JPH0414239A - 真空吸着式ウエハ保持装置 - Google Patents
真空吸着式ウエハ保持装置Info
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- JPH0414239A JPH0414239A JP2115741A JP11574190A JPH0414239A JP H0414239 A JPH0414239 A JP H0414239A JP 2115741 A JP2115741 A JP 2115741A JP 11574190 A JP11574190 A JP 11574190A JP H0414239 A JPH0414239 A JP H0414239A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空吸着によりウェハの裏面を吸着して保持
する、半導体製造装置に用いられる真空吸着式ウェハ保
持装置に関するものである。
する、半導体製造装置に用いられる真空吸着式ウェハ保
持装置に関するものである。
［従来の技術］
半導体製造装置において、マスクパターンをウェハに転
写する際のウェハ保持装置としては、真空吸着により該
ウニへの裏面を吸着して保持する真空吸着式ウェハ保持
装置（たとえば、特公平１−１４７０３号公報）がよく
用いられている。
写する際のウェハ保持装置としては、真空吸着により該
ウニへの裏面を吸着して保持する真空吸着式ウェハ保持
装置（たとえば、特公平１−１４７０３号公報）がよく
用いられている。
一般に、ウェハ保持装置でウェハを保持したとき、該ウ
ェハ保持装置と該ウェハとの接触面の接触熱抵抗が大き
いと、マスクパターンを該ウェハに転写する際の露光エ
ネルギーが該ウェハから前記ウェハ保持装置に逃げてい
かないため、該ウェハの温度上昇および熱変形を招きパ
ターン転写精度が悪化する。特に、真空吸着式ウェハ保
持装置の場合には、該ウェハ保持装置とウェハとの間の
接触面以外の空間に気体が存在しないため、該ウェハの
温度上昇によるパターン転写精度の悪化が顕著となる。
ェハ保持装置と該ウェハとの接触面の接触熱抵抗が大き
いと、マスクパターンを該ウェハに転写する際の露光エ
ネルギーが該ウェハから前記ウェハ保持装置に逃げてい
かないため、該ウェハの温度上昇および熱変形を招きパ
ターン転写精度が悪化する。特に、真空吸着式ウェハ保
持装置の場合には、該ウェハ保持装置とウェハとの間の
接触面以外の空間に気体が存在しないため、該ウェハの
温度上昇によるパターン転写精度の悪化が顕著となる。
また、マスクとウェハとが数十ミクロン隔てて配置され
てマスクパターンが転写されるプロキシミティ一方式に
よる露光装置に真空吸着式ウェハ保持装置を用いる場合
にも、前記接触熱抵抗が大きいと、ウニへの温度上昇に
よりマスクの温度も上昇し該マスクに熱歪が生じるため
、パターン転写精度が悪化する。
てマスクパターンが転写されるプロキシミティ一方式に
よる露光装置に真空吸着式ウェハ保持装置を用いる場合
にも、前記接触熱抵抗が大きいと、ウニへの温度上昇に
よりマスクの温度も上昇し該マスクに熱歪が生じるため
、パターン転写精度が悪化する。
したがって、真空吸着式ウェハ保持装置の主構造部材の
吸着されるウェハと対向する面（以下、「対向面」と称
する）に設けられている突起部は、接触熱抵抗を小さく
するためおよび吸着後の前記ウェハの平坦度を確保する
ため、該ウェハと接触する面（以下、「接触面」と称す
る）が平面仕上げされるとともに、吸着後の前記ウニへ
の反りを防止するため、剛性率の大きい材質が用いられ
ている。
吸着されるウェハと対向する面（以下、「対向面」と称
する）に設けられている突起部は、接触熱抵抗を小さく
するためおよび吸着後の前記ウェハの平坦度を確保する
ため、該ウェハと接触する面（以下、「接触面」と称す
る）が平面仕上げされるとともに、吸着後の前記ウニへ
の反りを防止するため、剛性率の大きい材質が用いられ
ている。
〔発明が解決しようとする課題３
しかしながら、上記従来例では、前記突起部の接触面が
平面仕上げされているにもかかわらず、該接触面には微
小な凹凸やうねりが存在し、かつ前記ウェハの裏面にも
微小な凹凸やうねりが存在するため、前記ウェハの裏面
を真空吸着させたときの実際の接触面積は見かけの面積
に比へ非常に小さくなるので、接触熱抵抗が大きくなり
パターン転写精度の悪化を完全に防止することができな
いという問題がある。
平面仕上げされているにもかかわらず、該接触面には微
小な凹凸やうねりが存在し、かつ前記ウェハの裏面にも
微小な凹凸やうねりが存在するため、前記ウェハの裏面
を真空吸着させたときの実際の接触面積は見かけの面積
に比へ非常に小さくなるので、接触熱抵抗が大きくなり
パターン転写精度の悪化を完全に防止することができな
いという問題がある。
本発明の目的は、接触熱抵抗が小さくでき、パターン転
写精度の向上が図れる真空吸着式ウェハ保持装置を提供
することにある。
写精度の向上が図れる真空吸着式ウェハ保持装置を提供
することにある。
本発明の真空吸着式ウェハ保持装置は、高さの等しい複
数の突起部と、 ウェハよりも小さい剛性率の材質からなる、前記突起部
よりも高くまたは高さの等しい弾性部材とが、主構造部
材の対向面に設けられている。
数の突起部と、 ウェハよりも小さい剛性率の材質からなる、前記突起部
よりも高くまたは高さの等しい弾性部材とが、主構造部
材の対向面に設けられている。
また、前記突起部の高さがＤ［ｍｍｌ、前記弾性部材の
ヤング率がＥ［Ｐａ］、前記ウェハの表面と裏面との圧
力差がＴ ［Ｔｏｒｒ］のとき、ＴＸＩＯ’ ｄ＜７６０．Ｅ−ＴｘｌＯ” Ｄ の範囲内で、前記弾性部材の高さＤ ＋ ｄ ［ｍｍｌ
が設定されていてもよい。
ヤング率がＥ［Ｐａ］、前記ウェハの表面と裏面との圧
力差がＴ ［Ｔｏｒｒ］のとき、ＴＸＩＯ’ ｄ＜７６０．Ｅ−ＴｘｌＯ” Ｄ の範囲内で、前記弾性部材の高さＤ ＋ ｄ ［ｍｍｌ
が設定されていてもよい。
さらに、前記突起部がビン形状を有し、前記弾性部材が
該突起部を囲んで設けられていてもよく、 前記突起部と前記弾性部材とがともに対称性よく別々に
配置されていてもよい。
該突起部を囲んで設けられていてもよく、 前記突起部と前記弾性部材とがともに対称性よく別々に
配置されていてもよい。
［作用］
本発明の真空吸着式ウェハ保持装置では、真空吸着され
たウェハは突起部の接触面と弾性部材の接触面とに接触
して保持されるが、前記弾性部材は前記ウェハよりも小
さい剛性率の材質でできているため、該ウェハの裏面に
微小な凹凸やうねりがあっても該凹凸やうねりに応じて
その接触面が変形するので、該接触面における接触熱抵
抗を小さくすることができる。
たウェハは突起部の接触面と弾性部材の接触面とに接触
して保持されるが、前記弾性部材は前記ウェハよりも小
さい剛性率の材質でできているため、該ウェハの裏面に
微小な凹凸やうねりがあっても該凹凸やうねりに応じて
その接触面が変形するので、該接触面における接触熱抵
抗を小さくすることができる。
また、前記突起部の高さをＤ［ｍｍｌ、前記弾性部材の
ヤング率をＥ（Ｐａ］、前記ウェハの表面と裏面との圧
力差をＴ ［Ｔｏｒｒ］としたとき、前記弾性部材の高
さＤ ＋ ｄ［ｍｍｌが、 Ｔ ｘ １０’ ｄ〈７６０−Ｅ−ＴＸＩＯ” Ｄ の範囲内で設定されていることにより、吸着時に前記ウ
ェハに加わる吸引力を、変位量に比例して該ウェハに加
わる前記弾性部材の反発力よりも一桁大きくすることが
できるので、該ウニへの裏面を前記突起部の接触面に確
実に当接させられる。
ヤング率をＥ（Ｐａ］、前記ウェハの表面と裏面との圧
力差をＴ ［Ｔｏｒｒ］としたとき、前記弾性部材の高
さＤ ＋ ｄ［ｍｍｌが、 Ｔ ｘ １０’ ｄ〈７６０−Ｅ−ＴＸＩＯ” Ｄ の範囲内で設定されていることにより、吸着時に前記ウ
ェハに加わる吸引力を、変位量に比例して該ウェハに加
わる前記弾性部材の反発力よりも一桁大きくすることが
できるので、該ウニへの裏面を前記突起部の接触面に確
実に当接させられる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（Ａ）、 （Ｂ）はそれぞれ本発明の真空吸着
式ウェハ保持装置の第１の実施例を示す概略構成図、第
２図はウェハ吸着前後の突起部２と弾性部材３との関係
を示す概略構成図である。
式ウェハ保持装置の第１の実施例を示す概略構成図、第
２図はウェハ吸着前後の突起部２と弾性部材３との関係
を示す概略構成図である。
本実施例の真空吸着式ウェハ保持装置は、吸着されるウ
ェハ５（第２図参照）の反りを矯正するため剛性率が大
きい材質（たとえば、ステンレス、アルミニウム、セラ
ミックスなど）で構成された、外周壁１ａが一体的に設
けられている主構造部材１と、該主構造部材１の前記ウ
ェハ５と対向する面（対向面）に、該主構造部材１と一
体的に対称性よく設けられている高さの等しいビン形状
を有する複数の突起部としての１２個の突起部２と、該
突起部２の各々を囲んで設けられた高さの等しい弾性部
材３と、前記主構造部材１の前記対向面の中心部と不図
示の真空発生源とを接続する、前記主構造部材１に設け
られた真空吸引孔４とを有する。ここで、前記弾性部材
３は、前記主構造部材１および前記ウェハ５よりも剛性
率が小さい材質（たとえば、合成ゴムなど）でできてい
る。また、第２図（Ａ）に示すように、前記弾性部材３
の高さＤ ＋ ｄ ［ｍｍｌは、前記突起部２の高さＤ
［ｍｍｌよりもｄ ［ｍｍｌだけ高くなるように設け
られている。さらに、前記突起部２と前記弾性部材３と
はそれぞれ、吸着後の前記ウェハ５の平坦度を確保する
ため、前記ウェハ５と接触する面（接触面）が平面仕上
げされている。
ェハ５（第２図参照）の反りを矯正するため剛性率が大
きい材質（たとえば、ステンレス、アルミニウム、セラ
ミックスなど）で構成された、外周壁１ａが一体的に設
けられている主構造部材１と、該主構造部材１の前記ウ
ェハ５と対向する面（対向面）に、該主構造部材１と一
体的に対称性よく設けられている高さの等しいビン形状
を有する複数の突起部としての１２個の突起部２と、該
突起部２の各々を囲んで設けられた高さの等しい弾性部
材３と、前記主構造部材１の前記対向面の中心部と不図
示の真空発生源とを接続する、前記主構造部材１に設け
られた真空吸引孔４とを有する。ここで、前記弾性部材
３は、前記主構造部材１および前記ウェハ５よりも剛性
率が小さい材質（たとえば、合成ゴムなど）でできてい
る。また、第２図（Ａ）に示すように、前記弾性部材３
の高さＤ ＋ ｄ ［ｍｍｌは、前記突起部２の高さＤ
［ｍｍｌよりもｄ ［ｍｍｌだけ高くなるように設け
られている。さらに、前記突起部２と前記弾性部材３と
はそれぞれ、吸着後の前記ウェハ５の平坦度を確保する
ため、前記ウェハ５と接触する面（接触面）が平面仕上
げされている。
次に、本実施例の真空吸着式ウェハ保持装置におけるウ
ェハ５の吸着動作について、第２図を用いて説明する。
ェハ５の吸着動作について、第２図を用いて説明する。
吸着動作前に、ウェハ５は、第２図（Ａ）に示すように
該ウェハ５と弾性部材３の接触面とが接触する位置まで
公知の搬送ハント（不図示）により搬送されてくる。そ
の後、真空吸着孔４を不図示の真空発生源に連通させて
前記ウェハ５の裏面の真空吸着を開始する。このとき、
前記ウェハ５の表面側の空間の圧力をＴ ［Ｔｏｒｒ］
とすると、主構造部材１．該主構造部材１の外周壁１ａ
および前記ウェハ５で囲まれる空間に存在する気体は、
該空間の圧力が約○［Ｔｏｒｒ］になるまで前記真空発
生源により引かれるので、前記ウェハ５の表面と裏面と
には圧力差Ｔ ［Ｔｏｒｒ］が生じる。したがって、前
記ウェハ５には、 の吸引力が加わる。
該ウェハ５と弾性部材３の接触面とが接触する位置まで
公知の搬送ハント（不図示）により搬送されてくる。そ
の後、真空吸着孔４を不図示の真空発生源に連通させて
前記ウェハ５の裏面の真空吸着を開始する。このとき、
前記ウェハ５の表面側の空間の圧力をＴ ［Ｔｏｒｒ］
とすると、主構造部材１．該主構造部材１の外周壁１ａ
および前記ウェハ５で囲まれる空間に存在する気体は、
該空間の圧力が約○［Ｔｏｒｒ］になるまで前記真空発
生源により引かれるので、前記ウェハ５の表面と裏面と
には圧力差Ｔ ［Ｔｏｒｒ］が生じる。したがって、前
記ウェハ５には、 の吸引力が加わる。
一方、該吸引力により前記ウェハ５が前記主構造部材１
の対向面に向って吸引されると、該ウェハ５の変位量分
だけ弾性部材３が縮むため、該弾性部材３の反発力が前
記変位量に比例して前記ウェハ５の裏面に加えられる。
の対向面に向って吸引されると、該ウェハ５の変位量分
だけ弾性部材３が縮むため、該弾性部材３の反発力が前
記変位量に比例して前記ウェハ５の裏面に加えられる。
したがって、前記弾性部材３の高さＤ＋ｄ ［闘１と前
記突起部２の高さＤ ［ｍｍｌとの高さの差ｄ ［ｍｍ
ｌだけ前記ウェハ５を変位させたときの前記反発力Ｆは
、前記弾性部材３のヤング率をＥ ［Ｐａ］とすると、
となるため、前記ウェハ５の裏面を該反発力Ｆに抗して
前記突起部２の接触面に当接させるには、前記高さの差
ｄ ［ｍｍｌが次式を満たしていればよい。
記突起部２の高さＤ ［ｍｍｌとの高さの差ｄ ［ｍｍ
ｌだけ前記ウェハ５を変位させたときの前記反発力Ｆは
、前記弾性部材３のヤング率をＥ ［Ｐａ］とすると、
となるため、前記ウェハ５の裏面を該反発力Ｆに抗して
前記突起部２の接触面に当接させるには、前記高さの差
ｄ ［ｍｍｌが次式を満たしていればよい。
すなわち、
ここで、前記ウェハ５の裏面を前記突起部２の接触面に
確実に当接させるには、前記高さの差ｄ［闘１の最大値
を一桁小さくして、該高さの差ｄ ［ｍｍｌが次式を満
たすようにすればよい。
確実に当接させるには、前記高さの差ｄ［闘１の最大値
を一桁小さくして、該高さの差ｄ ［ｍｍｌが次式を満
たすようにすればよい。
すなわち、
以上のようにして吸着動作が終了すると、ウェハ５の裏
面は、突起部２および弾性部材３の接触面と接触した状
態で真空吸着されて保持される。
面は、突起部２および弾性部材３の接触面と接触した状
態で真空吸着されて保持される。
ここで、前記突起部２の接触面は平面仕上げされている
にもかかわらず微小な凹凸やうねりをもち、かつ前記ウ
ェハ５の裏面にも微小な凹凸やうねりがあるため、前記
突起部２の接触面の接触熱抵抗を従来のものよりも小さ
くすることはてきないが、前記弾性部材３は前記ウェハ
５よりも小さい剛性率の材質でできているため、該ウェ
ハ５の裏面に微小な凹凸やうねりがあっても該凹凸やつ
ねりに応じてその接触面が変形するので、該接触面にお
ける接触熱抵抗を小さくすることができる。
にもかかわらず微小な凹凸やうねりをもち、かつ前記ウ
ェハ５の裏面にも微小な凹凸やうねりがあるため、前記
突起部２の接触面の接触熱抵抗を従来のものよりも小さ
くすることはてきないが、前記弾性部材３は前記ウェハ
５よりも小さい剛性率の材質でできているため、該ウェ
ハ５の裏面に微小な凹凸やうねりがあっても該凹凸やつ
ねりに応じてその接触面が変形するので、該接触面にお
ける接触熱抵抗を小さくすることができる。
このことを確認するため、主構造部材１をステンレス、
弾性部材３をシリコンゴムて構成し、前起生構造部材１
の高さＤをｌ［ｍｍｌ 、前記弾性部材３の高さＤ＋ｄ
を１．０５ ［ｍｍｌ （高さの差ｄ ＝ ０．０５［
ｍｍｌ ）として本実施例の真空吸着式ウェハ保持装置
を試作し、ウェハ５を吸着させたあとの接触熱抵抗Ｒ２
を測定したところ、 Ｒ＋ ＝ １ ｘ １０−３［Ｋ−ｍ−２／Ｗｌであっ
た。また、前記弾性部材３をもたない従来の構成のもの
を同様にして試作し、その接触熱抵抗Ｒ２を測定したと
ころ、 Ｒ２＝ＩＸ１０−” ［に−ｍ−２／Ｗ］であった。
弾性部材３をシリコンゴムて構成し、前起生構造部材１
の高さＤをｌ［ｍｍｌ 、前記弾性部材３の高さＤ＋ｄ
を１．０５ ［ｍｍｌ （高さの差ｄ ＝ ０．０５［
ｍｍｌ ）として本実施例の真空吸着式ウェハ保持装置
を試作し、ウェハ５を吸着させたあとの接触熱抵抗Ｒ２
を測定したところ、 Ｒ＋ ＝ １ ｘ １０−３［Ｋ−ｍ−２／Ｗｌであっ
た。また、前記弾性部材３をもたない従来の構成のもの
を同様にして試作し、その接触熱抵抗Ｒ２を測定したと
ころ、 Ｒ２＝ＩＸ１０−” ［に−ｍ−２／Ｗ］であった。
したがって、本実施例のものは従来のものに比へて接触
熱抵抗を１／１０にすることができるため、ウェハ５の
温度上昇も１／１０に抑えることができ、パターン転写
精度の向上が図れた。
熱抵抗を１／１０にすることができるため、ウェハ５の
温度上昇も１／１０に抑えることができ、パターン転写
精度の向上が図れた。
なお、本実施例に用いた突起部２の形状は、第１図に示
すように円柱のビン形状のものであるが、これに限るも
のではなく、たとえば角柱のビン形状であってもよい。
すように円柱のビン形状のものであるが、これに限るも
のではなく、たとえば角柱のビン形状であってもよい。
第３図は本発明の真空吸着式ウニ八保持装置の第２の実
施例を示す概略構成図である。
施例を示す概略構成図である。
本実施例の真空吸着式ウェハ保持装置は、主構造部材１
１の吸着されるウェハと対向する面（対向面）に一体的
に設けられている突起部１２が同心円状に２本設けられ
、該２本の突起部１２を接続する４本の突起部１２が第
３図（Ａ）の４５゜斜め方向に対称性よく設けられ、ま
た外側の同心円状の突起部１２と外周壁１１ａとを接続
する４本の突起部１２が同図上下左右に対称性よく設け
られている点、前記突起部１２と前記外周壁１１ａとで
仕切られた前記主構造部材１１の対向面に、円環の一部
を切った形状をもつ８個の弾性部材１３が対称性よく設
けられ、また前記対向面の中心部には円形の弾性部材１
３が設けられている点、および真空吸引孔１４が前記主
構造部材１１の対向面に対称性よく分岐されている点が
、第１図に示したものと異なる。
１の吸着されるウェハと対向する面（対向面）に一体的
に設けられている突起部１２が同心円状に２本設けられ
、該２本の突起部１２を接続する４本の突起部１２が第
３図（Ａ）の４５゜斜め方向に対称性よく設けられ、ま
た外側の同心円状の突起部１２と外周壁１１ａとを接続
する４本の突起部１２が同図上下左右に対称性よく設け
られている点、前記突起部１２と前記外周壁１１ａとで
仕切られた前記主構造部材１１の対向面に、円環の一部
を切った形状をもつ８個の弾性部材１３が対称性よく設
けられ、また前記対向面の中心部には円形の弾性部材１
３が設けられている点、および真空吸引孔１４が前記主
構造部材１１の対向面に対称性よく分岐されている点が
、第１図に示したものと異なる。
本実施例においても、前述した第１の実施例と同様の理
由から、弾性部材１３の高さＤ ＋ ｄ ［ｍｍｌと突
起部の高さＤ［闘］との高さの差ｄ ［ｍｍｌが、ＴＸ
ＩＯ’ ｄ＜７６０．Ｅ−ＴｘＩＯ” ” （３）の
範囲内になるようにすることにより、ウェハ（不図示）
の裏面を突起部１２の接触面に当接させることができ、
また、前記高さの差ｄ ［ｍｍｌが、 Ｔ Ｘ １０’ ｄ〈７６０．Ｅ−ＴＸＩＯ” Ｄ （４）の範囲
内になるようにすることにより、前記ウェハの裏面を突
起部１２の接触面に確実に当接させることができる。
由から、弾性部材１３の高さＤ ＋ ｄ ［ｍｍｌと突
起部の高さＤ［闘］との高さの差ｄ ［ｍｍｌが、ＴＸ
ＩＯ’ ｄ＜７６０．Ｅ−ＴｘＩＯ” ” （３）の
範囲内になるようにすることにより、ウェハ（不図示）
の裏面を突起部１２の接触面に当接させることができ、
また、前記高さの差ｄ ［ｍｍｌが、 Ｔ Ｘ １０’ ｄ〈７６０．Ｅ−ＴＸＩＯ” Ｄ （４）の範囲
内になるようにすることにより、前記ウェハの裏面を突
起部１２の接触面に確実に当接させることができる。
したがって、本実施例においても、真空吸着後のウェハ
を保持する弾性部材１３の接触面の接触熱抵抗は小さい
ので、パターン転写精度の向上が図れる。
を保持する弾性部材１３の接触面の接触熱抵抗は小さい
ので、パターン転写精度の向上が図れる。
以上の説明において、突起部と弾性部材とは、主構造部
材の対向面に対称性よく設けられていたが、非対称に設
けられていてもよい。ただし、ウェハは一般に円板状の
形状を有するため、前記弾性部材は対称性よく設けたほ
うが、吸着後の前記ウェハの平坦度を精度よく保つこと
ができる。
材の対向面に対称性よく設けられていたが、非対称に設
けられていてもよい。ただし、ウェハは一般に円板状の
形状を有するため、前記弾性部材は対称性よく設けたほ
うが、吸着後の前記ウェハの平坦度を精度よく保つこと
ができる。
また、突起部は主構造部材と一体的に設けられているか
、別体てあってもよい。
、別体てあってもよい。
［発明の効果］
本発明は、上述のとおり構成されているので、次に記載
する効果を奏する。
する効果を奏する。
高さの等しい複数の突起部と、ウェハよりも小さい剛性
率の材質からなる、前記突起部よりも高くまたは高さの
等しい弾性部材とか、主構造部材の対向面に設けられて
いることにより、真空吸着された前記ウェハが接触され
て保持される前記弾性部材は該ウェハよりも小さい剛性
率の材質でてきているため、該ウェハの裏面に微／Ｊ）
な凹凸やうねりがあっても該凹凸やうねりに応してその
接触面が変形するので、該接触面における接触熱抵抗を
小さくすることかてき、パターン転写精度の向上が図れ
るという効果かある。
率の材質からなる、前記突起部よりも高くまたは高さの
等しい弾性部材とか、主構造部材の対向面に設けられて
いることにより、真空吸着された前記ウェハが接触され
て保持される前記弾性部材は該ウェハよりも小さい剛性
率の材質でてきているため、該ウェハの裏面に微／Ｊ）
な凹凸やうねりがあっても該凹凸やうねりに応してその
接触面が変形するので、該接触面における接触熱抵抗を
小さくすることかてき、パターン転写精度の向上が図れ
るという効果かある。
また、前記突起部の高さをＤ［ｍｍｌ、前記弾性部材の
ヤング率をＥ［Ｐａ］、前記ウェハの表面と裏面との圧
力差をＴ ［Ｔｏｒｒ］としたとき、前記弾性部材の高
さＤ ＋ ｄ ［ｍｏ＋］か、 の範囲内で設定されていることにより、吸着時に前記ウ
ェハに加わる吸引力を、変位量に比例して該ウェハに加
わる前記弾性部材の反発力よりも一桁大きくすることが
できるので、該ウェハの裏面を前記突起部の接触面に確
実に当接させることができるという効果がある。
ヤング率をＥ［Ｐａ］、前記ウェハの表面と裏面との圧
力差をＴ ［Ｔｏｒｒ］としたとき、前記弾性部材の高
さＤ ＋ ｄ ［ｍｏ＋］か、 の範囲内で設定されていることにより、吸着時に前記ウ
ェハに加わる吸引力を、変位量に比例して該ウェハに加
わる前記弾性部材の反発力よりも一桁大きくすることが
できるので、該ウェハの裏面を前記突起部の接触面に確
実に当接させることができるという効果がある。
第１図は本発明の真空吸着式ウェハ保持装置の第１の実
施例を示す概略構成図であり、（Ａ）は突起部の接触面
の高さで切断した断面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’線
に沿う断面図、第２図はウェハ吸着前後の突起部２と弾
性部材３との関係を示す概略構成図であり、（Ａ）はウ
ェハ吸着前の関係を示す図、（Ｂ）はウェハ吸着後の関
係を示す図、第３図は本発明の真空吸着式ウェハ保持装
置の第２の実施例を示す概略構成図であり、（Ａ）は突
起部の接触面の高さで切断した断面図、（Ｂ）は（Ａ）
のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。 １．１ ａ ３．１ ４、 １ ５・・・ Ｄ・・・ ｄ・・・ １・・・主構造部材、 １１ａ・・・外周壁、 ２・・・突起部、 ３・・・弾性部材、 ４・・・真空吸引孔、 ウェハ、 突起部の高さ、 高さの差。 特許出願人 キャノン株式会社
施例を示す概略構成図であり、（Ａ）は突起部の接触面
の高さで切断した断面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’線
に沿う断面図、第２図はウェハ吸着前後の突起部２と弾
性部材３との関係を示す概略構成図であり、（Ａ）はウ
ェハ吸着前の関係を示す図、（Ｂ）はウェハ吸着後の関
係を示す図、第３図は本発明の真空吸着式ウェハ保持装
置の第２の実施例を示す概略構成図であり、（Ａ）は突
起部の接触面の高さで切断した断面図、（Ｂ）は（Ａ）
のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。 １．１ ａ ３．１ ４、 １ ５・・・ Ｄ・・・ ｄ・・・ １・・・主構造部材、 １１ａ・・・外周壁、 ２・・・突起部、 ３・・・弾性部材、 ４・・・真空吸引孔、 ウェハ、 突起部の高さ、 高さの差。 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高さの等しい複数の突起部と、 ウェハよりも小さい剛性率の材質からなる、前記突起部
よりも高くまたは高さの等しい弾性部材とが、主構造部
材の対向面に設けられている真空吸着式ウェハ保持装置
。 ２、突起部の高さがＤ［ｍｍ］、弾性部材のヤング率が
Ｅ［Ｐａ］、ウェハの表面と裏面との圧力差がＴ［Ｔｏ
ｒｒ］のとき、 ｄ＜｛Ｔ×１０＾４／（７６０・Ｅ−Ｔ×１０＾４）｝
・Ｄの範囲内で、前記弾性部材の高さＤ＋ｄ［ｍｍ］が
設定されている請求項第１項記載の真空吸着式ウェハ保
持装置。 ３、突起部がピン形状を有し、 弾性部材が該の突起部を囲んで設けられている請求項第
１項または第２項記載の真空吸着式ウェハ保持装置。 ４、突起部と弾性部材とがともに対称性よく別々に配置
されている請求項第１項または第２項記載の真空吸着式
ウェハ保持装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11574190A JP2908516B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 真空吸着式ウエハ保持装置 |
| DE69133413T DE69133413D1 (de) | 1990-05-07 | 1991-05-03 | Substratträger des Vakuumtyps |
| EP91304027A EP0456426B1 (en) | 1990-05-07 | 1991-05-03 | Vacuum type wafer holder |
| US08/231,785 US5374829A (en) | 1990-05-07 | 1994-04-25 | Vacuum chuck |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11574190A JP2908516B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 真空吸着式ウエハ保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0414239A true JPH0414239A (ja) | 1992-01-20 |
| JP2908516B2 JP2908516B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=14669920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11574190A Expired - Fee Related JP2908516B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 真空吸着式ウエハ保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2908516B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251544A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Fujitsu Ltd | 搬送装置 |
| JP2009033178A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Applied Materials Inc | 軸対称及び均一熱プロファイルの真空チャック型ヒーター |
| JP2012099787A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-05-24 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2015199153A (ja) * | 2014-04-07 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 保持テーブル、該保持テーブルを用いた研削方法及び切削方法 |
| JP2018533763A (ja) * | 2015-10-29 | 2018-11-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 |
| CN112201728A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-08 | 张言言 | 一种用于太阳能板加工的硅片排列机构 |
-
1990
- 1990-05-07 JP JP11574190A patent/JP2908516B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251544A (ja) * | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Fujitsu Ltd | 搬送装置 |
| JP2009033178A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Applied Materials Inc | 軸対称及び均一熱プロファイルの真空チャック型ヒーター |
| JP2014053645A (ja) * | 2007-07-30 | 2014-03-20 | Applied Materials Inc | 軸対称及び均一熱プロファイルの真空チャック型ヒーター |
| JP2012099787A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-05-24 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2015199153A (ja) * | 2014-04-07 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 保持テーブル、該保持テーブルを用いた研削方法及び切削方法 |
| JP2018533763A (ja) * | 2015-10-29 | 2018-11-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 |
| JP2020118983A (ja) * | 2015-10-29 | 2020-08-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 |
| JP2022010193A (ja) * | 2015-10-29 | 2022-01-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置用基板テーブル、および基板の装填方法 |
| CN112201728A (zh) * | 2020-10-09 | 2021-01-08 | 张言言 | 一种用于太阳能板加工的硅片排列机构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2908516B2 (ja) | 1999-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |