JPH05251544A

JPH05251544A - 搬送装置

Info

Publication number: JPH05251544A
Application number: JP4889892A
Authority: JP
Inventors: Koichi Nakagawa; 幸一中川; Nobuo Iijima; 宣夫飯島
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1992-03-05
Filing date: 1992-03-05
Publication date: 1993-09-28

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は真空吸着により被搬送部材を吸着して
搬送する搬送装置に関し、チャック跡の発生を防止する
ことを目的とする。【構成】ウェハー２３を真空チャック部２２にて吸着保
持して搬送処理を行う搬送装置において、上記真空チャ
ック部２２を、ウェハー２３と対向する位置に形成され
た複数の溝２５ａ〜２５ｅと、隣接した溝２５ａ〜２５
ｅ間を連通する通路２７ａ〜２７ｅと、溝２５ａ〜２５
ｅと連通された真空吸引口２４とにより構成すると共
に、真空チャック部２２内において真空度の強さが周辺
部より中心部に向けて徐々に大きくなるよう圧力勾配を
持たせた構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は搬送装置に係り、特に真
空吸着により被搬送部材を吸着して搬送する搬送装置に
関する。

【０００２】近年、半導体製造装置は自動化が図られて
おり、これに伴いウェハーを自動搬送する搬送装置も高
度化してきている。この搬送装置はウェハーを保持し搬
送処理を行うものであるが、ウェハーの保持手段として
は構造の簡単さ，保持の確実さ等により真空吸着により
ウェハーを保持する構成が一般的である。

【０００３】また、半導体装置の高集積化，微細化も近
年著しく進歩してきており、半導体製造工程においてウ
ェハーに付着する塵埃が半導体装置の歩留りに大きく影
響を及ぼすことが知られている。

【０００４】上記搬送装置はウェハーと直接接触するも
のである。従って、半導体装置の歩留りを向上させる面
より、ウェハーに塵埃が付着しないような搬送装置が望
まれている。

【０００５】

【従来の技術】図１１は、従来のウェハー搬送装置を設
けた半導体製造装置１の一例を示している。この半導体
製造装置１は、例えばＣＶＤ(Chemical Vapor Depositi
on) 装置である。図中、２〜４はリアクタでありであ
り、ウェハー５（一点鎖線で示す）に対して所定の加工
及び薄膜形成を行うものである。また、６，７はウェハ
ーカセットであり、６は加工前のウェハーが収納されて
おり、また７はリアクタ２〜４で処理されたウェハーが
収納される。このウェハーカセット６，７と各リアクタ
２〜４との間におけるウェハー５の搬送は、ウェハー搬
送装置８を用いて行われる。

【０００６】ウェハー搬送装置８はウェハー搬送チャッ
ク９を有しており、このウェハー搬送チャック９は駆動
機構（例えばロボット等）により回動しうる構成となっ
ている。また、その先端部には、図１３に拡大して示す
ように、ウェハー５を真空吸着により吸着するための真
空チャック部１０が形成されている。

【０００７】従来の真空チャック部１０は、ウェハー搬
送チャック９の先端近傍位置にウェハー５を真空吸着す
るための真空吸引口１１が設けられた構成とされてい
た。また従来の真空チャック部１０は、吸着後における
ウェハー５の移動（ずれ）を抑制する面よりウェハー５
を確実に保持することに重点が置かれた構造とされてお
り、従って真空吸引口１１近傍にウェハー５と当接する
吸着面１２のシール性を向上させるチャック部品を配設
し、これにより吸着力を増大させる構成とされていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記のように従来のウ
ェハー搬送装置８は、ウェハー５を強固にウェハー搬送
チャック９に吸着させることに重点が置かれた構造とさ
れていた。このため、ウェハー搬送チャック９に対する
ウェハー５の吸着力は増大し、これに伴いウェハー５と
吸着面１２の接触面積も増大する。

【０００９】一方において、吸着が行われるウェハー５
の背面は、電子回路が形成される表面に対して粗い面と
なってる。このため、ウェハー５がウェハー搬送チャッ
ク９に吸着された際、ウェハー５とウェハー搬送チャッ
ク９とが互いに擦れて発塵することが知られている。ま
た、ウェハー搬送装置８が据え付けられた環境内に存在
する大気には塵埃が存在する。

【００１０】よって、ウェハー搬送チャック９にウェハ
ー５が装着された際発生した塵埃は、ウェハー５と吸着
面１２とが強い吸着力により吸着されているため、ウェ
ハー５と吸着面１２との間に介在したままの状態とな
る。また、前記のようにウェハー５の背面がある程度の
粗面となっていること等に起因して、ウェハー５と吸着
面１２との間に形成される微細な間隙を通り、大気が真
空吸引口１１に向けて流れる。この際、大気に含まれる
塵埃も上記間隙を内に流入するが、塵埃はウェハー５と
吸着面１２との間隙が小さいためウェハー５と吸着面１
２との間に残存する。これらウェハー５から発生した塵
埃及び大気に含まれていた塵埃は、吸着時にウェハー５
の背面に付着して凸部を形成し、いわゆるチャック跡が
発生する。

【００１１】上記のように発生するチャック跡の一例を
図１２に示す。同図に矢印Ａで示す部分がチャック跡で
ある。このように凸状のチャック跡が発生すると、ウェ
ハー５の裏面の平坦性が損なわれ、例えば露光工程のス
テッパーでは局所フォーカス不良の原因となってしま
う。特に、近年のように高集積化が進み、４Ｍビット或
いは１６ＭビットのＤＲＡＭ（ダイナミック・メモリ）
等のように超微細加工が必要される半導体装置において
は、チャック跡により発生する局所フォーカス不良は半
導体装置の製造歩留りを著しく低下させることになる。

【００１２】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、チャック跡の発生を防止しうる搬送装置を提供す
ることを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題は、被搬送部材
を真空チャック部にて吸着保持して搬送処理を行う搬送
装置において、上記真空チャック部を、上記被搬送部材
と対向する位置に形成された複数の溝と、隣接した溝間
を連通する通路と、溝と連通された真空吸引口とにより
構成すると共に、上記真空チャック部内において真空度
の強さが周辺部より中心部に向けて徐々に大きくなるよ
う圧力勾配を持たせた構成としたことを特徴とする搬送
装置により解決することができる。

【００１４】また、上記真空チャック部を、上記通路の
大きさを調整することにより所定の圧力勾配を有する構
成とすることにより、また、上記真空チャック部に、上
記通路と大気とを連通し、この大気が真空チャック部内
に導入されるのを許容する大気導入部を設けることによ
り、更に、上記通路を、隣接する通路が相互に対向しな
い位置に形成することにより、より効果的に解決するこ
とができる。

【００１５】一方、上記課題は、被搬送部材を真空チャ
ック部にて吸着保持して搬送処理を行う搬送装置におい
て、上記真空チャック部を、上記被搬送部材が装着され
た状態において、真空チャック部の底面部と被搬送部材
とを離間させ微細な間隙を形成させるスペーサを設けた
構成とすると共に、上記真空チャック部内において真空
度の強さが周辺部より中心部に向けて徐々に大きくなる
よう圧力勾配を持たせた構成としたことを特徴とする搬
送装置により解決することができる。

【００１６】また、上記スペーサを、真空チャック部の
底面部上に形成された突起により構成することにより、
より効果的に解決することができる。

【００１７】

【作用】上記の構成では、溝或いはスペーサを設けて真
空チャック部と被搬送部材との間に間隙部を形成してい
るため、被搬送部材で発生した塵埃及び大気に含まれる
塵埃は真空チャック部と被搬送部材との間の間隙部内を
流れて真空吸引口に到り、この真空吸引口より排出され
る。

【００１８】また、被搬送部材が吸着される真空チャッ
ク部に中心に向け徐々に大となるよう真空度の圧力勾配
を設けることにより、真空チャック部の周辺部近傍位置
における吸引力は小さくなる。よって、間隙部内に外部
の塵埃を引き寄せる効果も小さくなるため、真空チャッ
ク部と被搬送部材との間に大気に含まれる塵埃が侵入す
る度合いを低減することができる。一方、真空チャック
部の中央近傍は真空度が高いため、被搬送部材から発し
た塵埃は真空吸引口内に吸引される。

【００１９】

【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。図１は本発明の第１実施例である搬送装置に設け
られるウェハー搬送チャック２０を示す斜視図、図２
（Ａ）はウェハー搬送チャック２０の平面図、図２
（Ｂ）は図２（Ａ）におけるＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。尚、搬送装置の他の構成は、先に図１１を用いて説
明したウェハー搬送装置８と同一構成とされているた
め、その図示及び説明は省略する。

【００２０】ウェハー搬送チャック２０は、ウェハー搬
送アーム２１と、このウェハー搬送アーム２１の先端近
傍位置でウェーハ２３と対向する部位に設けられた真空
チャック部２２とにより構成とされている。真空チャッ
ク部２２はウェハー２３を吸着する機能を奏するもので
あり、その中央位置には図示しない真空ポンプに接続さ
れた真空吸引口２４が形成されている。また真空チャッ
ク部２２には、真空吸引口２４を中心として同心円状に
複数の溝２５ａ〜２５ｅ（各溝を総称する時は溝２５と
示す）が形成されている。この溝２５ａ〜２５ｅの深さ
は、例えば0.05mm程度とされている。

【００２１】また、この複数の溝２５ａ〜２５ｅを形成
するために、真空チャック部２２には複数の環状突起２
６ａ〜２６ｅ（総称する時は環状突起２６という）が形
成されている。この環状突起２６ａ〜２６ｅには、隣接
した溝間を連通する通路２７ａ〜２７ｅ（総称する時は
通路２７という）が形成されている。尚、この通路２７
ａ〜２７ｅの内、最外周に形成されている環状突起２６
ｅに形成されている通路２７ｅは、後述するように大気
を真空チャック部２２内に導入するためのものであるた
め、以下の説明においてこの通路２７ｅを他の２７ａ〜
２７ｄと区別する必要がある場合は特に大気導入通路２
７ｅという。

【００２２】通路２７ａ〜２７ｅは、大略して真空吸引
口２４の中心において直交する直線上に形成されている
が、その形成位置は隣接する通路が相互に対向しないよ
うな位置に選定されている。一例を挙げれば通路２７ａ
と通路２７ｂは対向しておらず、通路２７ｂと通路２７
ｃも対向していない。即ち、各通路２７ａ〜２７ｅが一
列に列設されないよう構成されている。

【００２３】上記のように複数の溝２５ａ〜２５ｅ及び
通路２７ａ〜２７ｅを形成することにより、真空チャッ
ク部２２内には大気導入通路２７ｅから真空吸引口２４
に到る大気の流れる流路が形成される。また、通路２７
ａ〜２７ｅが隣接するもの同士が対向しないよう形成さ
れているため、この流路は複雑で流路抵抗の高い構成と
なっている。

【００２４】従って、真空吸引口２４における真空圧
は、中央に位置する溝２５ａにおいて最も高い圧力とな
り、外周に向かうにつれて上記流路抵抗により漸次低下
し、最外周に位置する溝２５ｅの圧力が最も低い圧力と
なる。即ち、真空チャック部２２内部における真空圧の
強さは、周辺部（外周部）より中心部に向けて徐々に大
きくなる圧力勾配を有した構成となる。

【００２５】図２（Ｃ）は、真空チャック部２２内部に
おける真空度の強さを同図（Ａ），（Ｂ）に示す真空チ
ャック部２２の構成に対応させて示した図である。同図
より、真空チャック部２２内部における真空度は、真空
吸引口２４が開口している溝２５ａが最も強く、外周に
向かい段階的に低くなる圧力勾配を有していることが判
る。尚、この圧力勾配は、各通路２７ａ〜２７ｅの大き
さや配設位置、及び各溝２５ａ〜２５ｅの深さ寸法等を
調整することにより任意に設定することができる。

【００２６】続いて、上記構成とされたウェハー搬送チ
ャック２０のウェハー２３が吸着された状態における動
作について以下説明する。

【００２７】図２（Ｂ）はウェハー２３が吸着された状
態における真空チャック部２２の断面を示している。同
図に示すように、真空チャック部２２に溝２５ａ〜２５
ｅを形成することにより、ウェハー２３の下部には間隙
が形成される。また前記のように、溝２５ａ〜２５ｅ及
び通路２７ａ〜２７ｅを形成することにより、大気導入
通路２７ｅと真空吸引口２４とは連通された構成となっ
ている。従って、真空吸引口２４で真空引きが行われる
と、大気導入通路２７ｅより大気が真空チャック部２２
に導入され、この導入された大気は溝２５ａ〜２５ｅ及
び通路２７ａ〜２７ｅにより構成される流路を通り真空
吸引口２４に到る。

【００２８】よって、ウェハー２３がウェハー搬送チャ
ック２０に吸着された際発生した塵埃、及び始めからウ
ェハー２３に付着していた塵埃は、この溝２５ａ〜２５
ｅ及び通路２７ａ〜２７ｅを流れる大気により除去され
真空吸引口２４より廃棄される。このように、本発明に
係るウェハー搬送チャック２０は、塵埃を除去する自浄
機能を有するため、ウェハー２３にチャック跡が発生す
るのを防止することができる。

【００２９】また前記したように、通路２７ａ〜２７ｅ
が隣接するもの同士が対向しないよう形成されることに
より複雑で流路抵抗の高い構成となっているため、真空
チャック部２２内の圧力勾配は、図２（Ｃ）に示すよう
に中心位置の真空圧が最も強く外周に向かい段階的に低
くなる圧力勾配を有している。このため、大気導入通路
２７ｅにおける大気の吸引力は比較的小さく、大気導入
通路２７ｅより真空チャック部２２内に取り込まれる大
気中に含まれる塵埃の量を低減できる。

【００３０】更に、図２（Ｃ）から明らかなように、隣
接する溝間における圧力差は小さいため、各通路２７ａ
〜２７ｅを流れる大気の流れは緩やかであり、この通路
２７ａ〜２７ｅに塵埃が集中してしまうようなこともな
い。よって、本発明に係るウェハー搬送チャック２０に
よれば、前記してきた各作用により、チャック跡の発生
は確実に防止されウェハー２３の背面は平坦化する。こ
のため、例えば後に実施される露光工程のステッパーに
おける局所フォーカス不良の発生を確実に防止でき、半
導体装置の歩留り及び信頼性を向上させることができ
る。

【００３１】一方、ウェハー搬送チャック２０がウェハ
ー２３をチャックする保持力（チャック力）に注目する
と、真空チャック部２２の外周部分は真空圧が低くチャ
ック力は弱いものの、真空チャック部２２の中央近傍部
分における真空圧は非常に高い圧力となっている。従っ
て、前記の圧力勾配を適宜設定することにより、ウェハ
ー２３は真空チャック部２２の主に中央近傍部分で確実
に保持されるため、塵埃の除去のために溝２５ａ〜２５
ｅを形成しても、ウェハー２３を確実にチャックするこ
とができる。

【００３２】図３及び図４はウェハー搬送チャック２０
の第１及び第２変形例を示す図である。図３に示す第１
変形例に係るウェハー搬送チャック２８は、放射状に並
ぶ通路３０の列が真空吸引口２４の中心において４本交
錯するようにした構造を有し、また図４に示す第２変形
例に係るウェハー搬送チャック２９は、放射状に並ぶ通
路３１の列が真空吸引口２４の中心において８本交錯す
るようにした構造を有している。尚、隣接するもの同士
が対向しないよう各通路３０，３１を形成したのは、図
１及び図２に示したウェハー搬送チャック２０と同様で
ある。

【００３３】図５は、前記した各ウェハー搬送チャック
２０，２８，２９を用いて実際にウェハー２３を吸着し
た際、ウェハー２３の背面にどれだけの塵埃が存在する
かを実験した結果を従来のものと比較しつつ示した図で
ある。また、図６は吸着後においてウェハーに塵埃が付
着している状態を示す図である。尚、図５では、吸着前
の塵埃の数，吸着処理後の塵埃の数，吸着による塵埃の
増加量を夫々ダストカウンタで計数した結果を示してい
る。また、発塵量の欄にあるＳは粒径が 0.2μｍ以下で
ある塵埃数を示しており、Ｍは粒径が 0.2μｍ〜 1.0μ
ｍの塵埃数を示しており、またＬは 1.0μｍ以上の塵埃
数を示している。

【００３４】また図５中、実施例１で示すのはウェハー
搬送チャック２０（図１，図２に示す）の実験結果であ
り、実施例２で示すのはウェハー搬送チャック２８（図
３で示す）の実験結果であり、実施例３で示すのはウェ
ハー搬送チャック２９（図４で示す）の実験結果であ
る。

【００３５】また、図６において、（Ａ−１），（Ａ−
２）で示すのはウェハー搬送チャック２０により吸着さ
れたウェハーであり、（Ｂ−１），（Ｂ−２）で示すの
はウェハー搬送チャック２８により吸着されたウェハー
であり、（Ｃ−１），（Ｃ−２）で示すのはウェハー搬
送チャック２９により吸着されたウェハーである。また
各図番において“−１”が付されているものは吸着前の
ウェハーであり、“−２”が付されているものは吸着後
のウェハーである。

【００３６】更に、図１２に示されるウェハー５の塵埃
の付着状態は、図５に従来例として示されるウェハーの
吸着後の状態を示している。

【００３７】各図から明らかなように、実施例１〜３は
従来例に比べて、吸着後における塵埃の増加量が極めて
少なくなっていることが判る。また、図６を見ると、同
図（Ａ−２）に若干のチャック跡らしきものが右上方に
見られるものの、図１２に示す従来例のものに比べると
非常に小さなものであり、露光工程等で影響が出るよう
なものではない。また、他の（Ｂ−２），（Ｃ−２）に
はチャック跡は存在していない。従って、図５及び図６
より、本発明に係るウェハー搬送チャック２０，２８，
２９によれば、チャック跡の発生を確実に防止できるこ
とが実証された。

【００３８】また実施例１〜３を比べると、本実験にお
いては実施例２が最も良好な値を示している。このよう
に、通路２７，３０，３１の構成を変化させることによ
り発塵量が変化するのは、真空チャック部２２内におけ
る圧力勾配が各実施例で異なることに起因するものと考
えられる。よって、ウェハー搬送チャックが使用される
環境に存在する塵埃の量及び大きさや、ウェハーから発
生する塵埃の量用及び大きさに応じて真空チャック部２
２内における圧力勾配を適宜設定することにより、塵埃
の除去効率を向上させることができると思われる。

【００３９】図７はウェハー搬送チャック２０の第３変
形例を示す図であり、図８はウェハー搬送チャック２０
の第４変形例を示す図である。図１及び図２を用いて説
明したウェハー搬送チャック２０は、大気を真空チャッ
ク部２２に導入するのに環状突起２６ｅに大気導入通路
２７ｅを形成した構成としたが、図７及び図８に示され
るウェハー搬送チャック３２，３３は、大気導入通路３
４〜３６がウェハー搬送アーム２１の側部或いは背面部
に開口するよう構成したことを特徴とするものである。

【００４０】前記したように、ウェーハ２３をウェハー
搬送チャック３２，３３に吸着する際多量の塵埃が発生
する。よって、ウェハー搬送チャック２０のように大気
導入通路２７ｅがウェーハ２３の近傍位置に開口してい
る構成では、この吸着により発生した多量の塵埃が真空
チャック部２２に取り込まれてしまうおそれがある。こ
れに対して、第３及び第４変形例に係るウェハー搬送チ
ャック３２，３３では、大気導入通路３４〜３６はウェ
ハー２３から離間した位置に配設され、大気はウェハー
搬送アーム２１の側部或いは背面部から取り込まれる構
成となるため、上記した大量の塵埃が真空チャック部２
２に取り込まれることを防止することができる。よっ
て、不要なチャック跡の発生を有効に防止することがで
きる。

【００４１】図９は本発明の第２実施例である搬送装置
に設けられるウェハー搬送チャック４０を示している。
尚、同図において、図１及び図２を用いて説明したウェ
ハー搬送チャック２０と対応する構成については同一符
号を付してその説明を省略する。

【００４２】本実施例に係るウェハー搬送チャック４０
は、真空チャック部４１の構成として真空チャック部４
１の底面部４２にスペーサとして機能する複数の突起４
３を形成したことを特徴とするものである。この突起４
３の底面部４２からの突出量は小さく形成されており、
従ってウェハー２３を吸着した際に底面部４２とウェハ
ー２３との間に形成される間隙４４も極めて薄くなるよ
う構成されている。

【００４３】上記構成とされた真空チャック部４１にお
いて、中央に形成されている真空吸引口２４が真空引き
を行うと、真空チャック部４１の外周部分より大気が間
隙４４内に流れ込み、真空吸引口２４に吸引される。即
ち、間隙４４は大気が流れる流路として機能する。ま
た、この大気の流路となる間隙４４は、前記のように非
常に薄いため、その流路抵抗は大きい。従って、真空チ
ャック部４１内にはこの流路抵抗に起因して圧力勾配が
発生し、真空吸引口２４に近い中央近傍位置においては
真空圧が高く、外周に向かうにつれて真空圧は低くな
る。

【００４４】よって、本実施例に係るウェハー搬送チャ
ック４０においても、ウェハー２３がウェハー搬送チャ
ック４０に吸着された際発生した塵埃及び始めからウェ
ハー２３に付着していた塵埃は、この間隙４４を流れる
大気により除去され真空吸引口２４より廃棄され、ウェ
ハー２３にチャック跡が発生するのを防止することがで
きる。

【００４５】また前記したように間隙４４の流路抵抗は
高く、これに起因して真空チャック部４１内には中心位
置の真空圧が最も強く外周に向かい低くなる圧力勾配が
発生しているため、外周部の大気が導入される部位にお
ける大気の吸引力は比較的小さく、真空チャック部４１
内に取り込まれる塵埃の量を低減できる。尚、上記
した各実施例では、大気導入通路２７ｅ，３４〜３６よ
り大気（空気）が導入される構成例について説明した
が、塵埃の促進を図るために不活性ガス導入口を真空チ
ャック部２２，４１の外周部近傍に設け、不活性ガスの
流れにより塵埃を除去する構成としてもよい。

【００４６】また本発明は、上記してきた搬送装置以外
にも適用可能な分野は有り、例えばバルブ機構にも適用
可能である。その一例を図１０に示す。同図において、
４５は被装着部材であり、バルブ本体４６に装着される
構成とされている。また、バルブ本体４６の中央部には
ゴム製のＯリング４７が配設されており気密シールとし
て機能している。またＯリング４７の外周位置には環状
の複数の溝４８及び通路４９が、また溝４８の所定位置
には真空吸引口５０が形成されている。このバルブ機構
では、真空吸引口５０から真空引きが行われると、被装
着部材４５はバルブ本体４６に吸着される。この構成に
おいて、溝４８，通路４９及び真空吸引口５０は本願発
明と共通するものであり、よってバルブ機構においても
本願発明を適用するこができる。

【００４７】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、溝或いはス
ペーサを設けて真空チャック部と被搬送部材との間に間
隙部を形成しているため、被搬送部材で発生した塵埃及
び大気に含まれる塵埃は真空チャック部と被搬送部材と
の間の間隙部内を流れて真空吸引口より排出されるた
め、塵埃の付着に起因したチャック跡の発生を防止で
き、また、被搬送部材が吸着される真空チャック部に中
心に向け徐々に大となるよう真空度の圧力勾配を設ける
ことにより、真空チャック部の周辺部近傍位置における
吸引力は小さくなり、間隙部内に外部の塵埃を引き寄せ
る効果も小さくなるため、真空チャック部と被搬送部材
との間に大気に含まれる塵埃が侵入する度合いを低減す
ることができる等の特徴を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を説明するための図であ
る。

【図２】本発明の第１実施例を説明するための図であ
る。

【図３】本発明の第１実施例に対する第１変形例を示す
図である。

【図４】本発明の第１実施例に対する第２変形例を示す
図である。

【図５】本発明の効果を示す実験結果を示す図である。

【図６】本発明の効果を示す実験結果を示す図である。

【図７】本発明の第１実施例に対する第３変形例を示す
図である。

【図８】本発明の第１実施例に対する第４変形例を示す
図である。

【図９】本発明の第２実施例を説明するための図であ
る。

【図１０】本発明をバルブ機構に適用した例を説明する
ための図である。

【図１１】搬送装置を設けた半導体製造装置の一例を示
す図である。

【図１２】従来発生していたチャック跡を説明するため
の図である。

【図１３】従来のウェハー搬送チャックの一例を示す図
である。

【符号の説明】

２０．２８．２９，３２，３３，４０ウェハー搬送チ
ャック２１ウェハー搬送アーム２２，４１真空チャック部２３ウェハー２４真空吸引口２５，２５ａ〜２５ｅ溝２６，２６ａ〜２６ｅ環状突起２７，２７ａ〜２７ｄ，３０，３１通路２７ｅ，３４〜３６大気導入通路４２底面部４３突起４４間隙

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被搬送部材（２３）を真空チャック部
（２２）にて吸着保持して搬送処理を行う搬送装置にお
いて、該真空チャック部（２２）を、該被搬送部材（２３）と
対向する位置に形成された複数の溝（２５，２５ａ〜２
５ｅ）と、隣接した該溝（２５，２５ａ〜２５ｅ）間を
連通する通路（２７，２７ａ〜２７ｅ，３０，３１，３
４〜３６）と、該溝（２５，２５ａ〜２５ｅ）と連通さ
れた真空吸引口（２４）とにより構成すると共に、該真空チャック部（２２）内において真空度の強さが周
辺部より中心部に向けて徐々に大きくなるよう圧力勾配
を持たせた構成としたことを特徴とする搬送装置。
【請求項２】該真空チャック部（２２）を、該通路
（２７，２７ａ〜２７ｅ，３０，３１，３４〜３６）の
大きさを調整することにより所定の圧力勾配を有する構
成としたことを特徴とする請求項１の搬送装置。
【請求項３】該真空チャック部（２２）に、該通路
（２７，２７ａ〜２７ｅ，３０，３１）と大気とを連通
し、該大気が該真空チャック部（２２）内に導入される
のを許容する大気導入部（２７ｅ，３４〜３６）を設け
たことを特徴とする請求項１または２のいずれか記載の
搬送装置。
【請求項４】該通路（２７，２７ａ〜２７ｅ，３０，
３１，３４〜３６）を、隣接する該通路（２７，２７ａ
〜２７ｅ，３０，３１，３４〜３６）が相互に対向しな
い位置に形成したことを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれか記載の搬送装置。
【請求項５】被搬送部材（２３）を真空チャック部
（４１）にて吸着保持して搬送処理を行う搬送装置にお
いて、該真空チャック部（４１）を、該被搬送部材（２３）が
装着された状態において、該真空チャック部（４１）の
底面部（４２）と該被搬送部材（２３）とを離間させ微
細な間隙（４４）を形成させるスペーサ（４３）を設け
た構成とすると共に、該真空チャック部（４１）内において真空度の強さが周
辺部より中心部に向けて徐々に大きくなるよう圧力勾配
を持たせた構成としたことを特徴とする搬送装置。
【請求項６】該スペーサを、該真空チャック部（４
１）の底面部（４２）上に形成された突起（４３）によ
り構成したことを特徴とする請求項５の搬送装置。