KR19980042711A - 노광 장치 - Google Patents

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KR19980042711A
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vacuum
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filler
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KR1019970062553A
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사부로 가미야
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요시다쇼이치로
가부시끼가이샤니콘
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Publication date
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Abstract

감광성 재료가 피복된 웨이퍼상으로 방사 광학 장치를 통해, 망선상의 패턴을 전달하는 노광 장치로서, 이것은 이 노광 장치내에서 온도 제어 성능을 개선시키도록 노광 장치의 구조의 적어도 일부분에 적용되는 진공 열 절연 패널을 구비하는 노광장치를 제공한다.

Description

노광 장치
본 발명은 예를들어, 반도체 장치, 액체 결정 디스플레이 및 박막 자기 헤드등을 제조하는 포트리소그래피(photolithographic) 공정에서 사용되는 노광 장치에 관한 것이다.
반도체 장치, 액체 결정 디스플레이 및 박막 자기 헤드등을 제조하는 포트리소그래피 공정에 있어서, 다음과 같은 노광 장치를 사용하고 있는데, 여기서, 조사 광 비임은 포토마스크 또는 망선(reticle)(이중 본원에서는 일반적인 용어인 '망선'으로 사용)상에서 형성된 패턴을, 방사 광학 장치를 통해, 포토레지스트 층으로 피복되거나 또는 감광성을 띈 실리콘 웨이퍼 또는 유리 기판(이중 본원에서는 용어 '웨이퍼'를 사용)상에 전달하는데 이용된다.
최근에는, 반도체 집적 회로의 라인 폭의 감소가 노광 장치에서 더 고도한 정확도(예컨데, 직접 회로 칩상에서 연이어 겹쳐져서 형성된 2개 층의 패턴사이의 정렬의 정확도)를 필요로 하는데, 예를들어 정확도가 약 50nm(나노메터) 만큼 높다. 그밖에도, 웨이퍼의 크기는 생산성을 향상시키고 그리고 특히, 최근에 폭넓게 사용되는 200mm 지름의 웨이퍼가 300mm 지름의 웨이퍼로 대체되어, 해마다 크게 증가하고 있다.
다양한 타입의 정렬 광학 장치는 마스크상에 형성된 회로 패턴의 이미지를 필요한 부합 정확도로 겹치도록 하는데 사용되고, 그리고 정렬 광학 장치의 실제 타입은 일반적으로 당해분야에서 널리 공지된 3종류로 분류될수도 있다. 첫 번째는 망선상에 형성된 정렬 마아크 및 웨이퍼상에 형성된 정렬 마아크가 동시에 방사(projectuon) 렌즈를 통해 관측되는 (또는 감지되는) 쓰루-더-망선(through-The-Reticle)(TTR) 방법이다. 두 번째는 망선상에서 형성된 정렬 마아크를 감지하지 않고 단지 웨이퍼상에서 형성된 정렬 마아크만이 방사 렌즈를 통해 감지되는 쓰루-더-렌즈(Lense)(TTL) 방법이다. 세 번째는 단지 웨이퍼상에서 형성된 정렬 마아크가 그것의 대상 렌즈가 예정된 거리 만큼 방사 렌즈로부터 떨어진 위치에 배치된 현미경 장치를 통해 감지되는 축외(Off-Axis) 방법이다.
바람직하지 않게도, TTR 및 TTL 방법은 정렬 마아크를 조사하는데 사용되는 정렬 광 비임은 이 정렬 광 비임의 파장이 노광을 만드는데 사용되는 조사 광 비임과 매우 다르기 때문에, 방사 렌즈의 색수차가 있을 것이며, 그리고 정렬 광 비임과 관련하여 방사 렌즈의 색수차를 정정해야 하는 많은 기술적 문제가 따르는 단점이 있다. 이들 2가지 방법중 하나에서 사용되는 정렬 광 비임이 이러한 파장을 가져야만 하는 이유는 정렬 공정동안 웨이퍼상에 피복된 포토레지스트층에 영향을 미치지 않아야 되기 때문이다. 나아가, TTR방법은 그밖의 문제를 갖는다. 예를들어, TTR 방법은 다른 방법보다 더 낮은 처리량을 제공할 것이다. 나아가, TTR 방법은 그것에 가해진 많은 제한점을 갖는데, 예를들어, TTR 방법이 망선상의 더 넓은 면적을 임의의 다른 방법과는 달리 그위에 형성된 정렬 마아크에 할당하는 것을 필요로한다. 바람직하지 않은 TTR 및 TTL 방법과 관련된 상술한 문제로 인해, 축외 방법이 최근 정렬 목적으로 폭넓게 사용되고 있다.
그럼에도 불구하고, 축외 방법은 그자체의 단점을 가지고 있다. 예를들어, 방사 렌즈(예컨데, 방사 광학 장치)와 현미경 장치(예컨데, 축외 정렬 광학 장치)의 대상 렌즈사이의 거리, 소위 베이스라인 길이는 전체 부합 정확도가 떨어지도록 열 영향하에서 변경될수도 있다. 다른 말로는, 축외 정렬 광학 장치이 부합 정확도는 방사 광학 장치와 축외 정렬 장치사이의 열 안정성에 의해 크게 영향을 받는다. 이러한 이유에 있어서, 방사 광학 장치와 축외 정렬 광학 장치를 상호 결합하는 부재의 부분들이 전형적으로 낮은 열 팽창 재료로 제조된다.
부합 정확도를 격감시키는 다른 인자가 있는데, 이러한 인자는 스테이지의 위치를 측정하는데 사용되는 레이저 간섭계의 부합 정확도이다. 이 스테이지는 웨이퍼를 지지하는 스테이지 또는 망선을 지지하는 스테이지일수도있다. 다음 설명은 특히 웨이퍼 스테이지와 관련된 레이저 간섭계에 관한것이지만, 또한, 망선 스테이지와도 관련되어 적용된다. 레이저 간섭계의 측정 정확도의 격감은 측정 레이저 비임의 광학 경로내에 그리고 주변에 공기의 굴절률의 변화로 인해 발생될수 있다. 변화는 온도 구배에 의해 발생된 공기 요동에 의해 야기된다. 온도 구배는 웨이퍼가 노광을 위해 웨이퍼상에 조사된 조사 광 비임에 의해 가열되는 곳에서 발생하고 그리고 가열된 웨이퍼는 웨이퍼 주변으로부터 상승되는 상대적으로 고온이 공기의 상류 스트리임을 생성한다는 것을 고려하여야 한다. 측정 비임의 광학 경로내의 그리고 주변의 공기 굴절률의 임의의 변화를 억제시키는 하나의 공지된 방법은 측정 비임의 광학 경로를 따라 흐르는 연속적 공기 스트리임을 생성하고 유지시키는 것이다. 다른 공지된 방법은 일본 공개 특허 출원 제 헤이-2-199814(번호, 199814/1990)에 기술되어 있는데, 여기서, 전체 노광 장치를 그 내부에 갖추고 있는 주 챔버이외에 구역 챔버가 제공되는데, 분리 공기 조절이 구역 및 주 챔버의 각각에 작용된다. 이것은 구역 챔버의 공간이 레이저 간섭계의 측정 에러를 방지하도록 보다 정확한 공기 조절하에 배치될수 있도록 주 챔버의 나머지로부터 구역 챔버내에 가두어진 공간을 효과적으로 나누게 한다.
노광 장치의 부합 정확성이 노광 장치내에서 생성된 열에 의해 영향을 받을수도 있고 그리고 이 문제에 대한 다양한 해결책이 상술한바와 같이 제안되었던 사실이 오랫동안 공지되어 있었지만, 이와 관련하여 많은 단점이 하기에 예시되어 있다.
첫 번째로, 노광 장치는 부분 및 부재가 열 팽창되게 되는 상술한 축외 정렬 광학 장치와 방사 광학 장치를 상호 결합시키는 접속 부재를 포함하는 부분 및 부재로 구성될수도있다. 적절한 부분 및 부재를 형성하는 낮은 열 팽창 재료를 사용하는 것이 가능한한 하나의 해결책이 될 수있다. 그러나, 사실상 이러한 재료는 일반적으로 이러한 목적을 위해 사용되는 것이 곤란한 낮은 강성률을 갖는다. 예를들어, (상표명 ' 제로듀(Zerodur)'와 같은) 전형적인 열 팽창 유리 세라믹 재료는 0.1ppm/ ℃(또는 0.1X10-6/ ℃) 또는 더 적은 충분히 낮은 열 팽창 계수를 갖추고 있지만, 그러나 강성률은 매우 낮다. 노광 장치의 부분 및 부재를 형성하는데 사용되는 재료는 전화 유리 및 특정 세라믹 재료와 같은 충분한 강성률을 갖는 것에 제한된다. 이러한 높은 강성률의 재료는 전형적으로 1ppm/ ℃ 정도의 열 팽창 계수를 갖는다. 부재의 크기의 필요 안정성은 그것이 단지 약 0.1m의 길이에 있어서 약 1nm 또는 그 보다 적게 변화하도록 한다면, 필요한 안정성은 10ppb(또는 10 X 10-9)에 이르게된다. 약 1 ppm/ ℃ 의 열 팽창 계수를 갖는 재료에서 이 크기 안전성을 유지하기 위해서는, 0.01 ℃내의 온도의 안정성이 요구된다. 통상적인 열 절연체가 온도의 필요 안정성을 충족시키는데 사용될 때, 열 절연 재료의 다수 층이 그러한 열 절연체를 형성하도록 서로 겹쳐져서 놓여지게 된다. 노광 장치내의 공간이 제한되기 때문에, 제한된 공간내에서 수용될수 있는 통상적인 열 절연체와의 온도의 필요 안정성을 달성하는 것이 매우 곤란하다.
또한 주목하여야 할 것은 상술한 타입의 노광 장치이 공간상의 제한이 다음에 알 수 있는 바와 같이 매우 중요하다는 것이다. 첫째로, 노광 장치에 의해 점유된 바닥 공간(이 공간은 종종 '목표 예정 지역'으로 지칭됨)의 감소는 제조업자에게 상당한 비용을 절감하게 한다. 목표 예정 지역이외에, 또한 공간 제한은 노광 장치의 성능에 대해 영향을 갖는 수개의 본질적 특징에 관련된다. 특징들중 하나는 방사 광학 장치와 그 아래에 배치된 웨이퍼의 표면사이의 거리이다. 방사 광학 장치의 구멍의 숫자는 최근들어 보다 고도한 리졸루션을 달성할 목적으로 증가되어 왔다. 만약 상술한 거리는 상대적으로 더 크고 그리고 방사 광학 장치는 고도한 구멍 수를 갖는다면, 이것은 방사 광학 장치에서 사용되는 광학 엘레멘트의 지름이 크게 된다. 이 결과에 따라, 방사 광학 장치를 제조하는 것이 곤란하다. 그밖에도 제조 비용이 증가하게 된다. 나아가, 노광 장치를 구성하는 부분 및 부재에 대한 길이와 구역 면적의 비에 대한 어떤 제한이 따르기 때문에, 더 큰 방사 광학 장치는 선택되어 허용되는 에러 범위내에 부합 정확도를 달성하도록 하기 위해 노광 장치의 구조의 더 고도한 휨 및 비틀림 강성률을 필요로 한다.
상술한 바와 같이, 낮은 열 팽창 재료는 열의 임의의 역 작용을 피하기 위해 사용되지만, 그러나 그들은 그들의 낮은 강성률로 인해 노광 장치의 부분 및 부재의 재료로서 사용되는 것이 매우 곤란하게 한다. 반면에, 충분한 강성률을 갖는 재료가 열 절연층으로서 사용된다면, 임의의 해가 되는 열 팽창을 피하는 것을 보장하도록 온도의 필요 안정성을 충족시키기 위해 충분한 두께를 갖는 열 절연층을 제공하는 것을 요구하고 있다. 이것은 통상적으로 노광 장치의 공간과 관련하여 기인된다. 예를들어, 만약 온도의 필요 안정성이 전형적인 통상적인 타입의 열 절연체로 달성하여야 한다면, 이들은 약 10cm의 두께를 가져야 한다. 노광 장치를 구성하는 부분 및 부재에 이러한 두께의 열 절연체를 적용하는 것은 실제적으로 불가능하다. 노광 장치에서 사용되는 열 절연체는 냉장고에서와 같은 다른 용도로 사용되는 열 절연체와 기본적으로 다르고, 그리고 이에따라 이것은 오랜동안 문제가 되었다.
다음으로, 노광 장치에서 생성된 열이 노광 장치에서 사용되는 레이저 간섭계에서 사용될 때 부합 정확성이 격감되는 문제를 상세하게 기술할 것이다.
최근들어, 노광 장치의 노광기의 주요 부분을 봉입하는 챔버는 노광 장치에 의해 점유된 필요한 마루 공간을 감소시키기 위해, 전기 모터 및 절연기의 회로 판용 동력 공급부를 구비하는 노광 장치의 다양한 부속품 뿐만아니라 노광 주요 부분을 봉입하도록 전형적으로 디자인된다. 이 결과에 따라, 노광 장치의 유닛 용적당 생성된 열의 량은 증가된다. 이러한 열원의 영향하에서, 0.1 ℃이하로 온도 분포를 유지하는 것은 매우 곤란하다. 이것은 차례로 레이저 간섭계로부터 측정 레이저 비임이 광학 경로내의 및 주변의 공기중의 요동을 생성하는 노광 장치의 온도 구배를 결과한다. 이로인해, 레이저 간섭계를 통한 측정의 가장 가능한 안정성은 지금까지는 5nm으로 제한된다.
온도의 안정성은 구역 챔버내에서 연관된 레이저 간섭계와 웨이퍼 스테이지를 봉입함에 의해 그리고 상술한 일본 공개 특허 출원 제 헤이-2-199814에 기술된바와 같은 구역 챔버의 벽에 형성된 채널을 통해 냉각제를 순환시켜서 구역 챔버에 대해 온도 제어에 영향을 미치게 함에 의해 개선될수도 있다. 그러나, 이것은 냉각제의 온도를 제어하는데 사용되는 제어 유닛, 순환 펌프, 배관 및 다른 부품을 필요로 하여, 바람직하지 않게 증가된 바닥 면적을 점유하는 벌키 및 복잡한 노광 장치를 결과한다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 목적은 내부에서 사용되는 레이저 간섭계가 측정치의 에러를 생성하는 것을 방지하고, 낮은 강성률의 재료를 사용하지 않고서도 전체 부합 정확도의 격하와 같은 내부에 생성된 열의 역 작용을 방지할수도 있는 노광장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 내부에서 생성된 열의 임의의 역 작용을 피하는 한편 감소된 목표 예정 지역(또는 공간 절약)을 달성할수도 있는 노광 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 노광 장치에 대한 다음 장치를 제공한다.
본 발명의 제 1 실례에 따르면, 마스크상에 형성된 패턴을 기판에 전달하고, 진공 조건에서 열 절연을 제공하는 충전제를 구비하는 진공 열 절연 패널 및 진공 조건에서 상기 충전제를 에워싸는 가스 불침투성 외피를 포함하는 노광장치가 제공되는데, 상기 진공 열 절연 패널은 상기 노광 장치의 적어도 일부에 적용된다.
본 발명의 제 2 실례에 따르면, 마스크상에 형성된 패턴을 기판에 전달하는 노광기 주요 부분 및 상기 노광기 주요 부분을 밀봉하는 챔버를 구비하고 예정된 온도에서 유지되는 내부 온도를 갖는 노광장치가 제공되는데, 상기 노광 장치는 진공 조건에서 열 절연을 제공하는 충전제를 구비하고 상기 챔버 벽의 적어도 적용되는 일부 진공 열 절연 패널 및 상기 진공 조건에서 상기 충전제를 에워싸는 가스 불침투성 외피를 포함한다.
본 발명의 제 3 실례에 따르면, 상술한 제 2 실례에 따른 노광 장치가 제공되는데, 여기서 상기 진공 열 절연 패널은 상기 챔버 벽의 내부 표면에 적용될수도 있다.
본 발명의 제 4 실례에 따르면, 마스크상에 형성된 패턴을 기판에 전달하는 노광기 주요 부분 및 상기 노광기 주요 부분을 밀봉하는 제 1 챔버를 구비하고 예정된 온도에서 유지되는 내부 온도를 갖는 노광장치가 제공되는데, 상기 노광 장치는 진공 조건에서 열 절연을 제공하는 충전제를 구비하는 일부 진공 열 절연 패널 및 상기 진공 조건에서 상기 충전제를 에워싸는 가스 불침투성 외피, 상기 제 1 챔버로부터 분리하여 수행되는 공기 조절하에서의 제 2 챔버를 포함하는데, 상기 진공 열 절연 패널은 상기 제 2 챔버 벽의 적어도 일부에 적용된다.
본 발명의 제 5 실례에 따르면, 마스크상에 형성된 패턴을 기판에 전달하는 노광기 주요 부분 및 상기 노광기 주요 부분을 밀봉하는 제 1 챔버를 구비하고 예정된 온도에서 유지되는 내부 온도를 갖는 노광장치가 제공되는데, 상기 노광 장치는 진공 조건에서 열 절연을 제공하는 충전제를 구비하는 일부 진공 열 절연 패널 및 상기 진공 조건에서 상기 충전제를 에워싸는 가스 불침투성 외피, 상기 마스크 또는 상기 기판을 지지하는 스테이지와, 상기 스테이지를 향해 측정 비임을 방사하고 상기 스테이지의 위치를 측정하도록 상기 스테이지로부터 상기 측정 비임의 반사를 감지하는 측정 수단과, 상기 제 1 챔버내에 배치되고, 상기 측정 비임이 통과하는 공간을 구비하는 공간을 에워싸는 상기 제 1 챔버내에 배치된 제 2 챔버를 포함하는데, 상기 진공 열 절연 패널은 상기 제 2 챔버 벽의 적어도 일부에 적용된다.
본 발명의 제 6 실례에 따르면, 마스크상에 형성된 패턴을 기판에 전달하는 노광기 주요 부분 및 상기 노광기 주요 부분을 포함하는 챔버를 구비하고 예정된 온도에서 유지되는 내부 온도를 갖는 노광장치가 제공되는데, 상기 노광 장치는 진공 조건에서 열 절연을 제공하는 충전제를 구비하는 일부 진공 열 절연 패널 및 상기 진공 조건에서 상기 충전제를 에워싸는 가스 불침투성 외피를 포함하는데, 상기 진공 열 절연 패널은 그것의 온도가 상기 예정된 온도보다 더 높은 챔버내의 영역에 적용된다.
본 발명의 제 7 실례에 따르면, 상술한바와 같은 제 6 실례에 따른 노광 장치가 제공되는데, 이 장치는 바람직하게는 추가로, 조사 광 비임을 방사하여, 상기 기판상에 상기 마스크를 조사하는 방사 광학 장치를 포함하고, 상기 방사 광학 광학 장치가 렌즈 통을 갖추고, 그리고 그것의 온도가 상기 예정된 온도 보다 더 높은 상기 영역이 상기 렌즈 통의 적어도 일부를 구비한다.
본 발명의 제 8 실례에 따르면, 상술한 바와 같은 제 6 실례에 따른 노광 장치가 제공되는데, 이 장치는 바람직하게는 추가로 상기 마스크에 상기 조사 광 비임을 방사하는 광원과, 그 내부에 상기 광원을 밀봉하는 램프하우스를 포함하고, 그리고 그것의 온도가 상기 예정된 온도 보다 더 높은 상기 영역이 상기 램프하우스의 적어도 일부를 구비한다.
본 발명의 제 9 실례에 따르면, 상술한 바와 같은 제 6 실례에 따른 노광 장치가 제공되는데, 이 장치는 바람직하게는 추가로 회로 판을 포함하는 회로 판 박스를 포함하고, 그리고 그것의 온도가 상기 예정된 온도 보다 더 높은 상기 영역이 상기 회로 판 박스의 적어도 일부를 구비한다.
본 발명의 제 10 실례에 따르면, 패턴을 기판에 전달하는 노광 장치가 제공되는데, 진공 조건에 밀봉된 진공 열 절연 패널을 포함하는데, 상기 진공 열 절연 패널은 상기 노광 장치의 적어도 일부에 적용된다.
본 발명의 제 11 실례에 따르면, 마스크상에 형성된 패턴을 기판상에 전달하는 노광 장치가 제공되는데, 이 장치는 진공 조건내에서 밀봉된 음향 절연체를 포함하는데, 상기 음향 절연체는 상기 노광 장치의 적어도 일부에 적용된다.
본 발명의 상기 및 다른 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조로 하여 바람직한 실시예의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1 은 본 발명의 한 실시예에 따른 노광 장치의 개략적 정면도.
도 2 는 진공 열 절연 패널의 단면도.
도 3 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 노광 장치를 개략적으로 도시한 측면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 망선 2 : 조사 광학 장치
3 : 방사 광학 장치 4 : 웨이퍼
6 : 웨이퍼 스테이지 8 : 레이저 간섭계
9 : 정렬 광학 장치 10 : 제 2 챔버
11 : 환경 챔버 13 : 공기 유입부
14 : 회로판 박스 20 : 회로판
101 : 외피 102 : 충전제
103 : 열 밀봉층
첨부된 도면을 참조로 하여, 본 발명의 제 1 실시예를 상세히 설명할 것이다. 도 1은 제 1 실시예에 따른 노광 장치를 개략적으로 도시한 정면도이다. 도 1에 도시된바와 같이, 망선(1)은 조사 광학 장치(2)의 수단에 의해 조사되고 그리고 망선(1)의 화상은 웨이퍼(4)상에 방사 광학 장치(3)를 통해 광학적으로 형성되고 그리고 이에따라 웨이퍼(4)로 전달된다. 웨이퍼(4)는 웨이퍼 테이블(5)상에 배치되는데, 이것은 차례로 방사 광학 장치(3)의 광 축에 수직인 평면을 따라 운동가능한 웨이퍼 스테이지(6)에 의해 지지된다. 웨이퍼 테이블(5)은 그위에 고정되어 설치된 운동성 거울(4)(도 1에는 단지 하나만 도시하였음)을 갖추고 있다. 운동성 거울(4)의 위치는 연관된 레이저 간섭계(8)(도 1에는 단지 하나만 도시하였음)의 수단에 의해 측정되었고 그리고 이에따라 웨이퍼 테이블(5)의 위치가 측정된다. 축외 정렬 광학 장치(9)(이후에는 '정렬 광학 장치'로 간단히 기술함)가 웨이퍼의 정렬을 이루도록 측정을 위해 제공된다. 더 상세하게는, 정렬 광학 장치(9)는 정렬을 목적으로 웨이퍼(4)상에 형성된 정렬 마크를 관측한다(또는 감지한다).
노광 장치의 필수 부품 또는 노광기 주요 부분은 일반적으로 상기 언급된 부품으로 구성된다. 노광기 주요 부분의 전체는 도 1에 도시된바와 같이 환경 챔버(11)( 또는 제 1 챔버)내에 밀봉된다. 환경 챔버(11)내의 내부 환경에는 외부 공기 조절 유닛(도시되지 않았음)으로부터 온도 제어된 공기가 연속적으로 공급되고, 그리고 이에따라 예정된 온도에서 유지된다. 공급되는 공기는 초저 투과 공기 필터(ULPA 필터)를 통해 환경 챔버(11)로 도입되어, 챔버(11)내의 내부 환경의 청결도가 예정된 수준에서 유지되도록 한다.
구조물(10)은 방사 광학 장치(3), 레이저 간섭계(8) 및 정렬 광학 장치(9)를 지지하고 뿐만아니라 웨이퍼 테이블(5) 및 웨이퍼 스테이지(6)을 밀봉하기 위한 봉입 공간을 형성한다. 이에따라, 구조물(10)은 환경 챔버(11)내의 다른 나머지로부터 봉입 공간을 나누도록 하는 챔버로서 칭해질 때는, 다음 설명에서 챔버(제 2 챔버)로서 언급된다. 구조물 또는 제 2 챔버(10)는 환경 챔버(11)내의 나머지로부터 분리된 웨이퍼 테이블 및 웨이퍼 테이블(5)을 포함하는 봉입 공간을 형성하는 격벽을 제공한다. 제 2 챔버(10)내에 포함된 웨이퍼 테이블(5)은 상술한바와 같이 그위에 고정되어 설치된 운동성 거울(7)을 갖추고 있다. 레이저 간섭계(8)는 웨이퍼 테이블(5)의 위치를 측정하기 위하여 각각 도 1에 도시된바와 같이, 제 2 챔버(11)로부터 대응 운동성 거울(7)로 레이저 비임을 방사한다. 공기 유입부(13)(도 1에는 단지 하나만 도시되어 있음)에는 레이저 간섭계(8)(간섭계 패쓰)로부터 레이저 비임의 광학 경로를 따라 제공된다. 공기 유입부(13)는 외부 공기 조절 유닛(도시되지 않았음)으로부터 연속적으로 공급된 온도 제어 공기를 송풍을 중단시킨다. 이것은 측정 레이저 비임의 광학 경로내에서 및 주변에서 공기의 굴절률의 임의의 변화를 방지할 목적으로 행하여진다.
환경 챔버(11)내에는 회로 판(20) 및 다른 부분을 포함한(또한 공기 유출 박스로서 사용됨) 회로 판 박스(14) 및 이것과 관련된 엘레멘트가 제공된다. 회로 판 박스(14)는 공기 유입부(17a) 및 공기 유출부(17b)를 갖추고 그리고 필터(12)를 통해 환경 챔버(11)로 도입되는 공기의 일부는 공기 유입부(17a) 및 이어서 공기 유출부(17b)로 유동된다. 환경 챔버(11)로 도입되는 공기의 나머지 부분은 이곳으로부터 공기 유출부(15)를 통해 배출되는 한편, 제 2 챔버(10)로 도입되는 공기는 이곳으로부터 공기 유출부(16)를 통해 배출된다. 이들 유출부(15 및 16)를 통한 배출 공기는 외부 공기 조절 유닛(도시되지 않았음)으로 되돌려진다.
특히, 본 발명의 제 1 실시예에 따라서, 진공 열 절연 패널은 도 1내에 빗금쳐 나타낸 바와 같은 노광 장치내에 적절히 배치되도록 적용된다. 하나의 대표적 진공 열 절연 패널(100)은 도 2를 참조로 하기에 기술하였다.
도 2에 도시된바와 같이, 진공 열 절연 패널(100)은 충전제(102), 진공 조건에서 충전제(102)를 밀봉하는 외피(101), 및 외피(101) 및 충전제(102)를 밀봉하는 외피(101)상에 라미네이트된 열 밀봉 층(103)을 포함한다. 충전제(102)는 임의의 적절한 플라스틱 포옴 또는 에어로겔로 된 판형 부품을 포함할수도 있다. 선택적으로는, 이것은 일정량의 실리카 분말 또는 퍼라이트 분말을 포함할수 도 있다. 만약, 적절한 플라스틱 포옴의 판형 부품이 충전제(102)를 형성하는데 사용된다면, 충전제가 진공 조건에서 배치될 때 포옴 셀내에 가스를 보유하지 않는 플라스틱 포옴(예컨데, 오픈 셀 플라스틱 포옴이 바람직하다)을 선택하는 것이 바람직하다. 이것은 포옴 셀내에 보유된 임의의 가스가 열을 전달하는데 사용되어, 충전제가 진공 조건내에 배치될때라도 진공 열 절연 패널의 더 고도한 열 전도성을 결과하기 때문이다. 나아가, 충전제(102)는 분말 재료가 인접 분말 입자사이에서 접촉되는 지점의 특징에 의해 상대적으로 낮은 열 전도성을 제공하기 때문에 일정량의 분말 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 그밖에도, 분말 입자는 또한 복사에 의한 열전달이 감소되도록 열 복사를 효과적으로 분산시킬 것이다.
외피(101)는 (알루미늄과 같은) 적절한 금속 재료의 포일로 제조된 가스 불침투성 외피(또는 가스 방벽 외피)이다. 이에따라, 외피(101)는 공기 또는 수증기에 방벽 또는 불침투성물을 제공한다. 외피(101)는 외피(101)의 외부 표면에 적층되고 그리고 적용된 열 밀봉 층(103)을 갖춘다. 열 밀봉 층(103)은 가열될 때 부착되게 되는 그것의 양측면상에서 열 밀봉 표면을 갖춘다. 열 밀봉 표면의 부착은 하기에 기술된바와 같은 열 밀봉에 의해 노광장치내에 적절한 배치로 진공 열 절연 패널(100)을 적용할 목적뿐만아니라 내부에 진공 조건을 생성하도록 공기를 비울 때 외피(101)를 밀봉할 목적으로 사용된다.
이에따라, 진공 열 절연 패널(100)은 이것으로부터 공기를 배출시키도록 외피(101)를 소개함에 의해 최종처리된다. 외피(101)내의 압력을 0.1 Pa 또는 그이하로 감소시킴에 의해, 진공 열 절연 패널(100)은 약 0.01 W/(m ℃)의 낮은 열 전도성을 나타낼것이고 그리고 이에따라 하기에 더 상세하게 기술되겠지만, 전형적인 비 진공 열 절연 패널에 비해 약 10배의 높은 열 절연을 제공할 것이다.
대상물 내면의 온도 분포를 고려하면 다음과 같다. 대상물의 표면에 대해 열 플럭스(또는 W로 나타내어진 단위 면적 당 열 흐름속도)가 주어질 때, 대상물 내면의 온도 분포는 이것이 오프셋되는 것을 제외하고는 독특하게 결정될 수 있다. 열 절연 층의 성능은 온도 분포와 관련한 것보다는 열 플럭스의 제어와 관련하여 보다 잘 설명되기 때문에, 다음의 설명은 열 플럭스의 제어의 관점에서 이루어질 것이다.
대상물 및 주변 공기의 표면사이의 열 교환을 고려하면 다음과 같다. 만약 대상물의 표면과 주변 공기사이의 온도 차이가 △T라면, 열 절연체 표면의 면적은 S이고, 그리고 열 투과율은 U이고, 그리고 열 J의 흐름은
J = U (S △T) ...(1)
로 주어진다.
열 투과율 U은 2개의 변수 k 및 d의 함수로서 나타내어 질수도 있다.
U (k, d) = 1 / {(1/h) + (d/k)} ...(2)
여기서, h 는 대류에 의한 공기의 열 전달 계수를 나타낸 것이고, d는 대상물의 표면에 적용된 절연 층의 두께를 나타낸것이고, 그리고 k 는 절연층의 열 전도성을 나타낸 것이다.
이 방정식은 절연층이 U = U (k, 0)로서 사용되지 않는 계수 U를 나타낼수도 있다. 이에따라, 임의의 절연층의 성능을 나타내는 파라메터 B를 사용하였고, 이 파라메터 B는 다음 방정식
U (k, d) = B U (k, 0) ...(3)
으로 규정된다.
방정식(2)을 방정식(3)에 치환하여, 다음식을 얻었다.
k = B d h2/(1 - Bh) ...(4)
이 방정식으로 B, d 및 h의 특정값에 대한 절연층의 필요 열 전도도를 얻는다. 예를들어, h, d 및 B를 실제로 종종 사용되는 전형적인 값으로 특정화하면 다음과 같다. h = 5 w/(m2℃), d = 0.002 m이고 그리고 B = 0.1 이다. (이 B의 값은 절연 층이 열 흐름의 1/10이 되도록 열 절연을 제공하는 것을 의미한다) 이 값을 방정식(4)에 치환하여, k = 0.01 W /(m ℃)로서 절연층의 필요 열 전도도를 얻었다. 이러한 수준의 열 전도도는 임의의 통상적인 열 절연체로는 달성할수 없었다. 이와 대조적으로, 진공 열 절연 패널(100)은 사실상 0.01 W/(m ℃)만큼 낮은 열 전도도를 달성할수 있어서, 이것이 전형적이고, 통상적인 열 절연체로 달성될수 있는 것보다 열배 높은 열 절연을 제공할수있도록 한다.
다음으로, 진공 열 절연 패널이 적절히 적용될수도 있는 노광 장치내의 적절한 위치를 제공할것이다. 상술한바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 진공 열 절연 패널은 그 장소가 다음에 더 상세하게 기술될 도 1의 빗금친 면적에 의해 지시된 장소에 적용된다.
1. 방사 광학 장치
방사 광학 장치(3)은 그내부에 렌즈를 유지하는 렌즈 통을 갖추고 있는데, 이것은 환경 챔버(11)에서 공기 조정함에 의해 달성되는 환경 챔버(11)에서의 제어된(또는 조정된)온도의 명백한 에러로 인해 이들의 온도가 변화된다. 렌즈 통의 온도의 변화는 렌즈 통이 열 팽창 및 수축되도록 하여, 렌즈 통에 유지되는 렌즈사이의 거리가 변화되게 한다. 이것은 차례로 확대도 비 및/또는 방사 광학 장치(3)의 비틀림이 변화되게하여, 노광 장치의 부합 정확도가 떨어지도록 한다. 부합 정확도의 이러한 격감을 방지하거나 또는 억제하기 위해서는, 상술한바와 같은 진공 열 절연 패널(100)과 동일한 구조를 갖는 진공 열 절연 패널(100a)은 렌즈 통의 측벽의 전체 또는 일부에 적용된다. 진공 열 절연 패널(100a)은 이들을 직접 측벽에 부착하도록 하기위해 그들의 열 밀봉 층을 가열함에 의해 렌즈 통의 측벽상에 고정될수도 있다. 선택적으로, 이들은 열 절연 패널을 형성하도록 한쌍의 금속 시트사이에서 샌드위치식으로 위치될수도 있고 그리고 스크류와 같은 적절한 고정 수단에 의해 렌즈 통의 측벽상에 패널을 고정시킬수도 있다.
2. 구조물(제 2 챔버)
레이저 간섭계(8)의 측정 광학 경로내에 그리고 그 주변의 공기의 해로운 요동을 방지할 목적으로, 다른 공기 조절이 제 2 챔버(10)에 영향을 미치는데, 이 제 2 챔버는 환경 챔버(11)에 대해 공기 조절되는 것이 분리된다. 이 특징에 의해, 제 2 챔버(10)내의 공기는 제 2 챔버(10)의 외면 및 환경 챔버(11) 내면의 공기보다 더 정확하게 온도 제어되어 위치된다. 이에따라, 제 2 챔버(10) 외면 및 환경 챔버(11) 내면에서 생성된 열의 영향과 같은 제 2 챔버(11)에 대한 해로운 장애를 차단하기 위해서는, 상술한 진공 열 절연 패널(100)과 동일한 구조를 갖는 진공 열 절연 패널(100b)가 제 2 챔버(10)의 벽에 적용된다. 진공 열 절연 패널(100b)은 열 밀봉에 의해 벽의 내부 표면에 고정될수도 있다. 선택적으로는, 진공 열 절연 패널(100b)은 열 절연 패널을 형성하도록 사용될수도 있는데, 이 절연 패널(100b)은 임의의 적절한 재료의 시트사이에서 샌드위치식으로 위치되고 그리고 스크류 수단에 의해 제 2 챔버(10)의 벽의 내부 표면에 패널을 고정한다. 나아가, 진공 열 절연 패널(100b)은 벽의 내부 표면에 적용되는 이외에 또는 이것보다는 제 2 챔버(10)의 벽의 외부 표면에 적용될수도 있다.
3. 회로 판 박스
환경 챔버(11)내에는, 회로 판(20) 및 다른 부품을 포함하는 회로 판 박스(14)가 배치된다. 회로 판 박스(14)내에 포함된 회로 판(20)은 열을 생성함으로, 회로 판 박스(14) 그자체는 환경 챔버(11)내의 열원이다. 이에따라, 진공 열 절연 패널(100)과 동일한 구조를 갖는 진공 열 절연 패널(100c)은 회로 판 박스(14)에 적용된다. 이것은 회로 판 박스(14)내에서 생성된 열이 회로 판 박스(14)의 외면 및 환경 챔버(11)의 내면의 공기로 전달되는 것을 방지한다. 진공 열 절연 패널(100c)은 제 2 챔버(10)에 대해 진공 열 절연 패널(100b)이 고정되는것과 동일한 방식으로 회로 판 박스(14)상에 고정될수도있다.
4. 환경 챔버
그 내부에 노광 장치를 밀봉하는 임의의 환경 챔버는 일반적으로 예정된 온도에서 유지되는 세척실에 설치된다. 그러나, 세척실에서 공기에 작용하는 온도 제어는 노광 장치를 위한 온도 제어를 위해서는 통상적으로 불충분하다. 이러한 상황에서, 상술한 진공 열 절연 패널(100)과 동일한 구조를 갖는 진공 열 절연 패널(100d)이 환경 챔버(11)외면의 임의의 온도의 영향으로부터 환경 챔버(11)내의 온도(예컨데, 세척실에서의 실온)를 유지하기 위해서 환경 챔버(11)에 적용된다. 진공 열 절연 패널(100d)은 열 절연 패널을 형성하는데 사용될수도 있는데 절연체(100d)는 임의의 적절한 재료의 시트사이에서 샌드위치식으로 위치되고 그리고 환경 챔버(11)의 벽의 내부 및/또는 외부 표면상에 패널을 고정한다. 선택적으로는, 만약 환경 챔버(11)가 내부 벽 및 외부 벽을 구비한 이중벽 구조물을 갖는다면, 진공 열 절연 패널(100d)은 내부 및 외부 벽사이에 샌드위치식으로 위치될수도있다. 이 방식으로 환경 챔버(11)의 벽에 진공 열 절연 패널(100d)을 적용함에 의해, 세척실에 대한 온도 제어는 반도체 공장의 장치 비용을 낮출수도 있도록 정확도를 보다 낮게 요구(예컨데, 0.2)하도록 작용될수도 있다.
다음으로 본 발명의 제 2 실시예는 다음과 같다. 제 2 실시예는 제 1 실시예에서 발견되는것과는 다르게 위치되도록 적용된 상술한바와 같은 진공 열 절연 패널과 동일한 구조를 갖는 진공 열 절연 패널을 구비한다. 이들 장소는 도 3을 참조로 하기에 기술하였다. 도 1에 도시된것과 동일하거나 또는 유사한 작용을 제공하는 도 3에 도시된 이들 엘레멘트 및 부품은 도 1에 사용된것과 동일한 참조 번호로 나타내었고 그리고 명료성을 위해 상세하게 기술하지는 않았다.
도 3은 제 2 실시예에 따른 노광 장치를 개략적으로 도시한 측면도이다. 도 3에 도시한바와 같이, 광원(30)은 광원(30)에 의해 생성된 임의의 열이 램프하우스(lamphouse)(32)로부터 환경 챔버(11)로 유동되는 것을 억제하도록 램프하우스(32)내에 봉입된다. 조사 광학 장치(2)는 광원(30)으로부터 방사되는 조사 광 비임(IL)로 망선(1)을 조사하도록 제공된다. 조사 광학 장치(2)는 수평 방향으로 향하도록 그것의 광학 경로를 굽혀지게 광원(30)으로부터 조사 광 비임(IL)을 반사하는 거울(40)을 포함한다. 조사 광학 장치(2)는 추가로 광학 적분기(또는 플라이 아이(fly eye) 렌즈)를 구비한 플라이 아이 광학 장치(41), 계전식 광학 장치(44), 수평 방향과 관련하여 45도로 각이진 방향으로 망선(1)위로 연장되는 색선별 거울(46), 색선별 거울(46)과 망선(1)사이에 배치된 주 집광 렌즈를 포함하는데, 이들 부품은 조사 광 비임(IL)의 광학 경로를 따라 거울(40)에 의해 반사된 조사 광학 비임(IL)의 전파 방향으로 순서적으로 배치된다.
광원(30)이 램프하우스(32)에 봉입되어, 램프하우스(32)내의 온도는 그것이 램프하우스(32)에서 생성된 열이 환경 챔버(11)로 전달되는 것을 방지하는데 필요하도록 환경 챔버(11)내에서보다 보다 높게 될 것이다. 이에따라, 상술한바와 같은 진공 열 절연 패널(100)과 동일한 구조물을 갖는 진공 열 절연 패널(100e)는 (도 3의 빗금친 면적에 의해 지시된) 램프하우스(32)의 벽에 적용된다. 중요한 것은 램프하우스(32)는 진공 열 절연 패널(100e)이 램프하우스(32)와 환경 챔버(11)를 분리하는 벽에 적용되도록 환경 챔버(11)의 외부 표면에 대해 설치된다. 램프하우스가 환경 챔버내에 포함되는 다른 경우에, 진공 열 절연 패널은 램프하우스의 모든 벽의 내부 및/또는 외부 표면에 적용될수도 있다. 이러한 방식으로, 환경 챔버(11)내의 정확한 온도 제어가 용이하게 이루어질수도 있는데, 이것은 환경 챔버(11)가 램프하우스(32)내에서 생성된 열의 영향으로부터 자유롭기 때문이다.
나아가, 도 3에 도시된 바와 같이, 회로 판을 포함하는 회로 판 박스(54)는 망선(1)을 보유하는 망선 라이브러리(library)(51)와 망선(1)을 지지하는 망선 스테이지(52)사이에 망선을 전달하도록 전달 장치(50)아래에 배치된다. 열은 그내부에 포함된 회로 판에 의해, 회로 판 박스(54)에서 생성된다. 이에따라, 상술한 진공 열 절연 패널(100)과 동일한 구조를 갖는 진공 열 절연 패널(100f)이 회로 판 박스(54)의 벽에 적용된다. 이러한 방식으로, 회로 판 박스(54)내에서 생성된 열은 회로 판 박스(54)외면 및 환경 챔버(11) 내면에 공기가 전달되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
나아가, 도 3에 도시된바와 같이, 웨이퍼(4)를 보유하는 웨이퍼 라이브러리(60)가 전용 챔버(62)내에 포함되고 그리고 다른 공기 조절이 환경 챔버(11)에 대한 공기 조절이 분리되는 챔버(62)에 작용한다. 진공 열 절연 패널(100)과 동일한 구조를 갖는 진공 열 절연 패널(100g)이 챔버(62)의 벽에 적용된다.
이에따라 기술된 제 2 실시예에서, 진공 열 절연 패널(100e, 100f, 및 100g)은 제 1 실시예와 동일한 방식으로 그들의 위치에 적용될수도 있다. 즉, 그들은 열 밀봉 층(103)을 가열하고, 또는 선택적으로는 열 절연 패널을 형성하도록 그들을 사용하여 수득된 부착물에 의해 그들의 위치에 부착할수도 있고 그리고 스크류와 같은 적절한 고정물 수단에 의해 대응 벽의 내부 및/또는 외부 표면에 패널을 고정시킬수 도있다.
중요한 것은 진공 열 절연 패널(100a 내지 100g)이 적용되는 위치는 단지 실시예의 한 방법으로 예시한것이지, 적절한 위치를 제한하려는 것은 아니라는 것이다. 그러나, 진공 열 절연 패널은 열을 생성하는 부분 및 부재에 인접한 위치 및 구역적으로 정밀한 온도 제어가 작용되는 공간을 형성하는 벽상의 위치와 같은 다른 다양한 위치에 적용될수도 있다.
노광 장치내에 적절한 위치에 적용된 전형적이고 통상적인 열 절연체에 비해 1/10 정도로 낮은 열 전도도를 갖는 진공 열 절연 패널을 사용함으로 인해, 각각의 위치에서의 열 플럭스가 온도 제어를 보다 더 정확하게 하도록 효과적으로 제어될 수 있다. 그밖에도, 진공 열 절연 패널은 동일한 열 절연을 위한 임의의 통상적인 열 절연체 보다 보다 얇은(또는 보다 조밀한) 열 절연 패널을 형성하도록 사용될 수 있다. 나아가, 진공 열 절연 패널은 통상적인 열 절연체로 형성된 절연층을 제공하지 않도록 좁은 공간에서도 절연층을 형성하는데 사용될수도 있어서, 이들은 또 다른 관점으로부터 보다 더 정확한 온도 제어를 이룰수 있도록 한다.
상술한 설명은 임의의 열 역작용을 방지할 목적으로 본 발명에 따른 노광 장치내의 적절한 위치에 적용되는 진공 열 절연 패널을 사용하는 것을 예시하였지만, 본 발명은 하기에 기술된것에 제한되지 않는다. 사실상 본 발명은 또한 하기에 기술될 (환경 챔버 내면 및/또는) 환경 챔버 외면에서의 노광 장치에서 생성된 음 또는 음향 소음에 의해 유도될수도 있는 노광 장치의 진동을 감소시키는것에 관한 것이다.
최근의 많은 세척실은 공기가 바닥을 향해 그리고 이어서 전체 바닥 면적을 통해 세척실로부터 벗어나서 세척실내에서 하향되어 흐르도록 전체 지붕 면적을 통해 세척실로 공기가 공급되는 하향 흐름 타입의 공기 순환 장치를 사용한다. 이 경우, 공기의 흐름 속도는 매우 높다. 그밖에도, 그 내부에 노광 장치를 밀봉하는 환경 챔버는 환경 챔버를 통해 공기를 순환시키는 공기 순환 장치를 갖추고 있는데, 여기서 공기는 압력 손실을 크게하는 초저 투과 공기 필터(ULPA 필터)를 통해 통과되도록 하여, 팬에 요구된 정압(또는 공급압)이 매우 높도록 한다. 이러한 이유로 인해, 세척실용 및 노광 장치용으로 장치된 팬에 의해 생성된 소음은 최근들어 급속하게 증가하고 있다. 이러한 소음은 노광 장치의 리졸루션 및 부합 정확도에 영향을 미치도록 노광 장치를 진동(음향 진동)시키는 것은 공지되어 있다. 그 주파수가 노광 장치의 기계 공진 피이크와 근접한 주파수 부분을 포함하는 소음은 더 극심한 문제를 제공할수도있다. 이러한 주파수는 약 200헤르쯔 또는 그이하이다. 일부의 통상적인 환경 챔버는 문제가 되는 주파수 범위내의 음향 투과를 거의 감쇠시킬수 없고 그리고 이것에 대해 불충분한 약 1 내지 2mm의 두께를 갖는 강 또는 알루미늄의 판으로 형성된 외부 벽을 갖추고 있다. 임의의 통상적인 열 절연체가 내부 및 외부 벽사이에 샌드위치식으로 끼여져 있는 이중 벽 구조물을 사용하였지만, 이러한 구조물은 단지 단일 벽 구조물로 달성될수 있는 감쇠의 2배를 제공할수 있으며 그리고 이에따라 효과적일수는 없다. 이와대조적으로, 상술한 진공 열 절연 패널은 공기가 비워져있고 그리고 이에따라 진공 열 절연 패널에 공기가 없는 구조로 인해 그것을 통한 임의의 음향 투과를 방지하거나 또는 억제하도록 하는 음향 절연물을 제공한다.
따라서, 본 발명의 한 실예에 따르면, 진공 열 절연 패널은 노광 장치내의 적절한 위치, 예컨데, 소음원에 인접한 영역에, 바람직하게는 임의의 소음의 역 작용을 방지하도록된 공간을 형성하는 벽의 내부 및/또는 외부 표면에 적용되는 음향 절연체로서 사용된다. 이러한 방법으로, 노광 장치에서 가능한한 발생하는 임의의 해로운 음향 진동은 노광 장치의 부합 정확도의 격감과 같은 진동의 역 작용을 방지하도록 감소될수도 있다.
상술한 내용으로부터 명확하게 이해할수 있듯이, 본 발명에 따르면, 진공 열 절연 패널은 노광 장치내의 적절한 위치에 적용되어, 본 발명은 노광 장치의 부합 정확도의 격감과 같은 열의 역 작용을 방지할뿐만 아니라 노광 장치에 의해 점유된 바닥 공간을 감소되게 한다.
몇 개의 실시예로 본 발명을 설명하였지만, 이해하여야 할 것은 본 발명은 기술된 실시예에 제한되지 않고, 첨부된 청구범위에 의해 규정된 본 발명의 범위 및 정신으로부터 벗어나지 않고서 다양한 다른 형태로 실시될수도 있다.

Claims (23)

  1. 마스크상에 형성된 패턴을 기판에 전달하는 노광 장치로서,
    진공 조건에서 열 절연을 제공하는 충전제 및 진공 조건에서 상기 충전제를 밀봉하는 가스 불침투성 외피를 구비하는 진공 열 절연 패널을 포함하고 있고,
    상기 진공 열 절연 패널이 상기 노광 장치의 적어도 일부분에 적용되어 있는 노광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 충전제가 오픈 셀 플라스틱 포옴의 판형 조각, 일정량의 실리카 분말, 또는 일정량의 펄라이트 분말을 포함하고 있는 노광 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 외피가 가스 불침투성 금속 박막으로 된 외피 및 상기 외피의 외부 표면에 적용된 열 밀봉 층을 포함하고 있으며, 상기 열 밀봉 층이 양측면상에 형성된 열 밀봉 표면을 갖추고 있는 노광 장치.
  4. 마스크상에 형성된 패턴을 기판에 전달하는 노광기 주요 부분 및 상기 노광기 주요 부분을 포함하고 있고 그리고 예정된 온도에서 온도가 유지되는 챔버를 구비하고 있는 노광 장치로서,
    진공 조건에서 열 절연을 제공하는 충전제 및 진공 조건에서 상기 충전제를 밀봉하는 가스 불침투성 외피를 구비하고 있는 진공 열 절연 패널을 포함하고 있고,
    상기 진공 열 절연 패널이 상기 챔버 벽의 적어도 일부분에 적용되어 있는 노광 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 진공 열 절연 패널이 상기 챔버의 상기 벽의 내부 표면에 적용되어 있는 노광 장치.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 충전제가 오픈 셀 플라스틱 포옴의 판형 조각, 일정량의 실리카 분말, 또는 일정량의 펄라이트 분말을 포함하고 있는 노광 장치.
  7. 제 4 항에 있어서, 상기 외피가 가스 불침투성 금속 박막으로 된 외피 및 상기 외피의 외부 표면에 적용된 열 밀봉 층을 포함하고 있으며, 상기 열 밀봉 층이 양측면상에 형성된 열 밀봉 표면을 갖추고 있는 노광 장치.
  8. 마스크상에 형성된 패턴을 기판에 전달하는 노광기 주요 부분 및 상기 노광기 주요 부분을 포함하고 있고 그리고 예정된 온도에서 온도가 유지되는 제 1 챔버를 구비하고 있는 노광 장치로서,
    진공 조건에서 열 절연을 제공하는 충전제 및 진공 조건에서 상기 충전제를 밀봉하는 가스 불침투성 외피를 구비하고 있는 진공 열 절연 패널과, 그리고
    상기 제 1 챔버와 분리되어 온도가 조절되는 제 2 챔버를 포함하고 있고,
    상기 진공 열 절연 패널이 상기 제 2 챔버 벽의 적어도 일부분에 적용되어 있는 노광 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 충전제가 오픈 셀 플라스틱 포옴의 판형 조각, 일정량의 실리카 분말, 또는 일정량의 펄라이트 분말을 포함하고 있는 노광 장치.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 외피가 가스 불침투성 금속 박막으로 된 외피 및 상기 외피의 외부 표면에 적용된 열 밀봉 층을 포함하고 있으며, 상기 열 밀봉 층이 양측면상에 형성된 열 밀봉 표면을 갖추고 있는 노광 장치.
  11. 마스크상에 형성된 패턴을 기판에 전달하는 노광기 주요 부분 및 상기 노광기 주요 부분을 포함하고 있고 그리고 예정된 온도에서 온도가 유지되는 제 1 챔버를 구비하고 있는 노광 장치로서,
    진공 조건에서 열 절연을 제공하는 충전제 및 진공 조건에서 상기 충전제를 밀봉하는 가스 불침투성 외피를 구비하고 있는 진공 열 절연 패널과,
    상기 마스크 또는 상기 기판을 지지하는 스테이지와,
    상기 스테이지를 향해 측정 비임을 방사하고 그리고 상기 스테이지의 위치를 측정하도록 상기 스테이지로부터 반사되는 상기 측정 비임을 감지하는 측정 수단과, 그리고
    상기 제 1 챔버내에 배치되고, 상기 측정 비임이 통과하는 공간을 갖추고 있는 공간을 에워싸는 제 2 챔버를 포함하고 있고,
    상기 진공 열 절연 패널이 상기 제 2 챔버 벽의 적어도 일부분에 적용되어 있는 노광 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 충전제가 오픈 셀 플라스틱 포옴의 판형 조각, 일정량의 실리카 분말, 또는 일정량의 펄라이트 분말을 포함하고 있는 노광 장치.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 외피가 가스 불침투성 금속 박막으로 된 외피 및 상기 외피의 외부 표면에 적용된 열 밀봉 층을 포함하고 있으며, 상기 열 밀봉 층이 양측면상에 형성된 열 밀봉 표면을 갖추고 있는 노광 장치.
  14. 마스크상에 형성된 패턴을 기판에 전달하는 노광기 주요 부분 및 상기 노광기 주요 부분을 포함하고 있고 그리고 예정된 온도에서 온도가 유지되는 제 1 챔버를 구비하고 있는 노광 장치로서,
    진공 조건에서 열 절연을 제공하는 충전제 및 진공 조건에서 상기 충전제를 밀봉하는 가스 불침투성 외피를 구비하고 있는 진공 열 절연 패널을 포함하고 있고,
    상기 진공 열 절연 패널이 그것의 온도가 상기 예정된 온도보다 더 높은상기 챔버내의 영역에 적용되어 있는 노광 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 충전제가 오픈 셀 플라스틱 포옴의 판형 조각, 일정량의 실리카 분말, 또는 일정량의 펄라이트 분말을 포함하고 있는 노광 장치.
  16. 제 14 항에 있어서, 상기 외피가 가스 불침투성 금속 박막으로 된 외피 및 상기 외피의 외부 표면에 적용된 열 밀봉 층을 포함하고 있으며, 상기 열 밀봉 층이 양측면상에 형성된 열 밀봉 표면을 갖추고 있는 노광 장치.
  17. 제 14 항에 있어서, 조사 광 비임을 방사하고, 상기 마스크를 상기 기판상에 조사하는 방사 광학 장치를 더 포함하고 있고,
    상기 방사 광학 장치가 렌즈 통을 갖추고 있고, 그리고
    그것의 온도가 상기 예정된 온도보다 더 높은 상기 영역이 상기 렌즈 통의 적어도 일부분을 구비하고 있는 노광 장치.
  18. 제 14 항에 있어서, 상기 조사 광 비임을 상기 마스크에 방사하는 광 원과,
    상기 광원을 그 내부에 밀봉하는 램프하우스를 포함하고 있고,
    그것의 온도가 상기 예정된 온도보다 더 높은 상기 영역이 상기 램프하우스의 적어도 일부분을 구비하고 있는 노광 장치.
  19. 제 14 항에 있어서, 회로 판을 포함하고 있는 회로 판 박스를 더 포함하고 있고,
    그것의 온도가 상기 예정된 온도보다 더 높은 상기 영역이 상기 회로 판 박스의 적어도 일부분을 구비하고 있는 노광 장치.
  20. 패턴을 기판에 전달하는 노광 장치로서,
    그 내부에 진공을 포함하도록 밀봉된 공간을 구비하고 있는 진공 열 절연 패널을 포함하고 있고,
    상기 진공 열 절연 패널이 상기 노광 장치의 적어도 일부분에 적용되어 있는 노광 장치.
  21. 마스크상에 형성된 패턴을 기판에 전달하는 노광 장치로서,
    그 내부에 진공을 포함하도록 밀봉된 공간을 구비하고 있는 음향 절연체를 포함하고 있고,
    상기 음향 절연체가 상기 노광 장치의 적어도 일부분에 적용되어 있는 노광 장치.
  22. 챔버내에 배치되고, 마스크상에 형성된 패턴을 기판에 전달하는 노광 장치와, 그리고,
    상기 노광 장치와 상기 챔버의 적어도 일부분에 적용되어 있는 진공 열 절연 패널을 포함하고 있는 노광 장치.
  23. 적어도 일부분에 적용된 진공 열 절연 패널을 갖는 노광 장치에 마스크 및 기판을 위치시키는 단계와, 그리고
    상기 진공 열 절연 패널에 의해, 상기 기판이 노출될 때 열 영향을 억제하면서, 상기 마스크상에 형성된 패턴을 상기 기판에 전달하는 단계를 포함하고 있는 노광 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100689705B1 (ko) * 2001-05-04 2007-03-08 삼성전자주식회사 투영 렌즈 온도 조절 수단을 구비하는 노광장치

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU5529499A (en) 1998-09-14 2000-04-03 Nikon Corporation Exposure apparatus and its manufacturing method, and device producing method
EP1124161A3 (en) * 2000-02-10 2004-01-07 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus having a temperature controlled heat shield
TW588222B (en) * 2000-02-10 2004-05-21 Asml Netherlands Bv Cooling of voice coil motors in lithographic projection apparatus
US6630984B2 (en) 2000-08-03 2003-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
EP1178357A1 (en) * 2000-08-03 2002-02-06 Asm Lithography B.V. Lithographic apparatus
US6598283B2 (en) 2001-12-21 2003-07-29 Cabot Corporation Method of preparing aerogel-containing insulation article
EP1477850A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-17 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1491955A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
EP1510867A1 (en) 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7061579B2 (en) * 2003-11-13 2006-06-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6977713B2 (en) * 2003-12-08 2005-12-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4614386B2 (ja) * 2005-02-04 2011-01-19 キヤノン株式会社 位置決め装置、露光装置およびそれを用いたデバイス製造方法
JP2006261273A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Canon Inc チャンバおよびこれを用いた露光装置
NL1036433A1 (nl) 2008-01-31 2009-08-03 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method and device manufacturing method.
NL1036596A1 (nl) * 2008-02-21 2009-08-24 Asml Holding Nv Re-flow and buffer system for immersion lithography.
CN101276150B (zh) * 2008-03-21 2010-06-02 上海微电子装备有限公司 一种步进重复曝光装置
NL2004453A (en) * 2009-04-24 2010-10-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus having a substrate support with open cell plastic foam parts.
NL2005244A (en) * 2009-09-22 2011-03-23 Asml Netherlands Bv Support or table for lithographic apparatus, method of manufacturing such support or table and lithographic apparatus comprising such support or table.
JP6335480B2 (ja) * 2013-11-11 2018-05-30 キヤノン株式会社 露光装置、およびデバイスの製造方法
SG11201608032YA (en) * 2014-04-30 2016-10-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2014934A (en) * 2014-07-16 2016-04-12 Asml Netherlands Bv Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method.
JP6467065B2 (ja) * 2015-03-23 2019-02-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP7360308B2 (ja) * 2019-11-25 2023-10-12 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、および物品製造方法
CN112925175A (zh) * 2021-01-29 2021-06-08 深圳市大族数控科技股份有限公司 一种曝光机

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58119638A (ja) * 1982-01-08 1983-07-16 Seiko Epson Corp 露光装置
JPH02199814A (ja) * 1989-01-30 1990-08-08 Nikon Corp 投影露光装置
US4989031A (en) * 1990-01-29 1991-01-29 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5395604A (en) * 1993-07-09 1995-03-07 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Silica powders for powder evacuated thermal insulating panel and method
US5601897A (en) * 1994-10-17 1997-02-11 Owens-Corning Fiberglass Technology Inc. Vacuum insulation panel having carbonized asphalt coated glass fiber filler
KR100399451B1 (ko) * 1995-04-14 2003-12-11 가부시키가이샤 니콘 노광장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4564284A (en) * 1983-09-12 1986-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor exposure apparatus
JPS62296135A (ja) * 1986-06-17 1987-12-23 Nec Kyushu Ltd 縮小投影型露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58119638A (ja) * 1982-01-08 1983-07-16 Seiko Epson Corp 露光装置
JPH02199814A (ja) * 1989-01-30 1990-08-08 Nikon Corp 投影露光装置
US4989031A (en) * 1990-01-29 1991-01-29 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5395604A (en) * 1993-07-09 1995-03-07 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Silica powders for powder evacuated thermal insulating panel and method
US5601897A (en) * 1994-10-17 1997-02-11 Owens-Corning Fiberglass Technology Inc. Vacuum insulation panel having carbonized asphalt coated glass fiber filler
KR100399451B1 (ko) * 1995-04-14 2003-12-11 가부시키가이샤 니콘 노광장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100689705B1 (ko) * 2001-05-04 2007-03-08 삼성전자주식회사 투영 렌즈 온도 조절 수단을 구비하는 노광장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP0844532A2 (en) 1998-05-27
JPH10209040A (ja) 1998-08-07
EP0844532A3 (en) 1999-08-18
DE69711157D1 (de) 2002-04-25
DE69711157T2 (de) 2002-08-14
EP0844532B1 (en) 2002-03-20

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