JP2017228696A - 基板載置装置及び基板載置方法 - Google Patents

Abstract

【課題】、加熱装置の載置台にウエハに載置するにあたって、基板の反りを矯正した状態で載置する技術を提供すること。【解決手段】載置台１にウエハＷを載置して加熱する加熱装置において、載置台１の表面から突没する吸引用部材３を設け、昇降ピン１５により基板搬送機構１００から受け渡されたウエハＷを載置台１に載置するときにウエハＷの下面に吸引用部材３を吸着する。そして吸引用部材３と昇降ピンとを同期させて下降させて、ウエハＷを載置台１に載置している。さらに圧力センサ３３により吸引用部材３の吸引用圧力を監視し、吸引用部材３がウエハＷに吸着しているかを判断し、吸引用部材３がウエハＷに吸着した後は、吸引用部材３の吸引圧力を下げるようにしている。【選択図】図１

Description

本発明は、載置台に基板を載置する技術に関する。

基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）に対して有機膜やレジスト膜などの塗布膜を形成するプロセスにおいては、ウエハに対して加熱処理が行われる。この加熱処理は、例えば塗布膜中の揮発性物質を除去するために塗布膜形成後に、あるいはパターン露光を行った後に露光部位あるいは未露光部位を変質させるために行われる。加熱処理に使用される加熱装置としては、ヒータが設けられた載置台である熱板上にウエハを加熱する装置が用いられ、プロセスを行う前に載置台に平板状の検査用ウエハを載置して、検査用ウエハの温度が面内で均一になるように加熱部の出力を調整している。

一方近年において、３次元構造のデバイスの開発が進んでおり、このため従来のデバイスの場合に比べて、製造過程でウエハの反りの程度が大きくなってしまう場合が起こってくる。このようなウエハを載置台に載置して加熱処理を行おうとすると、検査用ウエハとは条件が変わってしまうため、即ち載置台の表面とウエハＷとの距離がウエハの部位によって異なり、加熱部とウエハとの間の熱伝導率が異なってしまうため、ウエハの温度について良好な面内均一性を確保することが困難になる。

例えば特許文献１には、載置台に吸引孔を設け、吸引孔によりウエハを吸引することによりウエハの反りを矯正し、ウエハの加熱温度を均一にする技術が記載されている。
しかしながら反りが生じているウエハを載置台に載置したときに反りの量が大きい場合には、吸引孔とウエハの表面との距離が大きくなってしまい、ウエハを吸引することができずウエハの矯正ができないことがある。

特開２００８−１７７３０３号公報

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、載置台に基板に載置するにあたって、基板の反りを矯正した状態で載置することができる技術を提供することにある。

本発明の基板載置装置は、基板を載置する載置台と、
前記載置台の上方にある基板の下面を吸引して基板の形状を矯正するための吸引用部材と、
前記吸引用部材を昇降させる昇降機構と、を備えることを特徴とする。

本発明の基板載置方法は、基板を載置する載置部と、前記載置部の上方にある基板の下面を吸引して基板の形状を矯正するための吸引用部材と、前記吸引用部材を昇降させる昇降機構と、外部の基板搬送機構と載置台との間で基板の受け渡しをするために載置台の載置面に対して突没自在な複数の保持ピンと、を備えた基板載置装置を用い、
前記保持ピンにより前記載置部の上方にて保持された基板の下面に吸引用部材を吸着させる工程と、
前記吸引用部材を基板に吸着させた状態で前記保持ピン及び前記吸引用部材を同期させて下降させ基板を載置台に載置する工程と、
前記吸引用部材により吸引した状態で前記吸引用部材を基板の下面から離れ、基板の形状が矯正される高さまで下降させる工程と、を含むことを特徴とする。

本発明は、基板を載置する載置台と、載置台の上方にある基板の下面を吸引するための昇降自在に構成された吸引用部材とを、設けている。そのため基板の下面に吸引用部材を吸着させた状態で吸引用部材を下降させて基板を矯正することができるため、基板の反りを矯正して載置台に載置することができる。

第１の実施の形態に係る加熱装置の断面図である。 前記加熱装置における載置台の平面図である。 吸引用部材を示す断面図である。 第１の実施の形態に係る加熱装置の作用を示す説明図である。 第１の実施の形態に係る加熱装置の作用を示す説明図である。 第１の実施の形態に係る加熱装置の作用を示す説明図である。 第１の実施の形態に係る加熱装置の作用を示す説明図である。 第１の実施の形態に係る加熱装置の作用を示す説明図である。 第１の実施の形態に係る加熱装置の作用を示す説明図である。 第１の実施の形態に係る加熱装置の作用を示す説明図である。 第２の実施の形態に係る吸引用部材を示す断面図である。 第２の実施の形態に係る加熱装置の作用を示す説明図である。 第２の実施の形態に係る加熱装置の作用を示す説明図である。 第２の実施の形態に係る加熱装置の作用を示す説明図である。 第２の実施の形態に係る加熱装置の作用を示す説明図である。 第２の実施の形態に係る加熱装置の作用を示す説明図である。 第２の実施の形態に係る加熱装置の作用を示す説明図である。 本発明の実施の形態の他の例を示す側面図である。

［第１の実施の形態］
第１の実施の形態に係る基板載置装置を加熱装置に適用した例について図１、図２を参照して説明する。図１に示すように加熱装置は、ウエハＷを載置する載置台１を備え、載置台１は図示しない筐体の底面部に相当する基台２４の上に支持部材２３を介して支持されている。載置台１の表面側の中心部には、ヒータ１２が埋設されたウエハＷを加熱するための扁平な円柱形の加熱板１１が設けられている。加熱板１１の表面には、図２に示すように加熱板１１の中心部と、加熱板１１の周縁部に周方向等間隔となる位置と、にギャップピン１３が設けられ、ウエハＷは、ギャップピン１３上に水平に支持され、加熱板１１から浮いた状態で加熱される。また図１、図２に示すように載置台１には周方向等間隔に３か所の孔部２１が設けられ（図２では、便宜上孔部２１が設けられる位置を×で示している。）、各孔部２１には、保持ピンである昇降ピン１５が設けられている。昇降ピン１５は、昇降機構１６により昇降し、載置台１の表面から突没するように構成されている。

図１に戻って載置台１の上方には、天板部１９が設けられ、天板部１９の下面中央部には、排気口２０が開口し、排気口２０は排気管２５を介して工場排気に接続されている。また載置台１の周囲には環状のシャッタ１７が設けられている。シャッタ１７は昇降機構１８に接続され、昇降自在に構成されており、シャッタ１７が下降したときに載置台１の上方の領域の周囲が開放され、外部の基板搬送機構と、載置台１との間でウエハＷの受け渡しが行われる。またシャッタ１７が上昇したときに、シャッタ１７の上端と、天板部１９の周縁部との間にごく狭い隙間が形成され、シャッタ１７を上昇させて、排気口２０から排気をしたときにシャッタ１７と天板部１９との隙間から、載置台１の上方に加熱装置の周囲の雰囲気が流れ込み、排気口２０から排気されるように構成されている。これにより載置台１に載置されたウエハＷの上方の雰囲気が排気される。

図１、図２に示すように、例えば載置台１の中心部のギャップピン１３の近傍に隣接した位置、載置台１の中心部を中心とする第１の円に沿った等間隔に４か所の位置、さらに第１の円と同心となり、第１の円の外側の第２の円に沿った等間隔に８か所の位置には、各々載置台１を厚さ方向に貫通する貫通孔２２が形成されている。載置台１の中心部近傍に設けられた貫通孔２２には吸引用部材３ａ、第１の円に沿って設けられた貫通孔２２には、吸引用部材３ｂ、第２の円に沿って設けられた貫通孔２２には、吸引用部材３ｃが夫々設けられている。なお以下では、吸引用部材については個別的な説明をするときには「３ａ」「３ｂ」または「３ｃ」の符号を用い、総括的な説明をするときには「３」の符号を用いることとする。なお図１及び後述の作用説明図では、図の煩雑さを避けるため、第１の円に沿った吸引用部材３ｂは示していない。
吸引用部材３は、図３に示すように内部にガス吸引路３０が形成された管状の部材であり、下方側の端部にフレキシブルな吸引管３２の一端が接続されている。吸引管３２は吸引用部材３側から吸着監視部である圧力センサ３３、ダンパ３４及び吸引用エアーの給断を行うためのバルブ３２Ａが介設され、他端側が吸引ポンプ３５に接続されている。吸引圧力調整部であるダンパ３４が設けられる。ダンパ３４は、ダンパ３４の開度により圧力損失を調整することにより吸引用部材３側の吸引圧力を、例えば２段階の大きさに調整するように構成されている。２段階の内の一方においては、吸引圧力をウエハＷに吸着させる時の圧力である第１の吸引圧力となるように開度が設定され、他方においては、吸引圧力をウエハＷの下面に吸着させた後、吸着を維持することができる圧力となるように開度が設定されている。また吸引用部材３は、昇降機構３１に接続され、各吸引用部材３が個別に昇降するように構成されており、吸引用部材３は、上端がギャップピン１３の先端よりも高い位置まで上昇するように構成されている。

加熱装置は、図１、図３に示すように制御部９を備えている。図３に示すように制御部９は、ＣＰＵ９１、プログラムを格納したプログラム格納部９２及びメモリ９３を備えている。なお図中９０はバスである。制御部９は、昇降ピン１５の昇降機構１６、吸引用部材３の昇降機構３１、バルブ３２Ａ、ダンパ３４に接続され、さらに圧力センサ３３で測定された圧力測定値が入力されるように構成されている。

メモリ９３には、吸引用部材３がウエハＷに吸着したことを判断するための閾値が記憶される。例えば吸引用部材３により第１の吸引圧力で吸引しているときに吸引用部材３がウエハＷの下面に吸着すると、吸引管３２の圧力が上昇する。そのため閾値は、この時の上昇した圧力測定値が閾値を越える値となるように設定される。
プログラムは、ウエハＷの受け渡しや昇降ピン１５の昇降を行うと共に圧力測定値を監視し、圧力測定値と閾値とを比較して、吸引圧力の調整及び吸引用部材３の昇降を行うステップ（命令）群が組まれている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。

第１の実施の形態に係る加熱装置の作用について説明する。ウエハＷの搬入前においては、吸引用部材３は、載置台１の内部に収容されており、加熱板１１が設定温度に加熱されている。次いで加熱装置のシャッタ１７が下降し、図４に示すように例えば外部の基板搬送機構１００によりウエハＷが載置台１の上方の受け渡し位置に搬送される。この例では、ウエハＷは、ウエハＷの周縁側が上方に反っているものとする

次いで図５に示すように昇降ピン１５上昇させて基板搬送機構１００に保持されたウエハＷを下方側から突き上げて受け取る。このとき各吸引用部材３を上昇させ、先端をギャップピン１３の上端よりも高い位置に位置させる。またダンパ３４は、第１の吸引圧力で吸引する開度となっている。この第１の吸引圧力は、反りが生じているウエハＷの下面に吸引用部材３を吸着することができる圧力に設定される。さらに基板搬送機構１００を退避させると共にシャッタ１７を上昇させ、排気口２０から排気を開始する。

続いて昇降ピン１５を徐々に下降させ、ウエハＷを下降させる。ウエハＷは、その中心部寄りの部位の高さ位置が低くなり、ウエハＷの周縁部寄りの部位の高さ位置が高くなっているため、ウエハＷを下降させていくと、図６に示すようにウエハＷの中心部に近い位置にある吸引用部材３ａがウエハＷの周縁部寄りに配置された吸引用部材３ｂ、３ｃに先行してウエハＷの下面に接して吸着する。なお図４〜図１０では、吸引用部材３がウエハＷに吸着した状態を斜線で示している。
ウエハＷが吸引用部材３ａに吸着すると、吸引用部材３ａの先端がウエハＷの下面により塞がれるため当該吸引用部材３に接続された吸引管３２に設けた圧力センサ３３の圧力測定値が上昇し閾値を上回る。そして制御部９は、圧力センサ３３圧力測定値が閾値を越えたことを感知すると、当該吸引用部材３の吸引圧力を第２の吸引圧力に下げるように開度を切り替える信号をダンパ３４出力する。

吸引用部材３をウエハＷの下面に吸着させた後は、吸引用部材３の内部が陰圧になるため、第１の吸引圧力よりも低い圧力であっても吸引用部材３がウエハＷの下面に吸着した状態を維持することができる。そのため第２の吸引圧力は、吸引用部材３をウエハＷの下面に吸着させた後、吸着した状態を維持できる圧力であればよい。また制御部９は圧力測定値が閾値を上回ったことを感知すると、当該吸引用部材３ａに接続された昇降機構３１に昇降ピン１５の下降する速度と同じ速度で、当該吸引用部材３ａを下降させるように信号を出力する

その後図７に示すようにさらに昇降ピン１５を下降させると共に、ウエハWに吸着した吸引用部材３を下降させる。この時ウエハＷの中心部に近い位置の吸引用部材３ａから順番に、即ち吸引用部材３ａ、吸引用部材３ｂ（吸引用部材３ｂは、作用図では示していない）、吸引用部材３ｃの順にウエハＷに吸着する。ウエハＷに吸着した吸引用部材３ｂ、３ｃは、既述の吸引用部材３ａと同様に吸引圧力が第１の吸引圧力よりも小さい第２の吸引圧力に切り替わると共に、昇降ピン１５と同じ速度で下降する。そしてウエハＷを下降させていくと、図８に示すようにウエハＷは、最も中心寄りの位置のギャップピン１３に接する。

その後昇降ピン１５をさらに下降させると共に、吸引用部材３を、吸引を行った状態でさらに下降させる。この時ウエハＷの中心寄りの部位はすでにギャップピン１３に接触しており、下降が規制されている。そのためウエハＷの中心寄りの位置の吸引用部材３ａは、ウエハＷを吸着しようとする力が働いた状態で、ウエハＷの下面から引き離される。一方ウエハＷの周縁寄りの部位は反りが生じているためギャップピン１３から浮いた状態になっている。このため周縁寄りの位置の吸引用部材３ｂ、３ｃは、ウエハＷの下面に吸着した状態で下降し、ウエハＷの周縁寄りの部位に下方向きの力が加えられ、図９に示すようにウエハＷの反りが矯正される。ウエハＷの周縁部寄りの部位の反りが矯正されギャップピン１３の高さまで下降されると、ウエハＷの周縁部寄りの部位の吸引用部材３ｂ、３ｃは、ウエハＷを吸引する力を維持したまま、ウエハＷの下面から引き離される。

各吸引用部材３は、ウエハＷの下面から引き離された後、さらに下降する。ウエハＷの下面から離れるに従い、ウエハＷを下方に引き寄せる力は弱くなるため、ウエハＷを吸引し、反りの矯正を維持することができる高さ位置にて停止する。
そしてすべての吸引用部材３をウエハＷの下面から引き離し、かつウエハＷの下面を吸引し、ウエハＷの反りを矯正した状態で加熱処理を行い、ウエハＷの加熱処理が終了した後で、各吸引用部材３の吸引を停止する。これにより、図１０に示すようにウエハＷが反った状態に戻る。
その後シャッタ１７が開放され、ウエハＷは、外部の基板搬送機構１００と昇降ピン１５との協働作用により、基板搬送機構１００に受け渡されて搬出される。

上述の実施の形態によれば、載置台１にウエハＷを載置して加熱する加熱装置において、載置台１の表面から突没する吸引用部材３を設けている。そして昇降ピン１５により基板搬送機構１００から受け渡されたウエハＷを載置台１に載置するときにウエハＷの下面に吸引用部材３を吸着させ、吸引用部材３と昇降ピンとを同期させて下降させて、ウエハＷを載置台１に載置している。さらに吸引用部材３をウエハＷの下面を吸引した状態で下降させてウエハＷを矯正するため、ウエハＷの反りを矯正して載置台１全面に渡って均一に載置すること、即ち平坦な状態で載置することができる。

またウエハＷの反りを矯正した後、吸引用部材３を下降させてウエハＷの下面から引き離し、ウエハＷの反りの矯正を維持できる高さにて停止するようにしている。吸引用部材３がウエハＷに吸着していると、吸引用部材３を介してウエハＷの熱が放熱してしまい、ウエハＷの温度の面内均一性が悪くなる要因になる。そのため吸引用部材３を下降させて、ウエハＷの下面から引き離すことでこのような不具合が回避できる。上述の実施の形態によれば、ウエハＷの反りを矯正した後、吸引用部材３をウエハＷから引き離し、ウエハＷの反りを矯正できる距離を維持している。そのため吸引用部材３の吸着に起因するウエハの熱の放熱を抑制できるためウエハＷの加熱温度の面内均一性を良好にすることができる。
さらに吸引用部材３の吸引圧力を監視し、吸引用部材３がウエハＷに吸着しているかを判断し、吸引用部材３がウエハＷに吸着した後に吸引圧力を下げるようにしている。そのため大きな吸引圧力を継続する必要がなく吸引ポンプ３５の負荷を下げることができる。

また吸引用部材３は、一か所であってもよい。例えば周縁部が中心部よりも下方側に反るウエハＷを載置台１に載置するにあたっては、載置台１の中心部に１つの吸引用部材３ａを設けてもよい。この場合には、ウエハＷの中心部の下面側を吸引して下方に引き寄せることでウエハＷの反りを矯正することができるため同様の効果を得ることができる。

また吸引用部材３を上昇させて、外部の基板搬送機構１００との間でウエハＷの受け渡しを行うようにしてもよい。さらに本発明は、加熱装置に載置する場合に限らず、例えばウエハＷを冷却して温調する冷却プレートであってもよい。
［第２の実施の形態］

第２の実施の形態に係る加熱装置は、例えば図１１に示すように各吸引用部材４が共通の昇降板４４に接続され、一体となって昇降するように構成されている。吸引用部材４は、管状に形成され、例えば円筒形のケース体４０の上面に形成された孔部４１に挿入されている。吸引用部材４の上端部及び下端部にはフランジ４２が形成され、下端側のフランジ４２はケース体４０の内面と吸引用部材４の昇降を妨げないごく狭い隙間が形成されるように設けられている。ケース体４０内における吸引用部材４の下方の領域には、弾性体であるばね部材４３が設けられ、吸引用部材４をケース体４０に押し込むことにより、下端側のフランジ４２がばね部材を下方に押すため、吸引用部材４を上方に押し返す上向きの付勢力が生じる。そして吸引用部材４を押し下げていないときには、図１１に示すように吸引用部材４の下端側のフランジ４２の上面がケース体４０の天井面に着座している。この下端側のフランジ４２と、ケース体４０の天井面とにより、吸引用部材４のケース体４０から突出が規制される。

各吸引用部材４及びケース体４０は、第１の実施の形態に示す吸引用部材３と同様に載置台１に形成された貫通孔２２に各々設けられ、各吸引用部材４は、ケース体４０の下面側が、共通の昇降板４４に固定され、昇降板４４は昇降機構４５により昇降するように構成されている。なお図１１は、は記載の煩雑化を避けるためケース体４０の配置間隔は、正確ではない。各ケース体４０の下面には、吸引管３２が接続され、各吸引管３２は、１本の共通吸引管３６に合流し、吸引ポンプ３５に接続されている。共通吸引管３６には、ケース体４０側から圧力センサ３３及び吸引圧力調整部であるダンパ３４及びバルブ３６Ａが介設されている。

続いて第２の実施の形態に係る加熱装置の作用について説明する。外部の基板搬送機構１００により搬送されたウエハＷを図１２に示すように昇降ピン１５に受け渡した後、吸引用部材４を上昇させ、第１の吸引圧力で吸引を開始する。次いで昇降ピン１５を下降させると、図１３に示すようにウエハＷの中心部寄りの位置の吸引用部材４がウエハＷの下面に吸着する。その後昇降ピン１５をさらに下降させると、図１４に示すようにウエハＷの下面に吸着している吸引用部材４がばね部材４３の付勢力に抗して下降し、ウエハＷも下降する。これによりウエハＷの中心部寄りの吸引用部材４に続いて、周縁側の吸引用部材４がウエハＷの下面に吸着する。

このように昇降板４４を下降させずに、各吸引用部材４が吸着する位置のウエハＷの反りの大きさに対応してばね部材４３を押し下げて高さ位置を調整することで各々ウエハＷの下面に吸着する。この時ウエハＷの中心寄りの部位よりも周縁部が高くなるように反っている場合には、ウエハＷの中心寄りの部位に吸着する吸引用部材４は、ウエハＷの反りの量に対応して、ケース体４０に押し込まれた状態で吸着し、例えば最もウエハＷの周縁側に位置する吸引用部材４においては、ケース体４０に押し込まれずフランジ４２が着座した状態で、ウエハＷの下面に吸着している。そのためウエハＷが反っている場合にも、共通の昇降板４４に接続された複数の吸引用部材４を同時にウエハＷに吸着させることができる。

そして例えばすべての吸引用部材４がウエハＷの下面に吸着すると、共通吸引管３６の圧力が高まる。そのため第２の実施の形態においては、閾値は、すべての吸引用部材４がウエハＷの下面に吸着したときの圧力測定値が閾値を越えるように設定すればよい。この結果、圧力センサ３３の圧力測定値が上昇し、閾値を上回ると、制御部９からダンパ３４に吸引圧力を第２の吸引圧力に変更する信号が出力されると共、昇降板４４が昇降ピン１５と同期して同じ速度で下降する。

ウエハＷは、さらに下降すると、図１５に示すように例えばウエハＷの中心部寄りの部分がギャップピン１３の上端に接し、ウエハＷの下降が規制される。その後さらに昇降ピン１５を下降させると共に昇降板４４を下降させる。この時ウエハＷの周縁側の部位に位置する吸引用部材４は、下端側のフランジ４２がケース体４０の天板部に着座しているため（または昇降板４４の下降後、速やかに着座するため）、それ以上ケース体４０から突出することができない。そのため昇降板４４が下降したときに周縁側の部位に位置する吸引用部材４も下降する。これによりウエハＷの周縁側の反りの大きい部位が引き下げられ、ウエハＷの反りが矯正される。またこの時ウエハＷの中心寄りの部位に吸着している吸引用部材４は、ケース体４０内に押し込まれているため、ばね部材４３が復元する。従って昇降板４４を下降させたときにウエハＷの中心部には下向きの力がかからない。

ウエハＷの周縁部寄りの部位の反りが矯正されギャップピン１３の高さまで下降されると、ウエハWの周縁部寄りの部位の下降がギャップピン１３により規制される。そのためウエハＷの周縁部寄りの部位の吸引用部材３は、ウエハＷを吸引する力を維持したまま、ウエハＷの下面から引き離される。この時ウエハＷの中心寄りの部位に吸着している吸引用部材４も下端側のフランジ４２がケース体４０の天板部に着座するため、それ以上突出することができなくなり図１６に示すようにウエハＷを吸引する力を維持したまま、ウエハＷの下面から引き離される。そして第１の実施の形態と同様に各吸引用部材４がウエハＷを吸引し、反りの矯正を維持することができる高さ位置となる位置まで昇降板４４が下降する。そしてウエハＷは、反りが矯正された状態で加熱処理が行われる。その後図１７に示すように吸引を停止することにより、ウエハＷの反りが復元し、ウエハＷは搬出される。

第２の実施の形態に係る加熱装置においては、各吸引用部材４を共通の昇降板４４にばね部材４３を介して固定している。そのため吸引用部材４をウエハＷの反りに対応して高さ位置を調整してウエハＷの下面に吸着させることができ、ウエハを吸引して反りを矯正した状態で載置台１に載置することができる。従って上述実施の形態の加熱装置によりウエハＷを加熱したときにウエハＷの加熱温度の面内均一性が良好になる。
また各吸引用部材４を共通の昇降板４４に固定しているため、簡易な構成としながら複数の吸引用部材４を反りの生じたウエハＷに吸着させることができる。

また第２の実施の形態に係る加熱装置においては、各吸引用部材４に個別に圧力センサ３３及びダンパ３４を設け、個々に圧力を調整できるように構成し、各吸引用部材４がウエハＷに吸着し、圧力が上昇したときに、個別に吸引圧力の調整を行うようにしてもよい。
また共通の昇降板に固定した複数の吸引用部材４の群を複数設けて、各群を各々昇降させるようにしてもよく、例えば図２に示す最も載置台１の中心部に近い位置にある吸引用部材３ａと、載置台１の中心部を中心する第１の円に沿って配置された４つ吸引用部材３ｂの群、さらに第１の円と同心となり、第１の円の外側の第２の円に沿って配置された８つの吸引用部材３ｃの群、の３つ吸引用部材３ａ〜３ｃの群が各々一体的に昇降するように構成してもよい。
また本発明は、加熱装置に適用した例に限らず、露光装置に適用してもよい。例えば露光装置は、図１８に示すように表面に凹凸が形成された載置台１０１を備え、ウエハＷは、中心寄りの部位が載置台１０１に支持され、周縁が載置台１０１の外にはみ出るように載置される。そして例えば載置台１０１の周囲に昇降自在に構成した吸引用部材３を配置し、吸引用部材３によりウエハＷの周縁を吸引して引き下げる。このような構成の場合にもウエハＷの反りを矯正した状態で載置することができる。
また吸引用部材３の吸引のオンオフは、吸引圧力調整部であるダンパ３４により切り替えてもよい。例えばダンパ３４を第１の吸引圧力及び第２の吸引圧力に加え、吸引オフの状態の３段階に切り替えるように構成すればよい。また吸引ポンプ３５に代えて、工場排気に接続した構成であってもよい。さらに吸引圧力調整部は、例えばＡＰＣバルブであってもよい。
また吸着監視部は、流量を監視する流量センサであってもよい。さらに吸引用部材３（４）は、例えば静電エネルギーを利用してウエハＷを吸着するように構成してもよい。また静電チャックにより吸着する載置台と吸引による減圧により吸着する吸引用部材であってもよく、吸引による減圧によりウエハＷを載置する載置台と静電引力によりウエハを吸引する吸引用部材であってもよい。

１ 載置台
３、４ 吸引用部材
９ 制御部
１１ 加熱板
１２ ヒータ
１３ ギャップピン
１５ 昇降ピン
１６ 昇降機構
３２ 吸引管
３３ 圧力センサ
３４ ダンパ
３５ 吸引ポンプ
Ｗ ウエハ

Claims (14)

1. 基板を載置する載置台と、
   前記載置台の上方にある基板の下面を吸引して基板の形状を矯正するための吸引用部材と、
   前記吸引用部材を昇降させる昇降機構と、を備えることを特徴とする基板載置装置。
2. 前記吸引用部材は載置台内を貫通して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板載置装置。
3. 前記吸引用部材は、載置台の周方向に沿って複数設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板載置装置。
4. 複数の前記吸引用部材は、個別に昇降できることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板載置装置。
5. 複数の前記吸引用部材は、共通の昇降部に弾性体を介して設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板載置装置。
6. 外部の基板搬送機構と載置台との間で基板の受け渡しをするために載置台の載置面に対して突没自在な複数の保持ピンが設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板載置装置。
7. 前記載置台には温調機構が設けられていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の基板載置装置。
8. 前記温調機構は、基板を加熱処理するための加熱部であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の基板載置装置。
9. 前記保持ピンにより前記載置部の上方にて保持された基板の下面に吸引用部材を吸着させるステップと、前記吸引用部材を基板に吸着させた状態で前記保持ピン及び前記吸引用部材を同期させて下降させ基板を載置台に載置するステップと、前記吸引用部材により吸引した状態で前記吸引用部材を基板の下面から離れ、基板の形状が矯正される高さまで下降させるステップと、を実行する制御部と、を備えることを特徴とする請求項６ないし８のいずれか一項に記載の基板載置装置。
10. 前記吸引用部材の吸引圧力を調整する吸引圧力調整部を備え、
    基板の下面に吸引用部材を吸着させるステップは、第１の吸引圧力にて基板の下面に吸引用部材を吸着させ、
    前記吸引用部材が基板の下面から離れ、基板の形状が矯正される高さまで下降させるステップにおける前記吸引用部材の吸引圧力は、第１の吸引圧力よりも小さい第２の吸引圧力であることを特徴とする請求項９に記載の基板載置装置。
11. 基板を載置する載置部と、前記載置部の上方にある基板の下面を吸引して基板の形状を矯正するための吸引用部材と、前記吸引用部材を昇降させる昇降機構と、外部の基板搬送機構と載置台との間で基板の受け渡しをするために載置台の載置面に対して突没自在な複数の保持ピンと、を備えた基板載置装置を用い、
    前記保持ピンにより前記載置部の上方にて保持された基板の下面に吸引用部材を吸着させる工程と、
    前記吸引用部材を基板に吸着させた状態で前記保持ピン及び前記吸引用部材を同期させて下降させ基板を載置台に載置する工程と、
    前記吸引用部材により吸引した状態で前記吸引用部材を基板の下面から離れ、基板の形状が矯正される高さまで下降させる工程と、を含むことを特徴とする基板載置方法。
12. 前記吸引用部材の吸引圧力を調整する吸引圧力調整部を備え、
    基板の下面に吸引用部材を吸着させる工程は、第１の吸引圧力にて基板の下面に吸引用部材を吸着させ、
    前記吸引用部材を基板の下面から離れ、基板の形状が矯正される高さまで下降させる工程における前記吸引用部材の吸引圧力は、第１の吸引圧力よりも小さい第２の吸引圧力であることを特徴とする請求項１１に記載の基板載置方法。
13. 複数の前記吸引用部材は個別に昇降し、
    複数の前記吸引用部材を同じ高さ位置としながら、前記基板を下降させ、基板の下面に吸着した吸引用部材から順番に前記保持ピンと同期させて下降させることを特徴とする請求項１１または１２に記載の基板載置方法。
14. 複数の前記吸引用部材は、共通の昇降部に弾性体を介して設けられることを特徴とする請求項１１または１２に記載の基板載置方法。

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