JP3367167B2 - 照明光学装置、該装置に使用される放電ランプ、及び露光装置 - Google Patents
照明光学装置、該装置に使用される放電ランプ、及び露光装置Info
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70016—Production of exposure light, i.e. light sources by discharge lamps
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- H01J61/86—Lamps with discharge constricted by high pressure with discharge additionally constricted by close spacing of electrodes, e.g. for optical projection
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は水銀ランプ等の放電ラン
プ、その放電ランプからの光で被照明物体を照明する照
明光学装置、及びその照明光学装置を備える露光装置に
関する。
プ、その放電ランプからの光で被照明物体を照明する照
明光学装置、及びその照明光学装置を備える露光装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、放電ランプからの光で被照明物体
を照明する装置が種々の分野で様々な用途に使用されて
いるが、中でもＬＳＩ等の半導体素子又は液晶表示素子
等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に使用される
縮小投影型露光装置（ステッパー、アライナー等）にお
いては、超高圧水銀ランプ（Ｈｇランプ、Ｘｅ−Ｈｇラ
ンプ等）から出力される光の内の特定の波長の光（波長
３６５ｎｍのｉ線、波長４３６ｎｍのｇ線等）で転写用
のパターンが形成されたレチクルを照明する装置が使用
されている。
を照明する装置が種々の分野で様々な用途に使用されて
いるが、中でもＬＳＩ等の半導体素子又は液晶表示素子
等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に使用される
縮小投影型露光装置（ステッパー、アライナー等）にお
いては、超高圧水銀ランプ（Ｈｇランプ、Ｘｅ−Ｈｇラ
ンプ等）から出力される光の内の特定の波長の光（波長
３６５ｎｍのｉ線、波長４３６ｎｍのｇ線等）で転写用
のパターンが形成されたレチクルを照明する装置が使用
されている。
【０００３】斯かる投影露光装置においては、より一層
微細なパターンを高い解像度で感光基板上に転写するた
めに多大の努力が続けられている。一般に、投影露光装
置の投影光学系の開口数をＮＡ、露光光の波長をλとす
ると、その投影露光装置の解像度Ｒ及び焦点深度ＤＯＦ
は次のように表すことができる。
微細なパターンを高い解像度で感光基板上に転写するた
めに多大の努力が続けられている。一般に、投影露光装
置の投影光学系の開口数をＮＡ、露光光の波長をλとす
ると、その投影露光装置の解像度Ｒ及び焦点深度ＤＯＦ
は次のように表すことができる。
【０００４】
【数１】Ｒ＝ｋ1 ・λ／ＮＡ
【０００５】
【数２】ＤＯＦ＝ｋ2 ・λ／ＮＡ2
但し、上式において、ｋ1 及びｋ2 はそれぞれプロセス
によって決まる係数である。上式によれば、パターンの
微細化は次の２つの手法の何れかにより達成される。
によって決まる係数である。上式によれば、パターンの
微細化は次の２つの手法の何れかにより達成される。
【０００６】投影光学系の開口数ＮＡの拡大
露光光の波長（露光波長）λの短波長化
これら２つの手法の内の投影光学系の開口数について
は、近年開口数が０．５〜０．６といった大きな開口の
投影光学系が実現されており、これにより解像度は向上
している。しかしながら、単に投影光学系の開口数ＮＡ
を大きくすると、（数２）より、焦点深度ＤＯＦが開口
数ＮＡの自乗に反比例して小さくなるという不都合があ
る。一般に、実際の半導体プロセスにおいては、先工程
で段差の生じたウエハ上に回路パターンを露光する必要
があり、また、ウエハ自身の平面度誤差等を吸収する必
要もあるため、焦点深度ＤＯＦとしては充分大きな値が
確保される必要がある。
は、近年開口数が０．５〜０．６といった大きな開口の
投影光学系が実現されており、これにより解像度は向上
している。しかしながら、単に投影光学系の開口数ＮＡ
を大きくすると、（数２）より、焦点深度ＤＯＦが開口
数ＮＡの自乗に反比例して小さくなるという不都合があ
る。一般に、実際の半導体プロセスにおいては、先工程
で段差の生じたウエハ上に回路パターンを露光する必要
があり、また、ウエハ自身の平面度誤差等を吸収する必
要もあるため、焦点深度ＤＯＦとしては充分大きな値が
確保される必要がある。
【０００７】これに対して、露光波長λを短波長化する
方式では、（数２）から明らかなように、焦点深度ＤＯ
Ｆは露光光の波長λに比例して変化する。従って、露光
波長λの短波長化によって解像度を向上させる方が焦点
深度確保の点で有利となる。このような背景から、投影
露光装置における露光光としては、従来使用されていた
水銀ランプのｇ線（波長４３６ｎｍ）と呼ばれる輝線か
ら、現在では同じ水銀ランプのｉ線（波長３６５ｎｍ）
と呼ばれる輝線を使用することが主流となってきてい
る。
方式では、（数２）から明らかなように、焦点深度ＤＯ
Ｆは露光光の波長λに比例して変化する。従って、露光
波長λの短波長化によって解像度を向上させる方が焦点
深度確保の点で有利となる。このような背景から、投影
露光装置における露光光としては、従来使用されていた
水銀ランプのｇ線（波長４３６ｎｍ）と呼ばれる輝線か
ら、現在では同じ水銀ランプのｉ線（波長３６５ｎｍ）
と呼ばれる輝線を使用することが主流となってきてい
る。
【０００８】図１０は、従来の投影露光装置用の水銀ラ
ンプを光源とする照明光学装置の一例を示し、この図１
０において、水銀ランプ１の発光点は楕円鏡２内の第１
焦点Ｆ１上に配置されている。楕円鏡２の端部には水銀
ランプ１の電極部を通す開口部が形成され、楕円鏡２の
内面には、例えばアルミニウム又は種々の多層の誘電体
材料が蒸着され、その内面が反射面として作用する。水
銀ランプ１から放射された光Ｌは、楕円鏡２の内面で反
射されて光路折り曲げ用のミラー３に向かう。ミラー３
の反射面にもアルミニウム又は種々の多層の誘電体材料
が蒸着され、ミラー３で反射された光が、楕円鏡２の第
２焦点Ｆ２に集光され、この第２焦点Ｆ２上に光源像が
形成される。
ンプを光源とする照明光学装置の一例を示し、この図１
０において、水銀ランプ１の発光点は楕円鏡２内の第１
焦点Ｆ１上に配置されている。楕円鏡２の端部には水銀
ランプ１の電極部を通す開口部が形成され、楕円鏡２の
内面には、例えばアルミニウム又は種々の多層の誘電体
材料が蒸着され、その内面が反射面として作用する。水
銀ランプ１から放射された光Ｌは、楕円鏡２の内面で反
射されて光路折り曲げ用のミラー３に向かう。ミラー３
の反射面にもアルミニウム又は種々の多層の誘電体材料
が蒸着され、ミラー３で反射された光が、楕円鏡２の第
２焦点Ｆ２に集光され、この第２焦点Ｆ２上に光源像が
形成される。
【０００９】この光源像からの発散光はコリメータレン
ズ４によりほぼ平行な光束に変換されて、狭帯域のバン
ドパスフィルタ５に入射する。バンドパスフィルタ５で
選択された波長の照明光がオプティカルインテグレータ
としてのフライアイレンズ６に入射し、このフライアイ
レンズ６の後側（レチクル側）焦点面に多数の２次光源
が形成される。これら多数の２次光源からの発散光は、
光路折り曲げ用のミラー７で反射された後にコンデンサ
ーレンズ８により集光されて、被照射面としてのレチク
ル９のパターン形成面を重畳的に照明する。ミラー７の
反射面にもアルミニウム又は種々の多層の誘電体材料が
蒸着されている。
ズ４によりほぼ平行な光束に変換されて、狭帯域のバン
ドパスフィルタ５に入射する。バンドパスフィルタ５で
選択された波長の照明光がオプティカルインテグレータ
としてのフライアイレンズ６に入射し、このフライアイ
レンズ６の後側（レチクル側）焦点面に多数の２次光源
が形成される。これら多数の２次光源からの発散光は、
光路折り曲げ用のミラー７で反射された後にコンデンサ
ーレンズ８により集光されて、被照射面としてのレチク
ル９のパターン形成面を重畳的に照明する。ミラー７の
反射面にもアルミニウム又は種々の多層の誘電体材料が
蒸着されている。
【００１０】全体の光学系は、光路を折り曲げるための
ミラー３及び７によりコンパクトにまとめられている。
また、集光鏡としての楕円鏡２の内面、ミラー３の反射
面及びミラー７の反射面は、それぞれ露光光の波長で最
大の反射率が得られるように設計されている。図１０の
水銀ランプ１としては、超高圧水銀ランプが使用される
が、この超高圧水銀ランプの発光スペクトル分布を図１
１に示す。また、反射面にアルミニウムが蒸着されたア
ルミニウム反射鏡の反射率の波長依存性を図１２（ａ）
に、反射面に多層の誘電体膜が蒸着された従来の代表的
な誘電体多層膜反射鏡の反射率の波長依存性を図１２
（ｂ）に示す。更に、露光光がｉ線（波長３６５ｎｍ）
である場合の図１０のバンドパスフィルタ５の透過率の
波長依存性を図１３に示す。このような構成により、ｉ
線の照明光が選択され、この選択された照明光によりレ
チクル９のパターンが均一な照度分布で照明され、レチ
クル９のパターンの像が図示省略された投影光学系を介
して感光基板上に結像されていた。
ミラー３及び７によりコンパクトにまとめられている。
また、集光鏡としての楕円鏡２の内面、ミラー３の反射
面及びミラー７の反射面は、それぞれ露光光の波長で最
大の反射率が得られるように設計されている。図１０の
水銀ランプ１としては、超高圧水銀ランプが使用される
が、この超高圧水銀ランプの発光スペクトル分布を図１
１に示す。また、反射面にアルミニウムが蒸着されたア
ルミニウム反射鏡の反射率の波長依存性を図１２（ａ）
に、反射面に多層の誘電体膜が蒸着された従来の代表的
な誘電体多層膜反射鏡の反射率の波長依存性を図１２
（ｂ）に示す。更に、露光光がｉ線（波長３６５ｎｍ）
である場合の図１０のバンドパスフィルタ５の透過率の
波長依存性を図１３に示す。このような構成により、ｉ
線の照明光が選択され、この選択された照明光によりレ
チクル９のパターンが均一な照度分布で照明され、レチ
クル９のパターンの像が図示省略された投影光学系を介
して感光基板上に結像されていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のような構成の照
明光学装置を、外界に開放された状態で運転した場合、
水銀ランプ１からバンドパスフィルタ５までの光学部材
（図１０の場合、楕円鏡２、光路折り曲げ用のミラー
３、コリメータレンズ４、バンドパスフィルタ５の入射
面）の表面に白色の粉末が付着し、反射率あるいは透過
率が低下し、照明効率の低下を招くという不都合があ
る。分析の結果、その白色粉末は硫酸アンモニウム（Ｎ
Ｈ4)2 ＳＯ4 であることが判明し、この生成に関与する
物質は照明光学装置内に存在せず、外気から供給されて
いることが分かった。
明光学装置を、外界に開放された状態で運転した場合、
水銀ランプ１からバンドパスフィルタ５までの光学部材
（図１０の場合、楕円鏡２、光路折り曲げ用のミラー
３、コリメータレンズ４、バンドパスフィルタ５の入射
面）の表面に白色の粉末が付着し、反射率あるいは透過
率が低下し、照明効率の低下を招くという不都合があ
る。分析の結果、その白色粉末は硫酸アンモニウム（Ｎ
Ｈ4)2 ＳＯ4 であることが判明し、この生成に関与する
物質は照明光学装置内に存在せず、外気から供給されて
いることが分かった。
【００１２】これを回避するための一方法として、硫酸
アンモニウムの分解が１２０℃程度から始まる（化学大
辞典編集委員会編：「化学大辞典」、Vol.9 、P690、共
立出版、1964参照）ことを利用して、上記光学部材を当
該温度以上に保つ方法が、特開平４−１２８７０２号公
報において開示されている。この方法を実際に適用する
場合、水銀ランプ１という大きな「熱源」に近接する楕
円鏡２は比較的容易に高温化が可能である。しかしなが
ら、その他の光学部材は、かなり大きな新たな熱源を必
要とすることから、特に厳重な温度管理を必要とする半
導体露光装置の場合、その排熱方法が大きな問題とな
る。
アンモニウムの分解が１２０℃程度から始まる（化学大
辞典編集委員会編：「化学大辞典」、Vol.9 、P690、共
立出版、1964参照）ことを利用して、上記光学部材を当
該温度以上に保つ方法が、特開平４−１２８７０２号公
報において開示されている。この方法を実際に適用する
場合、水銀ランプ１という大きな「熱源」に近接する楕
円鏡２は比較的容易に高温化が可能である。しかしなが
ら、その他の光学部材は、かなり大きな新たな熱源を必
要とすることから、特に厳重な温度管理を必要とする半
導体露光装置の場合、その排熱方法が大きな問題とな
る。
【００１３】本発明は斯かる点に鑑み、新たに大きな熱
源を設けるか、又は不純物ガスの除去機構を特別に設け
ることなく、光学部材に付着する硫酸アンモニウムの白
色粉末の量を減少することを目的とする。
源を設けるか、又は不純物ガスの除去機構を特別に設け
ることなく、光学部材に付着する硫酸アンモニウムの白
色粉末の量を減少することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の照明
光学装置は、放電ランプ（１）と、この放電ランプから
の光を反射及び集光する反射集光部材（２）と、この反
射集光部材により集光された光から３５０ｎｍ以上の所
定の波長域の光を選択する波長選択部材（５）とを有
し、この波長選択部材で選択された光で被照明物体
（９）を照明する照明光学装置において、放電ランプ
（１）と、放電ランプ（１）から波長選択部材（５）ま
での光路中に配された光学部材との少なくとも一つを、
中空部（Ｓ）を有する光透過性部材（１１，１４）（例
えば二重のバルブ構造）から構成し、中空部（Ｓ）に２
６０ｎｍ〜３４０ｎｍの波長域の光に対して吸収性を有
する流体（気体、金属蒸気、液体等）を封入するか又は
流通させるようにしたものである。
光学装置は、放電ランプ（１）と、この放電ランプから
の光を反射及び集光する反射集光部材（２）と、この反
射集光部材により集光された光から３５０ｎｍ以上の所
定の波長域の光を選択する波長選択部材（５）とを有
し、この波長選択部材で選択された光で被照明物体
（９）を照明する照明光学装置において、放電ランプ
（１）と、放電ランプ（１）から波長選択部材（５）ま
での光路中に配された光学部材との少なくとも一つを、
中空部（Ｓ）を有する光透過性部材（１１，１４）（例
えば二重のバルブ構造）から構成し、中空部（Ｓ）に２
６０ｎｍ〜３４０ｎｍの波長域の光に対して吸収性を有
する流体（気体、金属蒸気、液体等）を封入するか又は
流通させるようにしたものである。
【００１５】また、本発明の第２の照明光学装置は、放
電ランプ（１）と、この放電ランプが発する光を反射及
び集光する反射集光部材（２）と、この反射集光部材に
より集光された光から３５０ｎｍ以上の所定の波長域の
光を選択する波長選択部材（５）とを有し、この波長選
択部材で選択された光で被照明物体（９）を照明する照
明光学装置において、放電ランプ（１）と、放電ランプ
（１）から波長選択部材（５）までの光路中に配された
光学部材との少なくとも一つの表面に、放電ランプ
（１）が発する光に含まれる２６０ｎｍ〜３４０ｎｍの
波長域の光に対して吸収性又は反射性を有する薄膜を被
着したものである。
電ランプ（１）と、この放電ランプが発する光を反射及
び集光する反射集光部材（２）と、この反射集光部材に
より集光された光から３５０ｎｍ以上の所定の波長域の
光を選択する波長選択部材（５）とを有し、この波長選
択部材で選択された光で被照明物体（９）を照明する照
明光学装置において、放電ランプ（１）と、放電ランプ
（１）から波長選択部材（５）までの光路中に配された
光学部材との少なくとも一つの表面に、放電ランプ
（１）が発する光に含まれる２６０ｎｍ〜３４０ｎｍの
波長域の光に対して吸収性又は反射性を有する薄膜を被
着したものである。
【００１６】また、本発明の第３の照明光学装置は、そ
の第２の照明光学装置と同じ前提部において、放電ラン
プ（１）と、放電ランプ（１）から波長選択部材（５）
までの光路中に配された光学部材との少なくとも一つ
を、放電ランプ（１）が発する光に含まれる２６０ｎｍ
〜３４０ｎｍの波長域の光に対して吸収性を有する材料
（吸収性を有する物質をドーピングした材料又は吸収性
を有する材料自体）から形成したものである。
の第２の照明光学装置と同じ前提部において、放電ラン
プ（１）と、放電ランプ（１）から波長選択部材（５）
までの光路中に配された光学部材との少なくとも一つ
を、放電ランプ（１）が発する光に含まれる２６０ｎｍ
〜３４０ｎｍの波長域の光に対して吸収性を有する材料
（吸収性を有する物質をドーピングした材料又は吸収性
を有する材料自体）から形成したものである。
【００１７】また、本発明の第１の放電ランプ（１）
は、一対の電極（１３Ａ，１３Ｂ）を有する内側バルブ
（１１）と、内側バルブ（１１）を囲む外側バルブ（１
４）と、内側バルブ（１１）と外側バルブ（１４）との
間に設けられ、３４０ｎｍ以下の波長域の光に対して吸
収性を有するガス体又は物質とを備えるものである。さ
らに、本発明の第２の放電ランプ（１）は、放電ランプ
のバルブ（１９）を、３４０ｎｍ以下の波長域の光に対
して吸収性を有する材料で形成したものである。また、
本発明の第３の放電ランプ（１）は、放電ランプのバル
ブ（１９）の表面に、２６０ｎｍ〜３４０ｎｍの波長域
の光に対して吸収性又は反射性を有する薄膜を被着した
ものである。また、本発明の第４の照明光学装置は、上
記の本発明の放電ランプを備えるものである。また、本
発明の露光装置は、上記の本発明の照明光学装置を備え
るものである。
は、一対の電極（１３Ａ，１３Ｂ）を有する内側バルブ
（１１）と、内側バルブ（１１）を囲む外側バルブ（１
４）と、内側バルブ（１１）と外側バルブ（１４）との
間に設けられ、３４０ｎｍ以下の波長域の光に対して吸
収性を有するガス体又は物質とを備えるものである。さ
らに、本発明の第２の放電ランプ（１）は、放電ランプ
のバルブ（１９）を、３４０ｎｍ以下の波長域の光に対
して吸収性を有する材料で形成したものである。また、
本発明の第３の放電ランプ（１）は、放電ランプのバル
ブ（１９）の表面に、２６０ｎｍ〜３４０ｎｍの波長域
の光に対して吸収性又は反射性を有する薄膜を被着した
ものである。また、本発明の第４の照明光学装置は、上
記の本発明の放電ランプを備えるものである。また、本
発明の露光装置は、上記の本発明の照明光学装置を備え
るものである。
【００１８】
【作用】本発明の原理につき説明する。本発明者は、空
気中に存在する微量物質から硫酸アンモニウム（ＮＨ4)
2 ＳＯ4 の白色粉末が生成されるに至るプロセスを再度
検討した。上述したように、ｉ線を照明光として利用す
る照明光学装置であっても、付着箇所がバンドパスフィ
ルタ（図１０のバンドパスフィルタ５）の入射面までに
限られることから、３６５ｎｍ未満の波長域の光が関与
する光化学反応が想定できる。
気中に存在する微量物質から硫酸アンモニウム（ＮＨ4)
2 ＳＯ4 の白色粉末が生成されるに至るプロセスを再度
検討した。上述したように、ｉ線を照明光として利用す
る照明光学装置であっても、付着箇所がバンドパスフィ
ルタ（図１０のバンドパスフィルタ５）の入射面までに
限られることから、３６５ｎｍ未満の波長域の光が関与
する光化学反応が想定できる。
【００１９】一般に空気中には、微量の二酸化硫黄ＳＯ
2(亜硫酸）、アンモニアＮＨ3 が極く普通に存在し、半
導体露光装置が運転されるクリーンルーム内でも同様で
ある。これらと、空気中の酸素Ｏ2 、水Ｈ2 Ｏを原料と
してエネルギーｈν（ｈはプランク定数、νは振動数）
の紫外線との間に次の反応プロセスが想定される。 二酸化硫黄ＳＯ2 が紫外線エネルギーを得て活性化二
酸化硫黄ＳＯ2 *となる。
2(亜硫酸）、アンモニアＮＨ3 が極く普通に存在し、半
導体露光装置が運転されるクリーンルーム内でも同様で
ある。これらと、空気中の酸素Ｏ2 、水Ｈ2 Ｏを原料と
してエネルギーｈν（ｈはプランク定数、νは振動数）
の紫外線との間に次の反応プロセスが想定される。 二酸化硫黄ＳＯ2 が紫外線エネルギーを得て活性化二
酸化硫黄ＳＯ2 *となる。
【００２０】
【化１】ＳＯ2 ＋ｈν→ＳＯ2 *
活性化二酸化硫黄ＳＯ2 *が酸化され三酸化硫黄ＳＯ3
となる。
となる。
【００２１】
【化２】２ＳＯ2 *＋Ｏ2 →２ＳＯ3
三酸化硫黄ＳＯ3 が水と反応し硫酸Ｈ2 ＳＯ4 とな
る。
る。
【００２２】
【化３】ＳＯ3 ＋Ｈ2 Ｏ→Ｈ2 ＳＯ4
アンモニアＮＨ3 が水と反応し水酸化アンモニウムＮ
Ｈ4 ＯＨとなる。
Ｈ4 ＯＨとなる。
【００２３】
【化４】ＮＨ3 ＋Ｈ2 Ｏ→ＮＨ4 ＯＨ
の硫酸Ｈ2 ＳＯ4 との水酸化アンモニウムＮＨ4
ＯＨとが反応（中和）し、硫酸アンモニウム（ＮＨ4)2
ＳＯ4(塩）を生成する。
ＯＨとが反応（中和）し、硫酸アンモニウム（ＮＨ4)2
ＳＯ4(塩）を生成する。
【００２４】
【化５】
Ｈ2 ＳＯ4 ＋２ＮＨ4 ＯＨ→（ＮＨ4)2 ＳＯ4 ＋２Ｈ2 Ｏ
以上は「千葉大学環境科学研究報告、第１巻、第１号、
PP165 〜177 」を参考とした。本発明者は、以上の反応
の内、の反応を抑えることができれば、硫酸アンモニ
ウムの生成を抑制できることに着目した。別文献（H.Ok
abe:"Photochemistoryof Small Molecules",P248,Wiley
-Inter Science,1978）によれば、二酸化硫黄は、次の
４つの吸収帯を持つ。 １０５〜１８０ｎｍ １８０〜２４０ｎｍ ２６０〜３４０ｎｍ ３４０〜３９０ｎｍ
PP165 〜177 」を参考とした。本発明者は、以上の反応
の内、の反応を抑えることができれば、硫酸アンモニ
ウムの生成を抑制できることに着目した。別文献（H.Ok
abe:"Photochemistoryof Small Molecules",P248,Wiley
-Inter Science,1978）によれば、二酸化硫黄は、次の
４つの吸収帯を持つ。 １０５〜１８０ｎｍ １８０〜２４０ｎｍ ２６０〜３４０ｎｍ ３４０〜３９０ｎｍ
【００２５】しかしながら、超高圧水銀ランプは波長２
４０ｎｍ以下に殆ど発光が無いことと、及び経験的にバ
ンドパスフィルタ以降の光学系では硫酸アンモニウムの
発生が認められないことから、２６０〜３４０ｎｍの紫
外線がこの反応に主要な役割を果たしていると考えられ
る。従って、上記波長域の紫外線を可能な限り水銀ラン
プに近い位置で遮断できれば硫酸アンモニウム付着によ
る照明効率低下を軽減できる。
４０ｎｍ以下に殆ど発光が無いことと、及び経験的にバ
ンドパスフィルタ以降の光学系では硫酸アンモニウムの
発生が認められないことから、２６０〜３４０ｎｍの紫
外線がこの反応に主要な役割を果たしていると考えられ
る。従って、上記波長域の紫外線を可能な限り水銀ラン
プに近い位置で遮断できれば硫酸アンモニウム付着によ
る照明効率低下を軽減できる。
【００２６】そこで、本発明の第１の照明光学装置で
は、例えば二重バルブ構造中にその波長域の光を吸収す
る流体を封入又は流通させて、その波長域の光を遮断し
ている。また、第２の照明光学装置では、その波長域の
光を吸収又は反射する薄膜を所定の光学部材の表面に例
えばコーティングして、その波長域の光を遮断してい
る。また、第３の照明光学装置では、その波長域の光を
吸収する材料から所定の光学部材を形成して、その波長
域の光を遮断している。この際に、光の発生源は放電ラ
ンプであるため、その放電ランプ自体にそのような処理
を施すことにより、以降の全ての光学部材への白色粉末
の付着を効果的に防止できる。
は、例えば二重バルブ構造中にその波長域の光を吸収す
る流体を封入又は流通させて、その波長域の光を遮断し
ている。また、第２の照明光学装置では、その波長域の
光を吸収又は反射する薄膜を所定の光学部材の表面に例
えばコーティングして、その波長域の光を遮断してい
る。また、第３の照明光学装置では、その波長域の光を
吸収する材料から所定の光学部材を形成して、その波長
域の光を遮断している。この際に、光の発生源は放電ラ
ンプであるため、その放電ランプ自体にそのような処理
を施すことにより、以降の全ての光学部材への白色粉末
の付着を効果的に防止できる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明の第１実施例につき図１〜図４
を参照して説明する。本実施例は図８の照明光学装置に
おいて、水銀ランプ１の構成を二重バルブ構造に変えた
ものであり、以下では本実施例で使用する水銀ランプの
構成につき説明する。図１（ａ）は、本実施例の水銀ラ
ンプを示し、この図１（ａ）において、中央部が球面状
に膨らんだ円筒状の内側バルブ１１の両端部を口金１２
Ａ及び１２Ｂで密閉し、口金１２Ａ及び１２Ｂを通して
内側バルブ１１の内部の中空部に、電極１３Ａ及び１３
Ｂを差し込む。内側バルブ１１内の中空部には水銀ラン
プとしての発光を行うための材料を封入し、内側バルブ
１１は通常の超高圧水銀ランプとして発光させる。更
に、内側バルブ１１を囲むように中央部が球面状に膨ら
んだ円筒状の外側バルブ１４を配し、内側バルブ１１と
外側バルブ１４との間の両端部を口金１５Ａ及び１５Ｂ
で密閉し、内側バルブ１１と外側バルブ１４との間の空
間Ｓに２６０〜３４０ｎｍの波長域の光を吸収するガス
体を封入する。
を参照して説明する。本実施例は図８の照明光学装置に
おいて、水銀ランプ１の構成を二重バルブ構造に変えた
ものであり、以下では本実施例で使用する水銀ランプの
構成につき説明する。図１（ａ）は、本実施例の水銀ラ
ンプを示し、この図１（ａ）において、中央部が球面状
に膨らんだ円筒状の内側バルブ１１の両端部を口金１２
Ａ及び１２Ｂで密閉し、口金１２Ａ及び１２Ｂを通して
内側バルブ１１の内部の中空部に、電極１３Ａ及び１３
Ｂを差し込む。内側バルブ１１内の中空部には水銀ラン
プとしての発光を行うための材料を封入し、内側バルブ
１１は通常の超高圧水銀ランプとして発光させる。更
に、内側バルブ１１を囲むように中央部が球面状に膨ら
んだ円筒状の外側バルブ１４を配し、内側バルブ１１と
外側バルブ１４との間の両端部を口金１５Ａ及び１５Ｂ
で密閉し、内側バルブ１１と外側バルブ１４との間の空
間Ｓに２６０〜３４０ｎｍの波長域の光を吸収するガス
体を封入する。
【００２８】既に説明したように、半導体露光装置用の
水銀ランプとして使用される所謂超高圧水銀ランプは、
図１１に示すような発光スペクトル分布を持っている。
この図１１で分かるように、超高圧水銀ランプは、白色
粉末の付着（曇り）現象に関与する２６０〜３４０ｎｍ
の波長域にも分布を持っている。そこで、図１（ａ）に
示す二重バルブ構造の内側バルブ１１と外側バルブ１４
との間に、２６０〜３４０ｎｍの波長域に吸収特性をも
つガス体を封入する。そのような吸収特性を持つガス体
には、ルビジウムの金属蒸気やセシウムの金属蒸気等が
ある。
水銀ランプとして使用される所謂超高圧水銀ランプは、
図１１に示すような発光スペクトル分布を持っている。
この図１１で分かるように、超高圧水銀ランプは、白色
粉末の付着（曇り）現象に関与する２６０〜３４０ｎｍ
の波長域にも分布を持っている。そこで、図１（ａ）に
示す二重バルブ構造の内側バルブ１１と外側バルブ１４
との間に、２６０〜３４０ｎｍの波長域に吸収特性をも
つガス体を封入する。そのような吸収特性を持つガス体
には、ルビジウムの金属蒸気やセシウムの金属蒸気等が
ある。
【００２９】参考文献（R.D.HUDSON and L.J.KIEFFER,"
COMPILATION OF ATOMIC ULTRAVIOLET PHOTOABSORPTION
CROSS SECTIONS FOR WAVELENGTHS BETWEEN 3000 AND 10
Å",ATOMIC DATA 2,P.205-P.262(1971) ）の２３５頁
及び２５３頁によると、ルビジウム蒸気の吸収断面積ス
ペクトルは図２、セシウム蒸気の吸収断面積は図３のよ
うになっている。
COMPILATION OF ATOMIC ULTRAVIOLET PHOTOABSORPTION
CROSS SECTIONS FOR WAVELENGTHS BETWEEN 3000 AND 10
Å",ATOMIC DATA 2,P.205-P.262(1971) ）の２３５頁
及び２５３頁によると、ルビジウム蒸気の吸収断面積ス
ペクトルは図２、セシウム蒸気の吸収断面積は図３のよ
うになっている。
【００３０】図２及び図３で示すように、ルビジウム蒸
気やセシウム蒸気は３４０ｎｍ以下の波長域に大きな吸
収断面積を持つ。そのため、これらの金属蒸気を図１
（ａ）の二重バルブの中に封じ込めることにより、超高
圧水銀ランプである内側バルブ１１の放射光から、曇り
現象に関与する波長域の光を除去できるようになる。ま
た、金属蒸気の他に、同様な吸収特性を持つ物質には、
オゾンガスが挙げられる。酸素（Ｏ2)ガス及びオゾン
（Ｏ3)ガスの吸収断面積スペクトルをそれぞれ図４の曲
線１７及び１８で示す。図４から分かるように、オゾン
（Ｏ3)ガスの吸収スペクトルは３４０ｎｍ以下の波長域
に理想的な吸収特性を持つ。但し、オゾンガスの場合は
金属蒸気と異なり、光化学反応によりＯやＯ2 に解離す
る。酸素の光化学反応は、以下のような形となる。但
し、以下の化学式において、Ｍは酸素原子（Ｏ）以外の
任意の原子、分子、又はイオンであり、Ｍを第３体と呼
んでいる。第３体であるＭは、例えば酸素分子（Ｏ2)又
は窒素分子（Ｎ2)等である。
気やセシウム蒸気は３４０ｎｍ以下の波長域に大きな吸
収断面積を持つ。そのため、これらの金属蒸気を図１
（ａ）の二重バルブの中に封じ込めることにより、超高
圧水銀ランプである内側バルブ１１の放射光から、曇り
現象に関与する波長域の光を除去できるようになる。ま
た、金属蒸気の他に、同様な吸収特性を持つ物質には、
オゾンガスが挙げられる。酸素（Ｏ2)ガス及びオゾン
（Ｏ3)ガスの吸収断面積スペクトルをそれぞれ図４の曲
線１７及び１８で示す。図４から分かるように、オゾン
（Ｏ3)ガスの吸収スペクトルは３４０ｎｍ以下の波長域
に理想的な吸収特性を持つ。但し、オゾンガスの場合は
金属蒸気と異なり、光化学反応によりＯやＯ2 に解離す
る。酸素の光化学反応は、以下のような形となる。但
し、以下の化学式において、Ｍは酸素原子（Ｏ）以外の
任意の原子、分子、又はイオンであり、Ｍを第３体と呼
んでいる。第３体であるＭは、例えば酸素分子（Ｏ2)又
は窒素分子（Ｎ2)等である。
【００３１】
【化６】
Ｏ2 ＋ｈν（λ≦２４０ｎｍ）→Ｏ＋Ｏ、
Ｏ3 ＋ｈν（λ≦２４０ｎｍ）→Ｏ2 ＋Ｏ、
Ｏ＋Ｏ＋Ｍ →Ｏ2 ＋Ｍ、
Ｏ＋Ｏ2 ＋Ｍ →Ｏ3 ＋Ｍ、
Ｏ＋Ｏ3 →２Ｏ2 、
Ｏ3 ＋Ｏ3 →３Ｏ2 、
Ｏ3 ＋Ｏ2 →Ｏ＋２Ｏ2
【００３２】この場合、図１（ａ）の二重バルブ構造内
の空間Ｓ内のオゾン濃度をどのくらいに設定するかは、
その二重バルブ構造内に封入されたＯ3 又はＯ2 は、上
記の反応によりやがては化学平衡へと落ちついていくこ
とを念頭において考えねばならない。結論からいうと、
オゾン濃度の初期値がどのようなものであれ、最終的に
はオゾン濃度は光化学反応により或る一定のレベルに落
ちつく。化学平衡状態における３４０ｎｍ以下の波長域
の光に対する吸収効率は、Ｏ3 とＯ2 との分子密度を計
算して図４より割り出せばよい。
の空間Ｓ内のオゾン濃度をどのくらいに設定するかは、
その二重バルブ構造内に封入されたＯ3 又はＯ2 は、上
記の反応によりやがては化学平衡へと落ちついていくこ
とを念頭において考えねばならない。結論からいうと、
オゾン濃度の初期値がどのようなものであれ、最終的に
はオゾン濃度は光化学反応により或る一定のレベルに落
ちつく。化学平衡状態における３４０ｎｍ以下の波長域
の光に対する吸収効率は、Ｏ3 とＯ2 との分子密度を計
算して図４より割り出せばよい。
【００３３】詳細については割愛するが、１つ計算方法
は、上記の各反応式において、反応エネルギー等を考慮
して近似的に無視できる反応を除いて、次の化学平衡の
式の条件（但し、ｎは各物質の個数の密度）等からその
密度を算出することになる。
は、上記の各反応式において、反応エネルギー等を考慮
して近似的に無視できる反応を除いて、次の化学平衡の
式の条件（但し、ｎは各物質の個数の密度）等からその
密度を算出することになる。
【００３４】
【数３】ｄｎ／ｄｔ＝０
ここで、Ｏ3 やＯ2 の解離速度をＪ［１／ｓｅｃ］、毎
秒単位波長当り単位面積を通過する光子数をｄＮ（λ）
／ｄλ［ｃｍ-2・ｓｅｃ・ｃｍ-1］、分子の光電吸収断
面積をσ（λ）［ｃｍ2 ］、（化６）中に示した波長λ
の最大値をλma x とすると、解離速度Ｊは次のようにな
る。但し、以下の式での積分範囲は０からλmax までで
ある。
秒単位波長当り単位面積を通過する光子数をｄＮ（λ）
／ｄλ［ｃｍ-2・ｓｅｃ・ｃｍ-1］、分子の光電吸収断
面積をσ（λ）［ｃｍ2 ］、（化６）中に示した波長λ
の最大値をλma x とすると、解離速度Ｊは次のようにな
る。但し、以下の式での積分範囲は０からλmax までで
ある。
【００３５】
【数４】Ｊ＝∫｛ｄＮ（λ）／ｄλ｝σ（λ）ｄλ
また、（化６）の反応速度については、周知の文献等の
値を流用すれば良い。図１（ａ）の二重バルブ構造内に
ガス体を封入する場合は、ガス体の圧力を上げることに
より、光の吸収効率を上げることが可能になる。但し、
光吸収による温度上昇が考えられるので、内側バルブ１
１又は外側バルブ１４のガラス材料としては、熱膨張係
数が小さく強度の大きいものを用いる必要があることに
留意すべきである。
値を流用すれば良い。図１（ａ）の二重バルブ構造内に
ガス体を封入する場合は、ガス体の圧力を上げることに
より、光の吸収効率を上げることが可能になる。但し、
光吸収による温度上昇が考えられるので、内側バルブ１
１又は外側バルブ１４のガラス材料としては、熱膨張係
数が小さく強度の大きいものを用いる必要があることに
留意すべきである。
【００３６】また、図１（ａ）では二重バルブ構造内に
ガス体を封入しているが、図１（ｂ）に示すように、内
側バルブ１１と外側バルブ１４との間の空間Ｓに２６０
〜３４０ｎｍの波長域の光を吸収するガス体を流しても
よい。図１（ｂ）においては、図示省略したガス体の供
給装置からパイプ１６Ａを介して空間Ｓ内にそのガス体
を所定の状態（濃度、圧力、流速、温度等）で供給し、
別のパイプ１６Ｂを介して図示省略した排気装置にその
ガス体を排出している。このように二重バルブ構造内に
ガス体を流通させることにより、光の吸収能力を高く維
持できる。
ガス体を封入しているが、図１（ｂ）に示すように、内
側バルブ１１と外側バルブ１４との間の空間Ｓに２６０
〜３４０ｎｍの波長域の光を吸収するガス体を流しても
よい。図１（ｂ）においては、図示省略したガス体の供
給装置からパイプ１６Ａを介して空間Ｓ内にそのガス体
を所定の状態（濃度、圧力、流速、温度等）で供給し、
別のパイプ１６Ｂを介して図示省略した排気装置にその
ガス体を排出している。このように二重バルブ構造内に
ガス体を流通させることにより、光の吸収能力を高く維
持できる。
【００３７】なお、図１（ｂ）のようにガス体を２重バ
ルブ構造中に流す場合は、圧力や温度の管理及び制御機
構が必要となる。しかしながら、金属蒸気では圧力や温
度の管理及び制御機構が大がかりになるため、装置全体
を簡略化するという条件下では、金属蒸気を用いる場合
は図１（ａ）に示すように二重バルブ構造内に封入する
に留めた方が良い。従って、図１（ｂ）のようにガス体
を２重バルブ構造中に流す場合は、通常はオゾンを流す
ことになる。この場合の化学平衡は上述のように封入す
る場合とは異なるため、改めてオゾン濃度の算出を行わ
なければならない。平衡に落ちつくまでの反応時間が流
速に比較して遅い場合はオゾン濃度を上げなければなら
ない。逆にオゾン濃度に対応して流速を変更してもよ
い。
ルブ構造中に流す場合は、圧力や温度の管理及び制御機
構が必要となる。しかしながら、金属蒸気では圧力や温
度の管理及び制御機構が大がかりになるため、装置全体
を簡略化するという条件下では、金属蒸気を用いる場合
は図１（ａ）に示すように二重バルブ構造内に封入する
に留めた方が良い。従って、図１（ｂ）のようにガス体
を２重バルブ構造中に流す場合は、通常はオゾンを流す
ことになる。この場合の化学平衡は上述のように封入す
る場合とは異なるため、改めてオゾン濃度の算出を行わ
なければならない。平衡に落ちつくまでの反応時間が流
速に比較して遅い場合はオゾン濃度を上げなければなら
ない。逆にオゾン濃度に対応して流速を変更してもよ
い。
【００３８】次に、本発明の第２実施例につき図５及び
図６を参照して説明する。本実施例は図８の照明光学装
置において、水銀ランプ１のランプガラスに所定の吸収
特性を有する不純物をドーピングしたものであり、以下
では本実施例で使用する水銀ランプの構成につき説明す
る。図５は、本実施例の水銀ランプを示し、この図５に
おいて、中央部が球面状に膨らんだ円筒状のバルブ１９
の両端部を口金１２Ａ及び１２Ｂで密閉し、口金１２Ａ
及び１２Ｂを通してバルブ１９の内部の中空部に、電極
１３Ａ及び１３Ｂを差し込む。バルブ１９内の中空部に
は水銀ランプとしての発光を行うための材料を封入し、
バルブ１９は通常の超高圧水銀ランプとして発光させ
る。そして、そのバルブ１９を形成するランプガラスと
しては、不純物のドーピングで３４０ｎｍ以下の波長領
域の光に吸収特性を持たせた石英ガラスを使用する。
図６を参照して説明する。本実施例は図８の照明光学装
置において、水銀ランプ１のランプガラスに所定の吸収
特性を有する不純物をドーピングしたものであり、以下
では本実施例で使用する水銀ランプの構成につき説明す
る。図５は、本実施例の水銀ランプを示し、この図５に
おいて、中央部が球面状に膨らんだ円筒状のバルブ１９
の両端部を口金１２Ａ及び１２Ｂで密閉し、口金１２Ａ
及び１２Ｂを通してバルブ１９の内部の中空部に、電極
１３Ａ及び１３Ｂを差し込む。バルブ１９内の中空部に
は水銀ランプとしての発光を行うための材料を封入し、
バルブ１９は通常の超高圧水銀ランプとして発光させ
る。そして、そのバルブ１９を形成するランプガラスと
しては、不純物のドーピングで３４０ｎｍ以下の波長領
域の光に吸収特性を持たせた石英ガラスを使用する。
【００３９】バルブ１９を形成する石英ガラスへのドー
ピング材料としては、例えばナトリウムＮａが挙げられ
る。但し、高温の環境下ではナトリウムＮａによりＳｉ
Ｏ2が結晶化し、白濁するので、図５のバルブ１９を少
なくとも１０００℃以下の温度になるように制御する必
要がある。また、ドーピング材料としては、ナトリウム
Ｎａの他に、例えば鉄Ｆｅ、鉛Ｐｂ、アルミニウムＡ
ｌ、ルビジウムＲｂ、又はセシウムＣｓ等も使用でき
る。
ピング材料としては、例えばナトリウムＮａが挙げられ
る。但し、高温の環境下ではナトリウムＮａによりＳｉ
Ｏ2が結晶化し、白濁するので、図５のバルブ１９を少
なくとも１０００℃以下の温度になるように制御する必
要がある。また、ドーピング材料としては、ナトリウム
Ｎａの他に、例えば鉄Ｆｅ、鉛Ｐｂ、アルミニウムＡ
ｌ、ルビジウムＲｂ、又はセシウムＣｓ等も使用でき
る。
【００４０】こうした不純物ドープを行ったガラスの他
に、市販のものでは例えばコーニング社製のＵＬＥTMチ
タン珪酸ガラス（商品番号７９７１）をそのままバルブ
１９の材料として使用できる。これは３００ｎｍ以下の
波長帯に吸収帯を持つので光学部材の曇り対策として有
効である。また、オハラ社のガラス材ＬＦ５Ｗ等も有効
である。オハラ社のガラス材ＬＦ５Ｗは、図６に示すよ
うな光透過特性を示し、反射損失を含む３６５ｎｍの波
長の光の対する内部透過率は厚さ１０ｍｍで０．９９４
となり、本実施例で要求する条件を満たすものである。
但し、このガラスは使用時の温度が低いとソラリゼイシ
ョンを起こしてしまうと共に、４００℃以上では使えな
いので、バルブ１９の温度を１００〜４００℃の範囲に
コントロールする必要がある。
に、市販のものでは例えばコーニング社製のＵＬＥTMチ
タン珪酸ガラス（商品番号７９７１）をそのままバルブ
１９の材料として使用できる。これは３００ｎｍ以下の
波長帯に吸収帯を持つので光学部材の曇り対策として有
効である。また、オハラ社のガラス材ＬＦ５Ｗ等も有効
である。オハラ社のガラス材ＬＦ５Ｗは、図６に示すよ
うな光透過特性を示し、反射損失を含む３６５ｎｍの波
長の光の対する内部透過率は厚さ１０ｍｍで０．９９４
となり、本実施例で要求する条件を満たすものである。
但し、このガラスは使用時の温度が低いとソラリゼイシ
ョンを起こしてしまうと共に、４００℃以上では使えな
いので、バルブ１９の温度を１００〜４００℃の範囲に
コントロールする必要がある。
【００４１】このように不純物ドープ等の手法でガラス
材そのものに波長コントロール機能を持たせる以外に、
ガラス材に多層膜コーティングを施すことで波長コント
ロールを行ってもよい。以下ではこの方法について説明
する。具体的に、この場合には、例えば図５において、
水銀ランプのバルブ１９として通常の水銀ランプのガラ
ス材を使用するが、そのバルブ１９の外面１９ａに、２
６９〜３４０ｎｍの波長域の光を反射し、露光波長であ
る３５０ｎｍ以上の波長の光を透過する多層膜をコーテ
ィングする。このような波長選択特性を有する多層膜の
一般的な設計例を次に示す。
材そのものに波長コントロール機能を持たせる以外に、
ガラス材に多層膜コーティングを施すことで波長コント
ロールを行ってもよい。以下ではこの方法について説明
する。具体的に、この場合には、例えば図５において、
水銀ランプのバルブ１９として通常の水銀ランプのガラ
ス材を使用するが、そのバルブ１９の外面１９ａに、２
６９〜３４０ｎｍの波長域の光を反射し、露光波長であ
る３５０ｎｍ以上の波長の光を透過する多層膜をコーテ
ィングする。このような波長選択特性を有する多層膜の
一般的な設計例を次に示す。
【００４２】その多層膜の分光特性は、図７に示す通り
であり、膜構成の一例は以下のようになる。但し、以下
の膜構成において、材料Ｈは酸化ジルコニウム（ＺｒＯ
2)、酸化スカンジウム（Ｓｃ2Ｏ3）、酸化ハフニウム
（ＨｆＯ2)又は酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）等であり、
材料Ｌは酸化ストロンチウム（ＳｒＯ2)又はフッ化マグ
ネシウム（ＭｇＦ2)等である。また、波長λは略３００
ｎｍで、膜数ｎは８〜１６程度である。
であり、膜構成の一例は以下のようになる。但し、以下
の膜構成において、材料Ｈは酸化ジルコニウム（ＺｒＯ
2)、酸化スカンジウム（Ｓｃ2Ｏ3）、酸化ハフニウム
（ＨｆＯ2)又は酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）等であり、
材料Ｌは酸化ストロンチウム（ＳｒＯ2)又はフッ化マグ
ネシウム（ＭｇＦ2)等である。また、波長λは略３００
ｎｍで、膜数ｎは８〜１６程度である。
【数５】
空気／（（λ／８）Ｈ：（λ／４）Ｌ：（λ／８）Ｈ）n ／基板
【００４３】
【数５】空気／（（λ／８）Ｈ：（λ／４）Ｌ：（λ／
８）Ｈ）n ／基板
８）Ｈ）n ／基板
【００４４】また、図７は（数５）でｎ＝１０の場合を
示している。（数５）での基板とは、３５０ｎｍ以上の
波長の光を透過する光学ガラス、石英、又は蛍石等であ
り、３４０ｎｍ以下でこれらの基板が吸収をもてば、問
題となる短波長域の光の透過をより抑制できる。このよ
うな多層膜コーティングを施したガラス材料を、水銀ラ
ンプのランプガラスとして用いることにより、それ以降
の光学部材での曇り現象を低減できるランプが実現でき
る。
示している。（数５）での基板とは、３５０ｎｍ以上の
波長の光を透過する光学ガラス、石英、又は蛍石等であ
り、３４０ｎｍ以下でこれらの基板が吸収をもてば、問
題となる短波長域の光の透過をより抑制できる。このよ
うな多層膜コーティングを施したガラス材料を、水銀ラ
ンプのランプガラスとして用いることにより、それ以降
の光学部材での曇り現象を低減できるランプが実現でき
る。
【００４５】次に、本発明の第３実施例につき図８及び
図９を参照して説明する。図８において図１０に対応す
る部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
本実施例は、第１の実施例の二重バルブ構造の光学フィ
ルタ、又は第１実施例の機構と第２実施例の機構とを組
み合わせた光学フィルターを照明光学系の光路中に設置
するものである。
図９を参照して説明する。図８において図１０に対応す
る部分には同一符号を付してその詳細説明を省略する。
本実施例は、第１の実施例の二重バルブ構造の光学フィ
ルタ、又は第１実施例の機構と第２実施例の機構とを組
み合わせた光学フィルターを照明光学系の光路中に設置
するものである。
【００４６】図８は本実施例の照明光学装置を示し、こ
の図８において、楕円鏡２と光路折り曲げ用のミラー３
との間に、ガラスよりなる平行平板状で密閉された中空
部を有する箱体２０を配置する。図９はその箱体２０の
一部を切り欠いた状態を示し、この図９のガラスよりな
る箱体２０の中空部２１内に、第１実施例で述べた２６
０〜３４０ｎｍの波長域の光に吸収特性を有するガス体
を封入する。この実施例のガラスとして第２実施例で述
べた光吸収特性を持つガラス材料を使用しても良い。ま
た、図８において、光源としての水銀ランプ１のランプ
ガラスとして、第２実施例で述べた光吸収特性をもつガ
ラスを使用しても良い。
の図８において、楕円鏡２と光路折り曲げ用のミラー３
との間に、ガラスよりなる平行平板状で密閉された中空
部を有する箱体２０を配置する。図９はその箱体２０の
一部を切り欠いた状態を示し、この図９のガラスよりな
る箱体２０の中空部２１内に、第１実施例で述べた２６
０〜３４０ｎｍの波長域の光に吸収特性を有するガス体
を封入する。この実施例のガラスとして第２実施例で述
べた光吸収特性を持つガラス材料を使用しても良い。ま
た、図８において、光源としての水銀ランプ１のランプ
ガラスとして、第２実施例で述べた光吸収特性をもつガ
ラスを使用しても良い。
【００４７】箱体２０の設置場所は、図８に示す位置の
ようになるべく水銀ランプ１に近い位置が望ましい。こ
れにより、箱体１０以降の光学部材に白色粉末が付着す
る現象を抑制できる。この第３実施例、例えば第１実施
例で述べた２重バルブ状のランプガラスの製作が困難な
場合に有効である。
ようになるべく水銀ランプ１に近い位置が望ましい。こ
れにより、箱体１０以降の光学部材に白色粉末が付着す
る現象を抑制できる。この第３実施例、例えば第１実施
例で述べた２重バルブ状のランプガラスの製作が困難な
場合に有効である。
【００４８】なお、本発明は投影型露光装置用の照明光
学装置として有効であるのみならず、プロキシミティ方
式、又はコンタクト方式等の露光装置の照明光学装置と
しても有効である。更には、一般に紫外線を用いる光学
装置においても有効であることは言うまでもない。ま
た、既に説明したように、硫酸アンモニウムが生成され
るのは、照明光学装置の雰囲気気体中に微量の二酸化硫
黄（ＳＯ2 ）及びアンモニア（ＮＨ3 ）が存在するから
である。従って、照明光学装置が例えばクリーンルーム
内に設置されている場合には、クリーンルーム内に流通
する気体を浄化するフィルタ部に、二酸化硫黄（ＳＯ
2 ）又はアンモニア（ＮＨ3 ）の何れかを除去するフィ
ルタ装置を追加してもよい。これにより、硫酸アンモニ
ウムの生成が抑制される。この場合、二酸化硫黄（ＳＯ
2 ）及びアンモニア（ＮＨ3 ）の両方を除去するフィル
タ装置を設けても良い。
学装置として有効であるのみならず、プロキシミティ方
式、又はコンタクト方式等の露光装置の照明光学装置と
しても有効である。更には、一般に紫外線を用いる光学
装置においても有効であることは言うまでもない。ま
た、既に説明したように、硫酸アンモニウムが生成され
るのは、照明光学装置の雰囲気気体中に微量の二酸化硫
黄（ＳＯ2 ）及びアンモニア（ＮＨ3 ）が存在するから
である。従って、照明光学装置が例えばクリーンルーム
内に設置されている場合には、クリーンルーム内に流通
する気体を浄化するフィルタ部に、二酸化硫黄（ＳＯ
2 ）又はアンモニア（ＮＨ3 ）の何れかを除去するフィ
ルタ装置を追加してもよい。これにより、硫酸アンモニ
ウムの生成が抑制される。この場合、二酸化硫黄（ＳＯ
2 ）及びアンモニア（ＮＨ3 ）の両方を除去するフィル
タ装置を設けても良い。
【００４９】また、第１実施例〜第３実施例の機構は単
独で用いてもよいが、それら３つの実施例の機構を同時
に使用することにより更に白色粉末の付着現象を抑制す
ることができる。このように、本発明は上述実施例に限
定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成
を取り得る。
独で用いてもよいが、それら３つの実施例の機構を同時
に使用することにより更に白色粉末の付着現象を抑制す
ることができる。このように、本発明は上述実施例に限
定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成
を取り得る。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、二酸化硫黄が２６０ｎ
ｍ〜３４０ｎｍの波長域の光を吸収して硫酸アンモニウ
ムの原料である活性化二酸化硫黄になるのを防止するた
め、２６０ｎｍ〜３４０ｎｍの波長域の光を吸収又は反
射する特性を所定の光学部材に持たせたので、極めてコ
ンパクトな構成でそれ以降の光学部材に付着する硫酸ア
ンモニウムの量を減少することができる。従って、照明
光学装置や露光装置などの長期の運転に際しても高い照
明効率を維持できる利点がある。
ｍ〜３４０ｎｍの波長域の光を吸収して硫酸アンモニウ
ムの原料である活性化二酸化硫黄になるのを防止するた
め、２６０ｎｍ〜３４０ｎｍの波長域の光を吸収又は反
射する特性を所定の光学部材に持たせたので、極めてコ
ンパクトな構成でそれ以降の光学部材に付着する硫酸ア
ンモニウムの量を減少することができる。従って、照明
光学装置や露光装置などの長期の運転に際しても高い照
明効率を維持できる利点がある。
【００５１】また、特に放電ランプにその特性を持たせ
た場合には、極めてコンパクトな構成で他の全ての光学
部材に付着する硫酸アンモニウムの量を減少することが
できる。
た場合には、極めてコンパクトな構成で他の全ての光学
部材に付着する硫酸アンモニウムの量を減少することが
できる。
【図１】（ａ）は本発明による照明光学装置の第１実施
例で使用する水銀ランプの構成を示す断面図、（ｂ）は
図１（ａ）の水銀ランプの変形例を示す断面図である。
例で使用する水銀ランプの構成を示す断面図、（ｂ）は
図１（ａ）の水銀ランプの変形例を示す断面図である。
【図２】ルビジウム（Ｒｂ）蒸気の吸収断面積を示す図
である。
である。
【図３】セシウム（Ｃｓ）蒸気の吸収断面積を示す図で
ある。
ある。
【図４】オゾン（Ｏ3)ガス及び酸素（Ｏ2)ガスの吸収断
面積を示す図である。
面積を示す図である。
【図５】本発明の第２実施例で使用する水銀ランプの構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図６】ガラス材ＬＦ５Ｗの透過率特性を示す図であ
る。
る。
【図７】実施例で使用する多層膜コーティングの反射率
特性の一例を示す図である。
特性の一例を示す図である。
【図８】本発明の第３実施例の照明光学装置を示す構成
図である。
図である。
【図９】第３実施例で使用する箱体２０を示す一部を切
り欠いた斜視図である。
り欠いた斜視図である。
【図１０】従来の照明光学装置を示す構成図である。
【図１１】超高圧水銀ランプの発光スペクトル分布を示
す図である。
す図である。
【図１２】（ａ）は従来のアルミニウム反射鏡の反射率
特性を示す図、（ｂ）は従来の代表的な誘電体多層膜反
射鏡の反射率特性を示す図である。
特性を示す図、（ｂ）は従来の代表的な誘電体多層膜反
射鏡の反射率特性を示す図である。
【図１３】従来のバンドパスフィルタの透過率特性を示
す図である。
す図である。
【符号の説明】
１ 水銀ランプ
２ 楕円鏡
３ 光路折り曲げ用のミラー
４ コリメータレンズ
５ バンドパスフィルタ
６ フライアイレンズ
８ コンデンサーレンズ
９ レチクル
１１ 内側バルブ
１４ 外側バルブ
２０ 箱体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭59−44039（ＪＰ，Ａ)
特開 昭54−80739（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−139453（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−59902（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−202243（ＪＰ，Ａ)
実開 平３−75529（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/20
Claims (17)
- 【請求項１】 放電ランプと、該放電ランプからの光を
反射及び集光する反射集光部材と、該反射集光部材によ
り集光された光から３５０ｎｍ以上の所定の波長域の光
を選択する波長選択部材とを有し、該波長選択部材で選
択された光で被照明物体を照明する照明光学装置におい
て、 前記放電ランプと、前記放電ランプから前記波長選択部
材までの光路中に配された光学部材との少なくとも一つ
を、中空部を有する光透過性部材から構成し、前記中空
部に２６０ｎｍ〜３４０ｎｍの波長域の光に対して吸収
性を有する流体を封入するか又は流通させるようにした
ことを特徴とする照明光学装置。 - 【請求項２】 前記流体は、ルビジウムの金属蒸気、セ
シウムの金属蒸気、又はオゾンガスであることを特徴と
する請求項１に記載の照明光学装置。 - 【請求項３】 放電ランプと、該放電ランプが発する光
を反射及び集光する反射集光部材と、該反射集光部材に
より集光された光から３５０ｎｍ以上の所定の波長域の
光を選択する波長選択部材とを有し、該波長選択部材で
選択された光で被照明物体を照明する照明光学装置にお
いて、 前記放電ランプと、前記放電ランプから前記波長選択部
材までの光路中に配された光学部材との少なくとも一つ
の表面に、前記放電ランプが発する光に含まれる２６０
ｎｍ〜３４０ｎｍの波長域の光に対して吸収性又は反射
性を有する薄膜を被着したことを特徴とする照明光学装
置。 - 【請求項４】 前記薄膜は、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ
2)、酸化スカンジウム（Ｓｃ2Ｏ3）、酸化ハフニウム
（ＨｆＯ2)又は酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）と、酸化ス
トロンチウム（ＳｒＯ2)又はフッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ2)とを備えることを特徴とする請求項３に記載の照明
光学装置。 - 【請求項５】 放電ランプと、該放電ランプが発する光
を反射及び集光する反射集光部材と、該反射集光部材に
より集光された光から３５０ｎｍ以上の所定の波長域の
光を選択する波長選択部材とを有し、該波長選択部材で
選択された光で被照明物体を照明する照明光学装置にお
いて、 前記放電ランプと、前記放電ランプから前記波長選択部
材までの光路中に配された光学部材との少なくとも一つ
を、前記放電ランプが発する光に含まれる２６０ｎｍ〜
３４０ｎｍの波長域の光に対して吸収性を有する材料か
ら形成したことを特徴とする照明光学装置。 - 【請求項６】 前記吸収性を有する材料は、不純物をド
ープした石英ガラスであることを特徴とする請求項５に
記載の照明光学装置。 - 【請求項７】 前記不純物は、ナトリウム、鉄、鉛、ア
ルミニウム、ルビジウム、又はセシウムであることを特
徴とする請求項６に記載の照明光学装置。 - 【請求項８】 照明光学装置により転写用のパターンが
形成されたマスクを照明し、該パターンを感光基板上へ
転写するための露光装置において、 前記照明光学装置は、請求項１〜７の何れか一項に記載
の照明光学装置であることを特徴とする露光装置。 - 【請求項９】 転写用のパターンが形成されたマスクを
照明するための光を発光する放電ランプにおいて、 一対の電極を有する内側バルブと、 前記内側バルブを囲む外側バルブと、 前記内側バルブと前記外側バルブとの間に設けられ、３
４０ｎｍ以下の波長域の光に対して吸収性を有するガス
体又は物質とを備えることを特徴とする放電ランプ。 - 【請求項１０】 前記ガス体は、ルビジウムの金属蒸気
又はセシウムの金属蒸気であり、前記物質は、オゾンガ
スであることを特徴とする請求項９に記載の放電ラン
プ。 - 【請求項１１】 転写用のパターンが形成されたマスク
を照明するための光を発光する放電ランプにおいて、 該放電ランプのバルブを、３４０ｎｍ以下の波長域の光
に対して吸収性を有する材料で形成したことを特徴とす
る放電ランプ。 - 【請求項１２】 前記吸収性を有する材料は、不純物を
ドープした石英ガラスであることを特徴とする請求項１
１に記載の放電ランプ。 - 【請求項１３】 前記不純物は、ナトリウム、鉄、鉛、
アルミニウム、ルビジウム、又はセシウムであることを
特徴とする請求項１２に記載の放電ランプ。 - 【請求項１４】 転写用のパターンが形成されたマスク
を照明するための光を発光する放電ランプにおいて、 該放電ランプのバルブの表面に、２６０ｎｍ〜３４０ｎ
ｍの波長域の光に対して吸収性又は反射性を有する薄膜
を被着したことを特徴とする放電ランプ。 - 【請求項１５】 前記薄膜は、酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏ2)、酸化スカンジウム（Ｓｃ2Ｏ3）、酸化ハフニウム
（ＨｆＯ2)又は酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）と、酸化ス
トロンチウム（ＳｒＯ2)又はフッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ2)とを備えることを特徴とする請求項１４に記載の放
電ランプ。 - 【請求項１６】 放電ランプと、前記放電ランプからの
光を反射及び集光する反射集光部材とを備え、該反射集
光部材を介した光のもとで、転写用のパターンが形成さ
れたマスクを照明する照明光学装置において、 前記放電ランプは、請求項９〜１５の何れか一項に記載
された放電ランプであることを特徴とする照明光学装
置。 - 【請求項１７】 照明光学装置により転写用のパターン
が形成されたマスクを照明し、該パターンを感光基板上
へ転写するための露光装置において、 前記照明光学装置は、請求項１６に記載の照明光学装置
であることを特徴とする露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26720893A JP3367167B2 (ja) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 照明光学装置、該装置に使用される放電ランプ、及び露光装置 |
| US09/131,320 US6108126A (en) | 1993-10-26 | 1998-08-07 | Illuminating apparatus |
| US10/139,362 US20020159142A1 (en) | 1993-10-26 | 2002-05-07 | Illuminating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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