JP6291576B2 - リソグラフィ装置、デバイス製造方法及び物体をクランプする方法 - Google Patents

Description

関連出願への相互参照
[0001] 本願は、２０１４年７月２日出願の欧州特許出願第１４１７５４１１．９号の優先権を主張し、参照によってその全体が本願に組み込まれる。

[0002] 本発明は、リソグラフィ装置、デバイス製造方法及び物体をクランプする方法に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。

[0004] 基板が種々のリソグラフィステップ及び処理ステップを経た場合、基板の表面は汚染粒子によって汚染され得る。汚染粒子は、基板と基板テーブルとの間でクランプされ得る。汚染粒子の存在により、基板は局所的に変形される。これによってフォーカス及びオーバーレイエラーが引き起こされる。パターニングデバイスなどの他の物体に対しても同様の問題が生じる。

[0005] 基板及びパターニングデバイスなどの物体の粒子汚染によって引き起こされるオーバーレイ及びフォーカスエラーを減らすことが望ましい。

[0006] 本発明の一態様によると、第１物体ホルダ及び第２物体ホルダを備えるリソグラフィ装置が提供される。第１物体ホルダは、ホルダ対向面に物体を保持するように配置される。物体はホルダ対向面を有する。第２物体ホルダは、ホルダ対向面に物体を保持するように配置される。リソグラフィ装置は、物体が第１物体ホルダで保持されているときよりも物体が第２物体ホルダで保持されているときの方がホルダ対向面における汚染粒子をより多く変形させるように配置される。

[0007] 本発明の一態様によると、上記したリソグラフィ装置を用いることを含むデバイス製造方法が提供される。

[0008] 本発明の一態様によると、物体をクランプする方法が提供される。この方法は、第１物体ホルダでホルダ対向面に物体を保持することを含む。物体はホルダ対向面を有する。この方法は、第２物体ホルダでホルダ対向面に物体を保持することを含む。第２物体ホルダは第１物体ホルダとは異なる。この方法は、物体が第１物体ホルダで保持されているときよりも物体が第２物体ホルダで保持されているときの方がホルダ対向面における汚染粒子をより多く変形させることを含む。

[0009] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0010] 本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0011] 本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置の一部を示す。 [0012] 本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置の一部を示す。 [0013] 基板と基板テーブルとの間でクランプされている汚染粒子を示す。 [0013] 基板と基板テーブルとの間でクランプされている汚染粒子を示す。 [0014] リソグラフィ装置の基板テーブルを示す。 [0015] 本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置の一部を示す。 [0016] 本発明のある実施形態による準備台を示す。 [0017] 本発明のある実施形態による準備台を示す。

[0018] 図１は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置１００を概略的に示している。このリソグラフィ装置１００は、放射ビームＢ（例えば紫外線又は他のあらゆる適切な放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１位置決めデバイスＰＭに連結されたマスク支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、を備える。リソグラフィ装置１００は、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２位置決めデバイスＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴをさらに備える。リソグラフィ装置１００は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳをさらに備える。

[0019] 照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、整形し又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型又はその他のタイプの光コンポーネント、若しくは、それらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。

[0020] マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの重量を支えるなどしてパターニングデバイスＭＡを支持する。マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００の設計、及び、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。マスク支持構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。マスク支持構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。マスク支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。

[0021] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、放射ビームＢの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームＢに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームＢに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。

[0022] パターニングデバイスＭＡは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜させられたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

[0023] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムＰＳを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。

[0024] 照明システムＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤ（図４には明示的に示されていない）を含むことができる。一般に、照明システムＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、照明システムＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯ（図４には明示的に示されていない）といったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。照明システムＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、放射ビームＢの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。照明システムＩＬは、リソグラフィ装置１００の一部を形成しているとみなされてもみなされなくてもよい。例えば、照明システムＩＬは、リソグラフィ装置１００の一体部分とすることもでき、又は、リソグラフィ装置１００とは別個の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置１００は、照明システムＩＬがその上に設置されるように構成されてもよい。任意選択として、照明システムＩＬは、取り外し可能であって（例えば、リソグラフィ装置製造業者又は別の業者によって）別個に設けられてもよい。

[0025] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置１００は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置１００は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、又は、反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。

[0026] リソグラフィ装置１００は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルＷＴ（及び／又は２つ以上のマスクサポートテーブルＭＴ、例えばマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」リソグラフィ装置１００においては、追加の基板テーブルＷＴ及び／又はマスク支持構造ＭＴは並行して使うことができ、若しくは、準備工程を１つ以上の基板テーブルＷＴ及び／又はマスク支持構造ＭＴ上で実行しつつ、別の１つ以上の基板テーブルＷＴ及び／又はマスク支持構造ＭＴを露光用に使うこともできる。

[0027] パターニングデバイスＭＡはマスク支持構造ＭＴ上に保持されている。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡ上に入射する。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢの焦点をあわせる。第１ポジショナＰＭ及び第１位置センサＰＳ１（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。第１位置センサは図１には明示的に示されていない。第２ポジショナＰＷ及び第２位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使い、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。

[0028] 通常、マスク支持構造ＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスク支持構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく又は固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２を使って位置合わせされてもよい。基板Ｗは、基板アライメントマークＰ１及びＰ２を使って位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークＰ１及びＰ２が専用ターゲット部分Ｃを占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分Ｃとターゲット部分Ｃとの間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２はダイとダイの間に置かれてもよい。

[0029] 液浸技術を用いて投影システムＰＳの開口数ＮＡを増加させることができる。図１に示すように、ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置１００内の別の空間（例えば、パターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間）に液浸液を加えてもよい。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板Ｗのような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体があるということを意味するものである。

[0030] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源モジュールＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源モジュールＳＯがエキシマレーザである場合、放射源モジュールＳＯとリソグラフィ装置１００は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源モジュールＳＯは、リソグラフィ装置１００の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源モジュールＳＯから照明システムＩＬへ、ビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。ある実施形態では、ビームデリバリシステムＢＤは、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含む。その他の場合においては、例えば、放射源モジュールＳＯが水銀ランプである場合、放射源モジュールＳＯは、リソグラフィ装置１００の一体部分とすることもできる。放射源モジュールＳＯ及び照明システムＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。

[0031] 本明細書で使用される「放射ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長、又はおよそこれらの値の波長を有する）、及び極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。

[0032] 投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間に液体を供給するための構成は、３つの一般カテゴリに分類することができる。これらは、浴式構成、いわゆる局所液浸システム及びオールウェット（all wet）液浸システムである。浴式構成では、実質的には基板Ｗ全体及び任意選択として基板テーブルＷＴの一部が液体浴に沈められる。

[0033] 図１に示すように、液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗ若しくは基板テーブルＷＴ又はその両方との間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造ＩＨが設けられる。

[0034] 露光波長を短縮するため、従って、最小印刷可能サイズを縮小させるためには、極端紫外線（ＥＵＶ）放射原を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、１０〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。１０ｎｍ未満の波長、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなどのような５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射を使用できることがさらに提案されている。そのような放射を極端紫外線又は軟Ｘ線放射と呼ぶ。可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、又は電子蓄積リングによって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が挙げられる。

[0035] リソグラフィ装置１００を使用する際、基板Ｗは種々のリソグラフィステップ及び処理ステップを経る。例えば、基板Ｗは基板テーブルＷＴに移動される。基板Ｗが基板テーブルＷＴに移動される前、基板Ｗは他のリソグラフィステップ及び処理ステップを経ることもできる。例えば、基板ＷはプリアラインテーブルＰＴに移動されてもよい（例えば、図２に示している）。

[0036] 基板Ｗは、例えば湿式化学処理によって洗浄されてよい。基板Ｗは、基板Ｗの表面上に存在し得るあらゆる水分を飛ばすのに十分な温度に加熱されてよい。基板Ｗはレジスト（例えばフォトレジスト）層で覆われてよい。基板Ｗは、余分なフォトレジスト溶剤を飛ばすためにプリベークされてよい。その後、基板Ｗは放射ビームＢ内のパターンが基板Ｗ上に転写されるように露光される。基板Ｗは次いでレジストの現像、エッチング及び除去の工程を経てよい。これらのステップは基板Ｗ上の追加の層に対して繰り返されてもよい。これらのリソグラフィステップ及び処理ステップ中に基板Ｗは汚染され得る。特に、露光前のあらゆる汚染粒子が、その露光中にオーバーレイ及びフォーカスに悪影響を与え得る。

[0037] ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は第１物体ホルダ及び第２物体ホルダを備える。第１物体ホルダは、ホルダ対向面に物体を保持するように配置される。物体がホルダ対向面を有する。第２物体ホルダは、ホルダ対向面に物体を保持するように配置される。リソグラフィ装置は、物体が第１物体ホルダで保持されているときよりも物体が第２物体ホルダで保持されているときの方がホルダ対向面における汚染粒子をより多く変形させるように配置される。

[0038] ある実施形態では、第１物体ホルダは露光物体ホルダである。第２物体ホルダは準備物体ホルダである。物体は基板Ｗである。露光物体ホルダは基板テーブルＷＴを含んでよい。準備物体ホルダはプリアライメントテーブルＰＴを含んでよい。

[0039] ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は、基板ＷをプリアラインテーブルＰＴ上に位置決めするように構成されたプリアライメントポジショナ９１及びプリアライメント位置センサ９２を備える。ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は、基板Ｗを基板テーブルＷＴ上に位置決めするように構成された露光ポジショナ９６及び露光位置センサ９７を備える。ある実施形態では、プリアライメントポジショナ９１及びプリアライメント位置センサ９２は、露光ポジショナ９６及び露光位置センサ９７より大きい範囲及び低い精度を有する。基板Ｗは、基板Ｗを中間精度レベルで位置決めするようにプリアラインテーブルＰＴ上に位置決めされてよい。その後、基板Ｗは、露光処理のためにより高い精度レベルで基板テーブルＷＴ上に位置決めされてよい。プリアライメントポジショナ９１及びプリアライメント位置センサ９２は、基板Ｗが露光ポジショナ９６及び露光位置センサ９７の範囲内の精度で位置決めされるように基板ＷをプリアラインテーブルＰＴ上に位置決めする。

[0040] 基板Ｗが種々のリソグラフィステップ及び処理ステップを経た場合、基板裏面の粒子汚染は実質的には回避することができない。基板裏面の粒子汚染は、汚染粒子５０が基板Ｗのホルダ対向面５２に付着したときに生じる。基板Ｗのホルダ対向面５２を基板裏面と呼ぶこともある。

[0041] 汚染粒子５０には様々な種類のものがある。汚染粒子５０は、アルミニウムからなる汚染粒子５０であり得る。一部の汚染粒子５０はアルミニウムより固い場合もある。例えば、汚染粒子５０は硬化鋼から成る汚染粒子５０であり得る。一部の汚染粒子５０はアルミニウムより柔らかい場合がある。例えば、汚染粒子５０はポリメチルメタクリレートから成る汚染粒子５０であり得る。汚染粒子５０の典型的なサイズは、約０．５μｍ〜約５０μｍの範囲であり得る。汚染粒子５０は約０．５μｍより小さい直径を有し得る。汚染粒子５０は約５０μｍより大きい直径を有し得る。より大きい汚染粒子５０ほど、少ない頻度で基板Ｗのホルダ対向面５２に付着する。

[0042] 露光処理中、放射ビームＢ内のパターンは基板Ｗ上に照射される。露光処理中、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に正確に位置決めされることが望ましい。露光処理中、基板Ｗが基板テーブルＷ上に安定的に位置決めされることが望ましい。露光処理中、基板Ｗが基板テーブル上でできる限り平らに位置決めされることが望ましい。これは前露光ステップ中にも当てはまる。基板テーブルＷＴで前露光が行われてもよい。ある実施形態では、前露光ステップは基板Ｗの高さを制御すること（すなわち、高さ平準化）を含む。ある実施形態では、前露光ステップは基板Ｗのアライメントを測定すること（すなわち、アライメント測定）を含む。本発明のある実施形態では、前露光ステップのために基板Ｗの位置を改善することが予測される。ある実施形態では、基板Ｗは露光クランプ力によって基板テーブルＷＴ上で保持される。ある実施形態では、露光クランプ力は静電クランプ力である。

[0043] リソグラフィ装置１００は第１クランプデバイス及び第２クランプデバイスを有してよい。第１クランプデバイスは、第１クランプ力を加えて第１物体ホルダ上で物体を保持するように配置される。第２クランプデバイスは、第２クランプ力を加えて第２物体ホルダ上で物体を保持するように配置される。第２クランプ力は第１クランプ力より大きい。第１クランプデバイスは露光クランプ機構を備えてよい。第２クランプデバイスは準備クランプ機構を備えてよい。

[0044] 図２に示すように、ある実施形態では、露光クランプ機構９８及び９９は静電クランプ機構であって少なくとも１つの電極９８を基板テーブルＷＴ内に含む。電源９９は電力を電極９８に供給する。露光クランプ力が基板テーブルＷＴと基板Ｗとの間に発生する。静電クランプ機構では、クランプ力は静電クランプ力である。

[0045] ある実施形態では、露光クランプ力は圧力クランプ力である。圧力クランプ力は真空クランプ機構で生成されてよい。真空クランプ機構では、基板テーブルＷＴと基板Ｗとの間のチャンバは負圧に接続される。チャンバ内の圧力は、チャンバの外の周囲圧力、例えば基板Ｗ及び基板テーブルＷＴを囲う周囲圧力より低い。圧力クランプ力は基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間に提供される。

[0046] 同様に、基板Ｗは、静電クランプ力又は圧力クランプ力であり得る準備クランプ力によってプリアラインテーブルＷＴ上で保持されてもよい。図２は、基板ＷをプリアラインテーブルＰＴ上で保持する準備クランプ機構９３、９４を示している。ある実施形態では、準備クランプ機構は静電クランプ機構であって少なくとも１つの電極９３及び電源９４を含む。準備クランプ機構の電極９３及び電源９４の機能は、露光クランプ機構の電極９８及び電源９９の機能に対応する。

[0047] 汚染粒子５０が基板のホルダ対向面５２上に配置されている場合、汚染粒子５０は基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間でクランプされる。この状況を図４及び図５に示している。図４は、基板Ｗのホルダ対向面５２上に配置された汚染粒子５０を示している。図５は、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間でクランプされた汚染粒子５０を示している。図４は、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上にクランプされる前の状況を示している。図５は、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上にクランプされた後の状況を示している。

[0048] 汚染粒子５０の存在により、基板Ｗは局所的に変形する。この状況を図５に示している。基板Ｗの変形はフォーカスエラー及び／又はオーバーレイエラーを引き起こし得る。例えば、基板Ｗの変形は、基板Ｗ上にパターン形成されるイメージの一部を水平に変位させ得る。別の例として、変形は、放射ビームＢから基板Ｗ上に転写されたパターンの歪みを引き起こし得る。

[0049] エラーの大きさは汚染粒子５０の性質に関連する。例えば、汚染粒子５０のサイズが増大することによってエラーも増加する。別の例として、汚染粒子５０の硬度又は耐力が高まることによってエラーも増加する。

[0050] 基板Ｗは、リソグラフィ装置１００で使用される物体の一例である。上記で説明した状況と同様な状況がリソグラフィ装置１００で使用される他の物体に対しても生じ得る。例えば、同様な状況がパターニングデバイスＭＡの汚染によって生じ得る。汚染粒子５０がパターニングデバイスＭＡのホルダ対向面上に配置されている場合、汚染粒子５０はパターニングデバイスＭＡとマスク支持構造ＭＴとの間でクランプされる。汚染粒子５０の存在により、パターニングデバイスＭＡは局所的に変形する。パターニングデバイスＭＡの変形はフォーカス及びオーバーレイエラーをもたらす。例えば、基板Ｗ上にパターン形成されるイメージの一部は水平に変位され得る。あるいは、放射ビームＢから基板Ｗ上に転写されたパターンの歪みが生じ得る。

[0051] パターニングデバイスＭＡの変形は基板Ｗの変形より重大となり得る。なぜなら、パターニングデバイスＭＡの変形はパターニングデバイスＭＡによってパターン形成される多数の基板Ｗを影響し得るからである。その一方、基板Ｗの変形はその基板Ｗのみを影響し得る。

[0052] 本発明は、物体として基板Ｗ、露光物体ホルダとして基板テーブルＷＴ及び準備物体ホルダとしてプリアラインテーブルＰＴについて以下に説明する。これによって本発明の説明がより分かりやすくなるが、本発明は、リソグラフィ装置１００の他の種類の物体、露光物体ホルダ及び準備物体ホルダにも適用できる。例えば、物体が基板Ｗである代わりに、物体はパターニングデバイスＭＡであってもよい。露光物体ホルダが基板テーブルＷＴである代わりに、露光物体ホルダはマスク支持構造ＭＴであってもよい。準備物体ホルダがプリアラインテーブルＰＴである代わりに、準備物体ホルダは、例えば、基板ハンドラ、専用のプリクラッシャ又は基板テーブルＷＴであってもよい。

[0053] ある実施形態では、リソグラフィ装置１００はプリアラインテーブルＰＴなどの準備物体ホルダを備える。本発明は、パターニングデバイスＭＡがマスク支持構造ＭＴによって支持される前のパターニングデバイスＭＡを支持するために使用されるステージなどといった他の種類の準備物体ホルダにも適用できる。

[0054] 図３は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置１００の一部を概略的に示している。プリアラインテーブルＰＴは準備本体３１を備える。準備本体３１は準備ベース面３２を有する。プリアラインテーブルＰＴは、基板Ｗのホルダ対向面５２を準備支持平面３４における準備支持箇所で支持するように配置される。図３では、準備支持平面３４を破線で示している。

[0055] 準備ベース距離ＰＢは、準備ベース面３２と準備支持平面３４との間で定められる。図３に示すように、例えば、ある実施形態では、準備ベース面３２は、準備ベース距離ＰＢがゼロとならないように準備支持平面３４から離れている。

[0056] 図３に示すように、ある実施形態では、プリアラインテーブルＰＴは複数の準備バール３５を備える。複数の準備バール３５は準備ベース面３２から突出する。準備バール３５は準備端面３６を有する。図３に示すように、準備端面３６は、基板Ｗを支持するために準備支持箇所にある。

[0057] ある実施形態では、基板テーブルＷＴは複数の露光バール４５を備える。露光バール４５は露光ベース面４２から突出する。露光バール４５は露光端面４６を有する。露光端面４６は基板Ｗを支持するために露光支持箇所にある。

[0058] 露光バール４５の高さは特に限定されない。ある実施形態では、基板テーブルＷＴの露光バール４５の高さは１μｍ未満にならない。ある実施形態では、基板テーブルＷＴの露光バール４５の高さは５００μｍより大きくならない。ある実施形態では、基板テーブルＷＴの露光バール４５の高さは約１μｍ〜約２０μｍの範囲内である。ある実施形態では、基板テーブルＷＴの露光バール４５の高さは約５０μｍ〜約２００μｍの範囲内である。

[0059] 準備ベース距離ＰＢがゼロではないという条件により、準備ベース面３２と基板Ｗのホルダ対向面５２との間にギャップが設けられる。基板ＷをプリアラインテーブルＰＴに保持するために真空クランプが使用された場合、圧力クランプ力を生成するためにギャップに関連するチャンバが負圧に接続されてよい。基板Ｗが静電クランプによってプリアラインテーブルＰＴ上にクランプされた場合、静電クランプ力は準備ベース距離ＰＢに対しておよそ二次関数的に拡大縮小する。所望のクランプ力は、準備ベース距離ＰＢを選択するときに考慮され得る。

[0060] しかしながら、準備ベース距離ＰＢがゼロとならないことは必須ではない。例えば、図８に示すように、ある実施形態では、準備ベース距離はゼロである。

[0061] プリアラインテーブルＰＴが複数のバール３５を備えることは必須ではない。例えば、図８に示すように、ある実施形態では、プリアラインテーブルＰＴはバールを全く含まない。図８に示す構成では、準備ベース距離ＰＢはゼロである。準備ベース距離ＰＢがゼロであるという条件により、準備ベース距離ＰＢと露光ベース距離ＥＢとの間の差は最大になる。従って、基板Ｗのホルダ対向面５２における汚染粒子を事前粉砕する効果は最大になる。

[0062] 図３に示すように、ある実施形態では、準備ベース面３２は実質的に平らであるが、準備ベース面３２が完全に平らである必要はない。例えば、ある実施形態では、準備ベース面３２は波打っているか又は傾斜していてよい。

[0063] 図３に示すように、ある実施形態では、準備ベース面３２は実質的に平面であって準備支持平面３４と実質的に平行している。従って、準備ベース距離ＰＢは準備ベース面３２全体にわたって実質的に一定であるが、準備ベース面３２が実質的に平面である必要はない。例えば、ある実施形態では、準備ベース面３２は異なるレベルで複数の領域を含んでよい。準備ベース面３２の各領域は異なる準備ベース距離ＰＢに対応してよい。

[0064] 例えば、図７は、準備ベース面３２が準備メサ領域６１及び準備フロア領域６２を含む実施形態を示している。準備メサ領域６１と準備支持平面３４との間の距離は、準備フロア領域６２と準備支持平面３４との間の距離より小さい。従って、準備メサ領域６１における準備ベース距離ＰＢは、準備フロア領域６２における準備ベース距離ＰＢより小さい。

[0065] ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は基板テーブルＷＴを露光物体ホルダとして備える。ある実施形態では、基板テーブルＷＴは露光本体４１を備える。露光本体４１は露光ベース面４２を有する。準備ベース面３２に関して上記したように、露光ベース面４２に対して様々な構成が可能である。露光ベース面４２の構成が準備ベース面３２の構成と全く同じである必要はないが、ある実施形態では、露光ベース面４２の構成は準備ベース面３２の構成と実質的に同じである。

[0066] ある実施形態では、基板テーブルＷＴは、基板Ｗのホルダ対向面５２を露光支持平面４４における露光支持箇所で支持するように配置される。露光ベース距離ＥＢは、露光ベース面４２と露光支持平面４４との間に定められる。露光支持平面４４及び露光ベース距離ＥＢの特徴は、準備支持平面３４及び準備ベース距離ＰＢの特徴に対応するように異なってよい。

[0067] ある実施形態では、基板Ｗをクランプする方法が提供される。ある実施形態では、上記したように、この方法はプリアラインテーブルＰＴを提供することを含む。ある実施形態では、上記したように、この方法は基板テーブルＷＴを提供することを含む。

[0068] 図２に示すように、ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は準備クランプ機構９３、９４を備える。準備クランプ機構９３、９４は、プリアラインテーブルＰＴとプリアラインされたテーブルＷＴ上の基板Ｗとの間に準備クランプ力を加えるように配置される。準備クランプ力は、基板Ｗのホルダ対向面５２上のあらゆる汚染粒子５０を変形させるように加えられる。

[0069] 図２に示すように、ある実施形態では、準備クランプ機構９３、９４は少なくとも１つの電極９３及び電源９４を含む。従って、準備クランプ機構９３、９４は静電クランプ機構であってよいが、準備クランプ機構９３、９４が静電クランプ機構である必要はない。上記したように、例えば、ある実施形態では、準備クランプ機構は真空クランプ機構である。

[0070] 図２に示すように、ある実施形態では、リソグラフィ装置１００は露光クランプ機構９８、９９を備える。露光クランプ機構９８、９９は、基板テーブルＷＴと基板テーブルＷＴ上の基板Ｗとの間に露光クランプ力を加えるように配置される。露光クランプ力は、露光処理のために基板Ｗを保持するように加えられる。

[0071] 図２に示すように、ある実施形態では、露光クランプ機構９８、９９は少なくとも１つの電極９８及び電源９９を含む。従って、ある実施形態では、露光クランプ機構９８、９９は静電クランプ機構であってよいが、露光クランプ機構が静電クランプ機構である必要はない。例えば、ある実施形態では、露光クランプ機構は真空（すなわち、圧力）クランプ機構である。

[0072] ある実施形態では、基板Ｗをクランプする方法は、基板Ｗのホルダ対向面５２上のあらゆる汚染粒子５０を変形させるように準備クランプ力をプリアラインテーブルＰＴとプリアラインテーブルＰＴ上の基板Ｗとの間に加えることを含む。

[0073] 本発明のある実施形態では、基板Ｗのホルダ対向面５２における粒子汚染によって引き起こされるオーバーレイ及びフォーカスエラーの減少を達成することが予測される。これは、基板Ｗが基板テーブルＷＴにクランプされる前の汚染粒子５０のいわゆる事前粉砕によって達成される。汚染粒子５０を事前粉砕することにより、汚染粒子５０の高さをかなり減少させることができる。これにより、基板Ｗが基板テーブルＷＴにクランプされるとき、対応する基板Ｗの変形の減少という結果がもたらされ得る。基板Ｗの変形の減少は改善されたオーバーレイ及びフォーカス性能につながる。本発明のある実施形態は、本発明をマスク支持構造ＭＴにおけるパターニングデバイスＭＡのクランプに適用したときに同様な効果を得ることが予測される。

[0074] ある実施形態では、プリアラインテーブルＰＴ及び基板テーブルＷＴは同様の構造を有する。例えば、準備ベース面３２の面積は露光ベース面４２の面積と同様であり得るが、プリアラインテーブルＰＴの構造が基板テーブルＷＴの構造と同じである必要はない。例えば、ある実施形態では、プリアラインテーブルＰＴは基板テーブルＷＴより小さい。図９に示すように、ある実施形態では、プリアラインテーブルＰＴは、プリアラインテーブルＰＴが基板Ｗを保持しているときに基板Ｗの一部がプリアラインテーブルＰＴを越えて延在するように基板Ｗより小さい。

[0075] 第１物体ホルダは、物体をホルダ対向面の一部で支持するように配置されてよい。第２物体ホルダは、物体をホルダ対向面の実質的に同じ部分で支持するように配置あれてよい。

[0076] プリアラインテーブルＰＴは基板Ｗのホルダ対向面５２全体にわたって汚染粒子５０を事前粉砕しない場合もある。リソグラフィステップ及び処理ステップによっては、基板Ｗは、そのホルダ対向面５２で汚染粒子５０のフィンガープリント（すなわち、特有のパターン）を示してもよい。例えば、基板Ｗのフィンガープリントは、より大きい密度の汚染粒子５０を有するホルダ対向面５２のエリアを示してよい。従って、プリアラインテーブルＰＴ上への基板Ｗの位置決めは、より大きい密度の汚染粒子５０を有するエリア内の汚染粒子５０を事前粉砕するように狙いを定めてもよい。

[0077] 基板Ｗのホルダ対向面５２における汚染粒子５０のフィンガープリントは異なってもよい。例えば、フィンガープリントは、基板Ｗがどのリソグラフィステップ及び処理ステップを経たかなどといった基板Ｗの履歴によって異なってよい。通常、同じリソグラフィステップ及び処理ステップを経た基板Ｗは同様のフィンガープリントを有することが予測される。従って、プリアラインテーブルＰＴの構成は、基板Ｗのフィンガープリントによって、汚染粒子５０の高密度エリアを事前粉砕するように選択されてよい。

[0078] 図３に概略的に示すように、ある実施形態では、準備ベース距離ＰＢは露光ベース距離ＥＢより小さい。ある実施形態では、準備ベース距離ＰＢは、基板Ｗのホルダ対向面５２全体に対して露光ベース距離ＥＢより小さいが、準備ベース距離ＰＢが基板Ｗのホルダ対向面５２の全領域に対して露光ベース距離ＥＢより小さい必要はない。ある実施形態では、準備ベース距離ＰＢは、基板Ｗのホルダ対向面５２の一部のみに対して露光ベース距離ＥＢより小さい。ある実施形態では、準備ベース距離ＰＢは、準備ベース面３２の少なくとも一部及び露光ベース面４２の対応する部分に対して露光ベース距離ＥＢより小さい。基板Ｗ上の所定の場所における準備ベース距離ＰＢは、同じ場所の露光ベース距離ＥＢより小さい（すなわち、二地点間比較）。

[0079] 準備ベース距離ＰＢが露光ベース距離ＥＢより小さいという条件により、本発明のある実施形態では、基板Ｗのホルダ対向面５２における粒子汚染によって引き起こされるオーバーレイ及びフォーカスエラーのかなりの減少を達成することが予測される。これは、例えばより小さいバール高さを有するプリクラッシャ(pre-crusher)（例えばプリアラインテーブルＰＴ）に汚染粒子５０を可塑的に生成することによって達成される。図３は、プリアラインテーブルＰＴの準備バール３５の高さが基板テーブルＷＴの露光バール４５の高さより小さいことを概略的に示している。図３に示す構成では、準備ベース距離ＰＢは準備バール３５の高さに対応する。図３に示す構成では、露光ベース距離ＥＢは露光バール４５の高さに対応する。ある実施形態では、汚染粒子５０は、露光ベース距離ＥＢより小さいサイズに粉砕される。

[0080] ある実施形態では、基板Ｗをクランプする方法は、基板ＷをプリアラインテーブルＰＴから基板テーブルＷＴに移動させることを含む。例えば、基板Ｗは、基板ハンドラによってプリアラインテーブルＰＴから基板テーブルＷＴに移動されてよい。

[0081] ある実施形態では、基板Ｗをクランプする方法は、露光処理のために基板Ｗを保持するように基板テーブルＷＴと基板テーブルＷＴ上の基板Ｗとの間に露光クランプ力を加えることを含む。従って、基板Ｗが露光処理のために基板テーブルＷＴ上で保持されているとき、汚染粒子５０は既にある程度可塑的に生成されている。結果的に、汚染粒子５０は、その他の場合と比べて基板Ｗをあまり変形させない。

[0082] 特に、準備ベース距離ＰＢが露光ベース距離ＥＢより小さいという条件により、汚染粒子５０が基板Ｗの変形に与える影響はかなり減少されるが、準備ベース距離ＰＢが露光ベース距離ＥＢより小さい必要はない。ある実施形態では、準備ベース距離ＰＢは露光ベース距離ＥＢと等しい。ある実施形態では、プリアラインテーブルＰＴの構造は基板テーブルＷＴの構造と実質的に同じである。

[0083] 例えば、ある実施形態では、準備クランプ機構９３、９４は、露光クランプ機構９８、９９が加えるように構成された露光クランプ力より大きい準備クランプ力を加えるように構成される。ある実施形態では、基板Ｗをクランプする方法では、準備クランプ力は露光クランプ力より大きい。ある実施形態では、準備クランプ機構９３、９４は、異なる値の準備クランプ力を加えるように構成される。ある実施形態では、露光クランプ機構９８、９９は、異なる値の露光クランプ力を加えるように構成される。ある実施形態では、準備クランプ機構９３、９４は、露光クランプ機構９８、９９が加えるように構成された最大の露光クランプ力より大きい最大の準備クランプ力を加えるように構成される。ある実施形態では、基板Ｗをクランプする方法では、最大の準備クランプ力は最大の露光クランプ力より大きい。

[0084] 準備クランプ力が露光クランプ力より大きいという条件により、汚染粒子５０は、基板Ｗが基板テーブルＷＴでクランプされる前に事前粉砕させることができる。より大きい準備クランプ力は、より大きな程度で汚染粒子５０を可塑的に生成する。従って、より大きい準備クランプ力は、基板Ｗが基板テーブルＷＴでクランプされたときにより小さい汚染粒子５０へと繋がる。結果的に、より大きい準備クランプ力は、粒子汚染によって引き起こされるオーバーレイ及びフォーカス性能に対する悪影響を減少させる。

[0085] しかしながら、準備クランプ力が露光クランプ力より大きい必要はない。例えば、ある実施形態では、準備クランプ力は露光クランプ力と実質的に同じであるが、準備ベース距離ＰＢが露光ベース距離ＥＢより小さいという条件により、本発明のある実施形態では、オーバーレイ及びフォーカス性能の向上を達成することが予測される。

[0086] ある実施形態では、準備クランプ力は露光クランプ力より大きく、準備ベース距離ＰＢは露光ベース距離ＥＢより小さい。従って、汚染粒子５０は、より小さいバール高さ及びより高いクランプ圧力の組み合わせを有するプリクラッシャ（例えば、プリアラインテーブルＰＴ）によって可塑的に生成されることができる。これによって汚染粒子５０の高さ及び基板テーブルＷＴ上の基板Ｗの対応する変形をかなり減少させる。この減少は向上したオーバーレイ及びフォーカス性能へと繋がる。

[0087] ある実施形態では、準備クランプ力は露光クランプ力以下である。ある実施形態では、準備クランプ力は露光クランプ力より小さい。準備クランプ力が露光クランプ力より小さくても、準備ベース距離ＰＢが露光ベース距離ＥＢより小さいという条件により、汚染粒子５０をかなりの程度まで事前粉砕することができる。バール高さの差は、準備クランプ力を増大させるより大きな改善を達成することが予測される。ある実施形態では、準備クランプ力は複数回加えられる。多数のクランプ動作がプリアラインテーブルＰＴで行われる。多数のクランプ動作をプリアラインテーブルＰＴで行うことにより、準備クランプ力が露光クランプ力より大きくなくかつバール高さに差がなくても、汚染粒子５０をかなりの程度まで事前粉砕することができる。ある実施形態では、多数のクランプ動作がプリアラインテーブルＰＴで行われ、かつ準備クランプ力は露光クランプ力より大きい。ある実施形態では、多数のクランプ動作がプリアラインテーブルＰＴで行われ、かつバール高さに差がある。クランプ動作を多数回行うことにより事前粉砕の程度を高める。

[0088] 露光処理中に基板Ｗを保持するために十分なクランプ力を生成する静電クランプ機構を提供することが難しい場合がある。露光クランプ力より小さい準備クランプ力を加える準備クランプ機構を提供することがより簡単である。本発明のある実施形態では、基板ＷをプリアラインテーブルＰＴにクランプするために使用される準備クランプ機構９３、９４のコスト削減を達成することが予測される。本発明のある実施形態では、プリアラインテーブルＰＴを製造することが容易になることが予測される。

[0089] 本発明の特定の例を以下に説明する。当然のことながら、特定の例は単に例示的であって本発明を限定しない。特定の例においては、露光クランプ機構９８、９９は約４０，０００Ｐａの露光クランプ力を加える。基板テーブルＷＴは、高さ５μｍの露光バール４５を含む。従って、露光ベース距離ＥＢは５μｍである。従って、５μｍより大きい直径を有するあらゆる汚染粒子５０は、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上で保持されているときに基板Ｗの変形へと繋がり得る。この説明では、汚染粒子５０の直径への言及は、適切な場合には（すなわち、汚染粒子５０が球体ではなく、不規則な形状の物体である場合）、汚染粒子の球相当径に言及しているとみなされる。不規則な形状の物体の球相当径は、同等の容積の球体の直径である。１６μｍより大きい直径を有する汚染粒子５０は、とりわけ顕著なマイナスのオーバーレイ寄与を与えることが予測される。

[0090] 特定の例では、準備クランプ機構９３、９４は約１０，０００Ｐａの準備クランプ力を加える。従って、準備クランプは、露光クランプ力の約四分の一である。プリアラインテーブルＰＴは、準備バール３５の高さが４μｍ（５μｍの代わりに）であることを除いては、基板テーブルＷＴと同様の構造を有する。準備ベース距離ＰＢは４μｍである。

[0091] 特定の例によると、プリアラインテーブルＰＴ上で汚染粒子５０を事前粉砕することにより、直径４４μｍまでの全ての汚染粒子５０は５μｍより小さい高さとなる。統計的に、直径４４μｍを有する汚染粒子５０の発生は、直径１６μｍを有する汚染粒子より約５〜１０倍発生しにくい。しかしながら、より大きい汚染粒子５０は、オーバーレイ及びフォーカスエラーに対してより大きい望ましくない寄与を与える。

[0092] 特定の例においては、準備クランプ力は露光クランプ力より４倍小さいが、準備ベース距離ＰＢが露光ベース距離ＥＢより１μｍ小さいという条件により、直径４４μｍまでの実質的に全ての汚染粒子５０は、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上で保持されているときに基板Ｗの変形に影響を与えないサイズに可塑的に生成される。従って、１６μｍより大きい直径を有する汚染粒子５０によって引き起こされるフォーカス及びオーバーレイエラーに対するかなりの寄与が少なくとも減少され、場合により回避される。

[0093] より大きい汚染粒子は、オーバーレイ及びフォーカスエラーにより大きい悪影響を与える。汚染粒子５０のオーバーレイ及びフォーカスエラーへの影響は、汚染粒子５０のサイズの増大に対して非線形である。特定の例では、直径２６μｍを有する汚染粒子５０は、直径１６μｍを有する汚染粒子５０より約１０倍大きいエラー寄与を与える。

[0094] 本発明の第２特定例を以下に説明する。第２特定例では、露光クランプ機構９８、９９は約１００，０００Ｐａの露光クランプ力を加える。基板テーブルＷＴは、高さ２０μｍの露光バール４５を備える。従って、露光ベース距離ＥＢは２０μｍである。従って、２０μｍより大きい直径を有するあらゆる汚染粒子５０は、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上で保持されたときに基板Ｗの変形へと繋がり得る。第２特定例では、２７μｍより大きい直径を有する汚染粒子５０は、とりわけ顕著なマイナスのオーバーレイ寄与を与えることが予測される。

[0095] 第２特定例では、準備クランプ機構９３、９４は、約２５，０００Ｐａの準備クランプ力を加える。従って、準備クランプ力は露光クランプ力の約四分の一である。プリアラインテーブルＰＴは、準備バール３５の高さが１９μｍ（２０μｍの代わりに）であることを除いては、基板テーブルＷＴと同様の構造を有する。準備ベース距離ＰＢは１９μｍである。

[0096] 第２特定例によると、プリアラインテーブルＰＴ上で汚染粒子５０を事前粉砕することにより、直径８０μｍまでの全ての汚染粒子５０は２０μｍより小さい高さとなる。統計的に、直径８０μｍを有する汚染粒子５０の発生は、直径２７μｍを有する汚染粒子５０より５〜１０倍発生しにくい。しかしながら、より大きい汚染粒子５０は、オーバーレイ及びフォーカスエラーに対してより大きい望ましくない寄与を与える。

[0097] 本発明の第３特定例を以下に説明する。第３特定例では、露光クランプ機構９８、９９は約２５，０００Ｐａの露光クランプ力を加える。基板テーブルＷＴは、高さ１０μｍの露光バール４５を備える。従って、露光ベース距離ＥＢは１０μｍである。従って、１０μｍより大きい直径を有するあらゆる汚染粒子５０は、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上で保持されたときに基板Ｗの変形へと繋がり得る。第３特定例では、１８μｍより大きい直径を有する汚染粒子５０は、とりわけ顕著なマイナスのオーバーレイ寄与を与えることが予測される。

[0098] 第３特定例では、準備クランプ機構９３、９４は、約１００，０００Ｐａの準備クランプ力を加える。従って、準備クランプは露光クランプ力より約４倍大きい。プリアラインテーブルＰＴは、基板テーブルＷＴと同様の構造を有しかつ準備バール３５の高さも１０μｍである。準備ベース距離ＰＢは１０μｍである。

[0099] 第３特定例によると、プリアラインテーブルＰＴ上で汚染粒子５０を事前粉砕することにより、直径２２μｍまでの全ての汚染粒子５０は１０μｍより小さい高さとなる。統計的に、直径２２μｍを有する汚染粒子５０の発生は、直径１８μｍを有する汚染粒子５０より約２倍発生しにくい。

[00100] 特定の例では、汚染粒子５０はアルミニウムから成る。アルミニウムは約３１０ＭＰａの粒子耐力を有する。リソグラフィ装置１００において予測される他の汚染粒子５０は、アルミニウムの硬度より高い硬度を有する。他の汚染粒子５０はアルミニウムの硬度より低い硬度を有する。

[00101] 上記したように、バール高さの差は、面積を縮小することにおいて、準備クランプ圧力の増加より効果的である。なぜなら、ある粉砕時点では、クランプ力を増大しても部分的に粉砕した汚染粒子５０に圧力を加えることができないからである。

[00102] ある実施形態では、基板Ｗのホルダ対向面５２の少なくとも一部に対しては、準備ベース距離ＰＢは露光ベース距離ＥＢより少なくとも約１μｍ小さい。準備ベース距離ＰＢと露光ベース距離ＥＢとの間のより大きい差がオーバーレイ及びフォーカスエラーの改善により良い効果をもたらす。例えば、ある実施形態では、準備ベース距離ＰＢは露光ベース距離ＥＢより少なくとも約２μｍ小さい。

[00103] ある実施形態では、準備バール３５の準備端面３６は露光バール４５の露光端面４６より大きい面積を有する。図３に示すように、準備バール３５は３５ｄの横寸法を有し、露光バール４５は４５ｄの横寸法を有する。例えば、横寸法３５ｄは準備バール３５の直径であって横寸法４５ｄは露光バール４５の直径であってもよい。準備端面３６が露光端面４６より大きい面積を有するという条件により、本発明の効果は改善される。

[00104] 具体的には、汚染粒子５０がプリアラインテーブルＰＴにおける準備バール３５間の領域でクランプされ、その後基板テーブルＷＴにおける露光バール４５の上でクランプされる可能性がある。これが生じると、汚染粒子５０はオーバーレイ及びフォーカスエラーに大きな影響を与え得る。準備端面３６が露光端面４６より大きい面積を有するという条件により、この可能性は低減される。ある実施形態では、基板Ｗは、プリアラインテーブルＰＴ上の位置と一致する位置において基板テーブルＷＴ上でクランプされる。これによって上記した可能性が低減される。

[00105] 図６は、本発明に関連して使用され得る基板テーブルＷＴを平面図で概略的に示している。図６に示すように、ある実施形態では、露光バール４５は露光バールパターンに配置される。ある実施形態では、露光バールパターンは実質的に規則的である。例えば、ある実施形態では、露光バール４５間のピッチは実質的に一定である。同様に、ある実施形態では、準備バール３５は準備バールパターンに配置される。ある実施形態では、準備バールパターンは露光バールパターンと実質的に一致する。

[00106] 図６に示すように、ある実施形態では、基板テーブルＷＴは基板テーブルＷＴの周辺領域にシール５６を備える。シール５６は、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間のチャンバを真空クランプ目的のために封止することができる。図６に示すように、ある実施形態では、基板テーブルＷＴは真空孔５７を備える。真空孔５７は、チャンバと負圧との間の連絡手段を提供することができる。チャンバ内の圧力を低下させるように真空孔５７を介してチャンバからガスを抽出することができ、それによって圧力クランプ力を露光クランプ力として加える。

[00107] 準備バールパターンが露光バールパターンと実質的に一致するという条件により、汚染粒子５０は、基板テーブルＷＴでの位置に適した程度に事前粉砕される。例えば、露光端面４６と基板Ｗとの間でクランプされる汚染粒子５０は、準備端面３６と基板Ｗとの間で事前粉砕される。その一方、露光ベース面４２と基板Ｗとの間でクランプされる汚染粒子５０は、準備ベース面３２と基板Ｗとの間で事前粉砕される。従って、実質的に全ての汚染粒子によるオーバーレイ及びフォーカスエラーへの影響は低減される。

[00108] 図７は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置１００の一部を概略的に示している。図６及び図７に示すように、ある実施形態では、露光ベース面４２は露光メサ領域６６を備える。露光メサ領域６６は、露光メサパターンに配置された少なくとも１つの露光熱伝達メサ４７を有する。図６は露光メサパターンの一例を示す。露光熱伝達メサ４７は、基板テーブルＷＴと基板Ｗとの間の熱伝達を増加させるために設けられる。ある実施形態では、基板Ｗの温度は基板テーブルＷＴを介して制御することができる。例えば、熱調節システムが基板テーブルＷＴに設けられてもよい。基板Ｗの温度を制御することにより、温度変動によってもたらされる基板Ｗの変形を減少させることができる。

[00109] 図７に示すように、ある実施形態では、準備ベース面３２は準備メサ領域６１を備える。準備メサ領域６１は準備メサパターンに配置された少なくとも１つの準備熱伝達メサ３７を有する。プリアラインテーブルＰＴを熱調節する必要がない場合がある。ある実施形態では、準備メサパターンは、露光メサパターンと実質的に一致する。準備メサパターンが露光メサパターンと実質的に一致するという条件により、汚染粒子５０は、基板テーブルＷＴでの位置に適した程度に事前粉砕される。例えば、露光ベース面４２の露光メサ領域６６と基板Ｗとの間でクランプされる汚染粒子５０は、準備ベース面３２の準備メサ領域６１と基板Ｗとの間で事前粉砕される。

[00110] 図７に示すように、ある実施形態では、基板テーブルＷＴは短い露光バール４８及び長い露光バール４９を有してもよい。露光バール４５は短い準備バール４８及び長い準備バール４９を含む。準備端面４６は露光支持平面４４にある。ある実施形態では、真空クランプ機構の場合、短い露光バール４８は、基板Ｗをクランプするために使用される真空溝又は真空孔５７（図６に示す）の近くに位置決めされてよい。真空溝における真空により、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間で伝達された熱は減少される。熱伝達を高めるために、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間のギャップは部分的に満たされ、これにより短い露光バール４８となる。

[00111] 同様に、プリアラインテーブルＰＴは短い準備バール３８及び長い準備バール３９を有してもよい。準備バール３５は短い準備バール３８及び長い準備バール３９を含む。ある実施形態では、短い準備バール３８は、基板テーブルＷＴ上の短い露光バール４８間という結果となり得る汚染粒子５０が粉砕されるように配置される。基板テーブルＷＴの長い露光バール４９間という結果となる汚染粒子５０は粉砕されない場合がある。

[00112] 図７に示すように、ある実施形態では、短い準備バール３８は準備メサ領域６１から突出する。準備メサ領域６１では、準備ベース距離ＰＢは、準備メサ領域６１と準備支持平面３４との間の準備メサギャップＰＭとして定められる。長い準備バール３９は、準備ベース面３２の準備フロア領域６２から突出する。準備フロア領域６２は準備熱伝達メサ３７を全く有していない。準備フロア領域６２では、準備ベース距離ＰＢは、準備フロア領域６２と準備支持平面３４との間の準備フロアギャップＰＦとして定められる。

[00113] 同様に、短い露光バール４８は露光メサ領域６６から突出する。露光メサ領域６６では、露光ベース距離ＥＢは、露光メサ領域６６と露光支持平面４４との間の露光メサギャップＥＭとして定められる。長い露光バール４９は、露光ベース面４２の露光フロア領域６７から突出する。露光フロア領域６７は露光熱伝達メサ４７を全く有していない。露光フロア領域６７では、露光ベース距離ＥＢは、露光フロア領域６７と露光支持平面４４との間の露光フロアギャップＥＦとして定められる。

[00114] 基板Ｗのホルダ対向面５２の少なくとも一部に対しては、準備メサギャップＰＭは露光メサギャップＥＭよりメサギャップ差の分だけ小さい。メサギャップ差は、準備メサギャップＰＭと露光メサギャップＥＭとの間の差として定められる。基板のホルダ対向面５２の少なくとも一部に対しては、準備フロアギャップＰＦは露光フロアギャップＥＦよりフロアギャップ差の分だけ小さい。フロアギャップ差は、準備フロアギャップＰＦと露光フロアギャップＥＦとの間の差として定められる。

[00115] ある実施形態では、メサギャップ差はフロアギャップ差より大きい。これは、長いバールと比べてメサ上の小さいバールに対するバール高さにより大きな差があることを意味する。なぜなら、これは、バール高さが小さい箇所、すなわちメサ上ではフォーカス及びオーバーレイエラーに対する事前粉砕の影響が最も大きいからである。従って、メサギャップ差が大きいという条件により、プリクラッシャにおいてより小さいバール高さを提供する効果は最大になる。

[00116] ある実施形態では、基板Ｗをクランプする方法は、基板Ｗが露光ポジショナ９６及び露光位置センサ９７の範囲内の精度で位置決めされるようにプリアライメントポジショナ９１及びプリアライメント位置センサ９２が基板ＷをプリアラインテーブルＰＴ上に位置決めすることを含む。ある実施形態では、プリアラインテーブルＰＴは事前粉砕の機能を果たす。従って、事前粉砕機能を果たすために追加の物体ホルダを設ける必要はない。本発明のある実施形態では、リソグラフィ装置１００の製造コストを実質的に上げることなくフォーカス及びオーバーレイエラーの改善を達成することが予測される。さらに、プリアラインテーブルＰＴが事前粉砕機能を果たすという条件により、基板Ｗをリソグラフィ装置１００内の追加の物体ホルダに又はそこから移動させる必要はない。従って、本発明のある実施形態では、スループットタイムを実質的に増大させることなくオーバーレイ及びフォーカスエラーの改善を達成することが予測される。

[00117] しかしながら、プリアラインテーブルＰＴが事前粉砕機能を果たす必要はない。ある実施形態では、事前粉砕機能を果たすために別の準備物体ホルダを設けてもよい。別の準備物体ホルダは専用のプリクラッシャであってよい。基板Ｗは準備物体ホルダからプリアラインテーブルＰＴに移動されてよい。あるいは、基板Ｗは、露光プロセスの前の事前粉砕のためにプリアラインテーブルＰＴから準備物体ホルダに移動されてもよい。

[00118] ある実施形態では、リソグラフィ装置のために物体をクランプする方法が提供される。この方法は、準備ベース面を有する準備本体を備える準備物体ホルダを提供することを含む。準備物体ホルダは、物体のホルダ対向面を準備支持平面において支持するように配置される。準備ベース面は、物体が準備物体ホルダによって支持されているときに準備支持平面及びホルダ対向面に面するように配置される。準備ベース距離は、準備ベース面と準備支持平面との間で定められる。この方法は、露光ベース面を有する露光本体を備える露光物体ホルダを提供することを含む。ここでは、露光物体ホルダは、ホルダ対向面を露光支持平面において支持するように配置される。露光ベース面は、物体が露光物体ホルダによって支持されているときに露光支持平面及びホルダ対向面に面するように配置される。露光ベース距離は、露光ベース面と露光支持平面との間で定められる。方法は、ホルダ対向面上のあらゆる汚染粒子を変形させるように準備クランプ力を準備物体ホルダと準備物体ホルダ上の物体との間に加えることを含む。方法は、物体を準備物体ホルダから露光物体ホルダに移動させることを含む。方法は、物体を露光プロセスのために保持するように露光クランプ力を露光物体ホルダと露光物体ホルダ上の物体との間に加えることを含む。ホルダ対向面の少なくとも一部に対しては、準備ベース距離は露光ベース距離より小さい。

[00119] 準備クランプ力は露光クランプ力より大きくてもよい。準備クランプ力は露光クランプ力より小さくてもよい。

[00120] ある実施形態では、リソグラフィ装置のための物体をクランプする方法が提供される。この方法は、物体のホルダ対向面上のあらゆる汚染粒子を変形させるように準備クランプ力を準備物体ホルダと準備物体ホルダ上の物体との間に加えることを含む。方法は、物体を準備物体ホルダから露光物体ホルダに移動させることを含む。方法は、物体を露光プロセスのために保持するように露光クランプ力を露光物体ホルダと露光物体ホルダ上の物体との間に加えることを含む。準備クランプ力は露光クランプ力より大きい。

[00121] 準備物体ホルダは、準備ベース面を有する準備本体を備えてよい。準備物体ホルダは、物体のホルダ対向面を準備支持平面において支持するように配置されてよい。準備ベース面は、物体が準備物体ホルダによって支持されているときに準備支持平面及びホルダ対向面に面するように配置されてよい。準備ベース距離は、準備ベース面と準備支持平面との間で定められる。露光物体ホルダは、露光ベース面を有する露光本体を備えてよい。露光物体ホルダは、物体のホルダ対向面を露光支持平面において支持するように配置されてよい。露光ベース面は、物体が露光物体ホルダによって支持されているときに露光支持平面及びホルダ対向面に面するように配置されてよい。露光ベース距離は、露光ベース面と露光支持平面との間で定められてよい。ホルダ対向面の少なくとも一部に対しては、準備ベース距離は露光ベース距離より小さくてよい。

[00122] ホルダ対向面の少なくとも一部に対しては、準備ベース距離は露光ベース距離より少なくとも約２μｍ小さくてよい。

[00123] 準備物体ホルダは複数の準備バールを備えてよい。複数の準備バールは準備ベース面から突出してよく、かつ物体を支持するための準備支持箇所において準備支持平面に準備端面を有してよい。露光物体ホルダは、複数の露光バールを備えてよい。複数の露光バールは露光ベース面から突出してよく、かつ物体を支持するための露光支持箇所において露光支持平面に露光端面を有してよい。

[00124] 準備端面は露光端面より大きい面積を有してよい。

[00125] 準備バールは準備バールパターンに配置されてよい。露光バールは露光バールパターンに配置されてよい。準備バールパターンは露光バールパターンと実質的に一致してよい。

[00126] 準備ベース面は準備メサパターンに配置された少なくとも１つの準備熱伝達メサを有する準備メサ領域を備えてよい。露光ベース面は露光メサパターンに配置された少なくとも１つの露光熱伝達メサを有する露光メサ領域を備えてよい。準備メサパターンは露光メサパターンと実質的に一致してよい。

[00127] 準備バールは短い準備バール及び長い準備バールを含んでよい。短い準備バールは準備メサ領域から突出する。準備ベース距離は、準備メサ領域と準備支持平面との間の準備メサギャップとして定められる。長い準備バールは、少なくとも１つの準備熱伝達メサを有さない準備ベース面の準備フロア領域から突出する。準備ベース距離は、準備フロア領域と準備支持平面との間の準備フロアギャップとして定められる。露光バールは短い露光バール及び長い露光バールを含んでよい。短い露光バールは露光メサ領域から突出する。露光ベース距離は、露光メサ領域と露光支持平面との間の露光メサギャップとして定められる。長い露光バールは、少なくとも１つの露光熱伝達メサを有さない露光ベース面の露光フロア領域から突出する。露光ベース距離は、露光フロア領域と露光支持平面との間の露光フロアギャップとして定められる。物体のホルダ対向面の少なくとも一部に対しては、準備メサギャップは露光メサギャップよりメサギャップ差の分だけ小さくてよい。物体のホルダ対向面の少なくとも一部に対しては、準備フロアギャップは露光フロアギャップよりフロアギャップ差の分だけ小さくてよい。メサギャップ差は、フロアギャップ差より大きくてよい。

[00128] 準備物体ホルダは、準備支持平面における準備支持箇所でホルダ対向面を支持するように配置されてよい。準備支持箇所は準備ベース面と同一平面上にあってよい。

[00129] 移動させるステップは、露光ポジショナ及び露光位置センサが露光物体ホルダ上で物体を位置決めすることを含んでよい。方法は、準備クランプ力を加えるステップの前に、物体が露光ポジショナ及び露光位置センサの範囲内の精度で位置決めされるようにプリアライメントポジショナ及びプリアライメント位置センサが準備物体ホルダ上に物体を位置決めすることを含んでよい。プリアライメントポジショナ及びプリアライメント位置センサは、露光ポジショナ及び露光位置センサより広い範囲及び低い精度を有し得る。

[00130] 物体は基板及びパターニングデバイスのうちの１つであってよい。

[00131] 準備物体ホルダは、準備物体ホルダが物体を保持したときに物体の一部が準備物体ホルダを越えて延在するように物体より小さくてもよい。

[00132] ある実施形態では、準備物体ホルダ、露光物体ホルダ、準備クランプ機構及び露光クランプ機構を備えるリソグラフィ装置が提供される。準備物体ホルダは、準備ベース面を有する準備本体を備える。準備物体ホルダは、物体のホルダ対向面を準備支持平面において支持するように配置される。準備ベース面は、物体が準備物体ホルダによって支持されているときに準備支持平面及びホルダ対向面に面するように配置される。準備ベース距離は、準備ベース面と準備支持平面との間で定められる。露光物体ホルダは、露光ベース面を有する露光本体を備える。露光物体ホルダは、ホルダ対向面を露光支持平面において支持するように配置される。露光ベース面は、物体が露光物体ホルダによって支持されているときに露光支持平面及びホルダ対向面に面するように配置される。露光ベース距離は、露光ベース面と露光支持平面との間で定められる。準備クランプ機構は、物体のホルダ対向面上のあらゆる汚染粒子を変形させるように準備クランプ力を準備物体ホルダと準備物体ホルダ上の物体との間に加えるように配置される。露光クランプ機構は、物体を露光プロセスのために保持するように露光クランプ力を露光物体ホルダと露光物体ホルダ上の物体との間に加えるように配置される。準備ベース面の少なくとも一部及び露光ベース面の対応する部分に対しては、準備ベース距離は露光ベース距離より小さい。

[00133] ある実施形態では、露光物体ホルダ、準備物体ホルダ、準備クランプ機構及び露光クランプ機構を備えるリソグラフィ装置が提供される。準備クランプ機構は、物体のホルダ対向面上のあらゆる汚染粒子を変形させるように準備クランプ力を準備物体ホルダと準備物体ホルダ上の物体との間に加えるように配置される。露光クランプ機構は、物体を露光プロセスのために保持するように準備クランプ力を準備物体ホルダと準備物体ホルダ上の物体との間に加えるように配置される。準備クランプ機構は、露光クランプ機構が加えるように構成された露光クランプ力より大きい準備クランプ力を加えるように構成される。

[00134] 準備物体ホルダは、準備ベース面を有する準備本体を備えてよい。準備物体ホルダは、物体のホルダ対向面を準備支持平面において支持するように配置されてよい。準備ベース面は、物体が準備物体ホルダによって支持されているときに準備支持平面及びホルダ対向面に面するように配置されてよい。準備ベース距離は、準備ベース面と準備支持平面との間で定められる。露光物体ホルダは、露光ベース面を有する露光本体を備える。露光物体ホルダは、ホルダ対向面を露光支持平面において支持するように配置される。露光ベース面は、物体が露光物体ホルダによって支持されているときに露光支持平面及びホルダ対向面に面するように配置される。露光ベース距離は、露光ベース面と露光支持平面との間で定められる。準備ベース面の少なくとも一部及び露光ベース面の対応する部分に対しては、準備ベース距離は露光ベース距離より小さい。

[00135] 準備ベース面の少なくとも一部及び露光ベース面の対応する部分に対しては、準備ベース距離は露光ベース距離より少なくとも約２μｍ小さくてよい。

[00136] 準備物体ホルダは複数の準備バールを備えてよい。複数の準備バールは準備ベース面から突出し、かつ物体を支持するための準備支持箇所において準備支持平面に準備端面を有する。露光物体ホルダは、複数の露光バールを備えてよい。複数の露光バールは露光ベース面から突出し、かつ物体を支持するための露光支持箇所において露光支持平面に露光端面を有する。

[00137] 準備端面は露光端面より大きい面積を有する。

[00138] 準備バールは準備バールパターンに配置されてよい。露光バールは露光バールパターンに配置されてよい。準備バールパターンは露光バールパターンと実質的に一致してよい。

[00139] 準備ベース面は準備メサパターンに配置された少なくとも１つの準備熱伝達メサを有する準備メサ領域を備えてよい。露光ベース面は露光メサパターンに配置された少なくとも１つの露光熱伝達メサを有する露光メサ領域を備えてよい。準備メサパターンは露光メサパターンと実質的に一致してよい。

[00140] 準備バールは短い準備バール及び長い準備バールを含んでよい。短い準備バールは準備メサ領域から突出する。準備ベース距離は、準備メサ領域と準備支持平面との間の準備メサギャップとして定められる。長い準備バールは、少なくとも１つの準備熱伝達メサを有さない準備ベース面の準備フロア領域から突出する。準備ベース距離は、準備フロア領域と準備支持平面との間の準備フロアギャップとして定められる。露光バールは短い露光バール及び長い露光バールを含んでよい。短い露光バールは露光メサ領域から突出する。露光ベース距離は、露光メサ領域と露光支持平面との間の露光メサギャップとして定められる。長い露光バールは、少なくとも１つの露光熱伝達メサを有さない露光ベース面の露光フロア領域から突出する。露光ベース距離は、露光フロア領域と露光支持平面との間の露光フロアギャップとして定められる。準備メサ領域の少なくとも一部及び露光メサ領域の対応する部分に対しては、準備メサギャップは露光メサギャップよりメサギャップ差の分だけ小さい。準備フロア領域の少なくとも一部及び露光フロア領域の対応する部分に対しては、準備フロアギャップは露光フロアギャップよりフロアギャップ差の分だけ小さくてよい。

[00141] メサギャップ差は、フロアギャップ差より大きくてよい。

[00142] 準備物体ホルダは、準備支持平面における準備支持箇所でホルダ対向面を支持するように配置されてよい。準備支持箇所は準備ベース面と同一平面上にあってよい。

[00143] 準備物体ホルダは露光物体ホルダより小さくてもよい。

[00144] ある実施形態では、パターンをパターニングデバイスから基板に転写するためにリソグラフィ装置を用いることを含むデバイス製造方法が提供される。デバイス製造方法は上記の方法を含む。

[00145] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[00146] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。従って、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (15)

1. リソグラフィ装置であって、
   物体のホルダ対向面にて前記物体を保持する露光物体ホルダと、
   前記ホルダ対向面にて前記物体を保持する準備物体ホルダと、を備え、
   前記リソグラフィ装置は、前記物体が前記露光物体ホルダに保持されているときよりも前記物体が前記準備物体ホルダに保持されているときの方が前記ホルダ対向面における汚染粒子をより多く変形させる、リソグラフィ装置。
2. 前記物体上にパターンを放射ビームで投影する投影システムを備え、前記露光物体ホルダは、前記放射ビームを受けるために前記物体を保持する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 第１クランプデバイス及び第２クランプデバイスを備え、
   前記第１クランプデバイスは、前記露光物体ホルダ上に前記物体を保持するために第１クランプ力を加え、
   前記第２クランプデバイスは、前記準備物体ホルダ上に前記物体を保持するために第２クランプ力を加え、
   前記第２クランプ力は、前記第１クランプ力より大きい、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記露光物体ホルダは第１ベース面を含み、
   前記露光物体ホルダは前記ホルダ対向面を第１支持平面に支持し、
   前記第１ベース面は、前記物体が前記露光物体ホルダによって保持されているときに前記ホルダ対向面に面し、
   第１距離は前記第１ベース面と前記第１支持平面との間で定められ、
   前記準備物体ホルダは第２ベース面を含み、
   前記準備物体ホルダは前記ホルダ対向面を第２支持平面に支持し、
   前記第２ベース面は、前記物体が前記準備物体ホルダによって保持されているときに前記ホルダ対向面に面し、
   第２距離は前記第２ベース面と前記第２支持平面との間で定められ、
   前記第２距離は前記第１距離より小さい、請求項１〜３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記第２距離は前記第１距離より少なくとも２μｍ小さい、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記露光物体ホルダは前記ホルダ対向面の一部にて前記物体を支持し、
   前記準備物体ホルダは、前記露光物体ホルダが前記物体を支持する部分と、前記ホルダ対向面の実質的に同じ部分にて前記物体を支持する、請求項１〜５のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記露光物体ホルダは第１複数のバールを備え、
   前記第１複数のバールは前記第１ベース面から前記第１支持平面まで突出し、
   前記第１複数のバールは前記物体を支持し、
   前記準備物体ホルダは第２複数のバールを備え、
   前記第２複数のバールは前記第２ベース面から前記第２支持平面まで突出し、
   前記第２複数のバールは前記物体を支持する、請求項４〜６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記第１複数のバールは前記第１支持平面に第１端面を有し、
   前記第２複数のバールは前記第２支持平面に第２端面を有し、
   前記第２端面によって形成された面積が、前記第１端面によって形成された面積より大きい、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
9. 前記第１複数のバールは第１パターンに配置され、
   前記第２複数のバールは第２パターンに配置され、
   前記第１パターンは前記第２パターンと実質的に同じである、請求項７又は８に記載のリソグラフィ装置。
10. 前記準備物体ホルダは前記露光物体ホルダより小さい、請求項１〜９のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
11. センサ及びポジショナを備え、
    前記センサは、前記準備物体ホルダ上に保持されているときに前記物体の位置を表す測定信号を提供し、
    前記位置は前記準備物体ホルダに対して相対的であり、
    前記ポジショナは、前記測定信号の制御の下で前記準備物体ホルダを移動させる、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の前記リソグラフィ装置を用いることを含む、デバイス製造方法。
13. 物体をクランプする方法であって、前記方法は、
    露光物体ホルダで前記物体のホルダ対向面にて前記物体を保持することと、
    準備物体ホルダで前記ホルダ対向面にて前記物体を保持することであって、前記準備物体ホルダは前記露光物体ホルダとは異なる、保持することと、
    前記物体が前記露光物体ホルダで保持されているときよりも前記物体が前記準備物体ホルダで保持されているときの方が前記ホルダ対向面における汚染粒子をより多く変形させることと、を含む方法。
14. 前記物体が前記露光物体ホルダによって保持されているときに放射ビームを前記物体上に投影することを含む、請求項１３に記載の方法。
15. 前記物体を前記露光物体ホルダ上で保持するために第１クランプ力を加えることと、
    前記物体を前記準備物体ホルダ上で保持するために第２クランプ力を加えることと、をさらに含み、
    前記第２クランプ力は前記第１クランプ力より大きい、請求項１３又は１４に記載の方法。
    

Images