JP6497761B2 - 静電チャック用薄膜電極 - Google Patents
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Description
この特許文献は、発明者Edward Gratrixらの名義で2015年2月23日出願の米国仮特許出願第62/119,773号明細書、発明の名称「Film electrostatic chuck」の利益を主張する。許可されれば、この仮特許出願の内容の全てを、本明細書中に引用して組み込む。
なし。
・リソグラフィ(現在は空気中、将来的には真空中)
・物理気相成長法(PVD)(真空中)
・化学気相成長法(CVD)(真空中)
・イオン注入(真空中)
・試験及び測定(空気中では光学的/真空中ではSEM)
そもそも、なぜウェハは平坦ではないのか?ウェハが処理される場合、及び、製造の固有の限界によって、それらは平坦ではない。往々にして、前工程半導体ラインにおいて実行される処理は、ウェハに薄膜を添加し、その結果、幾分湾曲したウェハを生じる。この湾曲は、いずれかの方向、上向き、又は下向きであってもよい。平坦からの逸脱の大部分は湾曲においてであり、変形は球及び又は円筒形状のようなものである。
出願人は、ピン式Si/SiC基板の頂部に絶縁体−メタライゼーション−誘電体層を構築する革新的なアプローチを開発した。図3は、この方法で構築されたE−チャックの略図を示している。以下の実施例1は、この革新的なアプローチにおけるステップを実例で説明する。
直径350mm及び厚さ6mmという測定値であるE−チャックSi/SIC基板が最初に作製される。それは、当該技術において公知である反応結合プロセスによって製作される。Si/SiC基板は、次いで、高い平坦度まで研削及び機械加工される。次に、ピンが、ピンではない領域、すなわち、ピン間の領域内の極めて平坦なウェハ支持面を機械加工又は腐食することによって製作される。腐食は、放電加工(EDM)によって行われてもよい。ピン直径は1000マイクロメータであり、ピン高さは140マイクロメータである。ピン間隔は5mmであり、ピン同士は三角形パターンとなっている。ピン高さは、その後結合される積層に対応するよう選択される。次いで、ピン式基板はラップ仕上げされる。このピン式基板は、高い平坦度(ダイ位置でnmスケール)、高い熱伝導率、貫流冷却、及びSiウェハとの一致CTEを提供する。
構築は、市販の誘電体膜31(例えば、ユーピレックスポリイミド(宇部興産、東京、日本)、厚さ2ミル(厚さ50μm)を、メタライゼーション32(0.3μm Al)と共に得ることによって開始する。次に、各半分が、電気接続のために350mmSi/SiC基板を超えて延在してもよい領域37、39を有しつつ、2つの半円33、35(直径325mm)が、金属化ユーピレックス薄膜から切り取られる。次いで、2つの半円ユーピレックス金属化薄膜半体が、直径335mmの3ミル(厚さ75μm)PYRALUX LF(DuPont Company,Wilmington,DE)薄膜34上に結合される。この薄膜は、Bステージ化改質アクリルシート両面接着である。このステップの後、この薄膜積層内の孔30が、ピンを収容するよう機械加工される。機械加工は、レーザアブレーション、リソグラフィ等の様々な技術のうちの1つの形態を取ってもよい。図3は、この方法で作製された穿孔を有する薄膜スタックを示している。最後に、この薄膜はピン式基板41の頂部の所定位置に結合される。図4を参照。ピン43は多層薄膜電極31の孔30の中央に置かれることに留意されたい。
金属化薄膜拡張部37、39が、ピン式基板41のピンの頂部に載置されたSiウェハ53上に静電引力を生成するよう、高電圧電源供給51に接続された。図6を参照。数千ボルトが、リード線55、57及びワニ口クリップ52、54を介して電極薄膜31の半体33、35に印加された。Siウェハ53は、落下することなく上下反対に吊り下げられてもよい。
・製作の容易さ
・高いダイ位置平坦度
・高い熱伝導率
・極端な温度制御に対する貫流性能
・Siウェハのものに対する一致CTE
本発明の別の態様において、出願人は、上で説明した概念のための更なる高度化を開発した。現在のEDMプロセスは、ある程度良好なピン高さを制御できる(例えば、±10μm)。しかし、ピン頂部とピン同士の間の谷部領域との間の距離は、10ミクロンを超えて変化する。誘電体挟持薄膜層がピン式基板に結合される場合、誘電体膜の頂部とSiウェハとの間の間隙gは、著しく変化する。結果として、以下の数式によって制御されるチャッキング力は、場所毎に変化する。結果として、ウェハは、nmスケールリソグラフィを達成するよう十分平坦に保持できない。
この実施例は、ピン頂部と絶縁層の上面との間の高さ又は距離が慎重に制御されるように、絶縁体層の塗布を実例で説明している。それを図7A乃至7Gを参照して行う。
ピン43を特徴とするピン式静電チャック基板41の表面は、熱又は紫外線で硬化できる電気絶縁ポリマー72で被覆される。ここで、用いられたポリマーは、Dow Chemical Company,Midland,MIからのビスベンゾシクロブテン(BCB)であった。ポリマーは、過剰量で、且つ、それが空隙又はポケット無くピン同士間の全ての谷部を充填するように施される。次いで、石英治具79は、凹部77がピン43と一列に並びつつ静電チャックのピン付表面の上に位置決めされ、次いで、ピンに対して慎重に押し下げられて、過剰BCBポリマー72を側面から押し出す。ポリマーを硬化させた後、石英治具は、静電チャック基板から分離され、ピン頂部のいずれの残留ポリマーもラップ仕上げにより除去される。電気絶縁ポリマーは、ここで、図7Gの寸法矢印によって示唆されるように、ピン頂部に対して極めて正確な高度を持っている。
電極アセンブリは、実施例1で説明した有孔金属化ユーピレックス薄膜等の有孔金属化ポリマー薄膜を静電チャック基板のピン付表面に結合することによって仕上げられる。特に、薄膜は、穿孔がチャック基板上のピンと一列に並ぶように、且つ、金属層がBCBポリマー絶縁層とユーピレックスポリマー誘電体層との間に載置(挟持)されながら位置決めされる。
・薄膜間隙が、0.1umよりも良好なエッチングの均一性によって設定される。
・薄膜層の平坦度が治具の品質によって決定される。
・薄い石英治具は、ウェハテーブルのいたる箇所に適合して正確な基準面間隙を作成する。
・結果として、E−チャッキング力を極めて良好に制御できる。
ガラス上のクロムのドット配列が、標準のフォトリソグラフィを用いて2つの石英板のそれぞれの光学的に平坦な表面の裏面にパターン化されて、ピン位置に対応する大型の(ピン直径に対して)不透明なドットを残す。
・半導体及び液晶ディスプレイ製造
・エッチング
・リソグラフィ
・物理気相成長法
・化学気相成長法
・試験及び測定
Claims (17)
- 静電チャックを作成することに用いられる方法であって、
(a)ピン式ウェハチャック基板、及び、前記ピン式ウェハチャック基板に管理された厚さのポリマー層を形成するための治具を提供することと、
(b)前記ピン式ウェハチャック基板のピンの高度を1ミクロン以内であるよう工作することと、
(c)電気絶縁ポリマー材料を未硬化形態で前記ピン付表面に過剰量で施すことと、
(d)前記治具が前記チャック基板と接触される場合、前記ピンの側面が前記治具に接触することなく、前記ピンの頂部が前記治具内の凹部の底部に接触するように、前記チャック基板を覆って前記治具を位置決めすることと、更に、
(e)前記ピンが前記治具内の前記凹部に接触するまで、前記治具を前記ピン付表面及び未硬化ポリマーに対して押し付け、それによって過剰未硬化ポリマーを押し出すことと、
(f)前記電気絶縁ポリマー材料を硬化させることと、
(g)前記治具を取り外すことと、を含み、
前記治具は、シリカ含有板を備え、
(I)前記シリカ含有板は、
(i)1ミクロン未満の平坦度偏差を有する表面又は基準面と、
(ii)前記シリカ含有板の前記基準面内の複数の前記凹部と、
を備え、
前記凹部は、前記チャック基板上の前記ピンの位置に対応するよう位置決めされ、それぞれの前記凹部は、前記ピンの前記側面が前記シリカ含有板と接触することなく、前記ピンの前記頂部が前記凹部の底部と接触しながら、前記チャック基板の上方で前記シリカ含有板が位置決めされるように、十分な直径を有し、更に、前記凹部の深さの差は、3ミクロン以内である、
方法。 - 前記治具の前記チャック基板との接触面は、その上に被覆される離型剤を特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 更に、前記チャック基板のピンの前記頂部から硬化したポリマー材料を除去することを含む、請求項1に記載の方法。
- 更に、前記治具の除去の後に、前記ピン付表面上にメタライゼーション層を堆積することを含む、請求項1に記載の方法。
- 更に、前記メタライゼーション層上に誘電体層を堆積することを含む、請求項4に記載の方法。
- 更に、
(h)前記チャック基板上のピンの位置に対応する穿孔を備える金属化誘電体膜と、金属化層と、誘電体層とを提供することと、
(i)前記ピンが前記金属化誘電体膜内の前記穿孔と整列され、且つ、前記金属化層が前記誘電体層と前記電気絶縁ポリマー材料の電気絶縁層との間に位置しながら、前記チャック基板を覆って前記金属化誘電体膜を位置決めすることと、
(j)前記金属化誘電体膜を前記電気絶縁層に結合させることと、を含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記結合することは、前記電気絶縁ポリマー材料が硬化した後に生じる、請求項6に記載の方法。
- 前記金属化誘電体膜の前記位置決めは、前記電気絶縁ポリマー材料が硬化する前、及び、前記治具が前記ピン付表面及び未硬化ポリマーに対して押し付けられる前に生じる、請求項6に記載の方法。
- 管理された厚さのポリマー層を形成するための治具において、
(a)剛体基板であって、
(i)1ミクロン未満の平坦度偏差を有する表面又は基準面と、
(ii)前記基準面に接触し、結合するフォトレジスト材料のコーティングであって、少なくとも約5ミクロンの厚さを有し、3ミクロン以内で厚さが均一なコーティングとを備える剛体基板と、
(b)フォトレジスト材料が除去された前記コーティング内の複数の領域であって、前記領域のそれぞれは直径が少なくとも100ミクロンである、複数の領域と、を備え、
前記領域は、ピン式ウェハチャック基板上のピンの位置に対応するよう位置決めされ、各領域は、前記ピンの側面が前記治具と接触することなく、前記ピンの頂部が前記領域の底部と接触しながら、前記チャック基板の上方で前記治具が位置決めされるように、十分な直径を有する、
治具。 - 前記複数の領域は幾何学的パターンをしている、請求項9に記載の治具。
- 前記複数の領域は三角形パターンをしている、請求項9に記載の治具。
- 前記複数の領域は5mm間隔を空けて離間される、請求項9に記載の治具。
- 前記剛体基板はSiCを備える、請求項9に記載の治具。
- 前記領域は、前記剛体基板の前記基準面の凹部に相当し、更に、前記基準面からの前記凹部の深さの差は、3ミクロン以内である、請求項9に記載の治具。
- 前記凹部は、5ミクロンと75ミクロンとの間の範囲にある深さを有する、請求項14に記載の治具。
- 前記剛体基板は、シリカを含有する、請求項14に記載の治具。
- 更に、前記基準面上にクロムのコーティングを備え、前記フォトレジスト材料の層が前記クロムのコーティング上に位置している、前記請求項16に記載の治具。
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GB9812850D0 (en) | 1998-06-16 | 1998-08-12 | Surface Tech Sys Ltd | A method and apparatus for dechucking |
JP2001118664A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-04-27 | Ibiden Co Ltd | セラミックヒータ |
US6922324B1 (en) | 2000-07-10 | 2005-07-26 | Christopher M. Horwitz | Remote powering of electrostatic chucks |
WO2002009171A1 (fr) * | 2000-07-25 | 2002-01-31 | Ibiden Co., Ltd. | Substrat ceramique pour appareil de fabrication/inspection de semi-conducteurs, element chauffant en ceramique, dispositif de retenue electrostatique sans attache et substrat pour testeur de tranches |
US6606234B1 (en) | 2000-09-05 | 2003-08-12 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Electrostatic chuck and method for forming an electrostatic chuck having porous regions for fluid flow |
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US6628503B2 (en) | 2001-03-13 | 2003-09-30 | Nikon Corporation | Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications |
JP2003332411A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
WO2004044651A1 (en) * | 2002-11-13 | 2004-05-27 | Molecular Imprints, Inc. | A chucking system and method for modulating shapes of substrates |
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US7430104B2 (en) | 2003-03-11 | 2008-09-30 | Appiled Materials, Inc. | Electrostatic chuck for wafer metrology and inspection equipment |
EP1769102A2 (en) * | 2004-05-28 | 2007-04-04 | Board of Regents, The University Of Texas System | Substrate support system and method |
US7511935B2 (en) | 2006-02-27 | 2009-03-31 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Electrostatic chuck and method of its manufacture |
US7940511B2 (en) * | 2007-09-21 | 2011-05-10 | Asml Netherlands B.V. | Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp |
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WO2012005294A1 (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-12 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電チャック装置及びその製造方法 |
JP5595949B2 (ja) * | 2011-02-15 | 2014-09-24 | 株式会社東芝 | インプリント装置、インプリント方法および凹凸板の製造方法 |
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