JPH10242255A

JPH10242255A - 真空吸着装置

Info

Publication number: JPH10242255A
Application number: JP9046786A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Morioka; 裕之森岡
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1997-02-28
Filing date: 1997-02-28
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】パーティクルやコンタミネーションが少なく、
高い平坦精度に保持することが可能な真空吸着装置を提
供する。【解決手段】セラミック基台１１の一主面に凹欠部１２
を有し、該凹欠部１２の底面には複数の突起１３を備え
てなり、該突起１３の頂面１３ａとセラミック基台１１
の一主面とを保持面１４としてなる真空吸着装置１０に
おいて、上記突起１３を先細り状とするとともに、その
頂面１３ａを点又はその面積を０．０２ｍｍ²以下とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被吸着物を吸着保
持する真空吸着装置に関するものであり、特に、被吸着
物として、半導体ウエハやガラス基板などの薄板状基板
を平坦に保持するのに好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程では、半導
体ウエハを搬送したり、所定の位置に精度良く固定する
ために真空吸着装置が使用されている。

【０００３】例えば、露光処理工程においては、半導体
ウエハを真空吸着装置でもって吸着固定して所定の平面
内に平坦矯正したあと、Ｘ線やｉ線などを発する光源を
用いて上記ウエハの表面に塗布されたレジスト膜を露光
するようになっている。

【０００４】このような真空吸着装置には極めて高いウ
エハの平坦矯正力と、平面精度、剛性、表面平滑性が必
要であることから、耐摩耗性に優れるとともに、高剛性
で、かつ高い寸法精度に加工できるセラミックスにより
形成したものがあった。

【０００５】また、真空吸着装置を耐摩耗性に優れるセ
ラミックスで形成したとしてもウエハとの接触によりパ
ーティクルやコンタミネーションが発生し、不良の原因
につながることから、ウエハとの接触比率をできるだけ
で小さくするために、図８や図９に示すような真空吸着
装置が使用されていた。

【０００６】図８に示す真空吸着装置６０は、ピンチャ
ックと呼ばれているものであり、円板状をしたセラミッ
ク基台６１の一主面に凹欠部６２を有し、該凹欠部６２
の外周には環状のシール壁６５が構成されている。ま
た、上記凹欠部６２の底面には、直径が０．２ｍｍ程度
の円柱状をした複数の突起６３を一定のピッチで形成し
てあり、これら突起６３の頂面６３ａ及びシール壁６５
の頂面６５ａを保持面６４としたものがあった。

【０００７】また、図９に示す真空吸着装置７０は、図
８に示す真空吸着装置６０の突起６３の代わりに頂面７
３ａの厚み幅が０．２ｍｍ程度の環状をした支持壁７３
を同心円状に形成したもので、上記支持壁７３の頂面７
３ａ及びシール壁７５の頂面７５ａを保持面７４とした
ものがあった。

【０００８】そして、これらの真空吸着装置６０，７０
は、保持面６４，７４に半導体ウエハ５０を載置し、セ
ラミック基台６１，７１の内部に穿設した排気孔６６，
７６を真空源（不図示）とつなげ、吸引口６６ａ，７６
ａを介して凹欠部６２，７２を減圧することにより、ウ
エハ５０と凹欠部６２，７２とで囲まれる空間を負圧と
し、上記ウエハ５０を保持面６４，７４に吸着させると
ともに、保持面６４，７４の精度に倣わせて平坦矯正す
るようになっていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、近年、半導
体装置の集積度の向上に伴い、突起６３や支持壁７３に
おける頂面６３ａ，７３ａの厚み幅（突起６３において
は直径）が０．２ｍｍ程度のものではパーティクルやコ
ンタミネーションの発生を充分に抑えることができない
といった課題があった。

【００１０】また、従来より凸部６３，７３の形状につ
いてはあまり考慮されておらず、半導体ウエハ５０との
接触比率を小さくするために突起６３や支持壁７３の厚
み幅を小さくすると次のような課題があった。

【００１１】突起６３や支持壁７３の厚み幅を０．２ｍ
ｍより小さくすると剛性不足となり、吸着時において突
起６３や支持壁７３が変形することから精度良く保持す
ることができず、剛性を確保するために突起６３や支持
壁７３の高さを小さくしすぎると、管内摩擦が大きくな
ることからウエハ５０の平坦強制力が低下するといった
課題があった。

【００１２】例えば、図８に示す真空吸着装置６０を例
にとって説明すると、突起６３の形状を直径０．１ｍ
ｍ、高さ０．２ｍｍの円柱状とすると、図１０に示すよ
うに、吸着時にウエハ５０による押圧力に屈して突起６
３が点線で示すように変形し、ウエハ５０を所定の平面
内に平坦化することができなくなり、突起６３の形状を
直径０．１ｍｍ、高さ０．０５ｍｍの円柱状とすると、
突起６３の変形は抑えることができたものの、管内摩擦
が増大して吸引力が低下するためにウエハ５０を保持面
６４の全面と当接させることができなかった。

【００１３】しかも、突起６３の形状が頂面６３から根
本部まで同一の厚み幅をもったものでは、頂面６３の面
積が小さくなると、露光処理時にウエハ５０に蓄熱させ
る熱を充分に放熱することができなくなるために、露光
精度に悪影響を与えるといった課題もあった。

【００１４】また、このような課題は図９に示す真空吸
着装置７０においても同様にあった。

【００１５】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明では上記
課題に鑑み、セラミック基台の一主面に凹欠部を有し、
該凹欠部の底面には複数の突起を備えてなり、該突起の
頂面とセラミック基台の一主面とは同一平面上にあって
保持面をなし、上記凹欠部内を減圧することで、被吸着
物を上記保持面で規定しながら吸着保持する真空吸着装
置において、上記突起を先細り状とし、かつその頂面を
点又はその面積を０．０２ｍｍ²以下としたことを特徴
とするものである。

【００１６】また、本発明は、上記突起の中間部におけ
る横断面の面積を頂面の２倍以上とすることで突起の剛
性及び放熱特性を高めたものである。

【００１７】さらに、本発明は、セラミック基台の一主
面に凹欠部を有し、該凹欠部の底面には複数の支持壁を
備えてなり、該支持壁の頂面とセラミック基台の一主面
とは同一平面上にあって保持面をなし、上記凹欠部内を
減圧することで、被吸着物を上記保持面で規定しながら
吸着保持する真空吸着装置において、上記支持壁の断面
形状を先細り状とし、かつその頂面を線又はその厚み幅
を０．１ｍｍ以下としたことを特徴とするものである。

【００１８】また、本発明は、上記支持壁の中間部にお
ける厚み幅を頂面の１．５倍以上とすることで支持壁の
剛性及び放熱特性を高めたものである。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を説明す
る。

【００２０】図１（ａ）は本発明に係る実施形態の一例
である真空吸着装置１０を示す平面図、（ｂ）は（ａ）
のＸ−Ｘ線断面図であり、円板状をしたセラミック基台
１１の一主面に凹欠部１２を設け、該凹欠部１２の外周
に環状のシール壁１５を構成してある。また、上記凹欠
部１２の底面には複数の円錐台をした突起１３を一定の
ピッチ（例えば１〜３ｍｍ）で形成してあり、これら突
起１３の頂面１３ａは前記シール壁１５の頂面１５ａと
同一平面上に位置するようにして保持面１４を構成して
ある。

【００２１】また、セラミック基体６１の内部には排気
孔１６を穿設してあり、該排気孔１６は凹欠部１２の底
面中央に形成した吸引口１６ａと連通させてある。

【００２２】そして、被吸着物として例えば半導体ウエ
ハ５０を上記保持面１４に載置し、排気孔１６に接続し
た真空ポンプ（不図示）により真空吸引してウエハ５０
と凹欠部１２とで囲まれる空間内を減圧することで、ウ
エハ５０を突起１３の頂面１３ａとシール壁１５の頂面
１５ａとで構成される保持面１４上に吸着保持させ、保
持面１４の平坦精度に平坦矯正するようになっている。

【００２３】次に、本発明の真空吸着装置１の主要部で
ある突起１３について詳述する。

【００２４】図２は図１（ａ）のＡ部を拡大した斜視図
であり、突起１３はその形状を頂面１３ａから根本部に
向かって先細り状をした円錐台とするとともに、ウエハ
５０と接触する頂面１３ａの面積ｗを０．０２ｍｍ²以
下の微小面としてある。その為、ウエハ５０との接触に
よるパーティクルやコンタミネーションを大幅に低減す
ることができる。

【００２５】また、本発明は突起１３の形状を円錐台と
してあることから、突起１３の剛性を確保することがで
きるため、頂面１３ａの面積ｗを小さくしてもウエハ５
０を吸着保持した時にウエハ５０による押圧力に屈して
突起１３を変形させることがない。しかも、突起１３の
中間部における横断面の面積Ｗが頂面１３ａの面積ｗよ
り大きいことから、ウエハ５０との接触比率が小さいに
もかかわらず突起１３の表面積を大きくすることがで
き、放熱特性を高めることができる。その為、例えば、
露光処理工程においてウエハ５０に熱が蓄熱されたとし
ても直ちに放熱することができるため、ウエハ５０の熱
による変形を抑え、温度分布を均一にすることができ、
露光精度を向上させることができる。

【００２６】ただし、突起１３の中間部における横断面
の面積Ｗが頂面１３ａの面積ｗの２倍未満となると突起
１３の剛性および放熱特性を高める効果が小さくなる。
その為、突起１３の中間部における横断面の面積Ｗは頂
面１３ａの面積ｗの２倍以上、好ましくは４．０倍以上
としたものが良い。

【００２７】なお、突起１３の中間部における横断面の
面積Ｗとは、高さｈの１／２付近における突起１３の面
積Ｗのことであり、この突起１３の中間部における面積
Ｗを測定するには、突起１３の高さｈが１／２付近にな
るまで削り取り、その面積を画像解析して測定するか、
あるいは突起１３の形状が円錐台をしたものであれば、
トレーサーなどの測定器により突起１３の断面形状をト
レースさせ、高さｈが１／２付近における直径を測定す
ることで計算により算出することができる。

【００２８】また、突起１３の頂面１３ａはそのエッジ
がシャープエッジであると、ウエハ５０を吸着保持した
時に比較的軟質のウエハ５０を傷付けたり、逆に突起１
３の頂面１３ａに欠けが発生し、ウエハ５０の平坦精度
に悪影響を与える恐れがある。また、突起１３と凹欠部
１２とのコーナーがシャープであると、この部分に塵
埃、摩耗粉等が溜まり易く、これらがだまになり吸引口
１６ａを塞いでしまう恐れがある。

【００２９】その為、突起１３の頂面１３ａにおけるエ
ッジ及び突起１３と凹欠部１２とのコーナーは曲面状に
形成することが好ましい。

【００３０】さらに、突起１３の高さｈが０．１ｍｍ未
満であると、ウエハ５０と凹欠部１２とで囲まれた空間
内における管内摩擦が増大して吸引力が低下し、ウエハ
５０の平坦強制力が低下するため、突起１３の高さｈは
０．１ｍｍ以上、より好ましくは０．２ｍｍ以上とする
ことが良い。

【００３１】なお、図２では突起１３の形状として円錐
台のものを示したが、本発明の突起１３はこの形状だけ
に限定するものではなく、例えば、図３（ａ）に示すよ
うな角錐台や図３（ｂ）に示すような半球、あるいは図
３（ｃ）に示すような径の異なる円柱を積み重ねたもの
や図３（ｄ）に示すようなピラミッド構造をした角錐台
をしたものなど、頂面１３ａに向かって先細り状をな
し、ウエハ５０と接触する頂面１３ａが点又はその面積
ｗが０．０２ｍｍ²以下のものであれば良い。

【００３２】ところで、このような真空吸着装置１０を
製造するには、円板状をしたセラミック材を用意し、上
下面に研摩加工を施して平坦度、平行度を所定の範囲内
としてセラミック基台１１を形成し、その一主面上に突
起１３及びシール壁１５に対応する箇所へレジスト膜を
被覆し、ショットブラス加工を施すことによって凹欠部
１２を形成し、その所定位置に円錐台をした突起１３を
形成すれば良い。

【００３３】このようにショットブラス処理を施せば頂
面１３ａの面積ｗが０．０２ｍｍ²以下の小さな突起６
３も容易に形成することが可能である。なお、突起１３
の加工手段としては上記ショットブラス加工だけに限ら
ず、他の加工手段であっても構わない。

【００３４】また、上記真空吸着装置１０を構成するセ
ラミック基台１１としては、大きな欠けや割れを生じ難
いものが良く、このようなセラミックスとしては、アル
ミナ、ジルコニア、炭化珪素、窒化珪素、アルミナ−炭
化チタン（アルティック）などを主成分とする、曲げ強
度２０ｋｇ／ｍｍ²以上、ヤング率２０００ｋｇ／ｍｍ
²以上で、かつ破壊靱性値（ｋ_1C）が２ＭＮ／ｍ^3/2以
上のセラミックスを用いれば良い。

【００３５】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。

【００３６】図４（ａ）は本発明に係る他の実施形態で
ある真空吸着装置２０を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ｙ−Ｙ線断面図であり、図５は図４（ａ）のＢ部を拡大
した断面図である。

【００３７】この真空吸着装置２０は、円板状をしたセ
ラミック基台２１の一主面に凹欠部２２を有し、該凹欠
部２２の外周に環状のシール壁２５を構成してある。ま
た、上記凹欠部２２の底面には断面形状が台形をした環
状の支持壁２３を一定のピッチ（例えば５〜１０ｍｍ）
で形成してあり、これら支持壁２３の頂面２３ａは前記
シール壁２５の頂面２５ａと同一平面上に位置するよう
にして保持面２４を構成してある。なお、支持壁２３の
頂面２３ａにおける厚み幅ｔは０．１ｍｍ以下としてあ
る。

【００３８】また、セラミック基体２１の内部には排気
孔２６を穿設してあり、該排気孔２６は各支持壁２３間
及び支持壁２３とシール壁２５との間に形成される凹欠
部２２（２２ａ，２２ｂ，２２ｃ）の底面に形成した吸
引口２６と連通させてある。

【００３９】そして、半導体ウエハ５０を上記保持面２
４に載置し、排気孔２６に接続した真空ポンプ（不図
示）により真空吸引してウエハ５０と凹欠部２２（２２
ａ，２２ｂ，２２ｃ）とで囲まれた空間内を減圧するこ
とで、ウエハ５０を支持壁２３の頂面２３ａとシール壁
２５の頂面２５ａとで構成される保持面２４上に吸着保
持させ、保持面２４の平坦精度に平坦矯正させることが
できる。

【００４０】このように、支持壁２３の断面形状を頂面
２５ａにむかって先細り状をした台形とすることによ
り、頂面２５ａにおける厚み幅ｔを０．１ｍｍ以下とし
ても支持壁２３の剛性を確保することができるため、吸
着時における支持壁２３の変形を抑えることができると
ともに、支持壁２３の表面積を大きくすることができる
ことから放熱特性を高めることができ、ウエハ５０を高
精度に保持することができる。

【００４１】ただし、支持壁２３の中間部における厚み
幅Ｔが頂面２３ａの厚み幅ｔの１．５倍未満となると支
持壁２３の剛性および放熱特性を高める効果が小さくな
る。

【００４２】その為、支持壁２３の中間部における厚み
幅Ｔは頂面２３ａの厚み幅ｔの１．５倍以上としたもの
が良い。

【００４３】また、図５では支持壁２３の断面形状が台
形をしたものを示したが、本発明の支持壁２３はこの形
状だけに限定されるものではなく、例えば、図６（ａ）
（ｂ）に示すような頂面２３に向かって厚み幅が小さく
なる段付き形状をしたものや図６（ｃ）に示すような半
円状をしたものなど、支持壁２３の断面形状が頂面２３
に向かって先細り状をなし、ウエハ５０と接触する頂面
２３ａが線又はその厚み幅ｔが０．１ｍｍ以下のもので
あれば良い。なお、支持壁２３は必ずしも環状である必
要はない。

【００４４】さらに、本発明に係る他の実施形態である
真空吸着装置を図７（ａ），（ｂ）に説明する。

【００４５】この真空吸着装置３０は、円板状をしたセ
ラミック基台３１の一主面に凹欠部３２を有し、該凹欠
部３２の外周に環状のシール壁３５を構成してある。ま
た、上記凹欠部３２の底面にはシール壁３５と同心円を
なすシール壁３８を形成してあり、該シール壁３８を挟
んでその内側と外側に形成される凹欠部３２ａ，３２ｂ
に複数の円錐台をした突起３３を一定のピッチ（例えば
１〜２ｍｍ）で形成してあり、これら突起３３の頂面３
３ａは前記シール壁３５，３８の頂面３５ａ，３８ａと
同一平面上に位置するようにして保持面３４を構成して
ある。なお、上記円錐台をした突起３３は頂面３３ａの
面積ｗを０．０２ｍｍ²以下としてある。

【００４６】また、セラミック基体３１の内部にはシー
ル壁３５とシール壁３８との間の凹欠部３２ｂに貫通す
る排気孔３７と、シール壁３８の内側の凹欠部３２ａに
貫通する排気孔３６をそれぞれ穿設してあり、吸引力を
それぞれ別々に調整できるようにしてある。

【００４７】このように、凹欠部３２にシール壁３８を
設けることにより、サイズの異なるウエハ５０の保持が
可能な真空吸着装置３０とすることができる。

【００４８】以上のように、これまで３つの実施形態に
ついて説明したが、本発明は上記実施形態のみに限定さ
れるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形
が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するもの
ではない。

【００４９】

【実施例】

（実施例１）図１に示すような本発明の真空吸着装置１
０と図８に示すような従来の真空吸着装置６０とを試作
し、吸着特性について比較実験を行った。

【００５０】本実験では、真空吸着装置１０，６０を構
成する各セラミック基台１１，６１を炭化珪素を主成分
とするセラミックスにより形成し、その外径を２００ｍ
ｍ、シール壁１５，６５の幅を１ｍｍとし、セラミック
基台１１，６１の凹欠部１２，６２にそれぞれ約７００
０個の突起１３，６３を一定のピッチで形成したものを
使用した。ただし、本発明では突起１３の形状をその頂
面１３ａの面積ｗが約０．００８ｍｍ²、中間部におけ
る横断面の面積Ｗが頂面１３ａの２倍である図３（ｃ）
に示すような段付き形状とし、比較例では突起６３の形
状を頂面６３ａの面積ｗが約０．０３ｍｍ²の円筒状と
した。なお、突起１３，６３の高さｈはいずれも０．１
５ｍｍとした。

【００５１】そして、各真空吸着装置１０，６０の保持
面１４，７４に８インチのシリコンウエハ５０を載置
し、吸着保持させた時のウエハ５０の平坦度をレーザー
干渉計にて測定した。

【００５２】この結果、従来の真空吸着装置６０におけ
るウエハ５０の平坦度は０．３３μｍであったのに対
し、本発明の真空吸着装置１０は、ウエハ５０の平坦度
を０．１１μｍとウエハ５０の平坦精度を大きく向上さ
せることができた。

【００５３】また、各ウエハ５０に付着するパーティク
ル（粒径が０．２μｍ以上のもの）数をパーティクルカ
ウンターにより測定したところ、従来の真空吸着装置６
０にて保持したウエハ５０には８５個のパーティクルが
付着していたのに対し、本発明の真空吸着装置１０によ
り保持したウエハ５０には１２個のパーティクルしか付
着しておらず、パーティクルの付着量を低減することも
できた。

【００５４】（実施例２）次に、実施例１と同様の条件
にて突起１３の形状を異ならせた時の吸着特性について
実験を行った。

【００５５】本実験では、真空吸着装置１０を構成する
セラミック基台１１を炭化珪素を主成分とするセラミッ
クスにより形成し、その外径を約２００ｍｍ、シール壁
１５の幅を１ｍｍとし、セラミック基台１１の凹欠部１
２に約７０００個の突起１３を一定のピッチで配置した
ものを使用した。また、突起１３の形状は図３（ｃ）に
示す段付き形状とし、頂面１３ａにおける面積ｗを約
０．００５ｍｍ²、高さｈを０．１５ｍｍとした。

【００５６】突起１３の形状及び結果はそれぞれ表１に
示す通りである。

【００５７】

【表１】

【００５８】この結果、突起１３の中間部における横断
面の面積Ｗが頂面１３ａの面積ｗより大きくなるにした
がって、ウエハ５０の温度バラツキを小さくできること
が判る。

【００５９】ただし、試料Ｎｏ．１のように突起１３の
中間部における横断面の面積Ｗが頂面１３ａの面積ｗと
同等であると、根本部の裾を広くしても放熱性を高める
効果が小さく、ウエハ５０の温度バラツキが２．１℃も
あったが、試料Ｎｏ．１〜４のように、突起１３の中間
部における横断面の面積Ｗを頂面１３ａの面積ｗの２倍
以上とすれば、突起１３での放熱性を高めることがで
き、ウエハ５０の温度バラツキを１．５℃未満とするこ
とができた。特に、突起１３の中間部における横断面の
面積Ｗを頂面１３ａの面積ｗを４．０倍以上とすれば、
ウエハ５０の温度バラツキを０．１〜０．２℃に抑える
ことができ、均熱性に優れていた。

【００６０】この結果、突起１３の中間部における横断
面の面積Ｗを頂面１３ａの面積ｗの１．５倍以上とすれ
ば優れた放熱特性が得られることが判る。

【００６１】（実施例３）さらに、図２に示す真空吸着
装置２０のうち、支持壁２３の断面形状を異ならせた時
の吸着特性について実験を行った。

【００６２】本実験では、真空吸着装置２０を構成する
セラミック基台２１を炭化珪素を主成分とするセラミッ
クスにより形成し、その外径を約２００ｍｍ、シール壁
２５の幅を１ｍｍとし、セラミック基台２１の凹欠部２
２に環状をした４つの支持壁２３を同心円状に一定のピ
ッチで形成したものを使用した。なお、各支持壁２３の
頂面２３ａにおける厚み幅ｔは０．０８ｍｍとし、高さ
ｈは０．１５ｍｍとした。

【００６３】そして、実施例１と同様、真空吸着装置２
０の保持面２４に８インチのシリコンウエハ５０を載置
し、吸着保持させるとともに、真空吸着装置２０の下面
に冷却装置（不図示）を設置して１８℃に冷却した状態
で露光処理を施したあとのウエハ５０の温度バラツキ
（最高温度と最低温度との差）を測定した。

【００６４】支持壁２３の形状及び結果はそれぞれ表２
に示す通りである。

【００６５】

【表２】

【００６６】この結果、まず、試料Ｎｏ．１では支持壁
２３の断面形状が先細り状となっていないことから、放
熱特性が悪くウエハ５０に２．３℃もの温度バラツキが
あった。しかも、吸着時には支持壁２３が変形してお
り、保持面２４にウエハ５０の全面が当接していなかっ
た。

【００６７】これに対し、試料Ｎｏ．２〜４は、支持壁
２３の断面形状が先細り状であり、支持壁２３の中間部
における厚み幅Ｔが頂面２３ａの厚み幅ｔの１．５倍以
上であることから放熱性に優れ、ウエハ５０の温度バラ
ツキを０．８℃以下とすることができ、均熱性に優れて
いた。

【００６８】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、セラミ
ック基台の一主面に凹欠部を有し、該凹欠部の底面には
複数の突起を備えてなり、該突起の頂面とセラミック基
台の一主面とは同一平面上にあって保持面をなし、上記
凹欠部内を減圧することで、被吸着物を上記保持面で規
定しながら吸着保持する真空吸着装置において、上記突
起を先細り状とし、かつその頂面を点又はその面積を
０．０２ｍｍ²以下とするか、あるいはセラミック基台
の一主面に凹欠部を有し、該凹欠部の底面には複数の支
持壁を備えてなり、該支持壁の頂面とセラミック基台の
一主面とは同一平面上にあって保持面をなし、上記凹欠
部内を減圧することで、被吸着物を上記保持面で規定し
ながら吸着保持する真空吸着装置において、上記支持壁
の断面形状を先細り状とし、かつその頂面を線又はその
厚み幅を０．１ｍｍ以下とすることにより、被吸着物と
の接触によるパーティクルやコンタミネーションの発生
を大幅に低減することができるとともに、突起や支持壁
の剛性を確保しながら優れた放熱特性を有することか
ら、被吸着物との接触比率が小さいにもかかわらず、半
導体ウエハやガラス基板などの薄板状基板を高精度に保
持することができる。

【００６９】その為、本発明の真空吸着装置を露光処理
工程で使用すれば、露光精度をさらに向上させることが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明に係る実施形態の一例である真
空吸着装置を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断
面図である。

【図２】図１のＡ部を拡大した斜視図である。

【図３】本発明の真空吸着装置に備える突起のさまざま
な形状を示す斜視図である。

【図４】（ａ）は本発明に係る他の実施形態の真空吸着
装置を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線断面図で
ある。

【図５】図４のＢ部を拡大した断面図である。

【図６】本発明の他の真空吸着装置に備える支持壁のさ
まざまな形状を示す断面図である。

【図７】（ａ）は本発明に係る他の実施形態の真空吸着
装置を示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＺ−Ｚ線断面図で
ある。

【図８】（ａ）は従来の真空吸着装置を示す平面図、
（ｂ）は（ａ）のＰ−Ｐ線断面図である。

【図９】（ａ）は従来の真空吸着装置を示す平面図、
（ｂ）は（ａ）のＲ−Ｒ線断面図である。

【図10】従来の真空吸着装置による吸着状態を示す模式
図である。

【符号の説明】

１０：真空吸着装置、１１：セラミック基台、１
２：凹欠部、１３：突起、１３ａ：突起の頂面、１
４：保持面、１５：シール壁、１５ａ：シール壁の頂
面、１６：吸引口、１７：排気孔、５０：半導体ウ
エハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック基台の一主面に凹欠部を有し、
該凹欠部の底面には複数の突起を備えてなり、該突起の
頂面とセラミック基台の一主面とは同一平面上にあって
保持面をなし、上記凹欠部内を減圧することで、被吸着
物を上記保持面で規定しながら吸着保持する真空吸着装
置において、上記突起は先細り状で、かつその頂面が点
又はその面積が０．０２ｍｍ²以下であることを特徴と
する真空吸着装置。
【請求項２】上記突起の中間部における横断面の面積を
頂面の２倍以上としたことを特徴とする請求項１に記載
の真空吸着装置。
【請求項３】セラミック基台の一主面に凹欠部を有し、
該凹欠部の底面には複数の支持壁を備えてなり、該支持
壁の頂面とセラミック基台の一主面とは同一平面上にあ
って保持面をなし、上記凹欠部内を減圧することで、被
吸着物を上記保持面で規定しながら吸着保持する真空吸
着装置において、上記支持壁の断面形状が先細り状で、
かつその頂面が線又はその厚み幅が０．１ｍｍ以下であ
ることを特徴とする真空吸着装置。
【請求項４】上記支持壁の中間部における厚み幅を頂面
の１．５倍以上としたことを特徴とする請求項３に記載
の真空吸着装置。