JPH03178121A - 半導体露光装置 - Google Patents
半導体露光装置Info
- Publication number
- JPH03178121A JPH03178121A JP1318359A JP31835989A JPH03178121A JP H03178121 A JPH03178121 A JP H03178121A JP 1318359 A JP1318359 A JP 1318359A JP 31835989 A JP31835989 A JP 31835989A JP H03178121 A JPH03178121 A JP H03178121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chuck
- station
- alignment station
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 81
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
自動露光処理におけるローデイ
改善に関し、
ングシステムの
チャッキング時におけるウェハーの平坦性を向上させる
ことを目的とし、 被露光ウェハーをウェハーキャリアからクリーニングス
テーションに搬送して、該クリーニングステーションに
設けたリング状ウェハーチャックに載置し、ウェハー裏
面の全面をブラッシングしながら異物を吸引して除去し
た後、前記リング状ウェハーチャックと同じ形状のリン
グ状ウェハーチャックを備えたプレアライメントステー
シヨンを経てアライメントステーションに搬送するよう
に構成する。
ことを目的とし、 被露光ウェハーをウェハーキャリアからクリーニングス
テーションに搬送して、該クリーニングステーションに
設けたリング状ウェハーチャックに載置し、ウェハー裏
面の全面をブラッシングしながら異物を吸引して除去し
た後、前記リング状ウェハーチャックと同じ形状のリン
グ状ウェハーチャックを備えたプレアライメントステー
シヨンを経てアライメントステーションに搬送するよう
に構成する。
本発明は半導体露光装置に係り、特に自動露光処理にお
けるローディングシステムの改善に関する。
けるローディングシステムの改善に関する。
リソグラフィ技術において光露光装置や電子ビーム露光
装置などの半導体露光装置が自動化されており、そのよ
うな自動露光ローディングシステムにおけるウェハー裏
面のクリーニング（清浄化処理）に関している。
装置などの半導体露光装置が自動化されており、そのよ
うな自動露光ローディングシステムにおけるウェハー裏
面のクリーニング（清浄化処理）に関している。
ウェハープロセスにおいてはりソグラフィ技術が再三繰
り返して使用されており、そのようなりソグラフィ技術
に適用する半導体露光装置においては、ウェハーキャリ
アからウェハーをローディング（ｌｏａｄｉｎｇ） シ
たり、また、アンローディング（ｕｎｌｏａｄｉｎｇ）
シたりする動作はすべて自動的におこなわれている。
り返して使用されており、そのようなりソグラフィ技術
に適用する半導体露光装置においては、ウェハーキャリ
アからウェハーをローディング（ｌｏａｄｉｎｇ） シ
たり、また、アンローディング（ｕｎｌｏａｄｉｎｇ）
シたりする動作はすべて自動的におこなわれている。
第４図は従来のローディング方式図を示しており、記号
１はウェハー、２はアライメントステーション、３はプ
レアライメントステーション、４はウェハーキャリアで
ある。即ち、従来のローディング方式においては、ウェ
ハー１をウェハーキャリア４からプレアライメントステ
ーション３に搬送して、ウェハーチャック１０ （第５
図参照；図示せず）上に載置し、ウェハーのＯＦ（オリ
エンテーションフラット）ラインを概ねの正位置に載置
した後、更に搬送してアライメントステーション２のウ
ェハーチャック１０（第５図参照；上記と同じ形状）上
に載置している。そのアライメントステーション２は露
光位置であって、アライメントステーション２上でウェ
ハーチャック１０にチャッキングしてｘ、ｙ、 θ（
回転）方向に細かく位置合わせした後に露光をおこなっ
ている。
１はウェハー、２はアライメントステーション、３はプ
レアライメントステーション、４はウェハーキャリアで
ある。即ち、従来のローディング方式においては、ウェ
ハー１をウェハーキャリア４からプレアライメントステ
ーション３に搬送して、ウェハーチャック１０ （第５
図参照；図示せず）上に載置し、ウェハーのＯＦ（オリ
エンテーションフラット）ラインを概ねの正位置に載置
した後、更に搬送してアライメントステーション２のウ
ェハーチャック１０（第５図参照；上記と同じ形状）上
に載置している。そのアライメントステーション２は露
光位置であって、アライメントステーション２上でウェ
ハーチャック１０にチャッキングしてｘ、ｙ、 θ（
回転）方向に細かく位置合わせした後に露光をおこなっ
ている。
第５図は各ステーションで用いる従来のウェハーチャッ
クの斜視図を示しており、そのウェハーチャック１０は
ウェハーとほぼ同一形状の円盤形状で、表面に多数形成
した吸引孔工１から真空吸引し、例えば裏面より排気し
てウェハー（図示せず）をチャック面上に堅くチャッキ
ング（把持）している。
クの斜視図を示しており、そのウェハーチャック１０は
ウェハーとほぼ同一形状の円盤形状で、表面に多数形成
した吸引孔工１から真空吸引し、例えば裏面より排気し
てウェハー（図示せず）をチャック面上に堅くチャッキ
ング（把持）している。
ところが、通常、自動露光システムにおける各ステーシ
ョンのウェハーチャックは、第５図に示すように、ウェ
ハーとほぼ同一面積を有してほぼ全面をチャッキングす
る真空チャックであるから、チャフキングするウェハ−
１裏面やウェハーチャック１０面に異物が付着している
と、ウェハーの平坦性が害され、ウェハーが湾曲したり
、傾斜したりしてチャッキングされ、そのために誤差が
生じて精度良く露光できないという欠点がある。
ョンのウェハーチャックは、第５図に示すように、ウェ
ハーとほぼ同一面積を有してほぼ全面をチャッキングす
る真空チャックであるから、チャフキングするウェハ−
１裏面やウェハーチャック１０面に異物が付着している
と、ウェハーの平坦性が害され、ウェハーが湾曲したり
、傾斜したりしてチャッキングされ、そのために誤差が
生じて精度良く露光できないという欠点がある。
特に、最近はサブ【クロン級の微細パターンが増大して
いるために、その平坦性が若干でも低下すると、それに
よる悪影響が生じてＬＳＩなどの半導体装置の品質１歩
留を低下する原因になってく る。
いるために、その平坦性が若干でも低下すると、それに
よる悪影響が生じてＬＳＩなどの半導体装置の品質１歩
留を低下する原因になってく る。
本発明はこのような問題点を低減させて、チャフキング
時におけるウェハーの平坦性を向上させることを目的と
した半導体露光装置を提案するものである。
時におけるウェハーの平坦性を向上させることを目的と
した半導体露光装置を提案するものである。
その課題は、被露光ウェハーをウェハーキャリアからク
リーニングステーションに搬送して、該クリーニングス
テーションに設けたリング状ウェハーチャックに載置し
、ウェハー裏面の全面をブラッシングしながら異物を吸
引して除去した後、同一リング状ウェハーチャックを備
えたプレアライメントステーションを経てアライメント
ステーションに搬送するように構成されている半導体露
光装置によって解決される。
リーニングステーションに搬送して、該クリーニングス
テーションに設けたリング状ウェハーチャックに載置し
、ウェハー裏面の全面をブラッシングしながら異物を吸
引して除去した後、同一リング状ウェハーチャックを備
えたプレアライメントステーションを経てアライメント
ステーションに搬送するように構成されている半導体露
光装置によって解決される。
即ち、本発明にかかるローディング方式は、クリーニン
グステーションを新たに設けて、それ以降のステーショ
ンにはリング状ウェハーチャックを配置する。
グステーションを新たに設けて、それ以降のステーショ
ンにはリング状ウェハーチャックを配置する。
そうすれば、ウェハー裏面の異物が除去されて、アライ
メントステーション上に平坦性良くウェハーを載置する
ことができ、精度良く露光してパターンニングできる。
メントステーション上に平坦性良くウェハーを載置する
ことができ、精度良く露光してパターンニングできる。
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるローディング方式図を示し、記
号１はウェハー、２はアライメントステ−シラン、３は
プレアライメントステーション。
号１はウェハー、２はアライメントステ−シラン、３は
プレアライメントステーション。
４はウェハーキャリア、５はクリーニングステーション
である。本発明にかかるローディング方式は、ウェハー
１をウェハーキャリア４から最初にクリーニングステー
ション５に搬送する。搬送方法は例えば、アームによっ
てウェハー周縁を吸着する方法、または、ウェハー周縁
を把持する方法を採るが、その搬送方法には他のエヤー
シュートや裏面チャッキングなどの方法も考えられる。
である。本発明にかかるローディング方式は、ウェハー
１をウェハーキャリア４から最初にクリーニングステー
ション５に搬送する。搬送方法は例えば、アームによっ
てウェハー周縁を吸着する方法、または、ウェハー周縁
を把持する方法を採るが、その搬送方法には他のエヤー
シュートや裏面チャッキングなどの方法も考えられる。
ウェハーがウェハーキャリア４から搬送されたクリーニ
ングステーション５ではリング状ウェハーチャック２０
（第３図参照）に把持させて、ウェハ−１裏面をブラッ
シングしながら異物を吸引して除去する（詳しくは第２
図により後記する）。
ングステーション５ではリング状ウェハーチャック２０
（第３図参照）に把持させて、ウェハ−１裏面をブラッ
シングしながら異物を吸引して除去する（詳しくは第２
図により後記する）。
次に、同一のリング状ウェハーチャック２０（第３図参
照）を設けたプレアライメントステーション３に搬送し
て、ウェハーチャック２０（第３図参照）上に載置し、
ウェハーのＯＦ（オリエンテーションフラット）ライン
を凡その位置に位置合わせした後、更に、搬送してアラ
イメントステーション２のウェハーチャック２０に載置
する。このアライメントステーション２は露光位置であ
り、アライメントステーション２上でウェハーチャック
にチャッキングしてｘ、ｙ、 θ（回転）方向に微細
に位置合わせした後に露光をおこなう。
照）を設けたプレアライメントステーション３に搬送し
て、ウェハーチャック２０（第３図参照）上に載置し、
ウェハーのＯＦ（オリエンテーションフラット）ライン
を凡その位置に位置合わせした後、更に、搬送してアラ
イメントステーション２のウェハーチャック２０に載置
する。このアライメントステーション２は露光位置であ
り、アライメントステーション２上でウェハーチャック
にチャッキングしてｘ、ｙ、 θ（回転）方向に微細
に位置合わせした後に露光をおこなう。
第２図はクリーニングステーション５における本発明に
かかるクリーニングを説明する図であり、同図（ａ）は
斜視図、同図（ｂ）はそのＡＡ断面図である。
かかるクリーニングを説明する図であり、同図（ａ）は
斜視図、同図（ｂ）はそのＡＡ断面図である。
図中の記号１はウェハー、２０はリング状ウェハーチャ
ック、２１はその吸引孔、２２はウェハーチャックを回
転させるためにチャック周囲に圧着させた回転プーリー
、２３はウェハーチャックを回転プーリーに圧着させて
固定するための固定ピン、２４はウェハーチャックが自
由に回転できるようにした真空吸引のためのゴムパイプ
、２５はウェハー裏面をブラッシングするためのブラシ
、２６はブラシの真空排気口、２７はナイロンなどから
なるブラシ毛である。このように、リング状ウェハーチ
ャック２０に把持させたウェハー１の裏面をブラシ２５
に林立させたブラシ毛２７によってブラッシングしなが
ら真空排気する。そのために、リング状ウェハーチャッ
ク２０は回転プーリー２２によって半回転ずつ左右に反
復回転させる。そうすると、ウェハ−１裏面の異物がブ
ラシ２５のブラッシングによって除去され吸引されて真
空排気口２６から排出される。
ック、２１はその吸引孔、２２はウェハーチャックを回
転させるためにチャック周囲に圧着させた回転プーリー
、２３はウェハーチャックを回転プーリーに圧着させて
固定するための固定ピン、２４はウェハーチャックが自
由に回転できるようにした真空吸引のためのゴムパイプ
、２５はウェハー裏面をブラッシングするためのブラシ
、２６はブラシの真空排気口、２７はナイロンなどから
なるブラシ毛である。このように、リング状ウェハーチ
ャック２０に把持させたウェハー１の裏面をブラシ２５
に林立させたブラシ毛２７によってブラッシングしなが
ら真空排気する。そのために、リング状ウェハーチャッ
ク２０は回転プーリー２２によって半回転ずつ左右に反
復回転させる。そうすると、ウェハ−１裏面の異物がブ
ラシ２５のブラッシングによって除去され吸引されて真
空排気口２６から排出される。
この状態を３０秒程度保持すれば良いが、その時間はア
ライメントステーション２における位置合わせ、露光処
理の待ち時間に合うようにおこなうことが望ましい。
ライメントステーション２における位置合わせ、露光処
理の待ち時間に合うようにおこなうことが望ましい。
次に、第３図はその各ステーションで用いるリング状ウ
ェハーチャックの斜視図を示しており、リング状ウェハ
ーチャック２０は外形がウェハーとほぼ同一のリング形
状であって、表面に多数設けた吸引孔２１から真空吸引
して、例えば側方から排気する。且つ、このウェハーチ
ャック２０は左右に半回転できるように構威し、例えば
、真空吸引のためのゴムパイプに余裕をもたせておく。
ェハーチャックの斜視図を示しており、リング状ウェハ
ーチャック２０は外形がウェハーとほぼ同一のリング形
状であって、表面に多数設けた吸引孔２１から真空吸引
して、例えば側方から排気する。且つ、このウェハーチ
ャック２０は左右に半回転できるように構威し、例えば
、真空吸引のためのゴムパイプに余裕をもたせておく。
このようなリング状ウェハーチャック２０はクリーニン
グステージジン５のみならず、プレアライメントステー
ション３やアライメントステーション２にも配置するも
のである。
グステージジン５のみならず、プレアライメントステー
ション３やアライメントステーション２にも配置するも
のである。
上記のような本発明にかかるローディング方式を採れば
ウェハー裏面の異物が除去され、アライメントステーシ
ラン上に平坦性良くウエノ１−を載置することができ、
精度良く露光してパターン不良率できる。実施結果によ
れば、パターン不良率は従来の１０％から本発明では６
％程度に減少して改善される。また、ＩＣの線パターン
が再現性良く形成されて素子特性が安定した。
ウェハー裏面の異物が除去され、アライメントステーシ
ラン上に平坦性良くウエノ１−を載置することができ、
精度良く露光してパターン不良率できる。実施結果によ
れば、パターン不良率は従来の１０％から本発明では６
％程度に減少して改善される。また、ＩＣの線パターン
が再現性良く形成されて素子特性が安定した。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる半導体
露光装置によれば、ローディング方式のクリーニングス
テーションにおいてウェハー裏面の異物が除去され、且
つ、以降のステーションにもリング状ウェハーチャック
を用いるために、もし異物が残ったり新たに異物が付着
してもウェハーチャック上の平坦性が害されることなく
、従って、精度良く露光できて高精度パターンの形成。
露光装置によれば、ローディング方式のクリーニングス
テーションにおいてウェハー裏面の異物が除去され、且
つ、以降のステーションにもリング状ウェハーチャック
を用いるために、もし異物が残ったり新たに異物が付着
してもウェハーチャック上の平坦性が害されることなく
、従って、精度良く露光できて高精度パターンの形成。
パターンの再現性が良くなり、ＬＳＩなどの半導体装置
の品質２歩留の改善に顕著な効果が得られるものである
。
の品質２歩留の改善に顕著な効果が得られるものである
。
第１図は本発明にかかるローディング方式図、第２図は
本発明にかかるクリーニングを説明する図、 第３図は本発明にかかるリング状ウェハーチャックの斜
視図、 第４図は従来のローディング方式図、 第５図は従来のウェハーチャックの斜視図である。 図において、 ■はウェハー ２はアライメントステーション、 ３はプレアライメントステーション、 ４はウェハーキャリア、 ５はクリーニングステーシラン、 ２０はリング状ウェハーチャック、 ２１は吸引孔、 ２２は回転プーリー２３は固
定ピン、 ２５はブラシ、 ２７はブラシ毛 を示している。 ２４はゴムパイプ、 ２６は真空排気口、
本発明にかかるクリーニングを説明する図、 第３図は本発明にかかるリング状ウェハーチャックの斜
視図、 第４図は従来のローディング方式図、 第５図は従来のウェハーチャックの斜視図である。 図において、 ■はウェハー ２はアライメントステーション、 ３はプレアライメントステーション、 ４はウェハーキャリア、 ５はクリーニングステーシラン、 ２０はリング状ウェハーチャック、 ２１は吸引孔、 ２２は回転プーリー２３は固
定ピン、 ２５はブラシ、 ２７はブラシ毛 を示している。 ２４はゴムパイプ、 ２６は真空排気口、
Claims (1)
- 被露光ウェハーをウェハーキャリアからクリーニングス
テーションに搬送して、該クリーニングステーションに
設けたリング状ウェハーチャックに載置し、ウェハー裏
面の全面をブラッシングしながら異物を吸引して除去し
た後、前記リング状ウェハーチャックと同じ形状のリン
グ状ウェハーチャックを備えたプレアライメントステー
シヨンを経てアライメントステーションに搬送するよう
に構成されてなることを特徴とする半導体露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318359A JPH03178121A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 半導体露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318359A JPH03178121A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 半導体露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03178121A true JPH03178121A (ja) | 1991-08-02 |
Family
ID=18098272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1318359A Pending JPH03178121A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | 半導体露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03178121A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5349978A (en) * | 1992-06-04 | 1994-09-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Cleaning device for cleaning planar workpiece |
| US6481447B1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-11-19 | Lam Research Corporation | Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same |
-
1989
- 1989-12-06 JP JP1318359A patent/JPH03178121A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5349978A (en) * | 1992-06-04 | 1994-09-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Cleaning device for cleaning planar workpiece |
| US6481447B1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-11-19 | Lam Research Corporation | Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8166985B2 (en) | Substrate cleaning and processing apparatus with magnetically controlled spin chuck holding pins | |
| US20080045017A1 (en) | Semiconductor Wafer Handler | |
| KR101988096B1 (ko) | 기판 세정 장치, 기판 처리 장치, 기판 세정 방법 및 기판 처리 방법 | |
| JP2002373870A (ja) | 半導体ウエーハの加工方法 | |
| JPH05251544A (ja) | 搬送装置 | |
| JPH05283512A (ja) | ウエハ用真空チャックとこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH03178121A (ja) | 半導体露光装置 | |
| JPH03256677A (ja) | 薄片吸着保持装置 | |
| JPS63137448A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JPH02197126A (ja) | 枚葉式半導体基板両面洗浄装置 | |
| JPH05160102A (ja) | スピンナ及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2000156391A (ja) | 半導体ウェーハ検査装置 | |
| JP4300067B2 (ja) | 基板搬送装置、基板搬送方法、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| KR100583942B1 (ko) | 양면 가공용 웨이퍼의 고정 장치 | |
| JP3164739B2 (ja) | 塗布膜形成方法及びその装置 | |
| JPH11195690A (ja) | ウエーハ移載装置 | |
| JPS6226814A (ja) | 露光装置 | |
| JP3427111B2 (ja) | 半導体製造装置、および、液晶表示素子製造用装置 | |
| JPH10107117A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH07142348A (ja) | 露光装置 | |
| JPH05299332A (ja) | 半導体ウェハのレジスト塗布方法及び吸着治具 | |
| CN117995773A (zh) | 晶圆切割方法及晶粒 | |
| JPH036038A (ja) | 半導体ウェーハ搬送装置 | |
| JPH0424915A (ja) | 搬送装置 | |
| JP2011023708A (ja) | ウェーハ保持装置およびウェーハ処理装置 |