TWI453526B - 經組態以將一光學元件安裝於用於一微影裝置之一模組中之座、用於一微影裝置之模組及經建構及配置以將一力施加於一微影裝置之一模組之一光學元件之一周邊上的彈性構件 - Google Patents

經組態以將一光學元件安裝於用於一微影裝置之一模組中之座、用於一微影裝置之模組及經建構及配置以將一力施加於一微影裝置之一模組之一光學元件之一周邊上的彈性構件 Download PDF

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Description

經組態以將一光學元件安裝於用於一微影裝置之一模組中之座、用於一微影裝置之模組及經建構及配置以將一力施加於一微影裝置之一模組之一光學元件之一周邊上的彈性構件
本發明係關於一種用於微影裝置之光學元件座。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。
微影術被廣泛地認為製造IC及其他器件及/或結構時之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影術所製造之特徵的尺寸變得愈來愈小，微影術正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更臨界因素。
圖案列印限度之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)解析度準則而給出，如方程式(1)所示：
其中λ為所使用之輻射的波長，NAPS 為用以列印圖案之投影系統的數值孔徑，k1 為過程相依調整因數(亦被稱作瑞立常數)，且CD為經列印特徵之特徵尺寸(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可列印尺寸的減少：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NAPS ，或藉由降低k1 之值。
為了縮短曝光波長且因此減少最小可列印尺寸，已提議使用遠紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射源經組態以輸出約13奈米之輻射波長。因此，EUV輻射源可構成針對達成小特徵列印之重要步驟。該輻射被稱作遠紫外線或軟x射線，且可能源包括(例如)雷射產生之電漿源、放電電漿源，或來自電子儲存環之同步加速器輻射。連同有用EUV頻帶內輻射，EUV輻射源可產生幾乎相等(且有時更多)之不良頻帶外紅外線(「IR」)及深紫外線(「DUV」)輻射。
用於微影裝置中之光學元件可加熱(意外地或故意地)至高達500℃之溫度。可限制光學元件之允許變形，此亦可限制光學元件上之強加負載及/或應力，諸如，赫茲(Hertzian)應力。光學元件通常係懸浮的且理想地具有相對於光學元件之質量的相對較高自然頻率。應以允許光學元件耐受相對較高加速級之方式來安裝光學元件。
需要提供一種座，該座具有改良精確度、再現性，及針對來自該座所支撐之光學元件之標稱幾何形狀之不規則性的降低敏感度。
根據本發明之一實施例，提供一種經組態以將光學元件安裝於用於微影裝置之模組中之座。座包括複數個彈性構件，彈性構件經建構及配置以圓周地支撐光學元件。每一彈性構件包括複數個彈性分區(resilient subsection)，彈性分區經組態以圍繞光學元件之周邊而接合光學元件。每一彈性分區經組態以獨立於另一彈性分區而撓曲。
根據本發明之一實施例，提供一種用於微影裝置之模組。該模組包括：輻射源，輻射源經建構及配置以產生遠紫外線輻射；集光器，集光器經建構及配置以調節遠紫外線輻射；及座，座經組態以將光學元件安裝於集光器中。座包括複數個彈性構件，彈性構件經建構及配置以圓周地支撐光學元件。每一彈性構件包括複數個彈性分區，彈性分區經組態以圍繞光學元件之周邊而接合光學元件。每一彈性分區經組態以獨立於另一彈性分區而撓曲。
根據本發明之一實施例，提供一種經建構及配置以將力施加於微影裝置之模組之光學元件上的彈性構件。彈性構件包括複數個彈性分區，彈性分區經組態以獨立於另一彈性分區而撓曲。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪微影裝置之實施例，其可為或包括本發明之一實施例。裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構或圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或主光罩)MA，且連接至經組態以精確地定位圖案化器件之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以精確地定位基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
術語「投影系統」可涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可能需要將真空用於EUV或電子束輻射，因為其他氣體可能吸收過多輻射或電子。因此，可藉助於真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。源SO可為輻射系統3(亦即，輻射產生單元3)之一部分。輻射系統3與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射系統3形成微影裝置之一部分，且輻射光束係藉助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統而自輻射系統3之源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，輻射源可為微影裝置之整體部分。
可以各種方式來組態輻射系統3之源SO。舉例而言，源SO可為雷射產生之電漿源(LPP源)(例如，錫LPP源(本身已知該等LPP源))或放電產生之電漿源(DPP源)。源SO亦可為不同類型之輻射源。
照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分布的調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器及聚光器。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係由圖案化器件圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑而精確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單重靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單重動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2示意性地展示EUV微影裝置之另一實施例，其具有類似於圖1之實施例中所展示之裝置之操作的操作原理。在圖2之實施例中，裝置包括源集光器模組或輻射單元3(在本文中亦被稱作輻射系統)、照明系統IL及投影系統PS。根據一實施例，輻射單元3具備輻射源SO，較佳地為雷射產生之電漿(「LPP」)源。在本實施例中，由輻射源SO所發射之輻射可經由氣體障壁或「箔捕捉器」9而自源腔室7傳遞至腔室8中。在圖2中，腔室8包括輻射集光器10。
圖2描繪掠入射集光器10之應用。然而，集光器可為法線入射集光器(特別係在源為LPP源之情況下)。在又一實施例中，集光器可為史瓦茲西耳德(Schwarzschild)集光器(見圖4)，且源可為DPP源。
輻射可自腔室8中之孔徑聚焦於虛擬源點12(亦即，中間焦點IF)中。自腔室8，輻射光束16係在照明系統IL中經由法線入射反射器13、14而反射至定位於支撐結構或圖案化器件支撐件(例如，主光罩或光罩台)MT上之圖案化器件(例如，主光罩或光罩)上。形成經圖案化光束17，經圖案化光束17係由投影系統PS經由反射元件18、19而成像至晶圓平台或基板台WT上。通常，比所示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。
反射元件19中之一者可在其前方具有數值孔徑(NA)圓盤20，NA圓盤20具有通過其中之孔徑21。在經圖案化輻射光束17撞擊基板台WT時，孔徑21之尺寸判定由經圖案化輻射光束17所對向之角度αi 。
在其他實施例中，輻射集光器為以下集光器中之一或多者：經組態以將經收集輻射聚焦至輻射光束發射孔徑中之集光器；具有與源重合之第一焦點及與輻射光束發射孔徑重合之第二焦點的集光器；法線入射集光器；具有單一大體上橢球輻射收集表面截面之集光器；及具有兩個輻射收集表面之史瓦茲西耳德集光器。
又，在另一實施例中，輻射源SO可為雷射產生之電漿(LPP)源，LPP源包括經組態以將預定波長之同調光束聚焦至燃料上的光源。
舉例而言，圖3在橫截面方面展示輻射源單元3之實施例，其包括法線入射集光器70。集光器70具有橢圓形組態，橢圓形組態具有兩個自然橢圓焦點F1、F2。特定言之，法線入射集光器包括具有單一輻射收集表面70s之集光器，單一輻射收集表面70s具有橢球之截面之幾何形狀。換言之：橢球輻射收集表面截面沿著虛擬橢球(其一部分係藉由圖式中之虛線E而描繪)而延伸。
熟習此項技術者應瞭解，在集光器鏡面70為橢球體(亦即，包括沿著橢球而延伸之反射表面70s)的情況下，其將輻射自一焦點F1聚焦至另一焦點F2中。該等焦點係以離橢圓之中心之距離f=(a2-b2)1/2而位於橢球之長軸上，其中2a及2b分別為主軸及次軸之長度。在圖1所示之實施例包括LPP輻射源SO的情況下，集光器可為如圖3所示之單一橢球體鏡面，其中光源SO係定位於鏡面之一焦點(F1)中，且中間焦點IF係建立於鏡面之另一焦點(F2)中。自位於第一焦點(F1)中之輻射源朝向反射表面70s發出之輻射及由該表面朝向第二焦點F2所反射之經反射輻射係藉由圖式中之線r而描繪。舉例而言，根據一實施例，所提及之中間焦點IF可位於微影裝置之集光器與照明系統IL(見圖1、圖2)之間，或在必要時位於照明系統IL中。
圖4在橫截面方面示意性地展示根據本發明之一實施例的輻射源單元3'，其包括集光器170。在此情況下，集光器包括兩個法線入射集光器部分170a、170b，每一部分170a、170b較佳地(但未必)具有大體上橢球輻射收集表面截面。特定言之，圖4之實施例包括較佳地由兩個鏡面170a、170b組成之史瓦茲西耳德集光器設計。源SO可位於第一焦點F1中。舉例而言，第一集光器鏡面部分170a可具有凹入反射表面(例如，具有橢球或拋物線形狀)，凹入反射表面經組態以聚焦自第一焦點F1朝向第二集光器鏡面部分170b(特別係朝向第二焦點F2)發出之輻射。第二鏡面部分170b可經組態以朝向另一焦點IF(例如，中間焦點)聚焦由第一鏡面部分170a朝向第二焦點F2所引導之輻射。第一鏡面部分170a包括孔徑172，輻射(由第二鏡面170b反射)可經由孔徑172而朝向另一焦點IF進行透射。舉例而言，可有益地結合DPP輻射源而使用圖4之實施例。
源SO可為LPP源，LPP源係與經組態以產生具有預定波長之雷射同調光束之雷射源相關聯。在雷射產生之電漿過程中，將雷射光聚焦至燃料上(燃料(例如)係由燃料供應商供應且(例如)包括燃料小液滴)以自其中產生輻射。在此實施例中，所得輻射可為EUV輻射。在一非限制性實施例中，雷射光之預定波長為10.6微米(亦即，μm)。舉例而言，熟習此項技術者應瞭解，燃料可為錫(Sn)或不同類型之燃料。
輻射集光器70可經組態以收集由源所產生之輻射，且將經收集輻射聚焦至腔室3之下游輻射光束發射孔徑60。
舉例而言，源SO可經組態以發射發散輻射，且集光器70可經配置以反射該發散輻射以提供朝向發射孔徑60會聚之會聚輻射光束(如在圖3及圖4中)。特定言之，集光器70可將輻射聚焦至系統之光軸O上的焦點IF上(見圖2)，該焦點IF位於發射孔徑60中。
發射孔徑60可為圓形孔徑，或具有另一形狀(例如，橢圓形、正方形或另一形狀)。發射孔徑60較佳地較小，例如，具有小於約10公分(較佳地小於1公分)之直徑(在與輻射透射方向T橫向之方向上進行量測，例如，在孔徑60具有圓形橫截面的情況下係在徑向方向上進行量測)。較佳地，光軸OX在中心延伸通過孔徑60，然而，此並非必需的。
可藉由使用包括如圖5及圖6所示之複數個彈性構件2之座的實施例來執行集光器(諸如，以上所描述之集光器70或集光器170)中光學元件1之徑向固定。座可為所謂的雙平台彈簧組(spring nest)。座包括在一末端處被再分成更小彈性構件4'、4"、4'''之複數個彈性構件2。圖5描繪根據一實施例之三個彈性構件2，其中之每一者在其一末端處包括三個彈性分區4'、4"、4'''。
光學元件1可為透鏡或鏡面。在一實施例中，如以上所描述，光學元件1可為經組態以調節由遠紫外線輻射源所產生之輻射的集光器鏡面。
如所說明，每一彈性構件2可包含具有狹長體之板片彈簧(leaf spring)，狹長體具有大於其寬度之長度及小於其寬度之厚度。狹長體可在其組態中為板狀且大體上平坦，或可經形成以具有跨越其寬度之曲率，該曲率對應於其經組態以支撐之光學元件1的半徑。可藉由任何適當方法(諸如，加工、蝕刻，等等)而將彈性構件2之至少一末端再分成至少兩個分區。儘管說明三個分區，但可使用更多或更少分區。所說明實施例不意欲以任何方式為限制性的。彈性構件2可由對於處於高熱環境中及曝光至遠紫外線輻射而言具有所要性質之任何適當材料製成。
彈性構件2經建構及配置以將所要力/剛度傳送至光學元件1，使得光學元件1可安裝於源模組3(更具體言之，集光器70、170)中。可選擇彈性構件2之剛度以將所要力提供至光學元件1，使得光學元件1可固持於恆定位置中，同時處置自然頻率及對法線(normal)之全域偏差的效應，諸如，徑向容許及均勻熱膨脹效應。
彈性分區4'、4"、4'''經建構及配置以應對局域徑向不規則性、非均勻熱膨脹及赫茲接觸應力分布。藉由最小化滯後效應來判定彈性分區4'、4"、4'''之所要定尺寸。舉例而言，徑向剛度乘摩擦係數理想地大於切線剛度。
使用大量彈性構件2可改良操作期間之微影過程的再現性，且亦可降低針對沿著由包括於座中之彈性構件2所固持之光學元件1之不規則性的敏感度。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的係，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
應理解，在本申請案中，術語「包括」不排除其他元件或步驟。又，術語「一」不排除複數個。申請專利範圍中之任何參考標號不應被解釋為限制申請專利範圍之範疇。
1．．．光學元件
2．．．彈性構件
3．．．輻射系統/輻射產生單元/源集光器模組/輻射單元/輻射源單元/腔室
3'．．．輻射源單元
4'．．．彈性分區/更小彈性構件
4"．．．彈性分區/更小彈性構件
4'''．．．彈性分區/更小彈性構件
7．．．源腔室
8．．．腔室
9．．．氣體障壁/箔捕捉器
10．．．輻射集光器/掠入射集光器
12．．．虛擬源點
13．．．法線入射反射器
14．．．法線入射反射器
16．．．輻射光束
17．．．經圖案化光束
18．．．反射元件
19．．．反射元件
20．．．數值孔徑(NA)圓盤
21．．．孔徑
60．．．下游輻射光束發射孔徑
70．．．法線入射集光器/集光器鏡面/輻射集光器
70s．．．單一輻射收集表面/反射表面
170．．．集光器
170a．．．法線入射集光器部分/鏡面/第一集光器鏡面部分
170b．．．法線入射集光器部分/鏡面/第二集光器鏡面部分
172．．．孔徑
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
F1．．．自然橢圓焦點/第一焦點
F2．．．自然橢圓焦點/第二焦點
IF．．．中間焦點
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構/圖案化器件支撐件
O．．．光軸
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖3描繪根據本發明之一實施例的輻射源及法線入射集光器；
圖4描繪根據本發明之一實施例的輻射源及史瓦茲西耳德型法線入射集光器；
圖5描繪根據本發明之一實施例的用於光學元件之座；且
圖6描繪圖5中具有光學元件之座。
3‧‧‧輻射系統/輻射產生單元/源集光器模組/輻射單元/輻射源單元/腔室
7‧‧‧源腔室
8‧‧‧腔室
9‧‧‧氣體障壁/箔捕捉器
10‧‧‧輻射集光器/掠入射集光器
12‧‧‧虛擬源點
13‧‧‧法線入射反射器
14‧‧‧法線入射反射器
16‧‧‧輻射光束
17‧‧‧經圖案化光束
18‧‧‧反射元件
19‧‧‧反射元件
20‧‧‧數值孔徑(NA)圓盤
21‧‧‧孔徑
IL‧‧‧照明系統/照明器
MT‧‧‧支撐結構/圖案化器件支撐件
O‧‧‧光軸
PS‧‧‧投影系統
SO‧‧‧輻射源
WT‧‧‧基板台

Claims (15)

  1. 一種經組態以將一光學元件安裝於用於一微影裝置之一模組中之座，該座包含：複數個彈性構件，該等彈性構件經建構及配置以圓周地(circumferentially)支撐該光學元件，其中每一彈性構件包含複數個彈性分區，該等彈性分區經組態以圍繞該光學元件之一周邊而接合該光學元件，每一彈性分區經組態以獨立於另一彈性分區而撓曲。
  2. 如請求項1之座，其中該等彈性分區經配置以允許相對於彼此之位移。
  3. 如請求項1之座，其中該等彈性分區位於該各別彈性構件之一末端處。
  4. 如請求項1之座，其中該光學元件係一鏡面且其中該鏡面為經建構及配置以調節由一遠紫外線輻射源所產生之輻射的一集光器鏡面。
  5. 如請求項1之座，其中每一彈性構件包含一板片彈簧。
  6. 一種用於一微影裝置之模組，該模組包含：一輻射源，該輻射源經建構及配置以產生遠紫外線輻射；一集光器，該集光器經建構及配置以調節該遠紫外線輻射；及一座，該座經組態以將一光學元件安裝於該集光器中，該座包含複數個彈性構件，該等彈性構件經建構及 配置以圓周地支撐該光學元件，其中每一彈性構件包含複數個彈性分區，該等彈性分區經組態以圍繞該光學元件之一周邊而接合該光學元件，每一彈性分區經組態以獨立於另一彈性分區而撓曲。
  7. 如請求項6之模組，其中該等彈性分區經配置以允許相對於彼此之位移。
  8. 如請求項6之模組，其中該等彈性分區位於該各別彈性構件之一末端處。
  9. 如請求項6之模組，其中該光學元件係一鏡面且其中該鏡面為經建構及配置以調節由一遠紫外線輻射源所產生之輻射的一集光器鏡面。
  10. 如請求項6之模組，其中每一彈性構件包含一板片彈簧。
  11. 一種經建構及配置以將一力施加於一微影裝置之一模組之一光學元件之一周邊上的彈性構件，該彈性構件包含複數個彈性分區，該等彈性分區經組態以圍繞該光學元件之一周邊而接合該光學元件且獨立於另一彈性分區而撓曲。
  12. 如請求項11之彈性構件，其中該等彈性分區經配置以允許相對於彼此之位移。
  13. 如請求項11之彈性構件，其中該等彈性分區位於該彈性構件之一末端處。
  14. 如請求項11之彈性構件，其中該光學元件係一鏡面且其 中該鏡面為經建構及配置以調節由一遠紫外線輻射源所產生之輻射的一集光器鏡面。
  15. 如請求項11之彈性構件，其中該彈性構件包含一板片彈簧。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9392679B2 (en) * 2014-12-05 2016-07-12 Globalfoundries Inc. Method, apparatus and system for using free-electron laser compatible EUV beam for semiconductor wafer processing
KR20180025928A (ko) * 2015-07-06 2018-03-09 비브 헬스케어 유케이 (넘버5) 리미티드 인간 면역결핍 바이러스 복제의 억제제로서 피리딘-3-일 아세트산 유도체

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6239924B1 (en) * 1999-08-31 2001-05-29 Nikon Corporation Kinematic lens mounting with distributed support and radial flexure
US6392825B1 (en) * 1999-02-03 2002-05-21 Carl-Zeiss-Stiftung Assembly comprising an optical element and a mount
TWI233004B (en) * 2002-05-31 2005-05-21 Asml Netherlands Bv Kit of parts for assembling an optical element, method of assembling an optical element, optical element, lithographic apparatus, and device manufacturing method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7410265B2 (en) * 2000-09-13 2008-08-12 Carl Zeiss Smt Ag Focusing-device for the radiation from a light source
DE10123725A1 (de) * 2001-05-15 2002-11-21 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie, Optisches System und Herstellverfahren
WO2003014833A2 (de) * 2001-08-10 2003-02-20 Carl Zeiss Smt Ag Kollektor mit befestigungseinrichtungen zum befestigen von spiegelschalen
US20030234918A1 (en) * 2002-06-20 2003-12-25 Nikon Corporation Adjustable soft mounts in kinematic lens mounting system
JP3944095B2 (ja) * 2003-02-26 2007-07-11 キヤノン株式会社 保持装置
US7604359B2 (en) * 2004-05-04 2009-10-20 Carl Zeiss Smt Ag High positioning reproducible low torque mirror-actuator interface
US7372549B2 (en) 2005-06-24 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6392825B1 (en) * 1999-02-03 2002-05-21 Carl-Zeiss-Stiftung Assembly comprising an optical element and a mount
US6239924B1 (en) * 1999-08-31 2001-05-29 Nikon Corporation Kinematic lens mounting with distributed support and radial flexure
TWI233004B (en) * 2002-05-31 2005-05-21 Asml Netherlands Bv Kit of parts for assembling an optical element, method of assembling an optical element, optical element, lithographic apparatus, and device manufacturing method

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