JP6836003B1 - ワーク分離装置及びワーク分離方法 - Google Patents
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- 238000000926 separation method Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 52
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 30
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 76
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
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- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
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- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
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Abstract
Description
3本の支持棒には、円筒状の弾性部材が設けられ、弾性部材に対しワークを搭載することにより、弾性部材が弾性的に変形してワークを吸着保持する。
特許文献1のワークは、紫外線領域のレーザ光を透過する基板(サファイア基板)と材料層が積層され、材料層を挟んでサポート基板が接着される。例えば下に凸に変形したワークの反り量は、直径4インチの円形状ワークの場合が400μm程度になる。
特許文献1では、パルスレーザ光を発生するレーザ源と、レーザ光を所定の形状に成形するためのレーザ光学系と、が備えられ、隣接する照射領域に照射される各レーザ光の重畳度が所望の値になるように、レーザ源で発生するレーザ光のパルス間隔を制御している。レーザ光学系(投影レンズ)とワークとの距離が(400μm程度)変動しても、パルスレーザ光が重ね合わせて照射される領域におけるレーザ光強度が、材料層を分解して基板から剥離させるために必要な分解閾値を越える値になるように設定している。これにより、材料層を基板から剥離させるために十分なレーザエネルギーが与えられて、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から剥離可能にしている。
このように全体サイズの大型化や厚みの薄化された積層体は、積層体の全体(平面)サイズに対する厚みの比率(厚み/全体サイズ)が小さくなるため、積層体の全体的な剛性が低くなって、積層体の自重により撓み変形し易くなる。この撓み変形は、凸又は凹の変形(反り変形)と関係なく発生し、その変形量は積層体の反り変形よりも遥かに大きくなることがある。
特許文献1では、ワーク(積層体)を反り変形した状態のまま3本の支持棒で三点支持するため、比較的に全体的な剛性が高い積層体の場合には、安定した三点支持が行える。
しかし、全体サイズの大型化や厚みの薄化で全体的な剛性が低い積層体の場合には、積層体を三点支持した箇所とは別の箇所で自重による撓み変形が発生してしまい、三点支持のみでは積層体を安定して保持できなかった。最悪の場合には、積層体の自重による撓み変形で、三点支持のうち特定な支持棒のみに積層体の重量のほとんどが集中的に掛かって、積層体の自重による部分的な撓み変形を増大させる可能性もあった。これにより、積層体の一部に無理な力を掛けてしまい、部分的な損傷が生じるという問題があった。
さらに、三点支持のみによる積層体の不安定な保持は、レーザ源からのレーザ光の照射時における積層体との相対移動により、ステージに対して積層体が位置ズレを起こす要因となった。積層体の位置ズレに伴い、パルスレーザ光が重ね合わせて照射される領域では、パルスレーザ光の未照射部分や過照射が部分的に発生してしまい、未照射部分は剥離不良の原因となり、過照射部分はダメージとなるという問題があった。
また、3本の支持棒に設けられた円筒状の弾性部材は、弾性変形可能であるが、それぞれの絶対位置が固定されている。このため、反り変形した積層体に対して各弾性部材が接触するものの、積層体の反り形状によっては、各弾性部材の弾性変形が積層体の反り面に対応できず、両者間に隙間が生じて安定した吸着保持を行えない場合がある。
これに加えて、積層体を三点支持した箇所とは別の箇所で、自重による撓み変形が発生すると、レーザ光学系(投影レンズ)から撓み変形部までのレーザ照射距離が、反り変形よりも遥かに大きく変わる場合がある。この場合には、レーザ照射距離の変化に伴って撓み変形部に対するレーザ光の照射形状が安定せず、このため、レーザ光の未照射や過照射が発生し易くなるという問題があった。
さらに、このような課題を解決するために本発明に係るワーク分離方法は、回路基板を含むワークが支持体と分離層を介して積層される積層体に対し、光照射に伴う前記分離層の変性により前記ワークから前記支持体を剥離するワーク分離方法であって、前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方を保持部材に着脱自在に保持する保持工程と、前記保持部材に保持された前記積層体の前記支持体又は前記ワークの他方を透して前記分離層に向け光照射部から前記光照射する光照射工程と、を含み、前記保持部材は、前記積層体の前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方と対向するステージと、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動不能な静止吸引パッドを有する固定支持部と、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動自在で且つ弾性変形可能な応動吸引パッドを有する可動支持部と、を有し、前記固定支持部及び前記可動支持部を組み合わせて複数個それぞれ分散して配置されるとともに、前記静止吸引パッドよりも前記応動吸引パッドが前記積層体に向け突出可能に配置され、前記保持工程では、前記積層体の自重による撓み変形に伴い、前記応動吸引パッドが前記突出方向へ移動して、前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方と弾性的に圧接することを特徴とする。
本発明の実施形態に係るワーク分離装置A及びワーク分離方法は、図1〜図9に示すように、回路基板(図示しない)を含むワーク1が支持体2と分離層3を介して積層されてなる積層体Sに対し、ワーク1や支持体2を透した分離層3への光照射により、光吸収で分離層3が剥離可能に変性(変質)して、ワーク1から支持体2を剥離させるレーザリフトオフ装置とレーザリフトオフ方法である。WLP(wafer level packaging)やPLP(panel level packaging)のような半導体パッケージなどを製造することや半導体ウエハの処理工程などのために用いられる。
詳しく説明すると、本発明の実施形態に係るワーク分離装置Aは、積層体Sを着脱自在に保持するように設けられる保持部材10と、積層体Sの分離層3に向け剥離用の光線Lを照射するように設けられる光学系20の光照射部22と、を主要な構成要素として備えている。
さらに、支持体2及び分離層3に対する光照射部22からの光照射位置Pを相対的に移動させるように設けられる駆動部30と、光照射部22から支持体2及び分離層3の照射面までの間隔を測定するように設けられる測長部40と、光照射部22及び駆動部30や測長部40などを作動制御するように設けられる制御部50と、を備えることが好ましい。
なお、図1〜図9に示されるように、保持部材10に対して積層体Sは通常、上下方向へ載置され、保持部材10上の積層体Sに向けて光照射部22から剥離用の光線Lが下方向へ照射される。保持部材10に対する積層体Sの保持方向や、剥離用の光線Lの照射方向を以下「Z方向」という。剥離用の光線Lの照射方向(Z方向)と交差する二方向を以下「XY方向」という。
ワーク1の全体形状は、矩形(長方形及び正方形を含む角が直角の四辺形)のパネル形状や、円形のウエハ形状などが含まれる。
ワーク1の厚みは、例えば15〜3,000μmとなどに薄化された矩形や円形の基板も含まれる。特にワーク1の厚みが数十μm程度などのように極めて薄い(以下「極薄」という)パネル形状やウエハ形状の場合には、ダイシングテープなどのようなテープ状の保持用粘着シートにワーク1の全面を貼り付けてサポートすることや、ダイシングフレームなどのような四角枠状や円形枠状(リング状)の保持フレームで外周部が補強されたテープ状の保持用粘着シートに対しワーク1を貼り付けることでサポートすることも可能である。
支持体2は、ワーク1の薄化工程や各種処理工程や搬送工程などでワーク1を支持することにより、ワーク1の破損や変形などが防止されるように必要な強度を有するサポート基板やキャリア基板と呼ばれるものである。このため、支持体2は、硬質な剛性材料で、ワーク1に対応したサイズの矩形や円形に形成される。
ワーク1又は支持体2のいずれか一方若しくは両方は、特定の波長のレーザ光Lが透過可能な透明又は半透明な剛性材料で形成される。支持体2の具体例として図示例の場合には、特定波長のレーザ光Lが透過する透明又は半透明のガラス板やセラミック板やアクリル系樹脂製の板などが用いられ、厚みを例えば300〜3,000μmに設定している。
分離層3は、ワーク1又は支持体2を介して照射されたレーザ光Lを吸収することにより、接着力を低下させるように変質して、僅かな外力を受けると接着性を失い剥離するか、又は破壊し得るように変質する層である。
分離層3の材料としては、例えばポリイミド樹脂などのような接着性を有しており、ワーク1と支持体2とが接着剤からなる接着層を介装することなく貼り合わせ可能な材料を用いることが好ましい。さらにワーク1と支持体2の剥離後において、容易に洗浄除去できる別の層を積層することも可能である。また分離層3が接着性を有していない材料からなる場合には、分離層3とワーク1の間に接着剤からなる接着層(図示しない)を設けて、接着層により分離層3とワーク1を接着する必要がある。
積層体Sの具体例として図1〜図5に示される場合には、ワーク1となる矩形(正方形)の基板と、支持体2となる矩形(正方形)のサポート基板(キャリア基板)を分離層3で貼り合わせたパネル形状(正方形)の積層体Sを用いている。パネル形状の積層体Sは、ファンアウト型PLP技術などで製造されるワーク1と、ワーク1の表面に複数の半導体素子Scが搭載されるとともに樹脂などの封止材Srで封止した封止体と、封止体の表面に積層される分離層3と、分離層3を挟んで積層される支持体2と、を有する四層構造になっている。複数の半導体素子Scを備えた封止体は、最終的にダイシングなどでXY方向へ切断した後に、再配線層などを介して電極取り出し部を取り付けるなどの最終工程を経ることにより、最終製品である複数の電子部品が製造される。
図示例では、積層体Sを支持体2側が後述する光照射部22と対向するように配置することで、剥離用の光線Lが支持体2を透して分離層3に照射される設定にしている。
また、その他の例として図示しないが、ワーク1となる円形のウエハと、支持体2となる円形のサポート基板(キャリア基板)を分離層3で貼り合わせたウエハ形状の積層体Sを用いることも可能である。さらに、積層体Sをワーク1と分離層3と支持体2からなる三層構造に変更することや、積層体Sをワーク1側が後述する光照射部22と対向するように配置して、剥離用の光線Lがワーク1を透して分離層3に照射されるように設定変更することも可能である。
保持部材10は、搬入された積層体Sを移動不能に支持するために設けられるステージ11と、ステージ11から積層体Sに向け突出して設けられる固定支持部12及び可動支持部13と、を有している。
ステージ11は、金属などの剛体で歪み(撓み)変形しない厚さの定盤などの表面に、積層体Sの外形寸法よりも大きな平滑状に形成される。
ステージ11には、積層体Sのワーク1又は支持体2のいずれか一方とZ方向へ対向するように、固定支持部12と可動支持部13を組み合わせて複数個それぞれ分散して配置される。
搬入機構Rは、積層体Sの供給源(図示しない)と保持部材10に亘って移動可能な搬送ロボットなどが用いられ、ステージ11に対して接近移動させることが好ましい。搬入機構Rとなる搬送ロボットは、複数のロボットハンドR1を有し、積層体Sの供給源(図示しない)から受け取った分離前の積層体Sにおいて下面の複数部位を、複数のロボットハンドR1で下から支え持ち、保持部材10のステージ11に向け搬送するように制御される。複数のロボットハンドR1は、図1などに示される積層体Sが保持される前の状態で、ステージ11とZ方向に対向する空間位置Rpまで積層体Sを搬送してから、固定支持部12及び可動支持部13に向けて積層体Sを下降させるように制御される。さらに複数のロボットハンドR1は、図3などに示される固定支持部12及び可動支持部13に対して積層体Sの受け渡しが完了した保持後の状態で、積層体Sの支えを解除して、積層体Sの供給源に向けて戻るように制御される。
静止吸引パッド12aは、弾性変形可能な材料で円筒などの筒状に形成され、ステージ11からZ方向へ所定長さ離して配置するとともに、その内部に第一吸気孔12bを有する。第一吸気孔12bは、固定支持部12の内部に形成された第一通気路12cを通って真空ポンプやコンプレッサーなどの第一吸排気源12dに連通している。第一吸排気源12dの吸引作動により、積層体S(図示例ではワーク1)に沿って静止吸引パッド12aが弾性変形して吸着するように構成される。
可動支持部13は、硬質な材料からなる管体にスプリングばねなどの弾性体を内装するなどすることにより、XY方向へ移動不能であるが、Z方向へは弾性的に伸縮自在に立設される。可動支持部13において積層体Sのワーク1又は支持体2のいずれか一方に向かう先端部位には、Z方向へ弾性的に移動(昇降)自在な応動吸引パッド13aが設けられる。
応動吸引パッド13aは、弾性変形可能な材料で円筒などの筒状に形成され、静止吸引パッド12aとXY方向へ接近した位置に配設することが好ましい。応動吸引パッド13aは、その内部に第二吸気孔13bを有し、第二吸気孔13bが、可動支持部13の内部に形成された第二通気路13cを通って第二吸排気源13dに連通している。第二吸排気源13dの吸気作動により、積層体Sのワーク1又は支持体2のいずれか一方に沿って応動吸引パッド13aが弾性変形して吸着するように構成される。
これに加えて応動吸引パッド13aは、少なくとも保持部材10に対して積層体Sが保持される前の初期状態で、積層体S(図示例ではワーク1)に向けて静止吸引パッド12aよりも突出させるように配置設定すればよい。応動吸引パッド13aの弾性的な移動量は、静止吸引パッド12aの高さ配置を基準として、それよりもZ方向へ所定長さ突出及び没入可能に設定されている。
さらに、静止吸引パッド12a及び応動吸引パッド13aは、積層体Sのワーク1又は支持体2のいずれか一方に対する吸着位置で、ワーク1又は支持体2へのダメージを減らすために吸着痕防止用の部材を取り付けることが好ましい。
可動支持部13(応動吸引パッド13a)の配設位置は、ステージ11の基点11aを中心として固定支持部12(静止吸引パッド12a)の配設位置よりも外側近傍位置に設定することが好ましい。
静止吸引パッド12aの高さ位置は、ステージ11からZ方向へ所定長さ(約30mm以上)離して配置される。これにより、搬入機構Rとなる複数のロボットハンドR1の侵入を可能にするとともに、後述する光照射部22から照射される剥離用の光線(レーザ光)Lでステージ11が不意に加工される事故を防いでいる。
これら可動支持部13の応動吸引パッド13aは、図1などに示される積層体Sの保持前状態で、静止吸引パッド12aの高さ配置よりも積層体Sに向け最大約5mm以上突出しており、図3などに示される積層体Sの保持後状態では、静止吸引パッド12aの高さ配置よりも最大約5mm以上没入するように設定されている。
また、その他の例として図示しないが、静止吸引パッド12a及び応動吸引パッド13aの分散配置や配置個数を図示例以外の分散配置や配置個数に変更することも可能である。これに加え、積層体Sの全体サイズや厚みに対応して、静止吸引パッド12aの高さ配置を中心とした応動吸引パッド13aの突出量及び没入量を変更することなども可能である。
光照射部22から積層体Sに向け照射する剥離用の光線Lとしては、レーザ光や赤外線などが挙げられ、その中でもワーク1又は支持体2を透過し且つ分離層3が吸収可能な波長のレーザ光を用いることが好ましい。
詳しく説明するとレーザ光の中でも、投影形状がライン(スリット)状のレーザ光よりは、高出力なレーザが容易に得られるスポット(点)状のレーザ光が好ましい。連続発振されるレーザ(連続波レーザ)よりは、分離層3内に吸収されたレーザエネルギーによる熱の影響を抑えられ、且つ高エネルギーを分離層3内に与えるため、パルス発振されるレーザ光(パルスレーザ光)が好ましい。
すなわち、光照射部22には、剥離用の光線Lとして光源21で発生されたスポット状などのレーザ光の光軸(主軸)L1を動かすための光掃引手段(レーザスキャナ)22aが設けられ、レーザスキャナ22aにより積層体Sに対してレーザ光を走査(掃引)させるように構成することが好ましい。
レーザスキャナ22aとしては、回転自在に設けられるポリゴンスキャナやガルバノスキャナなどが用いられ、レーザスキャナ22aから分離層3へ向かう光照射方向(Z方向)と交差するXY方向のいずれか一方、又はXY方向の両方へ掃引させることが好ましい。
レンズ22bは、レーザスキャナ22aからのレーザ光Lを集光する機能を有しており、ポリゴンスキャナやガルバノスキャナなどと組み合わせて使用されるfθレンズを用いることが好ましい。fθレンズは、レンズの中心部やその周辺部で走査速度を一定にし、且つ一つの平面上に焦点を置くことが可能になる。
さらにレンズ22bとしては、レンズ中心を通りレンズ面に垂直な光軸L1に対して主光線L2が平行に配置可能なテレセントリック系レンズや、光軸L1に対して主光線L2が様々な角度に配置可能な非テレセントリック系レンズを用いることが好ましい。
特に非テレセントリック系レンズの場合には、レーザ光Lの照射が安定するレンズ中心部(レンズ中央とその周辺部分)を主に使用し、レーザ光Lの照射が不安定なレンズ外周端部は使用しないことが好ましい。
レーザスキャナ22a及びレンズ22bの一例として図1〜図5に示される場合には、レーザスキャナ22aとしてポリゴンスキャナを用い、ポリゴンスキャナは回転駆動する筒体の周囲に正N角形に配置されたミラー部を有している。レンズ22bとしては、非テレセントリック系レンズ(非テレセントリック系fθレンズ)を用いている。
ポリゴンスキャナに向けて入射したレーザ光Lは、ミラー部に当たって反射し、レンズ22bを通って積層体Sに向け略垂直又は所定角度の光路に変換される。ポリゴンスキャナのミラー部の回転駆動による掃引方向は、XY方向のいずれか一方のみである。図示例では、正N角形のミラー部に対するレーザ入射方向(X方向)と平行な直線方向へ所定幅だけレーザ光Lを一方のみに移動させている。
また、その他の例として図示しないが、レーザスキャナ22aとしてガルバノスキャナ又はポリゴンスキャナとガルバノスキャナを組み合わせて用いることや、これらとは別な構造のものを用いて、XY方向のいずれか一方又はXY方向の両方へ掃引する若しくはレーザ光Lを双方に往復移動させるなどの変更も可能である。レンズ22bとしてテレセントリック系レンズ(テレセントリック系fθレンズ)を用いることも可能である。
またワーク1から支持体2を確実に剥離するには、レーザスキャナ22aから分離層3に照射したレーザ光Lのエネルギー量(エネルギー密度)により、分離層3の全面を均一に分解して剥離可能な程度まで変質させる必要がある。分離層3の材質によっても分解変質に必要なエネルギー量が異なる。
このような状況下で例えば特開2012−024783号公報に記載されるように、分離層3の全体を複数の領域に分割して、これら分割領域に対しレーザスキャナ22aからレーザ光Lを1回(1ショット)ずつ照射することが考えられる。
しかし、分離層3の全体を複数の照射領域に分割した程度では、各照射領域のサイズが大き過ぎて、各照射領域に対してレーザ光Lを十分に集中させることができず、各照射領域に照射したレーザ光Lのエネルギー量(エネルギー密度)が、分離層3の全面を均一に分解させるレベルまで達しないことがあった。分離層3の材質によっては、各照射領域の全面を均一に分解して剥離可能な程度まで変質できず、剥離ムラが発生した。
すなわち、保持部材10に保持された積層体S(分離層3)に向けてレーザスキャナ22aから照射されるレーザ光Lの領域は、図2に示されるように、分離層3の照射面全体を複数の照射領域Paに分割し、複数の照射領域Paに対してレーザスキャナ22aからスポット状のレーザ光Lを各照射領域Pa毎(単位照射領域毎)にそれぞれ整列照射する。
詳しく説明すると、複数の照射領域Paは、積層体S(分離層3)の全体面積よりも小さい面積となるように分割され、分割された各照射領域Paの形状を矩形(正方形及び長方形を含む角が直角の四辺形)形状やXY方向のいずれか一方へ長尺な帯状とすることが好ましい。複数の照射領域Paの分割方向(配列方向)は、レーザスキャナ22aによるレーザ光L(光軸L1)の移動方向や、後述する駆動部30による相対的な移動方向と同じX方向やY方向に配列される。複数の照射領域Paのサイズは、後述する制御部50によって調整可能に設定することが好ましい。複数の照射領域Paに対してレーザスキャナ22aからレーザ光Lをレーザ照射する順序についても、後述する制御部50によって調整可能に設定し、任意に設定された順序でレーザスキャナ22aからレーザ光Lを各照射領域Paの全面にそれぞれ照射することが好ましい。
各照射領域Pa毎に対するレーザ光Lの照射は、各レーザ光Lの一部が互いに重なり合うように少なくともレーザスキャナ22aの作動又は後述する駆動部30との組み合わせでX方向及びY方向へ並べて順次それぞれ整列照射させることが好ましい。
この場合には、複数の照射領域Paのうち一つの照射領域Paの全体が、多数のスポット状のレーザ光Lで隙間なく埋め尽くされる。一つの照射領域Paの全体が多数のスポット状のレーザ光Lで埋め尽くされた後は、次の照射領域Paに対するスポット状のレーザ光Lの整列照射が同様に繰り返し行われる。最終的には複数の照射領域Paのすべてが整列照射される。
これに加えて、複数の照射領域Paの境目Pbを挟んで整列照射されるスポット状のレーザ光Lの間隔は、レーザ光Lのビーム径よりも小さく設定され、境目Pbの反対側に配置されるスポット状のレーザ光Lをそれぞれの端部同士が互いに接するように整列照射させることが好ましい。
複数の照射領域Paの境目Pbとは、X方向及びY方向へ配列された隣り合う照射領域Paの間に形成される境界線である。境目Pbの間隔とは、境目Pbを挟んで整列照射されるスポット状のレーザ光Lにおいてビーム中心の間に亘る距離をいう。これにより、照射領域Paの全体がすべて多数のスポット状のレーザ光Lで埋め尽くされるとともに、照射領域Paの境目Pbにおいても、多数のスポット状のレーザ光Lで埋め尽くされる。
駆動部30による相対的な移動方向は、XY方向のみに限られず、必要に応じてZ方向も含まれる。
駆動部30となる光軸相対移動機構には、主に保持部材10及び積層体Sを動かすワーク側移動タイプと、レーザスキャナ22aを動かす光軸側移動タイプがある。
駆動部30の具体例として図1〜図9に示されるワーク側移動タイプの場合は、保持部材10に駆動部30が設けられ、駆動部30で保持部材10をX方向及びY方向やZ方向へ動かすことにより、レーザスキャナ22aからの光照射位置PをXY方向やZ方向へ移動させる。この場合の駆動部30としては、XYステージやXYテーブルなどが用いられ、モータ軸などからなるY軸移動機構31及びX軸移動機構32を有している。さらに必要に応じて保持部材10をZ方向へ動かすZ軸移動機構33を設けることが好ましい。
また、光軸側移動タイプの場合は、図示しないが光学系20の一部のみに駆動部30を設けて、保持部材10が動かずレーザスキャナ22aからの光照射位置PをXY方向やZ方向へ移動させるように構成される。この場合の駆動部30としては、ポリゴンスキャナやガルバノスキャナなどからなるXY軸移動機構を有している。さらに必要に応じてZ方向へ相対移動させる場合には、保持部材10にZ軸移動機構33を設けるか、或いはレーザスキャナ22aを駆動部30によってZ方向へ動かす。
測長部40の具体例として図1〜図9に示される場合には、光照射部22(レーザスキャナ22a)に測長部40となるレーザ変位計を設け、レーザスキャナ22aから分離層3の照射面までZ方向への長さを測定し、この測定値を後述する制御部50へ出力している。
これにより、図4〜図9に示されるように、積層体Sに反り変形がある場合には、レーザスキャナ22aからスポット状のレーザ光Lを複数の照射領域Pa毎に整列照射する際に、レーザスキャナ22aから複数の照射領域Paまでの照射距離が略一定となるように、測長部40による測定値に基づいてZ軸移動機構33を作動制御することが可能になる。このため、保持部材10に保持した反りがある積層体Sの分離層3とレーザスキャナ22aとの照射距離が略一定となるように調整可能となる。
また、その他の例として図示しないが、測長部40としてレーザ変位計以外の変位計や変位センサを用いることも可能である。
さらに制御部50は、それ以外にも分離前の積層体Sを保持部材10に向けて搬送するための搬入機構R,光照射後の積層体Sから支持体2のみを保持して引き離す剥離機構(図示しない),剥離後の積層体S(ワーク1)を保持部材10から搬送するための搬出機構(図示しない)などにも電気的に接続するコントローラーでもある。
制御部50となるコントローラーは、その制御回路(図示しない)に予め設定されたプログラムに従って、予め設定されたタイミングで順次それぞれ作動制御している。すなわち制御部50は、光源21から光照射位置Pに照射される剥離用の光線(レーザ光)LのON/OFF制御を始めとするワーク分離装置Aの全体的な作動制御を行うだけでなく、これに加えてレーザ光Lの各種パラメーターの設定などの各種設定も行っている。
制御部50によって光学系20の光照射部22(レーザスキャナ22a)や駆動部30は、保持部材10に保持された積層体Sの分離層3を分割した複数の照射領域Paに対して、レーザスキャナ22aからのレーザ光Lの照射を各照射領域Pa毎に行い、且つレーザ光Lの照射角度が分離層3の表面と略垂直又は所定角度になるように制御している。
これに加えて制御部50となるコントローラーは、タッチパネルなどの入力手段51や表示部(図示しない)などを有し、入力手段51の操作によりレーザスキャナ22aの走査距離や、複数の照射領域Paのサイズや、複数の照射領域Paに対するレーザスキャナ22aからのレーザ光Lの照射順序などが設定可能に構成されている。
本発明の実施形態に係るワーク分離装置Aを用いたワーク分離方法は、保持部材10に積層体Sのワーク1又は支持体2のいずれか一方を着脱自在に保持する保持工程と、保持部材10に保持された積層体Sの支持体2又はワーク1の他方を透して分離層3に向け光照射部22から剥離用の光線(レーザ光)Lを照射する光照射工程と、を主要な工程として含んでいる。
さらに、保持工程の前工程として、積層体Sの供給源(図示しない)から分離前の積層体Sを搬入機構Rで搬送する搬入工程を含んでいる。
光照射工程の後工程としては、保持部材10に保持された積層体Sの分離層3に対する光照射部22からの光照射位置Pを相対的に移動させる相対移動工程と、積層体Sのワーク1から支持体2を剥離する分離工程と、を含んでいる。
また、分離工程の後工程として、分離層3から分離したワーク1に残留している分離層3の残渣を洗浄液で除去する洗浄工程と、洗浄工程後のワーク1をダイシングなどで切断する切り離し工程と、を含むことが好ましい。
保持工程では、ステージ11に対する複数のロボットハンドR1の接近移動により、積層体Sのワーク1又は支持体2のいずれか一方が、可動支持部13と固定支持部12に順次接触して、可動支持部13の応動吸引パッド13a及び固定支持部12の静止吸引パッド12aの吸着で、積層体Sの全体を移動不能に保持する。
ここで、保持部材10のステージ11に搬入される積層体Sは、その大きさ(全体サイズ)と厚みの違いにより、自重による撓み変形を生じて、固定支持部12及び可動支持部13による保持形態が異なる。
つまり、積層体SにおいてXY方向の全体サイズが大型化されることや、Z方向の厚みが薄化された場合には、全体サイズに対する厚みの比率(厚み/全体サイズ)が小さくなるため、積層体Sの全体的な剛性が低くなる。このような全体的に剛性が低い積層体Sを、複数の固定支持部12のみで保持すると、複数の固定支持部12により支持した箇所とは別の箇所で、積層体Sの自重による撓み変形が発生してしまう。この撓み変形は、反り変形と関係なく発生し、その変形量は積層体Sの反り変形よりも遥かに大きくなることがある。
そこで、このような課題を解決するため、保持部材10の所定位置に積層体Sを移動不能に支持するための保持機構として固定支持部12に加え、可動支持部13が具備され、固定支持部12及び可動支持部13を組み合わせて複数個それぞれ分散配置している。さらに保持部材10に対して積層体Sが保持される前の初期状態で、固定支持部12の静止吸引パッド12aよりも可動支持部13の応動吸引パッド13aを、積層体Sのワーク1又は支持体2のいずれか一方に向け突出状に配置している。
図1〜図3に示される第一実施例は、反り変形が無い第一の積層体S1の場合である。
図1に示される第一の積層体S1の保持前状態では、第一の積層体S1に反り変形が無くても、搬入機構Rとなる複数のロボットハンドR1で、第一の積層体S1の下面において複数部位を下方から支え持つことにより、その支持部位以外の不支持部位Sоが自重で下方へ部分的に撓み変形し易い。
図示例では、二つのロボットハンドR1で第一の積層体S1の複数部位を支えるものの、図1の二点鎖線に示されるように、第一の積層体S1の中央部位や外周部位などの不支持部位Sоは、自重で部分的に撓み変形し垂れ下がってしまう。
この場合は、搬入機構Rとなる複数のロボットハンドR1で空間位置Rpから第一の積層体S1が下降することに伴い、第一の積層体S1(図示例ではワーク1)の下面が静止吸引パッド12aよりも先に、不支持部位Sоが応動吸引パッド13aに突き当たって可動支持部13をZ方向へ圧縮させ、応動吸引パッド13aが相対的に弾性移動する。この突き当り(接触)に伴い応動吸引パッド13aの形状が弾性変形して圧接すると同時に、第二吸排気源13dの吸引作動により、応動吸引パッド13aの形状が更に弾性変形して吸着を開始する。このため、第一の積層体S1の下面において応動吸引パッド13aと接触した不支持部位Sоは、応動吸引パッド13aで吸着保持される。
これに続くロボットハンドR1の下降に伴い、第一の積層体S1の下面は、静止吸引パッド12aに突き当たって、第一吸排気源12dの吸引作動により、静止吸引パッド12aが弾性変形して吸着を開始する。このため、第一の積層体S1の下面において静止吸引パッド12aと接触した不支持部位Sоは、静止吸引パッド12aで吸着保持される。
これにより、図3に示される第一の積層体S1の保持後状態では、応動吸引パッド13aのZ方向への相対的な弾性移動と、吸引作動に伴う応動吸引パッド13aの弾性変形が相まって、不支持部位Sоの自重による部分的な撓み変形を抑制する。このため、分散配置された複数の応動吸引パッド13a及び静止吸引パッド12aで、第一の積層体S1の全体が移動不能に支えられる。
図4に示される第二の積層体S2の保持前状態では、第二の積層体S2の反り変形に加え、複数のロボットハンドR1で、第二の積層体S2の下面の複数部位を下から支え持つことにより、その支持部位以外の不支持部位Sоが自重で部分的に撓み変形し易い。
しかし、この場合も第一実施例と同様に、複数のロボットハンドR1による空間位置Rpからの第二の積層体S2の下降に伴い、第二の積層体S2(図示例ではワーク1)の下面が静止吸引パッド12aよりも先に、不支持部位Sоが応動吸引パッド13aに突き当たって可動支持部13をZ方向へ圧縮させ、応動吸引パッド13aが相対的に弾性移動する。この突き当り(接触)に伴い応動吸引パッド13aの形状が弾性変形して圧接すると同時に、第二吸排気源13dの吸引作動により、応動吸引パッド13aの形状が更に弾性変形して吸着を開始する。このため、第二の積層体S2の下面において応動吸引パッド13aと突き当たった不支持部位Sоは、応動吸引パッド13aで吸着保持される。
これに続くロボットハンドR1の下降に伴い、第二の積層体S2の下面は、静止吸引パッド12aに突き当たって、第一吸排気源12dの吸気作動により、静止吸引パッド12aが弾性変形して吸着を開始する。このため、第二の積層体S2の下面において静止吸引パッド12aと接触した不支持部位Sоは、静止吸引パッド12aで吸着保持される。
これにより、図5に示される第二の積層体S2の保持後状態では、応動吸引パッド13aのZ方向への相対的な弾性移動と、吸引作動に伴う応動吸引パッド13aの弾性変形が相まって、第二の積層体S2の反り変形とは関係ない不支持部位Sоの自重による部分的な撓み変形を抑制する。このため、分散配置された複数の応動吸引パッド13a及び静止吸引パッド12aで、第二の積層体S2の反り変形を無理に矯正することなく第二の積層体S2の全体が移動不能に支えられる。
図6に示される第三の積層体S3の保持前状態では、第三の積層体S3の反り変形に加え、複数のロボットハンドR1による支持部位以外の不支持部位Sоが自重で部分的に撓み変形し易い。
図8及び図9に示される第四実施例は、上下方向へ略S字状に反り変形した第四の積層体S4の場合である。
図8に示される第四の積層体S4の保持前状態では、第四の積層体S4の反り変形に加え、複数のロボットハンドR1による支持部位以外の不支持部位Sоが自重で部分的に撓み変形し易い。
しかし、これらの場合も第二実施例と同様に、複数のロボットハンドR1による第三の積層体S3や第四の積層体S4の下降に伴い、静止吸引パッド12aよりも先に不支持部位Sоが応動吸引パッド13aに突き当たって可動支持部13をZ方向へ圧縮させ、応動吸引パッド13aが相対的に弾性移動する。この突き当り(接触)に伴い応動吸引パッド13aの形状が弾性変形して圧接すると同時に、第二吸排気源13dの吸引作動により、応動吸引パッド13aの形状が更に弾性変形して吸着を開始する。これに続くロボットハンドR1の下降に伴い、第三の積層体S3や第四の積層体S4の下面は、静止吸引パッド12aに突き当たって、第一吸排気源12dの吸引作動により、静止吸引パッド12aが弾性変形して吸着を開始する。
これにより、図7に示される第三の積層体S3の保持後状態や、図9に示される第四の積層体S4の保持後状態では、応動吸引パッド13aのZ方向への相対的な弾性移動と、吸引作動に伴う応動吸引パッド13aの弾性変形が相まって、第三の積層体S3や第四の積層体S4の反り変形とは関係ない不支持部位Sоの自重による部分的な撓み変形を抑制する。このため、分散配置された複数の応動吸引パッド13a及び静止吸引パッド12aで、積層体S3,S4の反り変形を無理に矯正することなく積層体S3,S4の全体が移動不能に支えられる。
次に積層体Sが静止吸引パッド12aに突き当たって吸着する。
これにより、全体サイズの大型化や厚みの薄化に伴い剛性が低い積層体Sであっても、応動吸引パッド13aの相対的な弾性移動と、吸引作動に伴う応動吸引パッド13aの弾性変形が相まって、積層体Sの反り変形とは関係ない自重による部分的な撓み変形を抑制する。
このため、分散配置された複数の応動吸引パッド13a及び静止吸引パッド12aで、積層体Sの反り変形を無理に矯正することなく積層体Sの全体が移動不能に支えられる。
したがって、積層体Sの自重による撓み変形を吸収して安定した保持を達成することができる。
その結果として、積層体を反り変形した状態のまま3本の支持棒で三点支持する従来のものに比べ、大型化や薄化に伴い全体的な剛性が低い積層体Sであっても、積層体Sの自重による部分的な撓み変形を増大させることがなく、積層体Sの一部に無理な力がかかることによる部分的な損傷を防止できる。
さらに、応動吸引パッド13aの相対的な弾性移動と、吸引作動に伴う応動吸引パッド13aの弾性変形が相まって、積層体Sの自重による部分的な撓み変形を抑制するため、積層体Sの反り変形を考慮しても、光照射部22から分離層3までの光照射距離が大きく変わることがない。これにより、分離層3に対する剥離用の光線Lの照射形状を安定でき、剥離用の光線Lの未照射や過照射の発生を確実に防止できる。
これに加えて、積層体Sとの突き当りに伴い応動吸引パッド13aが突出方向(Z方向)へ相対的に弾性移動するため、種々の形状に反り変形した積層体Sの反り面に対応して応動吸引パッド13aの形状が弾性変形可能となる。これにより、両者間の隙間の発生を防いで安定した吸着保持を行える。
静止吸引パッド12aが突出方向(Z方向)へ移動不能であるため、積層体Sにおいて静止吸引パッド12aで吸着された支持部位を中心としてその周囲近くの部位が自重により撓み変形が発生し易くなる。
このような場合でも、静止吸引パッド12aで吸着された支持部位近くの不支持部位Sоを、応動吸引パッド13aが弾性的に移動して吸着するため、自重による部分的な撓み変形が抑制される。
したがって、静止吸引パッド12aの近くに発生した自重による部分的な撓み変形を確実に抑制することができる。
その結果、積層体Sの自重による部分的な撓み変形が増大せず、積層体Sの一部に無理な力がかかることによる部分的な損傷を確実に防止できる。
この場合には、ステージ11に対して積層体Sが位置ズレ不能に保持されるため、光照射部22からのレーザ光Lの照射時において積層体Sと相対移動しても、応動吸引パッド13a及び静止吸引パッド12aでステージ11に対し積層体Sが位置ズレ不能に保持される。
このため、スポット状のレーザ光Lの一部が重なり合うように並んだ整列照射の領域では、積層体Sに向け照射したスポット状のレーザ光Lが位置ズレせず、ワーク1又は支持体2を透して分離層3の全体にレーザ光Lが均一に照射される。
したがって、スポット状のレーザ光Lによる整列照射において未照射部分や過照射の発生を防止することができる。
その結果、レーザ光Lの未照射による部分的な剥離不良が発生しないとともに、レーザ光Lの過照射で出力が強くなり過ぎず、ワーク1の回路基板に形成されているデバイスにダメージを起こすことや、部分的な過照射により煤の発生を起こすこともない。
これにより、積層体Sからのワーク1の高精度な剥離を実現できる。
さらに図示例では、積層体Sとしてパネル形状(正方形)のみを示したが、これに限定されず、パネル形状(正方形)の積層体Sに代えて、パネル形状(長方形)の積層体Sや、ウエハ形状(円形)の積層体Sに変更することも可能である。
また図示例では、積層体Sのワーク1又は支持体2のいずれか一方としてワーク1を固定支持部12と可動支持部13で保持したが、これに限定されず、上下反転させて支持体2を固定支持部12と可動支持部13で保持してもよい。
これらの場合においても、前述した実施形態と同様な作用と利点が得られる。
1 ワーク 2 支持体
3 分離層 10 保持部材
11 ステージ 12 固定支持部
12a 静止吸引パッド 13 可動支持部
13a 応動吸引パッド 22 光照射部
50 制御部 L 剥離用の光線(レーザ光)
Claims (4)
- 回路基板を含むワークが支持体と分離層を介して積層される積層体に対し、光照射に伴う前記分離層の変性により前記ワークから前記支持体を剥離するワーク分離装置であって、
前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方を着脱自在に保持する保持部材と、
前記保持部材に保持された前記積層体の前記支持体又は前記ワークの他方を透して前記分離層に向け前記光照射する光照射部と、を備え、
前記保持部材は、前記積層体の前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方と対向するステージと、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動不能な静止吸引パッドを有する固定支持部と、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動自在で且つ弾性変形可能な応動吸引パッドを有する可動支持部と、を有し、前記固定支持部及び前記可動支持部を組み合わせて複数個それぞれ分散して配置されるとともに、前記静止吸引パッドよりも前記応動吸引パッドが前記積層体に向け突出可能に配置されることを特徴とするワーク分離装置。 - 前記静止吸引パッドの近傍に前記応動吸引パッドが配置されることを特徴とする請求項1記載のワーク分離装置。
- 前記光照射部を作動制御する制御部を備え、
前記光照射部から剥離用の光線としてパルス発振されたスポット状のレーザ光の照射が、光照射方向と交差する平面上で前記スポット状の前記レーザ光の一部が重なり合うように並んだ整列照射であり、
前記制御部は、少なくとも前記光照射部の作動により、前記保持部材に保持された前記積層体と前記光照射部とを前記光照射方向と交差する方向へ相対的に移動させ、前記整列照射の繰り返しで前記分離層のすべてが整列照射されるように制御することを特徴とする請求項1又は2記載のワーク分離装置。 - 回路基板を含むワークが支持体と分離層を介して積層される積層体に対し、光照射に伴う前記分離層の変性により前記ワークから前記支持体を剥離するワーク分離方法であって、
前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方を保持部材に着脱自在に保持する保持工程と、
前記保持部材に保持された前記積層体の前記支持体又は前記ワークの他方を透して前記分離層に向け光照射部から前記光照射する光照射工程と、を含み、
前記保持部材は、前記積層体の前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方と対向するステージと、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動不能な静止吸引パッドを有する固定支持部と、前記ステージから前記積層体に向け突出して先端に突出方向へ移動自在で且つ弾性変形可能な応動吸引パッドを有する可動支持部と、を有し、前記固定支持部及び前記可動支持部を組み合わせて複数個それぞれ分散して配置されるとともに、前記静止吸引パッドよりも前記応動吸引パッドが前記積層体に向け突出可能に配置され、
前記保持工程では、前記積層体の自重による撓み変形に伴い、前記応動吸引パッドが前記突出方向へ移動して、前記ワーク又は前記支持体のいずれか一方と弾性的に圧接することを特徴とするワーク分離方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020143808A JP6836003B1 (ja) | 2020-08-27 | 2020-08-27 | ワーク分離装置及びワーク分離方法 |
TW110126015A TWI758210B (zh) | 2020-08-27 | 2021-07-15 | 工件分離裝置及工件分離方法 |
CN202110850800.2A CN114121755A (zh) | 2020-08-27 | 2021-07-27 | 工件分离装置及工件分离方法 |
KR1020210099307A KR102324688B1 (ko) | 2020-08-27 | 2021-07-28 | 워크 분리 장치 및 워크 분리 방법 |
US17/409,194 US11251058B1 (en) | 2020-08-27 | 2021-08-23 | Workpiece-separating device and workpiece-separating method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020143808A JP6836003B1 (ja) | 2020-08-27 | 2020-08-27 | ワーク分離装置及びワーク分離方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6836003B1 true JP6836003B1 (ja) | 2021-02-24 |
JP2022039031A JP2022039031A (ja) | 2022-03-10 |
Family
ID=74661712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020143808A Active JP6836003B1 (ja) | 2020-08-27 | 2020-08-27 | ワーク分離装置及びワーク分離方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11251058B1 (ja) |
JP (1) | JP6836003B1 (ja) |
KR (1) | KR102324688B1 (ja) |
CN (1) | CN114121755A (ja) |
TW (1) | TWI758210B (ja) |
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- 2020-08-27 JP JP2020143808A patent/JP6836003B1/ja active Active
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2021
- 2021-07-15 TW TW110126015A patent/TWI758210B/zh active
- 2021-07-27 CN CN202110850800.2A patent/CN114121755A/zh active Pending
- 2021-07-28 KR KR1020210099307A patent/KR102324688B1/ko active IP Right Grant
- 2021-08-23 US US17/409,194 patent/US11251058B1/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114121755A (zh) | 2022-03-01 |
KR102324688B1 (ko) | 2021-11-09 |
US11251058B1 (en) | 2022-02-15 |
TW202209547A (zh) | 2022-03-01 |
US20220068676A1 (en) | 2022-03-03 |
TWI758210B (zh) | 2022-03-11 |
JP2022039031A (ja) | 2022-03-10 |
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JPWO2022201535A5 (ja) | ||
JPWO2023032037A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201030 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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