JP2022010193A - リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 - Google Patents
リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022010193A JP2022010193A JP2021183059A JP2021183059A JP2022010193A JP 2022010193 A JP2022010193 A JP 2022010193A JP 2021183059 A JP2021183059 A JP 2021183059A JP 2021183059 A JP2021183059 A JP 2021183059A JP 2022010193 A JP2022010193 A JP 2022010193A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- support surface
- protrusion
- substrate support
- clamping device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 264
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 34
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 24
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
- G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置用基板テーブルは、第一基板支持面を画定する、複数の第一突出部と、第二基板支持面を画定する、複数の第二突出部とを含む。基板テーブルは、基板にクランプ力を及ぼすように構成されたクランプデバイスを更に含む。第二基板支持面は、第一基板支持面に平行である。第二基板支持面は、第一基板支持面と第二基板支持面とに直交する方向に、第一基板支持面に対してずらされている。リソグラフィ装置用基板テーブルは、クランプデバイスによりクランプ力を加える前に第二基板支持面における第二突出部上に基板を支持するように構成される。第二突出部は、クランプデバイスにより基板にクランプ力を加えると変形するように構成され、それにより、クランプデバイスにより基板がクランプされたときに基板を第二基板支持面から第一基板支持面に移動させる。
【選択図】図2A
Description
本出願は、2015年10月29日に出願された欧州特許出願公開第15192099.8号の優先権を主張するものであり、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
第一基板支持面を画定する、複数の第一突出部と、
第二基板支持面を画定する、複数の第二突出部と、
基板にクランプ力を及ぼすように構成されたクランプデバイスとを含み、
第二基板支持面が第一基板支持面に平行であり、第二基板支持面が、第一基板支持面と第二基板支持面とに直交する方向に第一基板支持面に対してずらされており、
リソグラフィ装置用基板テーブルが、クランプデバイスによりクランプ力を加える前に第二基板支持面における第二突出部上に基板を支持するように構成され、
第二突出部が、クランプデバイスにより基板にクランプ力を加えると変形するように構成され、それにより、クランプデバイスにより基板がクランプされたときに基板を第二基板支持面から第一基板支持面に移動させる、リソグラフィ装置用基板テーブルが提供される。
- 第一基板支持面を画定する、複数の第一突出部と、第二基板支持面を画定する、複数の第二突出部と、基板にクランプ力を及ぼすように構成されたクランプデバイスとを含み、第二基板支持面が第一基板支持面に平行であり、第二基板支持面が、第一基板支持面と第二基板支持面とに直交する方向に第一基板支持面に対してずらされている、基板テーブルを準備することと、
- クランプデバイスによりクランプ力を加える前に、第二基板支持面における第二突出部上に基板を支持することと、
- クランプデバイスにより基板にクランプ力を加えて第二突出部を弾性変形させ、それにより、クランプデバイスにより基板がクランプされたときに基板を第二基板支持面から第一基板支持面に移動させること
とを含む、基板の装填方法が提供される。
1.ステップモードでは、マスクテーブルMTまたは「マスクサポート」および基板テーブルWTまたは「基板サポート」は基本的に静止状態に維持され、その一方で、放射ビームに付与されたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち、単一静的露光)。次いで、基板テーブルWTまたは「基板サポート」は、異なるターゲット部分Cを露光させることができるようにX方向および/またはY方向にずらされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、単一静的露光で結像されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードでは、マスクテーブルMTまたは「マスクサポート」および基板テーブルWTまたは「基板サポート」は同期してスキャンされ、その一方で、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち、単一動的露光)。マスクテーブルMTまたは「マスクサポート」に対する基板テーブルWTまたは「基板サポート」の速度および方向は、投影システムPSの拡大(縮小)特性および像反転特性により決定されてもよい。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズにより単一動的露光でのターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、それに対して、スキャン動作の長さによりターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決定される。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTまたは「マスクサポート」は、プログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、かつ放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Cに投影される間に基板テーブルWTまたは「基板サポート」が移動またはスキャンされる。このモードでは、通例はパルス放射源が用いられ、かつプログラマブルパターニングデバイスが基板テーブルWTまたは「基板サポート」の毎回の移動後にまたはスキャン中の連続する放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上で言及したタイプのプログラマブルミラーアレイなどの、プログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (11)
- 基板を保持するように構築されたリソグラフィ装置用基板テーブルであって、
第一基板支持面を画定する、複数の第一突出部と、
第二基板支持面を画定する、複数の第二突出部と、
前記基板にクランプ力を及ぼすように構成されたクランプデバイスとを含み、
前記第二基板支持面が前記第一基板支持面に平行であり、前記第二基板支持面が、前記第一基板支持面と前記第二基板支持面とに直交する方向に前記第一基板支持面に対してずらされており、
前記リソグラフィ装置用基板テーブルが、前記クランプデバイスにより前記クランプ力を加える前に前記第二基板支持面における前記第二突出部上に前記基板を支持するように構成され、
第二突出部が、前記クランプデバイスにより前記基板に前記クランプ力を加えると変形するように構成され、それにより、前記クランプデバイスにより前記基板がクランプされたときに前記基板を前記第二基板支持面から前記第一基板支持面に移動させる、
リソグラフィ装置用基板テーブル。 - 前記基板テーブルが、前記基板を支持するように構成された複数のバールを含み、各バールには少なくとも1つの第一突出部および少なくとも1つの第二突出部が設けられる、請求項1に記載のリソグラフィ装置用基板テーブル。
- 前記第二突出部が、球面状基板搬送表面を含む、請求項2に記載のリソグラフィ装置用基板テーブル。
- 前記第二突出部が、平面状基板搬送表面を含む、請求項2に記載のリソグラフィ装置用基板テーブル。
- 前記第二突出部が、前記第一基板装填表面および前記第二基板装填表面の方向に見られる断面を含み、前記断面が前記第二基板支持面に向かって増加する、請求項2に記載のリソグラフィ装置用基板テーブル。
- 前記第二基板装填表面に向かい合う前記バールの表面が凹状面を有し、前記凹状面の周縁部における前記バールの周方向外側部が前記第二突出部を形成し、前記バールの中央部が前記第一突出部を形成する、請求項2に記載のリソグラフィ装置用基板テーブル。
- 前記基板テーブルが、前記基板を支持するように構成された複数のバールを含み、前記第一突出部および前記第二突出部の各々がバールを形成する、請求項1に記載のリソグラフィ装置用基板テーブル。
- 前記第一突出部の量が、前記基板テーブルの前記第二突出部の量を超える、請求項7に記載のリソグラフィ装置用基板テーブル。
- 前記第一基板装填表面と前記第二基板装填表面とに平行な方向に見られる、前記第一突出部の前記断面直径が、前記第一突出部の断面直径を超える、請求項7に記載のリソグラフィ装置用基板テーブル。
- 請求項1~9のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置用基板テーブルを含むリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置の基板テーブル上への基板の装填方法であって、
第一基板支持面を画定する、複数の第一突出部と、第二基板支持面を画定する、複数の第二突出部と、前記基板にクランプ力を及ぼすように構成されたクランプデバイスとを含み、前記第二基板支持面が前記第一基板支持面に平行であり、前記第二基板支持面が、前記第一基板支持面と前記第二基板支持面とに直交する方向に前記第一基板支持面に対してずらされている、基板テーブルを準備することと、
前記クランプデバイスにより前記クランプ力を加える前に、前記第二基板支持面における前記第二突出部上に前記基板を支持することと、
前記クランプデバイスにより前記基板に前記クランプ力を加えて前記第二突出部を変形させ、それにより、前記クランプデバイスにより前記基板がクランプされたときに前記基板を前記第二基板支持面から前記第一基板支持面に移動させることと
を含む、基板の装填方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP15192099.8 | 2015-10-29 | ||
EP15192099 | 2015-10-29 | ||
JP2018518722A JP2018533763A (ja) | 2015-10-29 | 2016-09-28 | リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 |
JP2020069583A JP6977099B2 (ja) | 2015-10-29 | 2020-04-08 | リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020069583A Division JP6977099B2 (ja) | 2015-10-29 | 2020-04-08 | リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022010193A true JP2022010193A (ja) | 2022-01-14 |
JP7378453B2 JP7378453B2 (ja) | 2023-11-13 |
Family
ID=54364133
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018518722A Pending JP2018533763A (ja) | 2015-10-29 | 2016-09-28 | リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 |
JP2020069583A Active JP6977099B2 (ja) | 2015-10-29 | 2020-04-08 | リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 |
JP2021183059A Active JP7378453B2 (ja) | 2015-10-29 | 2021-11-10 | リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018518722A Pending JP2018533763A (ja) | 2015-10-29 | 2016-09-28 | リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 |
JP2020069583A Active JP6977099B2 (ja) | 2015-10-29 | 2020-04-08 | リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10236203B2 (ja) |
JP (3) | JP2018533763A (ja) |
NL (1) | NL2017542A (ja) |
WO (1) | WO2017071900A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11270906B2 (en) * | 2017-10-27 | 2022-03-08 | Asml Holding N.V. | Burls with altered surface topography for holding an object in lithography applications |
EP3707559B1 (en) | 2017-11-08 | 2023-04-19 | ASML Netherlands B.V. | A substrate holder and a method of manufacturing a device |
CN115605810A (zh) * | 2020-04-03 | 2023-01-13 | Asml控股股份有限公司(Nl) | 用于在表面上形成结构的系统和方法 |
KR102607809B1 (ko) * | 2021-06-25 | 2023-11-29 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛, 이를 포함하는 베이크 장치 및 기판 처리 장치 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6426648U (ja) * | 1987-07-08 | 1989-02-15 | ||
JPH0312948A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-21 | Nikon Corp | 基板ホルダ |
JPH0414239A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Canon Inc | 真空吸着式ウエハ保持装置 |
JPH10242255A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Kyocera Corp | 真空吸着装置 |
JP2004228453A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005228978A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Canon Inc | 露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2006339347A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Canon Inc | レチクルチャック |
JP2007150288A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-06-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2007207842A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック装置 |
JP2010515258A (ja) * | 2006-12-27 | 2010-05-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、基板テーブル、および基板リリース特性を向上させるための方法 |
KR20110087450A (ko) * | 2010-01-26 | 2011-08-03 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼의 열처리시 전위 결함을 저감할 수 있는 웨이퍼 지지 핀 및 그 제조 방법 |
JP2012079829A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Covalent Materials Corp | 冷凍ピンチャック |
WO2014103714A1 (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-03 | 京セラ株式会社 | 吸着部材およびそれを用いた吸着装置 |
JP2015165528A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-17 | 株式会社日本セラテック | 真空吸着部材 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59195826A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Toshiba Corp | レジスト塗布装置 |
DE69133413D1 (de) | 1990-05-07 | 2004-10-21 | Canon Kk | Substratträger des Vakuumtyps |
JP2002134599A (ja) | 2000-10-24 | 2002-05-10 | Ngk Insulators Ltd | 静電吸着装置 |
EP1482370B1 (en) * | 2003-05-06 | 2012-02-01 | ASML Netherlands B.V. | Substrate holder for lithographic apparatus |
JP2005032977A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-03 | Nikon Corp | 真空チャック |
US7133120B2 (en) * | 2004-05-04 | 2006-11-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, article support member, and method |
US7050147B2 (en) * | 2004-07-08 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Method of adjusting a height of protrusions on a support surface of a support table, a lithographic projection apparatus, and a support table for supporting an article in a lithographic apparatus |
US7646581B2 (en) * | 2006-01-31 | 2010-01-12 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
JP2007273693A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nikon Corp | 基板保持部材及び基板保持方法、基板保持装置、並びに露光装置及び露光方法 |
US8218284B2 (en) | 2008-07-24 | 2012-07-10 | Hermes-Microvision, Inc. | Apparatus for increasing electric conductivity to a semiconductor wafer substrate when exposure to electron beam |
NL2003470A (en) | 2008-10-07 | 2010-04-08 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN102859443B (zh) * | 2010-04-23 | 2015-08-12 | Asml荷兰有限公司 | 用于装载衬底的方法和设备 |
US9366973B2 (en) | 2011-02-18 | 2016-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2009189A (en) * | 2011-08-17 | 2013-02-19 | Asml Netherlands Bv | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
KR101979893B1 (ko) * | 2012-05-29 | 2019-05-17 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 대상물 홀더 및 리소그래피 장치 |
JP6244454B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2017-12-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置のための支持テーブル、リソグラフィ装置、及び、デバイス製造方法 |
CN105934715B (zh) * | 2014-01-20 | 2019-01-01 | Asml荷兰有限公司 | 衬底保持件、用于光刻设备的支撑台、光刻设备和器件制造方法 |
JP6369054B2 (ja) | 2014-03-03 | 2018-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置装置及び基板処理装置 |
NL2014516A (en) * | 2014-04-30 | 2016-03-08 | Asml Netherlands Bv | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US10453734B2 (en) * | 2015-07-02 | 2019-10-22 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices |
-
2016
- 2016-09-28 WO PCT/EP2016/073033 patent/WO2017071900A1/en active Application Filing
- 2016-09-28 NL NL2017542A patent/NL2017542A/en unknown
- 2016-09-28 US US15/767,514 patent/US10236203B2/en active Active
- 2016-09-28 JP JP2018518722A patent/JP2018533763A/ja active Pending
-
2020
- 2020-04-08 JP JP2020069583A patent/JP6977099B2/ja active Active
-
2021
- 2021-11-10 JP JP2021183059A patent/JP7378453B2/ja active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6426648U (ja) * | 1987-07-08 | 1989-02-15 | ||
JPH0312948A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-21 | Nikon Corp | 基板ホルダ |
JPH0414239A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Canon Inc | 真空吸着式ウエハ保持装置 |
JPH10242255A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Kyocera Corp | 真空吸着装置 |
JP2004228453A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2005228978A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Canon Inc | 露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2006339347A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Canon Inc | レチクルチャック |
JP2007150288A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-06-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2007207842A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック装置 |
JP2010515258A (ja) * | 2006-12-27 | 2010-05-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、基板テーブル、および基板リリース特性を向上させるための方法 |
KR20110087450A (ko) * | 2010-01-26 | 2011-08-03 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼의 열처리시 전위 결함을 저감할 수 있는 웨이퍼 지지 핀 및 그 제조 방법 |
JP2012079829A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Covalent Materials Corp | 冷凍ピンチャック |
WO2014103714A1 (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-03 | 京セラ株式会社 | 吸着部材およびそれを用いた吸着装置 |
JP2015165528A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-17 | 株式会社日本セラテック | 真空吸着部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180286738A1 (en) | 2018-10-04 |
NL2017542A (en) | 2017-05-19 |
JP2020118983A (ja) | 2020-08-06 |
JP2018533763A (ja) | 2018-11-15 |
JP7378453B2 (ja) | 2023-11-13 |
US10236203B2 (en) | 2019-03-19 |
WO2017071900A1 (en) | 2017-05-04 |
JP6977099B2 (ja) | 2021-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7068378B2 (ja) | 基板ホルダ、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP6977099B2 (ja) | リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 | |
JP5061170B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
KR100706072B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP5443574B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2007318131A (ja) | リソグラフィ装置および熱ひずみを小さくする方法 | |
JP4599334B2 (ja) | 物品支持部材を製造する方法 | |
JP5731465B2 (ja) | ステージシステムおよびリソグラフィ装置 | |
JP2018520378A (ja) | 基板サポート、基板の上面の非平坦性を補償する方法、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5559284B2 (ja) | レチクルアセンブリ、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセスにおけるその使用、およびリソグラフィプロセスの単一スキャン移動において2つ以上のイメージフィールドを投影する方法 | |
JP2006191084A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4717911B2 (ja) | リソグラフィ装置および露光方法 | |
JP2007251137A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP4719710B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2008227489A (ja) | リソグラフィ装置および方法 | |
JP5127684B2 (ja) | 露光スリットの形状が調整された、基板トポロジーによる焦点誤差の抑制を可能にするリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP5153017B2 (ja) | サポート構造およびリソグラフィ装置 | |
JP4756101B2 (ja) | 物品支持体、リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置 | |
JP2010103531A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
US20170131643A1 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method and method of clamping an object | |
JP2010147467A (ja) | リソグラフィ装置および制御方法 | |
JP6291576B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法及び物体をクランプする方法 | |
JP2007251133A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2008252092A (ja) | リソグラフィシステムおよびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211209 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230303 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230809 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231006 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7378453 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |