JPH1174164A - 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 - Google Patents

基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法

Info

Publication number
JPH1174164A
JPH1174164A JP9231132A JP23113297A JPH1174164A JP H1174164 A JPH1174164 A JP H1174164A JP 9231132 A JP9231132 A JP 9231132A JP 23113297 A JP23113297 A JP 23113297A JP H1174164 A JPH1174164 A JP H1174164A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wafer
supporting
support
state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP9231132A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Takizawa
亨 滝沢
Kenji Yamagata
憲二 山方
Takao Yonehara
隆夫 米原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP9231132A priority Critical patent/JPH1174164A/ja
Priority to TW087113446A priority patent/TW480617B/zh
Priority to SG1998003112A priority patent/SG65092A1/en
Priority to EP98306689A priority patent/EP0899778A3/en
Priority to US09/138,802 priority patent/US6451670B1/en
Priority to AU81902/98A priority patent/AU732569B2/en
Priority to KR10-1998-0034737A priority patent/KR100396014B1/ko
Priority to CN98118700A priority patent/CN1209644A/zh
Publication of JPH1174164A publication Critical patent/JPH1174164A/ja
Priority to US10/206,214 priority patent/US6706618B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
    • H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】大口径の基板を容易に密着させるための装置及
び方法を提供する。 【解決手段】先ず、吸着溝３ａ及び３ｂ内の双方を減圧
することにより、ウェハ１の全面をウェハ支持台３の吸
着面に吸着してウェハ１を湾曲させる。そして、ウェハ
２をウェハ１に水平に対向させた状態で、加圧ピン６ａ
によりウェハ２の中心部に加圧する。これにより、２枚
のウェハ１，２の中心部が密着し、徐々に密着部が中央
部３ｃの周辺付近まで拡大して、その密着部の形状が略
円形になるのを待つ。その後、吸着溝３ａによる吸着を
解除する。これにより、ウェハ１が平面状になると共に
ウェハ１，２の全面が密着する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置、基
板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法に係
り、特に、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処
理装置、基板支持装置及び基板処理方法、並びに、これ
らの装置又は方法を適用した基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】２枚のウェハ（基板）を密着させ、陽極
接合処理、加圧処理、熱処理等を施すことにより貼り合
わせる方法がある。この方法は、例えばＳＯＩ等の構造
を有するウェハの製造に好適である。
【０００３】図２５は、ウェハを貼り合わせる工程の一
部を示す模式図である。この貼り合わせ工程において
は、先ず、図２５（ａ）に示すように、第１のウェハ１
をその貼り合わせ面を上にしてウェハ支持治具２０１に
セットし、第２のウェハ２をその貼り合わせ面を下にし
て静かに重ね合わせる。このとき、上側のウェハ２は、
図２５（ａ）に示すように、ウェハ間の気体（例えば、
空気、不活性気体）により浮遊した状態になる。
【０００４】次いで、ウェハ１，２間の気体が完全に抜
ける前に、図２５（ｂ）に示すように、上側のウェハ２
の中心付近に対して加圧ピン２０２によって加圧する
と、ウェハの中心部の空気が外周方向に押し出され、先
ず、中心部においてウェハ１及び２が密着し、その後、
ウェハ間の気体が外周方向に向かって徐々に押し出され
ながら密着部分の面積が拡大し、最終的にウェハの全体
が密着される。
【０００５】この方法は、簡易な治具により２枚のウェ
ハを密着させる方法として有用であるばかりか、大口径
化への適用も容易な基礎技術であると考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】一般に、ウェハの
大口径化に伴って、ウェハの面内均一性を確保すること
が困難になる。上記の方法は、大口径のウェハの製造に
適用した場合においても、この面内均一性の問題を克服
し得るものとして期待されている。しかしながら、より
大口径化に適した技術が望まれる所である。
【０００７】本発明は、大口径の基板を容易に密着させ
るための装置及び方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理装
置であって、第１の基板を支持する支持手段と、前記支
持手段により支持された第１の基板に第２の基板を対向
させた状態で、該第２の基板に加圧する加圧手段とを備
え、前記支持手段は、第１の基板の所定部分が第２の基
板から離隔する方向に湾曲した状態及び湾曲しない状態
で、該第１の基板を支持可能であることを特徴とする。
【０００９】上記基板処理装置において、前記加圧手段
は、前記支持手段により支持された第１の基板に第２の
基板を対向させた状態で、該第２の基板の裏面に加圧す
ることが好ましい。
【００１０】上記基板処理装置において、前記支持手段
は、第１の基板の周辺部が第２の基板から離隔する方向
に湾曲した状態及び湾曲しない状態で、該第１の基板を
支持可能であり、前記加圧手段は、前記支持手段により
支持された第１の基板に第２の基板を対向させた状態
で、該第２の基板の略中央部に加圧することが好まし
い。
【００１１】上記基板処理装置において、前記支持手段
は、前記加圧手段により第２の基板の裏面に加圧してか
ら相応の時間が経過するまでは、第１の基板を湾曲した
状態で支持し、その後、該第１の基板を湾曲しない状態
で支持することが好ましい。
【００１２】上記基板処理装置において、前記支持手段
は、前記加圧手段により第２の基板の裏面に加圧してか
ら第１及び第２の基板の密着部が所定の領域に拡大する
までは、第１の基板を湾曲した状態で支持し、その後、
該第１の基板を湾曲しない状態で支持することが好まし
い。
【００１３】上記基板処理装置において、前記支持手段
は、第１の基板と第２の基板との密着部が中心側から周
辺方向に向かって段階的に拡大するように、該第１の基
板の湾曲を調整するための調整手段を有することが好ま
しい。
【００１４】上記基板処理装置において、前記調整手段
は、第１の基板と第２の基板との密着部が同心円状に段
階的に拡大するように、該第１の基板の湾曲を調整する
ことが好ましい。
【００１５】上記基板処理装置において、前記支持手段
は、第１の基板の裏面を吸着して該第１の基板を湾曲さ
せる吸着手段を有することが好ましい。
【００１６】上記基板処理装置において、前記支持手段
は、周辺部の高さが中央部の高さよりも低い支持台を有
し、該支持台に第１の基板を吸着することが好ましい。
【００１７】上記基板処理装置において、前記支持台
は、円盤状の中央部と、１又は複数の環状の周辺部とを
有することが好ましい。
【００１８】上記基板処理装置において、前記支持台
は、円盤状の中央部と、環状の周辺部とを有し、前記周
辺部の吸着面は、前記中央部の吸着面に対して傾斜して
いることが好ましい。
【００１９】上記基板処理装置において、前記中央部の
吸着面と前記周辺部の吸着面とに夫々第１の基板を吸着
するための吸着機構を有することが好ましい。
【００２０】上記基板処理装置において、前記中央部及
び／又は周辺部の吸着面には、第１の基板を支持するた
めの剣山状のピン群が形成され、ピン間の空間を減圧す
ることにより第１の基板を吸着することが好ましい。
【００２１】上記基板処理装置において、前記支持台の
うち前記周辺部の吸着面のみに第１の基板を吸着するた
めの吸着機構を有することが好ましい。
【００２２】上記基板処理装置において、前記支持手段
は、第１の基板の中央部が前記支持台の中央部から離隔
するようにして該第１の基板の周辺部のみを前記支持台
に吸着することが好ましい。
【００２３】上記基板処理装置において、前記支持手段
により支持された第１の基板に第２の基板を対向させて
支持した後に該第２の基板の支持を解除する基板操作手
段を更に備え、前記加圧手段は、前記基板操作手段によ
る第２の基板の支持の解除に合わせて該第２の基板に加
圧することが好ましい。
【００２４】上記基板処理装置において、前記支持手段
は、第１の基板を略水平に支持し、前記基板操作手段
は、第２の基板を前記第１の基板の上方に略水平に支持
した後に前記第２の基板の支持を解除することが好まし
い。
【００２５】本発明に係る基板支持装置は、２枚の基板
を重ね合わせて密着させる際に一方の基板を支持する基
板支持装置であって、基板を湾曲した状態及び湾曲しな
い状態で支持可能な支持手段を有することを特徴とす
る。
【００２６】上記基板支持装置において、前記支持手段
は、基板の周辺部が中央部に対して湾曲した状態及び湾
曲しない状態で該基板を支持可能であることが好まし
い。
【００２７】上記基板支持装置において、前記支持手段
は、先ず、基板を湾曲した状態で支持し、その後、該基
板を湾曲しない状態で支持することが好ましい。
【００２８】上記基板支持装置において、前記支持手段
は、支持している基板と、該基板と密着させるべき他の
基板との密着部が中心部から周辺方向に向かって段階的
に拡大するように、該支持している基板の湾曲を調整す
るための調整手段を有することが好ましい。
【００２９】上記基板支持装置において、前記調整手段
は、前記密着部が同心円状に段階的に拡大するように、
前記支持している基板の湾曲を調整することが好まし
い。
【００３０】上記基板支持装置において、前記支持手段
は、基板の裏面を吸着して該基板を湾曲させることが好
ましい。
【００３１】上記基板支持装置において、前記支持手段
は、周辺部の高さが中央部の高さよりも低い支持台を有
し、該支持台に基板を吸着することが好ましい。
【００３２】上記基板支持装置において、前記支持台
は、円盤状の中央部と、１又は複数の環状の周辺部とを
有することが好ましい。
【００３３】上記基板支持装置において、前記支持台
は、円盤状の中央部と、環状の周辺部とを有し、前記周
辺部の吸着面は、前記中央部の吸着面に対して傾斜して
いることが好ましい。
【００３４】上記基板支持装置において、前記中央部の
吸着面と前記周辺部の吸着面とに夫々基板を吸着するた
めの吸着機構を有することが好ましい。
【００３５】上記基板支持装置において、前記支持台の
うち前記周辺部の吸着面のみに基板を吸着するための吸
着機構を有することが好ましい。
【００３６】上記基板支持装置において、前記支持手段
は、基板の中央部が前記支持台の中央部から離隔するよ
うにして該基板の周辺部のみを前記支持台に吸着するこ
とが好ましい。
【００３７】本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板
を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、第１
及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の周辺部を
前記第２の基板の周辺部から離隔する方向に湾曲させた
状態で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、相応の
時間の経過後、前記第１の基板を湾曲しない状態にする
ことを特徴とする。
【００３８】本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板
を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、第１
及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の周辺部を
前記第２の基板の周辺部から離隔する方向に湾曲させた
状態で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、前記第
１の基板と前記第２の基板との密着部が所定の領域まで
拡大した後に、前記第１の基板を湾曲しない状態にする
ことを特徴とする。
【００３９】本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板
を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、第１
及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の周辺部を
前記第２の基板の周辺部から離隔する方向に湾曲させた
状態で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、その
後、前記第１の基板と前記第２の基板との密着部が中心
部から周辺方向に向かって段階的に拡大するように、前
記第１の基板の湾曲を調整することを特徴とする。
【００４０】本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板
を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、第１
及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の周辺部を
前記第２の基板の周辺部から離隔する方向に湾曲させた
状態で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、その
後、前記第１の基板と前記第２の基板との密着部が中心
部から周辺方向に向かって同心円状に段階的に拡大する
ように、前記第１の基板の湾曲を調整することを特徴と
する。
【００４１】本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板
を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、第１
及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の所定部分
を前記第２の基板から離隔する方向に湾曲させた状態
で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、相応の時間
の経過後、前記第１の基板を湾曲しない状態にすること
を特徴とする。
【００４２】本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板
を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、第１
及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の所定部分
を前記第２の基板から離隔する方向に湾曲させた状態
で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、前記第１の
基板と前記第２の基板との密着部が所定の領域まで拡大
した後に、前記第１の基板を湾曲しない状態にすること
を特徴とする。
【００４３】本発明に係る基板処理方法は、２枚の基板
を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、第１
及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の所定部分
を前記第２の基板から離隔する方向に湾曲させた状態
で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、その後、前
記第１の基板と前記第２の基板との密着部が段階的に拡
大するように、前記第１の基板の湾曲を調整することを
特徴とする。
【００４４】上記の各基板処置方法において、前記第２
の基板に対する加圧は、その裏面に対して行うことが好
ましい。
【００４５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００４６】［第１の実施の形態］図１は、この実施の
形態に係るウェハ処理装置の全体構成を概略的に示す斜
視図である。図２は、図１の一部を拡大した図である。
図３及び図４は、図１及び図２に示すウェハ処理装置１
００のウェハ支持部の構成を示す断面図である。図７〜
図１２は、図１及び図２に示すウェハ処理装置１００を
Ａ−Ａ’線で切断した断面図であって、２枚のウェハを
密着させる動作を示している。
【００４７】このウェハ処理装置１００は、２枚のウェ
ハを重ね合わせて密着させる装置であって、例えば、２
枚のウェハを貼り合わせてＳＯＩ等の構造を有するウェ
ハを製造する方法の実施に好適である。
【００４８】このウェハ処理装置１００は、第１のウェ
ハ１（図３参照）を裏面から支持するウェハ支持台３
と、第２のウェハ２（図３参照）を裏面から吸着して第
１のウェハ１と略平行に対向させるウェハ移動機構４を
有する。
【００４９】ウェハ支持台３は、第１のウェハ１の裏面
とのみ接触する構造であることが好ましく、これにより
第１のウェハ１がパーティクルによって汚染されること
を防止することができる他、第１のウェハ１の外周部の
欠損を防止することができる。このウェハ支持台３は、
第１のウェハ１を吸着するための真空吸着機構を有す
る。図３及び図４は、加圧ピン６ａによりウェハ２の中
心部を加圧している状態のウェハ支持機構を示している
（図１１、１２参照）。
【００５０】ウェハ移動機構４は、第２のウェハ２の裏
面とのみ接触する構造を有することが好ましく、この実
施の形態においては、ウェハを真空吸着するための溝４
ａを有する。第２のウェハ２を吸着するには、溝４ａ内
の空間を減圧すれば良い。ウェハ移動機構４は、ウェハ
吸着部４ｃに第２のウェハ２の裏面を吸着した状態で軸
４ｂを中心として約１８０度回動して、第１のウェハ１
と略平行に対向させる。なお、軸４ｂは、ウェハ支持台
３とウェハ吸着部４ｃの略中間に位置する。
【００５１】また、このウェハ処理装置１００は、対向
した２枚のウェハ１，２間の間隙を調整するための機構
として、第１のウェハ１がウェハ支持台３上に載置され
た後にその厚さを計測する変位検出部１５と、第２のウ
ェハ２がウェハ吸着部４ｃに吸着された後にその厚さを
計測する変位検出部１２と、両変位検出部１２，１５に
よる計測結果に基づいて、ウェハ支持台３を上下動させ
てウェハ１，２間の間隙を設定値に調整するＺ軸ステー
ジ５（図７参照）を有する。
【００５２】また、このウェハ処理装置１００は、２枚
のウェハ１，２が対向して支持された状態で、上側のウ
ェハ２の略中央部に加圧するための加圧機構６を有す
る。加圧機構６の加圧ピン６ａは、２枚のウェハ１，２
が対向して支持された後、軸６ｂを中心として上側のウ
ェハ２の裏面付近まで回動する。そして、ウェハ移動機
構４のウェハ吸着部４ｃが上側のウェハ２の吸着を解除
するのに合わせて、加圧機構６は、加圧ピン６ａを上側
のウェハ２の裏面に押し当てて加圧する。２枚のウェハ
１，２は、加圧された部分から外周方向に向かって徐々
に密着し、これに伴ってウェハ１，２間の気体がその外
周方向に向かって排出される。したがって、ウェハ１，
２間に気体が取り残されることが防止される。
【００５３】ところで、加圧ピン６ａによるウェハ２の
加圧は、ウェハ吸着部４ｃによるウェハ２の吸着の解除
と略同時に行うことが好ましい。この場合、設定値に調
整された２枚のウェハ１、２間の間隙を維持した状態で
加圧動作を開始することができるため、密着後のウェハ
の品質を均一化することができ、また、ウェハ１，２間
に気体が取り残されることをより効果的に防止すること
ができ、さらに、ウェハ１，２のずれを防止することが
できる。
【００５４】加圧機構６は、加圧ピン６ａを振動させる
振動子（例えば、圧電素子）を内蔵しており、ウェハ２
に加圧する際に加圧ピン６ａを振動させることにより、
効率的にウェハ１，２間の気体を排出することができ
る。
【００５５】また、加圧ピン６ａによるウェハ２の加圧
の制御は、他のタイミングで行っても良く、例えば、ウ
ェハ２の吸着の解除後、ウェハ１，２間の気体が所定量
以上排出される前の所定のタイミングで加圧を行っても
良いし、ウェハ２の吸着の解除後、一定の時間を計時し
た後に行っても良いし、ウェハ２の吸着の解除後、ウェ
ハ１，２間の距離がウェハ２の自重等により所定距離以
下になる前の所定のタイミングで行っても良い。
【００５６】このウェハ処理装置１００は、さらに、ウ
ェハ１，２を夫々ウェハ支持台３、ウェハ吸着部４ｃに
セットし、密着後のウェハをウェハ支持台３から受取る
ウェハ搬送ロボット１０と、ウェハアライメント部１１
を有する。
【００５７】このウェハ処理装置１００においては、ウ
ェハの密着処理を開始する前に、未処理のウェハ１、２
が夫々収容されたウェハカセット７、８及び処理済みの
ウェハを収容するためのウェハカセット９を所定位置に
配置する。なお、この実施の形態においては、未処理の
ウェハ１，２の裏面を下側にしてウェハカセット７，８
に収容するものとする。
【００５８】操作パネル１６の操作スイッチ１６ｂによ
りウェハの密着処理の開始が指示されると、ウェハ搬送
ロボット１０は、ウェハカセット７に収容された未処理
のウェハ１の裏面を吸着してウェハアライメント部１１
まで搬送する。ウェハアライメント部１１は、搬送され
たウェハ１の中心位置及び向き（例えば、オリエンテー
ション・フラット、ノッチの位置）をセンサにより検知
して、その中心位置及び向きを調整する。ここで、ウェ
ハアライメント部１１は、ウェハ１の裏面のみと接触す
る構造であることが好ましい。
【００５９】その後、ウェハ搬送ロボット１０は、位置
合せが終了したウェハ１を受取り、ウェハ支持台３上に
突出しているロードピン１３上の所定位置に載置する。
このようにして、ウェハ１がロードピン１３上に載置さ
れた後に、ウェハ支持台３が上昇することにより、ウェ
ハ１がウェハ支持台３により支持される状態になる。ウ
ェハ１は、既にウェハアライメント部１１により位置合
せされ、その位置関係を維持したままウェハ支持台３上
に引き渡されるため、ウェハ支持台３上で再度ウェハ１
の中心位置及び向きを合わせる必要はない。ただし、ウ
ェハ支持台３上でウェハ１の位置合わせを行う構成を採
用することもできる。
【００６０】次いで、ウェハ搬送ロボット１０は、ウェ
ハカセット８より未処理のウェハ２を取出し、上記と同
様の手順で、ウェハアライメント部１１によりウェハ２
の中心位置及び向きを調整し、ウェハ移動機構４のウェ
ハ吸着部４ｃ上に突出したロードピン１４上の所定位置
に載置する。このようにして、ウェハ２がロードピン１
４上に載置された後、ウェハ吸着部４ｃが軸４ｂを中心
にしてウェハ２の裏面に接触するまで回動し、溝４ａ内
を減圧することによりウェハ２がウェハ吸着部４ｃに吸
着される。上記と同様、ウェハ２は、既にウェハアライ
メント部１１により位置合せされ、その位置関係を維持
したままウェハ吸着部４ｃに吸着されるため、吸着の際
に再度ウェハ２の中心位置及び向きを合わせる必要はな
い。なお、ウェハ２の吸着の際、ウェハ吸着部４ｃを回
動させる代わりに、ロードピン１４を下方に収容する構
成も有効である。
【００６１】このようにしてウェハ１，２が夫々ウェハ
支持台３、ウェハ吸着部４ｃによって支持された状態
で、上記の変位検出部１５，１２は、ウェハ１，２の厚
さを計測する。具体的には、変位検出部１５，１２は、
ウェハ１，２の上部までセンサ１５ａ，１２ａを移動さ
せ、例えばウェハ１，２に光を照射してその反射光に基
づいて、ウェハ１，２の厚さを夫々計測する。
【００６２】ウェハ１，２の厚さの計測が終了すると、
前述のように、ウェハ吸着部４ｃは軸４ｂを中心として
約１８０度回動し、ウェハ２をウェハ１と略平行に対向
させる。その後、Ｚ軸ステージ５によりウェハ１，２間
の間隙を調整し、加圧ピン６ａによりウェハ２に加圧す
ることにより密着処理が終了する。
【００６３】密着処理が終了すると、ウェハ支持台３は
Ｚ軸ステージ５により降下され、処理済みのウェハがロ
ードピン１３によって支持された状態になる。その後、
ウェハ搬送ロボット１０は、処理済みのウェハを受取
り、ウェハカセット９に収容する。
【００６４】このような手順を繰り返して実行すること
により、ウェハカセット７，８に収容された複数枚のウ
ェハを連続的に処理することができる。
【００６５】次に、ウェハ支持台３の構成に関して説明
する。ウェハ支持台３は、円盤状の中央部３ｃと、円環
状周辺部３ｄとを有し、中央部３ｃ、周辺部３ｄの吸着
面（ウェハ１を吸着する面）には、夫々ウェハ１を真空
吸着するための吸着溝３ａ、３ｂが設けられている。図
３及び図４に示す例においては、吸着溝３ａは、同心円
環状の９本の溝からなり、吸着溝３ｂは、同心円環状の
４本の溝からなる。
【００６６】吸着溝３ａ，３ｂは、夫々吸引孔１８ａ，
１８ｂに連結され、更に、夫々バルブ１９ａ、１９ｂに
連結されている。このバルブ１９ａ、１９ｂは、パイプ
１８を介して真空ポンプ２０に連結されている。吸着溝
３ａ、３ｂによるウェハの吸着動作は、個別に開閉可能
なバルブ１８ａ、１８ｂにより独立に制御することがで
きる。
【００６７】ここで、ウェハ１の吸着機構としては種々
の形態を採用し得る。例えば、剣山状に配列されたピン
群によりウェハ１を支持すると共に当該ピン間の空間を
減圧することによりウェハ１をウェハ支持台３の吸着面
に吸着する機構も好適である。この吸着機構に拠れば、
ウェハ１とウェハ支持台３との間のパーティクル等によ
る影響（例えば、ウェハ１の平坦性の悪化等）が軽減さ
れる。この吸着機構の一例を挙げると、例えば、ウェハ
のサイズが８インチの場合、各ピンの径が約０．２ｍ
ｍ、ピン間の距離（ピッチ）が約２．２ｍｍの吸着機構
が好適であり、この場合、ウェハとウェハ支持台との接
触率は約１．２％になる。
【００６８】加圧ピン６ａによりウェハ２に加圧する際
には、先ず、バルブ１９ａ、１９ｂの双方を開放するこ
とにより、吸着溝３ａ、３ｂの双方でウェハ１を吸着す
る。これにより、ウェハ１は、図３に示すように、周辺
部３ｄが、ウェハ２から離隔する方向に湾曲した状態、
すなわち、傘状に反った状態になる。
【００６９】この状態で、図３に示すようにしてウェハ
２の中心部に加圧すると、先ず、２枚のウェハ１，２の
中心部が密着し、その後、密着部が周辺方向に向かって
徐々に拡大し、中央部３ｃの外周部付近まで全周にわた
って略均一に密着部が拡大した時点で、密着部の拡大が
停止する。これは、ウェハ１が傘状に反った状態で支持
されているためである。
【００７０】ところで、ウェハの中心部から周辺部に向
かっての密着部の拡大は、ウェハの全周において同一の
速さで進むとは限らない。この理由としては、例えば、
ウェハ１，２の貼り合わせ面の凹凸や、ウェハ１，２を
密着させる方向に作用する力が中央側で大きく周辺側で
小さくなるために、ウェハの不均一性による影響が顕著
になる傾向があることなどが考えられる。
【００７１】密着部の拡大が同一の速さで進まない場
合、すなわち、密着部が同心円状に拡大しない場合、ウ
ェハ間に気体（例えば、空気）が取り残される可能性が
ある。この現象は、ウェハが大口径化するほど顕著にな
るものと考えられる。
【００７２】しかしながら、図３に示すように、ウェハ
１を傘状に反らせた状態で加圧を行うと、２枚のウェハ
１，２の密着部の拡大は、一旦中央部３ｃの外周付近で
停止する。したがって、中央部３ｃの外周付近におい
て、密着部の拡大の速さの不均一性が吸収され、その結
果、密着部の形状が略円形に整形される。
【００７３】密着部の形状が略円形になった後（例え
ば、加圧を開始してから所定時間が経過した後）に、バ
ルブ１９ｂを閉じることにより、吸着溝３ｂによる吸着
を解除すると、傘状に反っていたウェハ１は、図４に示
すように平面状になる。これに伴って、密着部が再び中
央部３ｃから外周方向に向かって拡大する。
【００７４】このように、中心部から周辺に向かう各方
向（全周）における密着部の拡大の速さの差をウェハの
密着処理の中途で吸収し、密着部の形状を略円形に整形
した後に、該処理を続行することにより、大口径のウェ
ハであっても、より均一に密着させることができる。
【００７５】図５は、ウェハ処理装置１００により２枚
のウェハを密着させる際に、密着部が拡大する様子を概
念的に示す図である。同図において、密着部の拡大は、
（ａ）→（ｂ）→（ｃ）→（ｄ）→（ｅ）→（ｆ）の順
に進む。なお、同図において、ハッチングを付した領域
は、２枚のウェハの密着部を示す。
【００７６】図３に示すように、下方のウェハ（ウェハ
１）の全面を吸着した状態で、加圧ピン６ａによるウェ
ハ２の中心部に対する加圧を開始すると、先ず、（ａ）
に示すようにウェハの中心部に密着部が形成され、
（ｂ）、（ｃ）に示すように、徐々に密着部が拡大す
る。このとき、密着部の形状は、完全な円形にならず、
（ｃ）に示すように、密着部の外周に凹凸が生じること
が多い。
【００７７】密着部の拡大は、（ｄ）に示すような状
態、すなわち、ウェハ支持台３の中央部３ｃの外周付近
まで進んで停止する（以下、密着部の拡大が停止する位
置を密着境界という）。したがって、密着部が全周にわ
たって密着境界に達するまで、外周部３ｃの吸着溝３ｂ
によりウェハを吸着し続けることにより、密着部の形状
を略円形に整形することができる。
【００７８】次いで、図４に示すように、周辺部の吸着
溝３ｂのバルブ１９ｂを閉じて、ウェハの周辺部の吸着
を解除することにより、下方のウェハ（ウェハ１）が平
面状になる。これに伴って、（ｅ）に示すように、密着
部の拡大が再び進行し、最終的に、（ｆ）に示すよう
に、２枚のウェハが全面にわたって密着する。
【００７９】図６は、図２５に示すウェハ支持冶具２０
１により２枚のウェハを密着させる際に、密着部が拡大
する様子を概念的に示す図である。同図において、密着
部の拡大は、（ａ）→（ｂ）→（ｃ）→（ｄ）→（ｅ）
→（ｆ）の順に進む。
【００８０】この場合、密着部が放射状に拡大する際の
各方向における拡大の速さの差が中途で吸収されないた
め、特にウェハの周辺付近において、その速さの差によ
る影響が顕著となり、（ｆ）に示すように、ウェハ間の
気体が排出されずに残存し、非密着部６０１が形成され
る可能性がある。ただし、図６に示す例は、ウェハ１の
支持の方法以外は、ウェハ処理装置１００と同一の条件
でウェハを密着させた場合の結果を示すものであり、密
着処理の条件を変更することにより、非密着部６０１の
発生を抑制することができる可能性がある。
【００８１】この非密着部６０１は、後続の工程に悪影
響を及ぼすことは言うまでもない。例えば、ウェハ処理
装置１００を後述のＳＯＩウェハの製造工程に適用する
場合には、非密着部６０１において欠陥が誘発されるた
め、当該領域を利用することができず、収率の低下は避
けられない。
【００８２】次に、図７〜図１２を参照しながら、２枚
のウェハを密着させる際のウェハ処理装置１００の動作
を説明する。
【００８３】ウェハ搬送ロボット１０によりウェハ１，
２が夫々ロードピン１３、１４上に載置されると、図７
に示すように、Ｚ軸ステージ５は、ウェハ１を支持する
ための所定位置までウェハ支持台３を上昇させ、ウェハ
移動機構４は、ウェハ２を吸着可能な所定位置まで軸４
ｂを中心としてウェハ吸着部４ｃを回動させる。
【００８４】次いで、図８に示すように、変位検出部１
５、１２のセンサ１５ａ，１２ａがウェハ１，２上に移
動し、ウェハ１，２の厚さが夫々計測される。そして、
ウェハ１，２の厚さが計測された後、センサ１５ａ，１
２ａは、図７に示す初期状態の位置に戻る。
【００８５】次いで、図９に示すように、ウェハ移動機
構４は、軸４ｂを中心としてウェハ吸着部４ｃを約１８
０度回動させることによりウェハ１，２を略水平に対向
させ、先に計測したウェハ１，２の厚さに基づいて、Ｚ
軸ステージ５によりウェハ支持台３の高さを調整し、ウ
ェハ１，２間の間隙を設定値にする。この間隙は、例え
ば、ウェハの中央部において、２０〜１００μｍ程度が
好ましく、３０〜６０μｍ程度がさらに好ましい。ま
た、バルブ１９ａ、１９ｂを開放することにより、ウェ
ハ１の全面をウェハ支持台３の吸着面に吸着する。これ
により、ウェハ１は、前述のように、傘状に反った状態
になる。
【００８６】次いで、図１０に示すように、軸６ｂを中
心として加圧ピン６ａを回動させ、ウェハ２の裏面付近
（例えば、ウェハ２の裏面と略接触する位置）まで回動
させる。
【００８７】次いで、図１１に示すように、ウェハ吸着
部４ｃによるウェハ２の吸着の解除に合わせて、加圧ピ
ン６ａによりウェハ２の裏面に加圧する。これにより、
ウェハ１及び２は、中心部から密着境界まで徐々に密着
し、図５（ｄ）に示す状態、すなわち、密着部の形状が
略円形に整形された状態になる。なお、加圧の際には、
加圧ピン６ａを振動させることにより、効率的にウェハ
１，２間の気体を排出することができる。
【００８８】次いで、図１２に示すように、ウェハ１の
外周部の吸着を解除する。これにより、ウェハ１，２の
密着部は、密着境界を超えて周辺方向に向かって拡大す
る。なお、ウェハ１の外周部の吸着の解除は、前述のよ
うに、バルブ１９ｂを閉じて、吸着溝３ｂを大気圧にす
れば良い。また、この吸着の解除は、加圧ピン６ａによ
る加圧動作を開始した後、密着部が密着境界まで拡大
し、その形状が略円形になった後に行う必要がある。具
体的には、例えば、加圧動作の開始後、所定時間（密着
部が全周にわたって密着境界まで拡大するために十分な
時間）が経過するのを待って吸着を解除する方法や、例
えば、ウェハ２の反りをセンサ１５ａにより計測するこ
とにより、密着部が密着境界まで拡大したことを確認し
た後に吸着を解除する方法等がある。
【００８９】次いで、加圧機構６を元の状態（図２に示
す状態）に戻した後、ウェハ吸着部４ｃを元の状態（図
２に示す状態）に戻す。そして、バルブ１９ａを閉じ
て、吸着溝３ａを大気圧にした後（ウェハ１の吸着の解
除後）に、ウェハ支持台３を下降させて、密着後のウェ
ハがロードピン１３により支持された状態にする。この
状態で、ウェハ搬送ロボット１０は、密着後のウェハの
下部を吸着し、ウェハカセット９まで搬送し収容する。
【００９０】図１３は、ウェハ処理装置１００の制御系
の構成例を示すブロック図である。制御部１７は、プロ
グラム１７ｂに基づいて動作するＣＰＵ１７ａにより、
ウェハ搬送ロボット１０、ウェハアライメント部１１、
変位検出部１２，１５、Ｚ軸ステージ５、ウェハ移動機
構４、加圧機構６、パネル部１６、バルブ制御部１９を
制御する。
【００９１】図１４は、プログラム１７ｂによる制御手
順を示すフローチャートである。以下、このフローチャ
ートに従って、ウェハ処理装置１００の制御系の動作を
説明する。
【００９２】操作スイッチ１６ｂの操作により、密着処
理の開始が指示されると、先ず、ステップＳ１０１にお
いて、制御系１７に接続された各構成要素を初期化す
る。また、この初期化工程では、ウェハカセット７，
８，９の存在、その位置の確認等も行ない、準備が整っ
ていない場合には、例えば、表示パネル１６ａにその旨
を表示するなどして、オペレータに警告を発する。
【００９３】ステップＳ１０２では、ウェハ搬送ロボッ
ト１０を制御して、ウェハカセット７に収容されたウェ
ハ１を吸着させ、ステップＳ１０３において、吸着した
ウェハ１をウェハアライメント部１１まで搬送し、ここ
でウェハ１の位置合わせ（中心位置、向き）を行なう。
そして、ステップＳ１０４において、ウェハ搬送ロボッ
ト１０を制御して、ウェハ１をウェハ支持台３上に突出
したロードピン１３上の所定位置に載置し、Ｚ軸ステー
ジ５を制御して、ウェハ支持台３を所定位置まで上昇さ
せる。このとき、バルブ１９ａを開放することにより、
ウェハ１の中央部を吸着させる。
【００９４】ステップＳ１０５では、ウェハ搬送ロボッ
ト１０を制御して、ウェハカセット８に収容されたウェ
ハ２を吸着させ、ステップＳ１０６において、ウェハア
ライメント部１１まで搬送し、ここでウェハ２の位置合
わせ（中心位置、向き）を行なう。そして、ステップＳ
１０７において、ウェハ搬送ロボット１０を制御して、
ウェハ２をウェハ吸着部４ｃ上に突出したロードピン１
４上の所定位置に載置し、ウェハ移動機構４の回動用モ
ータ４ｄを制御して、軸４ｂを中心としてウェハ吸着部
４ｃを所定角度だけ回動させ、ウェハ吸着部４ｃにより
ウェハ２を吸着させる。
【００９５】ステップＳ１０８では、変位検出部１５の
駆動部１５ｂを制御し、センサ１５ａをウェハ１上の所
定位置まで移動させ、センサ１５ａによりウェハ１の厚
さを計測する。
【００９６】ステップＳ１０９では、変位検出部１２の
駆動部１２ｂを制御し、センサ１２ａをウェハ２上の所
定位置まで移動させ、センサ１２ａによりウェハ２の厚
さを計測する。
【００９７】ステップＳ１１０では、ウェハ移動機構４
の回動用モータ４ｄを制御して、軸４ｂを中心としてウ
ェハ吸着部４ｃを約１８０度回動させて、ウェハ１、２
を略水平に対向させる。
【００９８】ステップＳ１１１では、ウェハ１，２の厚
さの計測結果に基づいて、ウェハ１，２間の間隙を設定
値に調整するためのデータを作成し、このデータに基づ
いてＺ軸ステージ５を制御し、ウェハ１，２間の間隙を
調整する。
【００９９】ステップＳ１１２では、加圧機構６の回動
用モータ６ｄを制御して、軸６ｂを中心として加圧ピン
６ａを回動させ、例えば、ウェハ２の裏面に加圧ピン６
ａの先端部が略接触する状態とする。
【０１００】ステップＳ１１３では、バルブ１９ｂを開
放することにより、ウェハ１の全面をウェハ支持台３の
吸着面に吸着させる。これにより、ウェハ１は、傘状に
反った状態になる。
【０１０１】ステップＳ１１４では、ウェハ吸着部４ｃ
によるウェハ２の吸着を解除させる。そして、ステップ
Ｓ１１５では、加圧機構６の回動用モータ６ｄ及び振動
子６ｃを制御して、加圧ピン６ａによりウェハ２の裏面
に加圧すると共に加圧ピン２を振動させる。なお、ステ
ップＳ１１４の実行の直後にステップＳ１１５を実行す
ることにより、ウェハ２の吸着の解除と加圧とを略同時
に行うことができる。ただし、ステップＳ１１４の実行
後、例えば所定の時間を計時した後等に加圧を開始する
こともできる。
【０１０２】ステップＳ１１５の実行を開始してから、
例えば、所定の時間が経過したら、ステップＳ１１６に
おいて、バルブ１９ｂを閉じることにより吸着溝３ｂ内
を大気圧に戻して、ウェハ１の外周部の吸着を解除す
る。これにより、ウェハ１は平面状になると共に密着部
が外周方向に向かって拡大する。
【０１０３】ウェハ１，２の密着が完了したら、ステッ
プＳ１１７において、加圧機構６の回動用モータ６ｄを
制御して、加圧ピン６ａを初期状態の位置に戻す。そし
て、ステップＳ１１８では、ウェハ移動機構４の回動用
モータ４ｄを制御して、ウェハ吸着部４ｃを初期状態の
位置に戻す。
【０１０４】そして、ステップＳ１１９では、バルブ１
９ａを開放することによりウェハ１の吸着を完全に解除
し、ステップＳ１２０において、Ｚ軸ステージ５を制御
して、ウェハ支持台３を降下させ、初期状態の位置に戻
す。これにより、密着後のウェハは、ロードピン１３に
より支持された状態になる。
【０１０５】ステップＳ１２１では、ウェハ搬送ロボッ
ト１０を制御して、密着後のウェハをウェハカセット９
まで搬送し収容する。
【０１０６】ステップＳ１２２では、ウェハカセット
７、８に収容された全ウェハに関して、密着処理が終了
したか否かを判断し、未処理のウェハが残っている場合
にはステップＳ１０２に戻り処理を繰り返す。一方、全
ウェハに関して密着処理が完了したと判断した場合に
は、一連の処理を終了することになるが、このとき、例
えば、表示パネル１６ａ等にその旨を表示する他、ブザ
ー等によりオペレータに報知することが好ましい。
【０１０７】以上のように、このウェハ処理装置１００
に拠れば、２枚のウェハを周辺部において円環状に離隔
した状態で一方のウェハの略中心部に加圧することによ
り、２枚のウェハの密着部が略円形になるところで一旦
密着部の拡大を停止させ、これにより密着部の拡大の速
さの不均一性を吸収する。そして、密着部の形状が略円
形になった後に、密着部を再び拡大させる。したがっ
て、２枚のウェハ間の気体をより効率的且つ確実に排出
することができる。
【０１０８】また、このウェハ処理装置１００に拠れ
ば、１）上側のウェハ２の吸着の解除に合わせて加圧を
開始するため、ウェハ１，２間の気体を確実に外周方向
に排出することができ、２）ウェハ１，２を対向させた
状態において上側のウェハ２が滑らないため、２枚のウ
ェハ１，２を正確に位置合せすることができ、３）ウェ
ハ１，２間の間隙を適切な距離に調整することができる
ため、製造されるウェハの品質を均一化することがで
き、また、ウェハ１，２を予め分類する作業を不要と
し、４）ウェハ１，２の表面をパーティクルにより汚染
することを防止することができ、５）ウェハの外周部の
欠損を防止することができ、６）加圧時にウェハに振動
を与えることにより、ウェハ間に取り残される気体をさ
らに低減することができる。
【０１０９】［第２の実施の形態］この実施の形態は、
第１の実施の形態に係るウェハ支持台３の他の構成例を
提供するものである。図１５は、この実施の形態に係る
ウェハ支持台３’の構成例を示す断面図である。なお、
第１の実施の形態と実質的に同様の構成部分には同一の
符号を付している。
【０１１０】このウェハ支持台３’は、ウェハの吸着面
のうち、中央部を軸方向（図中ｚ方向）に対して垂直な
円形状の中央面３ｆにより構成し、周辺部を中央面３ｆ
に対して傾斜した環状の周辺面３ｅにより構成してな
る。
【０１１１】このウェハ支持台３’をウェハ支持台３と
置換えたウェハ処理装置も、第１の実施の形態と同様の
効果を奏する。
【０１１２】［第３の実施の形態］この実施の形態は、
第１の実施の形態に係るウェハ支持台３の他の構成例を
提供するものである。図１６は、この実施の形態に係る
ウェハ支持台３”の構成例を示す断面図である。なお、
第１の実施の形態と実質的に同様の構成部分には同一の
符号を付している。
【０１１３】このウェハ支持台３”は、第１の実施の形
態に係るウェハ支持台３より、中央部の吸着溝を削除し
たものと実質的に同一である。このウェハ支持台３”に
よりウェハを吸着すると、図１６に示すように、ウェハ
の中央部が吸着面から浮き上がる。したがって、例え
ば、ウェハ支持台３”の吸着面とウェハとの間に異物が
付着した場合などにおいても、その影響を受けにくいと
いう利点がある。
【０１１４】［第４の実施の形態］この実施の形態は、
ウェハ処理装置の他の構成例を提供するものである。上
記の実施の形態は、２枚のウェハの密着処理において、
密着部の形状を１回だけ整形するものである。しかしな
がら、より大口径のウェハの密着を適切に行うために
は、密着部の形状の整形を２回以上行うことが有効であ
る。この実施の形態は、密着部の形状の調整を３回行う
ためのウェハ処理装置に関する。
【０１１５】図１７及び図１８は、この実施の形態に係
るウェハ処理装置の一部を示す断面図である。なお、第
１の実施の形態と実質的に同様の構成部分には同一の符
号を付している。また、ウェハを真空吸着するための吸
引孔やバルブ等に関しては省略してある。また、図示し
ない部分に関しては、第１の実施の形態に係るウェハ処
理装置１００と同様である。すなわち、この実施の形態
に係るウェハ処理装置は、第１の実施の形態に係るウェ
ハ処理装置１００におけるＺ軸ステージ５上の構造物
（ウェハ支持台３）を置換するものである。
【０１１６】この実施の形態においては、ウェハ支持台
３０は、第１支持部材３１、第２支持部材３２、第３支
持部材３３、第４支持部材３４を有する。第１支持部材
３１は、円盤形状を有し、連結部材３５により支持台５
１に連結されている。この支持台５１は、Ｚ軸ステージ
５に固定されている。第２支持部材３２は、第１支持部
材３１の周囲を取り囲むような円環状の形状を有し、摺
動用部材３６に連結されている。第３支持部材３３は、
第２支持部材３２の周囲を取り囲むような円環状の形状
を有し、摺動用部材３７に連結されている。更に、第４
支持部材３４は、第３支持部材３３の周囲を取り囲むよ
うな円環状の形状を有し、連結部材３５を介して第１支
持部材３１に連結されている。
【０１１７】第２支持部材３２に連結された摺動用部材
３６は、摺動用ピン３６ａ、３６ｂを有し、夫々ラック
部材３８、３９の案内溝３８ａ、３９ａに係合してい
る。また、第３支持部材３３に連結された摺動用部材３
７は、摺動用ピン３７ａ、３７ｂを有し、夫々ラック部
材３８、３９の案内溝３８ａ、３９ａに係合している。
【０１１８】ラック部材３８、３９は、夫々モータ４
０、４１の回動により、反対方向（Ａ，Ｂ）に移動す
る。図１８に示す状態で、ラック部材３８、３９が夫々
矢印Ａ、Ｂの方向に移動することにより、第２支持部材
３２及び第３支持部材３３が順に上方に移動する。具体
的には、モータ４０，４１の回動によりラック部材３
８，３９が夫々Ａ，Ｂ方向に水平移動し、これに伴っ
て、先ず、摺動用ピン３６ａ、３６ｂが夫々案内溝３８
ａ、３９ａに係合して上方に移動することにより、第２
支持部材３２が上方に押し上げられる。次いで、摺動用
ピン３７ａ、３７ｂが夫々案内溝３８ａ、３９ａに係合
して上方に移動することにより、第３支持部材３３が上
方に押し上げられる。
【０１１９】以上のようにして、第２支持部材３２及び
第３支持部材３３が上方に押し上げられた状態で、第１
〜第３支持部材３１〜３３の吸着面は、略平面を構成す
る。
【０１２０】一方、ラック部材３８，３９を夫々Ａの逆
方向、Ｂの逆方向に水平移動させることにより、第２支
持部材３２及び第３支持部材３３を下降させ、図１７及
び図１８に示す状態に戻すことができる。
【０１２１】以下、このウェハ処理装置により２枚のウ
ェハを密着させる手順を説明する。先ず、ウェハ搬送ロ
ボット１０（図１参照）により、ウェハ１をロードピン
１３上に載置し、次いで、Ｚ軸ステージ５を駆動して第
１支持部材３１の吸着面をウェハ１の裏面に接触させ
る。なお、この時、第２〜第４支持部材３２〜３４の吸
着面が略平面を構成するように、第２支持部材３２及び
第３支持部材３３の位置を制御する。
【０１２２】この状態で、変位検出部１５によりウェハ
１の厚さを計測すると共に、変位検出部１２により、ウ
ェハ吸着部４ｃに吸着されたウェハ２の厚さを計測す
る。次いで、ウェハ移動機構４を軸４ｂを中心として約
１８０度回動させることによりウェハ１，２を略水平に
対向させ、先に計測したウェハ１，２の厚さに基づい
て、Ｚ軸ステージ５によりウェハ支持台３の高さを調整
し、ウェハ１，２間の間隙を設定値にする。
【０１２３】次いで、第１〜第４支持部材３１〜３４の
吸着面に設けられた吸着溝の内部を減圧することによ
り、ウェハ１の全面を吸着する。次いで、軸６ｂを中心
として、ウェハ２の裏面付近（例えば、ウェハ２の裏面
と略接触する位置）まで加圧ピン６ａを回動させる。こ
れにより２枚のウェハを密着させるための準備が完了す
る。図１９は、２枚のウェハを密着させるための準備が
完了した状態を示す図である。
【０１２４】加圧ピン６ａによる加圧を開始すると、先
ず、ウェハ１及び２の中心部が密着し、その後、徐々に
密着部は周辺方向に向かって拡大し、第１の密着境界ｂ
１、すなわち、第１支持部材３１の周辺付近に達したと
ころでその拡大が停止する。そして、第１の密着境界ｂ
１により、密着部の拡大の速さの不均一性が吸収され、
結果として、密着部の形状は略円形になる。図２０は、
密着部が第１の密着境界ｂ１まで達した状態を模式的に
示す図である。
【０１２５】次いで、第２支持部材３２を上方に移動さ
せることにより、密着部は、更に周辺方向に向かって拡
大し、第２の密着境界ｂ２、すなわち、第２支持部材３
２の周辺付近まで達したところでその拡大が停止する。
そして、第２の密着境界ｂ２により、密着部の拡大の速
さの不均一性が吸収され、結果として、密着部の形状は
略円形になる。図２１は、密着部が第２の密着境界ｂ２
まで達した状態を模式的に示す図である。
【０１２６】次いで、第３支持部材３３を上方に移動さ
せることにより、密着部は、更に周辺方向に向かって拡
大し、第３の密着境界ｂ３、すなわち、第３支持部材３
３の周辺付近まで達したところでその拡大が停止する。
そして、第３の密着境界ｂ３により、密着部の拡大の速
さの不均一性が吸収され、結果として、密着部の形状は
略円形になる。図２２は、密着部が第３の密着境界ｂ３
まで達した状態を模式的に示す図である。
【０１２７】次いで、第４支持部材３４の吸着面に設け
られた吸着溝によるウェハ１の吸着を解除する。これに
より、密着部は、更に周辺方向に向かって拡大し、最終
的にウェハ１の全面がウェハ２に密着する。図２３は、
ウェハ１及び２の全面が密着した状態を模式的に示す図
である。
【０１２８】次いで、加圧機構６を元の状態に戻した
後、ウェハ吸着部４ｃを元の状態に戻す。そして、第１
〜第３支持機構３１〜３３に夫々設けられた各吸着溝に
よる吸着を解除した後に、ウェハ支持台３０を下降させ
て、密着後のウェハがロードピン１３により支持された
状態にする。この状態で、ウェハ搬送ロボット１０によ
り密着後のウェハの下部を吸着し、ウェハカセット９ま
で搬送し収容する。
【０１２９】以上のように、密着部の形状の整形を複数
回行うことにより、大口径のウェハであっても、より高
品位に密着させることができる。
【０１３０】［その他の実施の形態］上記の各実施の形
態は、２枚のウェハを中心部から周辺方向に向かって段
階的に密着させるための装置及び方法に関するが、本発
明は、ウェハの任意の部分（例えば、周辺の一部）を先
ず密着させ、その後、密着部の面積を段階的に拡大させ
ることにより２枚のウェハの全面を密着させることにも
適用可能である。
【０１３１】［ウェハ処理装置の適用例］次に、上記の
各ウェハ処理装置の適用例を説明する。図２４は、ＳＯ
Ｉ構造等を有するウェハの製造工程の一例を示す図であ
る。
【０１３２】先ず、第１のウェハ１を形成するための単
結晶Ｓｉウェハ５０１を用意して、その主表面上に多孔
質Ｓｉ層５０２を形成する（図２４（ａ）参照）。次い
で、多孔質Ｓｉ層５０２の上に少なくとも一層の非多孔
質層５０３を形成する（図２４（ｂ）参照）。非多孔質
層５０３としては、例えば、単結晶Ｓｉ層、多結晶Ｓｉ
層、非晶質Ｓｉ層、金属膜層、化合物半導体層、超伝導
体層等が好適である。また、非多孔質層５０３には、Ｍ
ＯＳＦＥＴ等の素子を形成しても良い。
【０１３３】次いで、非多孔質層５０３の上にＳｉＯ2
層５０４を形成し、これを第１のウェハ１とし（図２４
（ｃ）参照）、ＳｉＯ2層５０４を上にしてウェハカセ
ット７に収容する。
【０１３４】また、別途第２のウェハ２を用意し、その
表面を上にしてウェハカセット８に収容する。
【０１３５】この状態で、ウェハ処理装置を動作させる
と、ウェハ支持台上で、ＳｉＯ2層５０４を挟むように
して、第１のウェハ１と第２のウェハ２とが密着され
（図２４（ｄ）参照）、その後、ウェハカセット９に収
容される。
【０１３６】その後、密着したウェハ（図２４（ｄ））
に対して、陽極接合処理、加圧処理、あるいは必要に応
じて熱処理を施すこと、或いは、これらの処理を組合わ
せることにより、貼り合わせを強固なものにしても良
い。
【０１３７】第２のウェハ２としては、Ｓｉウェハ、Ｓ
ｉウェハ上にＳｉＯ2層を形成したもの、石英等の光透
過性のウェハ、サファイヤ等が好適である。しかし、第
２のウェハ２は、貼り合わせに供される面が十分に平坦
であれば十分であり、他の種類のウェハであっても良
い。
【０１３８】次いで、多孔質Ｓｉ層５０３を境にして、
第１のウェハ１を第２のウェハ２より除去し（図２４
（ｅ）参照）、多孔質Ｓｉ層５０２を選択的にエッチン
グして除去する。図２４（ｆ）は、上記の製造方法によ
り得られるウェハを模式的に示している。
【０１３９】この製造方法に拠れば、ウェハ間の気体が
適切に排出させた状態で２枚のウェハが密着するため、
高品質のウェハを製造することができる。
【０１４０】
【発明の効果】本発明に拠れば、大口径の基板を容易に
密着させることができる。
【０１４１】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係るウェハ処理装
置の全体構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の一部を拡大した図である。
【図３】ウェハ支持台に設けられた真空吸着機構の一例
を示す図である。
【図４】ウェハ支持台に設けられた真空吸着機構の一例
を示す図である。
【図５】ウェハ処理装置により２枚のウェハを密着させ
る際に、密着部が拡大する様子を概念的に示す図であ
る。
【図６】ウェハ処理装置により２枚のウェハを密着させ
る際に、密着部が拡大する様子を概念的に示す図であ
る。
【図７】図１及び図２に示すウェハ処理装置をＡ−Ａ’
線で切断した断面図である。
【図８】図１及び図２に示すウェハ処理装置をＡ−Ａ’
線で切断した断面図である。
【図９】図１及び図２に示すウェハ処理装置をＡ−Ａ’
線で切断した断面図である。
【図１０】図１及び図２に示すウェハ処理装置をＡ−
Ａ’線で切断した断面図である。
【図１１】図１及び図２に示すウェハ処理装置をＡ−
Ａ’線で切断した断面図である。
【図１２】図１及び図２に示すウェハ処理装置をＡ−
Ａ’線で切断した断面図である。
【図１３】ウェハ処理装置の制御系の構成例を示すブロ
ック図である。
【図１４】ウェハ処理装置の制御手順を示すフローチャ
ートである。
【図１５】第２の実施の形態に係るウェハ支持台の構成
例を示す断面図である。
【図１６】第３の実施の形態に係るウェハ支持台の構成
例を示す断面図である。
【図１７】第４の実施の形態に係るウェハ支持台の構成
例を示す断面図である。
【図１８】第４の実施の形態に係るウェハ支持台の構成
例を示す断面図である。
【図１９】２枚のウェハを密着させるための準備が完了
した状態を示す図である。
【図２０】密着部が第１の密着境界ｂ１まで達した状態
を模式的に示す図である。
【図２１】密着部が第２の密着境界ｂ２まで達した状態
を模式的に示す図である。
【図２２】密着部が第３の密着境界ｂ３まで達した状態
を模式的に示す図である。
【図２３】２枚のウェハの全面が密着した状態を模式的
に示す図である。
【図２４】ＳＯＩ構造等を有するウェハの製造工程の一
例を示す図である。
【図２５】ウェハを貼り合わせる工程の一部を示す模式
図である。
【符号の説明】
１ 第１のウェハ ２ 第２のウェハ ３，３’，３”，３０ ウェハ支持台 ３ａ，３ｂ 吸着溝 ３ｃ 中央部 ３ｄ 周辺部 ３ｅ 周辺面 ３ｆ 中央面 ４ ウェハ移動機構 ４ａ 溝 ４ｂ 軸 ４ｃ ウェハ吸着部 ４ｄ 回動用モータ ５ Ｚ軸ステージ ６ 加圧機構 ６ａ 加圧ピン ６ｂ 軸 ６ｃ 振動子 ６ｄ 回動用モータ ７〜９ ウェハカセット １０ ウェハ搬送ロボット １１ ウェハアライメント部 １２，１５ 変位検出部 １２ａ，１５ａ センサ １２ｂ，１５ｂ 駆動部 １３，１４ ロードピン １６ パネル部 １６ａ 表示パネル １６ｂ 操作パネル １７ 制御部 １７ａ ＣＰＵ １７ｂ プログラム １８ パイプ １８ａ、１８ｂ 吸引孔 １９ バルブ制御部 １９ａ，１９ｂ バルブ １９ｃ 中央側バルブ駆動部 １９ｄ 周辺側バルブ駆動部 ２０ ポンプ ３１ 第１支持部材 ３２ 第２支持部材 ３３ 第３支持部材 ３４ 第４支持部材 ３５ 連結棒 ３６，３７ 摺動用部材 ３６ａ，３６ｂ，３７ａ，３７ｂ 摺動用ピン ３８，３９ ラック部材 ３８ａ，３９ａ 案内溝 ４０，４１ モータ １００ ウェハ処理装置 ｂ１ 第１の密着境界 ｂ２ 第２の密着境界 ｂ３ 第３の密着境界

Claims (40)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ２枚の基板を重ね合わせて密着させる基
    板処理装置であって、 第１の基板を支持する支持手段と、 前記支持手段により支持された第１の基板に第２の基板
    を対向させた状態で、該第２の基板に加圧する加圧手段
    と、 を備え、前記支持手段は、第１の基板の所定部分が第２
    の基板から離隔する方向に湾曲した状態及び湾曲しない
    状態で、該第１の基板を支持可能であることを特徴とす
    る基板処理装置。
  2. 【請求項２】 前記加圧手段は、前記支持手段により支
    持された第１の基板に第２の基板を対向させた状態で、
    該第２の基板の裏面に加圧することを特徴とする請求項
    １に記載の基板処理装置。
  3. 【請求項３】 前記支持手段は、第１の基板の周辺部が
    第２の基板から離隔する方向に湾曲した状態及び湾曲し
    ない状態で、該第１の基板を支持可能であり、前記加圧
    手段は、前記支持手段により支持された第１の基板に第
    ２の基板を対向させた状態で、該第２の基板の略中央部
    に加圧することを特徴とする請求項１又は請求項２に記
    載の基板処理装置。
  4. 【請求項４】 前記支持手段は、前記加圧手段により第
    ２の基板の裏面に加圧してから相応の時間が経過するま
    では、第１の基板を湾曲した状態で支持し、その後、該
    第１の基板を湾曲しない状態で支持することを特徴とす
    る請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処
    理装置。
  5. 【請求項５】 前記支持手段は、前記加圧手段により第
    ２の基板の裏面に加圧してから第１及び第２の基板の密
    着部が所定の領域に拡大するまでは、第１の基板を湾曲
    した状態で支持し、その後、該第１の基板を湾曲しない
    状態で支持することを特徴とする請求項１乃至請求項３
    のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. 【請求項６】 前記支持手段は、第１の基板と第２の基
    板との密着部が中心側から周辺方向に向かって段階的に
    拡大するように、該第１の基板の湾曲を調整するための
    調整手段を有することを特徴とする請求項３に記載の基
    板処理装置。
  7. 【請求項７】 前記調整手段は、第１の基板と第２の基
    板との密着部が同心円状に段階的に拡大するように、該
    第１の基板の湾曲を調整することを特徴とする請求項６
    に記載の基板処理装置。
  8. 【請求項８】 前記支持手段は、第１の基板の裏面を吸
    着して該第１の基板を湾曲させる吸着手段を有すること
    を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記
    載の基板処理装置。
  9. 【請求項９】 前記支持手段は、周辺部の高さが中央部
    の高さよりも低い支持台を有し、該支持台に第１の基板
    を吸着することを特徴とする請求項３に記載の基板処理
    装置。
  10. 【請求項１０】 前記支持台は、円盤状の中央部と、１
    又は複数の環状の周辺部とを有することを特徴とする請
    求項９に記載の基板処理装置。
  11. 【請求項１１】 前記支持台は、円盤状の中央部と、環
    状の周辺部とを有し、前記周辺部の吸着面は、前記中央
    部の吸着面に対して傾斜していることを特徴とする請求
    項９に記載の基板処理装置。
  12. 【請求項１２】 前記中央部の吸着面と前記周辺部の吸
    着面とに夫々第１の基板を吸着するための吸着機構を有
    することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載
    の基板処理装置。
  13. 【請求項１３】 前記中央部及び／又は周辺部の吸着面
    には、第１の基板を支持するための剣山状のピン群が形
    成され、ピン間の空間を減圧することにより第１の基板
    を吸着することを特徴とする請求項１２に記載の基板処
    理装置。
  14. 【請求項１４】 前記支持台のうち前記周辺部の吸着面
    のみに第１の基板を吸着するための吸着機構を有するこ
    とを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の基板
    処理装置。
  15. 【請求項１５】 前記支持手段は、第１の基板の中央部
    が前記支持台の中央部から離隔するようにして該第１の
    基板の周辺部のみを前記支持台に吸着することを特徴と
    する請求項９に記載の基板処理装置。
  16. 【請求項１６】 前記支持手段により支持された第１の
    基板に第２の基板を対向させて支持した後に該第２の基
    板の支持を解除する基板操作手段を更に備え、前記加圧
    手段は、前記基板操作手段による第２の基板の支持の解
    除に合わせて該第２の基板に加圧することを特徴とする
    請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の基板処
    理装置。
  17. 【請求項１７】 前記支持手段は、第１の基板を略水平
    に支持し、前記基板操作手段は、第２の基板を前記第１
    の基板の上方に略水平に支持した後に前記第２の基板の
    支持を解除することを特徴とする請求項１６に記載の基
    板処理装置。
  18. 【請求項１８】 ２枚の基板を重ね合わせて密着させる
    際に一方の基板を支持する基板支持装置であって、基板
    を湾曲した状態及び湾曲しない状態で支持可能な支持手
    段を有することを特徴とする基板支持装置。
  19. 【請求項１９】 前記支持手段は、基板の周辺部が中央
    部に対して湾曲した状態及び湾曲しない状態で該基板を
    支持可能であることを特徴とする請求項１８に記載の基
    板支持装置。
  20. 【請求項２０】 前記支持手段は、先ず、基板を湾曲し
    た状態で支持し、その後、該基板を湾曲しない状態で支
    持することを特徴とする請求項１８又は請求項１９に記
    載の基板支持装置。
  21. 【請求項２１】 前記支持手段は、支持している基板
    と、該基板と密着させるべき他の基板との密着部が中心
    部から周辺方向に向かって段階的に拡大するように、該
    支持している基板の湾曲を調整するための調整手段を有
    することを特徴とする請求項１９に記載の基板支持装
    置。
  22. 【請求項２２】 前記調整手段は、前記密着部が同心円
    状に段階的に拡大するように、前記支持している基板の
    湾曲を調整することを特徴とする請求項２１に記載の基
    板支持装置。
  23. 【請求項２３】 前記支持手段は、基板の裏面を吸着し
    て該基板を湾曲させることを特徴とする請求項１８又は
    請求項１９に記載の基板支持装置。
  24. 【請求項２４】 前記支持手段は、周辺部の高さが中央
    部の高さよりも低い支持台を有し、該支持台に基板を吸
    着することを特徴とする請求項１９に記載の基板支持装
    置。
  25. 【請求項２５】 前記支持台は、円盤状の中央部と、１
    又は複数の環状の周辺部とを有することを特徴とする請
    求項２４に記載の基板支持装置。
  26. 【請求項２６】 前記支持台は、円盤状の中央部と、環
    状の周辺部とを有し、前記周辺部の吸着面は、前記中央
    部の吸着面に対して傾斜していることを特徴とする請求
    項２４に記載の基板支持装置。
  27. 【請求項２７】 前記中央部の吸着面と前記周辺部の吸
    着面とに夫々基板を吸着するための吸着機構を有するこ
    とを特徴とする請求項２５又は請求項２６に記載の基板
    支持装置。
  28. 【請求項２８】 前記支持台のうち前記周辺部の吸着面
    のみに基板を吸着するための吸着機構を有することを特
    徴とする請求項２５又は請求項２６に記載の基板支持装
    置。
  29. 【請求項２９】 前記支持手段は、基板の中央部が前記
    支持台の中央部から離隔するようにして該基板の周辺部
    のみを前記支持台に吸着することを特徴とする請求項２
    ４に記載の基板支持装置。
  30. 【請求項３０】 ２枚の基板を重ね合わせて密着させる
    基板処理方法であって、 第１及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の周辺
    部を前記第２の基板の周辺部から離隔する方向に湾曲さ
    せた状態で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、相
    応の時間の経過後、前記第１の基板を湾曲しない状態に
    することを特徴とする基板処理方法。
  31. 【請求項３１】 ２枚の基板を重ね合わせて密着させる
    基板処理方法であって、 第１及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の周辺
    部を前記第２の基板の周辺部から離隔する方向に湾曲さ
    せた状態で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、前
    記第１の基板と前記第２の基板との密着部が所定の領域
    まで拡大した後に、前記第１の基板を湾曲しない状態に
    することを特徴とする基板処理方法。
  32. 【請求項３２】 ２枚の基板を重ね合わせて密着させる
    基板処理方法であって、 第１及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の周辺
    部を前記第２の基板の周辺部から離隔する方向に湾曲さ
    せた状態で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、そ
    の後、前記第１の基板と前記第２の基板との密着部が中
    心部から周辺方向に向かって段階的に拡大するように、
    前記第１の基板の湾曲を調整することを特徴とする基板
    処理方法。
  33. 【請求項３３】 ２枚の基板を重ね合わせて密着させる
    基板処理方法であって、 第１及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の周辺
    部を前記第２の基板の周辺部から離隔する方向に湾曲さ
    せた状態で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、そ
    の後、前記第１の基板と前記第２の基板との密着部が中
    心部から周辺方向に向かって同心円状に段階的に拡大す
    るように、前記第１の基板の湾曲を調整することを特徴
    とする基板処理方法。
  34. 【請求項３４】 ２枚の基板を重ね合わせて密着させる
    基板処理方法であって、 第１及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の所定
    部分を前記第２の基板から離隔する方向に湾曲させた状
    態で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、相応の時
    間の経過後、前記第１の基板を湾曲しない状態にするこ
    とを特徴とする基板処理方法。
  35. 【請求項３５】 ２枚の基板を重ね合わせて密着させる
    基板処理方法であって、 第１及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の所定
    部分を前記第２の基板から離隔する方向に湾曲させた状
    態で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、前記第１
    の基板と前記第２の基板との密着部が所定の領域まで拡
    大した後に、前記第１の基板を湾曲しない状態にするこ
    とを特徴とする基板処理方法。
  36. 【請求項３６】 ２枚の基板を重ね合わせて密着させる
    基板処理方法であって、 第１及び第２の基板を対向させ、前記第１の基板の所定
    部分を前記第２の基板から離隔する方向に湾曲させた状
    態で、前記第２の基板に対する加圧を開始し、その後、
    前記第１の基板と前記第２の基板との密着部が段階的に
    拡大するように、前記第１の基板の湾曲を調整すること
    を特徴とする基板処理方法。
  37. 【請求項３７】 前記第２の基板に対する加圧は、その
    裏面に対して行うことを特徴とする請求項３０乃至請求
    項３６のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  38. 【請求項３８】 請求項１乃至請求項２９のいずれか１
    項に記載の装置を用いて２枚の基板を密着させることを
    特徴とする基板処理方法。
  39. 【請求項３９】 請求項３０乃至請求項３７のいずれか
    １項に記載の方法を工程の一部に適用した基板の製造方
    法。
  40. 【請求項４０】 請求項３０乃至請求項３７のいずれか
    １項に記載の方法を工程の一部に適用したＳＯＩ基板の
    製造方法。
JP9231132A 1997-08-27 1997-08-27 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 Withdrawn JPH1174164A (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9231132A JPH1174164A (ja) 1997-08-27 1997-08-27 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
TW087113446A TW480617B (en) 1997-08-27 1998-08-14 Substrate processing method, and substrate fabrication method
SG1998003112A SG65092A1 (en) 1997-08-27 1998-08-17 Substrate processing apparatus substrate support apparatus substrate processing method and substrate fabrication method
EP98306689A EP0899778A3 (en) 1997-08-27 1998-08-20 Apparatus and method for pressing two substrates together
US09/138,802 US6451670B1 (en) 1997-08-27 1998-08-24 Substrate processing apparatus, substrate support apparatus, substrate processing method, and substrate fabrication method
AU81902/98A AU732569B2 (en) 1997-08-27 1998-08-26 Substrate processing apparatus, substrate support apparatus, substrate processing method, and substrate fabrication method
KR10-1998-0034737A KR100396014B1 (ko) 1997-08-27 1998-08-26 기판처리장치,기판지지장치,기판처리방법및기판제조방법
CN98118700A CN1209644A (zh) 1997-08-27 1998-08-26 基片处理装置,基片支承装置,基片处理方法和基片制造方法
US10/206,214 US6706618B2 (en) 1997-08-27 2002-07-29 Substrate processing apparatus, substrate support apparatus, substrate processing method, and substrate fabrication method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9231132A JPH1174164A (ja) 1997-08-27 1997-08-27 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1174164A true JPH1174164A (ja) 1999-03-16

Family

ID=16918791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9231132A Withdrawn JPH1174164A (ja) 1997-08-27 1997-08-27 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6451670B1 (ja)
EP (1) EP0899778A3 (ja)
JP (1) JPH1174164A (ja)
KR (1) KR100396014B1 (ja)
CN (1) CN1209644A (ja)
AU (1) AU732569B2 (ja)
SG (1) SG65092A1 (ja)
TW (1) TW480617B (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008001626A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Nikon Corporation Wafer bonding apparatus
JP2008010671A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Nikon Corp ウェハ接合装置
JP2008262971A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Nikon Corp 基板ホルダ、基板接合装置および基板接合方法
JP5139604B1 (ja) * 2011-11-25 2013-02-06 信越エンジニアリング株式会社 基板搬送装置及び基板組み立てライン
JP2013120901A (ja) * 2011-12-08 2013-06-17 Tokyo Electron Ltd 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
JP2013120902A (ja) * 2011-12-08 2013-06-17 Tokyo Electron Ltd 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
WO2014156987A1 (ja) * 2013-03-26 2014-10-02 芝浦メカトロニクス株式会社 貼合装置および貼合基板の製造方法
WO2015046243A1 (ja) * 2013-09-25 2015-04-02 芝浦メカトロニクス株式会社 吸着ステージ、貼合装置、および貼合基板の製造方法
KR20170074549A (ko) * 2015-12-22 2017-06-30 삼성전자주식회사 기판 척 및 이를 포함하는 기판 접합 시스템
JP2017178469A (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 株式会社日本マイクロニクス シート治具、ステージ、製造装置、及び二次電池の製造方法

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3720515B2 (ja) * 1997-03-13 2005-11-30 キヤノン株式会社 基板処理装置及びその方法並びに基板の製造方法
SG71182A1 (en) * 1997-12-26 2000-03-21 Canon Kk Substrate processing apparatus substrate support apparatus substrate processing method and substrate manufacturing method
EP1309989B1 (en) * 2000-08-16 2007-01-10 Massachusetts Institute Of Technology Process for producing semiconductor article using graded expitaxial growth
JP3742000B2 (ja) * 2000-11-30 2006-02-01 富士通株式会社 プレス装置
US6940089B2 (en) * 2001-04-04 2005-09-06 Massachusetts Institute Of Technology Semiconductor device structure
JP2002351082A (ja) * 2001-05-24 2002-12-04 Adtec Engineeng Co Ltd 露光装置用基板ステージ
JP4201564B2 (ja) * 2001-12-03 2008-12-24 日東電工株式会社 半導体ウエハ搬送方法およびこれを用いた半導体ウエハ搬送装置
JP2003174077A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Lintec Corp 吸着保持装置
WO2003079415A2 (en) * 2002-03-14 2003-09-25 Amberwave Systems Corporation Methods for fabricating strained layers on semiconductor substrates
US7307273B2 (en) * 2002-06-07 2007-12-11 Amberwave Systems Corporation Control of strain in device layers by selective relaxation
US7074623B2 (en) * 2002-06-07 2006-07-11 Amberwave Systems Corporation Methods of forming strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures
US20030227057A1 (en) * 2002-06-07 2003-12-11 Lochtefeld Anthony J. Strained-semiconductor-on-insulator device structures
US6995430B2 (en) * 2002-06-07 2006-02-07 Amberwave Systems Corporation Strained-semiconductor-on-insulator device structures
US7335545B2 (en) * 2002-06-07 2008-02-26 Amberwave Systems Corporation Control of strain in device layers by prevention of relaxation
FR2851846A1 (fr) * 2003-02-28 2004-09-03 Canon Kk Systeme de liaison et procede de fabrication d'un substrat semi-conducteur
JP4307130B2 (ja) * 2003-04-08 2009-08-05 キヤノン株式会社 露光装置
US20050150597A1 (en) * 2004-01-09 2005-07-14 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for controlled cleaving
US20060113603A1 (en) * 2004-12-01 2006-06-01 Amberwave Systems Corporation Hybrid semiconductor-on-insulator structures and related methods
US7393733B2 (en) 2004-12-01 2008-07-01 Amberwave Systems Corporation Methods of forming hybrid fin field-effect transistor structures
US20080213079A1 (en) * 2006-07-06 2008-09-04 Richard Herter Apparatus and Method for Separating and Transporting Substrates
JP4711904B2 (ja) * 2006-07-31 2011-06-29 日東電工株式会社 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法
DE102006042026B4 (de) * 2006-09-07 2016-08-04 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Halten eines Substrats und Verfahren zur Behandlung eines Substrats
KR100824305B1 (ko) * 2006-12-22 2008-04-22 세메스 주식회사 지지 핀, 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
TW201112345A (en) * 2009-09-30 2011-04-01 C Sun Mfg Ltd Protection device for release film of wafer film laminator
US8334191B2 (en) * 2009-12-11 2012-12-18 Twin Creeks Technology, Inc. Two-chamber system and method for serial bonding and exfoliation of multiple workpieces
US8042590B2 (en) * 2010-02-03 2011-10-25 C Sum Mfg. Ltd. Protection mechanism for dry film laminator
US8016012B2 (en) * 2010-02-03 2011-09-13 Lai Chin-Sen Flattening mechanism for dry film laminator
FR2972078A1 (fr) * 2011-02-24 2012-08-31 Soitec Silicon On Insulator Appareil et procédé de collage par adhésion moléculaire
JP2013008921A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Toshiba Corp 半導体製造装置及び製造方法
KR102151902B1 (ko) * 2011-08-12 2020-09-03 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판의 접합을 위한 장치 및 방법
CN102969223B (zh) * 2011-08-31 2016-01-13 细美事有限公司 基板处理设备及基板处理方法
JP5913914B2 (ja) * 2011-11-08 2016-04-27 東京応化工業株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN102765601B (zh) * 2012-07-30 2014-11-05 中国人民解放军国防科学技术大学 用于kdp晶体搬运和位置调整的真空吸附装置
DE102012111246A1 (de) 2012-11-21 2014-05-22 Ev Group E. Thallner Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Bonden
US20140265165A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 International Business Machines Corporation Wafer-to-wafer fusion bonding chuck
JP6177739B2 (ja) * 2014-08-07 2017-08-09 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US10373995B2 (en) 2014-09-19 2019-08-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Image sensor bending using tension
US9570488B2 (en) 2014-09-19 2017-02-14 Microsoft Technology Licensing, Llc Image sensor bending by induced substrate swelling
US9870927B2 (en) 2015-04-02 2018-01-16 Microsoft Technology Licensing, Llc Free-edge semiconductor chip bending
US10304900B2 (en) 2015-04-02 2019-05-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Bending semiconductor chip in molds having radially varying curvature
SG11201706844QA (en) 2015-04-10 2017-10-30 Ev Group E Thallner Gmbh Substrate holder and method for bonding two substrates
CN117373954A (zh) * 2016-02-16 2024-01-09 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于接合衬底的方法与设备
WO2017162272A1 (de) * 2016-03-22 2017-09-28 Ev Group E. Thallner Gmbh Vorrichtung und verfahren zum bonden von substraten
JP7067474B2 (ja) * 2016-07-12 2022-05-16 株式会社ニコン 積層基板製造方法、積層基板製造装置、積層基板製造システム、および基板処理装置
CN105957817A (zh) * 2016-07-12 2016-09-21 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种晶圆键合方法
WO2018028801A1 (de) * 2016-08-12 2018-02-15 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und probenhalter zum gesteuerten bonden von substraten
US10062727B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Strain relieving die for curved image sensors
EP3520133B1 (de) 2016-09-29 2020-04-29 EV Group E. Thallner GmbH Vorrichtung und verfahren zum bonden zweier substrate
KR102395194B1 (ko) * 2017-06-21 2022-05-06 삼성전자주식회사 웨이퍼 본딩 장치 및 그 장치를 포함한 웨이퍼 본딩 시스템
EP3501037B1 (de) * 2017-09-21 2020-01-29 EV Group E. Thallner GmbH Vorrichtung und verfahren zum verbinden von substraten
TWI766105B (zh) 2017-09-28 2022-06-01 美商魯道夫科技股份有限公司 晶圓級封裝組裝體處置
KR102356595B1 (ko) 2017-11-28 2022-01-28 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이 장치의 제조방법 및 제조장치
KR102455415B1 (ko) * 2017-12-18 2022-10-17 삼성전자주식회사 기판 접합 장치 및 이를 이용한 기판의 접합 방법
KR102468794B1 (ko) 2018-07-06 2022-11-18 삼성전자주식회사 웨이퍼 본딩 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 본딩 시스템
CN111599664B (zh) * 2019-02-21 2023-06-23 株洲中车时代半导体有限公司 一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法
TWI822993B (zh) * 2019-05-08 2023-11-21 日商尼康股份有限公司 基板貼合裝置及基板貼合方法
CN112563184A (zh) * 2021-02-09 2021-03-26 北京中硅泰克精密技术有限公司 承载装置和半导体工艺设备
US11594431B2 (en) * 2021-04-21 2023-02-28 Tokyo Electron Limited Wafer bonding apparatus and methods to reduce post-bond wafer distortion
WO2024046578A1 (de) * 2022-09-02 2024-03-07 Ev Group E. Thallner Gmbh Vakuumsubstrathalter mit optimierter vakuumdichtung

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4603466A (en) 1984-02-17 1986-08-05 Gca Corporation Wafer chuck
US4724222A (en) 1986-04-28 1988-02-09 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Wafer chuck comprising a curved reference surface
EP0284818A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-05 BBC Brown Boveri AG Verfahren zum Herstellen eines Schichtverbunds sowie Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens
JPS644013A (en) * 1987-06-26 1989-01-09 Sony Corp Formation of substrate
JPH0651251B2 (ja) 1987-11-18 1994-07-06 三菱化成株式会社 ウェハー製造方法、及びその製造装置
NL8900388A (nl) * 1989-02-17 1990-09-17 Philips Nv Werkwijze voor het verbinden van twee voorwerpen.
JPH0744135B2 (ja) 1989-08-28 1995-05-15 株式会社東芝 半導体基板の接着方法及び接着装置
JP2911997B2 (ja) 1989-10-20 1999-06-28 日本電気株式会社 半導体ウェハーへのテープ貼付装置
US5217550A (en) 1990-09-28 1993-06-08 Dai Nippon Printing Co., Ltd Alignment transfer method
JPH04148549A (ja) 1990-10-12 1992-05-21 Fujitsu Ltd 半導体装置の評価方法
JP3160936B2 (ja) 1991-04-24 2001-04-25 ソニー株式会社 ウエハの貼り合わせ方法
JPH05121543A (ja) 1991-08-09 1993-05-18 Teikoku Seiki Kk ウエハーマウンタのウエハー支持方法、その装置及びその装置を備えるウエハーマウンタ
JP3175232B2 (ja) 1991-09-30 2001-06-11 ソニー株式会社 半導体ウェーハの接着方法
KR100289348B1 (ko) * 1992-05-25 2001-12-28 이데이 노부유끼 절연기판실리콘반도체장치와그제조방법
US5300175A (en) 1993-01-04 1994-04-05 Motorola, Inc. Method for mounting a wafer to a submount
JP3321882B2 (ja) * 1993-02-28 2002-09-09 ソニー株式会社 基板はり合わせ方法
JPH0758191A (ja) * 1993-08-13 1995-03-03 Toshiba Corp ウェハステージ装置
JP3296130B2 (ja) * 1995-04-13 2002-06-24 松下電器産業株式会社 電子部品の半田付け方法
JP3668529B2 (ja) 1995-07-26 2005-07-06 ソニー株式会社 薄片状部材研磨用真空チャック装置
SG71182A1 (en) * 1997-12-26 2000-03-21 Canon Kk Substrate processing apparatus substrate support apparatus substrate processing method and substrate manufacturing method
US6008113A (en) * 1998-05-19 1999-12-28 Kavlico Corporation Process for wafer bonding in a vacuum

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008001626A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-03 Nikon Corporation Wafer bonding apparatus
JP2008010671A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Nikon Corp ウェハ接合装置
US8206525B2 (en) 2006-06-29 2012-06-26 Nikon Corporation Wafer bonding apparatus
US8794287B2 (en) 2006-06-29 2014-08-05 Nikon Corporation Wafer bonding apparatus
JP2008262971A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Nikon Corp 基板ホルダ、基板接合装置および基板接合方法
JP5139604B1 (ja) * 2011-11-25 2013-02-06 信越エンジニアリング株式会社 基板搬送装置及び基板組み立てライン
WO2013076874A1 (ja) * 2011-11-25 2013-05-30 信越エンジニアリング株式会社 基板搬送装置及び基板組み立てライン
KR101877600B1 (ko) * 2011-11-25 2018-07-12 신에츠 엔지니어링 가부시키가이샤 기판 반송 장치 및 기판 조립 라인
TWI511225B (zh) * 2011-11-25 2015-12-01 Shinetsu Eng Co Ltd Substrate transfer device and substrate assembly line
JP2013120901A (ja) * 2011-12-08 2013-06-17 Tokyo Electron Ltd 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
JP2013120902A (ja) * 2011-12-08 2013-06-17 Tokyo Electron Ltd 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
KR20150130377A (ko) * 2013-03-26 2015-11-23 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 접합 장치 및 접합 기판의 제조 방법
JP2014209571A (ja) * 2013-03-26 2014-11-06 芝浦メカトロニクス株式会社 貼合装置および貼合基板の製造方法
US9586391B2 (en) 2013-03-26 2017-03-07 Shibaura Mechatronics Corporation Bonding apparatus and method for manufacturing bonded substrate
WO2014156987A1 (ja) * 2013-03-26 2014-10-02 芝浦メカトロニクス株式会社 貼合装置および貼合基板の製造方法
WO2015046243A1 (ja) * 2013-09-25 2015-04-02 芝浦メカトロニクス株式会社 吸着ステージ、貼合装置、および貼合基板の製造方法
CN105612598A (zh) * 2013-09-25 2016-05-25 芝浦机械电子株式会社 吸附台、贴合装置以及贴合基板的制造方法
JPWO2015046243A1 (ja) * 2013-09-25 2017-03-09 芝浦メカトロニクス株式会社 吸着ステージ、貼合装置、および貼合基板の製造方法
CN105612598B (zh) * 2013-09-25 2019-09-24 芝浦机械电子株式会社 吸附台、贴合装置以及贴合基板的制造方法
US10586727B2 (en) 2013-09-25 2020-03-10 Shibaura Mechatronics Corporation Suction stage, lamination device, and method for manufacturing laminated substrate
KR20170074549A (ko) * 2015-12-22 2017-06-30 삼성전자주식회사 기판 척 및 이를 포함하는 기판 접합 시스템
US11742224B2 (en) 2015-12-22 2023-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate chuck and substrate bonding system including the same
JP2017178469A (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 株式会社日本マイクロニクス シート治具、ステージ、製造装置、及び二次電池の製造方法
WO2017170124A1 (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 株式会社日本マイクロニクス シート治具、ステージ、製造装置、及び二次電池の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6706618B2 (en) 2004-03-16
KR100396014B1 (ko) 2003-10-17
SG65092A1 (en) 1999-05-25
EP0899778A3 (en) 2001-03-21
AU732569B2 (en) 2001-04-26
US20020034859A1 (en) 2002-03-21
EP0899778A2 (en) 1999-03-03
US6451670B1 (en) 2002-09-17
CN1209644A (zh) 1999-03-03
US20020182038A1 (en) 2002-12-05
AU8190298A (en) 1999-03-11
KR19990023901A (ko) 1999-03-25
TW480617B (en) 2002-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1174164A (ja) 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
CN108133903B (zh) 接合装置、接合系统、接合方法以及计算机存储介质
TWI752990B (zh) 接合裝置及接合系統
KR100408606B1 (ko) 기판처리장치, 기판지지장치, 기판처리방법 및 기판제조방법
JP5909453B2 (ja) 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP3720515B2 (ja) 基板処理装置及びその方法並びに基板の製造方法
KR20140133416A (ko) 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
WO2020226152A1 (ja) 基板ホルダ、基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法
JP6076856B2 (ja) 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JPH11195567A (ja) 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
CN113838777B (zh) 一种激光解键合的检测控制系统
KR20230031777A (ko) 기판의 분할 방법
JP2002190435A (ja) 基板の接合処理方法及び接合処理装置
JPH11195696A (ja) 基板支持台及び基板処理装置
JPH05160102A (ja) スピンナ及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP5969663B2 (ja) 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP4152087B2 (ja) 基板冷却装置および基板冷却方法
JP7203918B2 (ja) 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体
JPH11195690A (ja) ウエーハ移載装置
JPH01321655A (ja) 半導体ウエハへの粘着テープの接着装置
JP2003218134A (ja) ダイボンディング装置
JP2001121414A (ja) 半導体ウエーハの研削方法および平面研削装置
JP2019186304A (ja) 接合装置および接合方法
JP2012146844A (ja) 薄膜形成システム

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040810

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040810

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426

Effective date: 20040810

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20040810

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20051228