JP2008166613A - 清掃方法、露光方法及びデバイス製造方法、清掃部材及びメンテナンス方法、並びに露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】清掃用レチクルRCに設けられたグレーティング53A,53B及び反射面54A,54Bにより、レチクルホルダ34A,34Bの上面(レチクル載置面)に照明光ILが導かれ、その上面が光洗浄される。したがって、露光用の照明光ILを清掃用レチクルRCに照射するだけで、レチクルホルダ上面に異物、汚染物質などが付着していてもそれらの物質は、分解され、除去される。
【選択図】図4
Description
Claims (22)
- パターンが形成されたマスクを載置して保持するマスク保持部材を清掃する清掃方法であって、
前記マスク保持部材のマスク載置面にエネルギビームを導く工程を含む清掃方法。 - 前記エネルギビームは、露光用のエネルギビームである請求項1に記載の清掃方法。
- 前記マスク保持部材と前記エネルギビームとを相対移動する工程をさらに含む請求項1又は2に記載の清掃方法。
- 前記マスク保持部材と前記エネルギビームとの相対移動は、少なくとも前記マスク保持部材が移動することで行われる請求項3に記載の清掃方法。
- 前記エネルギビームは、該エネルギビームの進路を変更する進路変更部材により前記マスク載置面に導かれる請求項1〜4のいずれか一項に記載の清掃方法。
- 前記進路変更部材は、前記マスク保持部材に載置される清掃部材である請求項5に記載の清掃方法。
- 前記清掃部材は、前記マスク載置面に対向する側の面に設けられた前記エネルギビームの進路を変更する第1変更部と、前記第1変更部で進路変更された前記エネルギビームの進路を変更し前記マスク載置面に導く第2変更部とを有する請求項6に記載の清掃方法。
- 前記第1変更部は、前記エネルギビームを前記第2変更部に向けて回折させる回折格子を含む請求項7に記載の清掃方法。
- 前記第1変更部は、前記エネルギビームを前記第2変更部に向けて反射する反射面を含む請求項7又は8に記載の清掃方法。
- 前記第2変更部は、前記第1変更部からの前記エネルギビームを前記マスク載置面に向けて反射する反射面を含む請求項7〜9のいずれか一項に記載の清掃方法。
- 前記第2変更部の前記反射面は、前記清掃部材の前記マスク載置面に対向する側の面とは反対側の面に設けられている請求項10に記載の清掃方法。
- マスク保持部材上に載置されたマスクに形成されたパターンを物体上に転写する露光方法であって、
請求項1〜11のいずれか一項に記載の清掃方法を用いて、前記マスク保持部材のマスク載置面を清掃する工程と;
清掃後の前記マスク載置面に前記マスクを載置し、該マスクを前記マスク保持部材により保持する工程と;
前記マスク保持部材と前記物体とを同期移動して、前記マスクに形成されたパターンを物体に転写する工程と;を含む露光方法。 - 請求項12に記載の露光方法を実行する工程と;
前記パターンが転写された前記物体に処理を施す工程と;を含むデバイス製造方法。 - 露光装置のマスク保持部材に載置可能な清掃部材であって、
前記マスク保持部材のマスク載置面に接触する接触面を有する清掃部材本体を備え、
前記清掃部材本体の一部に、露光用のエネルギビームの進路を少なくとも1回変更して前記マスク載置面に導く進路変更部が設けられている清掃部材。 - 前記進路変更部は、前期清掃部材本体の前記接触面側の面に設けられた前記エネルギビームの進路を変更する第1変更部と、該第1変更部で進路変更された前記エネルギビームの進路を変更し前記マスク載置面に導く第2変更部とを含む請求項14に記載の清掃部材。
- 前記第1変更部は、前記エネルギビームを前記第2変更部に向けて回折させる回折格子を含む請求項15に記載の清掃部材。
- 前記第1変更部は、前記エネルギビームを前記第2変更部に向けて反射する反射面を含む請求項15又は16に記載の清掃部材。
- 前記第2変更部は、前記第1変更部からの前記エネルギビームを前記マスク載置面に向けて反射する反射面を含む請求項15〜17のいずれか一項に記載の清掃部材。
- 前記第2変更部の前記反射面は、前記清掃部材本体の前記接触面とは反対側の面に設けられている請求項18に記載の清掃部材。
- マスク保持部材と物体とを同期移動して前記マスクに形成されたパターンを前記物体に転写する走査型露光装置のメンテナンス方法であって、
請求項14〜19のいずれか一項に記載の清掃部材を前記マスク保持部材に載置して保持させる工程と;
前記マスク保持部材を露光用のエネルギビームに対して移動させつつ、前記マスク保持部材の前記変更部に前記エネルギビームを入射させる工程と;を含むメンテナンス方法。 - マスクに形成されたパターンを介してエネルギビームで物体を露光する露光装置であって、
前記マスクを載置して保持するマスク保持部材と;
前記マスク保持部材のマスク載置面に前記エネルギビームを導く導光装置と;を備える露光装置。 - 前記マスク保持部材を前記エネルギビームに対して相対移動させる移動装置をさらに備える請求項21に記載の露光装置。
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---|---|---|---|---|
JP2011151058A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-08-04 | Nikon Corp | 洗浄方法、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
WO2021063722A1 (en) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | Asml Netherlands B.V. | A cleaning device, a lithography apparatus, a method of removing water or other contaminant and a device manufacturing method |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002164267A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-06-07 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2003224067A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-08-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、装置の洗浄法、デバイスの製造方法、およびその方法により製造されるデバイス |
JP2004349648A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体露光装置の自己洗浄方法と自己洗浄用透過板 |
JP2006013308A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
-
2006
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002164267A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-06-07 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2003224067A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-08-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、装置の洗浄法、デバイスの製造方法、およびその方法により製造されるデバイス |
JP2004349648A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体露光装置の自己洗浄方法と自己洗浄用透過板 |
JP2006013308A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Canon Inc | 半導体製造装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011151058A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-08-04 | Nikon Corp | 洗浄方法、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
WO2021063722A1 (en) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | Asml Netherlands B.V. | A cleaning device, a lithography apparatus, a method of removing water or other contaminant and a device manufacturing method |
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