JPH11214486A

JPH11214486A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH11214486A
Application number: JP1407398A
Authority: JP
Inventors: Masamitsu Kitahashi; 正光北橋; Shigeo Morimoto; 茂夫森本
Original assignee: Komatsu Ltd
Current assignee: Komatsu Ltd
Priority date: 1998-01-27
Filing date: 1998-01-27
Publication date: 1999-08-06

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体ウェハと加熱・冷却ステージ間のギャ
ップ長を一定かつ均一に確実に維持し、もって基板温度
の均一化に寄与する。【解決手段】ステージ１１上面の複数箇所に、一定高
さの複数の突起２７が配置される。ステージ１１上面の
ウェハ１３周縁部に当たる箇所に、突起２７より若干高
い弾性材製のＯリング２９が配置される。ウェハ１３が
ステージ１１のＯリング上に置かれると、バキュームポ
ンプ２３がウェハ１３とステージ１１間の空間を軽い真
空状態にする。ウェハ１３は真空の負圧により、Ｏリン
グ２９を押し潰して突起２７に吸着する。この状態で、
ウェハ１３に対する加熱・冷却を伴う各種処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、半導体ウェハや液晶表示
板などの基板を処理するための装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の装置は、一般に、処理対象の基
板が載置される平らな上面をもったステージを有し、そ
のステージ上の基板に対し、加熱や冷却などの熱操作を
含む各種の処理を施す。その熱操作は基板の温度が基板
全面にわたって均一になるよう行われることが重要であ
る。例えば半導体ウェハのフォトレジスト処理工程で
は、ウェハの水分を蒸発させたり、ウェハ表面に塗布し
たフォトレジストの溶媒を除去するために、ステージ上
のウェハに対し加熱が行われる。レジストの膜厚を均等
にして品質の安定を高めるために、この加熱ではウェハ
の全面にわたって均一の温度を維持することが重要であ
る。

【０００３】また、ステージに基板が接触すると基板が
重金属汚染される可能性があるため、基板とステージ間
にギャップを介して、基板をステージから常に離してお
くことも重要である。

【０００４】大部分のこの種の装置では、ステージが、
基板を加熱又は冷却するための熱源としても機能する。
そのような装置では、基板温度を均一にするために、基
板とステージ間のギャップ長を基板全面にわたって一定
に保持することが必要である。この観点に基づいて、特
開平５−４７６５２号の発明は、図１（Ａ）に示すよう
に加熱用のステージ１の上面に複数の突起５を有し、こ
の複数の突起５が基板３の周縁部と中心部で基板３を支
えて、基板３とステージ１間のギャップ長を基板全面に
わたって一定に保つ。また、複数の突起５が基板３をス
テージから離しているので、基板３のステージ１との接
触による汚染の問題もない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ステージの熱容量を小
さくして加熱・冷却の応答性を高めるために、ステージ
はできるだけ薄く設計される傾向にある。そのように薄
く、よって剛性の低いステージは、熱操作中に熱膨張に
起因して歪み又は撓みを生じ易い。例えば、ステージの
下面側にヒータや冷却配管が設けられている典型的な構
造では、加熱時には図１（Ｂ）に示すようにステージ１
の下面が上面より膨張するのでステージ１は中央部が下
方へ凹むように撓み、逆に冷却時には図１（Ｃ）に示す
ように中央部が上方へ盛り上がるように撓む。熱膨張に
よりステージ１が撓むと、たとえ複数の突起５で基板３
を支えていても、基板３とステージ１間のギャップ長は
不均一になり、よって基板温度も不均一になってしま
う。一般に基板３とステージ１間のギャップ長は０．１
ｍｍ程度に設計されているが、ステージ１の撓みにより
ギャップ長に０．１ｍｍ程度の相違が生じただけで、基
板温度は４０Ｋ程度も相違してしまう。実用上要求され
ている加熱・冷却の高速性及びそれに伴うステージ熱容
量の小ささの条件下では、０．１ｍｍどころか１ｍｍも
の大きい撓みが生じてしまう可能性がある。

【０００６】従って、本発明の目的は、熱操作中にステ
ージが撓んでも、基板とステージ間のギャップ長を一定
かつ均一に維持し、もって基板温度の均一化に貢献する
ことにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の第1の側面に従
う基板処理装置は、基板が載置される上面をもったステ
ージと、このステージの上面に配置された複数の突起
と、それら複数の突起に基板を押し付ける押し付け機構
とを備える。この基板処理装置によれば、ステージ上面
の複数の突起に基板が押し付けられているので、基板処
理中にステージが多少撓んでも、基板とステージ間のギ
ャップ長は常に突起の高さで均等に保たれる。

【０００８】押し付け機構としては、例えば、基板とス
テージ間の空間から空気を引抜くことによってその空間
を適当な真空状態にして基板を突起に押し付けるような
バキューム機構や、基板とステージ間の空間に空気を高
速に流してその空間の気圧を下げることにより基板を突
起に押し付けるような空気流機構などを用いることがで
きる。バキューム機構を用いる場合、ステージ上面に、
基板下面に当接するようになったシール・リングを配置
して、基板とステージ間のシールリングで囲まれた空間
から空気を引き抜くようにすると、その空間の真空状態
を良好に保てるので押し付けを確実に行うことができ
る。シール・リングをステージ上面の基板周縁部に沿う
ような位置に配置して、基板のほぼ全面を真空吸引する
ようにしてもよいし、或いは、複数のシールリングをス
テージ上面の複数箇所に配置して、基板の複数箇所を真
空吸引するようにしてもよいし、或いは、個々の突起の
上面にシール・リングを設けて、各突起が基板を吸着す
るようにしてもよい。ただし、基板とステージ間のギャ
ップ長は通常０．１mm程度と非常に狭いので、シール・
リングを設けなくても、単純に空気を引き抜くだけで基
板を突起に押し付けることは容易である。

【０００９】シール・リングは、ゴムのような弾性材で
作ることができ、この場合は、その上端の高さを突起よ
り若干高く設定しておくと、真空吸引したときに基板に
押し潰されて基板下面に良好に密着する。また、個々の
突起自体をリング形状に形成してシール・リングとして
機能させて、各突起が基板を吸着するように構成するこ
ともできる。更に、径の異なる複数のシール・リングを
ステージ上面にセットできるようにして、サイズの異な
る複数種類の基板を吸着できるように構成することもで
きる。

【００１０】基板を真空吸引するための排気穴は、ステ
ージ側に設けるのが設計上自然であろう。この場合、専
用の排気穴をステージに設けてもよいが、元々ステージ
に設けられているものを排気穴として利用してもよい。
例えば、基板昇降用のピンが通るステージの貫通穴を排
気穴として流用したり、或いは、その基板昇降用のピン
を管で構成して、その管内を排気穴として利用してもよ
い。

【００１１】本発明の第２の側面に従う基板処理装置
は、基板が載置される上面をもったステージと、このス
テージの上面に配置された突起と、ステージの上面に配
置されて基板の下面に当接するようになったシール・リ
ングと、基板とステージ間のシール・リングで囲まれた
空間から空気を引き抜くバキューム機構とを備える。こ
の基板処理装置によれば、シール・リングで囲まれた空
間を真空引きすることにより、基板はシール・リングと
突起とに押し付けられるので、基板処理中にステージが
多少撓んでも、基板とステージ間のギャップ長は常にシ
ール・リング及び突起の高さで均等に保たれる。

【００１２】シール・リングは、突起の存在する場所を
包囲するように配置してもよいし、個々の突起の上面に
配置してもよいし、或いは突起自体がシール・リングを
兼ねるように構成してもよい。また、径の異なる複数の
シール・リングをステージ上面にセット可能とすること
によって、異なるサイズの基板に対応できるようにする
こともできる。

【００１３】更に、本発明の基板処理装置は、突起やシ
ール・リングの高さ又は弾性程度の調整により、或い
は、基板に加わる押し付け力又は吸着力の調整により、
基板とステージ間のギャップ長を場所によって違えた
り、全体的にギャップ長を調節したりすることができる
ように構成してもよい。

【００１４】

【発明の実施の形態】図２は、本発明にかかる基板処理
装置の一実施形態の構成を示すステージの断面図であ
り、図３はステージの上面側から見た平面図である。

【００１５】この装置は、例えば半導体ウェハの処理に
使用されるものであり、半導体ウェハ１３が載置される
平らな上面をもったステージ１１を有している。ステー
ジ１１自体の構造には様々なもの（例えば、内部にヒー
タや冷却配管を有している、下面側にヒータや冷却配管
を有している、ヒートパイプである、など）が知られて
いるが、どのようなステージ構造に対しても本発明は適
用できる。よって、説明を分かり易くするため、ここで
はステージ１１自体は単純な板として図示しているが、
より複雑な他の構造であってもよいことは言うまでもな
い。

【００１６】ステージ１１の複数箇所、例えば３個所、
に貫通穴１７が穿たれており、この貫通穴１７を通っ
て、ウェハ昇降機構１５の３本のピン１９が昇降するよ
うになっている。ウェハ昇降機構１５は、図２（Ａ）に
示すようにピン１９を上昇させてウェハ１３をステージ
１１から上方へ持ち上げたり、図２（Ｂ）に示すように
ピン１９を下降させてウェハ１３をステージ１１上に置
いたりする。各ピン１９と各貫通穴１７内壁との間の隙
間は、例えばゴム製のパッキン２１によって、空気が通
らないようシールされている。

【００１７】ステージ１１の上面の複数箇所には、例え
ば０．１ｍｍ程度の同一高さをもった例えば合成樹脂製
の突起２７が立設されている。これらの突起２７は図２
（Ｂ）に示すようにステージ１１上に置かれたウェハ１
３を支えて、その高さに相当する空間ギャップをウェハ
１３とステージ１１間に確保する。

【００１８】ステージ１１上面にはまた、ウェハ１３の
直径より若干小さい直径をもち且つ貫通穴１７や突起２
７の存在する領域を包囲する円形のラインに沿って、溝
２８が形成されている。この溝２８に、ゴムなどの弾性
材製のシール・リング、例えばＯリング２９、が填め込
まれている。このＯリング２９は、図２（Ａ）に示すよ
うに、突起２７より若干高い高さを有しているため、ウ
ェハ１３がステージ１１上に置かれようとするとき、突
起２７より先に、ウェハ１３の周縁部に当接することに
なる。

【００１９】ウェハ昇降機構１５の３本のピン１９の全
部（又は少なくとも１本）は管であって、その下端は配
管を２５を介してバキュームポンプ２３に接続されてい
る。そして、ピン１９の上端に吸気口が開いている。ピ
ン１９が降下してウェハ１３をステージ１１上に置こう
とするとき、ウェハ１３がＯリング２９上に載った時点
からバキュームポンプ２３が作動して、ピン１９上端の
吸気口から空気を吸入してウェハ１３とステージ１１間
の空間を軽度の真空にさせる。それにより、図２（Ｂ）
に示すように、ウェハ１３は、その全面における上下面
間の気圧差によって、Ｏリング２９を押し潰し全ての突
起２７に押し付けられる。この状態で、ウェハ１３に対
し加熱や冷却などの熱操作を伴った各種の処理（例えば
レジスト処理など）が行われる。

【００２０】この処理中の熱操作によりステージ１１が
多少撓んでも、ウェハ１３はその全面にわたって上下面
間の気圧差で常に全ての突起２７に当接した状態に維持
されるので、ウェハ１３とステージ１１間のギャップ長
は、ウェハ１３の全面にわたって一様に突起高さに維持
される。結果として、ステージ１１の撓みによるウェハ
１３温度の均等性への悪影響が軽減される。

【００２１】なお、Ｏリング２９は、ウェハ１３の温度
に影響を与えないようにするために、ゴムのように熱伝
導率の低い材料が好ましく、同様の理由から突起２７も
合成樹脂のように熱伝導率の低いものが好ましい。突起
２７の個数は図３では４個にすぎないが、ウェハ全面に
わたってギャップ長を一様にするためには、より多数
（例えば２０個程度）の突起２７があった方が良い場合
もある。ウェハ１３とステージ１１間の空間を軽度な真
空にするためには、Ｏリング２９などでこの空間を完全
に密閉することは有効ではあるが、完全に密閉する必要
性は必ずしもない。そこで、Ｏリング２９に代えて多少
不連続な弾性シールを用いてもよい。ただし、例えばレ
ジスト処理では、レジストから溶媒蒸気を処理チャンバ
から強制的に排出するために、Ｎ2などの置換ガスをチ
ャンバ内へ供給するが、この置換ガスがウェハ１３の下
面側に侵入するとウェハ温度を変化させるおそれがあ
る。このおそれを回避するには、Ｏリング２９などでウ
ェハ下面の空間を完全に密閉することは効果的である。
真空引きのための排気穴として、必ずしもウェハ昇降用
ピン１９を用いる必要はなく、例えばピン１０が通って
いる貫通穴１７を用いてもよいし、専用の排気穴をステ
ージ１１に開けてもよい。

【００２２】図４は本発明の別の実施形態を示すステー
ジの断面図、図５はそのステージを上から見た平面図で
ある。

【００２３】ステージ３１の複数箇所に貫通穴１７があ
り、それら貫通穴１７にウェハ昇降用のピン３９が通っ
ている。このピン３９は従来的な単なるピンであって、
前の実施形態のピン１９のような真空引きの排気穴を有
するものではない。

【００２４】ステージ３１の上面には、図２に示したも
のと同様の複数の突起２７の他に、真空引きのための排
気穴３５を内部に有した管状の複数の突起３３が配置さ
れている。この管状突起３３の上端面に、排気穴３５の
吸気口が開いている。排気穴３５はステージ１１を貫通
し、その下端が配管２５を介しバキュームポンプ２３に
接続されている。管状突起３３の上端面には、その中央
に排気穴３５の吸気口が開いており、この吸気口を包囲
するようにゴムなどの弾性材製のシール・リング、例え
ばＯリング３７、が取付けられている。管状突起３３そ
れ自体の高さは通常の突起２７より若干低いか又は同等
の高さであるが、Ｏリング３７の上端の高さは通常の突
起２７より若干高い。管状突起３３の配置箇所は、図
４、５ではウェハ１３の周縁に沿った４箇所と中心部の
１箇所であるが、他の配置であってもよく、その個数も
更に多くてもよい。

【００２５】ピン３９が降下してウェハ１３をステージ
３９上に置こうとするとき、ウェハ１３は最初に管状突
起３３上面のＯリング３７に当接する。ポンプ２３が作
動してウェハ１３と管状突起３３間のＯリング３に囲ま
れた空間から空気を引き抜いてこれを軽度の真空にする
ので、ウェハ１３は管状突起３３に吸い付けられてＯリ
ング３を押し潰し、他の全ての突起２７にも当接する。
この状態で、ウェハ１３に対する処理が行われる。処理
中の熱操作でステージ３１が撓んでも、ウェハ１３は複
数の管状突起３３に吸い付けれれて全ての突起２７、３
３と常に当接しているので、ウェハ１３とステージ１１
間のギャップ長は、ウェハ全面にわたって突起２７の高
さで一様に維持される。

【００２６】図６は本発明の第３の実施形態のステージ
を上からみた平面図である。

【００２７】ステージ４１の上面には、同心に配置され
た直径の異なる複数本、例えば３本、の円形溝４３、４
５、４７が形成されている。ステージ４１の最小径溝４
７より内側の部分には、図２に示したと同様の真空引き
機能をもった複数本の昇降ピン１９が設けれられてい
る。また、ステージ４１上面の、最小径溝４７より内側
の領域、最小径溝４７と中間径溝４５との間の領域、及
び中間径溝４５と最大径溝４３との間の領域には、ぞれ
ぞれ、複数個の同一高さの突起２７が配置されている。

【００２８】上述した３つの溝４３、４５、４７の各々
には、それに適合したサイズをもった弾性材製のＯリン
グ（図示せず）を、図２に示した溝２８にＯリング２９
が填め込まれているのと同様の態様で、填め込むことが
でき、且つそのＯリングを取り外すことも容易にでき
る。これら３本の溝４３、４５、４７の直径は、サイズ
の異なる３種のウェハの直径に適合したものである（つ
まり、各ウェハ直径より若干小さい）。例えば最小サイ
ズのウェハを処理するときは最小径の溝４７にＯリング
を填め、また、最大サイズのウェハを処理するときは最
大径の溝４３にＯリングを填めるというように、処理対
象のウェハのサイズに合った一つの溝に選択的にＯリン
グを填める。Ｏリングの高さは突起２７の高さより若干
高い。従って、どのサイズのウェハを処理する場合で
も、そのウェハをステージ４１上に置こうとするとき、
最初にＯリングがそのウェハの周縁部に当接する。ピン
１９からの真空引きによって、図２に示した実施形態と
同様に、ウェハは複数の突起２７に押し付けられ、ステ
ージ４１が多少撓んでもウェハとステージ４１間のギャ
ップ長はウェハ全面にわたって均等に維持される。

【００２９】図７は本発明の第４の実施形態のステージ
の断面図である。

【００３０】この装置では、図２に示した装置のＯリン
グ２９に代えて、突起２７と同一高さをもった例えば合
成樹脂製の円リング状の突起５３が、ステージ５１の上
面に接着や焼き付けなどの方法で取付けられている。他
の部分の構成については、図７の装置は図２の装置と共
通である。リング状突起５３の上面は十分に平らであっ
て、真空引きしたときにウェハ１３の下面と密着する。
従って、図２に示した装置と同様、処理中ステージ５１
が多少撓んでも、ウェハは常に全ての突起２７、５３に
押し付けられ、ギャップ長は均一に保たれる。

【００３１】この図７の装置のように、弾性材のシール
・リングを用いずに、硬質の突起自体をシール・リング
として兼用する変形は、図４や図６に示した実施形態に
対しても適用可能である。例えば、図４の装置におい
て、管状突起３３の上面から弾性材製Ｏリング３７を除
去し、管状突起３３の高さを他の突起２７の高さと同一
にして、管状突起３３の上面をウェハ１３下面に密着さ
せて真空引きを行うようにすることもできる。また、図
６の装置において、溝４３、４５、４７の位置に、弾性
材製Ｏリングに代えて、突起２７と同じ高さの硬質の円
リング状の突起をセットし、この円リング状突起の上面
をウェハ１３下面に密着させて真空引きを行うようにす
ることもできる。

【００３２】また、図２に示した実施形態からステージ
上のＯリング２９除去して、図９に示すような構成にし
てもよい。図９の実施形態では、ウェハ13とステージ７
１間の空間は密閉されてはいないが、ウェハ13とステー
ジ７１間のギャップ長が０．１mm程度と非常に狭いた
め、この空間からバキュームポンプ２３で空気を単純に
引き抜くだけで基板１３を突起２７に押し付けることは
容易である。しかも、処理終了後にウェハ１３を移動さ
せるために押し付け状態を解除する必要があるが、これ
もバキュームポンプ２３を停止させるか又は回転数を落
とすだけで簡単に行える。さらに、ウェハ１３にＯリン
グと接触する箇所が無い分、ウェハ１３温度の均一性は
一層良好になるであろうし、ステージ７１のメンテナン
スもＯリングが無い分だけ楽になる。同様の観点から、
図6の実施形態からも溝４３〜４７を除去してＯリング
を使用しないようにしてもよいし、図７の実施形態から
もリング状突起５３を無くしてもよい。

【００３３】なお、図９の実施形態で基板１３が突起２
７に押し付けられる原理として、一つには他の実施形態
と同様に基板１３とステージ７１間の空間が真空状態に
なることがあるが、それに加え、基板１３とステージ７
１間の空間に空気が高速に流れることによってこの空間
の気圧が下がることも挙げられる。この後者の方の原理
に着目すると、基板押し付け手段として、基板とステー
ジ間の空間に高速の空気流を流すような空気流機構（そ
の一例が図９の実施形態のバキュームポンプによる真空
引きであるが、他の方法も各種考え得る）を採用するこ
とも可能である。また、この場合、その空気流を押し付
け手段だけでなく、基板の加熱又は冷却のための熱媒体
としても利用することもできる。

【００３４】ところで、上述した実施形態はいずれも、
ウェハとステージ間のギャップ長をウェハ全面にわたっ
て均等にすることを目的とするものである。しかし、ギ
ャップ長が均等であることが常に最善であるわけではな
く、ギャップ長を故意に僅かに不均等にしてウェハ温度
の不均等を生じさせることが有用な場合もあり得る。こ
のようなギャップ長の微調整も本発明の原理に従えば可
能である。例えば、ウェハへのレジスト塗布工程では、
一般にウェハの高速回転による遠心力でレジスト液をウ
ェハ表面全体へ広げるので、図８に示すようにレジスト
液膜６１はウェハ１３の周縁部にて他の部分より厚くな
りがちである。しかし、後続する露光工程の品質の安定
性を高めるには、レジスト膜厚を均一にすることが重要
である。そこで、レジスト塗布後のプリベーク工程にお
いて、例えば図２〜図７に示した実施形態でウェハ周縁
部に当接するＯリング又は突起の高さを若干低く設定す
る、或は、図２又は図６に示した実施形態で真空度をよ
り高めてウェハ周縁部に当接しているＯリングをより低
く潰すなどの方法で、ウェハ周縁部を他の部分よりステ
ージに近づけて周縁部の温度を高めにし、それによりレ
ジスト中の溶媒をより多く蒸発させてプリベーク後のレ
ジスト膜厚を均等にすることが可能である。

【００３５】また、図２〜図６に示した実施形態のよう
に、ウェハが真空の負圧で弾性体を押し潰すようになっ
ている装置では、真空度を調節することによって、弾性
体の潰れ度合いを変えてウェハとステージ間のギャップ
長を変え、それをウェハ温度を調整することも可能であ
る。この目的のために、通常の突起２７もその少なくと
も一部を弾性体で作ってもよい。

【００３６】以上、本発明の幾つかの実施形態を説明し
たが、それらはあくまで説明のための例示であって、本
発明をそれら実施形態にのみ限定する趣旨ではない。本
発明は、その要旨を逸脱することなく、上記以外の他の
様々な形態でも実施することができるものである。本発
明は、実施形態の説明で例示したような半導体ウェハの
レジスト処理装置だけに限らず、他の半導体製造装置、
例えばウェハの露光装置などにも適用でき、また、半導
体ウェハ以外の基板、例えば液晶パネルなどの処理装置
にも適用できる。露光装置に本発明を適用した場合は、
ウェハとステージ間が離れているので重金属汚染が防止
できる他、ウェハとステージ間の距離を均一にできるの
で、焦点距離を一定にすることができるという利点も得
られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の基板処理装置の構成及び問題点を説明す
るステージの断面図。

【図２】本発明にかかる基板処理装置の第１の実施形態
の構成を示すステージの断面図。

【図３】同実施形態のステージを上面側から見た平面
図。

【図４】本発明にかかる基板処理装置の第２の実施形態
の構成を示すステージの断面図。

【図５】同実施形態のステージを上面側から見た平面
図。

【図６】本発明にかかる基板処理装置の第３の実施形態
のステージを上面側から見た平面図。

【図７】本発明にかかる基板処理装置の第４の実施形態
の構成を示すステージの断面図。

【図８】ウェハに塗布されたレジスト膜の厚みの不均一
を示す断面図。

【図９】本発明にかかる基板処理装置の第５の実施形態
の構成を示すステージの断面図。

【符号の説明】

１１、３１、４１、５１、７１ステージ１３半導体ウェハ１９真空引き機能付きウェハ昇降ピン２３バキュームポンプ２７突起２９、３７Ｏリング３３真空引き機能付き突起４３、４５、４７溝５３リング状突起

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板が載置される上面をもったステージ
と、前記ステージの上面に配置された複数の突起と、前記基板を前記複数の突起に押し付ける押し付け機構と
を備えた基板処理装置。
【請求項２】前記押し付け機構が、前記基板と前記ス
テージ間の空間から空気を引抜くことにより、又は前記
空間に高速に空気を流すことにより、前記基板を前記突
起に押し付ける請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】前記押し付け機構が、前記ステージの上面に配置されて前記基板の下面に当接
するようになったシール・リングを有し、前記基板と前
記ステージ間の前記シールリングで囲まれた空間から空
気を引き抜く請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】前記シール・リングが、前記ステージ上
面の前記基板の周縁部に沿った場所に配置されている請
求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】複数個の前記シール・リングが、前記ス
テージ上面の前記基板下の複数箇所に配置されている請
求項３記載の基板処理装置。
【請求項６】前記シール・リングが弾性材で作られて
いる請求項３記載の基板処理装置。
【請求項７】前記シール・リングの上端の高さが前記
突起より若干高い請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】前記複数の突起の内の少なくとも一つが
前記シール・リングを兼ねている請求項３記載の基板処
理装置。
【請求項９】前記複数の突起の内の少なくとも一つの
上端に前記シール・リングが配置されている請求項３記
載の基板処理装置。
【請求項１０】径の異なる複数の前記シール・リング
が前記ステージ上面にセット可能である請求項3記載の
基板処理装置。
【請求項１１】前記空気を引き抜くための排気穴を、
前記ステージの側に有している請求項２記載の基板処理
装置。
【請求項１２】前記ステージに設けられた貫通穴と、前記貫通穴に挿通された、前記基板の昇降のためのピン
とを更に備え、前記ピンに前記排気穴が設けられている、又は前記貫通
穴が前記排気穴を兼ねている請求項１１記載の基板処理
装置。
【請求項１３】前記複数の突起の内の少なくとも一つ
の上端に、前記排気穴の吸入口が配置されている請求項
１１記載の基板処理装置。
【請求項１４】基板が載置される上面をもったステー
ジと、前記ステージの上面に配置された突起と、前記ステージの上面に配置され前記基板の下面に当接す
るようになったシール・リングと、前記基板と前記ステージ間の前記シール・リングで囲ま
れた空間から空気を引き抜くバキューム機構とを備えた
基板処理装置。
【請求項１５】前記シール・リングが、前記突起の存
在する場所を包囲するように配置されている請求項１４
記載の基板処理装置。
【請求項１６】前記シール・リングが、前記突起の上
面に配置されている請求項１４記載の基板処理装置。
【請求項１７】前記突起が前記シール・リングを兼ね
ている請求項１４記載の基板処理装置。
【請求項１８】径の異なる複数の前記シール・リング
が前記ステージ上面にセット可能である請求項１４記載
の基板処理装置。