学系に用いられている透過型光学部品の保持位置を示しており、斜め下方向から見た保持位置を示している。光学部品は扇型の形状をしており、有効径外の3点で保持している。いわゆる3点支持である。
図3は光学部品が図2−1の位置で保持された時の自重による形状変化を斜め上方向から見た状態を等高線で表している。
図4−1は図3で発生した形状変形によって発生するディストーションの変化量を表している。横軸は露光領域を示しており、本例では±400mmがX方向(スキャン垂直方向)の露光領域である。縦軸はディストーションの発生量を示している。実線は露光領域のX方向(スキャン垂直方向)のディストーションの発生量を示し、点線は露光領域のY方向(スキャン方向)のディストーションの発生量を示している。横軸に平行な2本の太実線は高精度なパターニングを行うのに必要なディストーションの許容値を示しており、自重変形で発生するディストーションは許容できないものとなっている。
本発明は上記に示したとおり、光学部品の自重変形によって発生する結像光学系の性能劣化を補正できる露光装置および露光方法の提供を目的としている。
上記の課題を解決するため、本発明の露光装置は、原版を照明する照明光学系と、該原版からの光を基板に投影する投影光学系とを有し、該原版および該基板を前記投影光学系の光軸断面内の一方向に走査させながら該原版および前記投影光学系を介して該基板を露光する露光装置であって、前記投影光学系内の光学部品を保持する手段による保持位置を前記投影光学系の光軸断面内で変更することにより像性能を調整する機構を有することを特徴とする。
本発明において、「光軸断面」とは、光軸を切断する面、すなわち、光軸に交差する面を意味している。
本発明において、「光軸断面」とは、光軸を切断する面、すなわち、光軸に交差する面を意味している。
本発明によれば、装置の大型化に伴う光学部品の自重変形による像性能への影響を抑えることができる。また、光学部品の保持変更により自重変形量を調整することで高性能な投影露光が可能となる。
本発明の好ましい実施の形態において、本発明は、いわゆる走査型の露光装置に適用される。この露光装置は、原版を照明する照明光学系と、該原版からの光を基板に投影する投影光学系とを有し、該原版および該基板を前記投影光学系の光軸断面内の一方向に走査させながら該原版および前記投影光学系を介して該基板を露光するものである。
そして、本実施形態では、前記投影光学系内の光学部品を保持する手段による保持位置を前記投影光学系の光軸断面内で変更することにより像性能を調整する機構を有する。
本実施形態によれば、光学部品の保持位置を可変可能とし、発生する光学部品の自重変形により光学性能を向上させることができる。
そして、本実施形態では、前記投影光学系内の光学部品を保持する手段による保持位置を前記投影光学系の光軸断面内で変更することにより像性能を調整する機構を有する。
本実施形態によれば、光学部品の保持位置を可変可能とし、発生する光学部品の自重変形により光学性能を向上させることができる。
ここで、前記保持手段は、例えば、前記光学部品の重量を3点支持することにより前記光学部品を保持するものである。そして、前記像性能調整機構は前記保持手段による前記3つの支持点のうち少なくとも1点を前記光軸断面内で移動可能にするものである。
また、光学系の性能を計測する手段を備え、計測した情報をもとに光学系内の光学部品の保持位置を可変可能としてもよい。発生する光学部品の自重変形により光学性能(または像性能)を向上させることができる。
また、像性能を自動調整するためには、前記投影光学系の像性能を計測する手段と、計測した情報をもとに前記支持点のうち少なくとも1点を前記光軸断面内で駆動する手段とを設けると良い。
支持点(または保持位置)の移動方向は、例えば前記走査方向と直交する方向である。
また、光学系の性能を計測する手段を備え、計測した情報をもとに光学系内の光学部品の保持位置を可変可能としてもよい。発生する光学部品の自重変形により光学性能(または像性能)を向上させることができる。
また、像性能を自動調整するためには、前記投影光学系の像性能を計測する手段と、計測した情報をもとに前記支持点のうち少なくとも1点を前記光軸断面内で駆動する手段とを設けると良い。
支持点(または保持位置)の移動方向は、例えば前記走査方向と直交する方向である。
また、本実施形態では、前記保持手段は、前記投影光学系の瞳に対して物体側の光学部品の自重変形と瞳に対して像側の光学部品の自重変形が、瞳に対して対称になるように光学部品を保持することが好ましい。
特に特許文献1に記載された結像光学系(投影光学系)に本発明を適用する場合は、瞳の像側と物体側に等距離で配置される同一形状の光学部品の自重変形が、瞳に対して対称になるように光学部品を保持している。この場合、投影光学系の投影倍率は1である。
特に特許文献1に記載された結像光学系(投影光学系)に本発明を適用する場合は、瞳の像側と物体側に等距離で配置される同一形状の光学部品の自重変形が、瞳に対して対称になるように光学部品を保持している。この場合、投影光学系の投影倍率は1である。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
[実施例1]
本発明の実施例1について図を用いて説明する。
図1は本発明を適用した大型液晶表示パネル投影露光装置の投影光学系を示す図である。マスク(原版)1のパターンは照明系によって照明される。マスク1とプレート(感光性の基板)2とを同期して矢印(左右点線)の方向にスキャン(走査)しスキャン露光を行う。マスク1を透過した光線は非球面レンズ3を透過し、台形ミラー5および凹面ミラー6によって反射される。次いでメニスカスレンズ7を透過し凸面鏡8によって反射する。反射した光線はメニスカスレンズ7、凹面ミラー6、台形ミラー5の順で光学部品を透過、反射を行い、下側の光学部品9を透過する。光学部品9は瞳に対して非球面レンズ3と対称な形をした非球面レンズである。以上により、マスク1のパターンであるマスクパターンを透過した光はプレート(基板)2に結像される。
[実施例1]
本発明の実施例1について図を用いて説明する。
図1は本発明を適用した大型液晶表示パネル投影露光装置の投影光学系を示す図である。マスク(原版)1のパターンは照明系によって照明される。マスク1とプレート(感光性の基板)2とを同期して矢印(左右点線)の方向にスキャン(走査)しスキャン露光を行う。マスク1を透過した光線は非球面レンズ3を透過し、台形ミラー5および凹面ミラー6によって反射される。次いでメニスカスレンズ7を透過し凸面鏡8によって反射する。反射した光線はメニスカスレンズ7、凹面ミラー6、台形ミラー5の順で光学部品を透過、反射を行い、下側の光学部品9を透過する。光学部品9は瞳に対して非球面レンズ3と対称な形をした非球面レンズである。以上により、マスク1のパターンであるマスクパターンを透過した光はプレート(基板)2に結像される。
図1の4および10は上下の非球面レンズを保持している保持機構(保持手段)を示しており、非球面レンズ3を図2−1および図2−2に示す点21、22、23の3つの支持点で支持(保持)する。点21は固定であるが、点22、23の2つの支持点は、光軸断面内で変化させることができる。11、12は支持点を変更させるための制御系を示している。
図2−1は瞳から物点側の非球面レンズ(上側の非球面レンズ)3(図1)の保持位置(支持点)を示しており、斜め下方向から見た保持位置を示している。本実施例では非球面レンズは扇型の形状をしており、有効径外の3点(21、22、23)で支持している。21は扇型の頂点付近での支持点を示しており、22および23は扇型の底辺付近の有効径より外の領域で支持点21からほぼ等間隔の位置の保持点を示している。
瞳から物点側の非球面レンズ保持機構(図1の4)は、図2−2に示すように保持位置22、23が扇型の底辺に沿って駆動可能な機構となっている。
図3は非球面レンズ3が図2−1または図2−2の位置で保持された時の自重による形状変化を斜め上方向から見た状態を等高線で表している。21の位置で山形になり22、23に向かうにつれて一度谷形状になり、22、23より外側では跳ね上がる形状となっている。この形状は非球面レンズの形状によって異なる。形状とは、本例の場合は扇型の形状で変形量を示しているが台形の場合や長方形の場合のことであり、また非球面レンズの厚さや材質によっても変形量は異なる。
図3は非球面レンズ3が図2−1または図2−2の位置で保持された時の自重による形状変化を斜め上方向から見た状態を等高線で表している。21の位置で山形になり22、23に向かうにつれて一度谷形状になり、22、23より外側では跳ね上がる形状となっている。この形状は非球面レンズの形状によって異なる。形状とは、本例の場合は扇型の形状で変形量を示しているが台形の場合や長方形の場合のことであり、また非球面レンズの厚さや材質によっても変形量は異なる。
図4−1は図3で発生した形状変形によって発生するディストーションの変化量を表している。横軸は露光領域を示しており、本例では±400mmが露光領域である。縦軸はディストーションの発生量を示している。実線は露光領域のX方向(スキャン垂直方向)のディストーションの発生量を示し、点線は露光領域のY方向(スキャン方向)のディストーションの発生量を示している。横軸に平行な2本の太実線は高精度なパターニングを行うのに必要なディストーションの許容幅を示しており、自重変形で発生するディストーションは許容できないものとなっている。
図4−2は図3で発生した形状変形によって発生する非点収差の変化量を示している。横軸は図4−1と同じで縦軸はH線(横線)−V線(縦線)のフォーカス差(HV非点収差)を示している。横軸に平行な2本の太実線は高精度なパターニングを行うのに必要な非点収差の許容幅を示しており、自重変形で発生する非点収差は許容できるものとなっている。
図5−1は瞳から像点側の非球面レンズ9(図1)の保持位置を示しており、斜め下方向から見た保持位置を示している。非球面レンズは扇型の形状をしており、有効径外の3点(31、32、33)で保持している。31は扇型の底辺の中心付近での保持点を示している。32、33は、カマボコ型の曲線付近にあり、31からほぼ等距離の有効径外の位置での保持点を示している。非球面レンズ保持機構10(図1)は、図5−2に示すように32、33が扇型の曲率に沿って駆動可能な機構となっている。
図6は非球面レンズが図5の位置で保持された時の自重による形状変化を斜め上方向から見た状態を等高線で表している。31の位置で山形になり32、33に向かうにつれて一度谷形状になり、32、33より外側では跳ね上がる形状となっている。瞳から像点側の非球面レンズ変形は、自重変形による変化量が図3で示した瞳から物点側の非球面レンズの形状変形と逆の形状変形が発生しているという特徴がある。
一方、図3と図6の変形は、瞳基準で考えると、瞳に対して対称な変形をしていることになる。
図7−1は図6で発生した形状変形によって発生するディストーションの変化量を表している。横軸は露光領域を示しており、本例では±400mmが露光領域である。縦軸はディストーションの発生量を示している。実線は露光領域のX方向(スキャン垂直方向)のディストーションの発生量を示し、点線は露光領域のY方向(スキャン方向)のディストーションの発生量を示している。横軸に平行な2本の太実線は高精度なパターニングを行うのに必要なディストーションの許容幅を示しており、自重変形で発生するディストーションは許容できないものとなっている。本ディストーション発生形状の特徴は、図4で示した瞳より物体側の非球面レンズの変形によって発生するディストーションの逆のディストーションが発生しているという特徴を示している。
図7−1は図6で発生した形状変形によって発生するディストーションの変化量を表している。横軸は露光領域を示しており、本例では±400mmが露光領域である。縦軸はディストーションの発生量を示している。実線は露光領域のX方向(スキャン垂直方向)のディストーションの発生量を示し、点線は露光領域のY方向(スキャン方向)のディストーションの発生量を示している。横軸に平行な2本の太実線は高精度なパターニングを行うのに必要なディストーションの許容幅を示しており、自重変形で発生するディストーションは許容できないものとなっている。本ディストーション発生形状の特徴は、図4で示した瞳より物体側の非球面レンズの変形によって発生するディストーションの逆のディストーションが発生しているという特徴を示している。
図7−2は図6で発生した形状変形によって発生する非点収差の変化量を示している。横軸は図7−2と同じで縦軸はH線(横線)−V線(縦線)のフォーカス差(HV非点収差)を示している。横軸に平行な2本の太実線は高精度なパターニングを行うのに必要な非点収差の許容幅を示しており、自重変形で発生する非点収差は許容できるものとなっている。本非点収差の発生形状の特徴は、図4−2で示した瞳より物体側の非球面レンズの変形によって発生する非点収差と同一方向の非点収差が発生しているという特徴をもっている。
本実施例では非球面レンズの保持方法を規定しており、本実施例の保持方法で非球面レンズを保持している時には、図4と図7のディストーション形状の特性が足し合わされたディストーション特性を示す。
図8−1は本実施例の保持方法で非球面レンズを保持した時の結像光学系のディストーション特性を示している。実線は露光領域のX方向(スキャン垂直方向)のディストーションの発生量を示し、点線は露光領域のY方向(スキャン方向)のディストーションの発生量を示している。横軸に平行な2本の太実線は高精度なパターニングを行うのに必要なディストーションの許容幅を示しており、上の非球面レンズ3と下の非球面レンズ9の自重変形で発生したディストーションがキャンセルされ、許容値を満たしていることがわかる。
図8−1は本実施例の保持方法で非球面レンズを保持した時の結像光学系のディストーション特性を示している。実線は露光領域のX方向(スキャン垂直方向)のディストーションの発生量を示し、点線は露光領域のY方向(スキャン方向)のディストーションの発生量を示している。横軸に平行な2本の太実線は高精度なパターニングを行うのに必要なディストーションの許容幅を示しており、上の非球面レンズ3と下の非球面レンズ9の自重変形で発生したディストーションがキャンセルされ、許容値を満たしていることがわかる。
図8−2は、本実施例の保持方法で非球面レンズを保持した時の非点収差の特性を示している。横軸に平行な2本の太実線は高精度なパターニングを行うのに必要な非点収差の許容幅を示しており、瞳より物体側の非球面レンズと瞳より像側の非球面レンズの自重変形で発生した非点収差が足し合わさっても、許容値を満たしていることがわかる。
このように、複数の光学部品の光軸断面内での保持位置を最適化することで光学部品の自重変形による性能変化を許容値以下に制御することができる。また、面の加工誤差やメカ歪によって発生する性能変化も、光学部品の光軸断面内で保持位置を変え、自重変形を発生・制御することで高精度なパターニングを行うのに必要な性能をもつ露光装置を提供できる。
特に瞳に対称な光学系では、瞳の物体側の光学部品と像側の光学部品が存在するので、それら2つの光学部品の変形が瞳に対して対称になるような保持を行うことで、高性能な露光装置を提供することができる。
特に瞳に対称な光学系では、瞳の物体側の光学部品と像側の光学部品が存在するので、それら2つの光学部品の変形が瞳に対して対称になるような保持を行うことで、高性能な露光装置を提供することができる。
[実施例2]
図9はディストーションと非点収差を装置上で測定する装置を搭載し、光学部品の保持位置を自動的に最適化する実施例2の装置の概略図である。13は結像光学系内のディストーションと非点収差を測定する像性能計測装置で、例えばマスク1面上のパターンとプレート2上におかれた基準プレートのパターンの位置誤差を検出し、露光領域内のフォーカス誤差を検出する。像性能計測装置13には瞳から物体側の光学部品3と瞳から像側の光学部品9の保持位置を変える事で変化する像性能が記憶されている。そして、計測したディストーション、非点収差の量に応じて、各性能が許容値を満足させる光学部品の保持位置が算出できる。計算された保持位置は保持点を制御している11、12に指示され、保持機構4、10が駆動される。
図9はディストーションと非点収差を装置上で測定する装置を搭載し、光学部品の保持位置を自動的に最適化する実施例2の装置の概略図である。13は結像光学系内のディストーションと非点収差を測定する像性能計測装置で、例えばマスク1面上のパターンとプレート2上におかれた基準プレートのパターンの位置誤差を検出し、露光領域内のフォーカス誤差を検出する。像性能計測装置13には瞳から物体側の光学部品3と瞳から像側の光学部品9の保持位置を変える事で変化する像性能が記憶されている。そして、計測したディストーション、非点収差の量に応じて、各性能が許容値を満足させる光学部品の保持位置が算出できる。計算された保持位置は保持点を制御している11、12に指示され、保持機構4、10が駆動される。
上述の実施例によれば、光学部品の自重変形を制御することで露光装置の性能を向上させることができる。
特に瞳に対して対称な光学系では、瞳に対して対称な位置にある光学部品が瞳に対して対称な変形を起こすような保持位置で光学部品を保持することで、露光装置の性能を向上させることができる。
特に瞳に対して対称な光学系では、瞳に対して対称な位置にある光学部品が瞳に対して対称な変形を起こすような保持位置で光学部品を保持することで、露光装置の性能を向上させることができる。
また、瞳に対して対称でない光学系においても、光学部品の保持位置を調整すれば、露光装置の性能を向上させることができる。例えば、瞳に対して物体側の光学部品の自重変形に対する像性能変化の敏感度テーブルと、瞳に対して像側の光学部品の自重変形に対する像性能変化の敏感度テーブルから光学部品の保持位置を調整する。
さらに光学部品の自重変形に対する性能変化の敏感度を装置にもたせ、自己計測を行い光学部品の保持位置を自動制御することで、自動性能調整機構を保持した露光装置にすることができる。
さらに光学部品の自重変形に対する性能変化の敏感度を装置にもたせ、自己計測を行い光学部品の保持位置を自動制御することで、自動性能調整機構を保持した露光装置にすることができる。
上述の実施例においては、大型液晶表示パネル投影露光装置について記しているが、本発明は、半導体向けやEUVの露光装置等の結像光学系においても応用することができる。
また、上述の実施例では非球面レンズ(透過型の光学部品)の保持について記した。反射型の光学部品についても自重による変形が発生するため、反射型の光学部品についても保持位置を駆動させることで装置の性能をコントロールさせることができる。
また、上述の実施例では非球面レンズ(透過型の光学部品)の保持について記した。反射型の光学部品についても自重による変形が発生するため、反射型の光学部品についても保持位置を駆動させることで装置の性能をコントロールさせることができる。
[デバイス製造方法の実施例]
次に、図10および図11を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図10は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてマスク(原版またはレチクルともいう)を製作する。ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ(基板ともいう)を製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組立)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップ7)される。
次に、図10および図11を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図10は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてマスク(原版またはレチクルともいう)を製作する。ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ(基板ともいう)を製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組立)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップ7)される。
図11は、ステップ4のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)では、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では、露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップ17(現像)では、露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
1 マスク(原版)
2 プレート(感光性基板)
3、9 非球面レンズ(光学部品)
4、10 保持機構
5 台形ミラー
6 凹面ミラー
7 メニスカスレンズ
8 凸面鏡
11、12 制御系
13 像性能計測装置
21、22、23、31、32、33 支持点(保持位置)
2 プレート(感光性基板)
3、9 非球面レンズ(光学部品)
4、10 保持機構
5 台形ミラー
6 凹面ミラー
7 メニスカスレンズ
8 凸面鏡
11、12 制御系
13 像性能計測装置
21、22、23、31、32、33 支持点(保持位置)
Claims (7)
- 原版を照明する照明光学系と、該原版からの光を基板に投影する投影光学系とを有し、該原版および該基板を前記投影光学系の光軸断面内の一方向に走査させながら該原版および前記投影光学系を介して該基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系内の光学部品を保持する手段による保持位置を前記投影光学系の光軸断面内で変更することにより像性能を調整する機構を有することを特徴とする露光装置。 - 前記保持手段は、前記光学部品の重量を3点支持することにより前記光学部品を保持し、前記像性能調整機構は前記保持手段による前記支持点のうち少なくとも1点を前記光軸断面内で移動するものであることを特徴とする請求項1に記載の投影露光装置。
- 前記像性能調整機構は、前記投影光学系の像性能を計測する手段と、計測した情報をもとに前記保持手段による前記支持点のうち少なくとも1点を前記光軸断面内で駆動する手段とを有することを特徴とする請求項2に記載の投影露光装置。
- 前記投影光学系の投影倍率が1であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の露光装置。
- 前記保持手段は、前記投影光学系の瞳に対して物体側の光学部品の自重変形と瞳に対して像側の光学部品の自重変形が、瞳に対して対称になるように光学部品を保持することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の投影露光装置。
- 照明光学系により原版を照明し、該原版からの光を投影光学系によって基板に投影し、該原版および該基板を前記投影光学系の光軸断面内の一方向に走査させながら該原版および前記投影光学系を介して該基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系内の光学部品を保持する手段による保持位置を前記投影光学系の光軸断面内で変更することにより像性能を調整することを特徴とする露光方法。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の露光装置または請求項6に記載の露光方法を用いて基板を露光するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
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