JP6015930B2 - 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 115
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 31
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 19
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 17
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 219
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 7
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Claims (19)
- 光学系を介してエネルギビームを基板に照射し、所定のパターンの像を前記基板上の複数の区画領域にそれぞれ形成する露光方法であって、
複数のピン状の支持部材を有する保持部材に前記複数の支持部材を介して保持された前記基板表面の平面度を計測することと、
前記平面度の計測結果に基づいて、前記基板上の複数の区画領域のうちの少なくとも1つについて、複数の分割領域を決定することと、
決定された前記複数の分割領域に応じて前記パターンが少なくとも2分割された複数の部分パターンの像のそれぞれで、各分割領域をそれぞれ走査露光することにより、前記複数の部分パターンの像が繋ぎ合わされた前記パターンの像を前記保持部材に保持された前記基板上の前記少なくとも1つの区画領域に形成することと、を含み、
前記複数の部分パターンの像のそれぞれで、各分割領域をそれぞれ走査露光することは、前記部分パターンの像に対する前記各分割領域の合焦状態を調整しながら行われ、
前記部分パターンの像に対する前記各分割領域の合焦状態の調整は、前記複数の支持部材の少なくとも一部を前記光学系の光軸方向に駆動することを含む露光方法。 - 前記部分パターンの像に対する前記各分割領域の合焦状態の調整は、前記保持部材の前記光軸方向及び前記光軸に直交する平面に対する傾斜を調整することをさらに含む請求項1に記載の露光方法。
- 前記部分パターンの像に対する前記各分割領域の合焦状態の調整は、前記光学系の結像特性を調整することをさらに含む請求項2に記載の露光方法。
- 複数の分割領域の決定及び前記複数の部分パターンの像が繋ぎ合わされた前記パターンの像の形成は、平坦度が許容値を超えて悪化した前記基板上の区画領域に対して行われ、その他の区画領域に対しては、前記所定のパターンの像の前記基板上での焦点ずれを調整しながら前記所定のパターンの像を基板上に形成することが行われる請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記平坦度が許容値を超えて悪化した前記基板上の区画領域について、2つの分割領域が決定される場合、区画領域内の平均平面の面位置からの乖離量が最大となる面位置の点を含む境界線を境として前記2つの分割領域が決定される請求項4に記載の露光方法。
- 前記2つの分割領域の決定は、本決定に先立って仮決定することを含み、
仮決定された2つの分割領域は、各分割領域の全面を前記走査露光中に前記複数の部分パターンの像の結像面に合致させることができる場合に本決定される請求項5に記載の露光方法。 - 前記仮決定された2つの分割領域は、各分割領域の全面を前記走査露光中に前記複数の部分パターンの像の結像面に合致させることができない場合、その仮決定の対象となった前記区画領域については、分割後の各分割領域の全面を前記走査露光中に前記複数の部分パターンの像の結像面に合致させることができるように3つ以上の分割領域が決定される請求項6に記載の露光方法。
- 前記基板は、前記複数の部分パターンの像のそれぞれで、各分割領域をそれぞれ走査露光する度に、前記走査方向に関する移動方向が反転される請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記エネルギビームが照射される前記基板の面と共役な面内の照明領域内部の前記非走査方向に関する照度分布を、前記部分パターンの像それぞれに応じて変更する請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光方法。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光方法により、基板上の複数の区画領域にそれぞれ前記所定のパターンの像を形成することと、
前記パターンの像が形成された前記基板を現像することと、
を含むデバイス製造方法。 - 光学系を介してエネルギビームを基板に照射し、所定のパターンの像を前記基板上の複数の区画領域にそれぞれ形成する露光装置であって、
基板を保持部材を介して保持し、少なくとも所定の走査方向に移動する移動体と、
前記基板が前記保持部材上に保持された状態で、前記基板表面の平面度を計測する計測系と、
前記平面度の計測結果に基づいて、前記基板上の複数の区画領域のうちの少なくとも1つについて、複数の分割領域を決定する決定装置と、
決定された前記複数の分割領域に応じて前記パターンが少なくとも2分割された複数の部分パターンの像のそれぞれに対して前記基板を前記走査方向に前記移動体を介して走査することで、前記複数の部分パターンの像が繋ぎ合わされた前記パターンの像を前記保持部材に保持された前記基板上の前記少なくとも1つの区画領域に形成する制御系と、を備え、
前記計測系は、複数の検出点を有し、前記保持部材上に保持された前記基板表面の前記光学系の光軸方向の位置を前記複数の検出点で検出する面位置検出系を含み、
前記保持部材は、前記基板の裏面を支持する複数のピン状の支持部材と、該複数の支持部材の少なくとも一部を前記光軸方向に駆動可能な駆動部とを有し、
前記制御系は、前記複数の部分パターンの像のそれぞれに対して前記基板を前記走査方向に前記移動体を介して走査する際に、その部分パターンの像に対する前記各分割領域の合焦状態を、前記計測系及び前記駆動部を用いて調整する露光装置。 - 前記保持部材を、前記光軸方向及び前記光軸に直交する平面に対する傾斜方向に駆動する駆動装置をさらに備え、
前記制御系は、前記複数の部分パターンの像のそれぞれに対して前記基板を前記走査方向に前記移動体を介して走査する際に、その部分パターンの像に対する前記各分割領域の合焦状態を、前記駆動装置をさらに用いて調整する請求項11に記載の露光装置。 - 前記光学系の結像特性を調整する結像特性調整装置をさらに備え、
前記制御系は、前記複数の部分パターンの像のそれぞれに対して前記基板を前記走査方向に前記移動体を介して走査する際に、その部分パターンの像に対する前記各分割領域の合焦状態を、前記結像特性調整装置をさらに用いて調整する請求項12に記載の露光装置。 - 前記決定装置は、複数の分割領域の決定を、平坦度が許容値を超えて悪化した前記基板上の区画領域に対して行い、
前記制御系は、前記複数の分割領域の決定がなされた分割領域に対して、前記複数の部分パターンの像が繋ぎ合わされた前記パターンの像の形成を行い、その他の区画領域に対しては、前記所定のパターンの像の前記基板上での焦点ずれを調整しながら前記所定のパターンの像を基板上に形成することを行う請求項11〜13のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記決定装置は、前記平坦度が許容値を超えて悪化した前記基板上の区画領域について、2つの分割領域を決定する場合、区画領域内の平均平面の面位置からの乖離量が最大となる面位置の点を含む境界線を境として前記2つの分割領域を決定する請求項14に記載の露光装置。
- 前記決定装置は、前記2つの分割領域を決定する際に、本決定に先立って仮決定し、仮決定した2つの分割領域の全面を前記走査露光中に前記複数の部分パターンの像の結像面に合致させることができる場合に、前記仮決定した2つの分割領域を本決定する請求項15に記載の露光装置。
- 前記決定装置は、前記仮決定された2つの分割領域の全面を前記走査露光中に前記複数の部分パターンの像の結像面に合致させることができない場合、その仮決定の対象となった前記区画領域については、分割後の各分割領域の全面を前記走査露光中に前記複数の部分パターンの像の結像面に合致させることができるように3つ以上の分割領域を決定する請求項16に記載の露光装置。
- 前記制御系は、前記移動体を前記部分像のそれぞれに対して前記基板を走査する度に、前記走査方向に関する前記移動体の移動方向を反転させる請求項11〜17のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記エネルギビームが照射される前記基板の面と共役な面内の照明領域内部の前記非走査方向に関する照度分布を変更する変更装置をさらに備え、
前記制御系は、前記部分パターンの像それぞれに応じて前記照明領域内部の前記非走査方向に関する照度分布を変更する請求項11〜18のいずれか一項に記載の露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012268366A JP6015930B2 (ja) | 2012-12-07 | 2012-12-07 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012268366A JP6015930B2 (ja) | 2012-12-07 | 2012-12-07 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014116406A JP2014116406A (ja) | 2014-06-26 |
JP6015930B2 true JP6015930B2 (ja) | 2016-10-26 |
Family
ID=51172121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012268366A Active JP6015930B2 (ja) | 2012-12-07 | 2012-12-07 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6015930B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102567319B1 (ko) * | 2016-04-28 | 2023-08-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 분할노광 장치 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법 |
JP2018010105A (ja) * | 2016-07-13 | 2018-01-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、および物品製造方法 |
JP7446069B2 (ja) | 2019-09-03 | 2024-03-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
CN114257746A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-03-29 | 深圳市先地图像科技有限公司 | 一种激光直接成像设备曝光图像的方法及相关设备 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1145846A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Nikon Corp | 走査型露光方法及び装置 |
JP4135824B2 (ja) * | 1998-03-04 | 2008-08-20 | 学校法人東京電機大学 | スキャン投影露光方法およびスキャン投影露光装置 |
JP4548969B2 (ja) * | 2001-04-20 | 2010-09-22 | パナソニック株式会社 | 露光装置、及び露光方法 |
JP2006032807A (ja) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009032747A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009164355A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Canon Inc | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2009164356A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Canon Inc | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2010118403A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Canon Inc | 走査型露光装置、及びデバイスの製造方法 |
-
2012
- 2012-12-07 JP JP2012268366A patent/JP6015930B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014116406A (ja) | 2014-06-26 |
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Date | Code | Title | Description |
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