JP3977377B2 - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3977377B2 JP3977377B2 JP2005060652A JP2005060652A JP3977377B2 JP 3977377 B2 JP3977377 B2 JP 3977377B2 JP 2005060652 A JP2005060652 A JP 2005060652A JP 2005060652 A JP2005060652 A JP 2005060652A JP 3977377 B2 JP3977377 B2 JP 3977377B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- optical system
- exposure apparatus
- optical path
- path space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 139
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 108
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 9
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- -1 ammonium ions Chemical class 0.000 description 1
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
また、光源から被処理基板までの光路の周囲の一部または全部の空間を露光光に対して不活性なガスでパージすることが行われてきた。
図6は、本実施形態の投影露光装置の概略を示す図である。図6において、レチクルRは、光源1と、照明光整形光学系2〜リレーレンズ8よりなる照明光学系とにより、長方形のスリット状の照明領域21により均一な照度で照明され、スリット状照明領域21内のレチクルRの回路パターン像が投影光学系13を介してウエハW上に転写される。光源1としては、F2エキシマレーザー、ArFエキシマレーザあるいはKrFエキシマレーザ等のエキシマレーザ光源、金属蒸気レーザ光源、又はYAGレーザの高調波発生装置等のパルス光源、又は水銀ランプと楕円反射鏡とを組み合わせた構成等の連続光源が使用できる。
図2は第2の実施形態に係る露光装置の主要部を示す図である。
図3は第3の実施形態に係る露光装置の主要部を示す図である。
図4は第4の実施形態に係る露光装置の主要部を示す図である。
102 ウエハ(基板)
103 ステージ制御器
104 環境制御器1(給気バルブ用)
105 環境制御器2(排気バルブ用)
106 メインコントローラ
107 ユーザ・インタフェース部
108 遮蔽部材
109 排気口(レジストアウトガス排気用)
110 排気口(装置内循環ガス用)
111 給気口(装置内循環ガス用)
112 給気バルブ
114 遮蔽板
115 排気バルブ
116 整流構造
117 ガス供給口
118 ウエハステージ
119 光学素子
120 光路空間
Claims (9)
- 原版のパターンを基板に転写する露光装置であって、
光源から前記基板に至る光路中に配された光学系と、
前記光学系を収容する収容部材と、
前記光学系の表面に接する光路空間を囲むように配された遮蔽部材と、
前記遮蔽部材に設けられ、第1の領域から、前記光路空間を挟んで前記第1の領域に対向する第2の領域へ、気体を供給する気体供給部と、
前記遮蔽部材に設けられ、前記第2の領域で、前記気体の流れを偏向して前記気体を前記光路空間の外側へ導く整流構造と、
前記遮蔽部材を挟むように配された給気口および排気口を用いて、気体を供給し回収する気体供給回収手段と、
前記光学系の表面から離間して前記遮蔽部材に設けられ、前記光路空間の外側から前記光路空間へ気体の流入を抑制する遮蔽板と、を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記気体供給部から供給される気体は、前記給気口から供給される気体よりも、コンタミナント濃度が低いことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記気体供給部から供給され前記光路空間を介して前記光路空間の外側へ導かれた気体は、前記給気口から供給された気体と共に前記排気口から回収されることを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 前記気体供給部から供給される気体は、不活性ガス、および、フィルタにより濾過された空気のいずれかであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の露光装置。
- 前記排気口と前記遮蔽部材の間に設けられ、前記気体供給部から供給され前記光路空間を介して前記光路空間の外側へ導かれた気体を排気する排気手段と、をさらに備え、
前記排気手段の排気口の法線方向は、前記光学系の光軸方向の成分を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の露光装置。 - 前記気体供給部の給気口は、前記光学系の表面から前記光学系の光軸方向において離間して配置されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の露光装置。
- 前記光学系は、前記原版のパターンの像を前記基板上に投影するための投影光学系であり、
前記光学系の表面は、前記投影光学系の最終面および第1面のいずれかであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の露光装置。 - 前記光学系は、前記原版のパターンを照明するための照明光学系であり、
前記光学系の表面は、前記照明光学系の最終面であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の露光装置。 - 請求項1〜8のいずれか1つに記載の露光装置を用いて、原版のパターンを基板に転写する工程と、
転写された前記基板を現像する工程と、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005060652A JP3977377B2 (ja) | 2005-03-04 | 2005-03-04 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US11/356,798 US7760323B2 (en) | 2005-03-04 | 2006-02-17 | Exposure apparatus and method of manufacturing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005060652A JP3977377B2 (ja) | 2005-03-04 | 2005-03-04 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006245401A JP2006245401A (ja) | 2006-09-14 |
JP3977377B2 true JP3977377B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=37009935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005060652A Expired - Fee Related JP3977377B2 (ja) | 2005-03-04 | 2005-03-04 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7760323B2 (ja) |
JP (1) | JP3977377B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006044591A1 (de) | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Anordnung, insbesondere Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie, sowie reflektives optisches Element mit verminderter Kontamination |
WO2011116792A1 (en) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical system, exposure apparatus, and waverfront correction method |
NL2008954A (en) | 2011-07-08 | 2013-01-09 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP6742870B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2020-08-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置、及び物品製造方法 |
JP7425661B2 (ja) * | 2019-07-25 | 2024-01-31 | キヤノン株式会社 | 光学装置、露光装置及び物品の製造方法 |
JP7033168B2 (ja) | 2020-06-30 | 2022-03-09 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品の製造方法 |
JP7512131B2 (ja) * | 2020-08-27 | 2024-07-08 | キヤノン株式会社 | 露光装置、及び物品の製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5559584A (en) * | 1993-03-08 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
US5995263A (en) * | 1993-11-12 | 1999-11-30 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5997963A (en) * | 1998-05-05 | 1999-12-07 | Ultratech Stepper, Inc. | Microchamber |
US6762412B1 (en) * | 1999-05-10 | 2004-07-13 | Nikon Corporation | Optical apparatus, exposure apparatus using the same, and gas introduction method |
JP2001028331A (ja) | 1999-05-10 | 2001-01-30 | Nikon Corp | 光学装置およびこれを用いた露光装置、ガス流入方法 |
US6970228B1 (en) * | 1999-07-16 | 2005-11-29 | Nikon Corporation | Exposure method and system |
JP2001118783A (ja) * | 1999-10-21 | 2001-04-27 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
TW563002B (en) * | 1999-11-05 | 2003-11-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus, and device manufactured by the method |
TW480372B (en) * | 1999-11-05 | 2002-03-21 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the apparatus, and device manufactured according to the method |
JP3531914B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2004-05-31 | キヤノン株式会社 | 光学装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2001358056A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2002373852A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
WO2003030229A1 (fr) | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Nikon Corporation | Aligneur et procede de fabrication du dispositif |
US6934003B2 (en) * | 2002-01-07 | 2005-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7050149B2 (en) * | 2002-06-11 | 2006-05-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
JP2004228497A (ja) | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Nikon Corp | 露光装置及び電子デバイスの製造方法 |
JP4035510B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2008-01-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ガス洗浄システムを含むリソグラフィ装置 |
JP4289906B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2009-07-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7072021B2 (en) * | 2004-05-17 | 2006-07-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2005
- 2005-03-04 JP JP2005060652A patent/JP3977377B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-02-17 US US11/356,798 patent/US7760323B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060209274A1 (en) | 2006-09-21 |
JP2006245401A (ja) | 2006-09-14 |
US7760323B2 (en) | 2010-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1326139B1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
US6954255B2 (en) | Exposure apparatus | |
JP2008252117A (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP3977377B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2006049815A (ja) | 露光装置 | |
EP1670040B1 (en) | Projection exposure apparatus, projection exposure method, and device manufacturing method | |
US7924398B2 (en) | Optical apparatus and method of manufacturing device | |
JP3969871B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
US6259509B1 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
JP2004006690A (ja) | リソグラフ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2003059803A (ja) | 露光装置 | |
US20030136512A1 (en) | Device manufacturing-related apparatus, reticle, and device manufacturing method | |
US6590631B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
CN115362607A (zh) | 导管系统、辐射源、光刻装置及其方法 | |
JP4510433B2 (ja) | 露光装置及び洗浄方法 | |
JP2003234281A (ja) | 露光装置、デバイス製造方法 | |
JP4174239B2 (ja) | ガス供給装置、露光システムおよびデバイス製造方法 | |
JP4724537B2 (ja) | 露光装置 | |
CN112286002B (zh) | 光学装置、曝光装置以及物品制造方法 | |
JPWO2002065183A1 (ja) | 鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
JP2008166613A (ja) | 清掃方法、露光方法及びデバイス製造方法、清掃部材及びメンテナンス方法、並びに露光装置 | |
JP2006339346A (ja) | 露光装置 | |
JP2006173247A (ja) | 汚染物質除去装置及び露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
JP2003115433A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
JP2003124098A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070515 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070612 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070620 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |