JP4392413B2 - リソグラフィ装置およびその使用方法 - Google Patents

Description

本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関するものである。

リソグラフィ装置は、通常、基板のターゲット箇所に、所望パターンを投付する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用できる。この場合、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンを作るために代替的に適宜マスクまたはレチクルと称されるパターン付与装置が使用される。このパターンは、基板（例えば、シリコン・ウェーハ）上のターゲット箇所（例えば、一つまたは複数のダイ部分を含む）に転写される。パターン転写は、典型的には、基板に設けた放射線感応材料（レジスト）の層上への画像形成によって行われる。一般に、一つの基板は、順次パターン付与されるネットワーク状に互いに隣接する複数のターゲット箇所を含む。既知のリソグラフィ装置は、一度に一つのターゲット箇所に全パターンを露光することで個々のターゲット箇所の照射が行われる所謂ステッパと、放射ビームによって所定方向（走査方向）にパターンを走査すると同時に、その方向と実質的に平行または反平行に同期して基板を走査して、個々のターゲット箇所の照射が行われる所謂スキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによりパターン付与装置から基板にパターンを転写することもできる。

光近接効果は光投影露光ツールの特徴である。詳しく云えば、極接近間隔の回路パターンがウェーハのレジスト層に転写される時に近接効果が生じる。極接近間隔の回路フィーチャーの光波は互いに作用し合い、最終的に転写されるパターン・フィーチャーを歪ませる。換言すれば、互いに隣接するフィーチャーは、回折によって、パターンに応じた変化を生じるように互いに作用し合う。所定フィーチャーにおける光近接効果（ＯＰＥ）の強さは、マスク上での、そのフィーチャーと他のフィーチャーとの位置関係に依存する。

このような近接効果によって生じる主要な問題の一つは、フィーチャーにおける臨界寸法（ＣＤ）の望ましからざる変化である。全ての先端半導体処理にとって、フィーチャー（すなわち、回路要素と相互連結部分）のＣＤに対する厳格な制御を達成することが第一の製造上の目標となる。何故なら、そのような厳格な制御が、ウェーハの品質歩留、および、最終製品の早期の廃却に直接影響を及ぼすからである。

ＣＤ変化を減少させる一つの技術は、露光ツールの照射特性の調整に関係する。具体的に云うと、画像形成対物レンズの開口数（ＮＡｏ）に対する照射コンデンサ（集光装置）の開口数（ＮＡｃ）の比（この比は部分干渉（コヒーレンス）比（σ）と称される）を注意深く選ぶことで、ＯＰＥ度を或る程度操作することができる。

前記のように、比較的インコヒーレントな照射を用いることに加えて、マスク・フィーチャーを「事前修正」することによってＯＰＥを補償することもできる。この類の技術は、一般に光近接補正（ＯＰＣ）技術として知られている。ＯＰＣ技術では、付加的な（一般に分解能の劣る）補助フィーチャーがパターンに含められる。補助フィーチャーそれ自体は画像形成されないが、回折パターンで変化を生じ、画像形成されるフィーチャーに対する変化となる。

例えば、散乱バー（scattering bars（SB）：強度均等化バーまたは補助バーとしても知られている）は、孤立フィーチャー・エッジ（isolated feature edges）のエッジ強度勾配を調整するためにマスク上の孤立フィーチャー・エッジの隣りに配置される補正用フィーチャー（通常、露光ツールによって分解できない）である。理論上、孤立エッジの調整されたエッジ強度勾配は稠密フィーチャーのエッジ強度勾配と調和し、これによりＳＢ補助された孤立フィーチャーが稠密に組合わされたフィーチャーとほぼ同じ幅を有する。

最新の高分解能の機械を低分解能の旧式機械と組合せて使用される場合、近接効果間の大きな不調和が生じ得る。すなわち、所定パターンに対して、高分解能機械は低分解能機械とは異なる近接効果を示すだろう。機械間の近接効果の違いを決めるか、または、表わす幾つかの基準がある。一例は、ｉｓｏ稠密バイアスとして知られているが、一般に顧客は、それらの違いを決めるために独自の基準を使用するようだ。それらの基準は、一般に露光層の条件に基づく。

本発明者は、不調和の存在を明らかにして、補正またはその他のプロセス制御を行なうために機械制御システムを修正することにより、その不調和を容認することが望ましいと結論づけた。

本明細書で使用する「放射光」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）線（例えば、３６５，２４８，１９３，１５７または１２６ｎｍの波長を有する）および極紫外（ＥＵＶ）線（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含む全ての種類の電磁放射線を包含する。

本明細書で使用する「パターン付与装置」という用語は、基板のターゲット箇所にパターンを形成する等のために、放射ビームの横断面にパターンを付与することに使用できる手段を指すものとして広く解釈すべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット箇所に望まれるパターンとは、正確には同じにならないかもしれないことに留意すべきである。一般には、放射ビームに与えられるパターンは、ターゲット箇所に形成される集積回路等のデバイスの特別な機能層と一致するだろう。

パターン付与装置は透過式または反射式であってよい。パターン付与装置の例には、マスク、プログラム可能なミラー・アレー、およびプログラム可能なＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィにおいて周知であり、バイナリー式、交番位相シフト式、減衰位相シフト式、および各種ハイブリッド・マスク等のマスク形式を含む。一例としてのプログラム可能なミラー・アレーは、小ミラーから成るマトリックス配列を採用しており、個々のミラーは入射する放射ビームを異なる方向へ反射するように個別に傾斜可能である。このようにして、反射されたビームにパターン付与される。パターン付与装置の各例において、支持構造体はフレームまたはテーブルであってよく、例えば、それらは、要求に応じて固定または可動になされ、またパターン付与装置が、例えば投影系に対して所望位置にあることを保証することができる。本明細書で用いる「レチクル」または「マスク」という用語は、さらに一般的な用語である「パターン付与装置」と同義語であると考えてよい。

本明細書で使用する「投影系」という用語は、例えば使用される露光用放射光に適当であるように、または浸漬流体の使用や真空圧の使用のような他の要因に対して適当であるように、屈折式光学系、反射式光学系および屈折反射式光学系を含むさまざまな形式の投影系を包含するものと広く解釈しなければならない。本明細書における「レンズ」という用語の使用は、さらに一般的な「投影系」という用語と同義語であると考えてよい。

この照射系も、放射投影ビームの方向決め、成形または制御を行うための屈折式、反射式および屈折反射式の光学要素を含むさまざまな形式の光学要素を包含することができ、それらの光学要素も以下に集合的に、または単独で「レンズ」と称される。

このリソグラフィ装置は二つ（デュアル・ステージ）以上の基板テーブル（および／または二つ以上のマスク・テーブル）を有する形式とされることができる。そのような「多段」機械においては、付加されるテーブルは並行使用され、一つ以上のテーブルが露光に使用されている間に他の一つ以上のテーブルでは準備作業を行うことができる。

このリソグラフィ装置は、また、投影系の最終要素と基板との間隔空間を充満するようになされた比較的大きな屈折率を有する液体（例えば、水）の中に基板が浸漬される種類の装置であってよい。また、浸漬用液体は、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばマスクと投影系の最初の部材との間にも適用できる。浸漬技術は、この分野では投影系の開口数を増大させるための方法としてよく知られている。

ここで、添付の模式図を見ながら、単なる実施例としての本発明の具体例について説明する。図中、同一符号は同一部品を示す。

図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を模式的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射光またはＤＵＶ放射光）を調整するようになされた照射系（照射装置）ＩＬと、パターン付与装置（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、或るパラメータに従ってパターン付与装置を正確に位置決めするようになされている第一の位置決め装置ＰＭに連結された支持構造体（例えば、マスク・テーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジスト被覆ウェーハ）Ｗを保持するように構成され、或るパラメータに従って基板を正確に位置決めするようになされている第二の位置決め装置ＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハ・テーブル）と、パターン付与装置ＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット箇所Ｃ（例えば、一つ以上のダイを含む）に投影するようになされた投影系（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳとを含む。

照射系は、放射線を方向づけ、整形し、または、制御するために屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式またはその他の種類の光学部品等の各種光学部品、またはそれらのいずれかの組合せを含む。

支持構造体がパターン付与装置を支持する（すなわち、その重量を受ける）。この支持構造体は、パターン付与装置の配向、リソグラフィ装置の設計、およびその他の条件（例えば、パターン付与装置が真空環境内で保持されるか否かのような条件）に従ってパターン付与装置を保持する。この支持構造体は、機械式、真空圧式、静電式またはその他のクランプ技術を用いてパターン付与装置を保持できる。支持構造体はフレームまたはテーブルであってよく、例えば、要求に応じて固定され、または、移動可能になされる。支持構造体は、パターン付与装置が、例えば投影系に対して所望位置にあることを保証することができる。本明細書で使用する「レチクル」または「マスク」という用語は、さらに一般的な用語である「パターン付与装置」と同義語であると考えてよい。

本明細書で使用する「パターン付与装置」という用語は、基板のターゲット箇所にパターンを形成するなどのために、放射ビームの横断面にパターンを付与することに使用できる手段を示すものと広く解釈されねばならない。放射ビームに与えられたパターンは、例えばそのパターンが位相シフトフィーチャーまたは所謂補助フィーチャーを含むならば、基板のターゲット箇所に望まれるパターンと厳密に同じではないことに留意すべきである。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、ターゲット箇所に形成される集積回路のようなデバイスの特定の機能層と同じとされる。

パターン付与装置は透過式または反射式であってよい。パターン付与装置の例には、マスク、プログラム可能なミラー・アレー、およびプログラム可能なＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、二値化式、交番位相シフト式、減衰位相シフト式、および各種ハイブリッド・マスク等のマスク形式を含む。一例としてのプログラム可能なミラー・アレーは、小ミラーから成るマトリックス配列を用いており、個々のミラーは入射する放射ビームを異なる方向へ反射するように個別に傾斜可能である。傾斜ミラーは、そのミラー・マトリックスによって反射された放射ビームにパターンを付与する。

本明細書で使用する「投影系」という用語は、使用される露光用放射光に適当であるように、または浸漬流体の使用や真空圧の使用のような他の要因に対して適切であるように、屈折式、反射式、屈折反射式、磁気式、電磁式および静電式の光学系、またはそれらの組合せを含むいずれかの形式の投影系を包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用は、さらに一般的な用語である「投影系」と同義語であると考えてよい。

本明細書に記載するリソグラフィ装置は透過式（例えば、透過式マスクを使用する）である。代替的に、リソグラフィ装置は反射式（例えば、上述で説明した形式のプログラム可能なミラー・アレーを使用するか、反射マスクを使用する）であってもよい。

このリソグラフィ装置は二つ（デュアル・ステージ）以上の基板テーブル（および／または二つ以上のマスク・テーブル）を有する形式のものであってよい。そのような「多段」機械では、付加テーブルは並列使用され、一つ以上のテーブルが露光に使用されている間に、その他の一つ以上のテーブルでは準備作業を行うことができる。

また、リソグラフィ装置は、投影系と基板との間隔空間を充満するようになされた比較的大きな屈折率を有する液体（例えば、水）で基板の少なくとも一部が覆われる種類の装置であってもよい。浸漬用液体はまた、リソグラフィ装置内の他の空間（例えば、マスクと投影系との間）に用いてもよい。浸漬技術は、この分野では投影系の開口数を増大させるための方法としてよく知られている。本明細書で使用される「浸漬」という用語は、基板等の構造体を液体に浸漬しなければならないことを意味するのではなく、むしろ露光時に液体が投影系と基板との間に配置されることを意味するだけである。

図１において、照射装置ＩＬは放射光源ＳＯから放射ビームを受入れる。例えば放射光源が励起レーザーである場合には、放射光源およびリソグラフィ装置は完全に分離することができる。その場合、光源はリソグラフィ装置の一部を形成するものと考えるのではなく、放射ビームは光源ＳＯから、例えば適当な方向決めミラーおよび／またはビーム拡張機を含むビーム導入システムＢＤによって照射装置ＩＬへ送られる。他の例では、例えば光源が水銀ランプであるときは、光源は装置に一体化されることができる。光源ＳＯおよび照射装置ＩＬは、必要ならばビーム導入システムＢＤと一緒にして放射系とみなすことができる。

照射装置ＩＬは、放射ビームの角度の強度分布を調整するための調整装置ＡＤを含むことができる。一般に、照射装置の瞳面におけるその強度分布の少なくとも外側、および／または、内側半径方向範囲（一般に、それぞれ外側σおよび内側σと称する）は、調整可能である。さらに、照射装置ＩＬは積分装置ＩＮおよびコンデンサーＣＯのようなその他の各種構成部品を含むことができる。照射装置は、放射ビームの横断面に所望の均一性および強度分布を与えるように放射ビームを調整するために使用される。

放射ビームＢは支持構造体（例えば、マスク・テーブルＭＴ）上に保持されたパターン付与装置（例えば、マスクＭＡ）に入射し、そのパターン付与装置によってパターン化される。パターン付与装置を過ぎた放射ビームＢは投影系ＰＳを通過し、この投影系がそのビームを基板Ｗのターゲット箇所Ｃ上に結像させる。第二の位置決め装置ＰＷおよび位置センサーＩＦ（例えば、干渉装置、線形エンコーダまたは容量式センサー）によって、例えば放射ビームＢの光路内に異なるターゲット箇所Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴは正確に移動されることができる。同様に、例えば、マスク保管場所からマスクが機械的に取出された後または走査時に、放射ビームＢの光路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために第一の位置決め装置ＰＭおよび他の位置センサー（図１に明確に示されてはいない）を使用することができる。一般に、マスク・テーブルＭＴの移動は、第一の位置決め装置ＰＭの一部を構成する長ストローク用モジュール（粗位置決め）および短ストローク用モジュール（微小位置決め）によって行われる。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第二の位置決め装置ＰＷの一部を構成する長ストローク用モジュールおよび短ストローク用モジュールによって行われる。ステッパの場合には、（スキャナとは反対に）マスク・テーブルＭＴは短ストローク用アクチュエータのみに連結されるか、固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗはマスク整合マークＭ１，Ｍ２および基板整合マークＰ１，Ｐ２を使用して整合される。図示したように基板整合マークは与えられたターゲット箇所を占有するが、ターゲット箇所の間の空間に配置することができる（スクライブ・レーン整合マークとして知られている）。同様に、一つ以上のダイをマスクＭＡ上に設けた状態では、マスク整合マークはダイ間に位置づけられる。

図示装置は以下の少なくとも一つのモードで使用できる。

１．ステップ・モードでは、放射ビームに与えられたパターン全体が一度に一つのターゲット箇所Ｃ上に投影される間、マスク・テーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に保持される（すなわち、一回の静止露光）。その後基板テーブルＷＴはＸおよび／またはＹ方向へ移動されて、別のターゲット箇所Ｃが露光できるようになされる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大寸法が一回の静止露光で像形成されるターゲット箇所Ｃの寸法を制限する。

２．走査モードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット箇所Ｃ上に投影される間、マスク・テーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期して走査される（すなわち、一回の動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影系ＰＳの倍率（縮小率）および像転倒特性によって決まる。走査モードでは、露光フィールドの最大寸法が一回の動的露光でのターゲット箇所の幅（非走査方向）を制限するのに対して、走査動作の長さはターゲット箇所の高さ（走査方向）を決定する。

３．その他のモードでは、マスク・テーブルＭＴはプログラム可能なパターン付与装置を基本的に静止状態に保持するように維持され、基板テーブルＷＴは放射ビームに与えられたパターンがターゲット箇所Ｃに投影されている間に移動または走査される。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影系ＰＳの倍率（縮小率）および像の倒立特性によって決まる。このモードでは、一般にパルス化された放射光源が使用され、プログラム可能なパターン付与装置は基板テーブルＷＴの各移動の後、または走査時の連続する放射光パルスの間に、要求に応じてアップデートされる。この作動モードは、上述で引用した形式のプログラム可能なミラー・アレーのようなプログラム可能なパターン付与装置を使用するマスク無しリソグラフィに対しても容易に適用することができる。

前記使用モードの組合せおよび／または変形、またはまったく異なる使用モードを使用することもできる。

前記のとおり、リソグラフィ画像形成では、多数の制御可能な変数がある。システム性能を最高にするためには照射モード、露光時間および露光線量の全てが調整される。従って、所定の画像形成作業に関して、特定の処理内容またはその作業を実行するための機械の特別な設定を指示する一連のデータが決定され、使用される。本発明例では、それらのパラメータのうちの一つがツール種別パラメータであり、処理内容の一部として構成されるように使用できる。

与えられた製造設備においては、多くの異なるリソグラフィ・ツール種別が存在する。多くの場合、所定の製造作業を行なうために、新世代ツールが、旧世代ツールと組合されて使用される。通常、新世代ツールは、分解能、オーバーレイおよびＣＤの性能に関する最も高い要求条件を有する層である所謂臨界層の像形成に使用される。しかしながら、所定の製造処理が新世代ツールによって得られる改良された性能を要求されない場合には、それらのツールは旧世代ツールとともに低分解能層を製造するために使用される。

前記のように、旧世代ツールに関して開発された処理内容は、例えばｉｓｏ稠密バイアスが不整合であるために、新世代ツールにおいて適正に働かない。その場合、そのような処理内容が新世代ツールに与えられたならば、その処理内容が旧世代ツールに対応していることを新世代ツールが決定できるように、ツール種別パラメータを含まなければならない。

例を挙げれば、設備が幾つかのモデルＡリソグラフィ用ツールおよび幾つかの最新のモデルＢ用ツールを含み、モデルＡ用ツールとして開発された処理内容がモデルＢ用ツールに入力されたならば、モデルＢ用ツールは、入力データ中のツール種別パラメータの有無をチェックする。ツール種別パラメータを読取ってその処理内容がモデルＡ用ツールのために意図されたものであることを決定し、モデルＢ用ツールの制御装置はモデルＡ用ツールの性能をできるだけ高めるために像形成パラメータを調整する。

特に、モデルＢ用ツールの制御装置は、モデルＡの性能をより正確にに見習うべく像形成性能を適合させるようにコントラストを変化させるために、例えば装置の照射設定、投影レンズ設定、および／または、その他の設定を制御できる。例えば、コントラストが制御されて、これによりモデルＡ用ツールの性能を調和させることができる。コントラストを変化させるために、幾つかのシステム・パラメータを使用できる。非限定的な実施例によれば、照射設定（内側σ、外側σ、偏光度）、投影レンズ設定（ＮＡ、収差性能）またはレーザー設定（バンド幅、基準波長）の変更がシステム・コントラストを変更するために全て使用できる。同様に、例えば走査時にウェーハ・ステージを傾け、またはｚ方向にウェーハ・ステージを機械的に振動させることにより、焦点面に対するウェーハ・ステージの平均位置を変化させることができる。

代替例として、モデルＢは、その処理内容がモデルＡでの使用を意図されたことを読取ることで、そのことをオペレータやコンピュータ制御装置に指示することができる。その後、操作者は、例えば異なる処理内容を与え、ウェーハ・バッチを適当な機械へ移動させ、または警告にかかわらずにその作業を進めるべきことを決定できる。他の可能な解決策は、当業者には明白となるに違いない。

逆の状況、すなわち処理内容がモデルＢで使用されるように意図されたことを示すツール種別指示を有する処理内容をモデルＡ用ツールが読取る場合、一般にモデルＡのパラメータが調整されてモデルＢ用ツールと同じ性能を発揮することは不可能である。その場合、警告またはその他の指示が活用できる。したがって、最も利用できるツールの使用を要求する重要な段階が先進でないモデルで試みられようとする場合、オペレータは警告を与えられることができ、その処理は停止され、バッチは適当なツールへ移動されることができる。

制御装置がツール種別パラメータをチェックし、何一つないと判断された状況では、処理内容はいかなる調整も行われずに実行される。代替例として、警告を活用することができ、適当なツールがその処理に使用されていることを保証するためにオペレータの介入を許可する。

ここではＩＣ製造にリソグラフィ装置を使用することに特に言及するが、本明細書に記載するリソグラフィ装置は一体光学系、磁気ドメインメモリのガイドおよび検出パターン、フラット・パネル表示装置、液晶表示装置（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの他の応用例があることを理解しなければならない。このような代替応用例では、本明細書の「ウェーハ」や「ダイ」という用語の使用は、それぞれさらに一般的な用語である「基板」や「ターゲット箇所」と同義語とみなせることを当業者は認識するであろう。本明細書で引用する基板は、露光前または露光後に例えばトラック（典型的に基板にレジスト層を付与し、また露光したレジストを現像するツール）、度量衡ツールまたは検査ツールにて処理することができる。適当とされるならば、本明細書の開示内容はそれらの、または他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば複層ＩＣを製造するために一回以上処理されることができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数回処理して得た層を含む基板も示すこともできる。

上述では、光リソグラフィの状況において本発明の実施例を使用することに特に言及してきたが、本発明は他の応用例、例えばインプリント・リソグラフィに使用でき、状況が許すならば光リソグラフィに限定されないことが認識されるであろう。インプリント・リソグラフィにおいては、パターン付与装置のトポグラフィ（構造的特徴）が基板に形成されるパターンを定める。パターン付与装置のトポグラフィは基板に与えられたレジスト層に押付けられ、その後レジストは電磁放射線、熱、圧力またはそれらを組合せて与えることで硬化される。パターン付与装置はレジストが硬化した後にレジストから取外されて、パターンが残される。

本明細書で使用する「放射光」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）線（例えば，３６５，３５５，２４８，１９３，１５７または１２６ｎｍの波長を有する）および極紫外（ＥＵＶ）線（例えば，５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオン・ビームや電子ビームのような粒子ビームを含む全ての種類の電磁放射線を包含する。

状況が許されるならば、「レンズ」という用語は屈折式、反射式、磁気式、電磁式および静電式の光学構成部品を含む各種形式の光学構成部品のいずれか一つまたはその組合せを示す。

本発明の特定の実施例を上述で説明したが、説明した以外の方法で本発明を実施できることが認識されるであろう。例えば、本発明は上述で開示した方法を記載する一つ以上の機械で読取り可能な指令シーケンスを含むコンピュータ・プログラム、または保存されたそのようなコンピュータ・プログラムを保存して有するデータ保存媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光学デスク）の形態をとることができる。

上述の記載は説明のためのもので限定を意図していない。したがって、当業者には説明した本発明に対して特許請求の範囲に記載された範囲から逸脱することなく変更できることが認識されるであろう。

本発明の実行に使用できるリソグラフィ装置を示す。

符号の説明

ＡＤ 調整装置
ＢＤ ビーム導入システム
Ｃ ターゲット箇所
ＣＯ コンデンサー
ＩＦ 位置センサー
ＩＬ 照射系すなわち照射装置
ＩＮ 積分装置
Ｍ１，Ｍ２ マスク整合マーカー
ＭＡ マスク
ＭＴ マスク・テーブル
Ｐ１，Ｐ２ 基板整合マーカー
Ｂ 放射ビーム
ＰＬ 投影系
ＰＳ 投影系
ＰＭ 第一の位置決め装置
ＰＷ 第二の位置決め装置
ＳＯ 放射光源
Ｗ 基板
ＷＴ 基板テーブル

Claims (18)

1. 放射ビームを調整するように構成された照射系、
   パターン付与された放射ビームを作るために前記放射ビームの横断面にパターンを付与することのできるパターン付与装置を支持するように構成された支持体、
   基板を支持するように構成された基板テーブル、
   前記パターン付与された放射ビームを前記基板のターゲット箇所に投影するように構成された投影系、および
   第１ツールと第２ツールとを組み合わせて使用するように構成されるリソグラフィ装置を制御するように構成された制御系、を含み、
   前記制御系は、
   第１ツールの使用を示す処理内容を読み取ると、複数の機械パラメータの設定を指示するために必要なツール種別パラメータが当該処理内容に含まれているか否かを判断し、
   前記ツール種別パラメータが含まれていると判断すると、前記第１ツールを使用した前記リソグラフィ装置の性能で前記基板上に像を形成するために前記複数の機械パラメータの設定を行い、前記リソグラフィ装置のコントラストを変化させるように制御する、リソグラフィ装置。
2. 前記制御系は、
   第２ツールでの使用を示す処理内容を読み取ると、前記ツール種別パラメータが当該処理内容に含まれているか否かを判断し、
   前記ツール種別パラメータが含まれていないと判断すると、警告を指示し、前記リソグラフィ装置に関する処理を停止する、請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
3. 前記コントラストを変化させるために、前記制御系が放射ビームの角度強度分布を変化させるようになっている請求項１または２に記載されたリソグラフィ装置。
4. 前記角度強度分布の内側および／または外側半径方向範囲が変化せしめられるようになっている請求項３に記載されたリソグラフィ装置。
5. 放射ビームの角度強度分布を変化させるために、前記制御系が照射系を制御するようになっている請求項３に記載されたリソグラフィ装置。
6. 前記コントラストを変化させるために、前記制御系が放射ビームの波長スペクトルを制御するようになっている請求項１または２に記載されたリソグラフィ装置。
7. 前記コントラストを変化させるために、前記制御系が前記基板テーブルの位置を制御するようになっている請求項１または２に記載されたリソグラフィ装置。
8. 走査作業中に前記基板テーブルに傾きを与えることによって、前記制御系が前記基板テーブルの位置を制御するようになっている請求項７に記載されたリソグラフィ装置。
9. 装置の制御を行うように構成された制御系を含むリソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法であって、
   前記リソグラフィ装置は、第１ツールと第２ツールとを組み合わせて使用するように構成され、
   前記制御系は、
   前記第１ツールでの使用を示す処理内容を読み取る段階と、
   複数の機械パラメータの設定を指示するために必要なツール種別パラメータが当該処理内容に含まれているか否かを判断する段階と、
   前記ツール種別パラメータが含まれていると判断すると、前記第１ツールを使用した前記リソグラフィ装置の性能で基板上に像を形成するために複数の機械パラメータの設定を行う段階と、
   前記リソグラフィ装置のコントラストの設定を前記第１ツールに従って適合させる段階と、
   前記複数の機械パラメータ及び前記コントラストを用いて前記基板上にパターン付与された放射ビームを投影する段階とを実行する、リソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法。
10. 前記制御系は、
    前記第２ツールでの使用を示す処理内容を読み取る段階と、
    前記ツール種別パラメータが当該処理内容に含まれているか否かを判断する段階と、
    前記ツール種別パラメータが含まれていないと判断すると、警告を指示する段階と、
    前記リソグラフィ装置に関する処理を停止する段階と、を実行する請求項９に記載されたデバイス製造方法。
11. 前記適合させる段階が、前記コントラストを変化させるために放射ビームの角度強度分布を変化させる段階を含む請求項９または１０に記載されたデバイス製造方法。
12. 前記変化させる段階が、角度強度分布の内側および／または外側半径方向範囲を変化させる段階を含む請求項１１に記載されたデバイス製造方法。
13. 前記変化させる段階が、前記リソグラフィ装置の照射系を用いた放射ビームの角度強度分布を変化させる段階を含む請求項１１に記載されたデバイス製造方法。
14. 前記適合させる段階が、前記コントラストを変化させるために、放射ビームの波長スペクトルを制御する段階を含む請求項９または１０に記載されたデバイス製造方法。
15. 前記適合させる段階が、前記コントラストを変化させるために、前記リソグラフィ装置の基板テーブルの位置を制御する段階を含む請求項９または１０に記載されたデバイス製造方法。
16. 前記制御する段階が、走査作業中の前記基板テーブルに対して傾きを付与する段階を含む請求項１５に記載されたデバイス製造方法。
17. コントラストを変化させるために構成されるリソグラフィ装置によってデバイス製造方法を記述した命令を保存する機械読み取り可能な媒体であって、
    前記リソグラフィ装置は、第１ツールと第２ツールとが組み合わされて使用されるように構成され、
    前記命令は、
    前記制御系に、
    前記第１ツールでの使用を示す処理内容を読み取る段階と、
    複数の機械パラメータの設定を指示するために必要なツール種別パラメータが当該処理内容に含まれているか否かを判断する段階と、
    前記ツール種別パラメータが含まれていると判断すると、前記第１ツールを使用した前記リソグラフィ装置の性能で基板上に像を形成するために複数の機械パラメータの設定を行う段階と、
    前記リソグラフィ装置のコントラストの設定を前記第１ツールに従って適合させる段階と、
    前記複数の機械パラメータ及び前記コントラストを用いて前記基板上にパターン付与された放射ビームを投影する段階と、を実行させる機械読み取り可能な媒体。
18. 前記命令は、前記制御系に、
    前記第２ツールでの使用を示す処理内容を読み取る段階と
    前記ツール種別パラメータが当該処理内容に含まれているか否かを判断する段階と、
    前記ツール種別パラメータが含まれていないと判断すると、警告を指示する段階と、
    前記リソグラフィ装置に関する処理を停止する段階と、を実行させる請求項１７に記載の機械読み取り可能な媒体。

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