JP2006013308A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明は、レチクルチャック面のクリーニングを自動的に行い、露光装置のダウンタイムを低減することが可能な露光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 レチクル搬送装置またはレチクル交換装置のいずれかを用いてレチクルチャック面をクリーニングする工具を搬送し、この工具を用いてレチクルチャック面のクリーニングを行うことを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 レチクル搬送装置またはレチクル交換装置のいずれかを用いてレチクルチャック面をクリーニングする工具を搬送し、この工具を用いてレチクルチャック面のクリーニングを行うことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体集積回路等の製造工程における露光工程で使用される露光装置に関する。
近年、半導体素子において、回路の微細化、高集積化が一層進んでおり、半導体素子を製造する上でも非常に高度な露光精度が求められている。一般的には半導体素子を製造する上では投影光学系を有する露光装置を用い、レチクル呼ばれる原版に描かれた微細パターンを、投影光学系を介して露光対象であるウエハと呼ばれる基板に投影露光する手段が採られている。
最近では、回路の更なる高集積化実現の為にはウエハ上の半導体素子に転写されるパターン幅はナノオーダーが必須となってきている。ナノオーダーのパターン幅の実現は、投影レンズの高NA化や露光光の波長の短波長化によって達成されてきた。
しかし、投影レンズの高NA化や露光光波長の短波長化は投影レンズの焦点深度の低下を招き、結果、レチクル上に描かれたパターンが投影先のウエハ上でボケてしまい、解像度を低下させてしまうと言う問題があった。この焦点深度低下の問題は、レチクル若しくはウエハの光軸方向についての位置調整をそれぞれの位置調整計測系を用いて高精度に位置制御することで解決してきた。
このように投影レンズの高NA化や露光光波長の短波長化が進む中で、微細パターンが描かれたレチクルのレチクルチャック面での平面度・平行度は、焦点深度に関わる非常に重要な要素となる。
よって、レチクルチャック面でのレチクルの傾きは、高精度な露光をする際には致命的な障害であり、このレチクルの傾きの原因として考えられるのは、レチクルチャック面の異物付着や汚れである。
また、レチクルチャックが搭載されているレチクルステージとウエハを保持するウエハチャックが搭載されているウエハステージとが同期しつつ高速でスキャン駆動して露光するような走査型露光装置においては、レチクルチャック面上にあるレチクルにかかる加速度は5Gほどにもなる為、レチクルチャック面の異物付着や汚れによりレチクルチャック面のレチクル保持力低下し、結果として露光する際にレチクルがズレを生じ、高精度な露光が困難になる可能性がある。
特開平7−130637号公報
そこで従来は、レチクルチャック面のメンテナンスを行う方法として、直に作業者がレチクルチャック面を搭載しているレチクルステージまで近づいてメンテナンスを行っていた。作業者がレチクルステージ近傍まで行くには、露光装置を停止させ、露光装置をある程度まで分解する必要があるため、露光装置のダウンタイムが長くなってしまい、生産性に支障をきたしていた。
また、近年の露光光の短波長化に応じて、露光装置内をヘリウムや窒素などでパージする方法も採られており、更には、光源としてEUVを使うような場合、露光装置内を真空に保つ必要がでてきた。この場合についても、同じく作業者が直接レチクルチャック面のメンテナンスをするにはパージされている気体を抜く、あるいは、真空状態を解放する必要があり、露光装置のダウンタイムは更に多く必要となる。
更には、近年、露光装置にも様々な機能を追加する必要性が出てきている為、露光装置内部の機器類の密集度が高くなってきており、作業者がレチクルチャック面に辿り着くまでに多くの機器を分解あるいは着脱をしなければならず、露光装置のダウンタイムを引き伸ばしてしまっている原因となっている。
そこで、本発明においては、レチクルチャック面でのレチクルの傾き改善と、レチクルのレチクルチャック面への吸着力向上とを実現する為のレチクルチャック面のメンテナンスを、レチクルチャック面にレチクルを搬送するレチクル搬送装置及び露光済みのレチクルとプリアライメント済みのレチクルとを交換するレチクル交換装置が有する機能を使うことによって、あるいはその機能とメンテナンス用の工具レチクルとを使うことによって、レチクルチャック面のメンテナンスを行い、露光装置のダウンタイムを低減することが可能な露光装置および露光方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するにあたって、本発明の露光装置においては、レチクルを保持するレチクルチャック面を有するレチクルステージと、前記レチクルを前記レチクルチャック面に搬送するレチクル搬送装置および露光済みのレチクルとプリアライメント済みのレチクルとを交換するレチクル交換装置(以下レチクル搬送交換装置)と、その他投影露光をするに必要な装置とから構成され、特に、前記レチクル搬送交換装置が前記レチクルチャック面のクリーニングを行うことを特徴とする。
また、本発明では前記レチクルチャック面のクリーニングを行うための、被露光レチクルと同形状でレチクルチャック面をクリーニングする機能を持つ工具(以下工具レチクル)も提供し、本発明の露光装置において前記レチクル搬送交換装置は前記工具レチクルを操作することができるように構成されている。
さらに、本発明の露光方法においては、前記レチクル搬送交換装置と前記工具レチクルとを用いて前記レチクルチャック面をクリーニングするシーケンスも用意する。
本発明によれば、レチクルチャック面のクリーニングを行う際に、露光装置の電源を落とすこともなく、さらにレチクルチャック面にアクセスする為に露光装置を分解する必要もないため、露光装置のダウンタイムを大幅に短縮することができる。
以下、本発明の実施の形態について、実施例を挙げて説明する。
図1は本発明で提案する露光装置の概略構成図である。この例では、レチクル搬送交換装置として回転ハンド方式を挙げているが、本発明に関してレチクル搬送交換装置の形態については特に制限はしない。
また、本発明のレチクルチャック面のメンテナンスにかかる機能及び動作以外の露光装置の露光動作についての説明は省略する。
通常の露光装置でのレチクルチャック面5へのレチクル供給方法について説明する。始めに、レチクル6が不図示のレチクルカセットまたはレチクルライブラリからレチクル搬送装置のハンド4によりレチクル搬送交換装置2に搬入される。そして前記レチクル搬送交換装置2を回転駆動してレチクルステージ7上のレチクルチャック面5に受け渡す。その後、レチクルチャック面5がレチクル6を吸着し、レチクル6を強固に保持する。
ここで、レチクルチャック面5がレチクル6を保持する際には、レチクルを確実に保持する必要があり、さらにレチクルチャック面5での傾きを極力抑えなければならない。レチクルチャック面5がレチクル6を保持する方法としては、真空吸着や静電吸着が用いられる。よって、レチクルチャック面5に異物の付着や汚れがあると、レチクル6を強固に保持することができず、更にはレチクルチャック面5でレチクル6が傾いて吸着される原因となる。
本発明による、これらレチクルチャック面5の異物除去およびクリーニングを行うメンテナンスについて説明する。
図2はレチクル搬送交換装置2に構成されるレチクル搬送交換ハンド3の概略を表す図である。レチクル搬送交換装置2の動作として、例えば、レチクル搬送装置のハンド4から受け渡されたレチクル6のプリアライメントが済んだレチクル6と露光が終わったレチクルチャック面5上のレチクル6とをそれぞれ掴んで、レチクル6を拾い上げたレチクル搬送交換ハンド3ごとZ方向に駆動させ、ハンド回転軸SHQを中心に180度旋回して2つのレチクル6を入れ替えるという事を行う。また、レチクル搬送交換ハンド3はレチクル6を吸着する為の吸着パッドPを持ったツメSHPを有していて、さらに、このレチクル保持用吸着ツメSHPは開閉する機能を持っている。これにより、レチクルの下にツメSHPを差し入れ、吸着パッドPでレチクル6を吸着し、レチクル6を掴むことができる。
以上のように、本発明で例として挙げたレチクル搬送交換装置2は、旋回機能、Z方向駆動機能、吸着機能、開閉機能を持つ。
図3、図4、図5に本発明で提供する工具レチクルの一例を示す。図3の工具レチクルRAは、前記レチクル搬送交換装置2の吸着機能を利用してレチクルチャック面5の異物を取り除くことができる。工具レチクRAはレチクル搬送交換ハンド3の吸着パッドPに対応した位置に吸着パッド対応穴R1が設けてあり、工具レチクルRAの内部の吸着溝R2でレチクルチャック面5の形状に合致するようなチャック面異物吸着穴R3とつながっている。
これにより、レチクル搬送交換ハンド3で工具レチクルRAをレチクルチャック面5に送り込んだ後、レチクル搬送交換ハンド3の吸着動作を開始すると、レチクルチャック面5に付着している異物を取り除くことができるようになっている。ここで、レチクル搬送交換ハンド3の吸着機能に支障をきたさないように、吸着パッド対応穴R1若しくはチャック面異物吸着穴R3にフィルタR4を設けても良い。また、前記吸着穴、吸着溝の形状や前記フィルタの設置位置などについては特に限定しない。
図4の工具レチクルRBはレチクル搬送交換装置2の旋回機能、Z方向駆動機能を利用してレチクルチャック面5のメンテナンスを行うことができる。工具レチクルRBはレチクルチャック面5と対応する領域にブラシ若しくは砥石若しくは粘着テープ若しくは布材R5を装備している。
工具レチクルRBにブラシ若しくは砥石R5が装着されている場合、レチクル搬送交換ハンド3で工具レチクルRBをレチクルチャック面5側に送り込んだ後、レチクル搬送交換ハンド3をZ方向駆動させて工具レチクルRBをレチクルチャック面5に押し付け、レチクル搬送交換ハンド3を微小区間にわたり数回往復旋回させる。すると、レチクル搬送交換ハンド3に保持されている工具レチクルRBがレチクルチャック面5から異物を除去し、レチクルチャック面5の汚れも取り除くことができる。
このとき、掃き出された異物が投影レンズ8上に落下することが懸念されるため、レチクルステージ7は投影レンズ8から十分離れたところに在るべきである。よって、前記メンテナンス作業が開始される前にレチクルステージ7若しくはレチクル搬送交換装置2を投影レンズ8から遠ざける方向に駆動させ、前記メンテナンス作業終了後にレチクルステージ7若しくはレチクル搬送交換装置2を元の位置に戻す、という工程が必要である。
また、前記レチクルチャック面5から除去された異物をそのまま放置しておくと、周辺装置の駆動による振動や露光装置内の対流によって、再びレチクルチャック面に付着する、もしくは場合によっては投影レンズ8上に付着する場合も考えられるので、レチクルチャック面5のメンテナンス作業中、若しくはメンテナンスが終了した時点で、レチクルチャック面5の周辺若しくは前記工具レチクルRBに設けられた真空吸着機構または静電吸着機構などを用いて異物回収を行う必要もある。
一例として、図4にて工具レチクルRBに静電吸着機構R6を有する場合を示す。静電吸着機構R6は工具レチクルRBに構成されており、工具レチクルRBを送り込む前に予め静電吸着機構R6の部分を帯電させておき、前記メンテナンス作業中に除去された異物が静電吸着される。若しくはメンテナンス作業後にレチクル搬送交換ハンド3を旋回させて、静電吸着機構R6をレチクルチャック面5に近づけて異物を静電吸着させる。工具レチクルRBは異物を保持したままレチクル搬送交換装置2とレチクル搬送装置(図示省略)により露光装置外に搬出され、別途、工具レチクルRBをクリーニングする。
更に、レチクルチャック面5の周辺に異物回収用の真空吸着機構51に説明をする為に、図6にレチクルステージ7を上面から見た概略図を示す。この中で、レチクルステージ7は主に図中Y方向に高速駆動する。露光時には投影レンズ8上で繰り返し走査をし、レチクル6に描かれたパターンをウエハ9に転写する。レチクルチャック面5のメンテナンス時は、まず、前記したようにレチクルステージ7を投影レンズ8から遠ざける。その後、前記シーケンスでレチクルチャック面5に付着した異物を除去し、レチクルチャック面7から掃き出された異物をレチクルチャック面7の周囲に設けられた真空吸着機構51で回収する。真空吸着機構51で回収された異物は、例えば真空吸着機構近傍に設けられた回収スペース(図示省略)に蓄積させて定期メンテナンス時での作業者による回収や異物回収用の配管(図示省略)を設けることにより露光装置外に排出できるようにしても良い。前記静電吸着機構R6もしくは真空吸着機構51の形状や方式については特に限定しない。
図5の様に工具レチクルRCに粘着テープが装着されている場合、レチクル搬送交換装置ハンド3で工具レチクルRCをレチクルチャック面5側に送り込んだ後、レチクル搬送交換ハンド3をZ方向駆動させて工具レチクルRCを1回若しくは複数回にわたってレチクルチャック面5に押し当てることによって、レチクルチャック面5上の異物を粘着テープに貼付させることができる。
このとき、粘着テープの糊の成分がレチクルチャック面5に付着する可能性があるので、低粘着性のものを選ぶと良い。また、粘着テープの材料、形状、糊の成分などは特に限定しない。
工具レチクルRCに、ウエスのようなレチクルチャック面5の汚れを拭き取る布材を装着した場合、レチクル搬送交換ハンドで工具レチクルRCをレチクルチャック面5側に送り込んだ後、レチクル搬送交換ハンド3をZ方向駆動させて工具レチクルRCをレチクルチャック面5に押し付け、レチクル搬送交換ハンド3を微小区間にわたり数回往復旋回させることで、レチクルチャック面5の汚れを拭き取ることができる。
このとき、布材に揮発性のクリーニング液等を含ませておいても良い。また、布材の材質や大きさや厚さなどについては特に限定しない。
次に、前記工具レチクルを使ったレチクルチャック面5のメンテナンスのシーケンスについて説明する。図8は通常露光動作時におけるレチクルチャック面5のメンテナンスを行う一連の動作を示したフローチャートである。
通常露光動作時は、始めに露光すべきレチクルがレチクル搬送交換ハンド3によってレチクルステージ7上のレチクルチャック面5に送り込まれる。レチクルチャック面5上では、レチクルの吸着確認およびレチクル平面度計測が行われる。
このとき仮にレチクルチャック面5上のレチクルが吸着できない若しくは、レチクル平面度が満足していないとする。すると、レチクルライブラリ(図示省略)などから前記工具レチクルRAもしくはRBもしくはRCがレチクル搬送交換ハンド3でレチクルチャック面5に送り込まれ、前記工具レチクルRAもしくはRBもしくはRCのメンテナンス動作に基づいてレチクルチャック面5の異物除去や洗浄を行う。
その後、再度露光すべきレチクルをレチクルチャック面5上に送り込み、前記同様にレチクルの吸着確認およびレチクル平面度計測を行う。ここでレチクルの吸着および平面度に関して問題なければ、露光準備に入り、露光を行う。
当然、最初の吸着確認、平面度計測で問題が無ければ、レチクルチャック面5のメンテナンス動作は必要ないので、そのまま露光準備に入り露光するという露光シーケンスとなる。
図7は定期的なレチクルチャック面5のメンテナンスを行う一連の動作を示したフローチャートである。
定期メンテナンスの際は、始めに前記工具レチクルRAもしくはRBもしくはRCをレチクル搬送交換ハンド3でレチクルチャック面5に送り込み、その後、前記工具レチクルRAもしくはRBもしくはRCのメンテナンス動作を実行し、レチクルチャック面5の異物除去および洗浄を行う。メンテナンスが終了したら、工具レチクルRAもしくはRBもしくはRCを回収する。
この定期メンテナンスに関しては、露光前、露光後、待機中などメンテナンスするタイミングや周期、メンテナンス時間などは特に限定しない。
ここで、前記工具レチクルRAもしくはRBもしくはRCは、前記メンテナンス機能だけでなく、レチクル平面度計測も行うことのできる機能を持たせても良い。その場合、各メンテナンス動作後に、露光すべきレチクルの搬入動作若しくは前記工具レチクルと露光すべきレチクルとの交換動作をせずにレチクル平面度の計測が可能となる為、レチクルチャック面5のメンテナンスがより短時間で確実になる。
以上のように、レチクルチャック面のメンテナンスについての工具レチクルおよびメンテナンスシーケンスについては、前記内容に限るものでなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において実施可能である。
1 照明系
2 レチクル搬送交換装置
3 レチクル搬送交換装置ハンド
4 レチクル搬送装置ハンド
5 レチクルチャック面
51 真空吸着機構
6 レチクル
7 レチクルステージ
71 レチクルステージ駆動ガイド
72 レチクルステージ駆動軸
8 投影レンズ
9 ウエハ
10 ウエハチャック
11 ウエハステージ
SHP レチクル保持用吸着ツメ
SHQ レチクル搬送交換ハンド旋回軸
P 吸着パッド
R 工具レチクル
RA 工具レチクルA
R1 吸着パッド対応穴
R2 吸着溝
R3 チャック面ゴミ吸着穴
R4 フィルタ
RB 工具レチクルB
R5 ブラシまたは砥石
R6 静電吸着機構
RC 工具レチクルC
R7 粘着テープまたは布材
2 レチクル搬送交換装置
3 レチクル搬送交換装置ハンド
4 レチクル搬送装置ハンド
5 レチクルチャック面
51 真空吸着機構
6 レチクル
7 レチクルステージ
71 レチクルステージ駆動ガイド
72 レチクルステージ駆動軸
8 投影レンズ
9 ウエハ
10 ウエハチャック
11 ウエハステージ
SHP レチクル保持用吸着ツメ
SHQ レチクル搬送交換ハンド旋回軸
P 吸着パッド
R 工具レチクル
RA 工具レチクルA
R1 吸着パッド対応穴
R2 吸着溝
R3 チャック面ゴミ吸着穴
R4 フィルタ
RB 工具レチクルB
R5 ブラシまたは砥石
R6 静電吸着機構
RC 工具レチクルC
R7 粘着テープまたは布材
Claims (6)
- レチクルに描かれたパターンを、投影光学系を介してウエハ基板上に転写する露光装置において、レチクルを保持するレチクル保持面をクリーニングする手段を備えることを特徴とする露光装置。
- 前記レチクルを載置するレチクルステージ上に搬送するレチクル搬送装置、または前記レチクルステージ上のレチクルと前記レチクルステージ上に搬送して次に使用するレチクルとを交換するレチクル交換装置のいずれかを用いて、前記レチクル保持面のクリーニングを行うことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記レチクル搬送装置または前記レチクル交換装置は、前記レチクル保持面をクリーニングする為の工具を前記レチクルステージ上に搬送し、該工具を操作して前記レチクル保持面のクリーニングを行うことを特徴とする請求項1ないし2に記載の露光装置。
- 前記レチクル保持面での前記レチクルの平面度および平行度を計測して、その計測結果に基づいて前記レチクル保持面のクリーニングを行うことを特徴とする請求項3記載の露光装置。
- 前記レチクル保持面から除去された塵埃を回収する手段を有することを特徴とする請求項1〜4いずれか記載の露光装置。
- 前記レチクル保持面のクリーニングを前記投影光学系から離れた位置で行うことを特徴とする請求項1〜5のいずれか記載の露光装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004191290A JP2006013308A (ja) | 2004-06-29 | 2004-06-29 | 半導体製造装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166613A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Nikon Corp | 清掃方法、露光方法及びデバイス製造方法、清掃部材及びメンテナンス方法、並びに露光装置 |
JP2009147209A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Nikon Corp | クリーニング装置、クリーニング方法、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2011044490A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Nikon Corp | 観察装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US8728711B2 (en) | 2009-12-25 | 2014-05-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning reticle, method for cleaning reticle stage, and method for manufacturing semiconductor device |
US9599909B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-03-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrostatic chuck cleaner, cleaning method, and exposure apparatus |
WO2018219509A1 (en) * | 2017-06-01 | 2018-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Particle removal apparatus and associated system |
WO2019224040A1 (en) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | Asml Holding N.V. | Apparatus for and method of in situ clamp surface roughening |
US11048175B2 (en) * | 2017-08-28 | 2021-06-29 | Asml Holding N.V. | Apparatus for and method cleaning a support inside a lithography apparatus |
-
2004
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Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008166613A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Nikon Corp | 清掃方法、露光方法及びデバイス製造方法、清掃部材及びメンテナンス方法、並びに露光装置 |
JP2009147209A (ja) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | Nikon Corp | クリーニング装置、クリーニング方法、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2011044490A (ja) * | 2009-08-19 | 2011-03-03 | Nikon Corp | 観察装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US8728711B2 (en) | 2009-12-25 | 2014-05-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning reticle, method for cleaning reticle stage, and method for manufacturing semiconductor device |
US9599909B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-03-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electrostatic chuck cleaner, cleaning method, and exposure apparatus |
JP2020522020A (ja) * | 2017-06-01 | 2020-07-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | パーティクル除去装置および関連システム |
KR20200015623A (ko) * | 2017-06-01 | 2020-02-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 입자 제거 장치 및 관련 시스템 |
WO2018219509A1 (en) * | 2017-06-01 | 2018-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Particle removal apparatus and associated system |
US11016402B2 (en) | 2017-06-01 | 2021-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Particle removal apparatus and associated system |
JP7001715B2 (ja) | 2017-06-01 | 2022-01-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | パーティクル除去装置および関連システム |
TWI785026B (zh) * | 2017-06-01 | 2022-12-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 微粒移除設備及相關系統 |
KR102617773B1 (ko) | 2017-06-01 | 2023-12-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 입자 제거 장치 및 관련 시스템 |
US11048175B2 (en) * | 2017-08-28 | 2021-06-29 | Asml Holding N.V. | Apparatus for and method cleaning a support inside a lithography apparatus |
WO2019224040A1 (en) * | 2018-05-22 | 2019-11-28 | Asml Holding N.V. | Apparatus for and method of in situ clamp surface roughening |
CN112154377A (zh) * | 2018-05-22 | 2020-12-29 | Asml控股股份有限公司 | 用于原位夹具表面粗糙化的装置和方法 |
TWI825099B (zh) * | 2018-05-22 | 2023-12-11 | 荷蘭商Asml控股公司 | 用於原位夾具表面粗化之裝置及方法 |
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