TWI620993B - 光子源、度量衡裝置、微影系統及元件製造方法 - Google Patents

光子源、度量衡裝置、微影系統及元件製造方法 Download PDF

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Abstract

一種輻射驅動光源，其包含雷射及聚焦光學件。此等者產生聚焦於含有一氣體(例如，Xe)之一第一容器內之一電漿形成區上的一輻射光束。收集光學件收集由該雷射輻射維持之一電漿發射的光子以形成一輸出輻射光束。第一容器圍封於一氣密密封式第二容器內。在該第二容器內完全含有由於該輸出輻射之紫外線分量而產生於該第二容器內的任何臭氧。第二容器進一步濾出該等紫外線分量。可代替雷射輻射來使用微波輻射以形成該電漿。

Description

光子源、度量衡裝置、微影系統及元件製造方法
本發明係關於以電漿為基礎之光子源。此等源可用以(例如)在方法中提供高亮度照明且用於可用於(例如)藉由微影技術進行元件製造中之度量衡，且用於使用微影技術來製造元件之方法。
根據本發明之光子源可在廣範圍之情形下獲得應用。作為一實例應用，下文將描述作為度量衡中之光源之本發明之使用。作為度量衡之特定應用領域，下文出於實例起見將涉及藉由微影進行之元件製造中之度量衡。
術語「光」及「光源」可方便地用以係指所產生輻射及光子源自身，而不暗示對可見波長之輻射之任何限制。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。在彼情況下，圖案化元件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分 之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。
在微影程序中，需要頻繁地(例如)針對程序控制及驗證來進行所產生結構之量測。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(元件中兩個層之對準準確度)之專門工具。近來，已開發供微影領域中使用的各種形式之散射計。此等元件將輻射光束引導至目標上且量測散射輻射之一或多個屬性。自此等測定屬性，可判定所關注目標之屬性。
在一個商用度量衡裝置中，光源為氙(Xe)弧放電燈。來自此燈之光經由裝置感測器之照明分支而成像至量測目標上，其之最後階段係由高NA物鏡組成。量測光點可具有(例如)25微米之直徑。每一量測所需之時間實務上取決於給定波長或波範圍下之光源之亮度。需要未來代裝置以提供增加之光譜頻寬及具有較低透射率之感測器設計，同時保持量測時間一樣或更短。為滿足此等要求，顯著源亮度改良係必需的。
以電漿為基礎之光子源(例如，雷射驅動光源(LDLS))提供較高亮度。在氣態介質中藉由經由放電施加能量及雷射能量來產生電漿。輻射之光譜分佈本質上可為寬頻帶或窄頻帶，且波長可在近紅外線、可見及/或紫外線(UV)頻帶中。電漿可採取狹長形式，此增加輻射面積且增加亮度。描述用於縮減電漿之縱向範圍而旨在增加亮度之措施。
在使用諸如LDLS源之光子源之應用中，在使用中之源可發射不同波長之輻射，包括紫外線輻射。然而，UV光子係與諸如臭氧產 生、化學污染及吸收之問題有關。在未使用UV輻射之應用中，可藉由淨化系統或藉由使用無臭氧燈類型來克服此等問題。無臭氧燈泡係由吸收UV光從而防止臭氧產生的玻璃製成。然而，相比於釋放UV光之燈，尤其當用於LDLS應用中時的無臭氧燈之壽命歸因於曝曬之效應而較短。在使用釋放UV之燈之應用中，需要燈外殼或整個光束路徑之淨化以防止臭氧產生及/或移除所產生臭氧。因此，兩種情境增加所有權成本CoO/商品成本CoG。
在本發明之一第一態樣中，提供一種以輻射產生電漿為基礎之光子源裝置，其包含：一第一容器，其用於含有一氣態介質，在該氣態介質中在由一驅動輻射激發之後產生一電漿；及一第二容器，其圍封該第一容器，其中該以輻射產生電漿為基礎之光子源裝置可操作以發射包含複數個分量波長之輸出輻射，該輻射進一步包含一紫外線分量；且該第二容器為氣密密封式且可操作以自該輸出輻射實質上移除該紫外線分量。
該光子源可應用於度量衡中，例如應用於微影中。本發明在另一態樣中提供一種量測已藉由一微影程序而在一基板上形成之結構之一屬性的方法，該方法包含如下步驟：使用根據上文所闡述的本發明之該第一態樣之一光子源之輸出輻射來照明結構；偵測由該等結構繞射之輻射；及自該繞射輻射之屬性判定該結構之一或多個屬性。
本發明又進一步提供一種用於量測一基板上之一結構之一屬性的檢測裝置，該裝置包含：用於該基板之一支撐件，該基板在其上具有該結構；一光學系統，其用於在預定照明條件下照明該結構且用於偵測由該等組件目標結構在該等照明條件下繞射之輻射之預定部分；一處理器，其經配置以處理特性化該經偵測輻射之資訊以獲得該結構之該屬性之一量測，其中該光學系統包括根據如上文所闡述之本發明 之一光子源裝置。
本發明又進一步提供一種微影系統，其包含：一微影裝置，其包含：一照明光學系統，其經配置以照明一圖案；一投影光學系統，其經配置以將該圖案之一影像投影至一基板上；及根據如上文所闡述的本發明之一實施例之一檢測裝置，，其中該微影裝置經配置以使用來自該檢測裝置之量測結果以將該圖案施加至另外基板。
本發明又進一步提供一種製造元件之方法，其中使用一微影程序將一元件圖案施加至一系列基板，該方法包括：使用量測已藉由一微影程序而在一基板上形成之結構之一屬性的該前述方法來檢測作為該元件圖案之部分或除了該元件圖案以外而形成於該等基板中之至少一者上的至少一複合目標結構；及根據該檢測方法之結果而針對稍後基板來控制該微影程序。
下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將顯而易見。
11‧‧‧光源
12‧‧‧透鏡
13‧‧‧孔徑板
13N‧‧‧孔徑板
13S‧‧‧孔徑板
14‧‧‧透鏡
15‧‧‧光束分裂器
16‧‧‧接物鏡
17‧‧‧第二光束分裂器
18‧‧‧光學系統
19‧‧‧第一感測器
20‧‧‧光學系統
21‧‧‧孔徑光闌
22‧‧‧光學系統
23‧‧‧感測器
40‧‧‧第一容器
42‧‧‧電漿/發光電漿區域
44‧‧‧收集光學件
46‧‧‧輻射光束
48‧‧‧光纖
50‧‧‧驅動輻射/雷射能量/入射雷射光束/雷射輻射
52‧‧‧雷射
54‧‧‧驅動光學件/聚焦光學件
58‧‧‧濾光組件/濾光器
60‧‧‧電極
62‧‧‧電極
63‧‧‧密閉式第二容器
64‧‧‧假想源點/光透射窗/聚焦點
65‧‧‧光透射窗
66‧‧‧濾光組件/濾光器
67‧‧‧濾光組件/濾光器
80‧‧‧背向反射器
82‧‧‧射線
84‧‧‧側反射器
86‧‧‧光子
88‧‧‧側反射器
89‧‧‧孔隙
90‧‧‧會聚光束
92‧‧‧光束擴展器
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化元件
MT‧‧‧圖案化元件支撐件/支撐結構/光罩台
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PU‧‧‧影像處理器及控制器
PW‧‧‧第二定位器
RO‧‧‧基板處置器/機器人
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
現在將參看隨附圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中：圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置；圖2描繪根據本發明之一實施例之微影製造單元或叢集；圖3包含併有光子源之光學裝置的示意圖，此實例中之裝置具有用於度量衡中之散射計之形式；圖4為用於圖3之裝置中之光子源的示意圖；圖5為根據本發明之一實施例的光子源裝置之示意圖；圖6為根據本發明之第二實施例的用於圖3之裝置中之光子源的 示意圖；及圖7(a)及圖7(b)為根據本發明之第三實施例的用於圖3之裝置中之光子源的示意圖。
本發明之特徵及優點將自以下在結合圖式時所闡述之【實施方式】變得更顯而易見，其中類似元件符號始終識別對應器件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之器件。一器件第一次出現時之圖式係在對應元件符號中由最左側數位指示。
本說明書揭示併有本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示實施例僅僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明係由附加於此處之申請專利範圍界定。
所描述實施例及本說明書中對「一實施例」、「一實例實施例」等等之參考指示所描述實施例可能包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等片語未必係指同一實施例。另外，當結合一實施例描述一特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如，計算元件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體元件；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號，及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等 描述僅僅為方便起見，且此等動作事實上係由計算元件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他元件引起。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化元件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數而準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射之各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
圖案化元件支撐件以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化元件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化元件。圖案化元件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件。圖案化元件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。圖案化元件支撐件可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統處於所要位置。可認為本文中對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化元件」同義。
本文所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解譯為係指可用 以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何元件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之元件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化元件可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影裝置中之其他空間，例如，光罩 與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於圖案化元件支撐件(例如，光罩台MT)上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且係由該圖案化元件而圖案化。在已橫穿圖案化元件(例如，光罩)MA之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器、2D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化元件(例如，光罩)MA。一般而言，可憑藉形成第一 定位器PM之部件之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。
可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件(例如，光罩)MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化元件(例如，光罩)MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可包括於元件特徵當中之晶粒內，在此狀況下，需要使標記儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。下文中進一步描述偵測對準標記之對準系統。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
微影裝置LA屬於所謂雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb以及兩個站--曝光站及量測站--在該兩個站之間可交換基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。該等預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面控制，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置。此情形實現裝置之產出率之相當大增加。若位置感測器IF在基板台處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤基板台之位置。
如圖2所展示，微影裝置LA形成微影製造單元LC(有時亦被稱作叢集)之部件，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH，及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等元件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監 督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
圖3為呈散射計之形式的光學裝置之示意圖，該散射計適於結合圖2之微影製造單元來執行度量衡。該裝置可用於量測藉由微影形成之特徵之臨界尺寸，量測層之間的疊對，及其類似者。產品特徵或專用度量衡目標形成於基板W上。該裝置可為單獨元件或併入於(例如)量測站處之微影裝置LA中或微影製造單元LC中。遍及裝置具有若干分支之光軸係由點線O表示。在此裝置中，由源11發射之光係由包含透鏡12、14及接物鏡16之光學系統經由光束分裂器15而引導至基板W上。此等透鏡係以4F配置之雙重序列而配置。可使用不同透鏡配置，其限制條件為：其仍將源之影像提供於基板上，且同時允許存取中間光瞳平面以用於空間頻率濾光。因此，可藉由定義在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中的空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角程。詳言之，可藉由在為接物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡12與14之間插入合適形式之孔徑板13來進行此選擇。舉例而言，如所說明，孔徑板13可為不同形式，該等形式中之兩者被標註為13N及13S，從而允許選擇不同照明模式。所說明實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板13N提供自僅出於描述起見被指明為「北」之方向之離軸。在第二照明模式中，孔徑板13S係用以提供相似照明，但提供來自被標註為「南」之相對方向之照明。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。其餘光瞳平面理想地係暗的，此係因為所要照明模式外部之任何不必要光將干涉所要量測信號。
由基板W上之目標繞射之至少0階及-1階及+1階係由接物鏡16收集且經返回引導通過光束分裂器15。第二光束分裂器17將繞射光束劃 分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統18使用零階繞射光束及一階繞射光束在第一感測器19(例如，CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。每一繞射階射中感測器上之一不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器19捕捉之光瞳平面影像可用於聚焦度量衡裝置及/或正規化一階光束之強度量測。光瞳平面影像可用於諸如重建構之許多量測目的。
在第二量測分支中，光學系統20、22在感測器23(例如，CCD或CMOS感測器)上形成基板W上之目標之影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供孔徑光闌21。孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上之目標之影像係僅由-1或+1一階光束形成。因此，由感測器23偵測之影像被稱作「暗場」影像。應注意，此處在廣泛意義上使用術語「影像」。因而，在僅呈現-1階及+1階中之一者的情況下將未形成光柵線之影像。
將由感測器19及23捕捉之影像輸出至影像處理器及控制器PU，該影像處理器及控制器PU之功能將取決於正被執行之量測之特定類型。可在上文之序言中所提及之先前專利申請案中找到裝置及其應用之更多細節。本發明係關於用以提供比用於已知裝置中之Xe弧燈之亮度高的亮度之光源11之構造及操作。
圖4示意性地展示雷射驅動光子源裝置之主要組件。中心組件為含有預定氣態氛圍之第一容器40，例如，玻璃膜盒。舉例而言，合適氣體可為氙(Xe)或氙-氬混合物。在此氛圍內，以待描述之方式產生電漿42，且該電漿發射光(更通常發射所要波長之輻射之光子)。收集光學件44形成耦合至光纖48之輻射光束46。光纖48將該輻射遞送至需要其之點。當光子源係用作圖3之裝置中之源時，光纖48之末端形成圖3所見之源11。收集光學件44在此處被展示為簡單透鏡，但在實務實施例中當然可更複雜。可使用反射光學件而非折射光學件。
藉由施加在此實例中由雷射52產生之驅動輻射50而產生此實施例中之電漿42。驅動光學件54聚焦在需要形成且維持電漿42之部位處達到最窄點之雷射。雷射52可為如今或未來可用之數個不同類型之高功率雷射中之一者。舉例而言，其可為Nd：YAG雷射、CO2雷射、二極體雷射，光纖雷射。驅動光學件54在此處被展示為簡單透鏡，但在實務實施例中當然可更複雜。可使用反射光學件而非折射光學件。可提供另外組件以調節雷射輻射之剖面或光譜特性。舉例而言，可使用光束擴展器。
雷射輻射可(例如)呈諸如700奈米至2000奈米之紅外線波長之形式。電漿通常將產生處於紅外線、可見及/或紫外線帶中之較短波長之輻射，例如，下至200奈米或低於200奈米之輻射。在此輻射當中，電漿輻射為用於度量衡裝置或其他應用中之所要波長。濾光組件58可提供於光學路徑中，(例如)以縮減進入收集光學件44及/或光纖48之紅外線輻射之量。此等濾光器可被置放於第一容器40之內部及/或外部。其亦可與第一容器壁整合，及/或與收集光學件44之其他組件整合。
儘管極窄地聚焦，但雷射能量50未必足以自冷啟動對電漿進行點火，且電極60及62具備適當電力及控制電路(圖中未繪示)，以便對電漿進行點火。此等電極可相似於用於習知氣體放電燈中之彼等電極，但僅在操作之起動階段期間使用。
在圖解中，出於此描述起見，界定軸線X、Y及Z。Z軸係與光軸O對準。Y方向係與電極60、62對準。X軸橫向於該等電極，且垂直於該圖解之平面。可在此等軸線處於方便用於裝置之應用的任何定向的情況下建構或安裝該裝置。應注意，不存在在Z方向上阻塞自電漿42至收集光學件之光學路徑之組件。在此實例中亦不存在在X方向上阻塞光之路徑之組件(此圖中未繪示)。
應注意，電漿42或至少供獲得所要輻射之電漿之區域可為狹長形式，該形式具有大約圓柱或雪茄菸之形狀。出於解釋起見，吾人將把該形狀稱作圓柱形。圓柱之長度為L且其直徑為d。實際電漿將包含以此圓柱形區域為中心之狹長形式之雲狀物。收集光學件44係在其光軸O與電漿之縱向方向(其為此實例中之Z方向)對準的情況下予以配置。因此，電漿之面積呈現為πd2/4，其為圓柱之一個末端之面積。當L實質上大於d時，相比於查看在橫向方向上之電漿，光子可經由此小面積進入收集光學件所來自之電漿之深度較大。此情形允許針對給定電漿之大小及強度遍及彼面積看到較高亮度。光學源(或接收器)之光展量廣泛地表達源(接收器)之面積與其射出口(進入口)角度之乘積。如同任何成像系統一樣，收集光學件44之光展量為光點大小與其數值孔徑之平方(NA2)的乘積。NA又藉由入口角θ予以判定。一般而言，輻射電漿之光展量將大於收集光學件44之光展量。收集光學件44可沿著圓柱之中間位置聚焦於假想源點64處。在實務實例中，發光電漿區域42之長度L可為大約一毫米，比如0.5毫米至5毫米。直徑d可小得多，其在比如0.01毫米至2毫米之範圍內，例如，0.1毫米至1毫米。
實務上，電漿吸收極少所想要輻射，使得在沿著圓柱之長度L之任何地方發射的光子可行進於收集光學件44之進入口圓錐中且行進至光纖48中。因此，相比於橫向方向，電漿比在橫向方向上檢視時呈現為更亮(每單位立體角每單位面積更大光通量)。諸如US 2011/204265 A1所描述之一些雷射驅動光源尋求捕捉在橫向方向上發射之光，但本文所說明之光子源捕捉在縱向方向上發射之光以利用電漿之增強型亮度及較小範圍。可結合本文所揭示之新穎概念使用任一捕捉配置。
圖5展示根據本發明之一實施例之光子源裝置。應注意，後續輻射之電漿產生/激發及收集/輸送遵循與先前關於圖4所描述之結構及程序一樣的結構及程序。
圖5展示圍封光子源之第二容器63，其在此實例中係由上文所描述之雷射驅動光子源表示(亦即，第一容器40、電極60、62及適當電力及控制電路(圖中未繪示))。第二容器63為可圍封空氣之氛圍或具有所要光學屬性之任何其他流體之密閉式(氣密密封式)容器。第二容器63亦包含至少一個光透射器件，例如，光透射窗64、65；及至少一個濾光組件，例如，濾光組件66、67。應瞭解，光子源未必必須採取所描繪之形式，且可採取任何其他合適形式。
驅動輻射50可由聚焦光學件54聚焦至電漿42上，從而經由窗64進入第二容器63。由電漿42產生之光可經由窗65射出第二容器63，而待由收集光學件44收集。濾光組件66阻擋通過窗64射出第二容器63之紫外線輻射。濾光組件67亦可阻擋通過窗65射出第二容器63之紫外線及紅外線輻射。
窗64及65應為密閉式且由合適經塗佈/未經塗佈材料製成。該等窗亦可為任何大小、形狀或厚度及/或可扁平/彎曲。相似地，濾光組件66、67可提供於光學路徑中且由具有由所需波長固定的可變厚度之合適材料製成。該等濾光器可被置放於第二容器63之內部及/或外部。濾光器66、67可與窗64、65整合，例如，其可包含窗64、65上之塗層。濾光組件67亦可與收集光學件44之其他組件整合。
收集光學件44可被置放於第二容器63內部。在此組態中，光可通過連接至第二容器63之光纖48而射出第二容器63。
可在任何相對清潔環境中(例如，在典型實驗室環境中)組裝密閉式第二容器63及內含物，且無需在清潔室中組裝密閉式第二容器63及內含物。第二容器63僅需要用空氣填充且未必需要用惰性氣體填充。空氣具有為最廉價流體之優點且亦最容易處置。然而，若使用其他流體，則氣密密封件提供保護免於自第二容器之外部進入之化學污染。
密閉式第二容器63之壁可由能夠阻擋非想要輻射(或所有輻射)之 合適材料製成，例如，阻擋由圍封型光子源產生之UV輻射之材料。此外，為滿足應用要求，第二容器63可具有任何尺寸、形狀及壁厚度。第二容器63之體積可儘可能地小以便使得所產生化學物之總量相對小。因此，第二容器63可僅略微大於第一容器40。舉例而言，第二容器之體積可能為不大於第一容器之體積的200%、150%或120%。在其他實施例中，第二容器63可稍微較大(相比於具有大約10000m3之體積之第一容器40大大約100倍的體積)以便增加其表面積且輔助冷卻。
由於第二容器63為密閉式且倘若紫外線光自輸出輻射46(例如，在窗64、65處)濾出，則由紫外線光產生之臭氧保持囊封於第二容器63中。另外，由於第二容器63為密閉式，故額外化學物可在光子源之壽命期間不進入第二容器63。
在一實施例中，第一容器40及第二容器63包含單一可替換單元，其可在出故障時以與在諸如圖4所描繪之裝置的裝置中之燈泡替換(亦即，容器40之替換)相似的方式被替換。
如本文所揭示之光子源裝置之使用在需要淨化系統或使用相比於其他燈具有較短壽命之無臭氧燈的情況下進行分配。取而代之，第一容器40僅僅傳輸由電漿產生之大多數或所有紫外線輻射。因此，成本得以顯著縮減且效率得以改良。
將採取設計措施以嘗試且縮減電漿之長度L以將其電力以較小長度集中係常見的，對源中之電漿形狀之約束得以相對放寬。在一些先前實例中，電漿在點火電極之間在被描繪為Y方向上縱向地延伸，而在所說明源中，正常操作中之電漿經配置成使得在縱向方向上之射線未被遮蔽，且可由收集光學件44捕捉。相似地，雖然在其他先前實例中，電漿在被描繪為Z方向上延伸，但此電漿係由驅動雷射光學件遮蔽，且可用光係在X及Y方向上自電漿發射之後由彎曲鏡面捕捉。因 此，許多先前實例依賴於捕捉自電漿橫向地發射之光子。雖然本發明之實施例亦可依賴於捕捉自電漿橫向地發射之光子，但其可展示出：可使用諸如圖5至圖7所說明之彼等配置的配置來獲得改良型效能。
應注意，由電漿源發射之輻射之強度剖面可能橫越收集光學件44之視場並非極佳地均一。雖然放寬對電漿尺寸之約束(如上文所描述)，但收集光學件44之進入口NA仍應合理地均一地填充有輻射。電漿之縱橫比L/d愈大，其中輻射得以均一地分佈之光展量愈小。可需要(例如)在光子源裝置係用以橫越圖13之裝置中之孔徑13而遞送均質光場時將光混合以使其更均質。可在光纖48內自然地發生足夠混合，或可採取額外措施。又，第一容器40之壁之光學屬性應在關鍵部位處足夠良好使得其不使自電漿42發散至收集光學件44之驅動雷射光束或射線束之品質降級。當然應在設計及設置收集光學件44及聚焦光學件54時考量第一容器壁以及窗64、65及濾光器66、67之光學屬性。收集光學件44及聚焦光學件54之功能器件可視需要被置放於第一容器40內部及/或可與第一容器之壁整合。
圖6及圖7說明基於剛剛所描述之原理之另外實施例。對於具有相同功能之組件，使用與圖5中之元件符號相同的元件符號。自圖6及圖7省略光纖48僅僅以產生空間。除非另有陳述，否則針對圖5之實例所描述之選項及屬性同樣地應用於圖6及圖7之實例中。
在圖6中，配置極相似於圖5之配置，惟提供背向反射器80以將在反向縱向方向上發射之射線82反射回至電漿中除外。反射器80可(例如)為球形，其中曲率在聚焦點64上以半徑r為中心。因為反向縱向方向亦為入射雷射光束50之方向，所以反射器80經形成有合適大小之孔隙以允入雷射光束。反射器80可被提供於第一容器40之內部或外部，且可形成於第一容器40自身之壁上。可提供額外反射器以捕獲橫向發射之光子且將其返回至電漿。將在圖7之實例中說明此等反射器 之實例。由此等側反射器反射之光子將不進入如所描述之具有小光展量之收集光學件。然而，其可輔助雷射能量50以維持電漿，且其可改良電漿之均質性且因此改良發射輻射之均質性。如前所述，可提供濾光器58或等效組件以修整傳出輻射光束46之光譜屬性。詳言之，可提供濾光器58以縮減或消除來自雷射之進入收集光學件44的輻射50，例如，紅外線輻射。
圖7展示另一經修改實施例之兩個視圖。電漿42及收集光學件44之形式及定向係相同於先前實例，且再次提供背向反射器80。然而，在此實例中，驅動電漿之雷射輻射50(例如)在X方向上經橫向地遞送至狹長電漿。可提供額外「側」反射器84以捕捉橫向發射之光子86且將其返回至電漿。可提供相對側反射器88，其中孔隙89用於允入由聚焦光學件54遞送於光束90中之雷射輻射。由此等側反射器反射之光子將不進入如所描述之具有小光展量之收集光學件。然而，其可輔助雷射能量50以維持電漿，且其可改良電漿之均質性且因此改良發射輻射之均質性。反射器84及88可為球形、圓柱形或該兩者之複合，此取決於在縱向方向上是否需要能量之一些再分佈(混合)。反射器84可具備相似於反射器88中之孔隙的孔隙，以便允許雷射輻射之射出。側反射器可視需要經定位成接近於電極部位。如前所述，反射器可在第一容器40內部(如所說明)或第一容器40外部(但在第二容器63內)。其可與第一容器壁整合。
代替聚焦成與縱向方向對準之狹長光束，此實例中之雷射輻射50展開且聚焦成具有線形聚焦之光束90，從而與所要電漿42之尺寸匹配。為進行此操作，聚焦光學件54主要包含圓柱形透鏡(如所說明)，以形成如沿著Z方向而檢視之圖7(b)中所看到的會聚光束90。光束擴展器92可提供於雷射52與光學件54之間以便將光束展開至所要寬度。當在Y方向上被檢視時(如圖7(a)所展示)，光束90可會聚(如所展示)。 替代地，光束90可在Y方向上被檢視時發散，且可在Z方向上被檢視時會聚。多個雷射光束及透鏡可經部署以沿著電漿42之線產生所要聚焦。驅動輻射可視需要經橫向地及縱向地兩個方向上經遞送，從而將圖5、圖6及圖7之特徵組合在一起。
在此第二實例中，儘管聚焦光學件可較複雜，但相比於圖5及圖6之實例存在一些益處。原則上，將看到，亦為可用輻射之射出方向的電漿之縱向方向正交於點火電極之軸線，點火電極之軸線又正交於驅動雷射光束之進入之軸線。因此，此配置具有免於此等子系統之間的機械及光學干涉之約束之較大自由度。舉例而言，一個益處為背向反射器80(若被提供)無需孔隙。替代地，可自電漿之「背向」末端獲得第二收集光學件及第二輸出。亦消除或縮減為防止雷射輻射進入收集光學件44而對濾光之要求。在較早實例之內容背景中所論述其他變化及修改亦可應用於圖7之實例中。
下文中在編號條項中提供根據本發明之另外實施例：
1.一種以輻射產生電漿為基礎之光子源裝置，其包含：一第一容器，其用於含有一氣態介質，在該氣態介質中在由一驅動輻射激發之後產生一電漿；及- 一第二容器，其圍封該第一容器，- 其中該以輻射產生電漿為基礎之光子源裝置可操作以發射包含複數個分量波長之輸出輻射，該輻射進一步包含一紫外線分量；且該第二容器為氣密密封式且可操作以自該輸出輻射實質上移除該紫外線分量。
2.如條項1之光子源裝置，其中該第二容器在不超過該第一容器的情況下圍封電連接及一氛圍。
3.如條項2之光子源裝置，其中該氛圍包含空氣。
4.如前述條項中任一項之光子源裝置，其中該第二容器包含可操作以透射該輸出輻射中之至少一些之一光透射器件。
5.如前述條項中任一項之光子源裝置，其中該第二容器包含可操作以透射該驅動輻射以產生該電漿之一光透射器件。
6.如前述條項中任一項之光子源裝置，其中該第二容器包含可操作以自該輸出輻射實質上移除該紫外線分量之一濾光器件。
7.如條項6之光子源裝置，其中該濾光器件可操作以自該輸出輻射實質上移除一紅外線分量。
8.如前述條項中任一項之光子源裝置，其中該第二容器包含可操作以自該驅動輻射實質上移除一紫外線分量之一濾光器件。
9.如前述條項中任一項之光子源裝置，其中該第一容器並不自該輸出輻射實質上移除該紫外線分量。
10.如前述條項中任一項之光子源裝置，其中該第一容器及該第二容器形成在出故障之後可作為一單一單元而替換的一單一整合式裝置。
11.如前述條項中任一項之光子源裝置，其中該以輻射產生電漿為基礎之光子源裝置包含：- 一驅動系統，其用於產生該驅動輻射且將該驅動輻射形成為聚焦於該第一容器內之一電漿形成區上之至少一光束；及- 一收集光學系統，其用於收集由該輻射光束在該電漿部位處維持之一電漿發射之光子且將該等經收集光子形成為至少一輸出輻射光束。
12.如條項11之光子源裝置，其中該驅動系統經組態以將該電漿維持為呈一狹長形式，該形式沿著一縱向軸線具有實質上大於其在橫向於該縱向軸線之至少一方向上之直徑的一長度，且其中該收集光學系統經組態以沿著該縱向軸線自該電漿之一末端收集自該電漿出射 之光子。
13.如條項11或12之光子源裝置，其中該驅動系統包括用於產生該輻射光束之至少一雷射。
14.如條項11、12或13之光子源裝置，其中該驅動輻射具有主要在一第一範圍內之波長，例如紅外線波長，且該輸出輻射具有主要在不同於該第一範圍的一第二範圍內之波長，例如，可見及/或紫外線輻射。
15.如條項11至14中任一項之光子源裝置，其中該驅動系統經配置以沿著該縱向軸線將該驅動輻射遞送於該電漿之與該等經收集光子出射所來自之該末端相對的一末端。
16.如條項11至15中任一項之光子源裝置，其中該驅動系統經配置以在橫向於該縱向方向之一方向上將該驅動輻射遞送至該電漿形成部位。
17.如條項16之光子源裝置，其中該驅動系統經配置以將該驅動輻射聚焦成對應於該電漿之該狹長形式的一實質上線聚焦。
18.如條項11至17中任一項之光子源裝置，其進一步包括定位於該電漿形成部位之相對側上的兩個或兩個以上電極，該兩個或兩個以上電極用來在操作之前對該電漿進行點火，該等電極被置放成離開該縱向軸線。
19.如條項18之光子源裝置，其中該等電極定位於正交於該縱向軸線之一軸線上。
20.如條項19之光子源裝置，其中該等電極、該驅動系統及該收集光學系統經配置於相互正交之三個軸線上。
21.如條項11至20中任一項之光子源裝置，其進一步包含一反射器，該反射器經定位且經塑形以將在一縱向方向上自該電漿之一相對末端出射的光子反射回至該電漿中。
22.如條項11至21中任一項之光子源裝置，其進一步包含一或多個反射器，該一或多個反射器經定位且經塑形以將在橫向於該電漿之該縱向方向的一或多個方向上出射的光子反射回至該電漿中。
23.一種量測已藉由一微影程序而在一基板上形成之結構之一屬性的方法，該方法包含如下步驟：(a)使用一如條項1至22中任一項之光子源裝置之輸出輻射來照明該等結構；(b)偵測由該等結構繞射之輻射；及(c)自該繞射輻射之屬性判定該結構之一或多個屬性。
24.一種用於量測一基板上之一結構之一屬性的檢測裝置，該裝置包含：- 用於該基板之一支撐件，該基板在其上具有該結構；- 一光學系統，其用於在預定照明條件下照明該結構且用於偵測由該等組件目標結構在該等照明條件下繞射之輻射之預定部分；- 一處理器，其經配置以處理特性化該經偵測輻射之資訊以獲得該結構之該屬性之一量測，其中該光學系統包括一如條項1至22中任一項之光子源裝置。
25.一種微影系統，其包含：- 一微影裝置，其包含：- 一照明光學系統，其經配置以照明一圖案；- 一投影光學系統，其經配置以將該圖案之一影像投影至一基板上；及- 一如條項24之檢測裝置，其中該微影裝置經配置以使用來自該檢測裝置之量測結果以將該圖案施加至另外基板。
26.一種製造元件之方法，其中使用一微影程序將一元件圖案 施加至一系列基板，該方法包括：使用一如條項23之方法來檢測作為該元件圖案之部分或除了該元件圖案以外而形成於該等基板中之至少一者上的至少一複合目標結構；及根據該檢測方法之結果而針對稍後基板來控制該微影程序。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。如已經所提及，本發明可應用於與微影完全分離之工業處理應用中。實例可能在光學組件之生產、汽車製造、構造--存在呈以遍及產品之某一空間分佈進行之量測之形式的物件資料之任何數目個應用中。如在微影之實例中，經受多變量分析之量測之集合可為對不同產品單元及/或量測相同產品單元之不同個例而進行的量測。儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他類型之微影(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化元件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。如上文所提及，在驅動系統之內容背景中之術語輻射亦可涵蓋微波輻射。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中任 一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。
本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
應瞭解，【實施方式】章節而非【發明內容】及【中文發明摘要】章節意欲用以解譯申請專利範圍。【發明內容】及【中文發明摘要】章節可闡述如由本發明之發明人所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，不意欲以任何方式來限制本發明及附加申請專利範圍。
上文已憑藉說明特定功能及該等功能之關係之實施之功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置區塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文之措辭或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之 術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。
本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。

Claims (14)

  1. 一種以輻射產生電漿為基礎之光子源裝置，其包含：一第一容器，其用於含有一氣態介質，在該氣態介質中在由一驅動輻射激發之後產生一電漿；及一第二容器，其圍封該第一容器，其中該以輻射產生電漿為基礎之光子源裝置可操作以發射包含複數個分量波長之輸出輻射，該輻射進一步包含一紫外線分量；該第二容器為氣密密封式且可操作以自該輸出輻射實質上移除該紫外線分量；且氛圍包含空氣。
  2. 如請求項1之光子源裝置，其中該第二容器包含可操作以透射該輸出輻射中之至少一些之一光透射器件。
  3. 如請求項1之光子源裝置，其中該第二容器包含可操作以透射該驅動輻射以產生該電漿之一光透射器件。
  4. 如請求項1之光子源裝置，其中該第二容器包含可操作以自該輸出輻射實質上移除該紫外線分量之一濾光器件。
  5. 如請求項4之光子源裝置，其中該濾光器件可操作以自該輸出輻射實質上移除一紅外線分量。
  6. 如請求項1之光子源裝置，其中該第一容器及該第二容器形成在出故障之後可作為一單一單元而替換的一單一整合式裝置。
  7. 如請求項1之光子源裝置，其中該以輻射產生電漿為基礎之光子源裝置包含：一驅動系統，其用於產生該驅動輻射且將該驅動輻射形成為聚焦於該第一容器內之一電漿形成區上之至少一光束；及 一收集光學系統，其用於收集由該輻射光束在該電漿部位處維持之一電漿發射之光子且將該等經收集光子形成為至少一輸出輻射光束。
  8. 如請求項7之光子源裝置，其中該驅動系統經組態以將該電漿維持為呈一狹長形式，該形式沿著一縱向軸線具有實質上大於其在橫向於該縱向軸線之至少一方向上之直徑的一長度，且其中該收集光學系統經組態以沿著該縱向軸線自該電漿之一末端收集自該電漿出射之光子。
  9. 如請求項7之光子源裝置，其中該驅動系統包括用於產生該輻射光束之至少一雷射。
  10. 如請求項7之光子源裝置，其進一步包括定位於該電漿形成部位之相對側上的兩個或兩個以上電極，該兩個或兩個以上電極用來在操作之前對該電漿進行點火，該等電極被置放成離開該縱向軸線。
  11. 一種量測已藉由一微影程序而在一基板上形成之結構之一屬性的方法，該方法包含如下步驟：(a)使用一如請求項1至10中任一項之光子源裝置之輸出輻射來照明該等結構；(b)偵測由該等結構繞射之輻射；及(c)自該繞射輻射之屬性判定該結構之一或多個屬性。
  12. 一種用於量測一基板上之一結構之一屬性的檢測裝置，該裝置包含：用於該基板之一支撐件，該基板在其上具有該結構；一光學系統，其用於在預定照明條件下照明該結構且用於偵測由該等組件目標結構在該等照明條件下繞射之輻射之預定部分； 一處理器，其經配置以處理特性化該經偵測輻射之資訊以獲得該結構之該屬性之一量測，其中該光學系統包括一如請求項1至10中任一項之光子源裝置。
  13. 一種微影系統，其包含：一微影裝置，其包含：一照明光學系統，其經配置以照明一圖案；一投影光學系統，其經配置以將該圖案之一影像投影至一基板上；及一如請求項12之檢測裝置，其中該微影裝置經配置以使用來自該檢測裝置之量測結果以將該圖案施加至另外基板。
  14. 一種製造元件之方法，其中使用一微影程序將一元件圖案施加至一系列基板，該方法包括：使用一如請求項11之方法來檢測作為該元件圖案之部分或除了該元件圖案以外而形成於該等基板中之至少一者上的至少一複合目標結構；及根據該檢測方法之結果而針對稍後基板來控制該微影程序。
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