CN117157587A - 光刻设备、温度传感器、和光纤布拉格光栅传感器 - Google Patents

光刻设备、温度传感器、和光纤布拉格光栅传感器 Download PDF

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Abstract

一种光刻设备包括，照射系统、投影系统、温度敏感物体、和温度传感器，所述温度传感器包括检测器和波导装置，所述波导装置热耦合到所述温度敏感物体并且包括输入端、下游端、以及第一散射特征和第二散射特征。所述照射系统照射图案形成装置的图案。所述投影系统将所述图案的图像投影到衬底上。基于温度，所述第一散射特征反射第一光谱。未被所述第一散射特征反射的辐射被允许向下游移动。基于温度，所述第二散射特征反射不同于所述第一光谱的第二光谱。未被所述第二散射特征反射的辐射被允许向下游移动。所述检测器被布置为从所述输入端接收包括被反射的第一光谱及被反射的第二光谱的辐射，并且基于所接收的辐射而产生测量信号。

Description

光刻设备、温度传感器、和光纤布拉格光栅传感器
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年4月8日递交的美国临时专利申请第63/172,312号的优先权，该美国临时专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开涉及光刻设备及其方法。例如，可以用于在光刻过程中引导EUV辐射以制造半导体器件的投影光学元件可以经受热管理过程。
背景技术
光刻设备是将期望的图案涂覆到衬底上(通常涂覆到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于制造例如集成电路(IC)。在这种情况下，图案形成装置(所述图案形成装置可替代地被称为掩模或掩模版)可以用于产生待形成于IC的单独的层上的电路图案。该图案可以转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个或若干管芯)上。通常经由成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转移。总体而言，单个衬底将包含连续地经图案化的相邻的目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，在所谓的步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐射每个目标部分；以及所谓的扫描仪，在所谓的扫描仪中，通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案的同时平行或反向平行于该扫描方向同步地扫描目标部分来辐射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转移到衬底。
光刻设备通常包括照射系统，该照射系统在由辐射源产生的辐射入射于图案形成装置上之前调节该辐射。经图案化的EUV光束可以用于在衬底上产生极小的特征。极紫外光(有时也被称为软x射线)通常被定义为具有在约5nm至100nm的范围内的波长的电磁辐射。用于光学光刻的感兴趣的一种特定波长在13.5nm处出现。
产生EUV光的方法包括但不一定限于将源材料转换为等离子体态，该等离子体态具有化学元素，该化学元素带有在EUV范围内的发射线。这些元素可以包括但不一定限于氙、锂和锡。
在经常被称为激光产生等离子体(“LPP”)的一种这样的方法中，可以通过用激光束辐射例如呈液滴、流或线的形式的源材料来产生期望的等离子体。在经常被称为放电产生等离子体(“DPP”)的另一种方法中，可以通过将具有适当发射线的源材料定位于一对电极之间并且使所述电极之间发生放电来产生期望的等离子体。
一种用于制造IC的技术涉及将经图案化的EUV辐射束投影到衬底上。投影光学器件可以使用反射器。由于EUV束就横截面强度而言可能是不完全均匀的，所以由反射器吸收的光学能量可能是不均匀的，从而使得反射器产生局部温差及后续变形。可能由于使用具有这些温度诱发变形的反射镜而引起反射光的畸变波前。这可能增加误差预算，从而减少受影响的热敏元件的可销售性及竞争优势。
一种处理热敏物体的不均匀性的方法可以涉及使用靶向加热系统和温度传感器。温度传感器可以产生关于热敏物体中的温度不均匀性的信息，并且加热系统可以基于由温度传感器提供的信息而向热敏物体的相对较低温度区域供应加热能量(例如，激光)。尽管可以使用常规的温度传感器(例如，热敏电阻)，但这些常规温度可能存在各种问题(例如，结构实施困难、有限可扩展性、电噪声等)。
发明内容
因此，需要改善温度感测技术以增加温度校正方法的准确度并且减小对例如在光刻设备的投影光学器件中的热敏物体的误差容限。
在一些实施例中，一种光刻设备包括，照射系统、投影系统、温度敏感物体、和温度传感器。所述照射系统被配置为照射图案形成装置的图案。所述投影系统被配置为将所述图案的图像投影到衬底上。所述温度传感器热耦合到所述温度敏感物体。所述温度传感器包括波导装置和检测器。所述波导包括输入端、与所述输入端相反的下游端、以及第一散射特征和第二散射特征。所述第一散射特征被配置为基于所述第一散射特征处的温度而反射第一光谱。未被所述第一散射特征反射的辐射被允许向下游传播。所述第二散射特征被配置为基于所述第二散射特征处的温度而反射第二光谱。未被所述第二散射特征反射的辐射被允许向下游传播。所述检测器被布置为从所述输入端接收包括被反射的第一光谱及被反射的第二光谱的辐射，并且基于所接收的辐射而产生测量信号。
在一些实施例中，一种系统包括温度敏感物体、温度传感器、和控制器。所述温度传感器包括波导装置和检测器。所述温度传感器热耦合到温度敏感物体。所述波导装置包括输入端、与所述输入端相反的下游端、以及第一散射特征和第二散射特征。所述第一散射特征被配置为基于所述第一散射特征处的温度而反射第一光谱。未被所述第一散射特征反射的辐射被允许向下游传播。所述第二散射特征被配置为基于所述第二散射特征处的温度而反射第二光谱。未被所述第二散射特征反射的辐射被允许向下游传播。所述检测器被布置为从所述输入端接收包括被反射的第一光谱及被反射的第二光谱的辐射，并且基于所接收的辐射而产生测量信号。所述控制器被配置为接收所述测量信号并且基于所述测量信号而产生控制信号。
在一些实施例中，一种方法包括：布置具有与加热源热连通的一个或更多个散射特征的波导装置。所述方法还包括：经由所述波导装置而传播辐射。所述方法还包括：在检测器处接收由所述一个或更多个散射特征反射的辐射，被反射的辐射包括对应于所述一个或更多个散射特征的被反射的光谱。所述方法还包括：使被反射的光谱与所述波导装置的温度相关。所述方法还包括：调整所述加热源的温度。所述方法还包括：使对应于所述一个或更多个散射特征的经调整的被反射的光谱与经调整的所述温度相关。
在下文参考附图详细描述本公开的各种实施例的其他特征。注意，本公开不限于本文中描述的特定实施例。本文中仅出于图示性目的呈现这些实施例。基于本文中包含的教导，附加的实施例对于相关领域技术人员将是显而易见的。
附图说明
并入本文中且形成本说明书的一部分的附图图示了本公开，并且连同描述一起进一步用于解释本公开的原理并且使相关领域技术人员能够制作和使用本文中描述的实施例。
图1图示了根据一些实施例的反射型光刻设备。
图2A和图2B图示了根据一些实施例的反射型光刻设备。
图3图示了根据一些实施例的光刻单元。
图4A和图4B图示了根据一些实施例的温度传感器阵列。
图5A和图5B图示了根据一些实施例的温度传感器阵列。
图6图示了根据一些实施例的由辐射源产生的辐射的光谱的示例性曲线图。
图7图示了根据一些实施例的温度传感器阵列。
图8图示了根据一些实施例的示例性反射子光谱的曲线图。
图9示出了根据一些实施例的用于校准散射特征的温度响应的方法步骤。
图10示出了根据一些实施例的温度控制系统。
图11A和图11B示出了根据一些实施例的由冷却系统和温度传感器维护的物体。
本公开的特征将根据下文结合附图所阐述的详细描述而变得更显而易见，在附图中，相同的附图标记在全文中指示对应的元件。在附图中，相同的附图标记通常指示相同的、功能上类似的、和/或结构上类似的元件。另外，总体而言，附图标记的最左侧数字标识首次出现附图标记的附图。除非另外指示，否则在本公开中提供的附图不应该被解释为按比例绘制的附图。
具体实施方式
本说明书披露了包括本公开的特征的一个或更多个实施例。提供所披露的(多个)实施例作为示例。本公开的范围不限于所披露的(多个)实施例。所要求保护的特征由此处随附的权利要求限定。
虽然所描述的(多个)实施例及本说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的参考指示所描述的(多个)实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例可能未必包括该特定的特征、结构或特性。此外，这些词组未必指代相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定的特征、结构或特性时，应当理解，无论是否予以明确描述，结合其他实施例来实现该特征、结构或特性处于本领域技术人员的了解范围内。
为了易于描述，本文中可能使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“在……上”、“上部”等空间相对术语来描述如附图中所图示的一个元件或特征与另一个(多个)元件或(多个)特征的关系。除了图中所描绘的定向以外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中的不同定向。装置可以以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)并且本文中使用的空间相对描述词可以同样相应地进行解释。
在本文中可能使用术语“约”来指示可以基于特定技术变化的给定数量的值。基于特定技术，术语“约”可以指示例如在值的10％至30％内(例如，值的±10％、±20％或±30％)变化的给定数量的值。
可以以硬件、固件、软件、或它们的任何组合来实施本公开的实施例。本公开的实施例也可以被实施为存储于机器可读介质上的指令，所述指令可以由一个或更多个处理器读取及执行。机器可读介质可以包括用于存储或传输呈能够由机器(例如，计算装置)读取的形式的信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光学存储介质；闪存装置；电学、光学、声学或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)；以及其他介质。此外，固件、软件、例程、和/或指令可以在本文中被描述为执行某些动作。然而，应该明白的是，这些描述仅出于方便起见，并且这些动作实际上是由计算装置、处理器、控制器或执行固件、软件、例程、指令等的其他装置引起的。
然而，在更详细地描述这些实施例之前，呈现其中可以实施本公开的实施例的示例性环境是有指导性的。
示例性光刻系统
图1示出了其中可以实施本公开的实施例的光刻设备100的示意图。光刻设备100包括以下各项：照射系统(照射器)IL，该照射系统IL被配置为调节辐射束B(例如，深紫外或极紫外辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，该支撑结构MT被配置为支撑图案形成装置(例如，掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA并且连接到被配置为精确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；以及衬底台(例如，晶片台)WT，该衬底台WT被配置为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到被配置为准确地定位衬底W的第二定位器PW。光刻设备100还具有投影系统PS，该投影系统PS被配置为将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如，包括一个或更多个管芯)C上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS是反射型的。
照射系统IL可以包括用于引导、成形或控制辐射束B的各种类型的光学元件，诸如折射型、反射型、折射反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学元件，或这些类型的光学元件的任何组合。照射系统IL还可以包括传感器ES，该传感器ES提供对例如每脉冲能量、光子能量、强度、平均功率等中的一项或更多项的测量结果。照射系统IL可以包括用于测量辐射束B的移动的测量传感器MS，以及允许控制照射隙缝均匀性的均匀性补偿器UC。测量传感器MS也可以被布置于其他位置处。例如，测量传感器MS可以在衬底台WT上或附近。
支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA相对于参考框架的定向、光刻设备100的设计及其他条件(诸如，图案形成装置MA是否保持于真空环境中)的方式来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是例如框架或台，所述框架或台可以视需要而是固定的或可移动的。通过使用传感器，支撑结构MT可以确保图案形成装置MA例如相对于投影系统PS处于期望的位置处。
术语“图案形成装置”MA应该广义地解释为指可以用于在辐射束B的横截面中向辐射束B赋予图案以便在衬底W的目标部分C中产生图案的任何装置。赋予辐射束B的图案可以对应于产生于目标部分C中以形成集成电路的器件中的特定功能层。
图案形成装置MA可以是反射型的。图案形成装置MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列、和可编程LCD面板。掩模在光刻中是熟知的，并且包括诸如二元型、交替相移型、或衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用较小反射镜的矩阵布置，这些较小反射镜中的每个较小反射镜可以被独立地倾斜，以便在不同的方向上反射入射辐射束。倾斜的反射镜在由较小反射镜的矩阵反射的辐射束B中赋予图案。
术语“投影系统”PS可以涵盖如适于所使用的曝光辐射或适于诸如衬底W上的浸没液体的使用或真空的使用的其他因素的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型及静电型光学系统，或这些类型的光学系统的任何组合。真空环境可以用于EUV或电子束辐射，这是由于其他气体可以吸收过多的辐射或电子。因此，可以借助真空壁及真空泵将真空环境提供到整个束路径。
光刻设备100可以是具有两个(双平台)或更多个衬底台WT(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这些“多平台”机器中，可以并行地使用附加的衬底台WT，或者可以在对一个或更多个平台执行预备步骤的同时，将一个或更多个其他衬底台WT用于曝光。在一些情况下，附加的平台可以不是衬底台WT。
光刻设备也可以属于以下类型：其中，衬底的至少一部分可以由具有相对较高折射率的液体(例如，水)覆盖，以便填充投影系统与衬底之间的空间。也可以将浸没液体应用于光刻设备中的其他空间，例如，掩模与投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中被熟知地用于增加投影系统的数值孔径。如本文中使用的术语“浸没”不意味着诸如衬底的结构必须浸没于液体中，而是仅意味着液体在曝光期间位于投影系统与衬底之间。
照射器IL从辐射源SO接收辐射束。例如当源SO是准分子激光器时，源SO和光刻设备100可以是分立的物理实体。在这些情况下，不认为源SO形成光刻设备100的一部分，并且辐射束B借助包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器的束传递系统BD(未示出)而从源SO传递到照射器IL。在其他情况下，例如当源SO是汞灯时，源SO可以是光刻设备100的整体部分。如果有必要，源SO和照射器IL连同束传递系统BD可以被称为辐射系统。
为了不使附图过于复杂，照射器IL可以包括未示出的其他元件。例如，照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器。总体而言，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别称为“σ外部”和“σ内部”)。照射器IL可以包括积光器和/或聚光器(未示出)。照射器IL可以用于调节辐射束B以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。可以通过使用均匀性补偿器来维持辐射束B的期望的均匀性。均匀性补偿器包括可以在辐射束B的路径中经调整以控制辐射束B的均匀性的多个突出部(例如，指状物)。传感器可以用于监测辐射束B的均匀性。
辐射束B入射于被保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且由图案形成装置MA进行图案化。在光刻设备100中，从图案形成装置(例如，掩模)MA反射辐射束B。在从图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助第二定位器PW和位置传感器IF2(例如，干涉测量装置、线性编码器、或电容性传感器)，可以准确地移动衬底台WT(例如，以便使不同的目标部分C定位于辐射束B的路径中)。类似地，第一定位器PM和另一个位置传感器IFl可以用于相对于辐射束B的路径而精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA与衬底W。
光刻设备100可以用于以下模式中的至少一种模式中：
1.在步进模式中，在将赋予辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上的同时，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT被保持基本上静止(即，单次静态曝光)。然后，使衬底台WT在X和/或Y方向上移位，使得可以曝光不同的目标部分C。
2.在扫描模式中，在将赋予辐射束B的图案投影到目标部分C上的同时，同步地扫描支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的(缩小率)放大率及图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向。
3.在另一种模式中，在将赋予辐射束B的图案投影到目标部分C上的同时，支撑结构(例如，掩模台)MT被保持基本上静止，从而保持可编程图案形成装置，并且移动或扫描衬底台WT。可以采用脉冲式辐射源SO，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间视需要更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于应用于利用可编程图案形成装置(诸如，可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。
也可以采用对所描述的使用模式的组合和/或变化或完全不同的使用模式。
在另一实施例中，光刻设备100包括被配置为产生用于EUV光刻的EUV辐射束的EUV辐射源。总体而言，EUV辐射源被配置为处于辐射系统中，并且对应的照射系统被配置为调节EUV源的EUV辐射束。
图2A更详细地示出了根据一些实施例的包括源收集器设备SO、照射系统IL和投影系统PS的光刻设备100(例如，图1)。源收集器设备SO被构造且被配置为使得可以将真空环境维持于源收集器设备SO的围封结构220中。可以由放电产生等离子体源形成EUV辐射发射等离子体210。可以通过气体或蒸汽(例如，Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽)来产生EUV辐射，其中，创造非常热的等离子体210以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。通过例如造成至少部分地离子化的等离子体的放电来产生非常热的等离子体210。为了高效地产生辐射，可能需要例如10Pa的分压的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合适的气体或蒸汽。在一些实施例中，提供(例如，经由激光激发的)受激发锡(Sn)的等离子体以产生EUV辐射。
由热等离子体210发射的辐射经由定位于源腔室211中的开口中或后方的任选气体阻挡件或污染物阱230(在一些情况下也被称为污染物阻挡件或箔阱)而从源腔室211传递到收集器腔室212中。污染物阱230可以包括通道结构。污染物阱230还可以包括气体阻挡件，或者气体阻挡件和通道结构的组合。本文中进一步指示的污染物阱或污染物阻挡件230至少包括通道结构。
收集器腔室212可以包括辐射收集器CO，该辐射收集器CO可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿收集器CO的辐射可以从光栅光谱滤波器240反射以聚焦于虚源点IF中。虚源点IF通常被称为中间焦点，并且源收集器设备被布置为使得中间焦点IF位于围封结构220中的开口219处或附近。虚源点IF是辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤波器240特定地用于抑制红外(IR)辐射。
随后，辐射横穿照射系统IL，该照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224，琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224被布置为在图案形成装置MA处提供辐射束221的期望的角度分布，以及在图案形成装置MA处提供辐射强度的期望的均匀性。在通过支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射辐射束221后，形成经图案化的束226，并且通过投影系统PS经由反射元件228、229将经图案化的束226成像到通过晶片平台或衬底台WT保持的衬底W上。
比示出的元件更多的元件可以通常存在于照射光学器件单元IL和投影系统PS中。依赖于光刻设备的类型，可以可选地存在光栅光谱滤波器240。此外，可以存在比图2A中示出的反射镜更多的反射镜，例如，除了图2A中示出的反射元件以外，在投影系统PS中可以存在一个至六个附加的反射元件。
在一些实施例中，照射光学器件单元IL可以包括传感器ES，该传感器ES提供例如每脉冲能量、光子能量、强度、平均功率等中的一项或更多项的测量结果。照射光学器件单元IL可以包括用于测量辐射束B的移动的测量传感器MS，以及允许控制照射隙缝均匀性的均匀性补偿器UC。测量传感器MS也可以被布置于其他位置处。例如，测量传感器MS可以在衬底台WT上或附近。
如图2A中图示的，收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器，所述巢状收集器仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光学轴线O轴向对称地布置，并且这种类型的收集器光学器件CO优选地与放电产生等离子体源(经常被称为DPP源)组合使用。
虽然图2B示出了根据一些实施例的光刻设备100(例如，图1)的选定部分的示意图，但是在源收集器设备SO中具有替代性收集光学器件。应该明白的是，在图2A中示出了未呈现于图2B中(为了附图清楚)的结构可以仍被包括于参考图2B的实施例中。在图2B中具有与图2A中的附图标记相同的附图标记的元件具有与参考图2A所描述的结构及功能相同或基本上相似的结构及功能。在一些实施例中，光刻设备100可以被用于例如用经图案化的EUV光束来曝光诸如涂覆有抗蚀剂的晶片的衬底W。在图2B中，照射系统IL和投影系统PS一起被表示为使用来自源收集器设备SO的EUV光的曝光装置256(例如，集成电路光刻工具，诸如步进器、扫描仪、步进及扫描系统、直接写入系统、使用接触和/或相邻掩模的装置等)。光刻设备100还可以包括收集器光学器件258，该收集器光学器件258将来自热等离子体210的EUV光沿着路径反射到曝光装置256中以辐射衬底W。收集器光学器件258可以包括近正入射收集器反射镜，该近正入射收集器反射镜具有呈扁长球体(即，围绕其长轴旋转的椭圆)的形式的反射表面，该扁长球体具有例如具有钼和硅的交替层的分级多层涂层，并且在一些情况下具有一个或更多个高温扩散阻挡件层、平滑层、掩模层和/或蚀刻终止层。
示例性光刻单元
图3示出了根据一些实施例的光刻单元300，该光刻单元300有时也被称为光刻元或簇。光刻设备100可以形成光刻单元300的一部分。光刻单元300还可以包括一个或更多个设备以对衬底执行曝光前过程和曝光后过程。常规地，这些设备包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂器SC、用于使经曝光的抗蚀剂显影的显影器DE、激冷板CH、和烘烤板BK。衬底处置器或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底、在不同的处理设备之间移动衬底，并且将衬底传递到光刻设备100的进料台LB。经常被统称为轨道的这些装置受轨道控制单元TCU的控制，轨道控制单元TCU自身由管理控制系统SCS控制，该管理控制系统SCS还经由光刻控制单元LACU来控制光刻设备。因此，不同的设备可以被操作以使产量和处理效率最大化。
示例性温度控制系统
存在大量技术空间，在大量技术空间中，工具的温度的变化和/或不均匀性可能影响器件性能和/或温度敏感过程的实施。一个示例可以见于EUV光刻设备中。接收EUV辐射的反射器可以导致它们的光学表面的不均匀加热。由光学表面的不均匀局部温度产生的误差(例如，变形)可能影响光刻准确度，从而降低图案转移品质并且减小器件良率(例如，舍弃或以其他方式废弃不合格的器件)。可以使用温度传感器在热敏物体中产生关于温度不均匀性的信息。温度控制系统可以通过基于由温度传感器提供的信息而供应热(例如，使用激光器)和/或移除热(例如，使用冷却系统)来调整局部温度。尽管可以使用常规的温度传感器(例如，热敏电阻)，这些装置可能存在各种问题(例如，结构局限性、有限可扩展性、电噪声等)。
图4A和图4B示出了根据一些实施例的物体400和温度传感器阵列402。在一些实施例中，物体400可以是例如接收辐射的光学元件(例如，琢面场反射镜装置222、琢面光瞳反射镜装置224、反射元件228或229(图2A或图2B)等)。物体400可以包括主体404和表面406。表面406可以是光学表面(例如，反射表面)。图4A图示了侧视图以及与侧视图相关的温度传感器阵列402的布置。图4B图示了表面406的透视正视图以及与正视图相关的温度传感器阵列402的布置。图4A和图4B图示了替代的布置或可组合的布置。
在一些实施例中，在不考虑温度变化和/或不均匀性是否是由直接曝光于光学能量而引起的情况下，物体400可以是具有与温度变化和/或不均匀性相关的问题的任何方式的物体(例如，掩模台MT、晶片台WT(图1)、支撑结构、传感器框架、致动平台、具有用于系统量测功能的反射型图案和/或透射图案的衬底等)。例如，物体400可以是被布置于与光刻无关的系统中的装置。在一些实施例中，温度变化和/或不均匀性的其他来源可以包括电子设备的热耗散、周围气流等。
在一些实施例中，物体400是温度敏感物体。在器件和硬件的内容背景中，可以在本文中使用术语“温度敏感”来指代基于结构的温度变化而易受性能变化影响的结构。例如，物体400可以产生温度变化和/或不均匀性，由此产生不期望的影响。例如，如果物体400是光学元件，则温度变化和/或不均匀性可能使光学元件翘曲，由此在使用光学元件时引入光学像差。因此，物体400可以被称为温度敏感物体，并且表面406可以被称为温度敏感表面。
在一些实施例中，温度传感器阵列402可以包括温度传感器元件402a至402d。温度传感器阵列402可以热耦合到物体400。例如，温度传感器阵列402可以与物体400接触，温度传感器阵列402可以被嵌入主体404内(如图4A中所示)，温度传感器阵列402可以固定到物体400的表面等。在表面406是光学表面的实施例中，在表面406上布置温度传感器阵列402可能是不利的。另外，主体404可以是厚区块，由此使得难以通过将温度传感器阵列402固定在物体400的背面(例如，与表面406相反的侧面)上来测量表面406的温度。因此，主体404可以包括凹槽，温度传感器元件402a至402d可以经由该凹槽而被插入。这样，温度传感器元件402a至402d可以穿过物体400的背面而布置成靠近表面406。可以使用任何合适的技术(例如，钻孔、模制等)来制造主体404中的凹槽。温度传感器元件402a至402d靠近表面406可以允许温度传感器阵列感测表面406的不同的区域的局部温度。通过图4B中的虚线环来图示大致的感测区域。
在一些实施例中，披露了四个温度传感器元件作为非限制性示例(例如，如图4A和图4B中所示)。应该明白的是，温度传感器元件的数目可以不同于四个，例如，以适应特定结构及感测约束。温度传感器阵列402还可以包括电耦合到对应的温度传感器元件402a至402d的配线408a至408d。温度传感器元件402a至402d中的每一个可以包括热敏电阻，例如负温度系数(NTC)电阻器。配线408a至408d可以耦合到(多个)电监测装置(例如，电流计、万用表等)(未示出)。当表面406吸收(例如，来自辐射束的)不同量的热能时，(多个)电监测装置可以感测温度的局部变化。
在一些实施例中，可能期望获得表面406的高分辨率温度或热图。然而，由四个温度传感器元件(点传感器)提供的温度数据可能是不充足的或是过于粗略的而不能获得高分辨率温度图。一种克服该局限性的技术可以是实施较高密度的温度传感器元件。这种实施方案的问题可能在于物体400可能不能够支撑用于高密度温度传感器实施方案的大量凹槽。对于典型的热敏电阻，凹槽可以具有数毫米或数十毫米量级的尺寸(例如，深度、直径等)。较高密度的热敏电阻可能使得从主体404移除相当大一部分质量，由此导致物体400在结构上变得不稳定。在示例中，结构不稳定性可能加剧温度变化和/或不均匀性下的翘曲效应，从而使物体400不能够用于它的期望目的。此外，诸如热敏电阻的常规的温度传感器可能引入大量附加的不期望的问题(例如，经由流经传感器的电流进行的不期望的加热、配线408a至408d上的电气干扰等)。
为了解决一些常规的温度传感器元件的上文所论述的局限性，在一些实施例中，具有散射特征的波导可以被配置为分布式温度传感器。
图5A和图5B示出了根据一些实施例的物体500和温度传感器阵列502。在一些实施例中，物体500可以包括主体504和表面506。除非另外指出，否则物体500、主体504和表面506可以具有类似的结构并且充当图4中的类似编号的元件(例如，物体400、主体404和表面406)，并且因此将不重复冗余的描述。图5A图示了侧视图以及与侧视图相关的温度传感器502的布置。图5B图示了表面506的透视正视图以及与正视图相关的温度传感器502的布置。图5A和图5B图示了替代的布置或可组合的布置(例如，处于不同的深度的波导和/或并排的波导)。
在一些实施例中，温度传感器502可以包括波导装置510。波导装置510可以包括散射特征512(例如，第一散射特征)和散射特征514(例如，第二散射特征)。可以在本文中使用术语“波导装置”等来指代可以通过将辐射约束在空腔和/或介质中而传播辐射的器件。波导装置的示例是光纤。光纤可以是单模式或多模式的。波导装置的另一个示例是微波空腔。波导装置的又一个示例是固定在衬底上的光透射性材料的带状物(例如，如可以见于光子回路中)。波导装置510还可以包括一个或更多个附加的散射特征516。散射特征512和514连同一个或更多个附加的散射特征516可以沿着波导装置510串联布置。温度传感器502还可以包括询问器装置518。询问器装置518可以包括辐射源520和/或检测器522。应该明白的是，辐射源520和检测器522不必在单个询问器内配置(即，辐射源520和检测器522可以独立于彼此布置)。温度传感器502还可以包括热耦合到物体500的一个或更多个附加的波导装置524。一个或更多个附加的波导装置524中的每个可以包括散射特征526(例如，如关于散射特征512、514和/或516所描述的)。
在一些实施例中，温度传感器502可以热耦合到物体500。例如，温度传感器阵列502可以与物体500接触，温度传感器502可以被嵌入主体504(如图5A中所示)的中空路径内，温度传感器502可以固定到物体500的表面等。可以使用任何合适的技术(例如，钻孔、模制等)来制造主体504中的中空路径。
在一些实施例中，辐射源520被配置为产生包括至少不同的第一光谱和第二光谱(例如，至少不同的第一波长和第二波长)的输入辐射。为了清楚起见，简要地参考图6，图6示出了根据一些实施例的由辐射源520产生的输入辐射的光谱的示例性曲线图。曲线图的纵轴表示以任意单位(a.u.)计量的辐射强度并且横轴表示以任意单位(a.u.)计量的波长。
在一些实施例中，由辐射源520产生的光谱可以由宽带光谱628表示。宽带光谱628可以被视为多个子光谱的重叠。此外，辐射源520不限于同时产生宽带光谱628。例如，辐射源520可以是具有可选的子光谱的可调谐激光器。应该明白的是，被配置为产生宽带光谱628的辐射源520可以指同时产生宽带光谱628的实施例或以对应的时间间隔产生子光谱的实施例，使得以该时间间隔产生的辐射的聚合对应于宽带光谱628。在重叠内，可以存在子光谱630(例如，第一光谱)和不同于子光谱630的子光谱632(例如，第二光谱)。应该明白的是，其他子光谱(未示出)可以与对宽带光谱628有贡献的子光谱630及子光谱632重叠的形式存在。子光谱可以被视为窄带(例如，围绕峰值波长为中心的窄波长范围)、极窄峰(例如，δ函数状)等。
再次参考图5，在一些实施例中，波导装置510可以包括输入端534和下游端536(分别为相对于询问器装置518、辐射源520、和/或检测器522的近端和远端)。一个或更多个附加的波导524还可以包括输入端和下游端，输入端和下游端的功能如本文中关于输入端534和下游端536所描述的那样。输入端534可以光学地耦合到询问器装置518、辐射源520、和/或检测器522。输入端534可以被配置为接收由辐射源520产生的输入辐射。温度传感器502还可以包括终端装置538。终端装置538可以包括检测器540(例如，附加的检测器)和/或辐射舍弃装置542(例如，束收集器)。
在一些实施例中，具有宽带光谱628的辐射可以经由波导装置510向下游传播并且与波导装置510的散射特征相互作用。例如，散射特征512可以被配置为基于散射特征512处的温度而反射宽带光谱628的子光谱(图6)。未被散射特征512反射的辐射被允许向下游传播。被反射的子光谱可以是例如子光谱630(图6)。
应当理解的是，在一些实施例中，在当前示例中描述的被反射的子光谱的特定选择不是限制性的。在一些实施例中，可以基于散射特征的设计参数(例如，材料的选择、光栅间距的选择、线宽的选择等)来选择散射特征的反射特性。还应该明白的是，传播经过散射特征512的辐射可以包括涉及宽带光谱628减去子光谱630的光谱。
在一些实施例中，传播经过散射特征512的辐射可以经由波导装置510进一步向下游行进，以例如与下游结构(例如，其他散射特征和/或终端装置538)相互作用。例如，散射特征514可以被配置为基于散射特征514处的温度而反射宽带光谱628的子光谱(图6)。未被散射特征514反射的辐射被允许向下游传播。作为非限制性示例，被反射的子光谱可以是例如(非限制性)子光谱632(图6)。应该明白的是，传播经过散射特征514的辐射可以包括从散射特征512接收的光谱减去子光谱632(即，宽带光谱628减去子光谱630和632)。传播经过散射特征512的辐射可以经由波导装置510进一步向下游传播，以与下游结构(例如，其他散射特征和/或终端装置538)相互作用。
应该明白的是，在一些实施例中，虽然一个或更多个附加的散射特征516可以被配置为与散射特征512和514起类似作用，但是具有不同的子光谱。例如，一个或更多个附加的散射特征516可以被配置为基于一个或更多个散射特征516的对应位置处的温度而反射对应的一个或更多个附加的子光谱的同时，允许未被反射的辐射向下游传播。散射特征可以被配置为使得被反射的子光谱彼此是不同的。这样，可以辨别反射并且使每个被反射的子光谱与对应的散射特征相关。
在一些实施例中，散射特征512和514以及/或者一个或更多个附加的散射特征516中的每个可以包括布拉格反射器。在一些实施例中，波导装置510可以包括光纤。在这种情境下，散射特征512和514以及/或者一个或更多个附加的散射特征516中的每个可以包括光纤布拉格光栅。
简要地参考图7，根据一些实施例示出了温度传感器702。在一些实施例中，温度传感器702也可以表示温度传感器502的更详细视图(图5A和图5B)。除非另外指出，否则具有与图5A和图5B的元件类似的附图标记(例如，共享两个最右侧数字的附图标记)的图7的元件可以具有类似的结构及功能。为了简单起见，将不再详细介绍类似的结构以及已经从视图中忽略(出于附图清晰性的目的)的结构。
除了参考温度传感器502(图5A和图5B)所描述的结构及功能以外，在一些实施例中，温度传感器702还可以包括光学元件750。辐射源720可以产生包括宽带光谱628(图6)的辐射。光学元件750可以被配置为将辐射从辐射源720朝波导装置710的输入端734引导。具有宽带光谱628的辐射可以经由输入端734而发射到波导装置710中。波导装置710的散射特征712可以被配置为基于散射特征712处的温度而反射宽带光谱628的子光谱(图6)。未被散射特征712反射的辐射被允许向下游传播。被反射的子光谱可以是例如子光谱630(图6)。应该明白的是，散射特征714可以参考不同的子光谱(例如，子光谱632(图6))而具有类似的功能。还应该明白的是，可以针对不同的子光谱实施附加的散射特征。
在一些实施例中，检测器722被布置于输入端734处或靠近输入端734布置。光学元件750可以进一步被配置为将被反射的辐射引导到检测器722。被反射的辐射可以包括具有子光谱630和632(图6)的辐射——即，由散射特征712和714反射的辐射。被传输的辐射可以继续向下游移动，以经由下游端736离开波导装置710。
再次参考图5，在一些实施例中，检测器522被布置于输入端534处，以接收包括由散射特征512、514、516和/或526反射的子光谱的辐射(例如，子光谱630和632的反射)。检测器522可以包括光谱仪、示波器、光谱分析仪、波长分析装置等。由于可以直接测量被反射的子光谱，所以可能期望布置检测器522以便从输入端534接收被反射的子光谱。间接测量可以是布置检测器以接收下游端536处的下游辐射并且分析已经从输入辐射移除的遗失的子光谱。然而，后一种布置可能容易因衰减及故障散射特征而产生不确定性，以及增加分析被检测的光谱的处理时间。在由波导装置中的散射特征“反射”的辐射的内容背景中，可以使用术语“反射”、“被反射”、“背向散射”等来指代最初向下游传播而在与散射特征相互作用之后向上游传播的辐射。
在一些实施例中，检测器522可以被配置为基于被接收的包括由散射特征反射的子光谱的辐射而产生测量信号。测量信号可以包括与靠近散射特征512和514和/或一个或更多个附加的散射特征516的位置相对应的温度信息。由于波导装置可以被制造成比热敏电阻小得多，所以大量散射特征可以靠近表面506分布。例如，具有光纤布拉格光栅(即，散射特征)的光纤可以制造有100微米量级的横截面尺寸(例如，直径)。波导装置的尺寸要求可以是小于热敏电阻的量级。
因此，在一些实施例中，散射特征为温度图提供了可扩展的方案。与热敏电阻相比，散射特征可以被制造得紧凑并且以非常高的密度布置。每个散射特征均可以是温度图的像素。这样，测量信号可以包括表面506的高分辨率温度图的信息——与图4A和图4B中的粗略的四点热敏电阻设置形成对比。在一些实施例中，波导装置510可以被布置为弯曲的以使得波导装置510符合表面506的曲率。
为了获得表面506的高分辨率温度图，在一些实施例中，可以如图5B中所示地布置波导装置510以及一个或更多个附加的波导装置524。在这种布置中，一个或更多个附加的波导装置524可以被布置为基本上平行于波导装置510并且与波导装置510间隔开。一个或更多个附加的波导装置524中的每一个中的散射特征526可以被配置为基于散射特征526中的对应的散射特征处的温度而反射不同的光谱并且传输未被散射特征526中的对应的散射特征反射的辐射。检测器522可以包括对应于一个或更多个附加的波导524的附加的测量通道。这样，可以通过用对应的通道标识符标记温度信息来使得波导装置510以及一个或更多个附加的波导524中的每一个相同或类似，并且同时保持位置辨别度(例如，像素辨别度)。
在一些实施例中，可以如图5A所示地布置波导装置510以及一个或更多个附加的波导装置524。在这种布置中，一个或更多个附加的波导装置524可以以一个或更多个不同的深度被布置于物体500内。可以相对于表面506(或在表面506弯曲的情境下相对于表面506的平均平坦平面)测量一个或更多个深度。这样，温度传感器可以在整个主体中密集地分布。
在一些实施例中，控制器544(或另一个控制器或处理器)可以从检测器522接收测量信号并且产生物体500的高分辨率的二维或三维温度图。
在一些实施例中，波导装置510和/或524可以被围封于物体500中，与固定到表面或开槽到物体500的沟槽中相对比。具有这种布置的原因可以在于将波导装置510固定到关键表面上可能妨碍关键表面的性能(例如，将波导装置附接到反射性表面上将影响反射性能)。具有这种布置的另一个原因可以在于留下敞开的沟槽以用于将波导装置510插入主体504中可能引起物体500中的结构稳定性问题。通过用主体504的材料围绕波导装置510的全部侧面来改善物体500的结构稳定性。
在一些实施例中，波导装置510可以靠近温度敏感表面506(例如，光学表面)布置，以使得散射特征512及514与温度敏感表面的不同的区域热连通。在一些实施例中，一定长度的波导装置510可以沿着与表面506(例如，温度敏感表面)垂直的方向布置。这种布置可以允许在远离(或朝)表面506的方向上测量物体500中的温度梯度。
在一些实施例中，波导装置510和/或524可以具有弯曲部(例如，光纤可以弯曲至它的最大弯曲半径)。在一些实施例中，波导装置510和/或524可以是对弯曲不敏感的光纤。在一些实施例中，波导装置510和/或524可以以螺旋形图案布置于物体500内。在一些实施例中，波导装置510和/或524可以以蜿蜒形图案布置于物体500内。使用这些布置的原因在于密集地分布感测元件以便允许温度测量的较高空间分辨率。示例性布置不是限制性的，并且应该明白的是，可以使用其他布置及布置的组合。
在一些实施例中，图5A和图5B中示出的布置是能够组合的。例如，波导装置可以以“网状物”图案布置。处于第一深度的波导装置可以如图5B所示地布置。然后，在不同于第一深度的第二深度处，波导装置可以被布置为相对于第一深度中的波导装置的方向垂直(或以一定角度)延伸。
在一些实施例中，采用温度传感器502的系统(例如，光刻系统)还可以包括控制器544和加热系统546。加热系统546可以是不仅包括加热系统546而且还包括其他系统(例如，冷却系统)的温度控制系统的一部分。加热系统可以被配置为加热物体500的至少一部分。例如，加热可以针对表面506的特定区域，在该特定区域中减小物体500的温度不均匀性以便防止表面506翘曲。控制器544可以被配置为从检测器522接收测量信号。控制器544可以进一步被配置为基于所述测量信号而产生控制信号。温度控制系统可以从控制器544接收控制信号，以基于所接收的控制信号而调整物体500的至少一部分的温度。例如，控制信号可以包括使加热系统546加热物体500的(多个)特定区域的指令，即，反馈过程。尽管图5A示出了加热系统546远离(脱离)物体500，但是应该明白的是，在一些实施例中，加热系统546可以包括物理地耦合到物体500的加热元件(例如，加热电极(未示出))。
在一些实施例中，加热系统546可以包括分离的加热源(如图5A中所示)。加热源可以包括例如辐射源。加热源可以包括激光器或多个激光器。(多个)激光器可以被配置为产生红外辐射(IR)。IR是可以易于被物体作为热吸收的波长区域。激光器可以被配置为基于从控制器544接收的控制信号而将IR辐射引导到物体500的特定区域。
在一些实施例中，加热系统546的辐射源可以被配置为将输入辐射提供到波导装置510，以将所述输入辐射代替由辐射源520提供的辐射或者附加到由辐射源520提供的辐射。可以使用例如光纤将来自加热系统546的辐射源的辐射引导到波导装置510的输入端534。输入端534可以被配置为从加热系统546的辐射源接收辐射。
在一些实施例中，终端装置538、检测器540、和/或辐射舍弃装置542可以被布置于下游端536处。终端装置538可以被配置为接收尚未被波导装置510的散射特征反射的辐射。为了防止由于波导装置510的不适当的终端或终止引起背向反射，辐射舍弃装置542可以被配置为舍弃从下游端536接收到的辐射。舍弃机制可以是例如使用光能到热能转化的能量耗散。
在一些实施例中，检测器540可以被配置为接收传输通过周期性结构的辐射并且产生测量信号。控制器可以被配置为接收测量信号并且基于所述测量信号而产生诊断信息。控制器可以是例如控制器544或另一个控制器(例如，为另一个系统的一部分的处理器)。检测器540可以包括光谱仪、示波器、光谱分析仪、波长分析装置等。诊断信息可以包括：例如，产生输入辐射的辐射源(例如，辐射源520)的健康情况、散射特征的状态(例如，处于工作状态、临界状态、故障状态)等。可以使用控制器进一步增强诊断信息，以比较在输入端534处输入的辐射与在下游端536处输出的辐射。
在一些实施例中，物体500可以是可变形光学元件——例如可变形反射镜。在一些实施例中，来自控制器544的控制信号可以包括致动可变形光学元件的多个部分的指令。可变形光学元件可以接收控制信号并且基于所接收的控制信号而调整可变形光学元件的形状。这样，由于温度变化而引起的可变形光学元件的翘曲可以通过使可变形光学元件适当地成形而被补偿。
期望相对于温度来准确地校准散射特征的反射型行为。散射特征处的温度的改变可以使得被反射的子光谱发生可测量的改变。图8示出了根据一些实施例的示例性的被反射的子光谱的曲线图。除非另外指出，否则具有与图6的元件类似的附图标记(例如，共享两个最右侧数字的附图标记)的图8的元件可以具有类似的性质。
在一些实施例中，被反射的子光谱830可以对应于由处于给定温度的散射特征512(图5)反射的辐射。围绕散射特征512(图5)的区域可以经历如先前所描述的温度变化。散射特征512(图5)的温度改变可以使得被反射的光谱变为被反射的子光谱830’。由温度改变引起的被反射的子光谱的改变可以包括：例如，中心波长移位、强度改变、带宽改变，或它们的组合。例如，散射特征514(图5)处的温度改变可以对应于被反射的子光谱832移位到被反射的子光谱832’，所述被反射的子光谱832’具有比被反射的子光谱832更短的波长。被反射的子光谱848被移位到被反射的子光谱848’可以对应于其他散射特征处的温度改变。
在迄今为止所描述的一些实施例中，散射特征512、514、516和/或526可以包括被有目的地进行工程设计的散射特征(例如，光纤布拉格光栅)。然而，在一些实施例中，散射特征512、514、516和/或526可以是在波导装置510的制造期间随机地形成的非工程设计的特征。例如，缺陷或不合格品可能在均匀光纤的制造期间随机地形成。随机地形成的缺陷或不合格品可以散射光，从而有效地充当散射特征。
在一些实施例中，随机地形成的散射特征的散射行为可能难以量化。然而，可以实施检测方法以补偿可预测的散射行为的缺乏。例如，发射到波导装置510中的输入辐射可以是预定义脉冲(例如，具有已知的时序、相位和/或光谱)。即使随机地形成的散射特征的准确位置是未知的，但是随机地形成的散射特征可以朝检测器540背向散射辐射。然后，可以基于对输入辐射及后续返回的背向散射辐射的飞行时间的分析来确定波导装置510中的散射事件的位置。由于随机地形成的散射特征的位置可能普遍存在于整个波导装置510中，所以温度传感器502可以有效地是与离散温度传感器相比的连续温度传感器。
在一些实施例中，对应于多个反向散射事件的子光谱可以依赖于波导装置510的对应位置处的温度。可以使用任何合适的波长/频率分析方法来分析背向散射子光谱。作为非限制性示例，可以使用光学时域反射计(OTDR)或光学频域反射计(OFDR)来分析由检测器540产生的测量信号。
图9示出了根据一些实施例的用于校准散射特征的温度响应的方法步骤。校准过程可以涉及使被反射的光谱的不同状态与散射特征的对应温度相关。在步骤902处，具有一个或更多个散射特征的波导装置被布置为与(例如，被布置于烤炉中的)加热源热连通。在步骤904处，辐射经由波导装置传播。在步骤906处，在检测器处接收由一个或更多个散射特征反射的辐射。在步骤908处，被反射的光谱与波导装置的温度(即，(多个)散射特征的温度)相关。在步骤910处，通过调整加热源来调整温度。在步骤912处，对应于一个或更多个散射特征的经调整的被反射的光谱与波导装置的经调整的温度相关。在多个温度下重复该过程。这样，可以量化每个散射特征的温度响应。在一些实施例中，可以将每个散射特征的温度响应编程到控制器544(图5)中。此外，图9的校准方法步骤可以应用于有目的地进行工程设计的散射特征及随机地形成的散射特征两者。
在一些实施例中，可以以任何能够想到的顺序执行图9的方法步骤并且不需要执行所有步骤。此外，以上所描述的图9的方法步骤仅反映步骤的示例并且不是限制性的。即，基于本文中描述的实施例，可以设想其他方法步骤及功能。
关于较早描述的一些实施例，认识到加热系统546可以是不仅包括加热系统546而且还包括其他系统(例如，冷却系统)的温度控制系统的一部分。图10示出了根据一些实施例的温度控制系统1052。在一些实施例中，温度控制系统可以实施于具有温度敏感物体的(例如，在图5A、图5B和图7中的)实施例中。除非另外指出，否则具有与图5A、图5B和图7的元件类似的附图标记(例如，共享两个最右侧数字的附图标记)的图10的元件可以具有类似的结构及功能。为了简单起见，将不再详细介绍类似的结构以及已经从视图中(出于附图清晰性的目的)忽略的结构。
在一些实施例中，温度控制系统1052可以包括加热系统1046和/或冷却系统1058，加热系统1046和/或冷却系统1058均可以被配置为调整物体1000的至少一部分的温度。调整物体1000的特定位置处的温度允许减小温度不均匀性并且随后减小不利影响(例如，表面的翘曲)。物体1000可以是温度敏感物体。物体1000可以包括主体1004和表面1006(例如，温度敏感表面)。
在一些实施例中，加热系统1046可以包括辐射源1054和光学系统1056。辐射源1054可以产生用于照射物体1000的至少一部分的辐射1057。光学系统1056可以朝物体1000引导辐射1057。光学系统1056可以包括光学元件的任何数目及组合——例如，(多个)反射镜、(多个)数字微反射镜装置、(多个)透镜、(多个)棱镜等(未示出)。应该明白的是，光学系统1056可以被用于基于由温度传感器(例如，温度传感器502)提供的反馈数据而引导辐射1057照射表面1006的较大面积(如图10中所示)或表面1006的特定部分。
在辐射1057被用于找到温度传感器的来源的一些实施例中，光学系统1056可以用于朝波导装置的输入端(例如，波导装置510的输入端534(图5))引导辐射1057的至少一部分以作为输入辐射。输入辐射可以包括如参考图6和图8所描述的多个子光谱。
在一些实施例中，物体1000还可以包括一个或更多个流体通道1060。一个或更多个流体通道1060可以被布置于表面1006下方的深度处(例如，相对于表面1006测量的深度处)。尽管图10示出了平坦表面1006以及用于一个或更多个流体通道1060的平坦平面，但是应该明白的是，一个或更多个流体通道1060的平面可以是弯曲的。例如，如果表面1006呈碗状，则一个或更多个流体通道1060可以是弯曲的，以便符合表面1006的形状以提供均匀的冷却。
在一些实施例中，一个或更多个流体通道1060可以流体地耦合到冷却系统1058。一个或更多个流体通道1060可以被用于使来自冷却系统1058的冷却流体流动。尽管加热系统1046可以将热注入物体1000中以便减小温度不均匀性，但是流动经过流体通道1060的冷却流体可以从物体1000移除热以允许更多的热管理选项(例如，防止过热、使温度稳定、实现稳态、从特定区域移除热等)。
图11A和图11B示出了根据一些实施例的由冷却系统和温度传感器服务的物体1100。除非另外指出，否则具有与图5A、图5B、图7和图10的元件类似的附图标记(例如，共享两个最右侧数字的附图标记)的图11的元件可以具有类似的结构及功能。为了简单起见，将不再详细介绍类似的结构以及(出于附图清晰性的目的)已经从视图中忽略的结构。图11A图示了侧视图以及与侧视图相关的一个或更多个波导装置1110的布置。图11B图示了表面1106的透视正视图以及与正视图相关的一个或更多个波导装置1110的布置。图5A和图5B图示了替代的布置或可组合的布置(例如，处于不同的深度的波导和/或并排的波导)。
在一些实施例中，温度传感器包括一个或更多个波导装置1110，该波导装置1110可以具有如参照图5A、图5B和图6至图10所描述的结构及功能。物体1100可以包括一个或更多个流体通道1160。图11A示出了物体1100内的一个或更多个波导装置1110的不同的可能的(及可组合的)布置。在一些实施例中，一个或更多个波导装置1110可以在位于表面1106与一个或更多个流体通道1160的深度之间的深度处，被布置于物体1100的中空路径中。一个或更多个波导装置1110的长度可以平行于一个或更多个流体通道1160(如图11B中所示)或者垂直于一个或更多个流体通道1160(未示出)而定向。这种布置允许表面1106的高分辨率温度图，以及用于冷却物体1100的一个或更多个流体通道1160的实施方案。来自冷却系统1058(图10)的冷却流体可以流动经过一个或更多个流体通道1160。
在一些实施例中，一个或更多个波导装置1110可以被布置于一个或更多个流体通道1160中的至少一个内。这种布置允许对在一个或更多个流体通道1160中流动的冷却流体的温度进行温度测量。
在一些实施例中，一个或更多个波导装置1110的长度可以垂直于表面1106(未示出)而定向。这种布置允许对表面1106与一个或更多个流体通道1160之间的温度梯度进行温度测量。这可以特别用于确定物体1100是否已经达到稳定温度(例如，稳态)或者温度是否仍然在波动。使用该方法来管理关键的光学元件的温度的光刻设备可以确定光刻过程中所使用的高强度辐射的曝光之间所允许的停顿时间或次数，由此使制造产量最大化。与交替地执行这些功能相比，使用加热系统1046(图10)和/或冷却系统1058(图10)的温度控制可以与光刻装置中的曝光操作同时并行地执行。
在一些实施例中，一个或更多个波导装置1110的不同布置可以彼此组合和/或与参照波导装置510(图5)描述的布置组合(例如，参见螺旋形图案、蜿蜒形图案、不同的深度等)。
再次参考图5，在一些实施例中，温度传感器502的时间分辨率可以是约10秒或更小、5秒或更小、1秒或更小、或者0.1秒或更小。在一些实施例中，温度传感器502的空间分辨率可以是约100mm或更小、50mm或更小、25mm或更小、10mm或更小、5mm或更小、或者1mm或更小。在一些实施例中，由温度传感器502执行的温度测量的准确度可以在约1摄氏度或更小、0.5摄氏度或更小、或者0.1摄氏度或更小的范围内。
可以使用以下方面来进一步描述实施例：
1.一种光刻设备，包括：
照射系统，所述照射系统被配置为照射图案形成装置的图案；
投影系统，所述投影系统被配置为将所述图案的图像投影到衬底上；
温度敏感物体；以及
温度传感器，所述温度传感器热耦合到所述温度敏感物体，其中，所述温度传感器包括：
波导装置，包括：
输入端，所述输入端被配置为接收输入辐射；
下游端，所述下游端与所述输入端相反；
第一散射特征，所述第一散射特征被配置为基于所述第一散射特征处的温度而反射第一光谱，其中，未被所述第一散射特征反射的辐射被允许向下游传播；和
第二散射特征，所述第二散射特征被配置为基于所述第二散射特征处的温度而反射第二光谱，其中，未被所述第二散射特征反射的辐射被允许向下游传播；以及
检测器，所述检测器被布置为从所述输入端接收包括被反射的第一光谱及被反射的第二光谱的辐射，并且被配置为基于所接收的辐射而产生测量信号。
2.如方面1所述的光刻设备，其中：
所述第一散射特征进一步被配置为使得被反射的第一光谱基于所述第一散射特征处的温度改变而改变；并且
所述第二散射特征进一步被配置为使得被反射的第二光谱基于所述第二散射特征处的温度改变而改变。
3.如方面1所述的光刻设备，其中：
所述温度传感器还包括被配置为产生所述输入辐射的辐射源；并且
所述输入辐射包括所述第一光谱和所述第二光谱。
4.如方面1所述的光刻设备，其中，所述波导装置被围封于所述温度敏感物体中，并且所述波导装置的长度沿着与所述温度敏感物体的温度敏感表面垂直的方向布置。
5.如方面1所述的光刻设备，其中，所述温度敏感物体是所述光刻设备中的光学元件或支撑结构。
6.如方面5所述的光刻设备，其中，所述波导装置被围封于所述光学元件中并且靠近所述光学元件的光学表面布置，使得所述第一散射特征及所述第二散射特征与所述光学表面的不同的区域热连通。
7.如方面5所述的光刻设备，还包括控制器，所述控制器被配置为接收所述测量信号并且基于所述测量信号而产生控制信号，其中，所述光学元件包括可变形反射镜，所述反射镜被配置为接收所述控制信号并且基于所接收的控制信号而调整形状。
8.如方面1所述的光刻设备，其中，所述第一散射特征和所述第二散射特征中的每个是布拉格反射器。
9.如方面1所述的光刻设备，其中，所述波导装置是光纤，并且所述第一散射特征和所述第二散射特征中的每个是光纤布拉格光栅。
10.如方面1所述的光刻设备，其中，所述波导装置被布置成螺旋形图案。
11.如方面1所述的光刻设备，其中，所述波导装置被布置成蜿蜒形图案。
12.如方面1所述的光刻设备，其中：
所述温度传感器还包括热耦合到所述温度敏感物体的一个或更多个附加的波导装置；
所述一个或更多个附加的波导装置中的每个包括散射特征，所述散射特征被配置为基于所述散射特征中的对应的散射特征处的温度而反射对应的光谱；
未被所述散射特征中的所述对应的散射特征反射的辐射被允许向下游传播；并且
所述一个或更多个附加的波导装置被布置为与所述波导装置平行并且与所述波导装置间隔开。
13.如方面1所述的光刻设备，其中：
所述温度传感器还包括热耦合到所述温度敏感物体的一个或更多个附加的波导装置；
所述一个或更多个附加的波导装置中的每个包括散射特征，所述散射特征被配置为基于所述散射特征中的对应的散射特征处的温度而反射对应的光谱；
未被所述散射特征中的所述对应的散射特征反射的辐射被允许向下游传播；并且
所述一个或更多个附加的波导装置被布置于对应的一个或更多个深度处，所述一个或更多个深度是相对于所述温度敏感物体的温度敏感表面而被测量的、但不同于所述波导装置的深度。
14.如方面1所述的光刻设备，还包括控制器，所述控制器被配置为接收所述测量信号并且基于所接收的测量信号而产生所述温度敏感物体的温度的二维图或三维图。
15.如方面1所述的光刻设备，还包括：
控制器，所述控制器被配置为接收所述测量信号并且基于所述测量信号而产生控制信号；和
温度控制系统，所述温度控制系统被配置为接收控制信号并且基于所接收的控制信号而调整所述温度敏感物体的至少一部分的温度。
16.如方面15所述的光刻设备，其中，所述温度控制系统包括加热系统，所述加热系统被配置为基于所述控制信号而加热所述温度敏感物体的至少所述部分以降低所述温度敏感物体的温度不均匀性。
17.如方面15所述的光刻设备，其中：
所述加热系统包括辐射源，所述辐射源被配置为产生用于照射所述温度敏感物体的至少所述部分的辐射；
光学系统，所述光学系统被配置为将所述辐射的一部分从所述辐射源引导到所述波导装置的所述输入端以作为所述输入辐射；并且
来自所述辐射源的所述辐射的所述部分包括所述第一光谱和所述第二光谱。
18.如方面15所述的光刻设备，其中：
所述温度控制系统包括冷却系统，所述冷却系统被配置为基于所述控制信号而调整所述温度敏感物体的至少所述部分的温度；并且
所述温度敏感物体包括一个或更多个流体通道，所述一个或更多个流体通道被配置为使来自所述冷却系统的冷却流体流动。
19.如方面18所述的光刻设备，其中，所述冷却系统被配置为基于所述控制信号而调整所述温度敏感物体的至少所述部分的温度。
20.如方面18所述的光刻设备，其中：
所述一个或更多个流体通道被布置于相对于所述温度敏感物体的温度敏感表面测量的深度处；并且
所述波导装置在所述温度敏感表面与所述一个或更多个流体通道的所述深度之间的深度处，被布置于所述温度敏感物体的中空路径中。
21.如方面18所述的光刻设备，其中，所述波导装置被布置于所述一个或更多个流体通道中的至少一个内。
22.如方面1所述的光刻设备，其中，所述温度传感器还包括被布置于所述波导装置的所述下游端处的附加的检测器，所述附加的检测器被配置为接收传播经过所述第一散射特征和所述第二散射特征的辐射并且产生另一个测量信号。
23.如方面22所述的光刻设备，还包括控制器，所述控制器被配置为接收所述另一个测量信号并且基于所述另一个测量信号而产生关于所述温度传感器的诊断信息。
24.如方面1所述的光刻设备，其中，所述温度传感器还包括在所述波导装置的所述下游端处的辐射舍弃装置，所述辐射舍弃装置被配置为舍弃传输通过所述波导装置的辐射。
25.一种系统，包括：
温度敏感物体；
温度传感器，所述温度传感器热耦合到所述温度敏感物体，其中，所述温度传感器包括：
波导装置，包括：
输入端，所述输入端被配置为接收输入辐射；
下游端，所述下游端与所述输入端相反；
第一散射特征，所述第一散射特征被配置为基于所述第一散射特征处的温度而反射第一光谱，其中，未被所述第一散射特征反射的辐射被允许向下游传播；
第二散射特征，所述第二散射特征被配置为基于所述第二散射特征处的温度而反射第二光谱，其中，未被所述第二散射特征反射的辐射被允许向下游传播；和
检测器，所述检测器被布置为从所述输入端接收包括被反射的第一光谱及被反射的第二光谱的辐射，并且基于所接收的辐射而产生测量信号；以及
控制器，所述控制器被配置为接收所述测量信号并且基于所述测量信号而产生控制信号。
26.如方面25所述的系统，还包括温度控制系统，所述温度控制系统被配置为接收控制信号并且基于所接收的控制信号而调整所述温度敏感物体的至少一部分的温度。
27.如方面25所述的系统，其中：
所述第一散射特征进一步被配置为使得被反射的第一光谱基于所述第一散射特征处的温度改变而改变；并且
所述第二散射特征进一步被配置为使得被反射的第二光谱基于所述第二散射特征处的温度改变而改变。
28.如方面25所述的系统，其中：
所述温度传感器还包括被配置为产生所述输入辐射的辐射源；并且
所述输入辐射包括所述第一光谱和所述第二光谱。
29.如方面25所述的系统，其中，所述波导装置是光纤，并且所述第一散射特征和所述第二散射特征是光纤布拉格光栅。
30.如方面25所述的系统，其中，所述温度传感器还包括被布置于所述波导装置的所述下游端处的附加的检测器，所述附加的检测器被配置为接收已经传播经过所述第一散射特征和所述第二散射特征的辐射并且产生另一个测量信号。
31.如方面30所述的系统，其中，所述控制器进一步被配置为基于所述另一个测量信号而产生关于所述温度传感器的诊断信息。
32.如方面25所述的系统，其中，所述系统是光刻设备。
33.如方面25所述的系统，其中：
所述温度传感器还包括热耦合到所述温度敏感物体的一个或更多个附加的波导装置；
所述一个或更多个附加的波导装置中的每个包括散射特征，所述散射特征被配置为基于所述散射特征中的对应的散射特征处的温度而反射对应的光谱；
未被所述散射特征中的对应的散射特征反射的辐射被允许向下游传播；并且
所述一个或更多个附加的波导装置被布置为与所述波导装置平行并且与所述波导装置间隔开。
34.如方面25所述的光刻设备，其中，所述控制器进一步被配置为基于所接收的测量信号而产生所述温度敏感物体的温度的二维图或三维图。
35.如方面25所述的系统，其中，所述波导装置被布置于所述温度敏感物体内部的中空路径内并且靠近所述温度敏感物体的温度敏感表面布置，使得所述第一散射特征及所述第二散射特征与所述温度敏感表面的不同的区域热连通。
36.如方面25所述的系统，其中，所述检测器进一步被配置为基于在所述检测器处接收到的包括所述第一光谱的辐射的飞行时间来确定所述温度敏感物体中的所述第一散射特征的位置。
37.一种方法，包括：
布置具有与加热源热连通的一个或更多个散射特征的波导装置；
经由所述波导装置传播辐射；
在检测器处接收由所述一个或更多个散射特征反射的辐射，被反射的辐射包括对应于所述一个或更多个散射特征的被反射的光谱；
使被反射的光谱与所述波导装置的温度相关；
调整所述加热源的温度；和
使对应于所述一个或更多个散射特征的经调整的被反射的光谱与经调整的温度相关。
尽管较早描述了EUV光刻设备，但是应该明白的是，在一些实施例中，任何光刻设备(例如，深紫外类型)以及无关技术空间中的其他非光刻系统均可以实施本文的实施例中描述的温度测量及控制方案。
尽管可以在本文中特定地参考光刻设备在IC制造中的使用，但是应该理解，本文中描述的光刻设备可以具有其他应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导及检测图案、平板显示器、LCD、薄膜磁头等。本领域技术人员将明白的是，在这些替代应用的内容背景中，可以认为本文中对术语“晶片”或“管芯”的任何使用分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”是同义的。可以在曝光之前或之后在例如轨道单元(通常将抗蚀剂层涂覆到衬底并且使经曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测单元和/或检查单元中处理本文中提及的衬底。在适用的情况下，可以将本文中的披露内容应用于这些及其他衬底处理工具。此外，可以将衬底处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得本文中使用的术语“衬底”也可以指已经包含多个经处理的层的衬底。
尽管上文可以已经特定地参考在光学光刻的内容背景中的本公开的实施例的使用，但是将明白的是，本公开可以用于其他应用(例如，压印光刻)中，并且在内容背景允许的情况下不限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的形貌限定形成于衬底上的图案。可以将图案形成装置的形貌压入被供应到衬底的抗蚀剂层中，在所述衬底上，抗蚀剂是通过应用电磁辐射、热、压力或其组合而固化的。在抗蚀剂固化之后将图案形成装置移出抗蚀剂，从而在抗蚀剂中留下图案。
应当理解的是，本文中的措词或术语是出于描述而非限制的目的，使得本公开中的术语或措词待由相关领域技术人员按照本文中的教导予以解释。
如本文中使用的术语“辐射”、“束”、“光”、“照射”等可以涵盖所有类型的电磁辐射，例如紫外(UV)辐射(例如，具有为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长λ)、极紫外(EUV或软X射线)辐射(例如，具有在5nm至100nm的范围内的波长，诸如例如13.5nm的波长)，或在小于5nm的波长下工作的硬X射线，以及粒子束，诸如离子束或电子束。总体而言，具有在约400nm至约700nm之间的波长的辐射被视为可见辐射；具有在约780nm至3000nm(或更大)之间的波长的辐射被视为IR辐射。UV是指具有约100nm至400nm的波长的辐射。在光刻术中，术语“UV”也应用于可以由汞放电灯产生的波长：G线436nm；H线405nm；和/或I线365nm。真空UV或VUV(即，由气体吸收的UV)是指具有约100nm至200nm的波长的辐射。深UV(DUV)通常是指具有在126nm至428nm的范围内的波长的辐射，并且在一些实施例中，准分子激光器可以产生在光刻设备内使用的DUV辐射。应该明白的是，具有在例如5nm至20nm的范围内的波长的辐射是指具有某个波长带的辐射，该波长带的至少一部分在5nm至20nm的范围内。
如本文中使用的术语“衬底”描述了其上添加有材料层的材料。在一些实施例中，衬底自身可以被图案化，并且添加于衬底的顶部上的材料也可以被图案化，或可以保持不进行图案化。
尽管可以在本文中特定地参考根据本公开的设备和/或系统在IC制造中的使用，但是应该明确地理解的是，该设备和/或系统具有许多其他可能的应用。例如，该设备和/或系统可以被用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导及检测图案、LCD面板、薄膜磁头等中。本领域技术人员将明白的是，在这些替代应用的内容背景中，本文中的术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”的任何使用应该被视为分别由更上位的术语“掩模”、“衬底”及“目标部分”替代。
尽管上文已经描述了本公开的特定实施例，但是将明白的是，可以以与所描述的方式不同的其他方式来实践本公开。该描述不意图限制本公开。
应当明白的是，“具体实施方式”部分而非“发明内容”及“说明书摘要”部分意图用于解释权利要求。“发明内容”及“说明书摘要”部分可以阐述如(多个)发明人所考虑的本公开的一个或更多个但并非所有示例性实施例，并且因此，不意图以任何方式限制本公开及随附的权利要求。
上文已经借助描述特定功能及其关系的实施方式的功能建置区块来描述本公开。为了便于描述，本文已经任意地定义这些功能建置区块的边界。只要适当地执行指定功能及其关系，就可以限定替代性边界。
对特定实施例的前述描述将因此充分地揭露本公开的一般性质，使得在不脱离本公开的一般概念的情况下，其他人可以在无需进行不适当的实验的情况下通过应用本技术领域内的知识、针对各种应用而容易地修改和/或调适这些特定实施例。因此，基于本文中呈现的教导和引导，这些调适和修改意图在所披露的实施例的等同内容的涵义及范围内。
受保护的主题的广度及范围不应该受到上述示例性实施例中的任一示例性实施例的限制，而是应该仅根据以下权利要求及其等同内容予以限定。

Claims (15)

1.一种光刻设备，包括：
照射系统，所述照射系统被配置为照射图案形成装置的图案；
投影系统，所述投影系统被配置为将所述图案的图像投影到衬底上；
温度敏感物体；以及
温度传感器，所述温度传感器热耦合到所述温度敏感物体，其中，所述温度传感器包括：
波导装置，所述波导装置包括：
输入端，所述输入端被配置为接收输入辐射；
下游端，所述下游端与所述输入端相反；
第一散射特征，所述第一散射特征被配置为基于所述第一散射特征处的温度而反射第一光谱，其中，未被所述第一散射特征反射的辐射被允许向下游传播；和
第二散射特征，所述第二散射特征被配置为基于所述第二散射特征处的温度而反射第二光谱，其中，未被所述第二散射特征反射的辐射被允许向下游传播；以及
检测器，所述检测器被布置为从所述输入端接收包括被反射的第一光谱和被反射的第二光谱的辐射，并且被配置为基于所接收的辐射而产生测量信号。
2.如权利要求1所述的光刻设备，其中：
所述第一散射特征进一步被配置为使得被反射的第一光谱基于所述第一散射特征处的温度改变而改变；并且
所述第二散射特征进一步被配置为使得被反射的第二光谱基于所述第二散射特征处的温度改变而改变。
3.如权利要求1所述的光刻设备，其中：
所述温度传感器还包括被配置为产生所述输入辐射的辐射源；并且
所述输入辐射包括所述第一光谱和所述第二光谱。
4.如权利要求1所述的光刻设备，其中，所述波导装置被围封于所述温度敏感物体中，并且所述波导装置的长度沿着与所述温度敏感物体的温度敏感表面垂直的方向布置。
5.如权利要求1所述的光刻设备，其中，所述温度敏感物体是所述光刻设备中的光学元件或支撑结构。
6.如权利要求5所述的光刻设备，其中，所述波导装置被围封于所述光学元件中并且布置成靠近所述光学元件的光学表面，使得所述第一散射特征及所述第二散射特征与所述光学表面的不同的区域热连通。
7.如权利要求5所述的光刻设备，还包括控制器，所述控制器被配置为接收所述测量信号并且基于所述测量信号而产生控制信号，其中，所述光学元件包括可变形反射镜，所述可变形反射镜被配置为接收所述控制信号并且基于所接收的控制信号而调整形状。
8.如权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一散射特征和所述第二散射特征中的每个是布拉格反射器。
9.如权利要求1所述的光刻设备，其中，所述波导装置是光纤，并且所述第一散射特征和所述第二散射特征中的每个是光纤布拉格光栅。
10.如权利要求1所述的光刻设备，其中，所述波导装置被布置成螺旋形图案。
11.如权利要求1所述的光刻设备，其中，所述波导装置被布置成蜿蜒形图案。
12.如权利要求1所述的光刻设备，其中：
所述温度传感器还包括热耦合到所述温度敏感物体的一个或更多个附加的波导装置；
所述一个或更多个附加的波导装置中的每个附加的波导装置包括散射特征，所述散射特征被配置为基于所述散射特征中的对应的散射特征处的温度而反射对应的光谱；
未被所述散射特征中的所述对应的散射特征反射的辐射被允许向下游传播；并且
所述一个或更多个附加的波导装置被布置为与所述波导装置平行并且与所述波导装置间隔开。
13.如权利要求1所述的光刻设备，其中：
所述温度传感器还包括热耦合到所述温度敏感物体的一个或更多个附加的波导装置；
所述一个或更多个附加的波导装置中的每个附加的波导装置包括散射特征，所述散射特征被配置为基于所述散射特征中的对应的散射特征处的温度而反射对应的光谱；
未被所述散射特征中的所述对应的散射特征反射的辐射被允许向下游传播；并且
所述一个或更多个附加的波导装置被布置于对应的一个或更多个深度处，所述一个或更多个深度是相对于所述温度敏感物体的温度敏感表面而被测量的、但不同于所述波导装置的深度。
14.如权利要求1所述的光刻设备，还包括控制器，所述控制器被配置为接收所述测量信号并且基于所接收的测量信号而产生所述温度敏感物体的温度的二维图或三维图。
15.如权利要求1所述的光刻设备，还包括：
控制器，所述控制器被配置为接收所述测量信号并且基于所述测量信号而产生控制信号；和
温度控制系统，所述温度控制系统被配置为接收所述控制信号并且基于所接收的控制信号而调整所述温度敏感物体的至少一部分的温度。
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