JP2004311780A - 露光装置 - Google Patents
露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004311780A JP2004311780A JP2003104422A JP2003104422A JP2004311780A JP 2004311780 A JP2004311780 A JP 2004311780A JP 2003104422 A JP2003104422 A JP 2003104422A JP 2003104422 A JP2003104422 A JP 2003104422A JP 2004311780 A JP2004311780 A JP 2004311780A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- reticle
- chuck
- temperature
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B21/00—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
- F25B21/02—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
- G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】この露光装置1は、EUV光源2からのEUV光2eをウエハ12に導く照明光学系3及び投影光学系6と、ウエハ12を保持するウエハチャック14と、ウエハチャック14の保持面14a側に、その保持面14aに対して非接触に配置された第1の冷却手段11aと、ウエハチャック14の裏面14d側に、その裏面14dに対して非接触に配置された第2の冷却手段11bとを有している。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド、その他のマイクロデバイスを製造するための露光装置に係り、より具体的にはEUV光(極紫外光)等の真空紫外光(X線)を用いて露光を行う露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造するための焼付け(リソグラフィ)方法として、紫外光を用いた縮小投影露光が行われている。この縮小投影露光においては、転写できる最小寸法は転写に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数に反比例する。このため、より微細な回路パターンを転写するために使用する光の短波長化が進められ、紫外線よりもさらに波長が短い10nm〜15nm程度の波長の極紫外光(EUV光)を用いた縮小投影露光装置が開発されている。
【0003】
EUV光の波長領域においては物質による光の吸収率が増大するので、EUV光を光源とする露光装置では、その光学系として一般に反射光学系が用いられる。この場合、回路パターンが形成された露光投影原版としてのレチクル(マスク)においても、透過型レチクルではなく反射型レチクルが一般に用いられる。この反射型レチクルは、反射ミラー上に吸収体によって転写すべきパターンを形成したものである。
【0004】
EUV光を用いた露光装置(EUV露光装置)を構成する反射型光学素子としては、多層膜ミラーと斜入射全反射ミラーとが用いられる。これらのミラーは、光の損失が大きいので、その枚数を最小限に抑えることが望ましい。EUV露光装置においては、EUV光が照射される光学素子が配置された空間に炭化水素等の炭素を含む分子が残留していた場合、光の照射によって光学素子表面に炭素が次第に付着し、この付着した炭素がEUV光を吸収するために反射率が低下してしまうという問題がある。この炭素付着を防止するためには、EUV光が照射される光学素子が配置される空間の気圧は少なくとも10−4Pa以下、望ましくは10−6Pa以下となっている必要がある。したがって、EUV露光装置においては、略真空環境下に反射ミラー等の光学系、レチクル、ウエハ等が配置されている。
【0005】
この真空環境下において、露光光源光としてのEUV光は、レチクルやウエハ等の光学素子に吸収され、そのエネルギーの大部分が熱となる。例えば、反射型レチクルは、上述のようにEUV光を反射する部分と吸収する部分との反射光強度の差によって回路パターンの情報を構成する。部分的に光を吸収するため、EUV用の反射型レチクルは従来の透過型レチクルに比較して、照明光(露光光源光)を受けた際の発熱が増大する。さらに、この反射型レチクルは真空環境下に配置されているため、レチクルの発熱は周囲空間に殆ど放熱されず、レチクル内に滞留することとなる。
【0006】
なお、透過型のレチクルの温度による膨張を防ぐために、その透過型レチクルを輻射冷却するものがある(例えば、特許文献1参照)。
【0007】
レチクルを保持するためのレチクルチャックやウエハを保持するためのウエハチャック(以下、これらを総称してチャックという)は、この真空環境下でレチクルやウエハを保持する必要がある。そのため真空吸着方式のものを使用することができず、一般に静電吸着方式のものが使用される。この静電方式は、内部電極に400Vから800V程度の電圧を印加してチャック表面に電荷を溜めることにより吸着を行うものである。この電極間を流れるリーク電流がチャック内を流れる際に発熱を生じ、チャックが温度上昇する。このレチクルチャック、ウエハチャックも真空環境下に配置されているので、その発熱は周囲空間に殆ど放熱されず、チャック内に滞留することとなる。そのチャックの温度調節のため、温度調整用の媒体を用いるものや、ペルチェ素子を用いるものがある(例えば、特許文献2参照)。
【0008】
このレチクルチャック、ウエハチャックによってレチクルやウエハ等の素子を保持する際に、その素子とチャック面との間に粉塵等(いわゆるパーティクル)を挟み込んでしまうと素子の平面性を損なってしまい、高精度な露光投影ができなくなってしまう。そこで、パーティクルを挟み込む確率を低減するために、素子との接触面積を小さくしたいわゆるピンチャックと呼ばれるチャックが用いられる(例えば、特許文献2及び3参照)。
【0009】
また、チャックは光学素子の平面性を矯正する機能を必要とし、高剛性であることが求められる。走査露光においてステージ上でチャックを移動させる必要があることから、軽量であることも求められる。さらに、熱による形状変化が小さいことが必要であることから、線膨張係数が低いことも求められる。これらの要求から、チャックにはSiC(シリコンカーバイド),SiN(窒化ケイ素),AlN(窒化アルミニウム)等のセラミックス材料が用いられている。
【0010】
【特許文献1】
特開平09−92613号公報
【特許文献2】
特開平09−306834号公報
【特許文献3】
特公昭60−015147号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、EUV露光装置に用いられるチャックでは、静電吸着力を充分に確保する観点から必ずしも理想的な低熱膨張材を選定できるという訳ではない。上述のセラミックス材料も比較的低線膨張係数であるものの、その係数値は1〜10ppm程度である。
【0012】
例えば、リーク電流に起因する発熱により0.01℃の温度上昇があった場合、ウエハチャックの半径が150mm、その線膨張係数が3ppmであるとすると熱膨張による位置ずれが4.5nmとなる。EUV露光装置のウエハチャックに要求される位置精度は数nmであるため、熱膨張によって4.5nmの位置ずれが生じると問題となってしまう。
【0013】
また、EUV光を吸収して温度上昇する物体(例えばウエハ・レチクル等の光学素子)も線膨張係数が2〜3ppm程度であるため、やはり0.01℃の温度上昇によって3〜4nm程度の熱膨張を生じる。例えばウエハの厚さは0.775mm程度と薄く剛性が低いため、吸着によりチャック面との間に生じる摩擦によって熱膨張が拘束される。このため、実際の温度上昇の許容値は緩和されるが、それでも0.1℃程度である。
【0014】
レチクルは主にガラスセラミックスから成り、50ppb程度と低い線膨張係数である。ウエハは30秒〜200秒程度に1度交換されるが、レチクルは数十枚以上のウエハを露光した後に交換されるため、ウエハの数十枚分以上の露光時間に1度交換される。つまり、入射熱量がウエハに比べて多くなり、温度上昇も大きくなる。例えばレチクルが1℃温度上昇すれば、5nm程度の熱膨張を生じ、問題となってしまう。
【0015】
上述のように、ウエハ・レチクル等の光学素子やチャックは、EUV光の吸収やリーク電流に起因する発熱により温度上昇してしまう。これらは真空環境下に配置されているので周囲空間への放熱も殆どなく、熱は光学素子やチャック内に滞留してしまい、さらに温度上昇を生じてしまう。これらの温度上昇によりウエハ等の光学素子やチャックが熱膨張を生じ、正確に回路パターンの露光転写ができなくなってしまうので、この露光装置においては光学素子やチャックを冷却する必要がある。
【0016】
EUV露光装置において、光学素子やチャックは真空環境下に配置されているので、気体の対流熱伝達を利用した冷却方法を用いることは困難である。したがって、冷媒を用いて光学素子やチャックを直接的に冷却する直接冷却方法が考えられる。
【0017】
しかし、ウエハチャック・レチクルチャック等のチャックを支持するウエハステージ・レチクルステージ等の微動ステージは、剛性の低い弾性部材(バネ等)で支持されている。したがって、例えば液体等の冷媒を光学素子やチャックに流すと、その流路や配管内で発生する渦や脈動等に伴う振動により、ウエハやレチクル等の位置安定性が悪化してしまうという問題がある。また、配管が光学素子やチャックに接続されることによって微動ステージの動作が拘束されてしまうので、干渉計を利用した位置検出・位置制御に対する応答性が悪化し、高周波の振動を低減する制御が困難となってしまうという問題もある。
【0018】
光学素子とチャックとは真空環境下に配置されているため、空間を介した相互の熱伝達は殆ど行われない。したがって、光学素子とチャックとの間の熱交換(熱伝達)は主にそれらの接触面において行われるが、ピンチャックを用いた場合はピンと光学素子との接触面積が小さく、相互の熱交換は行われにくくなる。したがって、光学素子又はチャックの一方を冷却しても他方を有効に冷却することができないという問題もある。
【0019】
また、例えばレジスト感度が異なる露光を行う場合等、露光光源光の強度やチャックの吸着時間の変化により光学素子基板の発熱量やチャックの発熱量が変動する場合がある。このように、光学素子基板の発熱量やチャックの発熱量が変動する場合に一律に冷却を行うと、熱膨張の量自体は低減することができるもののその熱膨張量が変動してしまい、ウエハやレチクル等の光学素子を高精度に位置制御できないという問題もある。
【0020】
ウエハやレチクル等の光学素子やチャックの温度を制御するためにそれらの温度計測を行うことが考えられる。その際、チャックは光学素子に比べて温度上昇許容値が小さいため、より高精度に温度計測を行う必要がある。また、光学素子は頻繁に交換されるため、その交換性を損なわないように温度計測を行う必要がある。
【0021】
本発明は上記の事情に鑑みて為されたもので、物体(例えば、ウエハ・レチクル等の光学部材)を、振動・位置安定性・位置制御の応答性の悪化等を伴わずに効果的に冷却することができ、その結果、高精度に回路パターンを露光転写することができてウエハの不良率を低減し、また高性能のデバイスを作成することができる露光装置を提供することを例示的目的とする。
【0022】
また、物体とその物体の保持手段との両方の冷却を効果的に行うことにより、さらに高精度に回路パターンを露光転写することができてウエハの不良率を低減し、また高性能のウエハを作成することができる露光装置を提供することを他の例示的目的とする。
【0023】
また、物体の表面温度を簡便に計測し、保持手段の温度を高精度に計測することにより、物体や保持手段の確実な温度制御を可能とし、さらに高精度に回路パターンを露光転写することができてウエハの不良率を低減し、また高性能のデバイスを作成することができる露光装置を提供することを他の例示的目的とする。
【0024】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、光源からの光を物体に導く光学系と、物体を保持する保持手段と、保持手段の保持面側に、保持面に対して非接触に配置された第1の冷却手段と、保持手段の裏面側に、裏面に対して非接触に配置された第2の冷却手段と、を有することを特徴とする。
【0025】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【0026】
【発明の実施の形態】
[実施の形態1]
以下、本発明の実施の形態を図面に基づきつつ説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る露光装置1の露光部全体の構成を模式的に示す概略図である。この露光装置1は、露光光としてEUV光2eを用いた走査型の縮小投影露光装置であり、EUV光2eを発する光源としてのEUV光源2・照明光学系3・物体としての反射型レチクル(以下、単にレチクルという。)4・レチクルステージ5・投影光学系6・位置測定装置としてのレチクル用レーザ干渉計7a及びウエハ用レーザ干渉計7b(図2に図示)・アライメント検出手段15・フォーカス位置検出手段16・真空系17等を有して大略構成される。
【0027】
EUV光源2としては、例えばレーザプラズマ光源2aが用いられる。このレーザプラズマ光源2aは、励起用パルスレーザ2b、集光レンズ2c、ターゲット供給装置2dを有して大略構成される。このレーザプラズマ光源2aは、真空容器中のターゲット材に励起用パルスレーザ2bによって高強度のパルスレーザ光を照射し、高温のプラズマを発生させ、そこから放射される例えば波長13〜14nm程度のEUV光2eを利用するものである。
【0028】
ターゲット材としては金属薄膜・不活性ガス・液滴等が用いられ、ガスジェット等のターゲット供給装置2dによって真空系内に供給される。励起用パルスレーザ2bのレーザ照射の繰り返し周波数が高い方が、放射されるEUV光2eの平均強度が高くなり、通常励起用パルスレーザ2bは数kHzの繰り返し周波数で運転される。
【0029】
照明光学系3は、EUV光源2からのEUV光2eを原版としてのレチクル4に導くためのものであり、複数のミラー3a・反射型オプティカルインテグレータ3b等を有して大略構成される。ミラー3aとしては、多層膜反射ミラーや斜入射ミラーが用いられる。
【0030】
初段の集光ミラー3a’はEUV光源2から略等方的に放射されるEUV光2eを集光し、平行光とするためのものである。反射型オプティカルインテグレータ3bはレチクル4を所定の開口数で均一に照明するためのものであり、集光ミラー3a’からの光で複数の2次光源を形成している。
また照明光学系3におけるレチクル4と共役な位置には、レチクル4の表面にEUV光2eが照明される領域を円弧状に制限するためのアパーチャ3cが設けられている。このアパーチャ3cにおいては、反射型オプティカルインテグレータ3bにより形成された複数の2次光源からの夫々の光が、ミラー3aにより重ね合わされる。
【0031】
レチクル4は、ウエハに露光すべき回路パターンが表面に形成された原版である。レチクル4は、ウエハ上に露光転写すべきパターンを吸収体によってミラー上に多層膜として形成したもので、EUV光2eを反射する部分と吸収する部分との反射光強度の差によって回路パターンの情報を構成している。レチクル4は、保持手段としてのレチクルチャック9に保持されている。この実施の形態においては、このレチクル4は真空中に配置されているので、静電吸着方式のレチクルチャック(静電チャック)9が用いられている。レチクルチャック9は、レチクルステージ5上に載置されている。
【0032】
このレチクルステージ5は、露光の際にレチクル4を副走査方向(X1軸方向)(図2を参照)に沿って精密に走査移動させるためのものである。レチクルステージ5としては、例えばサーボモータと精密送り機構とによる精密ステージや、リニアモータ等を用いた高精度走査移動及び高精度位置決め機構が用いられる。また、レチクルステージ5には、X1軸方向(副走査方向)、Y1軸方向(主走査方向)、Z1軸方向(レチクル4の面に垂直な方向)、及び各軸回りの回転方向に微動可能な微動機構(図示せず)が設けられ、レチクル4の精密な位置決めができるようになっている。
【0033】
レチクルチャック9の位置と姿勢は、レーザ干渉計によって測定される。その位置測定結果に応じて、微動機構によりレチクルステージ5及びレチクルチャック9が移動してレチクル4の高精度な位置調整が行われるようになっているが、詳細は後述する。
【0034】
投影光学系6は、レチクル4によって反射されたEUV光2eをウエハ12上に導くための光学系であり、複数のミラー6a〜6d及びアパーチャ6eを用いて構成される。この投影光学系6においては、ミラー枚数が少ない方がEUV光2eの利用効率が高いが、収差補正が難しくなる。収差補正に必要なミラー枚数は例えば4枚から6枚程度であり、ミラー6a〜6dの反射面の形状は凸面又は凹面の球面又は非球面である。
【0035】
ミラー6a〜6dは、低膨張率ガラスやSiC(シリコンカーバイド)等の高剛性、高硬度、低熱膨張率の材料からなる基板表面を研削又は研磨して所定の反射面形状を創成した後、その反射面にモリブデン/シリコン等の多層膜を成膜したものである。前述のブラッグの式から明らかなように、膜周期一定の多層膜反射ミラーにおいてはミラー面内の位置によって光の入射角が異なってしまうと高反射率となるEUV光2eの波長もその位置に応じて異なってしまう。そこでミラー面内で一定波長のEUV光2eが効率よく反射されるために、膜周期が分布を持つように構成される。
【0036】
物体としてのウエハ(被処理体)12はレチクル4からのEUV光2eが照射されてレチクル4表面の回路パターンが表面12aに露光されるもので、ウエハステージ13上に設けられた保持手段としてのウエハチャック14に保持される。ウエハステージ13はレチクルステージ5と同様にX2軸方向(副走査方向)に高速移動する機構を有している。このウエハステージ13とレチクルステージ5とは、露光投影の縮小倍率に比例した速度比で同期して走査する走査移動機構を有している。また、ウエハステージ13にはX2軸方向、Y2軸方向、Z2軸方向、及び各軸回りの回転方向に微動可能な微動機構(図示せず)が設けられ、ウエハ12の精密な位置決めができるようになっている。
【0037】
ウエハステージ13の位置と姿勢は、レチクルステージ5の場合と同様に、レーザ干渉計によって測定される。その位置測定結果に応じて、微動機構によりウエハステージ13及びウエハチャック14が移動してウエハ12の高精度な位置調整が行われるようになっている。
【0038】
レチクル4に対するウエハ12の位置決めの様子を図2に基づきつつ説明する。図2は、この露光装置1のレチクル4周辺とウエハ12周辺とを模式的に示す図である。レチクル4の位置はレチクルステージ5上に固定されたレチクルステージミラー5aの位置をレチクル用レーザ干渉計7aで測定することによって得られる。このレチクル用レーザ干渉計7aは、例えば測定光源としてのレーザ光源、検出器としての干渉計を有して構成され、それらは固定手段10aによって露光装置1本体に固定されている。また、ウエハ12の位置はウエハ微動ステージ13上に固定されたウエハステージミラー13aの位置をウエハ用レーザ干渉計7bで測定することによって得られる。このウエハ用レーザ干渉計7bは、例えば測定光源としてのレーザ光源、検出器としての干渉計を有して構成され、それらは固定手段10bによって露光装置1本体に固定されている。
【0039】
レチクル4の位置とウエハ12の位置との相対位置関係が一定となるように、ウエハ微動ステージ13が駆動制御されて位置調整されるようになっている。ウエハチャック14としては2つの電極14eを有する双曲型の静電チャックが用いられ、それによりウエハ12がウエハチャック14に静電吸着されるようになっている。
【0040】
このウエハ12及びウエハチャック14近傍を拡大した図を図3に示す。ウエハチャック14には±500Vの電圧が印加され、その印加電圧によりウエハチャック14の保持面14aとウエハ12の基板との間に生じる静電気力を利用することによってウエハ12が吸着されるようになっている。ウエハチャック14の保持面14aとウエハ12の裏面12bとの間に粉塵等のパーティクルが挟み込まれてしまわないように、ウエハチャック14にはいわゆるピンチャックが用いられ、その保持面14aがピン部14bと間隙部14cとにより構成されている。それにより、ウエハ12の裏面12bの面積に対する裏面12bと保持面14aとの接触面積の比、いわゆる接触率は10%以下とされている。
【0041】
ウエハチャック14の保持面14a側であってウエハ12の表面12aの近傍には、ウエハ12を輻射冷却するための冷却手段(第1の冷却手段)11aが保持面14aに対して非接触に設けられている。また、ウエハ12を保持するウエハチャック14の裏面14dの近傍には、このウエハチャック14を輻射冷却するための冷却手段(第2の冷却手段)11bが裏面14dに対して非接触に設けられている。この場合、具体的にはウエハステージ13の一部分に穴(開口)を空け、ウエハステージ13を支える天板(不図示)に第2の冷却手段としての冷却手段11bを設けるとよい。そうすることにより、第2の冷却手段がウエハステージに対して与える振動等の影響を低減したり無くしたりすることができる。このように、剛性の低い弾性部材(バネ等)で支持されてチャックを直接保持するステージ(例えば、微動ステージ)に冷却手段等を固定すると、従来例で述べたような高周波の振動を低減する制御が容易に可能となる。
【0042】
この冷却手段11aは、輻射板11c・ペルチェ素子11d・放熱ブロック11e・水冷パイプ11fを有して構成されている。ペルチェ素子11dは、その一面側が輻射板11cに接触して装着されている。輻射板11cは比較的熱伝導率が良好で輻射率の高い材料で形成され、例えばシリコンカーバイト(SiC)等のセラミックスが材料として用いられる。ペルチェ素子11dへの印加電圧を制御することによって、ペルチェ素子11dと接触する輻射板11cの温度が約5℃程度に一定に保たれる。これにより、この冷却手段11aは、ウエハ12から0.5W程度の熱を吸収することとなる。
【0043】
ペルチェ素子11dの他面側には例えばステンレス等の金属で形成された放熱ブロック11eが取り付けられている。この放熱ブロック11eの内部には流路11gが形成されている。その流路11gと水冷パイプ11fとが接合され、水等の冷媒をその水冷パイプ11f内から流路11gへと循環させることにより、ペルチェ素子11dから排出される熱が冷媒に回収され、ペルチェ素子11dが冷却されるようになっている。この冷却手段11aは、ウエハ表面12aの近傍に設けられているので、EUV光2eのウエハ表面12aへの入射を遮らないようにEUV光2eの照射位置を避けて配置されている。
【0044】
冷却手段11bも冷却手段11aと同様に輻射板11c’・ペルチェ素子11d’・放熱ブロック11e’・水冷パイプ11f’を有して構成されている。ペルチェ素子11d’は、その一面側が輻射板11c’に接触して装着されている。輻射板11c’は比較的熱伝導率が良好で輻射率の高い材料で形成され、例えばシリコンカーバイト(SiC)等のセラミックスが材料として用いられる。ペルチェ素子11d’への印加電圧を制御することによって、ペルチェ素子11d’と接触する輻射板11c’の温度が約15℃程度に一定に保たれる。これにより、この冷却手段11bは、ウエハチャック14から0.1W程度の熱を吸収することとなる。
【0045】
アライメント検出手段15は、レチクル4の位置と投影光学系6の光軸との位置関係、及びウエハ12の位置と投影光学系6の光軸との位置関係を検出するためのものである。その検出結果に基づいて、レチクル4の投影像がウエハ12の所定の位置に一致するようにレチクルステージ5及びウエハ微動ステージ13の位置と角度とが設定されるようになっている。
【0046】
フォーカス位置検出手段16は、ウエハ表面12aのフォーカス位置(すなわちZ2軸方向位置(図2の座標軸参照))を検出するためのもので、ウエハ微動ステージ13の位置及び角度が制御されることにより、露光中のウエハ表面12aが、常に投影光学系6による結像位置に保持されるようになっている。
【0047】
この露光装置1においては、露光光源としてEUV光源2を用いている。このEUV光2eは、上述のように空気によっても吸収されて光の強度が低下する。したがって、この露光装置1において照明光学系3、レチクル4、レチクルチャック9、投影光学系6、ウエハ12、ウエハチャック14を含み、EUV光2eの光路に相当する部分は、例えば真空ポンプ等の真空系17によって真空中に配されている。
【0048】
次に、この露光装置1の動作について説明する。
【0049】
レチクル4がレチクルチャック9に保持され、ウエハ12が図示しない搬送系から受け渡されてウエハチャック14に保持され、この露光装置1による露光が開始される。EUV光源2からのEUV光2eが照明光学系3を経てレチクル表面4aに導かれ、その後、投影光学系6を経てウエハ表面12aに至り、レチクル表面4a上に形成された回路パターンをウエハ表面12aに転写することによって露光が行われる。
【0050】
この露光装置1においては、走査露光方式によって回路パターンの露光が行われる。すなわち、アパーチャ3cによってスリット状(円弧状)とされたEUV光2eをレチクル表面4aに照射し、レチクルステージ5とウエハステージ13とを投影光学系6の縮小倍率に比例した速度比で同期させつつそれぞれX1軸方向、X2軸方向に走査移動を行って露光を行う。露光に際しては、アライメント検出手段15によりレチクル4とウエハ12の相対位置が調整され、フォーカス位置検出手段16によりウエハ12の投影光学系の光軸方向に対する位置が調整されて、レチクル4上の回路パターンが正確にウエハ12上へと転写されていく。
【0051】
ウエハ12上で1回のスキャン露光(走査露光)が終わると、ウエハステージ12はX2軸方向,Y2軸方向にステップ移動して次の走査露光開始位置に移動する。そして、レチクルステージ5及びウエハステージ12の走査移動速度が投影光学系6の縮小倍率に比例した速度比となるように、再びそれぞれX1軸方向、X2軸方向への同期走査移動が行われる。
【0052】
このようにして、レチクル4の縮小投影像がウエハ12上に結像した状態で、レチクル4とウエハ12との同期走査露光が繰り返され、レチクル4上の回路パターン像がウエハ12上に像形成されていく。この一連の動作をステップ・アンド・スキャンといい、このステップ・アンド・スキャンによって、ウエハ全面にレチクルの回路パターンが転写される。
【0053】
この走査露光において、EUV光2eがウエハ12に照射され、ウエハ12においてEUV光2eが吸収される。また、本実施の形態においては、ウエハチャック14は静電吸着方式とされているので、ウエハチャック14に電圧が印加されてそのリーク電流がチャック内を流れ、これによりウエハチャック14が発熱する。ウエハチャック14はピンチャックでありその保持面14aとウエハ裏面12bとは10%以下の接触率とされている。その90%より多くを占める非接触部分としての空隙部14cは10−6Pa程度の真空環境下にあり、10%以下の接触部分としてのピン部14bにおいてもウエハ裏面12bとの接触抵抗があるために、ウエハ12とウエハチャック14との間の熱抵抗は0.1m2℃/W程度と大きくなっている。
【0054】
しかし、ウエハチャック14の保持面14a側であってウエハ12の表面12aの近傍に保持面14aに対して非接触に冷却手段11aが設けられ、ウエハチャック裏面14dの近傍にその裏面14dに対して非接触に冷却手段が設けられ、それぞれがウエハ12及びウエハチャック14を輻射冷却するので、ウエハ12及びウエハチャック14の熱歪を低減するために必要な熱量を充分に奪って冷却することができる。輻射により冷却を行い、接触熱抵抗部を介して熱を奪うことがないので、必要な時間内に充分にウエハ12及びウエハチャック14の発熱を打ち消すように冷却することができる。また、冷却手段11a,11bはウエハ12、ウエハチャック14に対して非接触であり、かつ輻射によって冷却を行うので、冷却に伴って流路、配管内で発生する渦、脈動等による振動が殆どなく、ウエハ12の位置安定性を悪化させることがない。
【0055】
次に、図4及び図5を参照して、上述の露光装置1を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図4は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ1(回路設計)ではデバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ3(ウェハ製造)ではシリコンなどの材料を用いてウェハ(被処理体)を製造する。ステップ4(ウェハプロセス)は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0056】
図5は、ステップ4のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11(酸化)ではウェハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ14(イオン打ち込み)ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウェハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では、露光装置1によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ17(現像)では、露光したウェハを現像する。ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法によれば従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【0057】
なお、本実施の形態1においては、ウエハ表面12aの近傍に冷却手段11aを設け、ウエハチャック裏面14dの近傍に冷却手段11bを設ける構成としたが、もちろん、冷却能力、コスト等の面から総合的に勘案して、いずれか一方の冷却手段のみを用いてもよい。
【0058】
また、本実施の形態1においては、ウエハ12及びウエハチャック14の近傍に非接触にそれぞれ冷却手段11a,11bを設けたが、物体としてはウエハ12に限られずレチクル4や反射ミラーであってもよい。すなわち、レチクル4、レチクルチャック9の近傍に非接触に冷却手段を設けてもよく、また、反射ミラーとその保持部材の近傍に非接触に冷却手段を設けてもよい。
【0059】
また、この露光装置1の光源はEUV光に限られることなく、可視光・紫外光・X線・電子線等露光可能な光源であればいずれでもよいことはもちろんである。さらに、この露光装置1の露光方式も本実施の形態にて説明したような走査露光方式(ステップ・アンド・スキャンタイプ)に限られず、ステップ・アンド・リピートタイプの露光方式であってももちろんよい。
【0060】
[実施の形態2]
本発明の実施の形態2に係る露光装置を、図6に基づきつつ説明する。図6は、この実施の形態2に係る露光装置1のウエハ12及びウエハチャック14近傍を拡大した図である。なお、上記実施の形態1と同様の構成については同様の引用符号を使用し、説明を省略する。
【0061】
基板温度制御部18は、ウエハ12の温度を調整すべく、冷却手段11aの温度を制御するためのものである。その基板温度制御部18には、非接触の温度センサとしての放射温度計(第1の温度計測手段)19が接続されている。この放射温度計19はウエハ12に接触せずにその表面温度を計測するものであり、この温度計測値に基づいて基板温度制御部18が冷却手段11aのペルチェ素子11dに与える電圧を調節し、ウエハ12の温度が23℃に温度制御されるようになっている。
【0062】
チャック温度制御部20は、ウエハチャック14の温度を調整すべく、冷却手段11bの温度を制御するためのものである。そのチャック温度制御部20には、接触式温度センサ(第2の温度計測手段)21が接続されている。この接触式温度センサ21は白金測温抵抗体の温度センサがウエハチャック14に接触しつつその温度を計測するものであり、この温度計測値に基づいてチャック温度制御部20が冷却手段11bのペルチェ素子11d’に与える電圧を調節し、ウエハチャック14の温度が23℃に温度制御されるようになっている。
【0063】
非接触の温度センサは一般に0.05℃程度の精度を有し、高精度の接触式の温度センサは0.001℃程度の精度を有する。本実施の形態2においては、放射温度計19は非接触式であるが、ウエハ12の温度上昇許容値がウエハチャック14の温度上昇許容値より大きいので、充分な計測精度が確保されている。一方、ウエハチャック14が温度上昇許容値が小さいが、白金測温抵抗体を用いた接触式温度センサ21によって温度計測を行うことで、0.001℃程度の高精度な温度計測が可能となっている。
【0064】
上記のように構成したことにより、この実施の形態2に係る露光装置1によれば、ウエハ12の表面温度を簡便に計測できるとともに、ウエハチャック14の温度を高精度に計測することができる。その温度計測値に基づいて冷却手段11a,11bを温度制御することにより、ウエハ12やウエハチャック14の温度調整を行うことができる。
【0065】
ウエハ12及びウエハチャック14の温度計測や温度制御を行うことにより、露光エネルギー変動やウエハチャック14の発熱量変動が大きい場合であってもさらに一層ウエハ12及びウエハチャック14の温度安定性を向上させることができる。その結果、さらに高精度に回路パターンを露光転写することができてウエハの不良率を低減し、また高性能のデバイスを作成することができる。
【0066】
以上、物体として主としてウエハを例にして説明したが、レチクル、ミラー、反射型オプティカルインテグレータ等に適用する事も可能である。また、本発明の好ましい実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、その要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。
【0067】
本出願は、更に以下の事項を開示する。
【0068】
[実施態様1] 光源からの光を物体に導く光学系と、該物体を保持する保持手段と、該保持手段の保持面側に、該保持面に対して非接触に配置された第1の冷却手段と、該保持手段の裏面側に、該裏面に対して非接触に配置された第2の冷却手段と、を有することを特徴とする露光装置。
【0069】
[実施態様2] 前記第1の冷却手段は、輻射による冷却を行うことを特徴とする実施態様1に記載の露光装置。
【0070】
[実施態様3] 前記第2の冷却手段は、輻射による冷却を行うことを特徴とする実施態様1に記載の露光装置。
【0071】
[実施態様4] 前記第1の冷却手段は、輻射板と、該輻射板を冷却するペルチェ素子と、を有することを特徴とする実施態様1に記載の露光装置。
【0072】
[実施態様5] 前記第2の冷却手段は、輻射板と、該輻射板を冷却するペルチェ素子と、を有することを特徴とする実施態様1に記載の露光装置。
【0073】
[実施態様6] 前記物体の温度を計測する温度計測手段と、該計測された前記物体の温度に基づいて前記第1の冷却手段の温度を制御する制御部と、を更に有することを特徴とする実施態様1に記載の露光装置。
【0074】
[実施態様7] 前記温度計測手段は、前記物体の温度を前記物体に接触せずに計測することを特徴とする実施態様8に記載の露光装置。
【0075】
[実施態様8] 前記保持手段の温度を計測する温度計測手段と、該計測された前記保持手段の温度に基づいて前記第2の冷却手段の温度を制御する制御部と、を更に有することを特徴とする実施態様1に記載の露光装置。
【0076】
[実施態様9] 前記温度計測手段は、前記保持手段の温度を前記保持手段に接触しつつ計測することを特徴とする実施態様6に記載の露光装置。
【0077】
[実施態様10] 前記物体はパターンが形成されたレチクルであり、前記保持手段はレチクルチャックであることを特徴とする実施態様1に記載の露光装置。
【0078】
[実施態様11] 前記物体はウエハであり、前記保持手段はウエハチャックであることを特徴とする実施態様1に記載の露光装置。
【0079】
[実施態様12] 反射型レチクルのパターンに基づいて被処理体を露光する露光装置において、光源からの光により前記反射型レチクルを照明する照明光学系と、該反射型レチクルを保持するレチクルチャックと、該レチクルチャックの裏側に、該裏側の面に対して非接触に配置された冷却手段と、を有することを特徴とする露光装置。
【0080】
[実施態様13] 被処理体を露光する露光装置において、光源からの光を前記被処理体に導く光学系と、該被処理体を保持するチャックと、該チャックの保持面の裏側に、該裏側の面に対して非接触に配置された冷却手段と、を有することを特徴とする露光装置。
【0081】
[実施態様14] 光源からの光を物体に導く工程と、該物体又は該物体を保持する保持手段を、該保持手段の保持面側及びその裏面側から輻射によって冷却する工程と、を有することを特徴とする露光方法。
【0082】
[実施態様15] 実施態様1〜13のうちいずれかに記載の露光装置によって被処理体を投影露光する工程と、前記投影露光された被処理体に所定のプロセスを行う工程とを有するデバイスの製造方法。
【0083】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ウエハ・レチクル・ミラー等の物体を、振動・位置安定性・位置制御の応答性の悪化等を伴わずに効果的に冷却することができ、その結果、高精度に回路パターンを露光転写することができてウエハの不良率を低減し、また高性能のデバイスを作成することができる。
【0084】
また、物体とその物体の保持手段との両方の冷却を効果的に行うことにより、さらに高精度に回路パターンを露光転写することができてウエハの不良率を低減し、また高性能のデバイスを作成することができる。
【0085】
物体の表面温度を簡便に計測し、保持手段の温度を高精度に計測することにより、物体や保持手段の確実な温度制御を可能とし、さらに高精度に回路パターンを露光転写することができてウエハの不良率を低減し、また高性能のデバイスを作成することができる。
【0086】
さらに、デバイスを振動・位置安定性・位置制御の応答性の悪化等を伴わずに効果的に冷却することができ、その結果、高精度に回路パターンを露光転写することができてウエハの不良率を低減し、また高性能のデバイスを作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係る露光装置の露光部全体の構成を模式的に示す概略図である。
【図2】図1に示す露光装置のレチクル周辺とウエハ周辺とを模式的に示す図である。
【図3】図1に示す露光装置のウエハ及びウエハチャック近傍を拡大した図である。
【図4】図1に示す露光装置による露光工程を有するデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図5】図4に示すステップ4の詳細なフローチャートである。
【図6】本発明の実施の形態2に係る露光装置のウエハ及びウエハチャック近傍を拡大した図である。
【符号の説明】
1:露光装置
2e:EUV光
3:照明光学系
3a:反射ミラー
4:反射型レチクル(物体)
4a:表面
5:レチクルステージ(保持手段)
6:投影光学系
6a,6b,6c,6d:ミラー
9:レチクルチャック(保持手段)
11a:冷却手段(第1の冷却手段)
11b:冷却手段(第2の冷却手段)
11c,11c’:輻射板
11d,11d’:ペルチェ素子
12:ウエハ(物体、被処理体)
12a:表面
12b:裏面
13:ウエハ微動ステージ
14:ウエハチャック(保持手段)
14a:保持面
14d:裏面
19:放射温度計(第1の温度計測手段)
21:接触式温度センサ(第2の温度計測手段)
Claims (1)
- 光源からの光を物体に導く光学系と、
該物体を保持する保持手段と、
該保持手段の保持面側に、該保持面に対して非接触に配置された第1の冷却手段と、
該保持手段の裏面側に、該裏面に対して非接触に配置された第2の冷却手段と、を有することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003104422A JP4307130B2 (ja) | 2003-04-08 | 2003-04-08 | 露光装置 |
US10/819,796 US7325404B2 (en) | 2003-04-08 | 2004-04-07 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003104422A JP4307130B2 (ja) | 2003-04-08 | 2003-04-08 | 露光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004311780A true JP2004311780A (ja) | 2004-11-04 |
JP2004311780A5 JP2004311780A5 (ja) | 2008-02-07 |
JP4307130B2 JP4307130B2 (ja) | 2009-08-05 |
Family
ID=33127788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003104422A Expired - Fee Related JP4307130B2 (ja) | 2003-04-08 | 2003-04-08 | 露光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7325404B2 (ja) |
JP (1) | JP4307130B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006351741A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 温度制御装置、温度調節機能付き可動ステージ、及び輻射伝熱装置 |
WO2007113955A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Nikon Corporation | 移動体装置、露光装置及び露光方法、微動体、並びにデバイス製造方法 |
US7315347B2 (en) | 2003-12-12 | 2008-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2012064974A (ja) * | 2005-03-23 | 2012-03-29 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016507763A (ja) * | 2012-12-17 | 2016-03-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置のための基板サポート及びリソグラフィ装置 |
KR20170141741A (ko) * | 2015-04-21 | 2017-12-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
KR20190046933A (ko) * | 2016-09-02 | 2019-05-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005109158A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Canon Inc | 冷却装置及び方法、それを有する露光装置、デバイスの製造方法 |
JP4256893B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2009-04-22 | パイオニア株式会社 | 露光装置 |
US7532310B2 (en) * | 2004-10-22 | 2009-05-12 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus, method for supporting and/or thermally conditioning a substrate, a support table, and a chuck |
US8760621B2 (en) * | 2007-03-12 | 2014-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US20080225261A1 (en) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Noriyuki Hirayanagi | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US20090149242A1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Igt, A Nevada Corporation | Gaming device with configurable reel lighting |
KR20090060624A (ko) * | 2007-12-10 | 2009-06-15 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판 및 표시 장치 |
JP5197505B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2013-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハチャック用の温度センサ |
US9104113B2 (en) * | 2013-01-07 | 2015-08-11 | International Business Machines Corporation | Amplification method for photoresist exposure in semiconductor chip manufacturing |
JP2016161356A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品搬送装置および電子部品検査装置 |
WO2017001135A1 (en) | 2015-07-02 | 2017-01-05 | Asml Netherlands B.V. | A substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices |
FR3076395B1 (fr) * | 2017-12-28 | 2020-01-17 | Thales | Dispositif de controle thermique d'un composant, systeme electronique et plate-forme associes |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4213698A (en) * | 1978-12-01 | 1980-07-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Apparatus and method for holding and planarizing thin workpieces |
JPS6015147A (ja) | 1983-07-07 | 1985-01-25 | 東レ株式会社 | 金属被覆物品 |
JPH01152639A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Canon Inc | 吸着保持装置 |
DE69118315T2 (de) * | 1990-11-01 | 1996-08-14 | Canon Kk | Waferhaltebefestigung für Belichtungsgerät |
US5593800A (en) * | 1994-01-06 | 1997-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask manufacturing method and apparatus and device manufacturing method using a mask manufactured by the method or apparatus |
JP3276553B2 (ja) * | 1995-01-19 | 2002-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JPH0992613A (ja) | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Nikon Corp | 温調装置及び走査型露光装置 |
JP3814359B2 (ja) * | 1996-03-12 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | X線投影露光装置及びデバイス製造方法 |
JPH1174164A (ja) * | 1997-08-27 | 1999-03-16 | Canon Inc | 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 |
AU2549899A (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-20 | Nikon Corporation | Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device |
JP3311319B2 (ja) * | 1998-10-02 | 2002-08-05 | キヤノン株式会社 | 光学ユニット、光学ユニットを用いた光学機器 |
DE19932275B4 (de) * | 1999-07-06 | 2005-08-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zur Röntgenfluoreszenzanalyse |
JP4745556B2 (ja) * | 2001-08-20 | 2011-08-10 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
EP1387054B1 (en) * | 2002-07-31 | 2012-07-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Cooling apparatus for an optical element, exposure apparatus comprising said cooling apparatus, and device fabrication method |
-
2003
- 2003-04-08 JP JP2003104422A patent/JP4307130B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-07 US US10/819,796 patent/US7325404B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7315347B2 (en) | 2003-12-12 | 2008-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2012064974A (ja) * | 2005-03-23 | 2012-03-29 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2006351741A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 温度制御装置、温度調節機能付き可動ステージ、及び輻射伝熱装置 |
JP4558589B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2010-10-06 | 住友重機械工業株式会社 | 温度制御装置、温度調節機能付き可動ステージ、及び輻射伝熱装置 |
WO2007113955A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Nikon Corporation | 移動体装置、露光装置及び露光方法、微動体、並びにデバイス製造方法 |
JPWO2007113955A1 (ja) * | 2006-03-30 | 2009-08-13 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置及び露光方法、微動体、並びにデバイス製造方法 |
JP5257845B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2013-08-07 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置及び露光方法、微動体、並びにデバイス製造方法 |
JP2016507763A (ja) * | 2012-12-17 | 2016-03-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置のための基板サポート及びリソグラフィ装置 |
KR20170141741A (ko) * | 2015-04-21 | 2017-12-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
JP2018513421A (ja) * | 2015-04-21 | 2018-05-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
JP2021176018A (ja) * | 2015-04-21 | 2021-11-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 冷却装置及びその使用方法並びにリソグラフィ装置 |
TWI779770B (zh) * | 2015-04-21 | 2022-10-01 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 冷卻裝置、微影裝置及微影方法 |
JP7305715B2 (ja) | 2015-04-21 | 2023-07-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 冷却装置及びその使用方法並びにリソグラフィ装置 |
KR102592761B1 (ko) * | 2015-04-21 | 2023-10-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
KR20190046933A (ko) * | 2016-09-02 | 2019-05-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
JP2019529982A (ja) * | 2016-09-02 | 2019-10-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
JP7060584B2 (ja) | 2016-09-02 | 2022-04-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 冷却装置およびリソグラフィ装置 |
KR102455352B1 (ko) * | 2016-09-02 | 2022-10-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7325404B2 (en) | 2008-02-05 |
JP4307130B2 (ja) | 2009-08-05 |
US20040200226A1 (en) | 2004-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6549270B1 (en) | Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing devices | |
US7250616B2 (en) | Temperature adjustment apparatus, exposure apparatus having the same, and device fabricating method | |
JP4307130B2 (ja) | 露光装置 | |
US6727980B2 (en) | Apparatus and method for pattern exposure and method for adjusting the apparatus | |
US7212274B2 (en) | Cooling system, exposure apparatus having the same, and device manufacturing method | |
US7191599B2 (en) | Cooling apparatus and method, and exposure apparatus having the cooling apparatus | |
JP4262031B2 (ja) | 露光装置及びデバイスの製造方法 | |
US20060017896A1 (en) | Cooling apparatus | |
WO1999026278A1 (fr) | Dispositif d'exposition, procede de fabrication associe, et procede d'exposition | |
US20060164622A1 (en) | Illumination apparatus, projection exposure apparatus, and device fabricating method | |
US20090103063A1 (en) | Cooling apparatus for optical member, barrel, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
US7295284B2 (en) | Optical system, exposure apparatus using the same and device manufacturing method | |
JP4458323B2 (ja) | 保持装置、当該保持装置を有する露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP4018564B2 (ja) | 光学系、及びそれを用いた露光装置、デバイスの製造方法 | |
US8030628B2 (en) | Pulse modifier, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2006073895A (ja) | 冷却装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
US7027131B2 (en) | Exposure apparatus | |
JP4893249B2 (ja) | 露光装置とそれを用いた半導体素子または液晶素子の製造方法 | |
JP2004336026A (ja) | 温度調節装置及びそれを有する露光装置、デバイスの製造方法 | |
JP2004335585A (ja) | 冷却装置及び方法、当該冷却装置を有する露光装置、デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060405 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060405 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080513 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090421 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120515 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120515 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130515 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140515 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |