KR20010051440A - 전사 투영 장치에 사용되는 정화 가스 시스템 - Google Patents

전사 투영 장치에 사용되는 정화 가스 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20010051440A
KR20010051440A KR1020000065280A KR20000065280A KR20010051440A KR 20010051440 A KR20010051440 A KR 20010051440A KR 1020000065280 A KR1020000065280 A KR 1020000065280A KR 20000065280 A KR20000065280 A KR 20000065280A KR 20010051440 A KR20010051440 A KR 20010051440A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
projection
mask
objective table
substrate
purge gas
Prior art date
Application number
KR1020000065280A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100695988B1 (ko
Inventor
루프스트라에릭로엘로프
슈리버레이몬드라우렌티우스요하네스
판엠펠타르코아드리안루돌프
바겐마르셀코엔라드마리에
루티퀴스베르나르두스안토니우스요하네스
쿠완임분파트리크
Original Assignee
에이에스엠 리소그라피 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠 리소그라피 비.브이. filed Critical 에이에스엠 리소그라피 비.브이.
Publication of KR20010051440A publication Critical patent/KR20010051440A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100695988B1 publication Critical patent/KR100695988B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask

Abstract

투영 방사에 투명한 가스로 정화되어야 할 체적을 감소시키기 위하여, 전사 장치는 마스크 및 기판 홀더중 적어도 하나를 둘러싸지만 투광 또는 투영 시스템중 어느 하나도 둘러싸지않는 적어도 하나의 정화실을 구비한다. 스캐너에 있어서, 마스크 홀더를 둘러싼 정화실이 바람직하게는 마스크 테이블과 함께 움직이며 스캐닝 작동으로 구동되는 프레임 형상의 마스크 테이블 및 투영 및 투광 시스템에 대해 고정된 고정 플레이트의 조합으로 형성될 수 있다.

Description

전사 투영 장치에 사용되는 정화 가스 시스템{PURGE GAS SYSTEMS FOR USE IN LITHOGRAPHIC PROJECTION APPARATUS}
본 발명은
방사 투영 빔을 공급하는 투광 시스템;
마스크를 고정하기 위한 제 1 대물 테이블;
기판을 고정하기 위한 제 2 대물 테이블;
상기 기판의 타겟부 위로 상기 마스크의 조사된 부분을 결상하기 위한 투영 시스템으로 구성되는 전사 투영 장치내의 정화 가스 시스템에 관련된 것이다.
단순화를 위하여, 투영 시스템은 이하 "렌즈"로서 언급될 수 있으나, 이러한 용어는 회절 광학기, 반사 광학기 및 케타디옵트릭 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영 시스템을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 투광 시스템은 투영 빔을 방향짓게하거나, 성형 또는 제어하기 위한 임의의 원리에 따라 작동되는 요소들을 포함할 수도 있으며, 이러한 요소들은 아래에 집합적으로 또는 단일적으로 "렌즈"로서 언급되어 질 수도 있다. 또한, 제 1 및 제 2 대물 테이블은 각각 "마스크 테이블" 및 "기판 테이블"로서 언급될 수 있다.
전사 투영 장치는 예를 들어, 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 마스크(레티클)는 집적회로의 개별 층에 대응하는 회로패턴을 포함할 것이며, 이 패턴은 이후에 감광물질(레지스트)층으로 도포된 기판(실리콘 웨이퍼) 상의 목표영역(1이상의 다이로 구성) 상에 결상될 수 있다. 일반적으로 단일 웨이퍼는 레티클을 통해 한번에 하나씩 연속적으로 방사되는 인접한 다이의 전체적인 연결망을 갖는다. 전사 투영 장치의 일 형태에서는 목표영역 상에 레티클 패턴 전체를 한번에 노광함으로써 각 목표영역이 방사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라 칭한다. 이와 달리, 통상 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)로 불리워지는 대체장치에서는 투영 빔 하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 레티클 패턴을 점진적으로 스캐닝하면서, 동시에 상기 스캐닝 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 웨이퍼 테이블을 스캐닝함으로써 각 목표영역이 방사되는데, 일반적으로 투영 시스템은 배율인자(magnification factor:Ｍ)(대개 〈1)를 가지므로 웨이퍼 테이블이 스캐닝되는 속도(ν)는 레티클 테이블이 스캐닝되는 속도의 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 전사 장치에 관한 보다 상세한 정보는 국제 특허출원 제 WO97/33205호에서 찾을 수 있다.
일반적으로, 이러한 종류의 장치는 단일 제 1 대물(마스크) 테이블 및 단일 제 2 대물(기판) 테이블을 포함한다. 그러나, 적어도 두개의 독립적으로 이동가능한 기판 테이블이 있는 기기가 이용가능해지고 있다(예를 들면 국제 특허출원 WO98/28665호 및 WO98/40791호에 기술된 다단 장치를 참조). 이러한 다단 장치의 기본적인 작동 원리는, 테이블상에 위치한 제 1 기판을 노광시키기 위해 제 1 기판 테이블이 투영 시스템 바로 밑에 있는 동안, 제 2 기판 테이블은 로딩 위치로 이동하고, 노광된 기판을 방출하고, 새로운 기판을 집어 올리고, 새로운 기판상에 소정의 초기 측정 단계를 수행하고, 그후 제 1 기판의 노광이 완료되면 곧 이 새로운 기판을 투영 시스템의 바로 밑의 노광 위치로 이송시키기 위하여 대기하며, 상기 사이클이 반복된다. 이러한 방식으로, 증대된 기기 스루풋을 얻을 수 있어 기기 소유 비용을 개선한다. 노광 및 측정 위치사이로 움직이는 단 하나의 기판 테이블에도 동일한 원리가 이용될 수 있는 것으로 이해되어져야 한다.
결상될 수 있는 대상물의 크기를 줄이기 위해서는 방사 파장을 줄이는 것이 바람직하다. 따라서, 최근들어 180 ㎚ 이하의 파장 예를 들면 157 ㎚ 또는 126 ㎚ 의 파장이 고려되고 있다. 하지만, 이러한 파장은 보통의 대기중의 공기에 의해 강하게 흡수되어, 빔이 장치를 지나감에 따라 바람직하지 못한 강도 손실을 가져온다. 또한, 기판에 제일 가까운 (투영 시스템의)렌즈 요소 등과 같은 소정 광학 요소상으로 오염물(예를 들면, 기판상의 감광층의 가스방출에 의해 생성가능)이 흡착될 수 있다. 일반적으로, 이러한 오염물의 바람직하지 않은 흡착은 바람직하지 못한 강도 손실을 가져온다. 상기 문제점을 해결하기 위하여, 투광 파장에 실질적으로 투명한 가스, 예를 들어 질소(N2)등의 가스의 흐름으로 장치를 플러싱(flushing)하는 것이 제안되어 왔다. 그러나, 노광 방사의 흡수를 피하는데 필요한 순도를 가지며 전체 장치의 일회 플러싱에 필요한 양의 질소 가스는 비용이 많이 든다.
본 발명의 목적은 전사 투영 장치, 특히 대기 공기에 의해 흡수되는 방사를 이용하여 정화 가스의 소비를 줄이는 전사 투영 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전사 투영 장치를 나타낸 도면.
도 2는 도 1에 보인 전사 투영 장치의 마스크 스테이지의 주요 구성요소를 나타낸 평면도.
도 3은 도 1에 보인 전사 투영 장치의 마스크 스테이지의 주요 구성요소를 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예의 정화 가스 시스템의 공정 계통도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예의 변형에 따른 정화 가스 시스템의 공정 계통도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전사 투영 장치의 마스크 스테이지의 ZX-평면에 평행한 단면도.
도 7은 도 6의 마스크 스테이지의 ZY-평면에 평행한 단면도.
도 8은 도 6의 마스크 스테이지의 부분 단면도로서, 상부 정화 플레이트의 장착을 나타내는 도면.
도 9는 도 6의 마스크 스테이지의 마스크 테이블의 단면도로서, 커버 플레이트를 나타내는 도면.
도 10은 도 6의 마스크 스테이지의 마스크 테이블의 변형의 단면도로서, 수정된 커버 플레이트를 나타내는 도면.
도 11은 도 6의 마스크 스테이지의 마스크 테이블의 단면도로서, 테이블의 저면형상을 나타내는 도면.
도 12는 도 6의 마스크 테이블의 부분 단면도로서, 배기 장치를 나타내는 도면.
도 13은 도 6의 마스크 스테이지내의 간섭계의 빔 경로를 조절하는 장치의 단면도.
도 14는 도 6의 마스크 스테이지의 단면도로서, 정화실내로 간섭계 빔을 지나가게 하는 "레터 박스(letter-box)" 장치를 나타내는 도면.
도 15는 투영 렌즈에 하부 정화 플레이트를 장착한 것을 나타낸, 도 6의 마스크 스테이지의 부분 단면도.
도 16은 투영 렌즈에 하부 정화 플레이트를 장착하는 대안적인 장치를 나타낸 도 6의 마스크 스테이지의 부분 단면도.
도 17은 마스크 교체용 장치를 나타낸, 도 6의 마스크 스테이지의 부분 단면도.
도 18은 마스크 교체 개구를 나타낸, 도 6의 마스크 스테이지의 상부 정화 플레이트의 부분 평면도.
도 19는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 전사 투영 장치의 마스크 스테이지의 단면도.
도 20은 스캐닝 모션의 양 극단 지점에 마스크 테이블을 가지는 방식으로 도 19의 마스크 스테이지를 나타낸 도면.
도 21은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 전사 투영 장치의 마스크 스테이지의 단면도.
도 22는 도 21에 대해 수직으로 취한, 도 21의 마스크 스테이지의 수직 단면도.
도 23은 도 21의 마스크 스테이지내의 베어링 장치의 단면도.
도 24 내지 도 26은 상이한 지점에 마스크 테이블을 가진, 제 4 실시예의 변형인 마스크 스테이지의 단면도.
도 27은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 전사 투영 장치에 있어 기판 스테이지내의 정화 가스 시스템의 횡단면도.
도 28은 도 27의 직선 Q - Q 에 따른 본 발명의 제 5 실시예의 기판 스테이지의 단면도.
도 29는 도 27의 정화 가스 시스템의 측면도.
본 발명에 따르면,
방사 투영 빔을 공급하기 위한 투광 시스템;
마스크를 고정하기 위한 제 1 대물 테이블;
기판을 고정하기 위한 제 2 대물 테이블; 및
상기 기판의 타겟부 위로 상기 마스크의 조사된 부분을 결상하기 위한 투영 시스템으로 구성되는 전사 투영 장치에 있어서;
정화실이 상기 제 1 및 제 2 대물 테이블중 적어도 하나를 근접하게 둘러싸지만 상기 투광 시스템 또는 상기 투영 시스템 중 어느 하나도 둘러싸지 않으며, 상기 정화실에는 상기 투영 빔의 방사에 공기보다 좀더 투명한 정화 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치가 제공된다.
본 발명에 따르면,
방사 투영 빔을 제공하기 위한 투광 시스템;
마스크를 고정하기 위한 제 1 대물 테이블;
기판을 고정하기 위한 제 2 대물 테이블; 및
상기 기판의 타겟부상으로 상기 마스크의 조사된 부분을 결상하기 위한 투영 시스템으로 구성되는 전사 투영 장치로서,
정화실이 상기 투영 시스템과 상기 제 2 대물 테이블사이에 제공되며, 상기 투영 시스템에 대하여 고정되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치가 제공된다.
상기 대물 테이블들중 어느 하나를 근접하게 둘러싸고 투영 시스템과 기판 테이블사이의 공간에 있는 정화실을 제공함으로써, 전체 장치를 정화시키는 것과 비교하여 정화시켜야 할 체적이 상당히 감소될 수 있다. 정화되는 체적이 감소된다는 점에 따라 정화 가스 소비면에서의 직접적인 절약 뿐 아니라, 정화 가스의 오염이 감소될 수 있어 부가적인 재활용을 가능하게 하기 때문에 비용이 더욱 감소된다. 게다가, 유지보수를 위해 장치가 폐쇄되거나 개방된 후에 시스템을 충분히 깨끗한 상태에서 작동하도록 되돌리기 위해 정화시키는데 걸리는 시간도 절감된다.
특히, 스텝-앤드-스캔장치에 있어서는, 정화실이 기판 또는 마스크 테이블, 구동 장치 및 센서 등의 관련 구성요소 모두를 둘러싸는 것이 아니라 대상물(object)을 둘러싸고 대상물과 함께 움직이도록 배치될 수 있다는 소정의 부가적인 장점이 달성될 수 있다. 이것은 고정된 평행 플레이트들사이에서 이동하는, 대물 테이블의 일 부분으로서 형성된 프레임의 조합을 사용함으로써, 또는 대물 테이블을 대상물을 실질적으로 둘러싸는 상자로 형성시킴으로써 달성될 수 있다. 정화실이 투영 시스템과 기판(웨이퍼)사이에 형성되는 경우에 이들 아이템은 그 자체가 정화실의 대향측면을 형성하는데, 이 정화실은, 투영 렌즈에 대해 고정되고 투영 빔에 의해 경유되는 공간주위로 프레임을 형성하는 덕트에 의해 형성될 수 있다. 바람직한 실시예는 장치내의 광학 요소상에 오염물(즉, 레지스트 가스분출에 의해 생성되는 것등) 이 흡착되는 것을 완전히 또는 부분적으로 방지하기 위한 충분한 가스 유동 속도를 채용한다. 상기 속도는 가령 약 1 m/s정도일 수 있다.
본 발명은
방사 투영 빔을 공급하기 위한 투광 시스템;
마스크를 고정시키기 위한 제 1 대물 테이블;
기판을 고정시키기 위한 제 2 대물 테이블; 및
상기 기판의 타겟부상으로 상기 마스크의 조사된 부분을 결상하기 위한 투영 시스템을 포함하는 전사 투영 장치를 이용하여 디바이스를 제조하는 방법으로서;
상기 제 1 대물 테이블에 패턴을 지닌 마스크를 제공하는 단계;
제 2 대물 테이블에 방사선감지 층이 제공되는 기판을 제공하는 단계;
마스크의 일부분을 조사하고 상기 기판의 상기 타겟부상으로 마스크의 상기 조사된 부분을 결상하는 단계를 포함하는 방법에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 대물 테이블중 적어도 하나를 근접하게 둘러싸지만 상기 투광 시스템 또는 상기 투영 시스템 중 어느 하나도 둘러싸지 않는 정화실에, 상기 투영 빔의 방사에 공기보다 좀더 투명한 정화 가스가 공급되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 전사 투영 장치를 사용하는 제조 공정에서, 마스크의 패턴은 방사선 감지 재료(레지스트)층이 부분적으로나마 도포된 기판상에 결상된다. 이 결상단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 도포 및 소프트 베이크와 같은 다양한 절차를 거친다. 노광후에, 기판은 후노광 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 결상된 형상의 측정/검사와 같은 또 다른 절차를 거칠 것이다. 이러한 일련의 절차는 예를 들어 IC 소자의 개별 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온 주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 연마 등과 같이 개별 층을 마무리하기 위한 다양한 모든 공정을 거친다. 여러 층이 요구된다면, 전체 공정 또는 그 변형 공정은 새로운 층마다 반복되어질 것이다. 종국에는, 소자의 배열이 기판(웨이퍼) 상에 존재할 것이다. 이들 소자는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의해 서로에 대해 분리되어, 각각의 소자가 운반 장치에 탑재되고 핀에 접속될 수 있다. 그와 같은 공정에 관한 추가 정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill 출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)" 으로부터 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 장치를 사용함에 있어 상기에서는 집적회로의 제조에 대해서 언급될 수 있으나, 이러한 장치가 다른 여러 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해될 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학 시스템, 자기영역 메모리용 유도 및 검출 패턴, 액정 표시 패널, 박막 자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 전술한 기타 응용분야들을 고려할 때, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 "마스크", "기판" 및 "노광영역" 또는 "목표 영역" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 각각 대체될 수 있음이 이해될 것이다.
투영 빔으로서 사용되는 방사는 157 ㎚ 또는 126 ㎚ 의 파장을 갖는 방사의 언급된 예들로 제한되는 것이 아니며, 다른 파장 또는 유형이 본 발명에 사용될 수도 있는 것으로 생각될 수 있다.
(실시예 1)
도 1은 본 발명에 따른 전사 투영 장치를 개략적으로 나타낸다. 이 장치는,
방사 투영 빔(PB)(예를 들어 157 ㎚ 또는 126 ㎚ 의 파장을 갖는 UV 방사)을 공급하기 위한 방사 공급원(LA) 및 투광 시스템(IL)(Ex, IN, CO)을 포함하는 방사 시스템;
마스크 또는 제 1 대물, 마스크(MA)(레디클)를 고정시키기 위한 홀더가 제공되고, 마스크를 아이템(PL)에 대해 정확하게 위치시키기 위한 제 1 위치결정 수단에 연결되는 제 1 대물 테이블(마스크 테이블)(MT);
기판 또는 제 2 대물, 기판(W)(감광제가 도포된 실리콘 웨이퍼)을 고정하기 위한 홀더가 제공되고, 기판을 아이템(PL)에 대해 정확하게 정확하게 위치시키기 위한 제 2 위치결정 수단에 연결되는 제 2 대물 테이블(기판 또는 웨이퍼 테이블)(WT);
기판 테이블(WT)에 고정된 기판(W)의 노광영역(C)(타겟부)상으로 마스크(MA)의 조사된 부를 결상시키기 위한 투영 시스템("렌즈")(PL)(반사 또는 케타디옵트릭 시스템 또는 미러 그룹)으로 구성된다.
도시된 바와 같이, 장치는 투과형(즉, 투과 마스크를 구비함)이지만, 일반적으로, 가령 반사형일 수도 있다.
방사 시스템은 UV 방사 빔을 생성하는 공급원(LA)(예를 들면, 수은 램프 또는 엑시머 레이저)을 포함한다. 이 빔은 투광 시스템(IL)내에 포함된 다양한 광학적 구성 요소 (예를 들면, 빔 성형 광학기(Ex), 적분기(IN) 및 응축기(CO))를 통과하여 결과 빔(PB)이 단면 전체에 걸쳐서 소정의 형상 및 강도 분포를 갖게 한다. 다음으로 빔(PB)은 마스크 테이블(MT)상의 마스크 홀더내에 고정된 마스크(MA)를 교차한다. 빔(PB)은 마스크(MA)를 관통하여 지나가서, 기판(W)의 노광영역(C)상으로 빔(PB)의 촛점을 맞추는 렌즈(PL)를 통하여 지나간다. 간섭변위 측정 수단(IF)의 도움으로, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 다른 노광영역(C)을 위치시키기 위하여 제 2 위치결정 수단에 의해 기판 테이블(WT)이 정확하게 이동될 수 있다. 유사하게는, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)의 역학적인 회복후 또는 마스크의 스캐닝 모션시에, 빔(PB)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확하게 위치시키는데 제 1 위치결정 수단이 이용될 수 있다. 일반적으로, 도 1에 분명히 도시되진 않았지만, 장행정 모듈(long stroke module)(대략적인 위치결정) 및 단행정 모듈(short stroke module)(정밀한 위치결정)에 의하여 대물 테이블(MT, WT)의 운동이 실현된다. 웨이퍼 스텝퍼(스텝 앤드 스캔 장치와 대비되는)의 경우에 있어서 마스크 테이블은 마스크 배향 및 위치의 정밀한 조절을 위해서 단행정 위치결정 장치에만 연결될 수 있거나, 또는 고정될 수 있다. 진동 발생 요소를 포함하는 장치의 대부분의 구성요소가 베이스 플레이트(BP) 및 베이스 프레임(BF)상에 또는 이것들로부터 장착된다. 하지만, 투영 렌즈는 간섭변위 측정수단 및 다른 센서의 필수 구성요소와 함께 기준 또는 측량 프레임(RF)상에 장착되며, 상기 프레임(RF)은 안정적인 기준을 제공하기 위하여 장치의 나머지와 기계적으로 분리된다.
기술된 장치는 두가지 다른 방식으로 사용될 수 있다;
ㆍ스텝 앤드 리피트(스텝) 방식에 있어서는 마스크 테이블(MT)이 본질적으로 고정되어 있고, 전체 마스크 이미지가 노광 영역(C)상으로 한번(즉, 단일 "플래쉬")에 투영된다. 그 다음에 다른 노광 영역(C)이 빔(PB)에 의해 조사될 수 있도록 기판 테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트된다;
ㆍ스텝 앤드 스텝(스캔) 방식에 있어서는 주어진 노광영역(C)이 단일 "플래쉬"로 노광되지 않는 다는 것만 제외하고는 본질적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 대신에, 투영 빔(PB)이 마스크 이미지에 걸쳐 스캔되도록, 마스크 테이블(MT)은 속도(ν)로 소정 기준 방향(소위 "스캔 방향", 예를 들어 Y 방향)으로 이동가능하다. 동시에, 기판 테이블(WT)은 속도(V = Mν)로 동일한 또는 반대 방향으로 이동하는데, 이 때 M은 렌즈(PL)(통상적으로 M = 1/4 또는 1/5)의 배율이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨릴 필요없이 상대적으로 큰 노광영역(C)이 노광될 수 있다.
도 2 및 도 3은 제 1 실시예에 따른 전사 장치의 마스크 테이블(MT)을 포함한 마스크 스테이지를 좀 더 상세히 나타낸다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 실시예의 전체 마스크 스테이지는 투영 빔의 방사에 투명한 정화가스로 플러싱되는 정화실(100)내에 밀봉된다. 정화 가스의 바람직한 성분은 명세서의 말미에서 논의 된다. 마스크 테이블(MT)은 장행정 구동 장치에 의해 각각의 구획실(110)에 케이싱된 평형 질량(balace mass)(BM1 및 BM2)에 연결된다. 장행정 구동 장치는 마스크 테이블을 구동시켜 투광 시스템(IL)밑으로 Y 방향으로 및 마스크 핸들러(MH)밑으로 마스크 교체 위치까지 스캔한다. 마스크 테이블의 위치는 마스크 테이블(MT)의 측면상에 장착된 미러(도시되지 않음)상으로 측정 빔을 보내는 간섭계(IF)에 의해 연속적으로 모니터링 된다. 간섭계의 조절을 위해서, 측정빔이 지나간 영역위로 에어 샤워(AS)가 제공된다. 굴절률의 변화에 의한 간섭계 측정이 부정확하게 되지 않도록 하기 위하여 에어 샤워는 일정한 온도에서 공지의 일정한 굴절률을 갖는 가스, 예를 들어 정화 가스를 제공한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 마스크 스테이지실(100)은 투광 시스템(IL)주위의 상부 표면 및 투영 렌즈(PL)주위의 하부 표면에 개구를 구비한다. 평형 질량실(110)내의 갭(gap)이 장행정 모터 및 마스크 테이블(MT)사이의 인터페이스로 제공된다.
마스크 스테이지실(100)의 하부를 밀폐하기 위하여, 투영 시스템(PL)에 부가 플레이트(105)가 장착되며 상기 플레이트(105) 및 마스크 스테이지실(100)사이에 레버린신 시일(labyrinthine seal)(120)이 제공된다. 투영 시스템(PL)으로의 진동의 전달을 방지하기 위하여 상기 레버린신 실(120)은 마스크 스테이지실(100)상에 충분한 시일(밀봉)을 제공하지만, 플레이트(105)와 마스크 스테이지실(100)이 실제로 접촉하지는 않는다. 그럼에도 불구하고, 레버린신 시일(120)주위에 마스크 스테이지실로부터의 정화가스의 누설이 발생할 수 있으며 그러한 누설 정화가스를 포집하기 위하여 근처에 정화가스 배기장치(130)가 제공된다.
마스크 테이블(MT) 주변의 빛의 경로를 위한 정화가스가, 마스크 테이블(MT)에 인접하게 제공되는 정화가스 유출구(101)를 통하여 제공된다. 마스크 스테이지실(100)의 나머지를 정화시키기 위한 가스는 Y-간섭계 빔용 에어샤워에 의해 도입된다. 주 정화가스 배기장치(도시되지 않음)가 정화실의 하부에 편리한 지점으로 제공된다.
정화가스의 과도한 소비를 피하기 위하여, 가스는 대부분 재활용된다. 공급 및 재활용 시스템이 도 4에 도시된다. 요구되는 속도로, 청정 정화가스가 정화가스공급원(150)으로부터 제공되며, 흡수에 가장 민감한 영역(예를 들어, 투영빔 주변)에 우선 사용되고, 마스크 스테이지실(100)의 소정의 유출구(101)로 유도된다. 장행정 및 단행정 구동 장치의 가스 베어링(에어 베어링) 및 마스크 테이블내의 중력 보상기(수직 엑츄에이터)등과 같이 마스크 스테이지실(100)내에 사용되는 덜 중요한 가스는, 조금은 오염된 순도를 갖는 순환된 정화가스에 의해 제공될 수 있다. 이것은 펌프/팬(141)에 의해 비교적 높은 속도로 마스크 스테이지실(100)에서 배기된다. 배기된 정화가스의 대부분은 마스크 스테이지실(100)로 회수되기 전에 필터(142) 및 열 교환기(143)을 통하여 지나게 된다. 청정 정화가스의 공급에 대응하는 배출된 "오염된" 정화가스의 부분이 오프-사이트(off-site) 재조절을 위해 탱크로 배출되거나 전환된다. 필터(142)는 정화 가스로부터 오염물을 제거하는 반면, 열 교환기는 정화가스가 소정의 온도로 마스크 스테이지실로 회수되는 것을 보장한다. 필터(142)의 선태과, 신선한 정화가스 대 순환 정화가스의 비율의 선택은, 마스크 스테이지실내의 산소 및 물오염의 농도가 허용한계(예를 들면, 200 ppm 또는 바람직하게는 20 ppm)내에서 유지되는 것을 보장하도록 행해진다.
청정 정화가스의 사용을 최소화하기 위하여, 마스크 스테이지실(100)내의 여유공간은 가능한 작게 유지되며, 마스크 스테이지실로부터 기기의 나머지로 또는 그것이 사용된 클린룸으로의 누설을 방지하기 위하여, 마스크 스테이지실(100)은 이중벽으로 만들어 질 수 있다. 마스크 스테이지실내의 가소성 요소, 접착제, 전자부품 등의 오염원이 최소화되고, 심각한 오염원은 개별적으로 밀봉 및 정화될 수 있다. 기기의 초기가동시 및 유지보수를 위한 마스크 스테이지실(100)을 개방한 후에는, 오염수준을 요구수준으로 낮추기 위하여 신선한 정화가스에 의한 완벽한 플러싱이 수행된다. 이러한 처리중에는, 상대적으로 높은 오염수준으로인해 정화가스가 재활용되지 않는다.
도 5에 도시된 정화가스 공급 시스템의 변형예에 있어서는, 배출된 정화가스를 정제함으로써 깨끗한 정화가스의 공급을 하지 않을 수 있게 된다. 이 경우에, 전사 장치 내에/전사 장치와 함께 제공되는 공기제어 캐비넷(140)에 정제기(144)가 제공되고, 펌프/팬(141)에 의해 추출된 모든 배기 정화가스가 이것과 필터(142) 및 열 교환기(143)를 통과한다. 하지만, 열 교환기(143)로부터 배출된 정화가스는 직접적으로 장치로 회수되는 것이 아니라, 전사 장치 인근에 제공되는 또 다른 정제기(151) 및 열 교환기(152)를 통과한다. 정제기(144, 151) 및 팬(141)은 많은 양의 열, 전기 소음 및 진동을 발생시킬 수 있어, 전사 장치의 나머지로부터 가능하면 멀리 분리된다.
(실시예 2)
아래 기술된 것을 제외하고는 제 1 실시예에서와 동일할 수 있는 본 발명의 제 2 실시예가 도 6 내지 도 18에 도시된다. 제 2 실시예에 있어서, 마스크 테이블(MT)의 모양과 거의 일치하는 고정된 상부 및 하부 정화 플레이트(210, 220)에 의해 마스크 스테이지실이 폐쇄된다. 간섭계빔 경로가 아니라 투영빔 경로만이, 정화된다.
스캐닝하는 Y 방향에서 본 단면도인 도 6에 도시된 바와 같이, 마스크 테이블은 장행정 구동 장치(도시되지 않음)에 의해 구동되는 단행정 프레임(230) 및 척(240)을 포함한다. 척(240)은 마스크(MA)용 마스크 홀더를 포함하며, 단행정 위치결정 수단(도시되지 않음)에 의해 단행정 프레임(230)에 대하여 구동된다. 상부 정화 플레이트(210)는 베이스 프레임(BF)(도 1에 도시됨)에 고정되며 투광 시스템(IL)을 둘러싸는 구멍을 가진다. 하부 정화 플레이트(220)는 투영 시스템 지지 구조에 고정되며 투영 시스템(PL)의 상부 요소를 둘러싼 구멍을 포함한다. 상부 및 하부 정화 플레이트(210, 220)양자는 중공일 수 있으며 정화 가스를 공급하기 위한 배관(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 이것은 투광 시스템(IL) 및 투영 시스템(PL)을 둘러싼 구멍에 제공되는 오리피스(211, 221)을 통하여 마스크 스테이지실에 공급된다. 따라서, 정화가스는 투영 빔이 지나가는 영역인 척(240)내의 중심 웰(247)내로 직접 분출된다. 배기장치(251, 252, 253, 254)는 정화 가스의 유동이 마스크(MA)로부터 떨어지는 것을 보증하기에 편리한 지점 예를 들면, 척(240) 및 단행정 프레임(230)사이에 제공된다. 이러한 배치는 배기 가스가 단행정 프레임(230)과 정화 플레이트(210, 220)사이의 좁은 틈새를 통하여 정화실내로만 확산되도록 하고 투영빔 영역에 도달하기 전에 배기장치(251 내지 254)를 통하여 배기되도록 한다.
도 7은 제 2 실시예의 마스크 스테이지를 스캐닝 방향에 수직으로 본 단면도이며, 마스크 테이블이 그것의 운동 범위전체에 걸쳐 커버되는 것을 보장하기 위하여, 투광 및 투영 시스템(IL, PL)의 양 측을 따라 상부 및 하부 정화 플레이트(210, 220)가 연장되는 것을 나타낸다. 이 도면은 투영 렌즈(PL)상에 장착된 레벨 센서(260)도 나타낸다.
도 8은 상부 정화 플레이트(210)가 플랜지(273, 274)를 통하여 평형 질량(BM1, BM2)용 구획실(271, 272) 및 장행정 구동 장치에 장착되는 방법을 나타낸다. 상부 정화 플레이트(210)가 소정의 갭(예를 들면, 1 ㎜)을 가지고 단행정 프레임(230)의 외관을 따르는 것을 알 수 있다. 상부 정화 플레이트(210)와 플랜지(273, 274)사이의 연결부는 이러한 갭이 조절되도록 하는 장치를 포함한다.
상부 및 하부 정화 플레이트(210, 220)는 가령 벌집모양 스테인레스 스틸 플레이트로 만들어 질 수 있다. 이러한 물질은 비자성이어서 장행정 및 단행정 구동 장치내의 모터 자석에 의해 유발되는 교란력을 방지한다.
마스크 테이블이 스캐닝됨에 따라 무효공간을 줄이고 가스 유동을 향상시키기 위해서, 척(240)의 상부 표면이 바람직하게는 가능하면 부드럽게 만들어진다. 도 9 및 도 10은 이것을 마련하기 위한 대안적인 선택사양을 도시한다. 도 9에 있어서, 마스크 구멍을 제외한 척(240)의 전체 상부는 커버 플레이트(241)에 의해 덮힌다. 커버 플레이트(241)는 알루미늄으로 도금된 복합 물질로 만들어 질 수 있다. 도 10의 변형에 있어서, 수직 단행정 엑추에이터(242)의 상부 영역에만 다시 복합 물질로 만들어질 수 있는 커버 플레이트(243)로 덮힌다.
척(240)의 상부와 하부사이에 압력 편차를 균등하게 하기 위하여 도 10에 도시된 스루홀(244)이 제공된다. 스루홀(244)은 일어날 수 있는 임의의 압력변동의 신속한 균등화를 가능하게 하도록 크기 및 수적인 면에서 충분해야 한다. 게다가 도 11에 도시된 바와 같이, 함몰부(245)는 가능하면 상부 표면과 동일한 형태를 가지도록 척(240)의 하부 표면에 밀링될 수 있다. 함몰부(245)는 척(240)의 운동시 일어날 수 있는 임의의 유동 변동, 그로인한 압력 변동을 균등하게 하는데 기여한다.
도 12는 배기장치(252, 254)의 배치 상태를 좀 더 상세하게 나타낸다. 도시된 바와 같이, 이들은 압력 변동을 균일하게 하기 위해 그들의 인근에 충분한 체적이 있는 것을 보장하는 커버 플레이트(210, 220)의 경사진 부분내에 위치된다. 이 경우는 단행정 프레임(230) 및 척(240)상에 장착된 중력 보상기(수직 엑추에이터)(242)사이에 걸쳐진 장착부재(246)부근이 평편한 경우이다.
상술한 바와 같이, 척(240)의 위치를 측정하는 간섭계빔이 지나가는 공간은 일정한 반사율의 가스로 채워지는 것을 보장할 필요가 있다. 도 13에 도시된 바와 같이, 연장 파이프(281)가 단행정 프레임(230)에 부착된다. Y-간섭계빔(Y-IF)은 연장 파이프(281) 및 단행정 프레임(230)의 구멍을 관통하여 지나가서 척(240)의 측면상에 장착된 미러(도시되지 않음) 또는 역반사기에 의해 반사된다. 단행정 프레임의 외부 빔경로의 대부분이 에어 샤워(282)에 의해 조절되는 반면에, 단행정 프레임(230)의 구멍 및 연장 파이프(281)내에서의 빔경로는 마스크 스테이지의 중앙실로부터 유출되는 청정 정화 가스에 의해 조절된다. 정화 플레이트(210) 아래의 영역(283)을 조절하기 위하여 에어 샤워(282)가 단행정 스테이지(230)의 스캐닝 범위를 향하여 소정의 각도로 깨끗한, 건조 정화가스를 유도할 수 있다. 이러한 연장 파이프(281)는 Y-간섭계빔 경로의 비조절 길이(284)를 최소화한다.
X-회절계빔에 대해, Y 방향으로의 스캐닝 운동의 범위 전체에 걸쳐 척(240)의 X-지점을 측정할 필요가 있기 때문에 다른 장치가 요구된다. 도 6과 유사하지만 명확성을 위해 소정의 구성요소가 제거된 도면인 도 14에 도시된 바와 같이, 직각 개구(285)가 단행정 프레임(230)내에 제공되어 X-회절계(X-IF)로부터의 빔이 척(240)에 도달한다. 개구(285)는 단행정 프레임(230)의 운동 범위의 전체 길이에 대해 Y 방향으로 연장되는 단행정 프레임(230)내의 좁은 슬릿을 형성한다. X-회절계빔용 조절 공기가 개구(285)를 통하여 지나가지만 이러한 유동은 레터 박스(letterbox)(285)가 좁아지고 척(240)에 인접하게 연장되도록 함으로써 최소화된다. X-회절계빔용 조절 공기는 척(240)과 단행정 프레임(230)사이의 공간에서 정화 가스와 혼합되지만 압력 편차로 인해 마스크가 제공되는 내부 공간내로의 흐름은 방지된다.
도 15에 도시된 바와 같이, 투영 렌즈(PL)의 상부가 평탄한 표면(222)을 제공하는 경우, 이것은 그 자체가 내부 정화실의 하부 경계를 형성할 수 있다. 이러한 장치내에서, Z 및 다른 센서(260)가 투영 렌즈실의 상부내에 삽입된다. 그러면 하부 정화 플레이트(220)는 투영 시스템(PL)의 양쪽으로 분리하는 부분들로 나누어진다. 하부 정화 플레이트(220)의 두 부분은 투영 시스템(PL)으로의 진동의 전달을 방지하기 위하여 투영 시스템(PL)에 접촉되지 않도록 배치된다. 결과적으로 생기는 갭을 통하여 누설되는 정화가스를 제거하기 위하여 부가적인 배기장치(255)가 제공된다. 예를 들면, 이것들은 투영 렌즈(PL)의 메인 케이싱과 외부 렌즈 쿨러(226)사이에 위치될 수 있다.
도 16에 도시된 대안적인 장치에 있어서, Z 및 다른 센서(260)가 투영 렌즈의 상부위로 연장되는 경우에는, 하부 정화 플레이트(223)가, 투영빔용 중심 구멍(도시되지 않음) 및 센서(260)용 부가 구멍(225)을 가진 채 투영 렌즈의 상부에 걸쳐 연장되도록 형성된다. 정화 플레이트(223)의 하부에 있는 절개부(224)는 실질적인 접촉을 피하면서도 투영 시스템(PL)에 딱 맞도록 제공될 수 있다.
마스크 교체후 청정 정화 가스로 전체 마스크 스테이지실을 재 플러싱할 필요를 없애기 위하여, 마스크 교체는 정화 가스속에서 일어나도록 한다. 이것을 수행하기 위하여, 상부 및 하부 정화 플레이트(210, 220)가 도 17 및 도 18에 도시된 마스크 핸들러(290)밑으로 연장된다. 도 17은 마스크 핸들러(290)의 단면도이며 도 18은 이러한 영역내에 있는 상부 정화 플레이트(210)의 평면도이다. 마스크 핸들러(290)는 대체 마스크(MA')가 교체 과정에 앞서 제공될 수 있는 밀폐실을 포함한다. 챔버(291)는 정화 가스에 의해 별도로 플러싱될 수 있으며, 모터가 달린 도어(292)는 상부 정화 플레이트(210)에 제공되어 마스크 테이블이 그 밑에 위치될 때 교체될 수 있게 한다. 도 18에 도시된 바와 같이, 부가적으로 정화 가스 유출구(293)가 상기 모터가 달린 도어(292)주위에 제공되어 마스크 교체시 정화가스의 정(positive)의 압력차를 제공하므로 어떠한 오염이라도 정화실에 도달하지 못하도록 한다.
(실시예 3)
아래에 기술한 것을 제외하고는 제 1 및 제 2 실시예와 같을 수 있는, 본 발명의 제 3 실시예가 도 19 및 도 20에 도시된다. 제 3 실시예에 있어서, 단행정 프레임(330)은 척(340)주위를 둘러싼 거의 밀폐된 박스내로 형성된다.
단행정 프레임(330)은 장행정 모터(도시되지 않음)에 의해 구동되어 Y 방향으로 스캐닝 이동을 한다. 단행정 프레임(330)내에서, 척(340)이 수직 엑추에이터(도시되지 않음)에 의해 매달린다. 이러한 엑추에이터는 압축된 가스의 공급을 필요로 하며 그 후에는 정화 가스가 공급되어야 한다. 메인 마스크 스테이지실로의 정화 가스 공급원(360, 361)이 투광 및 투영 시스템(IL, PL)에 대하여 장착되며, 따라서 움직이지 않는다. 배기장치(351, 352)도 투광 및 투영 시스템(IL, PL)에 대하여 고정되며, 단행정 프레임(330)에 의해 형성되는 밀폐된 박스의 측방향 가장자리를 향하여 위치된다. 배기장치(351, 352)는 단행정 프레임내의 오리피스(도시되지 않음)을 통하여 척(340)의 가장자리와 단행정 프레임(330)사이의 공간으로부터 정화 가스를 가져와, 밀폐실의 내부 영역, 즉 척(340)의 웰(347)로부터 외부로 정화 가스의 유동이 존재하도록 한다. 도 19에 도시된 배기장치(351, 352)로부터 단행정 프레임의 다른 쪽에도 배기장치가 제공되지만, 명료성을 위해 이러한 배기장치는 도면에서 생략하였다. 단행정 프레임(330)이 Y 방향으로 스캔되는 동안 정화 가스 공급원(360, 361) 및 배기장치(351, 352)는 정지되며, 공급원(360, 361)과 단행정 스테이지(330)사이 및 배기장치(351, 352)와 단행정 프레임(330) 사이에 가스 베어링(362, 355)이 제공된다. 적어도 가스 베어링(362)에는 내부실내로의 누설을 방지하기 위하여 정화 가스가 제공된다. 단행정 프레임(330)은 적은 각도로 수직으로 움직일 수 있으며 이것은 가스 베어링(362,355)에 의해 수용된다.
도 20은 정화 가스 공급원(360) 및 배기장치(351, 352)에 대하여 스캐닝 움직임의 끝부분에 있는 단행정 프레임(330), 척(340) 및 마스크(MA)를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 마스크(MA)의 풋프린트를 둘러싼 단행정 스테이지(330)에 의해 형성된 밀폐 박스내의 구멍은 노광시에는 스캔의 중간 영역내의 정화 가스 공급원 아래로 통과하지만, 그 단부에서는 밀폐된다.
척(340)의 위치를 측정할 수 있기 위해서, 막(331)이, 단행정 스테이지(330)에 의해 형성된 밀폐 박스의 한측면내의 창을 형성하여, X 회절계 측정 빔이 척의 측면상에 제공된 미러(제공되지 않음)상에 입사되도록 한다. 상기 막(331)은 Y 방향으로 충분히 연장되어, 척(340)의 X 위치가 척(340) 및 단행정 프레임(330)의 스캐닝 움직임을 통해 측정되도록 한다. 더 작은 창이 Y 회절계(Y-IF)로부터의 빔내에 허용되도록 제공될 수 있는데, 그 이유는 이들이 X 방향으로 척(340)의 비교적 작은 운동 범위만을 수용하면 되기 때문이다. Y 간섭계 빔을 조절하기 위한 에어 샤워(382)는 단행정 프레임(330)위로 연장되며, 단행정 프레임(330) 및 척(340)의 스캐닝 범위의 전체에 걸쳐 Y 간섭계(Y-IF)로부터의 빔을 조절할 수 있다.
(실시예 4)
아래에 기술되는 것을 제외하고는 제 1 내지 제 3 실시예에서와 동일할 수 있는 제 4 실시예가 도 21 내지 도 23에 도시된다. 제 4 실시에 있어서, 단행정 프레임(430)은 고정된 공급 및 배기 빈(411, 412)에 의해 밀폐된 개방형 가동 정화 박스를 형성한다.
도 21은 스캐닝 방향(Y)에서 본 제 4 실시예의 마스크 스테이지의 단면도이다. 단행정 프레임(430)은 척(440)을 둘러싼 부분적으로 개방된 박스를 형성한다. 단행정 프레임(430)은 장행정 구동(도시되지 않음)에 의한 스캐닝 모션을 위해 구동되는 반면, 척(440)은 수직 엑추에이터(도시되지 않음)에 의해 단행정 프레임(430)에서 지지되어 모든 자유도로 작은 운동을 한다. 상부 배기 빈(411)이 투광 시스템(IL)에 대해 고정되어 마스크(MA)위의 내부 구획실로 정화 가스를 공급한다. 이러한 가스는 단행정 프레임(430)과 척(440)사이의 제약을 넘어서 밖으로 흘러 배기장치(450)에 의해 척(440)의 측면상부로부터 위로 배기된다. 하부 배기 빈(412)은 투영 렌즈(PL)에 대하여 유사하게 고정되고 투영 시스템(PL)의 제 1 요소주위로부터 가스를 배기하여 마스크(MA)아래의 공간을 정화한다.
도 21에 도시된 바와 같이, 단행정 프레임(430)에 의해 제공되는 부분적으로 개방된 박스는 척(440)의 일 측면을 자유로 남겨 그것이 X 간섭계(X-IF)로부터의 빔에 의해 직접 측정될 수 있도록 한다. X 방향 단면도인 도 22에 도시된 바와 같이, Y회절계(Y-IF)로부터의 빔이 관통하여 척(440)에 이르도록 단행정 프레임(430)의 일측면에 구멍(431)이 제공된다.
단행정 프레임(430)이 상부 및 하부 공급원 및 배기 빈(411, 412)에 대하여 움직일 것이기 때문에, 가스 베어링(413)이 상부 및 하부 공급원 및 배기 빈(411, 412)에 제공된다. 이러한 가스 베어링중 하나는 도 23에 좀더 상세하게 도시된다. 나타낸 바와 같이, 정화 가스는 공급원 및 배기 빈(411)과 단행정 프레임(430) 사이의 공간에 가스 베어링(413)을 형성하도록 공급 배관(414)을 통하여 공급된다. 가스 베어링으로부터의 정화 가스는 배기장치(450)를 향하여 내부로 및 순환공기를 향하여 외부로 누설될 것이다. 부가 배기 배관(415)이 공급 배관(414) 및 순환공기사이에 제공되어, 순환용 누설 정화 가스를 배기시켜 공기가 내부로 누설되는 것을 방지한다. 가스 베어링(413)은, 예를 들면, 부가적인 진공영역에 의한 또는 부가 질량을 이용함으로써 순환 공기 및 내부 정화실사이의 압력차에 의해서, 사전 응력(pre-stress)을 받을 수 있다.
제 4 실시예는 정화되어져야 할 체적을 최소화한다. 단행정 프레임(430)상의 부가적인 정화 가스 유출구에는 단순하고 이중벽으로된 파이프에 의해 단행정 프레임(430)으로 공급되는 질소가 제공될 수 있다. 필요하다면 단행정 프레임(430)내에 제공되는 창(432)을 통하여, 배기 빈(412) 및 하부 공급원 외부의 척(440)의 위치를 측정하기 위하여, 투영 렌즈에 장착되는 Z-센서(460)가 바깥쪽으로 재배치될 수 있다.
제 4 실시예의 변형이 도 24, 도 25 및 도 26에 도시된다. 제 4 실시예의 변형에 있어서, 기본적인 변경은 가스 베어링(413')이 정화 플레이트에 있는 것이 아니라, 단행정 프레임(430')상에 있도록 이동되는 것이다. 따라서 가스 베어링(413')은 정화 플레이트(411', 412')의 평평한 내면에 대항하여 지탱한다. 정화 가스는 가요성인 단일 또는 이중 벽 파이프에 의해 베어링용 단행정 프레임(430)으로 공급될 수 있다. 제 4 실시예에 있어서는, 가스 베어링(413 또는 413')에 대한 지탱을 위해서는, Y 방향으로의 마스크 테이블의 스캐닝 모션에 대해 길이 면에서 일치하는 평탄면이 제공되어야 한다. 도 24 및 도 25의 변형에 있어서는, 이러한 평탄면이, 고정된 정화 플레이트상에 제공되어 운동질량을 감소시키면서 가동 웨이퍼 테이블의 크기가 감소할 수 있도록 하여, 운동질량을 줄일 수 있게 한다.
제 4 실시예의 다른 변형에 있어서, 하부 공급원 및 배기 빈(412)이 투영 시스템(PL)용 케이싱내로 또는 투광 시스템(IL)구조의 연장으로서 합체될 수 있다. 또한, 척(440)의 측면사이에 아무런 압력차가 발생하지 않도록, 배기장치가 척(440)내에 제공되는 스루홀을 가진 상부 정화 플레이트에서만 제거될 수 있다.
(실시예 5)
제 5 실시예가 도 27 내지 도 29에 도시된다. 제 5 실시예는 전사 투영 장치의 기판(웨이퍼) 스테이지에 정화 박스 장치를 제공하며, 상술한 임의의 실시예와 결합될 수 있다.
도 27은 투영 렌즈(PL)의 마지막 요소밑에 위치한 중심 영역(501)을 둘러싼 제 1 및 제 2 덕트 엔클로저(enclosures)(510, 520)를 포함한, 기판 스테이지 정화 박스(500)의 수평 단면도이다. 도 28은 명료하게 하기 위해 수직으로 확대된 스케일을 갖는, 도 27의 선 Q-Q를 따른 수직 단면도이다. 제 1 덕트 부재(510)는 메인 공급배관(511)을 통하여 중심 영역(501)에 정화 가스의 주된 공급을 제공한다. 메인 공급 채널(511)의 양쪽에는 배기 채널(512 및 513)이 있다. 메인 공급 채널(511)은 직사각형 중심 영역(501)의 제 1 및 제 2 측면을 따라 연장되는 두개의 암(514, 515)에서 끝난다. 암 채널(514, 515)의 측벽에는 정화 가스가 중심영역(501)으로 제공되는 오리피스(516)(도 28에 도시)의 배열이 제공된다. 암 채널(514, 515)의 저부면에는 오리피스(517)(도 28에 도시)가 제공되어, 이를 통해 정화 가스가 배출되어 덕트 부재(510)가 기판(W)에서 떨어지도록 유지하는 가스 베어링(518)을 형성한다. 배기 채널(512, 513)은 가스 베어링(518)으로부터의 정화 가스의 배기 및 외부로부터 안으로 임의의 공기 누설을 위하여 하부면에 큰 오리피스(519)의 배열을 가진다.
제 2 덕트 부재(520)는, 중심 영역(501)의 제 3 측면을 따라 연장되고 중심 영역(501)의 일 측면으로부터의 정화 가스를 제거하는데 사용되는 주 배기 채널(521)을 지닌다. 보조 공급 채널(522, 523)은 메인 배기 채널(521)의 한 측면에 제공된다. 제 2 덕트 부재(520)가 기판(W)과 떨어지도록 유지하기 위한 가스 베어링(528)을 형성하기 위하여, 보조 공급 채널(522, 523)은 하부 표면에 구멍(527)의 배열을 가진다. 가스 베어링(528)에서 정화 가스를 배기시켜 제 2 덕트 부재(520)아래에서 누설될 수 있는 어떠한 공기라도 중심 영역(501)에 도달하는 것을 방지하기 위하여, 제 2 덕트 부재(520)의 최외각은 제 1 덕트 부재의 배기 채널(512, 513)와 유사하게 하부 표면에 구멍을 가지는 보조 배기 채널(524, 525)이다. 도 25는 제 1 및 제 2 덕트 부재(510, 520)의 주변둘레에 제공되는 외부 스크트(540)를 나타낸다. 이것은 제 1 및 제 2 덕트 부재(510, 520) 아래에서 중심 영역(501)으로의 공기 누설의 흐름을 제한하는데 기여한다.
도 27에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 덕트 부재(510, 520)는 만나지 않으며, 투영 렌즈(PL) 바로 아래에서, 웨이퍼의 표면을 관찰하는데 필요한 센서(예를 들면, 레벨 센서)를 위한 창(531)에 의해, 투명한 대각선 채널(530)을 중심 영역(501)주위로 밀폐되게 한다. 장치에 이러한 센서가 필요없다면, 투명 채널(530)은 생략될 수 있다.
도 28은 제 1 및 제 2 덕트 부재(510, 520)가 기준 또는 측량 프레임(RF)상에 장착되는 것을 나타내는 측면도이다.
정화 가스의 성분
상술된 모든 실시예에 있어서, 정화 가스는 예를 들어 매우 순수한 질소(N2), 또는 He, Ne, Ar, Kr 및 Xe으로부터 선택된 가스, 또는 이들 가스들 중 두가지 이상의 혼합물로 이루어 질수 있다. 동일한 파장의 방사를 사용하여 동일한 온도 및 압력 조건(예를 들면, 표준 클린룸 조건)하에서 측정되었을 때, 사용된 가스 성분은 투영빔의 파장의 UV 방사 즉 통과하는 것이며, 바람직하게는 공기의 굴절율과 동일한 굴절율을 갖는다. 바람직하게는 굴절율은 간섭계 변위 측정 수단(IF)에 사용된 방사빔의 파장에서 공기의 굴절율과 동일한 것이어야 한다. 마스크 및/또는 기판 스테이지의 정화 가스 압력은 대기압일 수 있으며, 또한 대기압 이상일 수 있어, 임의의 누설은 유입 공기로 인해 시스템을 오염시키는 것이 아니라 가스의 유출을 초래한다. 바람직한 정화 가스의 좀 더 상세한 사항은 함께 계류중인 유럽특허 출원 번호 제 00306022.5(출원된 참조번호 P-0197.000-EP)에서 찾을 수 있다. 가스의 바람직한 혼합은 아래와 같다.
97.3 vol.% N2와 2.7 vol.% He
97.0 vol.% N2와 3.0 vol.% Ne
59.0 vol.% N2와 41.0 vol.% Ar
97.5 vol.% Ar 와 2.5 vol.% Xe
92.9 vol.% Ar 와 7.1 vol.% Kr
본 발명의 소정의 실시예가 상술되었으나, 본 발명은 기술된 것과 다르게 실시되어 질 수 있는 것으로 이해될 것이다. 본 명세서가 본 발명을 제한하는 것으로 의도되는 것은 아니다.
본 발명은 대기압하에서의 공기에 의해 흡수되는 방사를 이용하여 정화 가스의 소비를 줄이는 전사 투영 장치를 제공하며, 대물 테이블중 하나 또는 투영 시스템과 기판 테이블사이의 공간중 어느 하나를 근접하게 둘러싸는 정화실을 제공함으로써, 정화시켜야 할 체적이 전체 장치를 정화시키는 것과 비교하여 상당히 감소될 수 있으며, 정화될 체적면의 감소에 따라 정화 가스 소비면의 절약을 이끌어 낼 뿐 아니라, 정화 가스의 오염이 감소될 뿐 아니라 부가적인 재활용을 가능하다. 게다가, 유지보수를 위해 장치가 중지되거나 열린 후의 작동으로 충분히 깨끗한 상태로 되돌리기 위해 시스템을 정화시키는데 걸리는 시간도 절감된다.

Claims (16)

  1. 방사 투영 빔을 제공하기 위한 투광 시스템;
    마스크를 고정하기 위한 제 1 대물 테이블;
    기판을 고정하기 위한 제 2 대물 테이블; 및
    상기 기판의 타겟부상으로 상기 마스크의 조사된 부분을 결상하기 위한 투영 시스템으로 구성되는 전사 투영 장치에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 대물 테이블중 적어도 하나를 근접하게 둘러싸지만 상기 투광 시스템 또는 상기 투영 시스템 중 어느 하나도 둘러싸지 않으며, 사용시 상기 투영 빔의 방사에 공기보다 더 투명한 정화 가스가 공급되는 구획실을 더 포함하는것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구획실은 상기 제 1 대물 테이블을 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 구획실은 상기 제 1 대물 테이블을 위치시키기 위한 위치결정 수단의 장행정 모듈에 장착되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 대물 테이블은 상기 투영 시스템에 대하여 적어도 스캐닝 방향으로 움직일 수 있고 상기 구획실은 상기 제 1 대물 테이블과 함께 움직이도록 배치되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    제 1 대물 테이블은 상기 대물 테이블을 둘러싸는 프레임 형태이며, 상기 구획실이, 상기 제 1 대물 테이블의 상하부 표면에 각각 일치되는 제 1 및 제 2 정화 플레이트 및 상기 프레임에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 정화 플레이트는 투광 및 투영 시스템에 각각 대응하는 구멍과 상기 구멍을 둘러싸는 정화 가스 공급 오리피스를 구비하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    제 1 및 제 2 정화 플레이트는 마스크가 정화 분위기내에서 교체되도록 하기 위하여 마스크 교체 장치 근처까지 연장되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 대물 테이블은 상기 제 1 대물 테이블을 둘러싸는 박스 형태로 상기 구획실을 제공하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  9. 제 4 항 또는 제 5 항 또는 제 8 항에 있어서,
    측정빔이 상기 제 1 대물 테이블상으로 분배되게 하기 위하여 창이 상기 제 1 대물 테이블에 제공되는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 대물 테이블은 상기 마스크가 고정되는 웰을 구비하며, 또한 상기 대물 테이블의 측면위 및 상기 웰내로 연장되는 부분을 구비하며,
    상기 장치는 상기 정화실을 형성하기 위하여 각각 상기 투광 및 투영 시스템에 관하여 고정된 상하 플레이트를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 상하 플레이트와 상기 제 1 대물 테이블사이에 제공되는 가스 베어링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  12. 방사 투영 빔을 제공하기 위한 투광 시스템;
    마스크를 고정하기 위한 제 1 대물 테이블;
    기판을 고정하기 위한 제 2 대물 테이블; 및
    상기 기판의 타겟부상으로 상기 마스크의 조사된 부분을 결상하기 위한 투영 시스템을 포함하여 이루어지는 전사 투영 장치에 있어서,
    상기 투영 시스템과 상기 제 2 대물 테이블사이에 제공되며 상기 투영 시스템에 대하여 고정되는 정화실(purge compartment)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    정화 가스가 N2, He, Ar, Kr, Ne 및 Xe 에서 선택된 하나 이상의 가스로 구성되는 것을 특징으로 하는 방사 투영 시스템.
  14. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투영빔의 상기 방사가 180 ㎚ 이하의 파장, 바람직하게는 157 ± 5 ㎚ 또는 126 ± 5 ㎚ 의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 전사 투영 장치.
  15. 방사 투영 빔을 공급하기 위한 투광 시스템;
    마스크를 고정시키기 위한 제 1 대물 테이블;
    기판을 고정시키기 위한 제 2 대물 테이블; 및
    상기 기판의 타겟부상으로 상기 마스크의 조사된 부분을 결상하기 위한 투영 시스템을 포함하는 전사 투영 장치를 이용하여 디바이스를 제조하는 방법으로서,
    패턴을 지닌 마스크를 상기 제 1 대물 테이블에 제공하는 단계;
    방사선감지 층이 제공되는 기판을 제 2 대물 테이블에 제공하는 단계;
    마스크의 부분을 조사하고 상기 기판의 상기 타겟부상으로 마스크의 상기 조사된 부분을 결상하는 단계를 포함하는 방법에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 대물 테이블중 적어도 하나를 근접하게 둘러싸지만 상기 투광 시스템 또는 상기 투영 시스템 중 어느 하나도 둘러싸지 않는, 구획실에 상기 투영 빔의 방사에 대해 공기보다 좀더 투명한 정화 가스가 공급되는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 15 항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
KR1020000065280A 1999-11-05 2000-11-03 리소그래피 투영 장치에 사용되는 정화 가스 시스템 KR100695988B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP99203670.7 1999-11-05
EP99203670 1999-11-05
EP00203675 2000-10-24
EP00203675.4 2000-10-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010051440A true KR20010051440A (ko) 2001-06-25
KR100695988B1 KR100695988B1 (ko) 2007-03-15

Family

ID=26072800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000065280A KR100695988B1 (ko) 1999-11-05 2000-11-03 리소그래피 투영 장치에 사용되는 정화 가스 시스템

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6542220B1 (ko)
KR (1) KR100695988B1 (ko)
TW (1) TW480372B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100706930B1 (ko) * 2003-10-30 2007-04-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002151400A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Canon Inc 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場
US6710845B2 (en) * 2000-12-29 2004-03-23 Intel Corporation Purging gas from a photolithography enclosure between a mask protective device and a patterned mask
EP1256844A1 (en) * 2001-05-09 2002-11-13 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2002373852A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
US6954255B2 (en) * 2001-06-15 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
EP1319982A1 (en) * 2001-12-12 2003-06-18 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus , device manufacturing method, and computer program
US6934003B2 (en) 2002-01-07 2005-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
US20040145751A1 (en) * 2003-01-28 2004-07-29 Binnard Michael B. Square wafer chuck with mirror
JP2004259786A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Canon Inc 露光装置
JP4289906B2 (ja) * 2003-02-28 2009-07-01 キヤノン株式会社 露光装置
EP1510867A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005150533A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Canon Inc 露光装置
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
US20050223973A1 (en) * 2004-03-30 2005-10-13 Infineon Technologies Ag EUV lithography system and chuck for releasing reticle in a vacuum isolated environment
US7136142B2 (en) * 2004-05-25 2006-11-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having a gas flushing device
US7030959B2 (en) * 2004-07-23 2006-04-18 Nikon Corporation Extreme ultraviolet reticle protection using gas flow thermophoresis
US7227612B2 (en) * 2004-09-10 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI447840B (zh) * 2004-11-15 2014-08-01 尼康股份有限公司 基板搬運裝置、基板搬運方法以及曝光裝置
US20060119811A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-08 Asml Netherlands B.V. Radiation exposure apparatus comprising a gas flushing system
JP3977377B2 (ja) * 2005-03-04 2007-09-19 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2006245400A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Canon Inc 光学装置およびデバイス製造方法。
DE102005052757B4 (de) * 2005-11-04 2007-07-26 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung zur Positionsmessung eines Objekts mit einem Laser-Interferometersystem
CN101034261B (zh) * 2006-03-09 2010-08-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 防止由阻挡处理对光学元件的污染的方法和设备
US7642523B1 (en) * 2006-05-02 2010-01-05 New Way Machine Components, Inc. Vacuum chamber stage with application of vacuum from below
US8335369B2 (en) * 2007-02-28 2012-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask defect analysis
US8268541B2 (en) * 2007-02-28 2012-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask and blank storage inner gas
US8749753B2 (en) * 2007-04-27 2014-06-10 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus and optical system unit, and device manufacturing method
NL1036181A1 (nl) * 2007-11-30 2009-06-04 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus, a projection system and a device manufacturing method.
US9341942B2 (en) * 2010-08-24 2016-05-17 Nikon Research Corporation Of America Vacuum chamber assembly for supporting a workpiece
CN106229264B (zh) 2011-02-21 2019-10-25 应用材料公司 在激光处理系统中的周围层气流分布
NL2008345A (en) * 2011-03-28 2012-10-01 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP6025976B2 (ja) * 2012-07-06 2016-11-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置
JP6132917B2 (ja) * 2012-09-18 2017-05-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． ステージシステム、ステージシステムを備えるリソグラフィ装置
NL2012291A (en) * 2013-02-20 2014-08-21 Asml Netherlands Bv Gas flow optimization in reticle stage environment.
US10325794B2 (en) * 2014-04-28 2019-06-18 Murata Machinery, Ltd. Purge device and purge method
CN106537256B (zh) * 2014-07-16 2019-12-27 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
WO2019020449A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-31 Asml Holding N.V. GAS INJECTION SYSTEMS FOR DEPLETION OF PARTICLES
US10871722B2 (en) * 2018-07-16 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photomask purging system and method
JP7299755B2 (ja) * 2018-09-10 2023-06-28 キヤノン株式会社 露光装置、および物品の製造方法
EP3620858B1 (en) * 2018-09-10 2023-11-01 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method of manufacturing article
DE102019130696B4 (de) * 2019-11-14 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Vermessung eines Substrates und Verfahren zur Korrektur von zyklischen Fehleranteilen eines Interferometers
CN113495436B (zh) * 2021-07-13 2023-12-29 江门市和盈新材料科技有限公司 一种光电子元件智能制造的光刻机

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2766935B2 (ja) * 1989-10-20 1998-06-18 キヤノン株式会社 Ｘ線露光装置
SG63629A1 (en) * 1991-05-17 1999-03-30 Du Pont Photomasks Inc Pressure relieving pellicle
US5559584A (en) * 1993-03-08 1996-09-24 Nikon Corporation Exposure apparatus
US5877843A (en) * 1995-09-12 1999-03-02 Nikon Corporation Exposure apparatus
JPH09270385A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Nikon Corp 露光装置の環境制御装置
US5870197A (en) 1996-10-24 1999-02-09 Nikon Corporation Precision stage interferometer system with local single air duct
US5814381A (en) * 1997-04-04 1998-09-29 Inko Industrial Corporation Pellicle assembly having a vented frame
JP4011687B2 (ja) * 1997-10-01 2007-11-21 キヤノン株式会社 マスク構造体、該マスク構造体を用いた露光装置、該マスク構造体を用いた半導体デバイス製造方法
US6153044A (en) * 1998-04-30 2000-11-28 Euv Llc Protection of lithographic components from particle contamination
US5997963A (en) 1998-05-05 1999-12-07 Ultratech Stepper, Inc. Microchamber
JP2000081367A (ja) * 1998-09-07 2000-03-21 Nikon Corp 光透過性光学部材、その製造方法、その評価方法、および光リソグラフィー装置
JP2000091192A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Nikon Corp 露光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100706930B1 (ko) * 2003-10-30 2007-04-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW480372B (en) 2002-03-21
US6542220B1 (en) 2003-04-01
KR100695988B1 (ko) 2007-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100695988B1 (ko) 리소그래피 투영 장치에 사용되는 정화 가스 시스템
JP3913976B2 (ja) リソグラフ投影装置に用いる洗浄ガスシステム
KR100443452B1 (ko) 주사형노광장치
US7057702B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1098225A2 (en) Lithographic projection apparatus with purge gas system and method using the same
KR100805142B1 (ko) 노광방법 및 노광장치
US6614504B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
CN1723541B (zh) 曝光装置和器件制造方法
US6690450B2 (en) Exposure method, exposure apparatus, method for producing exposure apparatus, and method for producing device
US6727981B2 (en) Illuminating optical apparatus and making method thereof, exposure apparatus and making method thereof, and device manufacturing method
JP2005203754A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
KR20020036951A (ko) 노광방법 및 장치
US6191843B1 (en) Exposure device, method of making and using same, and objects exposed by the exposure device
JP4474871B2 (ja) 露光装置
JP2005064210A (ja) 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置
JPWO2005038887A1 (ja) 環境制御装置、デバイス製造装置、デバイス製造方法、露光装置
JP3836751B2 (ja) リソグラフィー投影装置、素子製造方法、およびそれによって製造された素子
JP2001291663A (ja) 露光方法及び装置、ステージモジュール、露光装置の製造方法、並びにデバイス製造方法
JP2006134944A (ja) 露光装置
JP2000195779A (ja) 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
US7034924B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2001093797A (ja) 露光装置
JP2001189268A (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2002260998A (ja) 露光方法及び露光装置並びにデバイスの製造方法
JP2003133198A (ja) 光学装置、露光装置、並びにデバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130304

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140228

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160302

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170224

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee