TWI479271B - An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method - Google Patents

An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method Download PDF

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Description

曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
本發明，係關於曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法，進一步詳言之，係關於在用以製造半導體元件、液晶顯示元件等電子元件之微影製程中所使用之曝光裝置及曝光方法，以及使用該曝光裝置及曝光方法之元件製造方法。
一直以來，製造半導體元件或液晶顯示元件等電子元件(微元件)之微影製程，係使用將形成於光罩(reticle、photo mask等)之圖案透過投影光學系統轉印至塗有光阻等感光劑之板件(玻璃板、晶圓等)上的步進重複(step & repeat)方式之曝光裝置(stepper、步進器)、或步進掃描(step & scan)方式之曝光裝置。
近年來，提出了一種不論元件圖案之大小(例如線寬、間距等之微細度)如何，皆不需使用昂貴光罩即能形成元件之無光罩型(不使用固定圖案原版之光罩)之掃描型投影曝光裝置(例如參照專利文獻1)。根據此專利文獻1所記載之掃描型投影曝光裝置，其藉由與基板載台之掃描同步，使可變圖案生成裝置生成之轉印圖案變化，即能容易的生成所欲圖案。此外，由於不同於習知使用光罩之曝光裝置，無須具備光罩載台，因此能實現曝光裝置之低成本化及小型化。
然而，最近發現即便是上述無光罩型、亦即可成形出可變圖案之可變成形光罩(亦稱為主動型光罩(active mask)或影像產生器(image generator))，無論其為透射型或反射型，事實上並不容易獲得所欲形狀、尺寸之圖案。其原因被認為是，即便是在使用可變成形光罩之情形下，以可變成形光罩生成之圖案透過光學系統成像於被曝光面時，會受到各種光學現象，例如光近接效應(OPE：Optical Proximity Effect)、所謂光斑，或光學系統之像差等影響之故。
[專利文獻1]日本特開2000－327660號公報
本發明係在上述背景下完成，其第1觀點之曝光裝置，係以圖案像使物體曝光，其特徵在於，具備：圖案像生成裝置，係對應輸入之設計資料生成圖案像；檢測系統，其以光電方式檢測該所生成之圖案像、或該所生成而形成在物體上之圖案像的至少一部分；以及修正裝置，係根據該檢測結果修正待輸出至該圖案像生成裝置之該設計資料。
據此，以圖案像生成裝置所生成之圖案像、或所生成而形成在物體上之圖案像之至少一部分，即被檢測系統以光電方式加以檢測。然後，修正裝置根據該檢測結果修正待輸出至圖案像生成裝置之設計資料。因此，對應此修正後設計資料之輸入，藉圖案像生成裝置於物體上生成圖案像，以該圖案像使物體曝光，即能以良好精度於物體上形成所欲圖案。
本發明第2觀點之曝光裝置，係以圖案像使物體曝光，其特徵在於，具備：圖案像生成裝置，係對應輸入之設計資料，透過對光之振幅、相位及偏振狀態之至少一者進行空間性調變的可變成形光罩生成圖案像；檢測系統，其以光電方式檢測所生成之圖案像、或所生成而形成在物體上之圖案像的至少一部分；以及控制裝置，係根據檢測結果檢測可變成形光罩之動作狀態。
據此，能簡單的確認安裝於曝光裝置之可變成形光罩之動作狀態，使用可變成形光罩以良好精度將圖案形成在物體上。
本發明第3觀點之元件製造方法，其包含使用本發明之曝光裝置使物體曝光的微影製程。
本發明第4觀點之曝光方法，係以對應輸入之設計資料所生成之圖案像來使物體曝光，其特徵在於；檢測對應該設計資料所生成之圖案像、或該所生成而形成在物體上之圖案像，視該檢測結果修正該設計資料；於該物體之曝光時，使用該修正後之設計資料來生成圖案像。
本發明第5觀點之曝光方法，係以圖案像使物體曝光，其特徵在於：檢測對應輸入之設計資料透過可變成形光罩生成之圖案像、或該所生成而形成在物體上之圖案像；根據該檢測結果，檢測該可變成形光罩之動作狀態。
本發明第6觀點之元件之製造方法，其包含使用本發明之曝光方法使物體曝光的微影製程。
 <第1實施形態>
以下，根據圖1~圖4說明本發明之第1實施形態。圖1中，概略顯示第1實施形態之曝光裝置100的構成。
曝光裝置100，具備照明系統10、光罩裝置12、投影光學系統PL、載台裝置16、以及統籌控制該等之控制系統。此曝光裝置100，係將構成光罩12之一部分之反射型可變成形光罩(電子光罩)VM之圖案像，投影至載台ST(構成載台裝置16之一部分)上所裝載之板件(感光基板)P上，據以進行曝光處理。控制系統包含微電腦，以統籌控制裝置全體之主控制裝置20為中心所構成。又，曝光裝置100，係使可變成形光罩所進行之生成圖案的切換(變更)與板件P之移動同步，以將圖案形成於板件P上的掃描型曝光裝置。
前述照明系統10係以照明光IL進行可變成形光罩VM之均勻照明的系統，具備：含光源及光源控制系統(皆未圖示)的光源系統22、照明光學系統24、反射鏡M、以及聚焦透鏡26等。照明光學系統24，包含可變化照明條件之成形光學系統、光學積分器(照度均勻化構件)、視野光闌、中繼透鏡等(皆未圖示)，以下，以亦包含反射鏡M及聚焦透鏡26之狀態進行說明。
此處，作為光源，例如係使用輸出波長248nm之雷射光的KrF準分子雷射。又，亦可取代KrF準分子雷射，而使用輸出波長193nm之ArF準分子雷射外，或使用輸出紫外線帶之亮線(g線、i線等)之超高壓水銀燈、或例如國際公開第1999/46835號小冊子(對應美國專利7,023,610號)所揭示之半導體雷射等之高諧波產生裝置等，來作為光源。
又，成形光學系統，例如係在照明光學系統24內配置在光學積分器之入射側，且具有包含可更換之光學元件、可動稜鏡、變焦光學系統、及偏振元件等之複數個光學元件，藉由至少一個光學元件之更換或移動等，來變化在照明光IL在照明光學系統24之光瞳面上的強度分佈(2次光源之形狀或/及大小)、亦即變化可變成形光罩VM之照明條件。作為光學積分器係使用例如複眼透鏡，但亦可使用內面反射型積分器或繞射光學元件等。
照明光學系統24，將從形成在複眼透鏡之後側焦點面(照明光學系統24之光瞳面)之2次光源(由多數光源像組成之面光源)射出之照明光IL照射於可變成形光罩VM。亦即，進行波面分割型柯勒(Kohler)照明。又，照明光學系統24，可藉由成形光學系統來使照明條件、例如使相干因數(σ值：來自2次光源之照明光束孔徑數相對投影光學系統之光罩側孔徑數之比)連續可變。
光罩裝置12，係用以生成可變圖案(待投影至載台ST上所裝載之板件P)的電子光罩系統，具備：可變成形光罩VM、支撐(保持)可變成形光罩VM之光罩保持具28、以及控制可變成形光罩VM之動作狀態的光罩驅動系統30。
此處，可變成形光罩VM包含例如非發光型影像顯示元件(空間光調變器：亦稱為Spatial Light Modulator(SLM))之一種的DMD(Deformable Micro－mirror Device、或DigitalMicro－mirror Device)，將入射光以2維排列之元件單元予以反射、偏向，空間性的調變入射至投影光學系統PL之入射光強度(振幅)。
光罩保持具28，可調整所保持之可變成形光罩VM相對投影光學系統PL之姿勢。亦即，可變成形光罩VM可藉由光罩保持具28，在相對圖1中平行於Y軸方向之投影光學系統PLPL之第1光軸AX1、於YZ平面內以角度θ 方向為法線方向之平面2維移動，且能繞與第1光軸AX1相交之法線NL旋轉，近日來能沿該法線NL移動，及/或能相對法線NL之平面傾斜。此時，可變成形光罩VM之位置，係以例如測量光罩保持具28之位置之未圖示的測量裝置(雷射干涉儀、及/或編碼器等)加以測量，將所測量之位置資訊供應至光罩驅動系統30。
光罩驅動系統30，根據所測量之位置資訊調整可變成形光罩VM之位置。又，光罩驅動系統30，可根據從圖案資料生成裝置32輸出之指令及資料使可變成形光罩VM進行顯示動作。具體而言，根據以可變成形光罩VM待形成之影像或圖案資訊，將可變成形光罩VM表面以像素單位排列成2維矩陣狀之各微反射鏡之姿勢，透過設於各該微反射鏡之驅動部以電子方式加以控制。據此，各微反射鏡即在將照明光IL導至曝光光路使其射入投影光學系統PL的ON狀態、與將照明光IL導至非曝光光使其不射入投影光學系統PL的OFF狀態之間進行2元動作，於可變成形光罩VM之至少一部分形成所欲之反射圖案。又，光罩驅動系統30，可根據從圖案資料生成裝置32逐次輸出之圖案資訊，變化待形成於可變成形光罩VM之顯示圖案。據此，能使可變成形光罩VM生成之圖案，與載台ST上裝載之板件P之移動同步適當的變化。
前述投影光學系統PL，包含：含楔形光學元件34、分束器BS、凹面鏡36及複數透鏡等，具有平行於Y軸方向之第1光軸AX1的第1部分光學系統PL1，以及與第1部分光學系統PL1共有分束器BS、具有平行於Z軸方向之第2光軸AX2的第2部分光學系統PL2。第2部分光學系統PL2，係於鏡筒內沿第2光軸AX2排列複數透鏡元件的折射光學系統。投影光學系統PL，其整體為像側遠心之折反射光學系統，將被照明光IL照明之可變成形光罩VM之圖案以投影倍率β(β例如為1/500)縮小投影至配置於被曝光面(像面)上的板件P上。
前述楔形光學元件34，係考量可變成形光罩VM表面相對照明光學系統24及投影光學系統PL雙方之光軸傾斜而設置。亦即，光學元件34，係將被可變成形光罩VM反射之光相對投影光學系統PL之第1光軸AX1的傾角調整為大致零。
投影光學系統PL設有成像特性修正裝置38，此裝置387係將至少一個光學元件，例如將第2部分光學系統PL2之至少一個透鏡元件沿第32光軸AX2移動、且將其相對與第2光軸AX2正交之XY平面傾斜驅動。此成像特性修正裝置38，雖係調整透過投影光學系統PL生成在板件P上之圖案像的成像狀態(投影光學系統PL之成像特性)，但亦可取代移動投影光學系統PL之光學元件的方式，或與該方式組合，而採用例如控制光源系統22以調整照明光IL之波長特性(中心波長、頻譜寬等)的方式。
載台裝置16，具備：可保持作為曝光對象物體之板件(例如玻璃基板、半導體晶圓等)P而移動的載台ST，以及依據來自主控制裝置20之指令控制載台ST之動作狀態(移動等)的載台驅動系統40。
載台ST，能於X軸、Y軸及Z軸方向移動，且能在繞X軸、Y軸及Z軸之旋轉(θX、θY、θZ)方向旋轉，能相對透過投影光學系統PL生成之圖案像以6自由度進行板件P之校準(Alignment)。此外，為了透過可變成形光罩VM及投影光學系統PL以照明光L進行板件P之掃描曝光，載台ST係以所欲速度在XY平面內之既定掃描方向(例如，圖1中紙面內水平方向之Y軸方向)移動，使以可變成形光罩VM生成之圖案(顯示影像)之變化與板件P之移動同步。
載台ST之位置資訊(亦含旋轉資訊)，係以未圖示之位置測量系統(例如，含雷射干涉儀、及/或編碼器，需要時亦含聚焦感測器等)加以測量，供應至主控制裝置20。主控制裝置20，根據此位置資訊驅動載台驅動系統40之馬達等進行板件P之移動及定位。
主控制裝置20，控制照明系統10、光罩裝置20、載台裝置16等之動作，透過投影光學系統PL於板件P上形成以可變成形光罩VM逐次生成之圖案像。此時，主控制裝置20，係一邊使板件P以適當速度移動，並與此同步，透過光罩驅動系統30使可變成形光罩VM生成之圖案捲動(scroll)，據以進行掃描曝光。
此處，若設保持板件P之載台ST之掃描速度為V1的話，以可變成形光罩VM顯示之圖案於掃描方向之顯示速度V2，即為V2＝V/β。因此，投影光學系統PL之投影倍率β為1/500之本實施形態中，可變成形光罩VM之圖案於掃描方向之顯示速度V2，為載台ST之速度V1的500倍。
曝光裝置100，除前述要件外，亦具備：設於載台ST之像檢測器42，用以檢測板件P上所形成之圖案的、例如影像處理方式之圖案檢測系統(顯微鏡)44,46，用以處理從像檢測器42及圖案檢測系統44,46分別輸出之訊號的訊號處理系統48，以及圖案資料生成裝置32等。又，圖案檢測系統44,46分別為離軸方式、TTL方式。
前述像檢測系統42，具有設於載台ST之外殼50、與配置在該外殼50內部之透鏡系統52及CCD2維影像感測器54。外殼50之上壁，係其上面(表面)為像檢測器42之受光面的玻璃板。此玻璃板之上面，與板件P之上面(表面)大致同面高，且就投影光學系統PL與可變成形光罩VM之面為光學共軛之關係。又，玻璃板之上面與CCD2維影像感測器54之攝影面，係透過透鏡系統為光學的共軛關係。因此，當像檢測器42之受光面配置於投影光學系統PL之投影區域(照明光IL之照射區域)時，以可變成形光罩VM生成之圖案之至少一部分透過投影光學系統PL及透鏡系統52之像，即成像於CCD2維影像感測器54上，該像被CCD2維影像感測器54以光電方式檢測出。像檢測器42，將對應圖案像光強度分佈之訊號供應至訊號處理系統48。此外，像檢測器42之一部分，例如CCD2維影像感測器可配置在載台ST之外部，此情形下，可透過光導件或中繼光學系統連接於透鏡系統52。
前述圖案檢測系統44，包含物鏡、以及隔著該物鏡配置在與板件P表面光學上共軛之面的CCD2維影像感測器(未圖示)。此圖案檢測系統44，係拍攝經曝光處理而形成在板件P上之光阻層的圖案像(潛像)、以及/或經曝光及顯影處理而形成在板件P上之圖案像(光阻像)之一部分或全部，將該拍攝訊號供應至訊號處理系統48。
前述圖案檢測系統46，包含物鏡及CCD2維影像感測器(皆未圖示)。CCD2維影像感測器，係透過(隔著)由分束器BS、第2部分光學系統PL2、及物鏡組成之光學系統，配置於與板件P表面光學上共軛之面。此圖案檢測系統46，與圖案檢測系統44同樣的拍攝板件P上之潛像及/或光阻像之一部分或全部，將該拍攝訊號供應至訊號處理系統48。又，此圖案檢測系統46，亦可透過載台ST上之反射面(例如反射板等高反射率構件之表面)及前述光學系統，拍攝以可變成形光罩VM生成之圖案之至少一部分像。此外，圖案檢測系統44,46不僅能分別檢測前述潛像、光阻像，亦能檢測載台ST上之標記(例如板件P之對準標記)等。
前述圖案資料生成裝置32，係將形成圖案像所須資料中之圖案的設計資料(CAD資料)，從工作站等所構成之上位裝置中讀出。又，此圖案資料生成裝置32根據圖案之CAD資料，算出待以可變成形光罩VM生成之基本圖案的光罩圖案(相當於待形成於板件P上之圖案)。此光罩圖案，係預定掃描曝光時之捲動，為時間性格放(coma)的顯示資料。此處，以可變成形光罩VM生成之圖案的捲動速度(顯示速度)，係作為含板件P移動速度等之掃描曝光用參數的一部分，由主控制裝置20加以決定。
又，此圖案資料生成裝置32，例如係透過光罩驅動系統30進行與主控制裝置20間之通訊，主控制裝置20使用像檢測系統42，檢測依據來自圖案資料生成裝置32之顯示資料(例如前述光罩圖案之一部分)以可變成形光罩VM生成之圖案藉投影光學系統PL形成之投影像(空間像)。圖案資料生成裝置32，於檢測時擷取對應從訊號處理系統48輸出之圖案像光強度分佈的訊號並加以解析，算出作為圖案像特性之尺寸、例如算出線寬。
接著，說明使用此圖案資料生成裝置32進行之訊號解析及圖案像線寬之算出(特性檢測)。
圖2中顯示了將形成於板件P上之圖案像PA。此圖2中，可變成形光罩VM能一次形成之圖案像的區域係以符號IA所示之區域，此區域IA即為曝光區域(前述投影區域)。又，以符號IF1所示之區域，代表像檢測器42之拍攝區域(檢測區域)。此外，符號IF2係表示載台ST移動以像檢測器42拍攝圖案PA之其他部分時的拍攝區域。
圖3中，以像位置為橫軸、光強度(能量強度)為縱軸Es，顯示對應拍攝區域IF1內部以符號SD所示副掃描範圍之複數條主掃描線上之光強度訊號(對應主掃描線上之像素列明度值)累積平均值的訊號IS例。又，此圖3中，符號S1、S2、S3代表切割位準(slice level)，此等S1、S2、S3相當於光阻感度之一例。亦即，藉由圖案資料生成裝置32，根據訊號IS與從上位裝置取得之光阻感地資料，例如當光阻感度相當於切割位準S2時，即算出左起第3個線圖案像之線寬為LW2，例如當光阻感度相當於切割位準S1時，即算出左起第3個空間之線圖案像之線寬為LW1。圖案資料生成裝置32，亦以同樣方式算出同一線圖案像之其他部分之線寬以及其他線圖案項之線寬。
又，圖案資料生成裝置32，將該算出之線寬、與例如圖案像PA之投影時供應至光罩驅動系統30之圖案資料(設計資料)中的圖案線寬加以比較，當該算出線寬較設計線寬細時，即修正圖案資料(設計資料)使圖案像PA之線寬變粗。之後，圖案資料生成裝置32將修正後之圖案資料(或修正量資料)儲存至記憶體、或送回至上位裝置。無論如何，圖案資料生成裝置32在實際之曝時，係將該修正後圖案資料供應至光罩驅動系統30。
在此情況中，圖案資料生成裝置32可在每次以像檢測器42檢測圖案像時，進行上述圖資料(設計資料)之修正。不過，並不限於此，例如在根據來自訊號處理系統48之訊號解析所生成之圖案像，根據該解析結果，所生成之圖案像品質脫離既定規格之情形時，可僅在例如線寬誤差之絕對值超過既定容許值時，修正待供應至光罩驅動系統30之圖案資料(設計資料)。
又，圖案資料生成裝置32在不修正圖案資料(設計資料)時，可透過光罩驅動系統30進行與主控制裝置20間之通訊，將該線寬誤差之資訊送至主控制裝置20。此情形下，主控制裝置20係根據該誤差資訊變更(調整)曝光條件。例如，若該線寬誤差是在曝光區域全面大致均勻產生的話，可透過光源系統22控制曝光量、及/或透過成像特性修正裝置38控投影光學系統PL之成像特性(例如倍率等)。此處，不僅是變化光源系統22之照明光IL強度及/或重複頻率，亦可變化掃描曝光時板件P之掃描速度、或前述投影區域之掃描方向寬度等以調整曝光量。再者，亦可將曝光量及/或成像特性之調整與圖案資料之修正並用。此外，亦可取代圖案資料之修正、或與其組合而進行使用前述成形光學系統之可變成形光罩VM照明條件之調整。此時，可將照明光學系統24在光瞳面上之照明光IL之強度分佈(2次光源)變更為不同形狀，亦可使該形狀實質上相同而變更大小(σ值等)。此外，進行照明條件之調整的情形時，可並用曝光量及/或成像特性之調整。又曝光條件並不僅限於於曝光量、成像特性及照明條件，亦可包含例如投影光學系統PL之孔徑數、或有無實施在掃描曝光中將板件上之既定點連續設定於不同Z位置以實質擴大焦深的超解析技術，以及Z方向之振幅(移動範圍)等。
又，作為圖案像線寬之誤差原因，除光學系統之光斑(flare)等外，亦有所謂之光近接效應。此光近接效應所造成之線寬誤差，由於一般是在曝光區域內成不均勻，因此在此種情形下之圖案像線寬之修正，以前述圖案資料(設計資料)修正之方法較為有效。又，修正光近接效應之方法稱為光近接效應修正(OPC：Optical Proximity Correction)。作為此OPC之一種，已知的是使用輔助圖案之方法。接著，簡單說明使用輔助圖案之OPC。作為一例，當舉線與空間圖案時，位於週期方向兩端之線圖案，由於其一側(外側)不存在圖案，因此從該一側繞過之光的量會多於其他線圖案，其結果，形成於正型光阻、位於其兩端之線圖案的光阻像線寬與其他線圖案之光阻像線寬相較較小。為了防止此現象，將不致於成像程度之細的、亦即將線寬在投影光學系統PL之解析限度以下之虛擬圖案(輔助圖案)，配置在位於週期方向兩端之線圖案外側，藉由此虛擬圖案之存在，減少前述光線之繞過量，以使所有線圖案之光阻像線寬與設計線寬相同的技術。使用此輔助圖案之OPC，本實施形態之方法亦是有效的。
於圖4之上段，顯示了一對輔助圖案AP1 ,AP2 配置在週期圖案兩端之線與空間圖案LSP。又，圖4之中段，顯示了對應該上段圖案之設計上的光強度(能量強度)訊號，於圖4之下段，則顯示實際檢測出之線與空間圖案LSP及輔助圖案AP1 ,AP2 之像在主掃描線上的光強度(能量強度)訊號(對應主掃描線上之像素列亮度值)。
因此，圖案資料生成裝置32，在取得圖4下段所示之訊號時，根據該訊號與切割位準S進行前述解析及線寬算出，例如比較兩端之2條線圖案像之線寬與其他線圖案像之線寬(此處，係設為與設計線寬相同)，以算出兩端之線圖案像之線寬誤差。然後，視該算出結果，修正輔助圖案AP1 ,AP2 之設計資料中的線寬及位置之至少一方，以使用所有線圖案像之線寬大致相等。
根據本第1實施形態之曝光裝置10，於曝光之前，以前述方式，藉由圖案資料生成裝置32，根據像檢測器42之檢測結果修正圖案之設計資料，該修正後圖案之設計資料即從圖案資料生成裝置32對光罩驅動系統30輸出。光罩驅動系統30，對應(回應)設計資料之輸入，將可變成形光罩VM之各微反射鏡個別的予以ON、OFF。於此狀態下，當可變成形光罩VM被來自照明系統10之照明光IL均勻的照明時，即生成對應前述設計資料之反射圖案。接著，包含以可變成形光罩VM生成之圖案資訊的光束，透過投影光學系統PL於板件P上生成圖案像。然後，一邊於Y軸方向掃描板件P、一邊與此同步捲動以可變成形光罩VM生成之圖案，據以在板件P上慢慢的形成所欲圖案。以此方式，於板件P上形成圖案像、例如形成前述之圖案像PA。
如以上之說明，根據本第1實施形態之曝光裝置100，，於板件之曝光前，回應來自圖案資料生成裝置32之設計資料(圖案資料)的輸入，藉由光罩驅動系統30將可變成形光罩VM之各微反射鏡予以個別的ON、OFF，且藉由來自照明系統10之照明光IL照射該可變成形光罩VM，以該可變成形光罩VM生成之圖案像藉由投影光學系統PL加以生成，將該生成之圖案像之至少一部分藉像檢測器42以光電方加以檢測。然後，圖案資料生成裝置32，根據來自訊號處理系統48(用以處理像檢測器42之訊號)之訊號，解析所生成之圖案，視該解析結果，修正待供應(輸入)至光罩裝置12之設計資料。此時，圖案資料生成裝置32，係以形成於投影光學系統PL像面之圖案像的至少一部分之尺寸、例如線寬變更的方式，修正上述設計資料。
因此，於板件之曝光時，係將修正後之設計資料供應(輸入)至光罩裝置12，回應該輸入，以和上述同樣之方式藉由光罩裝置12、照明系統10及投影光學系統PL於板件P上生成圖案像，以該圖案像使板件P曝光，即能以良好精度於板件P上形成所欲圖案。
又，上述實施形態中，係根據像檢測器42(用以檢測藉投影光學系統PL形成之圖案的投影像)之檢測訊號，由圖案資料生成裝置32解析該圖案像，視該解析結果，來修正待供應(輸入)至光罩裝置12的設計資料。然而，並不限於此，亦可以前述圖案檢測系統44或46拍攝板件P上形成之圖案像，例如拍攝光阻像，根據該拍攝結果，由圖案資料生成裝置32解析該圖案像，視該解析結果，來修正待供應(輸入)至光罩裝置12的設計資料。此外，亦可取代光阻像，而解析前述潛像、或解析施以蝕刻處理所得之像。
上述實施形態中，作為圖案像(包含投影機、光阻像等)之檢測裝置，雖係說明了曝光裝置100具備像檢測器42、圖案檢測系統44,46之三者的情形，但並不限於此，只要具備該等中之一者即可。又，用以檢測前述板件上形成之圖案像(光阻像等)的裝置(圖案檢測系統44,46等)並不限於影像處理方式，亦可以是例如藉由檢測光之照射而檢測由光阻像所產生之繞射光或散射光的方式等。
又，上述實施形態中，雖係一邊相對投影光學系統PL於Y軸方向掃描板件P、一邊捲動以可變成形光罩VM生成之圖案以使板件P掃描曝光，但曝光裝置100亦可採用在掃描曝光之結束後，使板件P於X軸方向步進移動、且再度於Y軸方向掃描板件P、一邊捲動以可變成形光罩VM生成之圖案以使板件P掃描曝光的步進接合方式(掃描接合方式)或步進重複方式(步進掃描方式)。步進接合(step & stitch)方式能在板件P上形成大面積的圖案，而步進重複(step & repeat)方式能在板件P上複數個區劃區域分別形成圖案。
<第2實施形態>
其次，根據圖5說明本發明之第2實施形態。此第2實施形態之曝光裝置，僅照明光學系統之一部分及投影光學系統之構成、以及光罩保持具28及可變成形光罩VM之配置與前述第1實施形態不同，其他部分之構成等則與前述第1實施形態相同或同等。因此，下文中係就避免重複說明之觀點而以相異點為中心進行說明，就相同或同等構成部分則賦予相同符號而省略該部分之說明。
圖5中顯示構成本第2實施形態之曝光裝置之投影光學系統PL等的構成。此投影光學系統PL，具有平行於Z軸方向之單一光軸AX，包含分離面與XY平面成45°配置之偏振分束器PBS的兩側遠心折反射系統。又，照明光學系統24(參照圖1，本例不包含圖1中之反射鏡M、及聚焦透鏡26)係顯示其一部分、亦即用以規定照明光IL在可變成形光罩VM上之照射區域(照明區域)的視野光闌62、及透鏡系統60。此視野光闌62，在本例中係就透鏡系統60配置在與可變成形光罩VM表面(微反射鏡配置面)大致共軛之位置。
本第2實施形態中，可變成形光罩VM係以其表面(所有反射鏡為ON狀態時)大致平行於XY平面之方式保持於光罩保持具，可藉由此光罩保持具28在XY面內微動。又，亦可與上述第1實施形同樣的，使可變成形光罩VM能沿Z軸方向移動、及/或相對XY平面傾斜。
投影光學系統PL包含第1部分光學系統PL1’與第2部分光學系統PL2，該第1部分光學系統PL1’包含間亦兼作為照明光學系統24之一部分、與XY平面平行配置之1/4波長板(以下，簡稱為“λ/4板”)64及偏振分束器PBS，該第2部分光學系統PL2具有與第1部分光學系統共通之光軸AX。
偏振分束器PBS於圖5中之＋Y側配置有光阱66。此外，偏振分束器PBS於圖5中之右斜下方位置，配置有另一光阱68。
從光源系統22(未示於圖5，參照圖1)入射至照明光學系統24之直線偏振、例如S偏振之照明光IL，透過視野光闌62及透鏡系統60入射至偏振分束器PBS。然後，該照明光IL被偏振分束器PBS反射後，通過λ/4板而成為圓偏振入射至可變成形光罩VM。
照明光IL，被可變成形光罩VM上之照明區域內多數微反射鏡中ON狀態之微反射鏡反射向－Z方向，成為與之前反方向之圓偏振再度通過λ/4板，而成為與入射時反方向之圓偏振、亦即成為P偏振而入射至偏振分束器PBS。然後，此P偏振之照明光IL透射過偏振分束器PBS入射至第2部分光學系統PL2，透過該第2部分光學系統PL2照射於表面塗有光阻之板件P。藉由此方式，被照明光IL所照明之可變成形光罩VM之圖案，即以投影倍率β(β例如為1/500)縮小投影至配置被曝光面(像面)上之板件P的曝光區域(與照明區域共軛)內。
另一方面，入射至可變成形光罩VM上之照明區域內OFF狀態之微反射鏡的照明光IL，被該微反射鏡反射至曝光光路外、亦即被反射至圖5中右斜下方，通過λ/4板及偏振分束器PBS被光阱68吸收。
又，S偏振之照明光IL，雖然幾乎全被偏振分束器PBS反射，但仍有些微透射。為吸收透射過該偏振分束器PBS之照明光IL，因此設有光阱66。
其他部分之構成等，與前述第1實施形態相同。
承上所述，根據本第2實施形態之曝光裝置，能獲得與前述第1實施形態相同之效果。除此之外，本第2實施形態之曝光裝置，由於可使入射至反射型可變成形光罩VM之入射角成為90°，因此能使用兩側遠心、亦即能使用像面側(板件側)及物體面側(光罩側)遠心的投影光學系統PL，而能提升曝光裝置之成像性能。
又，上述第1實施形態，亦可與第2實施形態同樣的，設置偏振分束器與λ/4板來取代前述分束器BS。此時，能大幅抑制在投影光學系統PL之光量損失。
又，上述各實施形態中，曝光裝置亦可不具備圖案資料生成裝置32。此時，可根據例如從外部裝置(圖案資料生成裝置、或其上位裝置)等取得之待以可變成形光罩VM生成之光罩圖案資訊(顯示資料)、以及前述圖案像之檢測結果，由主控制裝置20進行圖案資料之修正等。或者，亦可由主控制裝置20進行前述圖案像之檢測，而圖案資料之修正等則由其他外部裝置等進行。當然，不僅是圖案資料之修正，前述照明條件、曝光量、及成像特性亦同。
又，上述各實施形態中係使用曝光裝置之圖案像檢測系統44,46來檢測形成在板件上之圖案像(光阻像等)，但除曝光裝置外，亦可使用例如測量專用的裝置(例如對準測定機、晶圓檢測裝置等)來檢測板件上之圖案像。此時，可由測量專用之裝置根據其測量結果、與前述光罩圖案資訊來進行圖案資料之修正等，或透過通訊迴線等將其測量結果送至其他裝置(例如，上述外部裝置或主控制裝置20等)，以其他裝置進行圖案資料之修正等。
又，經曝光及顯影處理後形成在板件上之光阻像之圖案尺寸、例如線寬即使為目標線寬，進一步經加熱及蝕刻處理後板件上形成之圖案像之線寬亦有可能與目標線寬相異。因此，亦可不檢測前述潛像或光阻像，而檢測蝕刻後形成之圖案像，前述圖案資料之修正等足使用此檢測結果。或者，藉由模擬或實驗等事先求出圖案像之線寬特性，前述圖案資料之修正等則使用圖案像(投影像、潛像、及光阻像之任一者)之檢測結果與該圖案特性亦是可行的。此時，例如，根據以可變成形光罩VM生成之圖案投影像之銳度特性(在投影像之像強度分布中既定位置的微分值或對數斜率、或投影像之對比等)，來預測將形成於板件上之光阻像之圖案輪廓，且根據該圖案輪廓預測元件特性較佳。再者，最好是能考慮光阻像因加熱處理產生之變形來預測圖案輪廓，而元件線寬特性則考慮蝕刻特性來加以預測較佳。
又，上述各實施形態中，雖係根據圖案像(投影像、光阻像等)之檢測結果進行圖案資料之修正等，但亦可例如使用該檢測結果來進行可變成形光罩VM之微反射鏡動作狀態之確認等。具體而言，在以可變成形光罩VM生成之圖案之投影時應為ON狀態之微反射鏡為OFF狀態之情形時，會因該動作不良之微反射鏡使圖案像之一部分產生缺陷。此圖案缺陷，可由圖案像檢測結果與光罩圖案資訊的比較來加以特定，進而可根據此特定之圖案缺陷求出動作不良的微反射鏡。此時，可更換可變成形光罩VM，或使可變成形光罩VM與前述照明區域相對移動，從該照明區域內取出動作不良的微反射鏡。
又，上述各實施形態中，係藉由可變成形光罩(電子光罩)VM之各元件(微反射鏡等)的ON、OFF來形成轉印圖案，但除了可變成形光罩VM之ON、OFF外，亦可再加上使用各元件之中間調來形成圖案。使用例如透射型液晶光罩來作為可變成形光罩時，即使因以中間調驅動可變成形光罩之各元件而使照明光在可變成形光罩上之照度不均勻時，亦能為實質上照度均勻之照明光。因此，因照明光學系統之光學特性(像差等)或經時劣化所產生之照明光照度分布之不均勻性、進而圖案像線寬之不均勻皆能予以修正。
此外，上述實施形態中，作為圖案像之特性係求其尺寸(線寬)，但其像特性不限於尺寸，例如亦可求對比等。
又，圖案像之檢測時雖係使載台ST為靜止，但亦可使可變成形光罩VM之各微反射鏡之ON、OFF與載台ST之移動同步後生成圖案像，於該同步中以像檢測器42檢測圖案像、或檢測轉印至板件P上所得之像(光阻像等)。
再者，雖係使用CCD來作為前述像檢測器42之受光元件，但亦可使用例如TDI(時延整合，Time Delay and Integration)感測器來取代之。又，雖然前述像檢測器42之至少一部分係設於載台ST，但亦可將像檢測器42之至少一部分設於與載台ST不同之另一可動體。此另一可動體，可以是例如日本特開平11－135400號公報(對應國際公開1999/23692號小冊子)、特開2000－164504號公報(對應每美國專利第6,897,963號)等所揭示之具有測量構件(基準標記、感測器等)的測量載台等。
又，上述各實施形態中，雖係曝光裝置具備一組可變成形光罩VM及投影光學系統PL的構成，但亦可設置曝光區域配置於非掃描方向(X軸方向)之複數組可變成形光罩VM及投影光學系統PL。此外，前述照明光學系統雖具備視野光闌，但亦可不設置該視野光闌而例如藉由可變成形光罩之各微反射鏡ON、OFF，來實質上規定照明光UIL在板件P上之照射區域(對應前述曝光區域)。
又，上述各實施形態中，雖係曝光裝置具備非發光型影像顯示元件之DMD來作為可變成形光罩(主動光罩、影像產生器)，但可變成形光罩並不限於DMD，亦可取代DMD而使用以下說明之非發光型影像顯示元件。此處，作為非發光型影像顯示元件，係被稱為空間光調變器(SLM：Sptial Light Modulator)、以空間方式調變往既定方向行進之光的振幅(強度)、相位或偏振狀態的元件，作為透射型空間光調變器，除透射型液晶顯示元件(LCD：Liquid Crystal Display)之外，例如有電致變色顯示器(ECD：Electro－Chromic Display)等。此外，作為反射型空間光調變器，除上述DMD外，例如有反射鏡陣列、反射型液晶顯示元件、電泳顯示器(EPD：Electro Phonetic Display)、電子紙(或電子油墨)、光繞射型光閥(Grating Light Valve)等。
使用反射型之非發光型影像顯示元件來構成可變成形光罩之情形時，作為投影光學系統，除前述折反射系統外，亦可使用反射系統。又，使用透射型之非發光型影像顯示元件來構成可變成形光罩之情形時，作為投影光學系統，不僅是折反射系統、反射系統，亦可使用折射系統。
又，上述實施形態之曝光裝置，亦可取代具備非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而具備含自發光型影像顯示元件的圖案生成裝置。此時，不需要照明系統。作為自發光型影像顯示元件，例如有陰極射線管(CRT)、無機EL顯示器、有機EL顯示器(OLED：Organic Light Emitting Diode)、LED顯示器、場致顯示器(FED：Field Emission Display)、電漿顯示器(PDP：Plasma Display Panel)等。此外，作為圖案生成裝置所具備之自發光型影像顯示元件，可使用具有複數個發光點之固體光源晶片、複數個晶片排列為矩陣狀之固體光源晶片陣列，或將複數個發光點作入一片基板等者，以電氣方式控制該固體光源晶片來形成圖案。又，該固體光源元件無論是有機、無機皆可。
又，在具備含自發光型影像顯示元件之圖案生成裝置的情形，使用投影光學系統或成像光學系統時，作為該等之光學系統，不僅是折反射系統、反射系統，亦可使用折射系統。
本發明之曝光裝置所具備之投影光學系統不限於縮小系統，亦可是等倍系統、或放大系統。再者，於投影光學系統之投影區域生成之的投影像，可以是倒立像或正立像之任一者。
又，本發明亦能適用於例如國際公開99/49504號小冊子、歐洲專利公開第1,420,298號公報、國際公開第2004/055803號小冊子、日本特開2004－289126號公報(對應美國專利第6,952,253號)等所揭示，在投影光學系統與板件之間形成一含照明光光路的液浸空間，透過投影光學系統及液浸空間之液體以照明光使板件曝光的曝光裝置。
又，本發明亦能適用於例如特開平10－163099號公報及特開平10－214783號公報(對應美國專利第6,590,634號)、特表2000－505958號公報(對應美國專利第5,969,441號)、美國專利第6,208,407號等所揭示之具備複數個載台多載台型的曝光裝置。
再者，本發明亦能適用於例如特表2004－519850號公報(對應美國專利第6,611,316號)所揭示，將以複數個可變成形光罩分別生成之圖案透過投影光學系統於板件上加以合成，藉由一次掃描曝光使基板上之一個區域大致同時雙重曝光的曝光裝置。
又，將由複數光學元件分別構成之照明光學系統、及投影光學系統組裝至曝光裝置本體後進行光學調整，且將前述可變成形光罩(光罩裝置)、由多數機械零件構成之載台安裝於曝光裝置本體後連接線路及管路，進一步進行綜合調整(電氣調整、動作確認)，即能製造上述各實施形態的曝光裝置。又，曝光裝置的製造以在溫度及清潔度等受到管理的無塵室中進行較佳。
又，本發明並不限於半導體製程之適用，亦能廣泛的適用於液晶顯示元件或電漿顯示器等顯示裝置之製程，或攝影元件(CCD等)、微機器、MEMS(Microelectromechanical System)、以陶瓷晶圓等作為基板之薄膜磁頭、以及DNA晶片等各種元件之製程。此外，本發明亦能適用於以光微影步驟來製造形成有各種元件之光罩圖案之光罩(光罩、標線片等)時的製程。
又，本發明中，曝光對象之物體(板件)並不限於晶圓，可以是玻璃板、陶瓷基板、薄片構件、或光罩基板(mask blanks)等之其他物體，其形狀不限於圓形，可以是矩形等。
又，本案在申請國之法令許可範圍內，援用與上述各實施形態及變形例所引用之曝光裝置等相關之所有公開公報及美國專利之揭示，作為本說明書之部分記載。
<元件製造方法>
其次，說明於微影製程中使用上述第1、第2實施形態之曝光裝置之微元件製造方法。圖6，係用以說明作為微元件之半導體元件製造方法。
首先，於圖6之步驟102，於一批晶圓(板件)上蒸鍍金屬膜。之後，於其次之步驟104，於該一批晶圓(板件)上之金屬膜上塗布光阻。之後，於步驟106，使用上述第1、第2實施形態之曝光裝置，透過投影光學系統將根據圖案資料生成裝置修正後之設計資料、在可變成形光罩VM生成之圖案像，依序投影至該一批晶圓(板件)上之各照射區域。亦即，以圖案像使晶圓(板件)上之照射區域依序曝光。
之後，於步驟108進行該一批晶圓(板件)上光阻之顯影後，於步驟110，藉由在該一批晶圓(板件)上以光阻圖案為光罩進行蝕刻，來將電路圖案(對應以可變成形光罩生成之圖案)形成於各晶圓(板件)上之各照射區域。
之後，進一步藉進行上層電路圖案之形成來製造半導體等之元件。因此，能以良好精度形成所欲線寬之圖案像(亦即，根據以圖案資料生成裝置32修正後之設計資料於可變成形光罩VM生成之圖案的像)，其結果，即能以良好的良率製造半導體元件等之元件。
又，上述第1、第2實施形態之曝光裝置，亦能藉由在板件(玻璃基板)上形成既定圖案(電路圖案、電極圖案等)，以獲得作為微元件之液晶顯示元件。圖7，係用以說明使用第2實施形態之曝光裝置在板件上形成既定圖案，據以製造作為微元件之液晶顯示元件的流程圖。
圖7之步驟202之圖案形成步驟，係進行使用第1、第2實施形態之曝光裝置，將根據圖案資料生成裝置32修正後之設計資料於可變成形光罩VM生成之圖案的像，透過投影光學系統PL形成至感光性基板(塗有光阻之玻璃基板等)之所謂的光微影製程。藉由此光微影製程，於感光性基板上形成含多數電極等之既定圖案。之後，曝光後之基板經顯影步驟、蝕刻步驟、光阻剝離步驟等各步驟，於基板上形成既定圖案。
其次，於步驟204之彩色濾光片形成步驟中，形成對應R(Red)、G(Green)、B(Blue)之3個點多數排列成矩陣狀、或R、G、B之3條線之濾光片組排列於複數水平掃描線方向的彩色濾光片。並於彩色濾光片形成步驟(步驟204)後，進行步驟206之單元組裝步驟。步驟206之單元組裝步驟，係使用於圖案形成步驟所得之具有既定圖案的基板、或於彩色濾光片形成步驟所得之彩色濾光片等來組裝液晶面板(液晶單元)。
步驟206之單元組裝步驟，例如，係在圖案形成步驟所得之具有既定圖案的基板與彩色濾光片形成步驟所得之彩色濾光片之間注入液晶，以製造液晶面板(液晶單元)。之後，於步驟208之模組組裝步驟，使組裝成之液晶面板(液晶單元)進行顯示動作之電路、背光單元等各零件而完成液晶顯示單元。因此，此微元件製造方法之圖案形成步驟，能以良好精度形成所欲線寬之圖案像(亦即，根據以圖案資料生成裝置32修正後之設計資料於可變成形光罩VM生成之圖案的像)，其結果，即能以良好的良率製造液晶顯示元件。
如以上之說明，本發明之曝光裝置及曝光方法，適合於板件等物體上形成圖案像。又，本發明之元件製造方法，非常適合微元件之製造。
10．．．照明系統
12．．．光罩裝置
16．．．載台裝置
20．．．主控制裝置
22．．．光源系統
24．．．照明光學系統
26．．．聚焦透鏡
28．．．光罩保持具
30．．．光罩驅動系統
32．．．圖案資料生成裝置
34．．．楔形光學元件
36．．．凹面鏡
38．．．成像特性修正裝置
40．．．載台驅動系統
42．．．像檢測器
44,46．．．圖案檢測系統(顯微鏡)
48．．．訊號處理系統
50．．．外殼
52,60．．．透鏡系統
54．．．CCD二維影像感測器
62．．．視野光闌
64．．．1/4波長板
66,68．．．光阱
100．．．曝光裝置
AX1．．．第1光軸
BS．．．分束器
IF．．．拍攝區域
IL．．．照明光
M．．．反射鏡
NL．．．法線
P．．．板件
PA．．．圖案像
PBS．．．偏振分束器
PL．．．投影光學系統
ST．．．載台
VM．．．可變成形光罩
圖1，係概略顯示第1實施形態之曝光裝置之構成的圖。
圖2，係一併顯示待形成於板件P上之圖案像PA，與曝光區域、像檢測器之攝影區域(檢測區域)的圖。
圖3，係顯示對應攝影區域內部之複數條主掃描線上光強度訊號(對應主掃描線上像素列的亮度值)之合計平均的訊號例。
圖4，係顯示一對輔助圖案AP1 ,AP2 配置在週期方向兩端之線與間距圖案LSP、對應該圖案之設計上光強度訊號、以及實際上檢測出之線與間距圖案LSP及輔助圖案AP1 ,AP2 之像在主掃描線上之光強度訊號。
圖5，係概略顯示第2實施形態之曝光裝置之投影光學系統之構成的圖。
圖6，係用以說明半導體元件(微元件)之製造方法的流程圖。
圖7，係用以說明液晶顯示元件(微元件)之製造方法的流程圖。
10．．．照明系統
12．．．光罩裝置
16．．．載台裝置
20．．．主控制裝置
22．．．光源系統
24．．．照明光學系統
26．．．聚焦透鏡
28．．．光罩保持具
30．．．光罩驅動系統
32．．．圖案資料生成裝置
34．．．楔形光學元件
36．．．凹面鏡
38．．．成像特性修正裝置
40．．．載台驅動系統
42．．．像檢測器
44,46．．．圖案檢測系統(顯微鏡)
48．．．訊號處理系統
50．．．外殼
52．．．透鏡系統
54．．．CCD二維影像感測器
62．．．視野光闌
100．．．曝光裝置
AX1．．．第1光軸
IL．．．照明光
M．．．反射鏡
NL．．．法線
P．．．板件
BS．．．分束器
PL．．．投影光學系統
PL1,PL2．．．第1、第2部分光學系統
ST．．．載台
VM．．．可變成形光罩

Claims (19)

  1. 一種曝光裝置，係以圖案像使物體曝光，其特徵在於，具備：圖案像生成裝置，係對應輸入之設計資料並透過對光之振幅、相位及偏振狀態之至少一者進行空間性調變的可變成形光罩生成圖案像；檢測系統，係輸出對應由該圖案像生成裝置所生成之該圖案像之光強度分布之訊號；以及修正裝置，係根據該檢測系統之該輸出修正待輸出至該圖案像生成裝置之該設計資料。
  2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該修正裝置係在每次檢測該圖案像時，視該檢測結果修正待輸出至該圖案像生成裝置之該設計資料。
  3. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該修正裝置係在該圖案像之品質脫離既定規格時，修正待輸出至該圖案像生成裝置之該設計資料。
  4. 如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，該圖案像之品質中，包含該圖案像之線寬誤差的絕對值。
  5. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該圖案像生成裝置包含：可變成形光罩，係對應輸入之該設計資料，對往既定方向行進之光的振幅、相位及偏振狀態之至少一者進行空間性調變，以生成圖案；以及光學系統，係用以將該可變成形光罩所產生之圖案成 像於該物體上。
  6. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，該可變成形光罩係反射型可變成形光罩；該光學系統係像側遠心之折反射型系統，並包含將被該可變成形光罩所反射之光相對該光學系統之光軸的傾角修正成零的光學元件。
  7. 如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其中，該可變成形光罩係反射型可變成形光罩；該光學系統係兩側遠心之折反射系統，包含使射入該可變成形光罩前之光、以及被該可變成形光罩所反射之光分別通過的分束器。
  8. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該檢測系統包含空間像檢測器，此檢測器之至少一部分係設於可動體，用以輸出對應該圖案像生成裝置所生成之圖案像光強度分布的訊號。
  9. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該檢測系統包含影像處理方式的檢測器，此檢測器係輸出拍攝該物體上所形成之圖案像的攝影訊號。
  10. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該修正裝置係以變更該圖案像中至少一部分之方式，修正該設計資料。
  11. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，以該圖案像生成裝置生成之圖案像，係具有光近接效應修正用輔助圖案的圖案像； 該修正裝置，係以變更該輔助圖案之尺寸及位置中至少一者之方式，修正該設計資料。
  12. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該修正裝置係視該檢測結果修正該物體之曝光條件。
  13. 一種元件製造方法，其特徵在於，包含：曝光步驟，係使用申請專利範圍第1至12項中任一項之曝光裝置，而將該圖案像曝光於塗布有感光性材料之該物體；顯影步驟，係對轉印有該圖案像之該物體進行顯影，將對應該圖案像之形狀之光罩層形成於該物體之表面；以及加工步驟，係透過該光罩層而對該物體之表面進行加工。
  14. 一種曝光方法，係以對應輸入之設計資料所生成之圖案像來使物體曝光，其特徵在於，包含以下動作：檢測對應該設計資料所生成之圖案像之光強度分布；使用對應該光強度分布之訊號修正該設計資料；以及於該物體之曝光時，使用該修正後之設計資料來生成圖案像；該圖案像，係對應輸入之設計資料並透過對光之振幅、相位及偏振狀態之至少一者進行空間性調變的可變成形光罩而生成。
  15. 如申請專利範圍第14項之曝光方法，其係在該圖案像之品質脫離既定規格時，修正該設計資料。
  16. 如申請專利範圍第14項之曝光方法，其中，該圖案像係透過可變成形光罩及投影系統而生成。
  17. 如申請專利範圍第16項之曝光方法，其係以光電方式檢測生成於該投影系統像面之圖案像的至少一部分。
  18. 如申請專利範圍第14項之曝光方法，其係視該檢測結果修正該物體之曝光條件。
  19. 一種元件之製造方法，其特徵在於，包含：曝光步驟，係使用申請專利範圍第14至18項中任一項之曝光方法，而將該圖案像曝光於塗布有感光性材料之該物體；顯影步驟，係對轉印有該圖案像之該物體進行顯影，將對應該圖案像之形狀之光罩層形成於該物體之表面；以及加工步驟，係透過該光罩層而對該物體之表面進行加工。
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