JP2012099787A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱処理プレート60の基板載置面と基板の裏面との間に第1の隙間距離をとるための伸縮自在な弾性部材からなる複数の第1の載置支持部材64と、基板載置面と基板の裏面との間に前記第1の隙間距離よりも小さい隙間距離となる第2の隙間距離を設けるための複数の第2の載置支持部材62と、熱処理プレート60の基板載置面に設けられ前記基板の裏面との隙間の空間を吸引するための複数の吸引孔63と、を備えて、前記吸引孔により第1の載置支持部材64上に支持された基板を吸引することで第1の載置支持部材64を収縮させて第2の載置支持部材62に基板を支持させる。
【選択図】 図6
Description
の位置に基板を支持させて空気の圧縮時に生じる横滑りを無くした後に吸引を行うことで、第1の載置支持部材を収縮させて基板の位置ずれを起こさない状態で基板を熱処理プレート側に吸着させて熱処理することができる。横滑りによる位置ずれを起こさないので適正な熱処理が可能であり、熱処理後に基板を塗布現像装置内の搬送装置に受け渡す場合に受け取りミスを起こすことがない。
の位置に基板を支持させて空気の圧縮時に生じる横滑りを無くした後に基板を第1の載置支持部材に支持させることで反発作用を含みながらゆっくりと沈降してプロキシミティスペーサ(第2の載置支持部材)に基板を着座させることで、第1の載置支持部材を収縮させて基板の位置ずれを起こさない状態で基板を熱処理プレート側に載置させて熱処理することができる。横滑りによる位置ずれを起こさないので適正な熱処理が可能であり、熱処理後に基板を塗布現像装置内の搬送装置に受け渡す場合に受け取りミスを起こすことがない。
k=P/δ…(1)で表される。
δ=L1−L2=0.6−0.1=0.5(mm)…(3)であるので、
(1),(2),(3)式より、ばね定数(k)は、
k=11.94/0.5=23.88(gf/mm)
=23.88×9.8=234.02(mN/mm)となる。
U5,U6 棚ユニット
50 熱処理装置
51 移動プレート(熱処理プレート)
52 熱処理プレート
53 3ピン
A4 搬送アーム
60 クーリングプレート(熱処理プレート)
61 切欠き部
62 第2の載置支持部材(プロキシミティスペーサ)
63 吸引孔
64 第1の載置支持部材
65 抜け防止部材
66 支持部挿入孔
67 コイルばね(弾性部材)
67A,67B,67C ゴム部材(弾性部材)
67D,67E,67F スポンジ状部材(弾性部材)
68 硬質部材
69 吸引路
Claims (14)
- 基板を載置して加熱処理または冷却処理するための熱処理プレートと、
前記熱処理プレートの基板載置面と前記基板の裏面との間に第1の隙間距離を設けるための全体もしくは一部が伸縮自在な弾性部材を含む複数の第1の載置支持部材と、
前記基板載置面と前記基板の裏面との間に前記第1の隙間距離よりも小さい隙間距離となる第2の隙間距離を設けるための複数の第2の載置支持部材と、
前記熱処理プレートの基板載置面に設けられ前記基板の裏面との隙間の空間を吸引するための複数の吸引孔と、を備え、
一つの前記第1の載置支持部材を中心とした近傍には少なくとも一つの前記吸引孔と前記第2の支持部材とを配置し、前記吸引孔により前記第1の載置支持部材上に支持された前記基板を吸引することで、前記第1の載置支持部材を収縮させて前記第2の載置支持部材に前記基板を支持させる、ことを特徴とする熱処理装置。 - 基板を載置して加熱処理または冷却処理するための熱処理プレートと、
前記熱処理プレートの基板載置面と前記基板の裏面との間に第1の隙間距離を設けるための全体もしくは一部が伸縮自在な弾性部材を含む複数の第1の載置支持部材と、
前記基板載置面と前記基板の裏面との間に前記第1の隙間距離よりも小さい隙間距離となる第2の隙間距離を設けるための複数の第2の載置支持部材と、
前記熱処理プレートの基板載置面に設けられ前記基板の裏面との隙間の空間を吸引するための複数の吸引孔と、を備え、
前記第1の載置支持部材の弾性部材は、コイルばねで構成され、前記基板の自重に対してコイルばねが反発するばね定数を小さく設定し、基板を前記第1の載置支持部材に支持させることで反発作用を含みながらゆっくりと沈降して前記第2の載置支持部材に着座させ、
一つの前記第1の載置支持部材を中心とした近傍には少なくとも一つの前記吸引孔と前記第2の支持部材とを配置し、前記吸引孔により前記第1の載置支持部材上に支持された前記基板を吸引することで、前記第1の載置支持部材を収縮させて前記第2の載置支持部材に前記基板を支持させる、ことを特徴とする熱処理装置。 - 前記第1の載置支持部材と前記第2の載置支持部材との間には、前記吸引孔が設けられている、ことを特徴とする請求項1または2に記載の熱処理装置。
- 前記第2の載置支持部材と前記吸引孔との間には、前記第1の載置支持部材が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の熱処理装置。
- 前記弾性部材は、ゴム部材またはスポンジ状部材またはばね部材のいずれかである、ことを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記第1の載置支持部材は、前記弾性部材と硬質部材とを組み合わせて構成されている、ことを特徴とする請求項1または2に記載の熱処理装置。
- 前記硬質部材は、合成樹脂またはセラミックスである、ことを特徴とする請求項6に記載の熱処理装置。
- 前記第1の載置支持部材は、底部に螺合係止部を組み合わせて前記熱処理プレートに対して螺合係止される、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の熱処理装置。
- 前記熱処理プレートは、前記第1の載置支持部材と前記第2の載置支持部材と前記吸引孔を一つの組み合わせとしたときに、前記組み合わせが前記熱処理プレートに載置された基板の周縁に位置するように設けられている、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の熱処理装置。
- 前記熱処理プレートは、前記第1の載置支持部材と前記第2の載置支持部材と前記吸引孔を一つの組み合わせとしたときに、前記組み合わせが前記熱処理プレートに載置された基板の中央近傍に位置するように設けられていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の熱処理装置。
- 基板に加熱処理または冷却処理を施す熱処理装置の熱処理工程において、
基板を加熱処理または冷却処理するための熱処理プレートに載置する工程と、
前記熱処理プレートに伸縮自在の第1の載置支持部材を備え、前記載置する工程中に前記熱処理プレートの基板載置面と前記基板の裏面との間に所定の第1の隙間距離を設ける工程と、
前記第1の隙間距離を設けられた空間を前記熱処理プレートの基板載置面の設けられた吸引孔により吸引する吸引工程と、
前記吸引工程の吸引により引き寄せられる前記基板の押圧で前記第1の載置支持部材を収縮させる工程と、
前記加熱処理プレートに設けられる第2の載置支持部材に前記基板を当接させる工程と、を有し、
前記基板は、前記第2の載置支持部材に基板を当接した状態で熱処理されることを特徴とする熱処理方法。 - 前記吸引工程は、前記第1の載置支持部材に基板が当接する前から吸引を開始することを特徴とする請求項11に記載の熱処理方法。
- 基板に加熱処理または冷却処理を施す熱処理装置の熱処理工程において、
基板を加熱処理または冷却処理するための熱処理プレートに載置する工程と、
前記熱処理プレートに、コイルばねで構成され、前記基板の自重に対してコイルばねが反発するばね定数を小さく設定した伸縮自在の第1の載置支持部材を備え、前記載置する工程中に前記基板を前記第1の載置支持部材に支持させることで反発作用を含みながらゆっくりと沈降して前記第2の載置支持部材に前記基板を着座させる工程と、
前記熱処理プレートの基板載置面と前記第1の載置支持部材に支持された基板の裏面との間に設けられた空間を前記熱処理プレートの基板載置面に設けられた吸引孔により吸引する吸引工程と、を有し、
前記基板は、前記第2の載置支持部材に基板を当接した状態で熱処理される、ことを特徴とする熱処理方法。 - 前記吸引工程は、基板が前記第2の載置支持部材に着座する前から吸引を開始することを特徴とする請求項13に記載の熱処理方法。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140117294A (ko) | 2013-03-26 | 2014-10-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반송 장치 제어 시스템 및 반송 장치의 액세스 위치를 조정하는 방법 |
JP2016186962A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理における異常検出方法及び読み取り可能なコンピュータ記憶媒体 |
WO2018061108A1 (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板冷却ユニットおよび半導体装置の製造方法 |
KR20180124204A (ko) * | 2017-05-10 | 2018-11-21 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 부재, 버퍼 유닛, 그리고 기판 처리 장치 |
JP2019075443A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | 株式会社サカエ | 熱処理装置及びこれに用いられる被処理材の支持部品 |
KR20210001201A (ko) * | 2019-06-27 | 2021-01-06 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20210017221A (ko) * | 2019-08-07 | 2021-02-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP2021072450A (ja) * | 2019-10-31 | 2021-05-06 | セメス カンパニー,リミテッド | 支持ユニット、これを含む基板処理装置、及びこれを利用する基板処理方法 |
KR20210054095A (ko) * | 2019-11-04 | 2021-05-13 | 세메스 주식회사 | 공정챔버 |
CN113832452A (zh) * | 2016-07-22 | 2021-12-24 | 朗姆研究公司 | 晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6084479B2 (ja) * | 2013-02-18 | 2017-02-22 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法、熱処理装置およびサセプター |
US10312127B2 (en) * | 2013-09-16 | 2019-06-04 | Applied Materials, Inc. | Compliant robot blade for defect reduction |
JP6107742B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 |
US10192770B2 (en) * | 2014-10-03 | 2019-01-29 | Applied Materials, Inc. | Spring-loaded pins for susceptor assembly and processing methods using same |
JP2017157746A (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
KR101770221B1 (ko) * | 2016-05-03 | 2017-08-22 | (주)에스티아이 | 기판지지장치 |
US20190279887A1 (en) * | 2018-03-07 | 2019-09-12 | Kuo Yang Ma | Vapor reduction device for a semiconductor wafer |
JP7093693B2 (ja) * | 2018-07-13 | 2022-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び基板滑り検出方法 |
US11177146B2 (en) * | 2019-10-31 | 2021-11-16 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
KR102514452B1 (ko) | 2020-09-29 | 2023-03-30 | 세메스 주식회사 | 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0414239A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Canon Inc | 真空吸着式ウエハ保持装置 |
JPH0584682A (ja) * | 1991-03-29 | 1993-04-06 | Hitachi Ltd | 真空チヤツク装置 |
JPH0677231U (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
JPH0679140U (ja) * | 1993-04-09 | 1994-11-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
JPH10284360A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Hitachi Ltd | 基板温度制御装置及び方法 |
JPH11214486A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Komatsu Ltd | 基板処理装置 |
JP2003166785A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 乾燥装置 |
JP2004228453A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2132291A (en) * | 1938-02-04 | 1938-10-04 | Fitos Miklos | Spring seat |
JP2007158077A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置 |
JP4666496B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2011-04-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
JP4899879B2 (ja) * | 2007-01-17 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP4950786B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2012-06-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TW200923219A (en) * | 2007-11-16 | 2009-06-01 | Fivetech Technology Inc | Method for assembling sleeve screw |
US8652260B2 (en) * | 2008-08-08 | 2014-02-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for holding semiconductor wafers |
-
2011
- 2011-06-02 JP JP2011123952A patent/JP5542743B2/ja active Active
- 2011-08-18 TW TW100129588A patent/TW201222673A/zh unknown
- 2011-08-24 KR KR1020110084531A patent/KR20120036258A/ko active Search and Examination
- 2011-09-23 US US13/241,848 patent/US20120088203A1/en not_active Abandoned
- 2011-09-30 CN CN201110306096.0A patent/CN102446801B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0414239A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Canon Inc | 真空吸着式ウエハ保持装置 |
JPH0584682A (ja) * | 1991-03-29 | 1993-04-06 | Hitachi Ltd | 真空チヤツク装置 |
JPH0677231U (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
JPH0679140U (ja) * | 1993-04-09 | 1994-11-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板熱処理装置 |
JPH10284360A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Hitachi Ltd | 基板温度制御装置及び方法 |
JPH11214486A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Komatsu Ltd | 基板処理装置 |
JP2003166785A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 乾燥装置 |
JP2004228453A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140117294A (ko) | 2013-03-26 | 2014-10-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반송 장치 제어 시스템 및 반송 장치의 액세스 위치를 조정하는 방법 |
JP2016186962A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、熱処理における異常検出方法及び読み取り可能なコンピュータ記憶媒体 |
TWI643246B (zh) * | 2015-03-27 | 2018-12-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | Heat treatment device, abnormality detection method in heat treatment, and readable computer memory medium |
CN113832452A (zh) * | 2016-07-22 | 2021-12-24 | 朗姆研究公司 | 晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性 |
JP7457756B2 (ja) | 2016-07-22 | 2024-03-28 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハエッジにおける方位角方向の厚さの均一性を向上させるためのポケット内ウエハのセンタリング |
JP2022137282A (ja) * | 2016-07-22 | 2022-09-21 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハエッジにおける方位角方向の厚さの均一性を向上させるためのポケット内ウエハのセンタリング |
JPWO2018061108A1 (ja) * | 2016-09-28 | 2019-01-31 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板冷却ユニットおよび半導体装置の製造方法 |
WO2018061108A1 (ja) * | 2016-09-28 | 2018-04-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板冷却ユニットおよび半導体装置の製造方法 |
KR20180124204A (ko) * | 2017-05-10 | 2018-11-21 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 부재, 버퍼 유닛, 그리고 기판 처리 장치 |
KR102046869B1 (ko) * | 2017-05-10 | 2019-11-21 | 세메스 주식회사 | 기판 지지 부재, 버퍼 유닛, 그리고 기판 처리 장치 |
JP2019075443A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | 株式会社サカエ | 熱処理装置及びこれに用いられる被処理材の支持部品 |
US11320752B2 (en) | 2019-06-27 | 2022-05-03 | Semes Co., Ltd. | Supporting unit and substrate processing apparatus including the same |
KR102263713B1 (ko) * | 2019-06-27 | 2021-06-10 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
JP2021007147A (ja) * | 2019-06-27 | 2021-01-21 | セメス カンパニー,リミテッド | 支持ユニット、これを含む基板処理装置 |
KR20210001201A (ko) * | 2019-06-27 | 2021-01-06 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR102289939B1 (ko) * | 2019-08-07 | 2021-08-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR20210017221A (ko) * | 2019-08-07 | 2021-02-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP2021072450A (ja) * | 2019-10-31 | 2021-05-06 | セメス カンパニー,リミテッド | 支持ユニット、これを含む基板処理装置、及びこれを利用する基板処理方法 |
US11524315B2 (en) | 2019-10-31 | 2022-12-13 | Semes Co., Ltd. | Support unit, substrate treating apparatus including the same, and substrate treating method using the substrate treating apparatus |
JP7256159B2 (ja) | 2019-10-31 | 2023-04-11 | セメス カンパニー,リミテッド | 支持ユニット、これを含む基板処理装置、及びこれを利用する基板処理方法 |
KR20210054095A (ko) * | 2019-11-04 | 2021-05-13 | 세메스 주식회사 | 공정챔버 |
KR102420343B1 (ko) * | 2019-11-04 | 2022-07-14 | 세메스 주식회사 | 공정챔버 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102446801A (zh) | 2012-05-09 |
US20120088203A1 (en) | 2012-04-12 |
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CN102446801B (zh) | 2016-01-20 |
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