JP4908807B2 - 処理装置、露光装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、一般には、露光装置に係り、特に、半導体ウエハ用の単結晶基板、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用のガラス基板などのデバイスを製造する際に使用される露光装置に関する。本発明は、特に、露光光として紫外線光や極端紫外線（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を利用する露光装置に好適である。

フォトリソグラフィー技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際に、レチクルに描画された回路パターンを投影光学系によってウエハ等に投影して回路パターンを転写する縮小投影露光装置が従来から使用されている。

縮小投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。従って、波長を短くすればするほど、解像度はよくなる。このため、近年の半導体素子への微細化の要求に伴い露光光の短波長化が進められている。紫外線光として、超高圧水銀ランプ（ｉ線（波長約３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）などが挙げられる。

しかし、半導体素子は急速に微細化しており、紫外線光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで、０．１μｍ以下の非常に微細な回路パターンを効率よく転写するために、紫外線光よりも更に波長が短い、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度の極端紫外線光を用いた縮小投影露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」と称する。）が開発されている。

ＥＵＶ光の波長領域では、物質による光の吸収が非常に大きくなるので、可視光や紫外線光で用いられるような光の屈折を利用した屈折型光学系（レンズを用いた光学系）は、レンズ等の光学素子に対するＥＵＶ光の透過率が悪く、実用的ではない。そこで、光の反射を利用した反射型光学系が用いられる。また、レチクルもミラーの上に吸収体によって転写すべきパターンを形成した反射型レチクルが用いられる。

また、ＥＵＶ光は、気体によっても強く吸収される。例えば、１０Ｐａの空気で満たされた空間を波長１３ｎｍのＥＵＶ光が１ｍ伝播した場合、約５０％のＥＵＶ光が吸収されてしまう。気体によるＥＵＶ光の吸収を回避するためには、ＥＵＶ光が伝播する空間を少なくとも１０^−１Ｐａ以下、好ましくは、１０^−３Ｐａ以下の圧力に維持する必要がある。

更に、ＥＵＶ光が照射される光学部材（例えば、ミラーやレチクル）が配置された空間に炭化水素などの炭素を含む分子が残留していた場合、光照射によって光学部材の表面に炭素が次第に付着し、かかる炭素がＥＵＶ光を吸収するために反射率が低下してしまう。光学部材の表面への炭素付着を防止するためには、ＥＵＶ光が照射される光学部材が配置された空間を少なくとも１０^−４Ｐａ以下、好ましくは、１０^−６Ｐａ以下の圧力に維持する必要がある。

これらのことを考慮した露光装置は、多数提案されている（例えば、特許文献１及び２参照。）。
特開平２００５−１０１４９２号公報 特開平７−２６３３２２号公報

しかしながら、露光装置においては、感光剤であるレジストが塗布されたウエハを露光装置外部から搬入し、レチクルの回路パターンを転写して搬出するという動作を繰り返す。ウエハステージは、走査露光を行うための移動機構やウエハを搬送する搬送機構などの駆動機構を有し、表面積が非常に大きくなることと、これらの部品から発生するアウトガスにより高真空化が極めて困難である。

更に、ウエハに塗布されたレジストは、露光前に加熱ベーキングされてはいるものの有機物であるために、真空中に搬入するとレジストから構成している有機物やその分解された物質である炭素化合物などが気化してしまう。このようなガスは、真空に維持されている装置内に拡散することになる。また、ウエハは大気中から露光装置内に搬入されるため、ウエハの搬入に伴いウエハに付着している水分を含む空気成分を短時間でなくすことは難しく、真空中において徐々に脱離する。これらウエハやレジストからのアウトガスによって、高真空状態に維持することが非常に困難となる。

炭素を含む分子や水分が露光装置内、特に、反射ミラー配置された空間に拡散することを防止するためにウエハ及びウエハステージの空間と反射ミラーが配置された空間を隔壁により隔離する。各空間を差動排気することで露光光学系のある空間を高真空に維持することができるが、真空チャンバーの変形及び振動が隔壁を伝達し、反射ミラーを振動させ、露光性能が悪化する問題があった。

そこで、本発明は、真空チャンバの変形及び振動を吸収し、光学系への影響を低減させ、安定した被処理体への処理を行うことができる処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、チャンバと、前記チャンバ内部を排気する排気手段とを備え、前記排気手段により所定の真空度に排気された前記チャンバ内で光学系を介して導かれた光または電子ビームにより被処理体を処理する処理装置であって、前記チャンバ内に設けられ前記光学系を内部に保持する構造体を有し、前記チャンバと前記構造体の間の空間は、前記チャンバ内壁に支持された第１の隔壁と、前記第１の隔壁と隙間を介して配置された前記構造体の第２の隔壁と、前記隙間をシールするためのシール部材とによって隔離されており、前記シール部材は前記第１の隔壁または第２の隔壁の一方に対して固定され、他方に対しては接触することで前記隙間をシールすることを特徴としている。

本発明によれば、真空チャンバの変形及び振動を吸収し、光学系への影響を低減させ、安定した被処理体への処理を行うことができる。

以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての露光装置について説明する。なお、各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明の露光装置１００の例示的一形態を示す概略構成図である。

本発明の露光装置１００は、露光用の照明光としてＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いている。また、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でレチクル１２０に形成された回路パターンを被処理体１４０に露光するＥＵＶ露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン（例えば、０．１μｍ）以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、レチクルに対してウエハを連続的にスキャン（走査）してレチクルパターンをウエハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウエハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」は、ウエハの一括露光ごとにウエハをステップ移動して次の露光領域に移動する露光方法である。

図１を参照するに、露光装置１００は、回路パターンが形成されたレチクル１２０を照明する照明装置１１０と、レチクル１２０を載置するレチクルステージ１２５とを有する。さらに、照明されたレチクルパターンから生じる回折光を被処理体１４０に投影する投影光学系１３０と、被処理体１４０を載置するウエハステージ１４５と、アライメント検出機構１５０と、フォーカス位置検出機構１６０とを有する。

ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低く、残留ガス（高分子有機ガス）及びアウトガスなどの成分との反応によりコンタミを生成してしまう。そのため、露光装置１００は、後述するチャンバー２００に収納され、少なくとも、ＥＵＶ光が通る光路中（即ち、光学系全体）は真空雰囲気となっている。

照明装置１１０は、投影光学系１３０の円弧状の視野に対する円弧状のＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）によりレチクル１２０を照明する照明装置であって、ＥＵＶ光源部１１２と、照明光学系１１４とを有する。

ＥＵＶ光源部１１２は、例えば、レーザープラズマ光源を使用する。レーザープラズマ光源は、ターゲット供給装置１１２ａから供給され真空中に置かれたターゲット材に、励起用パルスレーザー１１２ｂから集光レンズ１１２ｃを介して高強度のパルスレーザー光を照射し、高温のプラズマ１１２ｄを発生させる。そして、プラズマ１１２ｄから放射される波長１３．４ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。ターゲット供給装置１１２ａが供給するターゲット材としては、金属膜、不活性ガス、液滴などが用いられる。放射されるＥＵＶ光の平均強度を高くするためには、パルスレーザー１１２ｂの繰り返し周波数は高い方がよく、通常数ｋＨｚの繰り返し周波数で運転される。あるいは、ＥＵＶ光源部１１２は、放電プラズマ光源を用いることもできる。但し、ＥＵＶ光源部１１２は、これらに限定するものではなく、当業界で周知のいかなる技術も適用可能である。

照明光学系１１４は、集光ミラー１１４ａ、オプティカルインテグレーター１１４ｂから構成される。集光ミラー１１４ａは、レーザープラズマ光源からほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める役割を果たす。オプティカルインテグレーター１１４ｂは、レチクル１２０を均一に所定の開口数で照明する役割を有する。また、照明光学系１１４は、レチクル１２０と光学的に共役な位置に、レチクル１２０の照明領域を円弧状に限定するためのアパーチャ１１４ｃが設けられている。

レチクル１２０は、反射型レチクルで、ミラーの上に転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、レチクルステージ１２５に支持及び駆動される。レチクル１２０から発せられた回折光は、投影光学系１３０で反射されて被処理体１４０上に投影される。レチクル１２０と被処理体１４０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置１００は、スキャナーであるため、レチクル１２０と被処理体１４０を縮小倍率比の速度比でスキャンすることによりレチクル１２０のパターンを被処理体１４０上に転写する。なお、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（「ステッパー」と呼ばれる）の場合は、レチクル１２０と被処理体１４０を静止させた状態で露光が行われる。

レチクルステージ１２５は、レチクルチャック１２５ａを介してレチクル１２０を支持し、図示しない移動機構に接続されている。レチクルステージ１２５は、当業界周知のいかなる構造をも適用することができる。レチクルチャック１２５ａは、静電吸着力によってレチクル１２０を吸着する。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、少なくともＸ方向にマスクステージ１２５を駆動することでレチクル１２０を移動することができる。露光装置１００は、レチクル１２０と被処理体１４０を同期した状態でスキャンする。ここで、レチクル１２０又は被処理体１４０面内でスキャン方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、レチクル１２０又は被処理体１４０面内に垂直な方向をＺとする。

投影光学系１３０は、複数の反射ミラー１３０ａを用いて、レチクル１２０面上のパターンを像面である被処理体１４０上に縮小投影する。ＥＵＶ露光装置を構成するミラーとしては、斜入射全反射ミラーと多層膜ミラーとがある。ＥＵＶ光の波長領域では、屈折率の実部は１より僅かに小さいので、入射角を大きくし、反射面すれすれにＥＵＶ光を入射させれば全反射となる。かかる性質を利用したものが斜入射全反射ミラーである。通常、反射面からの角度が数度乃至１０数度以内（入射角度７０数度乃至９０度未満）の斜入射で８０％以上の高い反射率を得ることができる。しかし、斜入射全反射ミラーは、入射角の制限により光学設計上の自由度が小さく、投影光学系１３０に用いることは難しい。多層膜ミラーは、光学定数（屈折率）の異なる２種類の薄膜を交互に積層して形成され、垂直入射に近い入射角度で使用することができる。多層膜ミラーは、薄膜の材料や積層数を適切に設定することにより、７０％程度の反射率を得ることができる。例えば、精密に研磨されたガラス基板の表面に厚さ２ｎｍのモリブデン（Ｓｏ）層と厚さ５ｎｍのシリコン（Ｓｉ）層を交互に２０層対積層したＭｏ／Ｓｉ多層膜（膜周期７ｎｍ）ミラーは、波長１３．４ｎｍ付近の波長域に対して６７．５％の反射率を示す。このような多層膜ミラーにＥＵＶ光が入射すると、特定の波長のＥＵＶ光が反射される。多層膜ミラーの膜周期をｄ、ＥＵＶ光の波長をλ、入射角をθとすると、近似的には以下の数式１で示されるブラッグの式の関係を満足するような波長λを中心とした狭いバンド幅のＥＵＶ光だけが効率よく反射される。このときのバンド幅は、０．６ｎｍ乃至１ｎｍ程度である。
２ｘｄｘｓｉｎθ＝λ ・・・（数１）

投影光学系１３０は、本実施形態では、複数の反射ミラー１３０ａとして多層膜ミラーを用いている。反射ミラー１３０ａを多層膜ミラーとしても可視光のミラーに比べて光りの損失が大きいので、反射ミラー１３０ａの枚数は最小限に抑えることが必要であり、４枚乃至６枚程度で構成することが好ましい。少ない枚数のミラーで広い露光領域を実現するには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域（リングフィールド）だけを用いて、レチクル１２０と被処理体１４０を同時に走査して広い面積を転写する。反射ミラー１３０ａの反射面の形状は、凸面又は凹面の球面又は非球面であり、投影光学系１３０は、０．１乃至０．２程度の開口数（ＮＡ）を有する。

被処理体１４０は、本実施形態ではウエハであるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体１４０には、フォトレジストが塗布されている。

ウエハステージ１４５は、ウエハチャック１４５ａによって被処理体１４０を支持する。ウエハステージ１４５は、例えば、リニアモーターを利用してＸＹＺ方向に被処理体１４０を移動する。また、ウエハステージ１４５の位置とレチクルステージ１２５の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。ウエハチャック１４５ａは、粗動ステージ、微動ステージなどから構成され、２つの電極を有する双極型の静電チャックである。

アライメント検出機構１５０は、レチクル１２０の位置と投影光学系１３０の光軸との位置関係、及び、被処理体１４０の位置と投影光学系１３０の光軸との位置関係を計測する。そして、レチクル１２０の投影像が被処理体１４０の所定の位置に一致するようにレチクルステージ１２５及びウエハステージ１４５の位置と角度を設定する。

フォーカス位置検出機構１６０は、被処理体１４０面でＺ方向のフォーカス位置を計測し、ウエハステージ１４５の位置及び角度を制御することによって、露光中、常時、被処理体１４０面を投影光学系１３０による結像位置に保つ。

以下、露光装置１００の最も特徴的なチャンバー２００について説明する。チャンバー２００は、連続する複数の分室を有し、かかる分室に露光装置１００の構成要素（例えば、照明光学系１１０、レチクルステージ１２５、投影光学系１３０、ウエハステージ１４５など）を分割して収納する。

図１において、チャンバー２００はウエハステージ１４５が配置された空間と投影光学系１３０が配置された空間とを隔離するための隔壁２１０を支持する。また、チャンバー２００は投影光学系１３０が配置された空間とレチクルステージ１４５が配置された空間とを隔離するための隔壁２２０を支持する。また、チャンバー２００はレチクルステージが配置された空間と照明光学系が配置された空間とを隔離するための隔壁２３０を支持する。

２１２は投影光学系１３０を経たＥＵＶ光が通過するための開口部である。２２０は投影光学系１３０とレチクルステージ１４５が配置された空間を隔離する隔壁、２２２はレチクル１２０で反射されたＥＵＶ光が通過するための開口部である。２３２はレチクル１２０を照明するＥＵＶ光が通過するための開口部である。２４２はＥＵＶ光をＥＵＶ光源部１１２側から照明光学系１１４側に通過させる開口部である。

ＷＳＳはウエハステージ空間、ＰＯＳは投影光学系空間、ＲＳＳはレチクルステージ空間、ＩＯＳは照明光学系空間、ＬＳＳは光源空間を示している。各空間は真空排気手段２５２、２６２、２７２、２８２、２９２によって真空排気可能となっている。また、気体供給手段も備える。

前述したようにＥＵＶ光は、残留ガス（高分子有機ガス）やアウトガスの成分との反応により反射ミラー表面にコンタミネーションを生成してしまう。このため本実施例においては、アウトガスの放出量が多いウエハステージ空間とコンタミネーションの付着が問題となる光学系エリアを隔離して排気している。本実施例においては、投影光学系空間の真空度が最も高く、次いで照明光学系空間、レチクルステージ空間の真空度が高く、ウエハステージ空間の真空度が最も低くなるように真空排気される。このように排気することで光学系へのコンタミネーションの付着を最小限に抑えることができ、露光性能を低下させない。前記排気システムは各空間の圧力を検知する不図示の真空計と各空間の圧力を制御可能な排気制御システムを装備している。また、前記各空間は不図示の連通管で各空間を同圧に維持しながら真空排気を行うことが可能である。

図２は本発明の第１の実施例に係るシール部材の配置形態を模式的にあらわした図である。図２において隔壁２１０より上部は図１のＰＯＳ、隔壁２１０より下部は図１のＷＳＳに相当する空間である。

チャンバー２００の内壁の壁面に取付けられた隔壁２１０と反射ミラーを支持する内部構造体１３０ｂ部の間に隙間部４１０を設ける。隙間部は内部構造体１３０ｂに設けられた隔壁と、隔壁２１０との間に設けられてもよく、本実施例では内部構造体が隔壁を兼ねている。隙間部は真空排気時にチャンバー外側（大気側）からチャンバー中心方向に発生するチャンバー変形により、隔壁と内部構造体が接触しない方向に設ける。本実施例ではこの隙間部の寸法を５ｍｍとしているがチャンバーの変形量やシール部材の材質等の条件により適当な寸法の隙間部を意図的に設ける。本実施例による露光装置においては隙間部によって真空排気時に発生するチャンバー外壁の変形により隔壁が内部構造体に外力を伝えない。このため本体構造体をチャンバーから独立して位置制御、振動制御することが可能となり、露光性能を低下させることがない。

隔離される２つの空間の流路となる隙間部を極力小さくすることで、気体のコンダクタンスを小さくすることができ、ＰＯＳ空間へのアウトガス流入をわずかに減らすことは出来るが、これだけでは流入ガス封止効果はほとんど期待できないことは明らかである。

本実施例では前記隙間部を封止可能なシート状のシール部材を隔壁上面に取付け、内部構造体の上面にシート状のシール部材が接触することで封止する。シート状のシール部材が湾曲して前記シール面に接触しているため、シール面にはシール部材の曲げ反力が接触力として作用するため、この接触力を超える圧力がシール部材に発生するまでは、２つの空間を確実に隔離することができる。このため、ＷＳＳ空間の残留ガスやアウトガスがＰＯＳ空間に流入することはない。シール部材及び内部構造体上面のシール面は精度よく加工されていることが望ましい。シート状のシール部材３１の固定方法は隔壁上面にネジ、板バネ、ロウ付け等、取付け面に隙間なく取付けられる方法であればどのような方法であってもよい。また、本実施例ではシール部材は隔壁側に取付けたが、チャンバー内部の部材に取付けてもよい。

シート状のシール部材は、各空間の差圧を許容値以下に維持できる接触力でチャンバー内壁に支持された隔壁あるいはチャンバー内部の部材に接触し、チャンバー内を少なくとも２つ以上の空間に隔離して真空排気する。薄膜状のシール部材の接触力を各空間の差圧に応じて調整することで、２つの空間の間に生じる圧力差に対して所望のガス流入封止効果をもたせることができる。

シート状のシール部材は、前記チャンバー内壁に支持された隔壁あるいは前記チャンバー内部の部材に接触するように配置される。チャンバーが変形する方向と同方向の前記シール部材の接触幅はチャンバー変形量より十分大きな接触幅であり、チャンバー内を少なくとも２つ以上の空間に隔離して真空排気する。

接触面積を十分大きくすることで真空チャンバーの変形による隔壁の位置変化が発生しても、接触面積がわずかに小さくなるだけとなる。これにより、シール部材の接触部からのリークが発生しないようにすることができ、２つの空間の間に生じる圧力差に対して所望のガス流入封止効果をもたせることができる。

シール部材は内部構造体上面の形状に合わせて複数配置され、シール部材とシール部材の継ぎ目は、継ぎ目からのリークが最小となる様に直線部３１ｂで張り合わされている。シール部材の間の継ぎ目部３１０ｂが０．１ｍｍ以下、好ましくは０．０５ｍｍ程度以下となるように精度よく配置されている。

本実施例による隙間部のシール方法を用いて、円環状の隙間部をシールする場合にはシール部材の長さを短くし、多数のシール部材を円環状隙間部に配置することで前記隙間部を隔離することが可能となる。

シール部材は真空中における気体放出速度が少ない部材であることが望ましい。シール部材は樹脂であってもよく、気体放出速度の観点ではフッ素系の樹脂であることが好ましい。気体放出速度が小さくなるようにメッキ処理された樹脂であってもよい。シール部材は、チャンバー内部の部材の形状に応じて複数に分割して配置されている。薄い金属シートは本実施例では板厚０．５ｍｍ以下のバネ性を有する金属シートである。さらに好ましくは０．１ｍｍ以下のバネ定数の小さな金属薄膜を使用することが望ましい。シール部材がガラスやセラミックスである場合は板厚を非常に薄くすることでバネ性を得ることができる。このような部材を使用することで本発明によるシール部材は、高真空チャンバー内において差圧が１０００Ｐａ程度以下の差動排気を行う場合には十分なシール性を発揮することができる。さらに、シート状の金属のため安価に製作できる点で優れている。

シート状のシール部材は柔軟性が高い為、排気ポンプが取付けられたチャンバーからの振動伝達を減衰させることができる。さらに真空排気によるチャンバー変形により前記隔壁と内部構造体の相対位置が変化しても、薄膜のバネ性、柔軟性により位置変化に追従することができる。これにより、前記第２〜第４の空間を確実に封止することができるため、チャンバーの振動及び変形が露光性能を低下させることがない。

本発明における第１の実施例ではチャンバー内の真空空間を隔離する場合に必要な隔壁がチャンバーの変形及び有振動ポンプから露光光学系への振動伝達を大幅に低減でき、露光性能の悪化を低減できる。

（第２の実施例）
図３は、第２の実施例に係る本発明の露光装置１００の例示的一形態を示す概略構成図である。本実施例によるシール部材の配置形態はシール面が同一平面上にない場合に適用可能であり、多様な形状の部材同士のシール可能である点が第一の実施例よりも優れている。さらに、本実施例によるシール部材の配置形態は、二つの空間の差圧が大きくなった場合、シール部材を破損することなく圧力の高い空間から圧力の低い空間へ圧力を逃がすことができる点においても第１の実施例よりも優れている。

図４は本発明の第２の実施例に係るシール部材の配置形態を模式的にあらわした図である。図４において隔壁２１０より上部は図３のＰＯＳ、隔壁２１０より下部は図３のＷＳＳに相当する空間である。

図５は第４図の部分断面図（Ａ−Ａ矢視）であり、シール部材が互いに隙間なく配置されている状態を示している。

本実施例によるシール部材はチャンバー内壁に取付けられた隔壁と四角形の内部構造体の間に設けられた隙間部４１０において形成される。４枚のシート状シール部材によって封止される。板状部材の第１の側面とこれに対向する内部部材の側面、板状部材の第２の側面とこれに対向する内部部材の側面、板状部材の第３の側面とこれに対向する内部部材の側面、板状部材の第４の側面とこれに対向する内部部材の側面を封止する。

図４において、第１及び第３側面部の隙間を封止するシール部材は隔壁２１０の上面に取付けられ、湾曲させられて前記隙間部に差込まれることにより、前記シール部材は対向する板状部材の第１及び第３の側面に接触し、前記隙間部をシールする。

また、第２及び第４の側面部の隙間を封止するシール部材は板状部材の下面に取付けられ、板状部材の第２及び第４の側面に対向する隔壁の側面に接触し、前記隙間部をシールする。前記シート状のシール部材はいずれも湾曲されて前記隙間部に差込まれることにより、前記シール部材は対向する側面に接触し、前記隙間部をシールする。シート状のシール部材が湾曲して前記シール面に接触しているため、シール面にはシール部材の曲げ反力が接触力として作用する点は第１の実施例と同様である。

さらに、本実施例によるシール部材とシール部材の継ぎ目部３１０ｂは、シール部材の側面部がこの側面部に対向するシール部材のシール面が接触するため、継ぎ目部３１０ｂにおいても隙間なく隙間部４１０をシールすることができる。

さらに本実施例においては前述した通り、隣接するシール部材の取付け方向３５０が異なる為、二つの空間の差圧が大きくなった場合でもシール部材を破損することなく圧力の高い空間から圧力の低い空間へ圧力を逃がすことができる。これにより、シール部材は排気ポンプ等の故障により２空間の差圧が１０００Ｐａ以上になっても破損することがない。

本実施例による隙間部のシール方法は、本実施例によるシール部材の配置形態はシール面が同一平面上にない場合に適用可能であるため、本実施例以外の形状に対しても適用可能である。例えば真空チャンバー内に設けられた開口サイズが異なる排気ダクト同士を差し込んだ状態にできる隙間部に対して、本実施例のシール部材の配置形態を適用することができる。チャンバー変形、ダクトの取付け誤差、およびチャンバーからの振動絶縁することが可能であり、隙間部のシール方法として応用範囲が非常に広い。

本発明における第１の実施例ではチャンバー内の真空空間を隔離する場合に必要な隔壁がチャンバーの変形及び有振動ポンプから露光光学系への振動伝達を大幅に低減でき、露光性能の悪化を低減できる。

以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、本発明は、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２レーザー、電子ビームなどを光源とする露光装置にも適用することができる。

次に、図６及び図７を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。

ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ステップＳ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップＳ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップＳ６（検査）では、ステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップＳ７）される。

図７は、ステップ４の上はプロセスの詳細なフローチャートである。ステップＳ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１４（イオン打ち込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップＳ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップＳ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

本発明の一側面としての露光装置の例示的一形態を示す概略構成図である。 本発明の第１の実施例に係るシール部材の配置形態を模式的にあらわした図である。 本発明の第２の実施例に係る露光装置の例示的一形態を示す概略構成図である。 本発明の第２の実施例に係るシール部材の配置形態を模式的にあらわした図である。 第４図の部分断面図（Ａ−Ａ矢視）である。 上に説明したシステムを使用して半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）を製作する例示てきなプロセスをあらわした図である。 図６のステップ４ウエハプロセスの詳細なフローチャートの例である。

符号の説明

１００ 露光装置
１１０ 照明装置
１１２ ＥＵＶ光源部
１１２ａ ターゲット供給装置
１１２ｂ 励起用パルスレーザー
１１２ｃ 集光レンズ
１１４ 照明光学系
１１４ａ 集光ミラー
１１４ｂ オプティカルインテグレーター
１１４ｃ アパーチャ
１１４ｄ ベース
１１５ 防振ダンパー
１１６ ネジ
１２０ レチクル
１２５ レチクルステージ
１２５ａ レチクルチャック
１３０ 投影光学系
１３０ａ 反射ミラー
１３０ｂ 内部構造体
１４０ 被処理体
１４５ ウエハステージ
１５０ アライメント検出機構
１６０ フォーカス位置検出機構
２００ チャンバー
２１０乃至２４０ 隔壁
２１２乃至２４２ 開口部
２５２乃至２９２ 排気部
３１０乃至３４０ シール部材
ＷＳＳ ウエハステージ空間
ＰＯＳ 投影光学系空間
ＲＳＳ レチクルステージ空間
ＩＯＳ 照明光学系空間
ＬＳＳ 光源空間
ＥＯＳ 露光光学系空間

Claims (7)

1. チャンバと、前記チャンバ内部を排気する排気手段とを備え、前記排気手段により所定の真空度に排気された前記チャンバ内で光学系を介して導かれた光または電子ビームにより被処理体を処理する処理装置であって、
   前記チャンバ内に設けられ前記光学系を内部に保持する構造体を有し、
   前記チャンバと前記構造体の間の空間は、前記チャンバ内壁に支持された第１の隔壁と、前記第１の隔壁と隙間を介して配置された前記構造体の第２の隔壁と、前記隙間をシールするためのシール部材とによって隔離されており、
   前記シール部材は前記第１の隔壁または第２の隔壁の一方に対して固定され、他方に対しては接触することで前記隙間をシールすることを特徴とする処理装置。
2. 前記第２の隔壁は、チャンバ内に配置された部材を支持する支持部材に設けられることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
3. チャンバと、前記チャンバ内部を排気する排気手段とを備え、前記排気手段により所定の真空度に排気された前記チャンバ内で、レチクルステージに設置されたレチクルを照明光学系を用いて照明し、ウエハステージに設置されたウエハに前記レチクルのパターンを投影光学系を介して投影露光する露光装置であって、
   該チャンバ内部に設けられ、前記投影光学系を内部に備える構造体を備え、
   前記チャンバと前記構造体の間に形成される空間は、前記チャンバ内壁に支持された第１の隔壁と、前記第１の隔壁と隙間を介して配置された前記構造体の第２の隔壁と、前記隙間をシールするためのシール部材とによって隔離されており、
   前記シール部材は前記第１の隔壁または第２の隔壁の一方に対して固定され、他方に対しては接触することで前記隙間をシールすることを特徴とする露光装置。
4. 前記第２の隔壁は前記レチクルステージ、前記照明光学系、前記ウエハステージ、前記投影光学系の少なくともいずれかを支持するための支持部材に設けられることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
5. 前記シール部材は樹脂または金属からなり、柔軟性を有することを特徴とする請求項３または４に記載の露光装置。
6. 前記シール部材は複数のシール部材を備えることを特徴とする請求項３〜５の少なくともいずれかに記載の露光装置。
7. デバイス製造方法であって、
   請求項３〜６の少なくともいずれかに記載の露光装置を用いて基板にパターンを露光する工程と、
   前記基板を現像する工程と、
   を備えることを特徴とするデバイス製造方法。

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