JP2010267926A - 基板処理装置及びデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理精度の低下を抑制することが可能な基板処理装置及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板に対し所定の処理を行う処理装置を有する基板処理装置であって、前記処理装置に接続され、前記処理装置に流体を供給する第一配管と、前記第一配管を内包し、前記処理装置から前記流体を排出する第二配管とを備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板処理装置及びデバイスの製造方法に関する。

半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程においては、露光装置等の基板処理装置を用いて基板が処理される。基板処理装置として、例えば内部空間を形成するチャンバ装置と、チャンバ装置内に配置され、基板を保持して移動するステージ装置とを有する構成が知られている。このような基板処理装置において、ステージ装置を駆動するアクチュエータ等から発生する熱を冷却するために、気体あるいは液体等の流体の供給及び排出が必要である。そのため、ステージ装置には、例えば金属配管又は樹脂チューブを接続し、この金属配管又は樹脂チューブを介して、気体あるいは液体を供給及び排出を行う構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００１−２９７９６７号公報

しかしながら、ステージ装置に金属配管を接続した場合、管自身からの脱ガスを抑えられるが、金属配管同士の接触により、金属粒子が発生し、チャンバ装置内の雰囲気が汚染される恐れがある。
また、金属配管の代わりに柔軟性の高い樹脂チューブを採用することが考えられるが、樹脂チューブは脱ガスの発生や、チューブを透過するガスの量が金属配管に比べて大きく、チャンバ装置内の雰囲気が汚染される恐れがある。チャンバ内の雰囲気が汚染されることにより、処理装置の処理精度が低下してしまう。

上記のような事情に鑑み、本発明は、処理精度の低下を抑制することが可能な基板処理装置及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る基板処理装置は、基板に対し所定の処理を行う処理装置を有する基板処理装置であって、前記処理装置に接続され、前記処理装置に流体を供給する第一配管と、前記第一配管を内包し、前記処理装置から前記流体を排出する第二配管とを備えることを特徴とする。

本発明に係るデバイスの製造方法は、上記の基板処理装置を用いて、基板を露光する工程と、前記露光された前記基板を現像する工程とを含む。

本発明によれば、処理精度の低下を抑制することが可能となる。

本発明に係る基板処理装置として露光装置の概略構成を示す図。 露光装置のウエハステージ近傍の構成を示す図。 ウエハステージに接続される配管の構成を示す図。 配管の構成を示す図。 ウエハステージと配管との接続部分の構成を示す図。 本発明に係る基板処理装置として露光装置の他の構成を示す図。 本発明に係る基板処理装置として露光装置の他の構成を示す図。 本発明に係る基板処理装置として露光装置の他の構成を示す図。 本発明のマイクロデバイス製造工程の一例を示すフローチャート。 マイクロデバイス製造工程のステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。本実施形態では、基板処理装置として、露光装置を例に挙げて説明する。
図１は、本実施形態の露光光ＥＬ（照明光）として波長が１００ｎｍ以下で、例えば３〜５０ｎｍ程度の範囲内の１１ｎｍ又は１３ｎｍ等のＥＵＶ光（Extreme Ultraviolet Light）を用いる露光装置（ＥＵＶ露光装置）１００の全体構成を概略的に示す断面図である。図１において、露光装置１００は、露光光ＥＬを発生するレーザプラズマ光源１０と、露光光ＥＬでレチクルＲ（マスク）を照明する照明光学系ＩＬＳと、レチクルＲを保持して移動するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲのパターン面（レチクル面）に形成されたパターンの像を、レジスト（感光材料）が塗布されたウエハＷ（感光性基板）上に投影する投影光学系ＰＯとを備えている。さらに、露光装置１００は、ウエハＷを保持して移動するウエハステージＷＳＴと、装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータを含む主制御系３１等とを備えている。

本実施形態では、露光光ＥＬとしてＥＵＶ光が使用されているため、照明光学系ＩＬＳ及び投影光学系ＰＯは、特定のフィルタ等（不図示）を除いて複数のミラー（反射光学部材）より構成され、レチクルＲも反射型である。これらのミラーの反射面及びレチクル面には、ＥＵＶ光を反射する多層の反射膜が形成されている。レチクル面上の反射膜上には、吸収層によって回路パターンが形成されている。また、露光光ＥＬの気体による吸収を防止するため、露光装置１００はほぼ全体として箱状の真空チャンバ１内に収容され、真空チャンバ１内の空間を排気管３２Ａａ，３２Ｂａ等を介して真空排気するための大型の真空ポンプ３２Ａ，３２Ｂ等が備えられている。さらに、真空チャンバ１内で露光光ＥＬの光路上の真空度をより高めるために複数のサブチャンバ（不図示）も設けられている。一例として、真空チャンバ１内の気圧は１０^-5Ｐａ程度、真空チャンバ１内で投影光学系ＰＯを収納するサブチャンバ（不図示）内の気圧は１０^-5〜１０^-6Ｐａ程度である。

以下、図１において、ウエハステージＷＳＴが載置される面（真空チャンバ１の底面）の法線方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で図１の紙面に垂直な方向にＸ軸を、図１の紙面に平行な方向にＹ軸を取って説明する。本実施形態では、レチクル面上での露光光ＥＬの照明領域２７Ｒは、Ｘ方向に細長い円弧状であり、露光時にレチクルＲ及びウエハＷは投影光学系ＰＯに対してＹ方向（走査方向）に同期して走査される。

レーザプラズマ光源１０は、高出力のレーザ光源（不図示）と、このレーザ光源から真空チャンバ１の窓部材１５を介して供給されるレーザ光を集光する集光レンズ１２と、キセノン又はクリプトン等のターゲットガスを噴出するノズル１４と、回転楕円面状の反射面を持つ集光ミラー１３とを備えた、ガスジェットクラスタ方式の光源である。レーザプラズマ光源１０から放射された露光光ＥＬは、集光ミラー１３の第２焦点に集光する。その第２焦点に集光した露光光ＥＬは、凹面ミラー２１を介してほぼ平行光束となり、露光光ＥＬの照度分布を均一化するための一対のフライアイ光学系２２及び２３からなるオプティカル・インテグレータに導かれる。フライアイ光学系２２及び２３のより具体的な構成及び作用については、例えば米国特許第６，４５２，６６１号明細書に開示されている。

図１において、フライアイ光学系２３の反射面の近傍の面は、照明光学系ＩＬＳの瞳面であり、この瞳面又はこの近傍の位置に開口絞りＡＳが配置されている。開口絞りＡＳは、種々の形状の開口を有する複数の開口絞りを代表的に表している。主制御系３１の制御のもとで、開口絞りＡＳを交換することによって、照明条件を通常照明、輪帯照明、２極照明、又は４極照明等に切り換えることができる。

開口絞りＡＳを通過した露光光ＥＬは、一度集光した後に曲面ミラー２４に入射し、曲面ミラー２４で反射された露光光ＥＬは、凹面ミラー２５で反射された後、ブラインド板２６Ａの円弧状のエッジ部で−Ｙ方向の端部が遮光された後、レチクルＲのパターン面の円弧状の照明領域２７Ｒを下方から斜めに均一な照度分布で照明する。曲面ミラー２４と凹面ミラー２５とからコンデンサ光学系が構成されている。コンデンサ光学系によって、第２フライアイ光学系２３を構成する多数の反射ミラー要素からの光がレチクル面の照明領域２７Ｒを重畳的に照明する。凹面ミラー２１、フライアイ光学系２２，２３、開口絞りＡＳ、曲面ミラー２４、及び凹面ミラー２５を含んで照明光学系ＩＬＳが構成されている。

レチクルＲの照明領域２７Ｒで反射した露光光ＥＬは、ブラインド板２６Ｂの円弧状のエッジ部で＋Ｙ方向の端部が遮光された後、投影光学系ＰＯに入射する。投影光学系ＰＯを通過した露光光ＥＬは、ウエハＷ上の露光領域（照明領域２７Ｒと共役な領域）２７Ｗに投影される。なお、ブラインド板２６Ａ，２６Ｂは、例えば照明光学系ＩＬＳ内のレチクル面との共役面の近傍に配置してもよい。

次に、レチクルＲは、レチクルステージＲＳＴの底面に静電チャックＲＨを介して吸着保持されている。レチクルステージＲＳＴは、レーザ干渉計（不図示）の計測値及び主制御系３１の制御情報に基づいて、真空チャンバ１の外面のＸＹ平面に平行なガイド面に沿って、例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータよりなる駆動系（不図示）によってＹ方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Ｘ方向及びθｚ方向（Ｚ軸回りの回転方向）等にも微小量駆動される。レチクルステージＲＳＴを真空チャンバ１側に覆うようにパーティション８が設けられ、パーティション８内は不図示の真空ポンプによって真空排気されている。

レチクルＲのパターン面側には、レチクル面に対して例えば斜めに計測光を照射して、レチクル面のＺ方向の位置（Ｚ位置）を計測する光学式のレチクルオートフォーカス系（不図示）が配置されている。主制御系３１は、走査露光中にレチクルオートフォーカス系の計測値に基づいて、例えばレチクルステージＲＳＴ内のＺ駆動機構（不図示）を用いてレチクルＲのＺ位置を許容範囲内に設定する。

投影光学系ＰＯは、一例として、６枚のミラーＭ１〜Ｍ６を不図示の鏡筒で保持することによって構成され、物体（レチクルＲ）側に非テレセントリックで、像（ウエハＷ）側にテレセントリックの反射系であり、投影倍率は１／４倍等の縮小倍率である。レチクルＲの照明領域２７Ｒで反射された露光光ＥＬが、投影光学系ＰＯを介してウエハＷ上の露光領域２７Ｗに、レチクルＲのパターンの一部の縮小像を形成する。

投影光学系ＰＯにおいて、レチクルＲからの露光光ＥＬは、ミラーＭ１で上方（＋Ｚ方向）に反射され、続いてミラーＭ２で下方に反射された後、ミラーＭ３で上方に反射され、ミラーＭ４で下方に反射される。次にミラーＭ５で上方に反射された露光光ＥＬは、ミラーＭ６で下方に反射されて、ウエハＷ上にレチクルＲのパターンの一部の像を形成する。一例として、ミラーＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ６は凹面鏡であり、他のミラーＭ５は凸面鏡である。

ウエハＷは、静電チャック（不図示）を介してウエハステージＷＳＴ上に吸着保持されている。ウエハステージＷＳＴは、ＸＹ平面に沿って配置されたガイド面上に配置されている。ウエハステージＷＳＴは、レーザ干渉計（不図示）の計測値及び主制御系３１の制御情報に基づいて、例えば磁気浮上型２次元リニアアクチュエータよりなる駆動系（不図示）によってＸ方向及びＹ方向に所定ストロ−クで駆動され、必要に応じてθｚ方向等にも駆動される。ウエハステージＷＳＴは、冷却装置５０を用いて冷却されるようになっている。

ウエハステージＷＳＴ上のウエハＷの近傍には、例えばレチクルＲのアライメントマークの像を検出する空間像計測系２９が設置され、空間像計測系２９の検出結果が主制御系３１に供給されている。主制御系３１は、空間像計測系２９の検出結果から投影光学系ＰＯの光学特性（諸収差、あるいは波面収差等）を求めることができ、一例としてその光学特性が所定の許容範囲内に維持されるように、ミラーＭ１等の反射面の形状（面形状）をアクティブに制御する（詳細後述）。なお、その光学特性は、テストプリント等で求めることも可能である。さらに、露光光ＥＬの照射熱によるミラーＭ１等の面形状の変形は予測できるため、露光中の面形状の変形を相殺するようにミラーＭ１等の面形状をアクティブに制御することも可能である。

露光の際には、ウエハＷ上のレジストから生じるガスが投影光学系ＰＬのミラーＭ１〜Ｍ６に悪影響を与えないように、ウエハＷはパーティション７の内部に配置される。パーティション７には露光光ＥＬを通過させる開口が形成され、パーティション７内の空間は、真空ポンプ（不図示）により真空排気されている。

ウエハＷ上の１つのショット領域（ダイ）を露光するときには、露光光ＥＬが照明光学系ＩＬＳによりレチクルＲの照明領域２７Ｒに照射され、レチクルＲとウエハＷとは投影光学系ＰＯに対して投影光学系ＰＯの縮小倍率に従った所定の速度比でＹ方向に同期して移動する（同期走査）。このようにして、レチクルパターンはウエハＷ上の一つのショット領域に露光される。その後、ウエハステージＷＳＴを駆動してウエハＷをステップ移動した後、ウエハＷ上の次のショット領域に対してレチクルＲのパターンが走査露光される。このようにステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の複数のショット領域に対して順次レチクルＲのパターンの像が露光される。

図２は、パーティション７の内外の構成、特にウエハステージＷＳＴ及び冷却装置５０の構成を示す図である。
図２に示すように、冷却装置５０は、冷媒処理装置５１及び配管５２を有している。冷媒処理装置５１は、パーティション７の外部、すなわち、真空チャンバ１の外部に設けられている。冷媒処理装置５１は、ウエハに露光光が照射されることによってウエハステージＷＳＴの温度が上昇するのを抑制したり、ウエハステージＷＳＴを駆動するアクチュエータ等の駆動系が発生する熱を冷却するために、配管５２を介してウエハステージＷＳＴに接続されている。冷媒処理装置５１は、配管５２を介して冷媒を供給する供給部（不図示）、供給した冷媒を回収する回収部（不図示）を有している。冷媒としては、例えば水やフッ素系不活性液体（例えば「フロリナート」：住友スリーエム株式会社製）、ガルテンなどを用いることができる。

配管５２は、一端が冷媒処理装置５１に接続されており、他端がウエハステージＷＳＴの接続部分６０に接続されている。配管５２は、例えばパーティション７の蓋部材７ａ及び真空チャンバ１の蓋部材１ａを貫通するように配置されており、パーティション７及び真空チャンバ１の内外を連通するように設けられている。配管５２は、ウエハステージＷＳＴの移動に対応可能な長さを有している。

図３は、配管５２を横切る方向の断面構成を示す図である。
図３に示すように、配管５２は、第一配管５３及び第二配管５４を有している。第一配管５３及び第二配管５４は、それぞれ断面視円筒状に形成されている。配管５２は、当該第一配管５３及び第二配管５４によって二重配管構造に形成されている。

第一配管５３は、冷媒処理装置５１からウエハステージＷＳＴに冷媒を供給する配管である。第一配管５３の流路５３ａは、冷媒処理装置５１の供給部に接続されている。流路５３ａには、冷媒処理装置５１から供給される冷媒がウエハステージＷＳＴへ向けて流通するようになっている。

第二配管５４は、第一配管５３を内包するように配置されている。第二配管５４は、ウエハステージＷＳＴから冷媒を排出する配管である。第二配管５４の内面５４ｆと第一配管５３の外面５３ｆとの間に、当該第二配管５４の流路５４ａが形成されている。流路５４ａは、冷媒処理装置５１の回収部に接続されている。流路５４ａには、ウエハステージＷＳＴから排出される冷媒が冷媒処理装置５１へ向けて流通するようになっている。

第一配管５３の流路５３ａの断面積Ｓ１と、第二配管５４の流路５４ａの断面積Ｓ２との関係については、Ｓ１＜Ｓ２となっている。第一配管５３の流路断面積Ｓ１を第二配管５４の流路断面積Ｓ２よりも小さくすることで、流路５３ａに流通する冷媒の流通量が大きくなりすぎるのを抑えることができ、配管５２からの冷媒の漏れ出しが極力抑えられるようになっている。

第一配管５３及び第二配管５４は、例えば樹脂材料によって形成されている。このため、第一配管５３及び第二配管５４は、金属材料を用いて形成される場合に比べて外力に対する柔軟性が高くなっている。第一配管５３及び第二配管５４は、例えばウエハステージＷＳＴが移動する場合であっても、当該移動に応じて柔軟に変形するようになっている。

第一配管５３及び第二配管５４の構成材料を選択する際、外側に形成される第二配管５４からの冷媒の漏れ出しを極力防ぐため、また、配管５２の全体を衝撃等から保護するため、第一配管５３の硬度よりも第二配管５４の硬度の方が高くなるように当該第一配管５３及び第二配管５４の構成材料を選択することが好ましい。冷媒として水を用いる場合と、他の化合物を用いる場合とで、選択する第一配管５３及び第二配管５４の構成材料を異ならせても良い。

例えば、冷媒として水を用いる場合、第一配管５３の構成材料として例えばポリエチレンなどを用いることができ、第二配管５４の構成材料として例えばポリ塩化ビニリデンなどを用いることができる。冷媒として、水以外の材料、例えばフッ素系不活性液体やガルテンなどを用いる場合、第一配管５３の構成材料として例えばポリウレタンなどを用いることができ、第二配管５４の構成材料として例えばエチレンビニルアルコール共重合体（例えば「エバール」：株式会社クラレ製、登録商標）などを用いることができる。エチレンビニルアルコール共重合体を用いる場合、第二配管５４の表面を例えばポリエチレンによってコートした状態で用いても構わない。

図４は、配管５２の延在方向の断面構成を示す図である。
図４に示すように、第一配管５３は、外面５３ｆに凸部５３ｂを有している。凸部５３ｂは、第一配管５３の延在方向に沿って複数配列されている。複数の凸部５３ｂは、突起高さが均一になるように形成されている。各凸部５３ｂの先端は、第二配管５４の内面に当接されている。凸部５３ｂが第二配管５４の内面５４ｆに当接することにより、第二配管５４の流路５４ａのためのスペースが確保されている。このように、第一配管５３の凸部５３ｂは、第一配管５３と第二配管５４との間のスペーサとして機能することとなる。凸部５３ｂは、第一配管５３の外面５３ｆの円周方向にずれた位置にも配置されるようにしても構わない。この構成により、第一配管５３と第二配管５４との間隔が周方向に均一な寸法に確保されることとなる。

図５は、ウエハステージＷＳＴの接続部分６０の断面構成を示す図である。
図５に示すように、接続部分６０は、配管５２を差し込み可能に設けられている。接続部分６０は、例えば第二配管５４の外周の径とほぼ同一の径を有するように形成されている。接続部分６０には、継手部材６１が設けられている。

継手部材６１は、接続部分６０の突き当たり部分に配置されている。継手部材６１は、第一配管５３の流路５３ａと第二配管５４の流路５４ａとを接続する接続部である。継手部材６１は、第一配管５３の流路５３ａを流通してきた冷媒が第二配管５４の流路５４ａへ折り返して流通するように形成されている。

継手部材６１は、例えば金属材料などの熱伝導性の高い材料を用いて形成されており、ウエハステージＷＳＴに密着されている。このため、継手部材６１では、ウエハステージＷＳＴから冷媒への熱の移動が行われやすくなっている。継手部材６１に用いられる材料としては、金属材料に限られることはなく、他の材料であっても勿論構わない。継手部材６１を設けることなく、例えばウエハステージＷＳＴの接続部分６０を構成する内壁部分を介して第一配管５３の流路５３ａと第二配管５４の流路５４ａとを接続させる構成であっても構わない。継手部材６１は、接続部分６０に設けられる構成に限られず、例えば予め配管５２と一体的に形成しておく構成としても構わない。

以上のように、本実施形態によれば、ウエハＷを保持して移動するウエハステージＷＳＴに接続され、ウエハステージＷＳＴに冷媒を供給する第一配管５３と、当該第一配管５３を内包し、ウエハステージＷＳＴから冷媒を排出する第二配管５４とを備える構成としたので、ウエハステージＷＳＴに供給される冷媒が第一配管５３及び第二配管５４を有する二重配管の内側の流路５３ａを流通することになる。このため、第一配管５３及び第二配管５４によって二重に漏れ出しを防ぐことができる。これにより、真空チャンバ１内の真空度の低下を防ぐことができるので、露光精度の低下を抑制することができる。

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態では、第一配管５３の外面５３ｆに形成される凸部として、当該第一配管５３の延在方向に沿って複数の凸部５３ｂが形成される構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば図６に示すように、冷媒の流通方向に沿って凸部５３ｃを形成する構成としても構わない。この場合、凸部５３ｃによって冷媒の流通が促進されることにもなる。

また、上記実施形態では、第二配管５４に内包される第一配管５３が１本である構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば図７に示すように、複数の第一配管５３の束を第二配管５４に内包させる構成であっても構わない。この場合、複数の第一配管５３の流路５３ａの断面積の総和が第二配管５４の流路５４ａの断面積よりも小さくなるように第一配管５３を形成することが好ましい。

また、図７には、第二配管５４の断面視中央部に複数（４本）の第一配管５３が密集されている構成が示されているが、これに限られることは無く、例えば複数の第一配管５３を互いに接触させないように分散させて配置する構成としても構わない。第一配管５３の本数については、３本以下としても構わないし、５本以上しても構わない。

また、上記実施形態では、第一配管５３の流路５３ａ及び第二配管５４の流路５４ａに流通させる流体として、冷媒に用いる液体を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば冷媒とは異なる用途に用いられる液体を流通させる場合に本発明を適用させても構わない。また、液体ではなく気体を流通させる場合に本発明の構成を適用させても構わない。

また、継手部材６１の構成として、例えば図８に示すように、継手部材６１がウエハステージＷＳＴの広範囲に配置されるように引き伸ばされた構成としても構わない。これにより、ウエハステージＷＳＴの広い範囲にわたって冷却を行わせることができる。また、この場合において、冷媒の流通方向を規制する規制部材６２を設けるようにし、冷媒が継手部材６１の延在方向に沿って流通するように構成することができる。これにより、冷媒の滞留を防ぎ、効率的な冷却が可能となる。

また、ウエハステージＷＳＴの構成として、例えば配管５２との接続部分６０の近傍に温度センサを設ける構成とし、当該温度センサの検出結果に基づいて冷媒の供給量を設定するようにしても構わない。例えばウエハステージＷＳＴの冷却が不要な場合、第一配管５３の流路５３ａ及び第二配管５４の流路５４ａに対して冷媒を流通させないようにすることができるため、配管５２から冷媒の漏れ出しの可能性を極力低くすることができる。

なお、上記各実施形態の基板（物体）としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明は基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

また、本実施形態においては、露光光ＥＬがＥＵＶ光である場合を例にして説明したが、露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等を用いることもできる。

次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図９は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。

まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。

次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。

図１０は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。

ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。

上記実施形態では、基板処理装置として露光装置１００を例に挙げて説明し、処理装置としてウエハステージＷＳＴを例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、基板処理装置として、デバイスの製造工程に含まれる感光剤の塗布装置、ウエハの現像装置など、他の基板処理装置においても、本発明の適用は可能である。この場合、各基板処理装置の冷却時のみならず、液体や気体などの流体を供給する場合であれば本発明の適用は可能である。

また、処理装置については、ウエハステージＷＳＴのみならず、レチクルステージＲＳＴやレチクルの冷却時に本発明の構成を用いることも可能であるし、例えば駆動系（不図示）などを冷却する場合に本発明の構成を適用させても構わない。例えば、照明光学系ＩＬＳ及び投影光学系ＰＯを構成する各種ミラーの冷却に適用しても良い。勿論、冷却以外の用途で液体や気体などの流体を供給する場合であっても、本発明の適用は可能である。

また、上記実施形態では、可動部であるウエハステージＷＳＴに配管５２を接続する構成であるため、ウエハステージＷＳＴの移動に伴って変形しやすい樹脂材料を用いて第一配管５３及び第二配管５４を形成した例を説明したが、これに限られることは無い。例えば駆動系の固定子（不図示）などの固定された部分に配管５２を接続させる場合には、第一配管５３及び第二配管５４の構成材料として金属材料を用いる構成としても構わない。これにより、配管５２からの流体の漏れ出しをより確実に防ぐことができる。

１００…露光装置 ＷＳＴ…ウエハステージ ５０…冷却装置 ５１…冷媒処理装置 ５２…配管 ５３…第一配管 ５４…第二配管

Claims (15)

1. 基板に対し所定の処理を行う処理装置を有する基板処理装置であって、
   前記処理装置に接続され、前記処理装置に流体を供給する第一配管と、
   前記第一配管を内包し、前記処理装置から前記流体を排出する第二配管と
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記処理装置は、真空雰囲気内に配置される
   ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記第二配管は、前記第一配管よりも硬度が高い
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記第一配管と前記第二配管との間にスペーサを有する
   ことを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記スペーサは、前記第一配管の外面に形成された凸部である
   ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記スペーサは、前記流体の流通方向に沿って形成されている
   ことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記第一配管における前記流体の流路と、前記第二配管における前記流体の流路とを接続する接続部を有する
   ことを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
8. 前記接続部は、前記第一配管及び前記第二配管と、前記所定装置との接続部分に設けられている
   ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記第二配管における前記流体の流路は、前記第一配管における前記流体の流路よりも断面積が大きい
   ことを特徴とする請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記流体は、気体及び液体のうち少なくとも一方である
    ことを特徴とする請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 前記流体は、前記所定装置の冷却に用いられる冷媒である
    ことを特徴とする請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
12. 前記第二配管は、前記第一配管を複数内包する
    ことを特徴とする請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
13. 前記処理装置は、前記基板を保持して移動する移動ステージを含む
    ことを特徴とする請求項１から請求項１２のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
14. 前記処理装置は、回路パターンが形成されたマスクを介して、前記基板に露光を照射する
    ことを特徴とする請求項１から請求項１３のうちいずれか一項に記載の基板処理装置。
15. 請求項１４に記載の基板処理装置を用いて、基板を露光する工程と、
    前記露光された前記基板を現像する工程と
    を含むデバイスの製造方法。

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