JP3121886B2 - 真空吸着装置 - Google Patents
真空吸着装置Info
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- JP3121886B2 JP3121886B2 JP31507891A JP31507891A JP3121886B2 JP 3121886 B2 JP3121886 B2 JP 3121886B2 JP 31507891 A JP31507891 A JP 31507891A JP 31507891 A JP31507891 A JP 31507891A JP 3121886 B2 JP3121886 B2 JP 3121886B2
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- vacuum suction
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハやガラス
基板などを吸着保持して、搬送、加工を行うための真空
吸着装置に関する。
基板などを吸着保持して、搬送、加工を行うための真空
吸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば半導体装置の製造工程
において、半導体ウェハを搬送、加工、検査する場合に
は、真空圧を利用した真空吸着装置が用いられていた。
において、半導体ウェハを搬送、加工、検査する場合に
は、真空圧を利用した真空吸着装置が用いられていた。
【０００３】このような真空吸着装置としては、吸着面
に開口した複数の貫通孔を有するものがあったが、貫通
孔部分のみで吸着作用をするため、吸着が不均一とな
り、半導体ウェハの加工精度が低下するなどの問題点が
あった。そこで、より均一な吸着を行うために、吸着面
を多孔質体で形成した真空吸着装置があった。
に開口した複数の貫通孔を有するものがあったが、貫通
孔部分のみで吸着作用をするため、吸着が不均一とな
り、半導体ウェハの加工精度が低下するなどの問題点が
あった。そこで、より均一な吸着を行うために、吸着面
を多孔質体で形成した真空吸着装置があった。
【０００４】例えば、図４に示す真空吸着装置は、多孔
質体からなる吸着部材１０を支持部材２０に、樹脂また
はガラスなどの接着剤３０により接合してなるものであ
った。そして、下方の吸引孔２１より真空吸引すること
によって、上記吸着部材１０上の吸着面１１に半導体ウ
ェハ（不図示）を吸着するようになっていた。またこの
真空吸着装置において、耐磨耗性を高め、優れた平坦度
を維持するために、吸着部材１０を気孔径３０〜１５０
μｍ程度の多孔質セラミックスにより形成し、支持部材
２０を緻密質セラミックスにより形成することが行われ
ていた (特開昭５９−１２４５３６号、６２−５３７７
４号、６３−１６９２４３号公報など参照）。
質体からなる吸着部材１０を支持部材２０に、樹脂また
はガラスなどの接着剤３０により接合してなるものであ
った。そして、下方の吸引孔２１より真空吸引すること
によって、上記吸着部材１０上の吸着面１１に半導体ウ
ェハ（不図示）を吸着するようになっていた。またこの
真空吸着装置において、耐磨耗性を高め、優れた平坦度
を維持するために、吸着部材１０を気孔径３０〜１５０
μｍ程度の多孔質セラミックスにより形成し、支持部材
２０を緻密質セラミックスにより形成することが行われ
ていた (特開昭５９−１２４５３６号、６２−５３７７
４号、６３−１６９２４３号公報など参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この真空吸着装置を用
いる場合は、吸着面１１の平坦度を高くする必要がある
ため、支持部材２０に吸着部材１０を接合した後、双方
の上面をダイヤモンド砥石などで研磨することが行われ
ていた。しかし、上記のように、吸着部材１０は多孔質
セラミックスからなっていたため比較的研磨されやすい
が、支持部材２０は緻密質セラミックスまたは金属から
なっていたため研磨されにくかった。そのため、研磨後
の拡大断面図を図５に示すように、吸着面１１側が大き
く研磨されてしまい、支持部材２０の上面２２との間に
段差が生じやすく、真空吸着装置の上面全体を実用上問
題のないレベル（平坦度１μｍ以下）とすることが困難
であった。このような状態で使用すると、吸着時にリー
クが生じて吸着力が小さくなったり、あるいは半導体ウ
ェハの加工に用いる場合は、加工精度が悪くなるなどの
問題点があった。
いる場合は、吸着面１１の平坦度を高くする必要がある
ため、支持部材２０に吸着部材１０を接合した後、双方
の上面をダイヤモンド砥石などで研磨することが行われ
ていた。しかし、上記のように、吸着部材１０は多孔質
セラミックスからなっていたため比較的研磨されやすい
が、支持部材２０は緻密質セラミックスまたは金属から
なっていたため研磨されにくかった。そのため、研磨後
の拡大断面図を図５に示すように、吸着面１１側が大き
く研磨されてしまい、支持部材２０の上面２２との間に
段差が生じやすく、真空吸着装置の上面全体を実用上問
題のないレベル（平坦度１μｍ以下）とすることが困難
であった。このような状態で使用すると、吸着時にリー
クが生じて吸着力が小さくなったり、あるいは半導体ウ
ェハの加工に用いる場合は、加工精度が悪くなるなどの
問題点があった。
【０００６】そこで、上面全体の平坦度を１μｍ以下と
するためには、複数の砥石を用いて研磨するなどの作業
が必要であり、手間のかかるものであった。
するためには、複数の砥石を用いて研磨するなどの作業
が必要であり、手間のかかるものであった。
【０００７】また、平坦度が優れた状態に研磨しても、
使用中に上記と同様の理由で吸着面１１のみが磨耗しや
すいため、比較的短期間の使用で、吸着面１１と支持部
材２０の上面２２との間に段差が生じやすく、再度研磨
を行わねばならないという問題点があった。
使用中に上記と同様の理由で吸着面１１のみが磨耗しや
すいため、比較的短期間の使用で、吸着面１１と支持部
材２０の上面２２との間に段差が生じやすく、再度研磨
を行わねばならないという問題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、吸着
部材だけでなく、支持部材の少なくとも上面も気孔率が
３０〜５０％である上記吸着部材と同じ材質の多孔質セ
ラミックスで形成して真空吸着装置を構成したものであ
る。また、このとき支持部材上面を形成する多孔質セラ
ミックスとして、その平均気孔径が１０μｍ以下及び／
又は上記吸着部材を形成する多孔質セラミックスの平均
気孔径に対する上記支持部材上面を形成する多孔質セラ
ミックスの平均気孔径の比が０．２以下であるものを用
いれば良い。
部材だけでなく、支持部材の少なくとも上面も気孔率が
３０〜５０％である上記吸着部材と同じ材質の多孔質セ
ラミックスで形成して真空吸着装置を構成したものであ
る。また、このとき支持部材上面を形成する多孔質セラ
ミックスとして、その平均気孔径が１０μｍ以下及び／
又は上記吸着部材を形成する多孔質セラミックスの平均
気孔径に対する上記支持部材上面を形成する多孔質セラ
ミックスの平均気孔径の比が０．２以下であるものを用
いれば良い。
【０００９】
【作用】本発明によれば、吸着部材と支持部材の上面が
いずれも多孔質セラミックスからなるため、両部材の研
磨特性がほぼ等しいことから、真空吸着装置の上面を研
磨した時に両部材の境界部に段差が生じにくく、優れた
平坦度とできる。また、使用時の磨耗量もほぼ等しいこ
とから、長期使用しても上記段差が生じにくい。
いずれも多孔質セラミックスからなるため、両部材の研
磨特性がほぼ等しいことから、真空吸着装置の上面を研
磨した時に両部材の境界部に段差が生じにくく、優れた
平坦度とできる。また、使用時の磨耗量もほぼ等しいこ
とから、長期使用しても上記段差が生じにくい。
【００１０】なお、支持部材の上面を多孔質セラミック
スとしても、上記のように平均気孔径を小さくしておけ
ば空気漏れが生じにくく、実用上問題ない吸着力を得る
ことができる。
スとしても、上記のように平均気孔径を小さくしておけ
ば空気漏れが生じにくく、実用上問題ない吸着力を得る
ことができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。なお、従
来例と同一部分は同一符号を用いた。
来例と同一部分は同一符号を用いた。
【００１２】図１に示す真空吸着装置は、多孔質セラミ
ックスからなる吸着部材１０を、支持部材２０にガラ
ス、樹脂などの接着剤３０で接合したものである。そし
て、上記支持部材２０は、緻密質セラミックスからなる
支持部２０ａと、上記吸着部材１０よりも気孔径の小さ
い多孔質セラミックスからなる隔壁部２０ｂとを接合し
て構成されており、上面２２は多孔質セラミックスから
なっている。この真空吸着装置において、支持部材２０
の吸引孔２１より真空吸引すると、気孔径の大きい吸着
部材１０の吸着面１１に半導体ウェハなどの被吸着物Ｗ
を吸着できる。
ックスからなる吸着部材１０を、支持部材２０にガラ
ス、樹脂などの接着剤３０で接合したものである。そし
て、上記支持部材２０は、緻密質セラミックスからなる
支持部２０ａと、上記吸着部材１０よりも気孔径の小さ
い多孔質セラミックスからなる隔壁部２０ｂとを接合し
て構成されており、上面２２は多孔質セラミックスから
なっている。この真空吸着装置において、支持部材２０
の吸引孔２１より真空吸引すると、気孔径の大きい吸着
部材１０の吸着面１１に半導体ウェハなどの被吸着物Ｗ
を吸着できる。
【００１３】また、上記吸着面１１の平坦度を高めるた
めに研磨した場合、支持部材２０の上面２２が、吸着面
１１と同じ材質の多孔質セラミックスからなっているた
め、両者の研磨特性がほぼ等しいことから、研磨後の拡
大断面を図２に示すように、吸着面１１と支持部材２０
の上面２２の間に段差はなく、簡単な研磨で全体として
の平坦度を１μｍ以下とできる。
めに研磨した場合、支持部材２０の上面２２が、吸着面
１１と同じ材質の多孔質セラミックスからなっているた
め、両者の研磨特性がほぼ等しいことから、研磨後の拡
大断面を図２に示すように、吸着面１１と支持部材２０
の上面２２の間に段差はなく、簡単な研磨で全体として
の平坦度を１μｍ以下とできる。
【００１４】次に本発明の他の実施例を説明する。
【００１５】図３に示す真空吸着装置は、マルチタイプ
と呼ばれるもので、中央の吸着部材１０のまわりに支持
部材２０を介して第二の環状をした吸着部材１２を備え
ており、各吸着部材１０、１２に対する独立した吸引孔
２１、２３を形成してある。そして、上記実施例と同様
に、吸着部材１０、１２は気孔径の大きい多孔質セラミ
ックスからなり、支持部材２０は、緻密質セラミックス
からなる支持部２０ａと、上記吸着部材１０、１２より
も気孔径の小さい多孔質セラミックスからなる隔壁部２
０ｂとを接合して構成されている。
と呼ばれるもので、中央の吸着部材１０のまわりに支持
部材２０を介して第二の環状をした吸着部材１２を備え
ており、各吸着部材１０、１２に対する独立した吸引孔
２１、２３を形成してある。そして、上記実施例と同様
に、吸着部材１０、１２は気孔径の大きい多孔質セラミ
ックスからなり、支持部材２０は、緻密質セラミックス
からなる支持部２０ａと、上記吸着部材１０、１２より
も気孔径の小さい多孔質セラミックスからなる隔壁部２
０ｂとを接合して構成されている。
【００１６】この真空吸着装置を用いれば、吸引孔２１
のみから真空吸引すると中央の吸着部材１０のみで吸着
するため、比較的小さい半導体ウェハの吸着を行うこと
ができる。また、吸引孔２１、２３の両方から吸引する
と、両方の吸着部材１０、１２で吸着するため、比較的
大きい半導体ウェハの吸着を行うことができる。したが
って、吸引孔２１、２３を切り換えるだけで、さまざま
な大きさの半導体ウェハを吸着することができる。
のみから真空吸引すると中央の吸着部材１０のみで吸着
するため、比較的小さい半導体ウェハの吸着を行うこと
ができる。また、吸引孔２１、２３の両方から吸引する
と、両方の吸着部材１０、１２で吸着するため、比較的
大きい半導体ウェハの吸着を行うことができる。したが
って、吸引孔２１、２３を切り換えるだけで、さまざま
な大きさの半導体ウェハを吸着することができる。
【００１７】この実施例の場合も、真空吸着装置の上面
を研磨する時に、支持部材２０の上面２２が多孔質セラ
ミックスからなっているため、各吸着面１１、１３と支
持部材２０の上面２２の間に段差が生じることはなく、
簡単な研磨で全体の平坦度を１μｍ以下とすることがで
きる。
を研磨する時に、支持部材２０の上面２２が多孔質セラ
ミックスからなっているため、各吸着面１１、１３と支
持部材２０の上面２２の間に段差が生じることはなく、
簡単な研磨で全体の平坦度を１μｍ以下とすることがで
きる。
【００１８】以上の実施例によれば、半導体ウェハなど
を吸着する真空吸着装置上面の平坦度を極めて優れたも
のとできることから、吸着力を高くできるだけでなく、
吸着固定した半導体ウェハを加工する際に、加工精度を
高くすることができる。また、使用時の磨耗特性につい
ても、吸着面１１、１３と支持部材２０の上面２２がほ
ぼ等しいことから、長期使用しても両部材の境界に段差
が生じにくく、優れた平坦度を維持できる。
を吸着する真空吸着装置上面の平坦度を極めて優れたも
のとできることから、吸着力を高くできるだけでなく、
吸着固定した半導体ウェハを加工する際に、加工精度を
高くすることができる。また、使用時の磨耗特性につい
ても、吸着面１１、１３と支持部材２０の上面２２がほ
ぼ等しいことから、長期使用しても両部材の境界に段差
が生じにくく、優れた平坦度を維持できる。
【００１９】さらに、以上の実施例において、接着剤３
０は、ガラス、樹脂などからなるものであるが、上記吸
着部材１０および支持部材２０と同程度の被研磨特性を
有するものを用いる。
０は、ガラス、樹脂などからなるものであるが、上記吸
着部材１０および支持部材２０と同程度の被研磨特性を
有するものを用いる。
【００２０】なお、以上の実施例では、支持部材２０と
して、多孔質セラミックスからなる隔壁部２０ｂを緻密
質セラミックスからなる支持部２０ａに接合することに
より、支持部材２０の上面２２近傍のみを多孔質セラミ
ックスとしたものを示したが、これに限らず、支持部材
２０全体を多孔質セラミックスで形成したものでもよ
い。ただし、以上の実施例のように、緻密質セラミック
スからなる支持部２０ａを用いることによって、全体の
強度、剛性を高くすることができる。
して、多孔質セラミックスからなる隔壁部２０ｂを緻密
質セラミックスからなる支持部２０ａに接合することに
より、支持部材２０の上面２２近傍のみを多孔質セラミ
ックスとしたものを示したが、これに限らず、支持部材
２０全体を多孔質セラミックスで形成したものでもよ
い。ただし、以上の実施例のように、緻密質セラミック
スからなる支持部２０ａを用いることによって、全体の
強度、剛性を高くすることができる。
【００２１】また、本発明の真空吸着装置を構成する多
孔質セラミックスとしては、アルミナ、ジルコニア、炭
化珪素、窒化珪素など、さまざまなセラミックスを用い
ることができる。そして、これらのセラミックスを多孔
質とするには、さまざまな方法があるが、真空吸着装置
に用いるためには各気孔を連通させる必要がある。その
ためには、たとえば、各セラミックスを所定の大きさの
粒子状にし、この粒子をガラスなどで固めて焼成すれば
よい。この方法によれば、確実に各気孔を連通させられ
るとともに、粒子径を調整することで、容易に気孔径を
調整することができる。
孔質セラミックスとしては、アルミナ、ジルコニア、炭
化珪素、窒化珪素など、さまざまなセラミックスを用い
ることができる。そして、これらのセラミックスを多孔
質とするには、さまざまな方法があるが、真空吸着装置
に用いるためには各気孔を連通させる必要がある。その
ためには、たとえば、各セラミックスを所定の大きさの
粒子状にし、この粒子をガラスなどで固めて焼成すれば
よい。この方法によれば、確実に各気孔を連通させられ
るとともに、粒子径を調整することで、容易に気孔径を
調整することができる。
【００２２】さらに、この他の方法として、セラミック
原料中に、焼成時に消失するような材料を混入しておい
て、焼成する方法や、焼成温度あるいは焼成時間を調整
して、緻密化せず気孔が残った状態で焼成を終了させる
方法などにより、多孔質セラミックスを得ることができ
る。
原料中に、焼成時に消失するような材料を混入しておい
て、焼成する方法や、焼成温度あるいは焼成時間を調整
して、緻密化せず気孔が残った状態で焼成を終了させる
方法などにより、多孔質セラミックスを得ることができ
る。
【００２３】実験例 ここで、図１に示す本発明の真空吸着装置を試作し、実
験を行った。
験を行った。
【００２４】吸着部材１０、支持部材２０の隔壁部２０
ｂは、いずれもアルミナ粒子をガラスで固めて焼成して
なる多孔質セラミックスとし、表１に示すように平均気
孔径をさまざまに変化させたものを用意した。また、比
較例として、支持部材２０全体を緻密質セラミックスと
した従来のものも用意した。なお、いずれも吸着部材１
０の直径は６インチとした。
ｂは、いずれもアルミナ粒子をガラスで固めて焼成して
なる多孔質セラミックスとし、表１に示すように平均気
孔径をさまざまに変化させたものを用意した。また、比
較例として、支持部材２０全体を緻密質セラミックスと
した従来のものも用意した。なお、いずれも吸着部材１
０の直径は６インチとした。
【００２５】まず、これらの真空吸着装置の吸着面１１
および支持部材２０の上面２２を、＃８００のダイヤモ
ンド砥石を用いて一定条件で研磨した後、全体の平坦度
を測定し、平坦度が１μｍより小さいものを○、１μｍ
以上のものを×とした。次に、各真空吸着装置を用い
て、アスピレータにより吸引圧５００ｍｍＨｇで、６イ
ンチの半導体ウェハの吸着を行い、このウェハ表面を研
磨した時に、ウェハが剥がれなかったものを○、強い力
が加わったときに剥がれたものを△、容易に剥がれたも
のを×として、吸着力を評価した。結果は表１に示す通
りである。
および支持部材２０の上面２２を、＃８００のダイヤモ
ンド砥石を用いて一定条件で研磨した後、全体の平坦度
を測定し、平坦度が１μｍより小さいものを○、１μｍ
以上のものを×とした。次に、各真空吸着装置を用い
て、アスピレータにより吸引圧５００ｍｍＨｇで、６イ
ンチの半導体ウェハの吸着を行い、このウェハ表面を研
磨した時に、ウェハが剥がれなかったものを○、強い力
が加わったときに剥がれたものを△、容易に剥がれたも
のを×として、吸着力を評価した。結果は表１に示す通
りである。
【００２６】
【表１】
【００２７】これらの結果より明らかに、比較例である
Ｎｏ．１０は支持部材２０全体を緻密質セラミックスと
したため、研磨後の平坦度が悪く、そのまま吸着テスト
を行ったため吸着力も悪かった。
Ｎｏ．１０は支持部材２０全体を緻密質セラミックスと
したため、研磨後の平坦度が悪く、そのまま吸着テスト
を行ったため吸着力も悪かった。
【００２８】また、Ｎｏ．４は支持部材２０を構成する
隔壁部２０ｂの平均気孔径が１０μｍと大きく、吸着部
材１０に対する平均気孔径の比が０．２と大きいため、
吸着時に隔壁部２０ｂからの空気漏れが大きく、吸着力
が悪かった。これに対し、Ｎｏ．１は隔壁部２０ｂの平
均気孔径が１０μｍと大きいが、平均気孔径の比が０．
１２５と小さいため、実用可能な吸着力を示した。ま
た、Ｎｏ．７は平均気孔径の比が０．２４と大きいが、
隔壁部２０ｂの平均気孔径が６μｍと小さいため、実用
可能な吸着力を示した。その他の例は、すべて隔壁部２
０ｂの平均気孔径が１０μｍ以下で、かつ平均気孔径の
比が０．２以下であるため、優れた吸着力を示した。
隔壁部２０ｂの平均気孔径が１０μｍと大きく、吸着部
材１０に対する平均気孔径の比が０．２と大きいため、
吸着時に隔壁部２０ｂからの空気漏れが大きく、吸着力
が悪かった。これに対し、Ｎｏ．１は隔壁部２０ｂの平
均気孔径が１０μｍと大きいが、平均気孔径の比が０．
１２５と小さいため、実用可能な吸着力を示した。ま
た、Ｎｏ．７は平均気孔径の比が０．２４と大きいが、
隔壁部２０ｂの平均気孔径が６μｍと小さいため、実用
可能な吸着力を示した。その他の例は、すべて隔壁部２
０ｂの平均気孔径が１０μｍ以下で、かつ平均気孔径の
比が０．２以下であるため、優れた吸着力を示した。
【００２９】したがって、実用可能な吸着力を得るため
には、支持部材２０を構成する隔壁部２０ｂの平均気孔
径を１０μｍ以下とするか、または吸着部材１０に対す
る平均気孔径の比を０．２より小さくすればよい。さら
に、好ましくは隔壁部２０ｂの平均気孔径を６μｍ以下
とするか、または吸着部材１０に対する平均気孔径の比
を０．１以下とすればよい。
には、支持部材２０を構成する隔壁部２０ｂの平均気孔
径を１０μｍ以下とするか、または吸着部材１０に対す
る平均気孔径の比を０．２より小さくすればよい。さら
に、好ましくは隔壁部２０ｂの平均気孔径を６μｍ以下
とするか、または吸着部材１０に対する平均気孔径の比
を０．１以下とすればよい。
【００３０】なお、上記実験例では、隔壁部２０ｂと吸
着部材１０の気孔率は共に３０〜５０％で、ほぼ同じと
し、平均気孔径のみを変化させたものであるが、隔壁部
２０ｂの気孔率を小さくして空気漏れを減らし、吸着力
を高めることも可能である。しかし、気孔率を調整する
ことは困難であり、また隔壁部２０ｂの気孔率を小さく
すると当然研磨されにくくなるため、真空吸着装置の上
面を研磨した時の平坦度が悪くなってしまう。したがっ
て、吸着部材１０と隔壁部２０ｂの気孔率については、
いずれも３０〜５０％の範囲内としたものが優れてい
た。
着部材１０の気孔率は共に３０〜５０％で、ほぼ同じと
し、平均気孔径のみを変化させたものであるが、隔壁部
２０ｂの気孔率を小さくして空気漏れを減らし、吸着力
を高めることも可能である。しかし、気孔率を調整する
ことは困難であり、また隔壁部２０ｂの気孔率を小さく
すると当然研磨されにくくなるため、真空吸着装置の上
面を研磨した時の平坦度が悪くなってしまう。したがっ
て、吸着部材１０と隔壁部２０ｂの気孔率については、
いずれも３０〜５０％の範囲内としたものが優れてい
た。
【００３１】
【図１】本発明実施例に係る真空吸着装置を示す縦断面
図である。
図である。
【図２】図１中のＡ部分を示す拡大断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す縦断面図である。
【図４】従来の真空吸着装置を示す縦断面図である。
【図５】図４中のＢ部分を示す拡大断面図である。
１０、１２・・・吸着部材 １１、１３・・・吸着面 ２０・・・・・・支持部材 ２０ａ・・・・・支持部 ２０ｂ・・・・・隔壁部 ２２・・・・・・上面 ２１、２３・・・吸引孔 ３０・・・・・・接着剤
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−256325（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−281835（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−151728（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭56−94238（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭58−56441（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23Q 3/08 B65G 49/07 H01L 21/68
Claims (1)
- 【請求項１】気孔率が３０〜５０％の多孔質セラミック
スからなる吸着部材を支持部材に接合し、上記吸着部材
の吸着面と上記支持部材の上面とがほぼ同一平面となる
ように平坦に形成した真空吸着装置において、上記支持
部材の少なくとも上面が、気孔率３０〜５０％である上
記吸着部材と同じ材質の多孔質セラミックスで形成され
ており、かつ該支持部材の上面を形成する多孔質セラミ
ックスの平均気孔径が１０μｍ以下及び／又は上記吸着
部材を形成する多孔質セラミックスの平均気孔径に対す
る上記支持部材上面を形成する多孔質セラミックスの平
均気孔径の比が０．２以下であることを特徴とする真空
吸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31507891A JP3121886B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 真空吸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31507891A JP3121886B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 真空吸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH068086A JPH068086A (ja) | 1994-01-18 |
| JP3121886B2 true JP3121886B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=18061153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31507891A Expired - Fee Related JP3121886B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 真空吸着装置 |
Country Status (1)
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