CN105612598A - 吸附台、贴合装置以及贴合基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种吸附台、贴合装置以及贴合基板的制造方法，实施方式所涉及的吸附台具备：放置部，放置第1基板；及排气部，对所述第1基板与所述放置部之间的部位进行排气。所述放置部具有：第1壁部，设置在所述放置部的一个端面的外缘侧且呈环状；及第2壁部，设置在所述第1壁部的内侧且呈环状。所述排气部具有：第1控制阀，设置在第1区域与所述排气部之间，第1区域为所述第1壁部与所述第2壁部之间的区域；第2控制阀，设置在所述第2壁部内侧的第2区域与所述排气部之间；及控制部，对所述第1控制阀与所述第2控制阀进行控制。所述控制部通过对所述第1控制阀及所述第2控制阀进行控制，从而在所述第1区域及所述第2区域当中的至少一个区域中交互地进行对所述第1基板的吸附与对所述第1基板的吸附解除。所述控制部在所述第1区域及所述第2区域当中的任意一个区域中进行对所述第1基板的吸附解除期间，在另一个区域中进行对所述第1基板的吸附。

Description

吸附台、贴合装置以及贴合基板的制造方法
技术领域
本发明的实施方式涉及一种吸附台、贴合装置以及贴合基板的制造方法。
背景技术
存在吸附晶片等基板的吸附台。
这样的吸附台例如用于在半导体装置的制造中的基板的贴合工序(例如，参照专利文献1)。
在基板的贴合工序中，将2张基板的贴合面彼此贴合而形成1张基板。
例如，在制造所谓SOI(SilicononInsulator)晶片或用阳极接合法对玻璃基板与硅基板进行接合时等，将2张基板的贴合面彼此贴合而形成1张基板。
根据这样的技术，在基板之间能够不介由粘接剂等而彼此贴合基板。因此，能够实现在贴合之后的处理(例如，等离子体处理、热处理、化学处理等)中的工艺条件的多样化。另外，能够容易进行pn接合或绝缘膜的埋设等。
但是，难以高精度地贴合发生了翘曲等的变形的基板。
专利文献1：日本国特开昭61-145839号公报
发明内容
本发明的实施方式所要解决的技术问题是提供一种即使对已变形的基板也能够高精度地进行贴合的吸附台、贴合装置以及贴合基板的制造方法。
实施方式所涉及的吸附台具备：放置部，放置第1基板；及排气部，对所述第1基板与所述放置部之间的部位进行排气。
所述放置部具有：第1壁部，设置在所述放置部的一个端面的外缘侧且呈环状；及第2壁部，设置在所述第1壁部的内侧且呈环状，
所述排气部具有：第1控制阀，设置在第1区域与所述排气部之间，该第1区域为所述第1壁部与所述第2壁部之间的区域；第2控制阀，设置在所述第2壁部内侧的第2区域与所述排气部之间；及控制部，对所述第1控制阀与所述第2控制阀进行控制。
所述控制部通过对所述第1控制阀及所述第2控制阀进行控制，从而在所述第1区域及所述第2区域当中的至少一个区域中交互地进行对所述第1基板的吸附与对所述第1基板的吸附解除。
所述控制部在所述第1区域及所述第2区域当中的任意一个区域中进行对所述第1基板的吸附解除期间，在另一个区域中进行对所述第1基板的吸附。
根据本发明的实施方式，能够提供一种即使对已变形的基板也能够高精度地进行贴合的吸附台、贴合装置以及贴合基板的制造方法。
附图说明
图1是用于例示本实施方式所涉及的吸附台101及贴合装置100的模式图。
图2是用于例示放置部12的模式图。
图3是图2中的A-A线向视图。
图4是在区域12g及区域12h中的吸附与吸附解除动作的时间图。
图5是用于例示在各时间带中的吸附与吸附解除动作的模式图。
图6是在区域12g及区域12h中的吸附与吸附解除动作的时间图。
图7是用于例示在各时间带中的吸附与吸附解除动作的模式图。
图8是在区域12g及区域12h中的吸附与吸附解除动作的时间图。
图9是用于例示在各时间带中的吸附与吸附解除动作的模式图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行例示。并且，在各附图中对同样的构成要素标注相同的符号并适当省略详细说明。
图1是用于例示本实施方式所涉及的吸附台101及贴合装置100的模式图。
图2是用于例示放置部12的模式图。
图3是图2中的A-A线向视图。
如图1所示，贴合装置100中设置有处理容器11、放置部12、基板支撑部13、按压部14、排气部15及控制部16。
并且，本实施方式所涉及的吸附台101具有放置部12、排气部15及控制部16。
处理容器11呈箱状且为气密结构。
在处理容器11的侧壁上设置有用于搬入搬出基板W1(相当于第1基板的一个例子)、基板W2(相当于第2基板的一个例子)等的开口部11a。另外，设置有可气密地开闭开口部11a的开闭门11b。
放置部12设置于处理容器11内部的底面。
如图2及图3所示，放置部12具有本体部12a、壁部12b(相当于第1壁部的一个例子)、壁部12c(相当于第2壁部的一个例子)、支撑部12d、孔部12e及孔部12f。
并且，为了避免变得杂乱，图3中省略了支撑部12d的一部分。
本体部12a呈圆柱状。
并且，虽然例示了呈圆柱状的本体部12a，但是能够根据被放置的基板W1的形状等而适当改变本体部12a的形状。例如，本体部12a也可以呈棱柱状。
壁部12b设置在本体部12a的放置基板W1的一侧的端面12a1上。壁部12b呈环状且围住本体部12a的外缘。
壁部12c设置在本体部12a的端面12a1上。壁部12c设置在壁部12b的内侧。壁部12c呈环状。壁部12c的高度尺寸(从端面12a1到顶面的尺寸)与壁部12b的高度尺寸相同。
通过设置壁部12b与壁部12c，从而将本体部12a的端面12a1划分为2个区域。即，被划分为：位于壁部12b与壁部12c之间的区域12g(相当于第1区域的一个例子)；及位于壁部12c内侧的区域12h(相当于第2区域的一个例子)。
因此，如后所述，能够分别控制对基板W1外缘侧的吸附及对中央部侧的吸附。另外，由于壁部12b顶面的面积与壁部12c顶面的面积较小，因此能够减小对吸附性能的影响。
另外，即使在对基板W1变形进行矫正的情况下，由于壁部12b顶面的面积与壁部12c顶面的面积较小，因此也能够不受壁部12b顶面与壁部12c顶面形状的影响而对基板W1变形进行矫正。
另外，在俯视时，区域12g的面积与区域12h的面积相同。
只要俯视时使区域12g的面积与区域12h的面积相同，则能够使在各个区域中单位面积上产生的吸附力相同。
或者，只要使区域12g中的介由孔部12e的吸引量与区域12h中的介由孔部12f的吸引量相同，则能够使在各个区域中产生的单位面积吸附力相同。即，只要使在区域12g与区域12h中的各个的吸引量相同即可。其结果，在各个区域中能够实现未发生倾斜的吸附。
并且，虽然例示了设置壁部12b与壁部12c的情况，但是在壁部12b及壁部12c各自的内侧还可以再设置壁部。
即，也可以将本体部12a的端面12a1划分成3个以上的区域。
支撑部12d呈柱状且设置在本体部12a的端面12a1上。支撑部12d的高度尺寸(从端面12a1到顶面的尺寸)与壁部12b的高度尺寸相同。即，壁部12b、壁部12c与支撑部12d的高度尺寸相同。因此，包含壁部12b、壁部12c、支撑部12d的各自顶面的面成为放置部12的放置面。
图1及图2所例示的放置部12的放置面为平坦面。并且，放置部12的放置面并不局限于平坦面，而是可适当进行变更。例如，放置部12的放置面也可以是凸状或凹状的曲面。
图2及图3所例示的支撑部12d虽然呈圆柱状，但是例如也可以呈圆锥台状或棱锥台状或球面状。支撑部12d的顶面成为基板W1的放置面。因此，如果使支撑部12d呈圆锥台状或棱锥台状或球面状，则与圆柱状的支撑部相比更能减小与基板W1的接触面积。其结果，能够抑制基板W1上产生污物、颗粒等。
另外，由于支撑部12d的顶面面积较小，因此能够降低颗粒附着于基板W1放置面即支撑部12d顶面的概率。因此，能够抑制因颗粒而吸附性能降低。
安装有多个支撑部12d。相邻的支撑部12d的彼此之间的尺寸相等。即，以等间隔设置有多个支撑部12d。如果过于扩大支撑部12d的间隔，则在吸附有基板W1时基板W1有可能发生局部挠曲。能够通过实验或模拟来适当地设定支撑部12d的间隔。
例如，能够以同心圆状、锯齿状等配置多个支撑部12d。
孔部12e在厚度方向上贯通本体部12a。孔部12e的一个端部在区域12g的端面12a1上开口。孔部12e的另一个端部在端面12a2上开口并连接于排气部15。
孔部12f在厚度方向上贯通本体部12a。孔部12f的一个端部在区域12h的端面12a1上开口。孔部12f的另一个端部在端面12a2上开口并连接于排气部15。
孔部12e及孔部12f在端面12a1上的开口的直径尺寸优选1mm以下。如果直径尺寸超过1mm，则在基板W1上有可能发生局部倾斜。
在将基板W1放置于放置部12时，基板W1的外缘附近从本体部12a突出。
此时，能够设置提起从本体部12a突出的基板W1部分的未图示的提升销等。
如图1所示，在基板支撑部13设置有支撑爪13a、移动部13b及根部13c。
支撑爪13a支撑基板W2的周缘部。而且，通过使支撑爪13a支撑基板W2，从而在与放置于放置部12的基板W1相对的规定位置，支撑基板W2。
移动部13b使支撑爪13a在支撑基板W2的位置与向基板W2的外侧后退的位置之间进行移动。能够使移动部13b具有例如伺服马达或脉冲马达等的控制马达。
根部13c呈柱状且设置在处理容器11内部的底面上。在根部13c的端部附近设置有支撑爪13a、移动部13b。并且，虽然例示了对每一个支撑爪13a、移动部13b都设置根部13c的情况，但是并不局限于此。例如，也可以在1个根部13c设置多个支撑爪13a、移动部13b。
另外，虽然并不特意限定基板支撑部13的配设数量，但是优选均等地分配于基板W2周缘的3个以上的位置。这样，能够使基板W2的支撑状态趋于稳定。
在按压部14设置有移动部14a、移动轴14b及缓冲垫14c。
按压部14设置在与本体部12a的端面12a1相对的位置。另外，按压部14设置在能够利用缓冲垫14c来按压被支撑爪13a所支撑的基板W2的大致中央部的位置。
按压部14通过利用缓冲垫14c来按压被支撑爪13a所支撑的基板W2的大致中央部，从而使基板W2发生挠曲并使基板W1的一部分贴合面与基板W2的一部分贴合面发生接触。并且，基板W1、基板W2的贴合面是指在相互相对时面对的基板W1、基板W2的各自的面。
移动部14a设置在处理容器11外部。能够使移动部14a具有伺服马达或脉冲马达等的控制马达。另外，也可以使其具有被压力得到控制的流体所驱动的构件(例如，气缸等)等。
移动轴14b被设置成贯通处理容器11的壁面，且一个端部侧连接于移动部14a。另外，在另一个端部侧安装有缓冲垫14c。
缓冲垫14c的顶端部分呈大致半球状，其根部呈圆柱状。缓冲垫14c由软质的弹性体所形成，按压时能够使接触部分从点接触变成面接触。因而，由于能够缓解按压点(接合开始位置)处的应力，因此能够抑制基板W2受损伤。另外，也能够抑制产生空隙，产生裂纹或切口，产生擦伤，因滑动而发生的错位等。缓冲垫14c例如能够由硅橡胶或氟橡胶等软质树脂所形成。此时，如果用硅橡胶或氟橡胶形成缓冲垫14c，则能够抑制基板W2被污染。
并且，并不一定需要按压部14，根据需要而设置即可。
例如，也能够利用基板W2的自重来贴合基板W1与基板W2，而不是按压基板W2。
另外，也能够通过以解除对基板W1的吸附并向基板W1的背面导入外部气体的方式对控制阀15d进行控制，从而使基板W1变形为凸状，使基板W1与基板W2发生接触。
另外，也能够在放置部12内部设置与按压部12同样的按压部，通过向基板W2的方向按压基板W1的背面，从而使基板W1变形为凸状，使基板W1与基板W2发生接触。
另外，接合开始位置并不一定是基板W1的中央，例如，也可以是基板W1的周端部。
在排气部15设置有排气泵15a、控制阀15b(相当于第1控制阀的一个例子)、配管15c、控制阀15d(相当于第2控制阀的一个例子)及配管15e。
例如可以将干式真空泵等作为排气泵15a。
控制阀15b的一端连接于排气泵15a，控制阀15b的另一端介由配管15c连接于孔部12e。
控制阀15d的一端连接于排气泵15a，控制阀15d的另一端介由配管15e连接于孔部12f。
通过将基板W1放置于放置部12，从而划分出包括区域12g的空间。
控制阀15b切换对包括区域12g的空间进行的排气(吸附)、排气停止或外部气体导入(吸附解除)。即，控制阀15b切换在区域12g中进行的对基板W1的吸附与吸附解除。
并且，本说明书中的“吸附解除”不仅包括吸附停止(排气停止)，而且还包括外部气体导入。
另外，通过将基板W1放置于放置部12，从而划分出包括区域12h的空间。
控制阀15d切换对包括区域12h的空间进行的排气、排气停止或外部气体导入。即，控制阀15d切换在区域12h中进行的对基板W1的吸附与吸附解除。
控制部16对设置于贴合装置100的各要素的动作进行控制。
控制部16例如能够进行如下的控制。
控制部16通过对控制阀15b进行控制而切换在区域12g中进行的对基板W1的吸附与吸附解除。
控制部16通过对控制阀15d进行控制而切换在区域12h中进行的对基板W1的吸附与吸附解除。
控制部16对排气泵15a的起动与停止进行控制。
控制部16通过对移动部13b进行控制而控制支撑爪13a的位置。
控制部16通过对移动部14a进行控制而控制缓冲垫14c的位置。
控制部16对开闭门11b的开闭动作进行控制。
接下来，对贴合装置100的作用、吸附台101的作用及本实施方式所涉及的贴合基板的制造方法进行例示。
首先，利用未图示的搬运装置将基板W1从开口部11a搬入到处理容器11内部。并且，开闭门11b被未图示的驱动部所打开。
搬入到处理容器11内部的基板W1被放置在放置部12上即壁部12b、壁部12c及支撑部12d上。
接下来，使吸附台101(放置部12、排气部15及控制部16)进行动作，而将基板W1保持于放置部12。
在此，基板W1上会发生翘曲等的变形。因此，即使仅仅吸附基板W1，也难以使基板W1整体贴紧于放置部12。例如，如果通过1次吸附动作来吸附发生了翘曲等的变形的基板W1，则有可能残留局部上未与放置部12贴紧的部分，即已发生变形的部分。如果残留已发生变形的部分，则基板W1与基板W2贴合的位置精度有可能变差。
于是，本实施方式中，将基板W1以如下方式吸附于放置部12。
首先，在区域12g及区域12h当中的任意一个区域中对基板W1进行吸附，在区域12g及区域12h当中的任意一个其他区域中对基板W1进行吸附解除。
例如，在区域12g中对基板W1进行吸附，在区域12h中对基板W1进行吸附解除。
或者，在区域12h中对基板W1进行吸附，在区域12g中对基板W1进行吸附解除。
接下来，进行与前述的内容相反的动作。
即，在吸附着的区域中进行吸附解除，在吸附解除着的区域中进行吸附。
这样，即使是发生了翘曲等的变形的基板W1，也能够仿形于放置部12的放置面的形状。即，能够将发生了翘曲等的变形的基板W1形状矫正成想要的形状(放置部12的放置面的形状)。因此，能够提高基板W1与基板W2贴合的位置精度。
另外，也能够多次重复进行该吸附与吸附解除。
这样，即使是翘曲等的变形较大的基板W1或厚度较厚的基板W1，也能够仿形于放置部12的放置面的形状。
并且，能够适当地改变吸附与吸附解除的重复次数。
并且，也可以在进行吸附与吸附解除的动作之前，在区域12g及区域12h中执行吸附动作，对基板W1的整个面进行吸附。由此，能够仿形于放置部12的放置面的形状而将基板W1的形状修正到一定程度。因此，即使在基板W1的变形量较大的情况下，也能够减少吸附与吸附解除的重复次数。
图4是在区域12g及区域12h中的吸附与吸附解除动作的时间图。
图5是用于例示在各时间带中的吸附与吸附解除动作的模式图。
图4、图5所例示的是在区域12g及区域12h中交互进行吸附与吸附解除动作的情况。
例如图4、图5所示，在区域12g及区域12h当中的任意一个区域中进行对基板W1的吸附之后，在吸附着基板W1的区域中进行对基板W1的吸附解除。
另外，在一个区域中进行吸附期间，在另一个区域中进行对基板W1的吸附解除。
图6是在区域12g及区域12h中的吸附与吸附解除动作的时间图。
图7是用于例示在各时间带中的吸附与吸附解除动作的模式图。
虽然图6、图7所例示的是在区域12g及区域12h中交互进行吸附与吸附解除动作的情况，但是表示的是在区域12g与区域12h中使吸附动作重叠的情况。
例如图6、图7所示，在吸附着的区域中进行吸附解除之前，在吸附解除着的区域中进行吸附。
这样，由于进行吸附的区域始终为1个以上，因此能够将基板W1确实地保持成不发生错位，同时使基板W1仿形于放置部12的放置面的形状。
图8是在区域12g及区域12h中的吸附与吸附解除动作的时间图。
图9是用于例示在各时间带中的吸附与吸附解除动作的模式图。
图8、图9所例示的是在一个区域中进行吸附且在另一个区域中重复进行吸附与吸附解除的情况。
例如图8、图9所示，在区域12h中进行吸附，在区域12g中进行吸附与吸附解除。
由于区域12g与基板W1周边部分相对，因此能够改变基板W1的周边部分而使其仿形于放置部12的放置面的形状。
这样，能够在一个区域中保持基板W1，同时使基板W1仿形于放置部12的放置面的形状。
如图4～图9所例示，在区域12g及区域12h当中的任意一个区域中进行吸附与吸附解除，接着在区域12g及区域12h中进行吸附，由此将基板W1吸附于放置部12的放置面。
接下来，利用未图示的搬运装置将基板W2从开口部11a搬入到处理容器11内部。
之后，将基板W2放置于支撑爪13a上。
接下来，对基板W1与基板W2进行贴合。
首先，关闭开闭门11b，对处理容器11进行密封。
接下来，通过利用缓冲垫14c来按压被支撑爪13a所支撑的基板W2的大致中央部，从而使基板W2发生挠曲并使基板W1的一部分贴合面与基板W2的一部分贴合面发生接触。
此时，伴随贴合的推进，使支撑爪13a逐渐向后退的方向移动。
基板W1的贴合面与基板W2的贴合面发生接触的部分(已被贴合的部分)从中央部逐渐向周缘部扩大。
之后，当基板W2的周缘部从支撑爪13a分离时，基板W1的贴合面与基板W2的贴合面在整个面上发生接触。即，形成基板W1与基板W2被贴合的贴合基板。
接下来，使缓冲垫14c上升。
利用未图示的搬运装置将已形成的贴合基板搬出到处理容器11外部。
以后，通过根据需要重复前述的顺序，从而能够连续地对基板W1与基板W2进行贴合。
以上，例示了实施方式。但是，本发明并不局限于上述内容。
只要具备本发明的特征，本领域技术人员对前述的实施方式的构成要素进行适当的追加、删除或设计变更，或者对工序进行追加、省略或条件变更后的技术也包含在本发明的范围内。
例如，也可以不是将吸附与吸附解除交互地分别各进行1次，而是将吸附与吸附解除交互地分别各进行多次。
另外，例如，贴合装置100或吸附台101所具备的各要素的形状、尺寸、材质、配置、数量等并不局限于所例示的内容，可进行适当变更。
另外，只要可行，可以对前述的各实施方式所具备的各要素进行组合，只要包含本发明的特征，对这些进行了组合的技术同样也包含在本发明的范围内。
如以上的详细叙述，根据本发明，能够提供一种即使对已变形的基板也能够高精度地进行贴合的吸附台、贴合装置以及贴合基板的制造方法，工业上有很多优点。
符号说明
11-处理容器；12-放置部；12a-本体部；12a1-端面；12b-壁部；12c-壁部；12d-支撑部；12e-孔部；12f-孔部；12g-区域；12h-区域；13-基板支撑部；14-按压部；15-排气部；15a-排气泵；15b-控制阀；15c-配管；15d-控制阀；15e-配管；16-控制部；100-贴合装置；101-吸附台；W1-基板；W2-基板。

Claims (12)

1.一种吸附台，具备：放置部，放置第1基板；及排气部，对所述第1基板与所述放置部之间的部位进行排气，其特征为，
所述放置部具有：第1壁部，设置在所述放置部的一个端面的外缘侧且呈环状；
及第2壁部，设置在所述第1壁部的内侧且呈环状，
所述排气部具有：第1控制阀，设置在第1区域与所述排气部之间，该第1区域为所述第1壁部与所述第2壁部之间的区域；
第2控制阀，设置在所述第2壁部内侧的第2区域与所述排气部之间；
及控制部，对所述第1控制阀与所述第2控制阀进行控制，
所述控制部通过对所述第1控制阀及所述第2控制阀进行控制，从而在所述第1区域及所述第2区域当中的至少一个区域中交互地进行对所述第1基板的吸附与对所述第1基板的吸附解除，
在所述第1区域及所述第2区域当中的任意一个区域中进行对所述第1基板的吸附解除期间，在另一个区域中进行对所述第1基板的吸附。
2.根据权利要求1所述的吸附台，其特征为，所述控制部通过对所述第1控制阀及所述第2控制阀进行控制，从而在所述第1区域及所述第2区域中分别交互地进行对所述第1基板的吸附与对所述第1基板的吸附解除。
3.根据权利要求1所述的吸附台，其特征为，所述控制部通过对所述第1控制阀及所述第2控制阀进行控制，从而在所述第1区域及所述第2区域中交互地分别多次进行对所述第1基板的吸附与对所述第1基板的吸附解除。
4.根据权利要求1所述的吸附台，其特征为，所述控制部通过对所述第1控制阀及所述第2控制阀进行控制，从而在所述第1区域及所述第2区域当中的任意一个区域中进行对所述第1基板的吸附解除之前，在另一个区域中进行对所述第1基板的吸附。
5.根据权利要求1所述的吸附台，其特征为，所述控制部通过对所述第1控制阀及所述第2控制阀进行控制，从而在所述第1区域及所述第2区域当中的任意一个区域中交互地进行对所述第1基板的吸附与对所述第1基板的吸附解除，在所述一个区域中交互地进行对所述第1基板的吸附与吸附解除期间，在另一个区域中进行对所述第1基板的吸附。
6.一种贴合装置，其特征为，
具备：权利要求1所述的吸附台；
及支撑第2基板的基板支撑部，第2基板隔着规定间隔与放置在所述吸附台的放置部的所述第1基板相对。
7.一种贴合基板的制造方法，其特征为，
具备：将第1基板吸附于放置部的工序；
使第2基板隔着规定间隔与所述被吸附的第1基板相对的工序；
及使所述第2基板的一部分贴合面与所述第1基板的一部分贴合面发生接触的工序，
在将所述第1基板吸附于放置部的工序中，
在设置于所述放置部的第1区域及第2区域当中的至少一个区域中交互地进行对所述第1基板的吸附与对所述第1基板的吸附解除，
在所述第1区域及所述第2区域当中的任意一个区域中进行对所述第1基板的吸附解除期间，在另一个区域中进行对所述第1基板的吸附。
8.根据权利要求7所述的贴合基板的制造方法，其特征为，
在将所述第1基板吸附于放置部的工序中，
在所述第1区域中进行对所述第1基板的吸附时，
在所述第2区域中进行对所述第1基板的吸附解除。
9.根据权利要求7所述的贴合基板的制造方法，其特征为，在将所述第1基板吸附于放置部的工序中，在所述第1区域及所述第2区域中分别交互地进行对所述第1基板的吸附与对所述第1基板的吸附解除。
10.根据权利要求7所述的贴合基板的制造方法，其特征为，在将所述第1基板吸附于放置部的工序中，在所述第1区域及所述第2区域中交互地分别多次进行对所述第1基板的吸附与对所述第1基板的吸附解除。
11.根据权利要求7所述的贴合基板的制造方法，其特征为，在将所述第1基板吸附于放置部的工序中，在所述第1区域及所述第2区域当中的任意一个区域中进行对所述第1基板的吸附解除之前，在另一个区域中进行对所述第1基板的吸附。
12.根据权利要求7所述的贴合基板的制造方法，其特征为，在将所述第1基板吸附于放置部的工序中，在所述第1区域及所述第2区域当中的任意一个区域中交互地进行对所述第1基板的吸附与对所述第1基板的吸附解除，在另一个区域中进行对所述第1基板的吸附。
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