WO2012014442A1 - 基板搬送装置及び保持装置 - Google Patents

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WO2012014442A1
WO2012014442A1 PCT/JP2011/004192 JP2011004192W WO2012014442A1 WO 2012014442 A1 WO2012014442 A1 WO 2012014442A1 JP 2011004192 W JP2011004192 W JP 2011004192W WO 2012014442 A1 WO2012014442 A1 WO 2012014442A1
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electrostatic chuck
semiconductor wafer
processed
support surface
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展史 南
和博 武者
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株式会社アルバック
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Definitions

  • the present invention relates to a transfer device that transfers a substrate to be processed such as a semiconductor wafer, and a holding device that holds an object to be processed.
  • a substrate transfer apparatus for transferring a substrate such as a semiconductor wafer.
  • the substrate is transferred between processing chambers such as a film formation chamber and an etching chamber, and various processings are performed on the substrate in each processing chamber.
  • processing chambers such as a film formation chamber and an etching chamber
  • various processings are performed on the substrate in each processing chamber.
  • the substrate In order to improve the throughput, it is required that the substrate can be transported at a high speed. For this purpose, it is necessary to prevent the substrate from slipping due to acceleration applied to the substrate to be transported.
  • Patent Document 1 describes a substrate transport device in which a non-slip pad made of rubber, for example, is provided on the upper surface of a hand portion on which a substrate is placed. This prevents the substrate placed on the hand unit from slipping during transportation (see paragraph [0015] of FIG. 1 and FIG. 1).
  • an electrostatic chuck made of ceramic is provided on the entire upper surface of the wafer blade on which the substrate is placed, thereby suppressing slipping of the back surface of the semiconductor wafer (See Patent Document 2, page 4, left column, line 7 to page right column, second line, FIGS. 2 and 3).
  • JP 2002-353291 A Japanese Patent Publication No. 5-66022
  • the rubber non-slip pad described in Patent Document 1 is altered or deformed at a high temperature of about 300 to 500 ° C., and slipping of the substrate to be conveyed is not properly suppressed. Even at a temperature of 200 ° C. or lower, there is a problem that the substrate sticks to the pad due to the adhesiveness of the rubber non-slip pad. As a result, when the substrate is transferred between the processing chambers, the substrate may not be transferred to an appropriate position, or the substrate may be damaged.
  • the entire back surface of the substrate to be transferred is supported by the electrostatic chuck provided on the blade. Then, when the substrate is warped due to the influence of temperature or the like during the processing process, the force with which the blade holds the substrate is reduced.
  • an object of the present invention is to provide a substrate transfer device that can sufficiently hold a substrate to be processed without being affected by the processing temperature even when the substrate to be processed is warped, and It is to provide a holding device.
  • a substrate transfer apparatus includes a support surface and an electrostatic chuck.
  • the support surface is configured to face the substrate to be processed.
  • the electrostatic chuck is configured to be provided on the support surface so as to contact the central portion including the center of the substrate to be processed and hold the substrate to be processed.
  • the support surface is configured to face the substrate to be processed.
  • the electrostatic chuck is configured to protrude from the support surface in order to contact the central portion including the center of the substrate to be processed and hold the substrate to be processed.
  • the holding body is provided to protrude from the support surface around the electrostatic chuck and to protrude from the support surface so as to contact the periphery of the central portion of the substrate to be processed and hold the substrate to be processed. It is configured to be movable in the direction in which it moves.
  • a holding device includes a support surface and an electrostatic chuck.
  • the support surface is configured to face an object to be processed.
  • the electrostatic chuck is configured to be provided on the support surface so as to contact the central portion including the center of the object to be processed and hold the object to be processed.
  • the support surface is configured to face an object to be processed.
  • the electrostatic chuck is configured to protrude from the support surface so as to contact the central portion including the center of the workpiece and hold the workpiece.
  • the holding body is provided around the electrostatic chuck so as to protrude from the support surface and protrude from the support surface in order to contact the periphery of the central portion of the object to be processed and hold the object to be processed. It is configured to be movable in the direction in which it moves.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing a substrate transfer apparatus according to a first embodiment of the present invention. It is a schematic diagram which shows the end effector shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line BB shown in FIG.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a semiconductor wafer that is not warped is placed on the end effector shown in FIG. 3.
  • It is typical sectional drawing which shows the state by which the semiconductor wafer which curved in the concave shape was mounted on the end effector shown in FIG.
  • a substrate transport apparatus includes a support surface and an electrostatic chuck.
  • the support surface is configured to face the substrate to be processed.
  • the electrostatic chuck is configured to be provided on the support surface so as to contact the central portion including the center of the substrate to be processed and hold the substrate to be processed.
  • the substrate to be processed since the substrate to be processed is held by the electrostatic chuck, the substrate to be processed can be sufficiently held without being affected by the processing temperature. In addition, even when the substrate to be processed is warped, the central portion that is hardly deformed by the warp is held by the electrostatic chuck, so that the substrate to be processed can be sufficiently held without being affected by the deformation due to the warp.
  • the electrostatic chuck may be provided so as to protrude from the support surface. Thereby, for example, even when the substrate to be processed warps in a convex shape, the substrate to be processed can be sufficiently held.
  • the representative length of the electrostatic chuck may be 1/4 or less of the representative length of the substrate to be processed. Thereby, the cost for forming the electrostatic chuck can be suppressed.
  • the shape of the electrostatic chuck may be a circular planar shape. As a result, even when the substrate to be processed is warped, the substrate to be processed and the electrostatic chuck efficiently contact each other, so that the substrate to be processed can be sufficiently held.
  • the substrate transfer device is provided to protrude from the support surface around the electrostatic chuck so as to contact the periphery of the central portion of the substrate to be processed and hold the substrate to be processed.
  • a holding body configured to be movable in the protruding direction may be further included.
  • the periphery of the central portion of the substrate to be processed is held by the holding body. Since the holding body is movable in the protruding direction, the substrate to be processed can be sufficiently held in accordance with deformation due to warping.
  • a substrate transport apparatus includes a support surface, an electrostatic chuck, and a holding body.
  • the support surface is configured to face the substrate to be processed.
  • the electrostatic chuck is configured to protrude from the support surface in order to contact the central portion including the center of the substrate to be processed and hold the substrate to be processed.
  • the holding body is provided to protrude from the support surface around the electrostatic chuck and to protrude from the support surface so as to contact the periphery of the central portion of the substrate to be processed and hold the substrate to be processed. It is configured to be movable in the direction in which it moves.
  • the substrate to be processed since the substrate to be processed is held by the electrostatic chuck, the substrate to be processed can be sufficiently held without being affected by the processing temperature. In addition, even when the substrate to be processed is warped, the central portion with little deformation due to warpage is held by the electrostatic chuck, and the periphery of the center portion is held by the holding body. Since the holding body is movable in the protruding direction, the substrate to be processed can be sufficiently held in accordance with deformation due to warping.
  • the holding body may include a main body that holds the substrate to be processed and a biasing member that biases the main body in a direction protruding from the support surface. Accordingly, even when the substrate to be processed is warped, the periphery of the central portion of the substrate to be processed can be sufficiently held by the main body of the holder.
  • the electrostatic chuck may have a first contact surface that contacts the substrate to be processed.
  • the main body may have a second contact surface that contacts the substrate to be processed.
  • the height of the second contact surface with respect to the support surface is higher than the height of the first contact surface with respect to the support surface. It can be large. Thereby, the periphery of the center part of a to-be-processed substrate can fully be hold
  • the support surface may face the substrate to be processed having a circular shape.
  • the electrostatic chuck may have a contact center portion that contacts the center of the substrate to be processed.
  • a plurality of the holding bodies may be provided on the same circle with the contact center portion as the center. As a result, a plurality of holding bodies are provided at the same distance from the center of the substrate to be processed, so that even if the substrate to be processed is warped, the holding body is located where the amount of deformation due to the warping of the substrate to be processed is substantially equal. Can be reliably held.
  • a holding device includes a support surface and an electrostatic chuck.
  • the support surface is configured to face an object to be processed.
  • the electrostatic chuck is configured to be provided on the support surface so as to contact the central portion including the center of the object to be processed and hold the object to be processed.
  • a holding device includes a support surface, an electrostatic chuck, and a holding body.
  • the support surface is configured to face an object to be processed.
  • the electrostatic chuck is configured to protrude from the support surface so as to contact the central portion including the center of the workpiece and hold the workpiece.
  • the holding body is provided around the electrostatic chuck so as to protrude from the support surface and protrude from the support surface in order to contact the periphery of the central portion of the object to be processed and hold the object to be processed. It is configured to be movable in the direction in which it moves.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view showing a substrate transfer apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • the substrate transfer apparatus 100 includes a drive unit 50, a multi-joint arm 60 coupled to the drive unit 50, and the end effector 1 coupled to the tip of the multi-joint arm 60.
  • a semiconductor wafer 2 as a substrate to be processed is placed on the end effector 1.
  • the multi-joint arm 60 is driven to rotate and expand / contract by the drive unit 50, whereby the semiconductor wafer 2 placed on the end effector 1 is transferred.
  • the semiconductor wafer 2 may be transferred in a vacuum, or the semiconductor wafer 2 may be transferred in the atmosphere.
  • the semiconductor wafer 2 having a circular shape is transferred by the substrate transfer apparatus 100.
  • the diameter of the semiconductor wafer 2 is 300 mm and the thickness is 0.775 mm.
  • the size and shape of the semiconductor wafer 2 are not limited to this.
  • the substrate to be processed is not limited to the semiconductor wafer 2, and the material, shape, size, thickness and the like of the substrate to be processed can be set as appropriate.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the end effector 1 shown in FIG. 2A is a plan view of the end effector 1, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2A.
  • the end effector 1 includes a support member 3 that supports the semiconductor wafer 2, an electrostatic chuck 4 provided on the support member 3, and a holding pin 5 as a holding unit.
  • a material of the support member 3 for example, ceramics such as alumina, stainless steel, or the like is used.
  • the support member 3 includes a base 6, two finger parts 7 extending from the base part 6, and a base part 8 disposed between the two finger parts 7. Have. On the base 6 and the finger 7, a step 9 is formed along the edge 2 a of the semiconductor wafer 2 to be placed. A recess 10 for accommodating the semiconductor wafer 2 is formed by the step 9 formed in the arc shape.
  • the upper surfaces of the base portion 6, the finger portion 7 and the base portion 8 in the recess 10 are located on the same plane, and therefore the bottom surface 11 of the recess 10 constituted by the upper surfaces is planar.
  • the bottom surface 11 of the recess 10 corresponds to a support surface facing the semiconductor wafer 2 to be placed (hereinafter, the bottom surface 11 will be referred to as the support surface 11).
  • the step 9 is formed at a position where the step 9 and the semiconductor wafer 2 do not contact each other, that is, at a position where the planar shape of the recess 10 is larger than the planar shape of the semiconductor wafer 2.
  • the diameter of the concave portion 10 viewed in plan is 302 mm
  • the thickness of the region corresponding to the concave portion 10 of the support member 3 is 1.8 mm
  • the thickness of the base 6 other than the region corresponding to the recess 10 is 4 mm
  • the thickness of the finger portion 7 other than the region corresponding to the recess 10 is 3 mm.
  • the above dimensions may be set as appropriate.
  • the electrostatic chuck 4 is provided on the base part 8 so as to protrude from the upper surface of the base part 8 constituting the support surface 11. As shown in FIG. 2A, the electrostatic chuck 4 contacts the central portion 2c including the center 2b of the semiconductor wafer 2 to be placed, and holds the semiconductor wafer 2. That is, the position and shape of the pedestal 8 are appropriately set so that the electrostatic chuck 4 comes into contact with the central portion 2 c of the semiconductor wafer 2.
  • the electrostatic chuck 4 is formed by forming a thin film electrode made of, for example, copper, aluminum, or gold using, for example, vapor deposition or printing technology, and then covering the electrode with an electrical insulator by, for example, sputtering technology.
  • an electrical insulator polyimide, silicon carbide ceramics, alumina, aluminum nitride, or the like is used.
  • the same alumina as the material of the support member 3 is used as the material of the electrical insulator.
  • the semiconductor wafer 2 can be properly held by the electrostatic chuck 4. Further, since the gas released from the electrostatic chuck 4 can be reduced, for example, when the semiconductor wafer 2 is transported in a vacuum, the vacuum atmosphere can be prevented from being contaminated by the gas.
  • a thin film electrode on an arc is formed on the base 8, and an electrostatic chuck 4 having a circular planar shape is provided as shown in FIG.
  • the formation method of the electrostatic chuck 4, the material used, the planar shape of the electrostatic chuck 4, and the like may be set as appropriate.
  • the electrostatic shape whose planar shape is a substantially rectangular shape A chuck may be used.
  • an electrostatic chuck having a planar shape such as an elliptical shape or a polygonal shape may be used.
  • the electrostatic chuck 4 can appropriately control the holding force for holding the semiconductor wafer 2 by controlling the voltage application to the thin film electrode.
  • the control of the holding force here is not limited to a mode in which there is a holding force, that is, an ON / OFF control of the voltage applied to the thin film electrode, and includes a mode in which the holding force is variably controlled.
  • the holding pins 5 are formed so as to protrude from the support surface 11 at positions where the semiconductor wafer 2 can be held in contact with the region 2d around the central portion 2c of the semiconductor wafer 2.
  • three holding pins 5 are formed on a circle O centering on the central portion 12 of the electrostatic chuck 4.
  • the center portion 12 of the electrostatic chuck 4 corresponds to a contact center portion that contacts the center 2 b of the semiconductor wafer 2.
  • the three holding pins 5 are arranged at equal intervals of 120 degrees with the central portion 12 of the electrostatic chuck 4 as a reference.
  • the holding pin 5 is provided so as to be fitted into the mounting hole 13 formed in the support surface 11.
  • the holding pin 5 is provided so as to be movable along the attachment hole 13 in a direction in which the holding pin 5 protrudes from the support surface 11 (z direction shown in FIG. 2).
  • the position where the holding pins 5 are formed with respect to the support member 3, the number and materials of the holding pins 5 may be set as appropriate.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining in detail the electrostatic chuck 4 and the holding pin 5 according to the present embodiment, and is a cross-sectional view taken along the line BB shown in FIG. 2 (A).
  • FIG. 3 shows a state where the semiconductor wafer 2 is not placed on the end effector 1, that is, a state where the semiconductor wafer 2 is not held by the electrostatic chuck 4 and the holding pins 5.
  • the electrostatic chuck 4 is provided on the base portion 8 so as to protrude from the support surface 11. Therefore, as shown in FIG. 3, the contact surface 14 of the electrostatic chuck 4 that contacts the semiconductor wafer 2 is arranged at a height H 1 from the support surface 11.
  • the height H 1 may be set as appropriate in consideration of the amount of warpage of the semiconductor wafer 2 being transferred, and will be described in detail later.
  • the holding pin 5 is in contact with the area 2 d around the semiconductor wafer 2 and has a main body 15 that holds the semiconductor wafer 2.
  • the main body 15 comes into contact with the area 2 d around the semiconductor wafer 2, for example, when the size of the electrostatic chuck 4 is smaller than the size of the transferred semiconductor wafer 2, the semiconductor wafer 2 is vertically aligned. Inclination with respect to the electrostatic chuck 4 can be prevented.
  • the semiconductor wafer 2 is held by the holding pins 5 and the electrostatic chuck 4 by adding the static frictional force between the semiconductor wafer 2 and the main body 15 to the suction force generated by the electrostatic chuck 4.
  • an electrostatic chuck may be used as the main body 15 and the semiconductor wafer 2 may be held only by electrostatic force.
  • the height H 2 of the contact surface 16 of the main body 15 with respect to the support surface 11 without holding the semiconductor wafer 2 is greater than the height H 1 of the contact surface 14 of the electrostatic chuck 4.
  • the difference between the height H 1 of the contact surface 14 of the electrostatic chuck 4 and the height H 2 of the contact surface 16 of the holding pin 5 is illustrated as a difference h.
  • the height H 2 and the difference h of the contact surface 16 of the holding pin 5 will be described later.
  • the holding pin 5 has a spring 18 as a biasing member provided between the bottom surface 17 of the mounting hole 13 into which the holding pin 5 is fitted and the main body 15.
  • the spring 18 biases the main body 15 in a direction protruding from the support surface 11 (positive direction of the z axis).
  • the spring 18 for example, a coil spring, a thin plate spring, and other various urging members that can urge the main body 15 are used.
  • the main body 15 of the holding pin 5 shown in FIG. 3 has a shape such that the diameter of the contact surface 16 in contact with the semiconductor wafer 2 is smaller than the diameter of the portion connected to the spring 18.
  • the shape of the main body 15 may be set as appropriate.
  • FIG. 4 is a view for that purpose, and shows a state in which a semiconductor wafer 2 in which no warpage has occurred is placed on the end effector 1.
  • the central portion 2 c including the center 2 b of the semiconductor wafer 2 contacts the contact surface 14 of the electrostatic chuck 4.
  • a voltage is applied to a thin film electrode (not shown) included in the electrostatic chuck 4 so that the central portion 2 c of the semiconductor wafer 2 is sufficiently held without being affected by the temperature of the semiconductor wafer 2.
  • a voltage may be applied to the thin film electrode of the electrostatic chuck 4 before the semiconductor wafer 2 is placed on the electrostatic chuck 4. Then, the semiconductor wafer 2 may be placed on the electrostatic chuck 4 where the attracting force due to the electrostatic force is generated.
  • the contact surface 16 of the main body 15 of the holding pin 5 and the semiconductor wafer 2 are in contact with each other.
  • the holding pins 5 are pressed by the weight of the semiconductor wafer 2 in the protruding direction (z direction) with respect to the support surface 11.
  • the main body 15 of the holding pin 5 moves along the attachment hole 13 by a distance h in the direction opposite to the direction in which the spring 18 is urged.
  • the region 2d around the semiconductor wafer 2 where no warpage has occurred is sufficiently held by the main body 15 of the holding pin 5 biased in the protruding direction.
  • the elastic force and length of the spring 18 of the holding pin 5 may be set as appropriate as long as the semiconductor wafer 2 to be transferred can be sufficiently held.
  • the elastic force and length of the spring 18 may be appropriately set based on the weight of the semiconductor wafer 2 and the coefficient of static friction determined by the material of the semiconductor wafer 2 and the material of the main body 15 of the holding pin 5. .
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a state where a semiconductor wafer 2 ′ with warpage is placed on the end effector 1.
  • FIG. 5 shows a semiconductor wafer 2 ′ warped in a concave shape, that is, a semiconductor wafer 2 ′ in which the surrounding region 2 ′ d is deformed in a direction away from the support surface 11.
  • deformation amount D 1 the deformation amount at the edges 2'a of the semiconductor wafer 2 'shown in FIG.
  • the warp of the semiconductor wafer 2 ' occurs due to, for example, the influence of temperature during the processing step on the semiconductor wafer 2', the stress of the film formed on the semiconductor wafer 2 ', or the like.
  • the central portion 2 ′ c of the semiconductor wafer 2 ′ is held by the electrostatic chuck 4. Even when warpage occurs in the semiconductor wafer 2 ′, deformation due to warpage is relatively small in the central portion 2 ′ c of the semiconductor wafer 2 ′. Therefore, even when the semiconductor wafer 2 ′ is warped, the central portion 2 ′ c of the semiconductor wafer 2 ′ that is less affected by the warp is sufficiently held by the electrostatic chuck 4.
  • the semiconductor wafer 2 ′ is deformed so as to be separated from the support surface 11 due to the influence of warpage.
  • the contact surface 16 of the main body 15 of the holding pin 5 is arranged at a position higher than the contact surface 14 of the electrostatic chuck 4. Therefore, even when the semiconductor wafer 2 ′ having a concave shape is placed on the end effector 1, the region 2 ′ d around the semiconductor wafer 2 ′ is sufficiently held by the main body 15 of the holding pins 5.
  • the difference h between the height H 1 of the contact surface 14 of the electrostatic chuck 4 and the height H 2 of the contact surface 16 of the main body 15 of the holding pin 5 is based on the amount of deformation due to warping of the semiconductor wafer 2 ′ to be processed. May be set as appropriate. For example, among deformation amounts due to warpage that may occur in the semiconductor wafer 2 ′, a deformation amount within an allowable range is appropriately set, and the magnitude of the difference h is set based on the deformation amount within the allowable range. That's fine.
  • the amount of deformation of the edge portion 2'a of the semiconductor wafer 2 ' is D 1
  • the amount of deformation of the portion 2'e in contact with the body 15 of the retaining pin 5 is assumed to be h.
  • These deformation amounts are set as an allowable range, and the difference h is set to a size substantially equal to the size of the deformation amount h.
  • the difference h may be set slightly larger than the allowable deformation amount of the semiconductor wafer 2 ′. In this case, the region 15'd around the semiconductor wafer 2 'is held in a state where the main body 15 of the holding pin 5 is slightly pressed by the semiconductor wafer 2' deformed into a concave shape.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a semiconductor wafer 2 ′′ warped in a convex shape is placed on the end effector 1. As shown in FIG. 6, the semiconductor wafer 2 ′′ warped in a convex shape is deformed so that the surrounding region 2 ′′ d approaches the support surface 11.
  • D 2 be the amount of deformation at the edge 2 ′′ a of the semiconductor wafer 2 ′′.
  • the central portion 2 ′′ c of the semiconductor wafer 2 ′′ that is relatively less deformed by warping is sufficiently held by the electrostatic chuck 4.
  • the height H 1 of the contact surface 14 of the electrostatic chuck 4 is set based on the deformation amount D 2 of the semiconductor wafer 2 ′′ that deforms into a convex shape. That is, the height H 1 of the contact surface 14 is appropriately set so that the semiconductor wafer 2 ′′ deforming into a convex shape does not contact the upper surface of the finger portion 7 (a part of the support surface 11).
  • the semiconductor wafer 2 ′′ and the finger portion 7 come into contact with each other to prevent the central portion 2 ′′ c of the semiconductor wafer 2 ′′ from being lifted and the holding force by the electrostatic chuck 4 from being lowered. can do. Moreover, it can prevent that dust generate
  • the electrostatic chuck 4 When it is determined that the semiconductor wafer 2 ′′ to be processed is unlikely to be deformed into a convex shape due to, for example, the material of the film formed on the semiconductor wafer 2 ′′, the electrostatic chuck 4
  • the height H 1 of the contact surface 14 may be arbitrarily set.
  • the contact surface 14 of the electrostatic chuck 4 and the support surface 11 may be set to be the same surface.
  • the holding pin 5 may be arranged so that the contact surface 16 of the holding pin 5 is located at a predetermined height from the support surface 11.
  • the semiconductor wafer 2 ′′ is deformed so as to approach the support surface 11 due to the influence of warpage.
  • the holding pin 5 of the present embodiment is movable in the protruding direction (z direction) along the attachment hole 13
  • the region 2 around the semiconductor wafer 2 '' is adapted to the deformation of the semiconductor wafer 2 ''.
  • '' d can be retained sufficiently. This is the same even when the semiconductor wafer 2 ′′ deformed in a convex shape is placed on the end effector 1 or when the semiconductor wafer 2 in which no warpage has occurred is deformed into a convex shape from the state shown in FIG. is there.
  • the semiconductor wafer 2 '' deformation of the edge portion 2''a of is D 2, the deformation amount of the portion 2''e in contact with the body 15 of the retaining pin 5 h 'to be .
  • the main body 15 of the holding pin 5 is provided so as to be movable by a distance h ′ in the direction opposite to the direction biased by the spring 18. That is, based on the deformation amount D 2 (deformation amount h ′) of the semiconductor wafer 2 ′′, the length and elastic force of the spring 18 or the size of the main body 15 are appropriately set, and the amount of movement of the holding pin 5 is determined as desired. Should be.
  • the holding pin 5 may be provided on the end effector 1 so that the difference h shown in FIG. 5 and the distance h ′ shown in FIG.
  • FIG. 7 is a diagram for this purpose.
  • the semiconductor wafer 2 is deformed in a concave shape from the center 2b, and the curvature radius of the shape of the semiconductor wafer 2 due to the deformation is R.
  • the radius of curvature R of the semiconductor wafer 2 is about 11 m.
  • the flatness of the electrostatic chuck 4 is set to 0.05 mm, and the allowable interval at which the electrostatic chuck 4 can be attracted is set to 0.1 mm. That is, in the range of 0.1 mm or less from the surface 19 of the electrostatic chuck 4 shown in FIG. 7, since the electrostatic force acts on the semiconductor wafer 2, the semiconductor wafer 2 included in the range is held. A region 20 that is not strictly in contact with the semiconductor wafer 2 and that can hold the semiconductor wafer 2 is also considered to be substantially in contact with and hold the semiconductor wafer 2. . Accordingly, the surface 19 shown in FIG. 7 corresponds to the contact surface 14 of the electrostatic chuck 4 shown in FIG. As shown in FIG. 7, the warp amount Y of the semiconductor wafer 2 must be 0.05 mm or less at the end 21 of the electrostatic chuck 4.
  • the radius X of the electrostatic chuck 4 is calculated based on the following two equations.
  • the radius X of the electrostatic chuck 4 is about 33 mm or less due to the relationship between the above conditions and the expressions (1) and (2). That is, the electrostatic chuck 4 may be formed within a radius of 33 mm from the position 22 corresponding to the center 2 b of the semiconductor wafer 2. Since the diameter of the semiconductor wafer 2 is 300 mm, it can be seen that the electrostatic chuck 4 having a radius that is at least a quarter of the radius of the semiconductor wafer 2 may be formed.
  • the radius of the semiconductor wafer 2 and the radius of the electrostatic chuck 4 are adopted as corresponding to the representative lengths of the semiconductor wafer 2 and the electrostatic chuck 4.
  • the diameter of the semiconductor wafer 2 and the diameter of the electrostatic chuck 4 may be employed as representative lengths of the semiconductor wafer 2 and the electrostatic chuck 4, respectively.
  • the length of the diagonal line or the length of the edge of the substrate may be adopted as the representative length.
  • the diagonal length of the electrostatic chuck, the length of the end side, or the like may be employed as the representative length.
  • the size of the electrostatic chuck 4 can be set as appropriate based on the amount of warpage of the semiconductor wafer 2.
  • the semiconductor wafer 2 is deformed into a convex shape, it is possible to prevent the electrostatic chuck 4 from being formed in a region that does not contribute to the adsorption of the semiconductor wafer.
  • the cost for forming the electrostatic chuck 4 can be suppressed.
  • the problem of discharge from the electrostatic chuck 4 and the problem of dust caused by making the electrostatic chuck 4 larger than necessary can be prevented.
  • the semiconductor wafer 2 since the semiconductor wafer 2 is held by the electrostatic chuck 4 in the substrate transfer apparatus 100 according to the present embodiment, the semiconductor wafer 2 can be sufficiently held without being affected by the temperature of the semiconductor wafer 2. Even when the semiconductor wafer 2 is warped, the central portion 2 c that is hardly deformed by the warp is held by the electrostatic chuck 4, and the region 2 d around the central portion 2 is held by the holding pins 5. As described above, since the holding pins 5 can move in the protruding direction, the semiconductor wafer 2 can be sufficiently held in accordance with deformation due to warping.
  • the main body 15 of the holding pin 5 is urged by a spring 18 in a protruding direction. Further, based on the deformation amount of the semiconductor wafer 2 deformed into a concave shape, the difference h between the height H 2 of the contact surface 16 of the main body 15 of the holding pin 5 and the height H 1 of the contact surface 14 of the electrostatic chuck 4 is appropriately determined. Is set. Further, the height H 1 of the contact surface 14 of the electrostatic chuck 4 is appropriately set based on the deformation amount of the semiconductor wafer 2 that deforms into a convex shape. As a result, the semiconductor wafer 2 can be sufficiently held by the electrostatic chuck 4 and the holding pins 5 regardless of whether the semiconductor wafer 2 is warped in a convex shape or in a concave shape.
  • the three holding pins 5 are arranged on the circle O centering on the central portion 12 of the electrostatic chuck 4 at equal intervals of 120 degrees. Therefore, a plurality of holding pins 5 are provided at the same distance from the central portion 2 c of the semiconductor wafer 2. As a result, even when the semiconductor wafer 2 is warped, the holding pins 5 can reliably hold the portions where the deformation amount due to the warpage of the semiconductor wafer 2 is substantially equal.
  • FIG. 8 is a schematic perspective view showing an end effector of the substrate transfer apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • the description of the same components and operations as those in the substrate transfer apparatus 100 described in the above embodiment will be omitted or simplified.
  • the electrostatic chuck 204 provided in the end effector 201 has a structure that can be removed from the base 208 connected to the base 206.
  • the electrostatic chuck 204 is connected to the base portion 208 with screws 223.
  • any method may be used for attaching the electrostatic chuck 204 to the base 208.
  • the electrostatic chuck 204 can be detached from the end effector 201, for example, the electrostatic chuck 204 in which a failure has occurred can be easily replaced with a new one. Further, an appropriate electrostatic chuck 204 can be attached to the end effector 201 based on an expected warpage amount of a semiconductor wafer (not shown) to be conveyed. For example, the height of the contact surface 214 of the electrostatic chuck 204, the difference from the height of the contact surface 216 of the holding pin 205, or the area of the contact surface 214 of the electrostatic chuck 204 is appropriately set according to the type of the semiconductor wafer. The electrostatic chuck 204 can be attached as appropriate.
  • FIG. 9 is a schematic view showing a thin film electrode constituting the electrostatic chuck 204 of the present embodiment.
  • the thin film electrodes 225a and 225b are formed on the substrate 224 constituting the electrostatic chuck 204.
  • wirings 226a and 226b that are electrically connected to the thin film electrodes 225a and 225b, respectively, are formed.
  • Each of the wirings 226a and 226b extends to the electrode extraction portions 227a and 227b located in the vicinity of the connection portion with the base portion 208.
  • the thin film electrodes 225a and 225b and the wirings 226a and 226b may be formed simultaneously by, for example, vapor deposition or printing technology, or may be formed individually.
  • Voltages having different polarities are applied to the two thin-film electrodes 225a and 225b through the electrode extraction portions 227a and 227b and the wirings 226a and 226b, respectively, by wiring (not shown) formed inside or outside the articulated arm 60 shown in FIG. Applied. Then, a potential difference is generated between the two thin film electrodes 225 a and 225 b, so that the semiconductor wafer is attracted to the electrostatic chuck 204.
  • the bipolar electrostatic chuck 204 is used.
  • two comb-like thin film electrodes having a plurality of teeth may be formed.
  • one thin film electrode may be formed on the substrate 224, and a monopolar electrostatic chuck that generates a voltage difference between the one thin film electrode and the semiconductor wafer may be provided.
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing a holding device according to the third embodiment of the present invention.
  • 11 is a cross-sectional view taken along the line CC shown in FIG.
  • the holding device 300 is provided in a processing chamber such as a film forming chamber or an etching chamber, and can hold the transferred semiconductor wafer 302. Various types of processing are performed on the semiconductor wafer 302 held by the holding device 300.
  • the holding device 300 has a stage 325 on which the semiconductor wafer 302 is placed.
  • the stage 325 has a support surface 311 that faces the mounted semiconductor wafer 302.
  • an insulating material such as alumina is used as a material for the stage 325.
  • An electrostatic chuck 304 that contacts and holds the central portion 302 c of the semiconductor wafer 302 is provided at the central portion 326 of the stage 325 so as to protrude from the support surface 311.
  • a plurality of holding pins 305 are provided around the electrostatic chuck 304 to hold a region 302 d around the semiconductor wafer 302. Similar to the above-described embodiment, the holding pin 305 is movable in the protruding direction, and includes a main body 315 that contacts the semiconductor wafer 302 and a spring 318 that biases the main body 315 in the protruding direction. Have.
  • the holding device 300 having such a configuration, even when the semiconductor wafer 302 is warped, the central portion 302c of the semiconductor wafer 302 with less deformation due to the warp is sufficiently held by the electrostatic chuck 304. Further, the region 302 d around the semiconductor wafer 302 is sufficiently held by the plurality of holding pins 305 that can move according to the deformation of the semiconductor wafer 302.
  • the dimensions of the electrostatic chuck 304 and the holding pins 305, the positions to be formed, and the like may be appropriately set based on the warpage amount of the semiconductor wafer 302.
  • FIG.12 and FIG.13 is a figure which shows the modification of the end effector 1 shown in FIG.
  • the end effector shown in FIG. 12 is different from the end effector 1 shown in FIG. 2 in the planar shape of the base on which the electrostatic chuck is provided.
  • the base 408 included in the end effector 401 shown in FIG. 12A is disposed between the electrostatic chuck 404 and the base 406, and the width as viewed from the plane of the portion 408a connected to the base 406 is as follows. It is set smaller than the base part 8 shown in FIG.
  • two base parts 508 a and 508 b are formed between the two finger parts 507.
  • An electrostatic chuck 504 is provided in a region where the two base portions 508a and 508b intersect. As described above, as long as the electrostatic chuck is in contact with the center portion of the semiconductor wafer to be placed, the shape of the base portion of the end effector may be appropriately set.
  • the end effector 601 shown in FIG. 13 has three finger portions 607a to 607c extending from the base portion 606, and the electrostatic chuck 604 is attached to the finger portion 607b located at the center of the three finger portions 607a to 607c. Is formed. That is, in the end effector 601 shown in FIG. 13, the finger part 607b also functions as the base part described in the above embodiment. Thus, the electrostatic chuck may be provided on the finger portion. Also, the number of finger portions can be set as appropriate.
  • the end effector is described in detail, and the configuration of the articulated arm other than the end effector is illustrated in FIG.
  • the configuration for transporting the substrate to be processed other than the end effector is not limited to that shown in FIG. 1 and may be set as appropriate.
  • the holding pin is fitted in the mounting hole.
  • the holding pin may be formed to be extendable and contractible on the support surface as long as it can move in the direction protruding from the support surface.
  • a substrate transfer apparatus may include an end effector having a configuration in which only an electrostatic chuck that holds the central portion of a semiconductor wafer is formed on a support surface and no holding pins are formed. It is done.
  • the substrate to be processed is not limited to a semiconductor wafer, and may be a glass substrate used for a display, a solar panel, or the like. Or it is not restricted to a board

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Abstract

【課題】被処理基板に反りが発生した場合でも、処理温度に影響されることなく、被処理基板を十分に保持することができる基板搬送装置、及び保持装置を提供すること。 【解決手段】本発明に係るエンドエフェクタ（１）では、半導体ウエハ（２'）が静電チャック（４）により保持されるので、半導体ウエハ（２'）の温度に影響されることなく半導体ウエハ（２'）を十分に保持することができる。また半導体ウエハ（２'）に反りが発生した場合でも、反りによる変形が少ない中央部（２'ｃ）が静電チャック（４）により保持され、中央部（２'）の周囲の領域（２'ｄ）が保持ピン（５）により保持される。保持ピン（５）は突出方向に移動可能であり、またバネ（１８）により突出する向きに付勢されるので、反りによる変形に合わせて半導体ウエハ（２'）を十分に保持することができる。

Description

基板搬送装置及び保持装置
　本発明は、例えば半導体ウエハ等の被処理基板を搬送する搬送装置、及び被処理物を保持する保持装置に関する。
　半導体製造の分野では、半導体ウエハ等の基板を搬送する基板搬送装置が用いられている。この基板搬送装置により、例えば成膜室やエッチング室等の処理室間で基板が搬送され、各処理室にて基板に各種の加工処理が行われる。スループット向上のために基板を高速で搬送可能であることが求められるが、そのためには搬送される基板に加えられる加速度等により基板が滑ってしまうことを防止しなければならない。
　例えば特許文献１には、基板が載置されるハンド部の上面に例えばゴムからなる滑り止めパットが設けられた基板搬送装置が記載されている。これによりハンド部に載置された基板が、搬送中に滑ってしまうことが防がれている（特許文献１の段落［００１５］、図１等参照）。
　また特許文献２に記載のウエハ搬送ブレードでは、基板が載置されるウエハ・ブレードの上面の全面にセラミックからなる静電チャックが設けられ、これにより半導体ウエハの裏面の滑りが抑制されている（特許文献２の第４頁左欄第７行～同頁右欄第２行、図２、図３参照）。
特開２００２－３５３２９１号公報 特公平５－６６０２２号公報
　しかしながら特許文献１に記載のゴム製の滑り止めパッドでは、３００～５００℃程度の高温状態において変質や変形が発生してしまい、搬送される基板の滑りが適切に抑制されなくなる。また２００℃以下の状態でも、ゴム製の滑り止めパッドの粘着性により基板がパッドに貼り付いてしまう問題がある。これにより処理室間での基板の受け渡しの際に、基板が適切な位置に搬送されないことや、基板が損傷してしまうことが起こる。
　また特許文献２に記載のウエハ搬送ブレードでは、ブレード上に設けられた静電チャックにより、搬送される基板の裏面全体が支持される。そうすると処理工程中の温度等の影響により基板に反りが発生した場合に、ブレードが基板を保持する力が低下してしまう。
　以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、被処理基板に反りが発生した場合でも、処理温度に影響されることなく、被処理基板を十分に保持することができる基板搬送装置、及び保持装置を提供することにある。
　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る基板搬送装置は、支持面と、静電チャックとを具備する。　
　前記支持面は、被処理基板に対面するように構成される。　
　前記静電チャックは、前記被処理基板の中心を含む中央部に接触して前記被処理基板を保持するために、前記支持面に設けられるように構成される。
　本発明の他の形態に係る基板搬送装置は、支持面と、静電チャックと、保持体とを具備する。　
　前記支持面は、被処理基板に対面するように構成される。　
　前記静電チャックは、前記被処理基板の中心を含む中央部に接触して前記被処理基板を保持するために、前記支持面から突出して設けられるように構成される。　
　前記保持体は、前記被処理基板の前記中央部の周囲に接触して前記被処理基板を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成される。
　本発明の一形態に係る保持装置は、支持面と、静電チャックとを具備する。　
　前記支持面は、被処理物に対面するように構成される。　
　前記静電チャックは、前記被処理物の中心を含む中央部に接触して前記被処理物を保持するために、前記支持面に設けられるように構成される。
　本発明の他の形態に係る保持装置は、支持面と、静電チャックと、保持体とを具備する。
　前記支持面は、被処理物に対面するように構成される。　
　前記静電チャックは、前記被処理物の中心を含む中央部に接触して前記被処理物を保持するために、前記支持面から突出して設けられるように構成される。　
　前記保持体は、前記被処理物の前記中央部の周囲に接触して前記被処理物を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成される。
本発明の第１の実施形態に係る基板搬送装置を示す模式的な斜視図である。 図１に示すエンドエフェクタを示す模式的な図である。 図２（Ａ）に示すＢ－Ｂ線における断面図である。 図３に示すエンドエフェクタに、反りが発生していない半導体ウエハが載置された状態を示す模式的な断面図である。 図３に示すエンドエフェクタ上に、凹状に反った半導体ウエハが載置された状態を示す模式的な断面図である。 図３に示すエンドエフェクタ上に、凸状に反った半導体ウエハが載置された状態を示す模式的な断面図である。 図２に示す円形状の静電チャックの半径と、半導体ウエハの反り量との関係について説明するための図である。 本発明の第２の実施形態に係る基板搬送装置のエンドエフェクタを示す模式的な斜視図である。 図８に示す静電チャックを構成する薄膜電極を示す模式的な図である。 本発明の第３の実施形態に係る保持装置を示す模式的な平面図である。 図１０に示すＣ－Ｃ線における断面図である。 図２に示すエンドエフェクタの変形例を示す図である。 図２に示すエンドエフェクタの変形例を示す図である。 図１０に示す保持装置の変形例を示す図である。
　本発明の一実施形態に係る基板搬送装置は、支持面と、静電チャックとを具備する。
　前記支持面は、被処理基板に対面するように構成される。　
　前記静電チャックは、前記被処理基板の中心を含む中央部に接触して前記被処理基板を保持するために、前記支持面に設けられるように構成される。　
　この基板搬送装置では、被処理基板が静電チャックにより保持されるので、処理温度に影響されることなく被処理基板を十分に保持することができる。また被処理基板に反りが発生した場合でも、反りによる変形が少ない中央部が静電チャックにより保持されるので、反りによる変形の影響を受けずに被処理基板を十分に保持することができる。
　前記静電チャックは、前記支持面から突出して設けられていてもよい。これにより例えば被処理基板が凸状に反った場合でも、十分に被処理基板を保持することができる。
　前記静電チャックの代表長さが、前記被処理基板の代表長さの１／４以下であってもよい。これにより静電チャックを形成するためのコストを抑えることができる。
　前記静電チャックの形状が円形状の平面形状であってもよい。これにより、被処理基板に反りが発生した場合でも、被処理基板と静電チャックとが効率よく接触するので、被処理基板を十分に保持ことができる。
　前記基板搬送装置は、前記被処理基板の前記中央部の周囲に接触して前記被処理基板を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成された保持体をさらに具備してもよい。
　この基板搬送装置では、被処理基板の中央部の周囲が保持体により保持される。保持体は突出方向に移動可能であるので、反りによる変形に合わせて被処理基板を十分に保持することができる。
　本発明の他の実施形態に係る基板搬送装置は、支持面と、静電チャックと、保持体とを具備する。　
　前記支持面は、被処理基板に対面するように構成される。　
　前記静電チャックは、前記被処理基板の中心を含む中央部に接触して前記被処理基板を保持するために、前記支持面から突出して設けられるように構成される。　
　前記保持体は、前記被処理基板の前記中央部の周囲に接触して前記被処理基板を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成される。
　この基板搬送装置では、被処理基板が静電チャックにより保持されるので、処理温度に影響されることなく被処理基板を十分に保持することができる。また被処理基板に反りが発生した場合でも、反りによる変形が少ない中央部が静電チャックにより保持され、中央部の周囲が保持体により保持される。保持体は突出方向に移動可能であるので、反りによる変形に合わせて被処理基板を十分に保持することができる。
　前記保持体は、前記被処理基板を保持する本体と、前記本体を前記支持面から突出する向きに付勢する付勢部材とを有してもよい。これにより被処理基板に反りが発生した場合でも、保持体が有する本体により被処理基板の中央部の周囲を十分に保持することができる。
　前記静電チャックは、前記被処理基板と接触する第１の接触面を有してもよい。また前記本体は、前記被処理基板と接触する第２の接触面を有してもよい。この場合、前記静電チャック及び前記本体により前記被処理基板が保持されない状態において、前記支持面に対する前記第２の接触面の高さが、前記支持面に対する前記第１の接触面の高さよりも大きくてもよい。これにより、被処理基板が凸状に反った場合及び凹状に反った場合のいずれの場合でも、保持体の本体により被処理基板の中央部の周囲を十分に保持することができる。
　前記支持面は、円形状を有する前記被処理基板と対面してもよい。この場合、前記静電チャックは、前記被処理基板の前記中心に接触する接触中心部を有してもよい。また前記保持体は、前記接触中心部を中心とする同一円上に複数設けられてもよい。これにより、被処理基板の中心から同じ距離の位置に保持体が複数設けられるので、被処理基板に反りが発生した場合でも、被処理基板の反りによる変形量が略同等である箇所を保持体によって確実に保持することができる。
　本発明の一実施形態に係る保持装置は、支持面と、静電チャックとを具備する。　
　前記支持面は、被処理物に対面するように構成される。　
　前記静電チャックは、前記被処理物の中心を含む中央部に接触して前記被処理物を保持するために、前記支持面に設けられるように構成される。
　本発明の他の実施形態に係る保持装置は、支持面と、静電チャックと、保持体とを具備する。　
　前記支持面は、被処理物に対面するように構成される。　
　前記静電チャックは、前記被処理物の中心を含む中央部に接触して前記被処理物を保持するために、前記支持面から突出して設けられるように構成される。　
　前記保持体は、前記被処理物の前記中央部の周囲に接触して前記被処理物を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成される。
　以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
　＜第１の実施形態＞
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板搬送装置を示す模式的な斜視図である。基板搬送装置１００は、駆動部５０と、駆動部５０に連結された多関節アーム６０と、多関節アーム６０の先端に連結されたエンドエフェクタ１を有している。エンドエフェクタ１には、被処理基板としての半導体ウエハ２が載置される。駆動部５０により多関節アーム６０が回転及び伸縮するように駆動されることで、エンドエフェクタ１に載置された半導体ウエハ２が搬送される。なお、真空中において半導体ウエハ２が搬送されてもよいし、大気中において半導体ウエハ２が搬送されてもよい。
　本実施形態では、基板搬送装置１００により、円形状を有する半導体ウエハ２が搬送される。半導体ウエハ２の直径は３００ｍｍであり、厚みは０．７７５ｍｍである。しかしながら半導体ウエハ２の大きさや形状がこれに限定されるわけではない。また、搬送される被処理基板として半導体ウエハ２に限定されるわけではなく、被処理基板の材質、形状、大きさ、厚み等は適宜設定可能である。
　図２は、図１に示すエンドエフェクタ１を示す模式的な図である。図２（Ａ）はエンドエフェクタ１の平面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）のＡ－Ａ線における断面図である。エンドエフェクタ１は、半導体ウエハ２を支持する支持部材３と、支持部材３に設けられた静電チャック４と、保持部としての保持ピン５を有する。支持部材３の材料としては、例えばアルミナ等のセラミックスやステンレス鋼等が用いられる。
　図２（Ａ）に示すように、支持部材３は、基部６と、基部６から延在する２本のフィンガー部７と、２本のフィンガー部７の間に配置された台部８とを有する。基部６及びフィンガー部７には、載置される半導体ウエハ２のエッジ部２ａに沿って段差９が形成される。この円弧状に形成された段差９により、半導体ウエハ２を収容する凹部１０が形成される。
　凹部１０内における基部６、フィンガー部７及び台部８のそれぞれの上面は、同一平面上に位置し、従って上記各上面により構成される凹部１０の底面１１は平面状となる。この凹部１０の底面１１は、載置される半導体ウエハ２と対面する支持面に相当する（以下、底面１１を支持面１１と記載する）。また段差９は、段差９と半導体ウエハ２とが接触しない位置に、すなわち凹部１０の平面形状が半導体ウエハ２の平面形状よりも大きくなる位置に形成される。
　本実施形態では、平面的に見た凹部１０の直径は３０２ｍｍであり、支持部材３の凹部１０に対応する領域の厚みは１．８ｍｍである。また凹部１０に対応する領域以外の基部６の厚みは４ｍｍであり、凹部１０に対応する領域以外のフィンガー部７の厚みは３ｍｍである。しかしながら、上記各寸法は適宜設定されてよい。
　静電チャック４は、支持面１１を構成する台部８の上面から突出するように、台部８に設けられる。図２（Ａ）に示すように、静電チャック４は、載置される半導体ウエハ２の中心２ｂを含む中心部２ｃに接触して、半導体ウエハ２を保持する。すなわち台部８は、静電チャック４が半導体ウエハ２の中心部２ｃに接触するように、位置や形状が適宜設定されている。
　静電チャック４は、例えば蒸着やプリント技術を使って、例えば銅、アルミニウム又は金からなる薄膜電極を形成した後、その電極を例えばスパッタリング技術等により電気的絶縁体で覆うことにより形成される。電気的絶縁体としては、ポリイミド、炭化ケイ素セラミックス、アルミナ、窒化アルミニウム等が用いられる。本実施形態では、電気絶縁体の材料として、支持部材３の材料と同じアルミナが用いられる。これにより、例えば半導体ウエハ２に対する処理工程中の温度が３００～５００℃といった高温状態になっても、静電チャック４の電気的絶縁体に変質や変形が発生することを抑制することができる。従って静電チャック４により、適正に半導体ウエハ２を保持することができる。また静電チャック４から放出されるガスを低減することができるので、例えば真空中において半導体ウエハ２が搬送される場合に、その真空雰囲気がガスにより汚染されることを防止することができる。
　また本実施形態では、円弧上の薄膜電極が台部８に形成され、図２（Ａ）に示すように円形状の平面形状を有する静電チャック４が設けられる。これにより、円形状の半導体ウエハ２に反りが発生した場合でも、半導体ウエハ２と静電チャック４とが効率よく接触するので、半導体ウエハ２を十分に保持ことができる。しかしながら静電チャック４の形成方法や、用いられる材料、静電チャック４の平面形状等は適宜設定されてよく、例えば以下の実施形態で説明するような、平面形状が略矩形状である静電チャックが用いられてもよい。その他、楕円形状や多角形状等の平面形状を有する静電チャックが用いられてもよい。
　静電チャック４は、薄膜電極への電圧の印加が制御されることにより、半導体ウエハ２を保持するための保持力を適宜制御することが可能なものである。ここでいう保持力の制御とは、保持力があるかないか、つまり薄膜電極への印加電圧をＯＮ／ＯＦＦ制御する形態に限られず、保持力を可変に制御する形態も含む。
　保持ピン５は、半導体ウエハ２の中心部２ｃの周囲の領域２ｄに接触して半導体ウエハ２を保持することが可能な位置に、支持面１１から突出して形成される。本実施形態では、静電チャック４の中心部１２を中心とする円Ｏ上に、３つの保持ピン５が形成される。静電チャック４の中心部１２は、半導体ウエハ２の中心２ｂに接触する接触中心部に相当する。図２（Ａ）に示すように、３つの保持ピン５は、静電チャック４の中心部１２を基準として、１２０度の等間隔で配置されている。
　また図２（Ｂ）に示すように、保持ピン５は、支持面１１に形成された取り付け孔１３に嵌め込まれるようにして設けられている。そして保持ピン５は、取り付け孔１３に沿って、保持ピン５が支持面１１から突出する方向（図２に示すｚ方向）に移動可能なように設けられる。これら保持ピン５の材料としては、アルミナ等のセラミックスが用いられる。しかしながら、支持部材３に対する保持ピン５が形成される位置、保持ピン５の数や材料等は適宜設定されてよい。
　図３は、本実施形態に係る静電チャック４と保持ピン５とを詳しく説明するための図であり、図２（Ａ）に示すＢ－Ｂ線における断面図である。図３では、エンドエフェクタ１に半導体ウエハ２が載置されない状態、すなわち静電チャック４及び保持ピン５により半導体ウエハ２が保持されない状態が図示されている。
　上記したように、静電チャック４は支持面１１から突出するように台部８に設けられる。従って図３に示すように、半導体ウエハ２と接触する静電チャック４の接触面１４は、支持面１１から高さＨ1の位置に配置される。高さＨ1は、搬送される半導体ウエハ２の反り量を考慮して適宜設定されればよく、詳しくは後述する。
　保持ピン５は、半導体ウエハ２の周囲の領域２ｄと接触し、半導体ウエハ２を保持する本体１５を有する。この本体１５が半導体ウエハ２の周囲の領域２ｄと接触することにより、例えば搬送される半導体ウエハ２の大きさに比べて静電チャック４の大きさが小さい場合に、鉛直方向で半導体ウエハ２が静電チャック４に対して傾いてしまうことを防止することができる。本実施形態では、半導体ウエハ２と本体１５との静摩擦力が静電チャック４で発生する吸引力に加わることにより、半導体ウエハ２が保持ピン５と静電チャック４に保持される。しかしながら、本体１５として静電チャックが用いられ、静電気力のみにより半導体ウエハ２が保持されてもよい。
　図３に示すように、半導体ウエハ２を保持しない状態での支持面１１に対する本体１５の接触面１６の高さＨ2は、静電チャック４の接触面１４の高さＨ1よりも大きい。図３では、静電チャック４の接触面１４の高さＨ1と、保持ピン５の接触面１６の高さＨ2との差を、差ｈとして図示している。保持ピン５の接触面１６の高さＨ2と差ｈについては後述する。
　また保持ピン５は、保持ピン５が嵌め込まれる取り付け孔１３の底面１７と本体１５との間に設けられた、付勢部材としてのバネ１８を有する。このバネ１８により、支持面１１から突出する向き（ｚ軸の正の向き）に本体１５が付勢される。バネ１８としては、例えばコイルバネや薄板バネ、その他本体１５を付勢することができる各種の付勢部材が用いられる。
　なお、図３に示す保持ピン５の本体１５は、半導体ウエハ２と接触する接触面１６の径が、バネ１８と接続されている部分の径よりも小さくなるような形状を有している。しかしながら、本体１５の形状は適宜設定されてよい。
　次に、本実施形態に係る基板搬送装置１００のエンドエフェクタ１に、半導体ウエハ２が載置されるときの動作を説明する。図４はそのための図であり、エンドエフェクタ１上に、反りが発生していない半導体ウエハ２が載置された状態が図示されている。
　図４に示すように、半導体ウエハ２の中心２ｂを含む中心部２ｃが、静電チャック４の接触面１４に接触する。そして静電チャック４が有する図示しない薄膜電極に電圧が印加されることで、半導体ウエハ２の中心部２ｃが、半導体ウエハ２の温度に影響されることなく十分に保持される。静電チャック４上に半導体ウエハ２が載置される前に、静電チャック４の薄膜電極に電圧が印加されてもよい。そして静電気力による吸着力が発生している静電チャック４上に半導体ウエハ２が載置されてもよい。
　半導体ウエハ２の中心部２ｃの周囲の領域２ｄでは、保持ピン５の本体１５の接触面１６と、半導体ウエハ２とが接触する。このとき保持ピン５が、支持面１１に対する突出方向（ｚ方向）で、半導体ウエハ２の自重により押圧される。これにより保持ピン５の本体１５が、バネ１８が付勢する向きと反対の向きに、取り付け孔１３に沿って距離ｈだけ移動する。この結果、反りが発生していない半導体ウエハ２の周囲の領域２ｄが、突出する向きに付勢された保持ピン５の本体１５により、十分に保持される。
　なお、保持ピン５が有するバネ１８の弾性力や長さは、搬送される半導体ウエハ２を十分に保持することができる範囲で適宜設定されればよい。例えば、半導体ウエハ２の重量や、半導体ウエハ２の材料と保持ピン５の本体１５の材料とで定められる静止摩擦係数等に基づいて、バネ１８の弾性力や長さが適宜設定されればよい。
　図５は、エンドエフェクタ１上に反りが発生した半導体ウエハ２’が載置された状態を示す模式的な断面図である。図５では、凹状に反った半導体ウエハ２’、すなわち周囲の領域２’ｄが支持面１１から離れる向きに変形した半導体ウエハ２’が図示されている。図４に示す反りが発生していない半導体ウエハ２と比べた場合の、図５に示す半導体ウエハ２’のエッジ部２’ａにおける変形量を変形量Ｄ1と記載する。
　半導体ウエハ２’の反りは、例えば、半導体ウエハ２’に対する処理工程中の温度の影響や半導体ウエハ２’に形成される膜の応力等により発生する。
　図５に示すように、半導体ウエハ２’の中心部２’ｃが、静電チャック４により保持される。半導体ウエハ２’に反りが発生する場合でも、半導体ウエハ２’の中心部２’ｃでは、反りによる変形が比較的少ない。従って半導体ウエハ２’に反りが発生した場合でも、反りの影響が少ない半導体ウエハ２’の中心部２’ｃは、静電チャック４により十分に保持される。
　半導体ウエハ２’の周囲の領域２’ｄでは、反りの影響により半導体ウエハ２’が支持面１１から離れるように変形する。しかしながら図４に示すように、保持ピン５の本体１５の接触面１６は、静電チャック４の接触面１４よりも、支持面１１に対して高い位置に配置されている。従ってエンドエフェクタ１に、凹状に反った半導体ウエハ２’が載置される場合でも、半導体ウエハ２’の周囲の領域２’ｄは、保持ピン５の本体１５により十分に保持される。
　静電チャック４の接触面１４の高さＨ1と、保持ピン５の本体１５の接触面１６の高さＨ2との差ｈは、処理される半導体ウエハ２’の反りによる変形量に基づいて適宜設定されればよい。例えば半導体ウエハ２’に発生する可能性のある反りによる変形量のうち、許容の範囲の変形量を適宜設定し、その許容の範囲の変形量に基づいて、差ｈの大きさが設定されればよい。本実施形態では、半導体ウエハ２’のエッジ部２’ａの変形量がＤ1であり、保持ピン５の本体１５と接触する部分２’ｅの変形量はｈであるとする。そしてこれらの変形量を許容範囲として設定し、変形量ｈの大きさと略等しい大きさで差ｈが設定されている。あるいは、半導体ウエハ２’における許容範囲の変形量よりも若干大きく差ｈが設定されてもよい。この場合、保持ピン５の本体１５が、凹状に変形した半導体ウエハ２’により若干押圧された状態で、半導体ウエハ２’の周囲の領域２’ｄを保持することになる。
　図６は、エンドエフェクタ１上に凸状に反った半導体ウエハ２’’が載置された状態を示す模式的な断面図である。図６に示すように、凸状に反った半導体ウエハ２’’は、周囲の領域２’’ｄが支持面１１に近づく向きに変形している。半導体ウエハ２’’のエッジ部２’’ａにおける変形量をＤ2とする。
　図６に示すように、反りによる変形が比較的少ない半導体ウエハ２’’の中心部２’’ｃが、静電チャック４により十分に保持される。なお静電チャック４の接触面１４の高さＨ1は、凸状に変形する半導体ウエハ２’’の変形量Ｄ2に基づいて設定されている。すなわち凸状に変形する半導体ウエハ２’’が、フィンガー部７の上面（支持面１１の一部）に接触しないように、接触面１４の高さＨ1が適宜設定される。これにより半導体ウエハ２’’とフィンガー部７とが接触することで、半導体ウエハ２’’の中央部２’’ｃが浮き上がってしまい、静電チャック４による保持力が低下してしまうことを防止することができる。また、半導体ウエハ２’’とフィンガー部７とが接触することで、ダストが発生してしまうことを防止することができる。
　なお、処理される半導体ウエハ２’’が、例えば半導体ウエハ２’’に形成される膜の材料等により、凸状に変形する可能性が低いと判断される場合には、静電チャック４の接触面１４の高さＨ1が任意に設定されてもよい。例えば静電チャック４の接触面１４と支持面１１とが同一面状となるように設定されてもよい。この場合、保持ピン５の接触面１６が、支持面１１から所定の高さに位置するように、保持ピン５が配置されればよい。
　半導体ウエハ２’’の周囲の領域２’’ｄでは、反りの影響により、半導体ウエハ２’’が支持面１１に近づくように変形する。しかしながら本実施形態の保持ピン５は、取り付け孔１３に沿って突出方向（ｚ方向）で移動可能であるので、半導体ウエハ２’’の変形に合わせて、半導体ウエハ２’’の周囲の領域２’’ｄを十分に保持することができる。このことはエンドエフェクタ１に凸状に変形した半導体ウエハ２’’が載置される場合でも、反りが発生していない半導体ウエハ２が図４に示す状態から凸状に変形した場合でも同様である。
　本実施形態では、半導体ウエハ２’’のエッジ部２’’ａの変形量がＤ2であり、保持ピン５の本体１５と接触する部分２’’ｅの変形量はｈ’であるとする。従って保持ピン５の本体１５が、バネ１８により付勢される向きと反対側の向きで、距離ｈ’だけ移動可能なように設けられている。すなわち半導体ウエハ２’’の変形量Ｄ2（変形量ｈ’）に基づいて、バネ１８の長さや弾性力、あるいは本体１５の大きさ等を適宜設定し、保持ピン５の移動量を所期のものとすればよい。なお、図５に示す差ｈと図６に示す距離ｈ’が略等しくなるように、保持ピン５がエンドエフェクタ１に設けられてもよい。
　凸状に反った半導体ウエハ２’’がエンドエフェクタ１上から、例えば図示しない処理室のステージ等に移動すると、バネ１８の弾性力により保持ピン５の本体１５が移動し、図４に示す状態に戻る。
　次に、図２に示す円形状の静電チャック４の半径Ｘと、半導体ウエハ２の反り量との関係について説明する。図７は、そのための図である。
　ここでは半導体ウエハ２が中心２ｂから凹状に変形するものとし、その変形による半導体ウエハ２の形状の曲率半径をＲとする。具体的な例示として、直径３００ｍｍの半導体ウエハ２が凸状に１ｍｍ反ったとすると、半導体ウエハ２の曲率半径Ｒは、約１１ｍとなる。
　また静電チャック４の平面度を０．０５ｍｍとし、静電チャック４の吸着可能な許容間隔を０．１ｍｍとする。すなわち図７に示す静電チャック４の表面１９から０．１ｍｍ以下の範囲においては、半導体ウエハ２に静電気力が作用するので、その範囲に含まれる半導体ウエハ２は保持されることになる。半導体ウエハ２に厳密には接触していない領域であって、半導体ウエハ２を保持することが可能な領域２０も、実質的には半導体ウエハ２に接触してこれを保持しているものとみなす。従って、図７に示す表面１９は、図４等に示す静電チャック４の接触面１４に相当する。図７に示すように静電チャック４の端部２１においては、半導体ウエハ２の反り量Ｙは０．０５ｍｍ以下でなければならない。
　上記のような条件において、以下の２つの式に基づいて、静電チャック４の半径Ｘを算出する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　上記した条件と、式（１）及び（２）との関係により、静電チャック４の半径Ｘは、約３３ｍｍ以下となる。すなわち半導体ウエハ２の中心２ｂに対応する位置２２から半径３３ｍｍの範囲で静電チャック４を形成すればよいことになる。半導体ウエハ２の直径は３００ｍｍであるから、その半導体ウエハ２の半径の４分の１以上の大きさの半径を有する静電チャック４を形成すればよいことが分かる。
　すなわち本実施形態では、半導体ウエハ２の半径及び静電チャック４の半径が、半導体ウエハ２及び静電チャック４の代表長さに相当するものとして採用される。半導体ウエハ２の直径及び静電チャック４の直径が、半導体ウエハ２及び静電チャック４の代表長さとしてそれぞれ採用されてもよい。また例えばＦＰＤ（Flat Panel Display）に用いられるガラス基板等の矩形の平面形状を有する基板が搬送される場合、その基板の対角線の長さや端辺の長さ等が代表長さとして採用されてもよい。また矩形の平面形状を有する静電チャックが用いられる場合も、静電チャックの対角線の長さや端辺の長さ等が代表長さとして採用されてもよい。
　このように、静電チャック４の大きさを、半導体ウエハ２の反り量に基づいて適宜設定することができる。これにより半導体ウエハ２が凸状に変形した際に、半導体ウエハの吸着に寄与しない領域に静電チャック４が形成されてしまうことを防止することができる。この結果、静電チャック４を形成するためのコストを抑えることができる。また、例えば静電チャック４を必要以上に大きくすることによる、静電チャック４からの放電の問題や、ダストの問題等を防止することができる。
　以上、本実施形態に係る基板搬送装置１００では、半導体ウエハ２が静電チャック４により保持されるので、半導体ウエハ２の温度に影響されることなく半導体ウエハ２を十分に保持することができる。また半導体ウエハ２に反りが発生した場合でも、反りによる変形が少ない中央部２ｃが静電チャック４により保持され、中央部２の周囲の領域２ｄが保持ピン５により保持される。上記したように保持ピン５は突出方向に移動可能であるので、反りによる変形に合わせて半導体ウエハ２を十分に保持することができる。
　また図５及び６に示すように、保持ピン５の本体１５は、バネ１８により突出する向きに付勢されている。また凹状に変形する半導体ウエハ２の変形量に基づいて、保持ピン５の本体１５の接触面１６の高さＨ2と静電チャック４の接触面１４の高さＨ1との差ｈが適宜設定されている。さらに、凸状に変形する半導体ウエハ２の変形量に基づいて、静電チャック４の接触面１４の高さＨ1が適宜設定される。これにより半導体ウエハ２が凸状に反った場合及び凹状に反った場合のいずれの場合でも、静電チャック４及び保持ピン５により半導体ウエハ２を十分に保持することができる。
　また図２に示すように、３つの保持ピン５が、静電チャック４の中心部１２を中心とする円Ｏ上に、１２０度の等間隔で配置される。従って半導体ウエハ２の中心部２ｃから同じ距離の位置に保持ピン５が複数設けられることになる。これにより半導体ウエハ２に反りが発生した場合でも、半導体ウエハ２の反りによる変形量が略同等である箇所を保持ピン５によって確実に保持することができる。
　＜第２の実施形態＞
　図８は、本発明の第２の実施形態に係る基板搬送装置のエンドエフェクタを示す模式的な斜視図である。これ以降の説明では、上記の実施形態で説明した基板搬送装置１００における構成及び作用と同様な部分については、その説明を省略又は簡略化する。
　本実施形態に係る基板搬送装置では、エンドエフェクタ２０１に設けられる静電チャック２０４が、基部２０６に接続された台部２０８から取り外し可能な構造となっている。静電チャック２０４は、台部２０８に、ネジ２２３により接続される。しかしながら静電チャック２０４を台部２０８に取り付ける方法は、どのような方法でも構わない。
　静電チャック２０４が、エンドエフェクタ２０１から取り外し可能であるので、例えば故障等が発生した静電チャック２０４を新しいものに容易に交換することができる。また、搬送される図示しない半導体ウエハの予想される反り量に基づいて、適当な静電チャック２０４をエンドエフェクタ２０１に取り付けることができる。例えば、静電チャック２０４の接触面２１４の高さや、保持ピン２０５の接触面２１６の高さとの差、あるいは静電チャック２０４の接触面２１４の面積等を半導体ウエハの種類等に合わせて適宜設定し、その静電チャック２０４を適宜取り付けることができる。
　図９は、本実施形態の静電チャック２０４を構成する薄膜電極を示す模式的な図である。図９に示すように、本実施形態では、静電チャック２０４を構成する基板２２４に薄膜電極２２５ａ及び２２５ｂが形成される。また基板２２４上には、薄膜電極２２５ａ及び２２５ｂにそれぞれ電気的に接続される配線２２６ａ及び２２６ｂが形成される。各配線２２６ａ及び２２６ｂは、台部２０８との接続部分付近に位置する電極取り出し部２２７ａ及び２２７ｂまで延在する。薄膜電極２２５ａ及び２２５ｂと、配線２２６ａ及び２２６ｂとは、例えば蒸着やプリント技術により同時に形成されてもよいし、個別に形成されてもよい。
　図１に示す多関節アーム６０の内部または外部に形成された図示しない配線により、電極取り出し部２２７ａ及び２２７ｂ、配線２２６ａ及び２２６ｂを介して、２つの薄膜電極２２５ａ及び２２５ｂにそれぞれ極性の異なる電圧が印加される。そして２つの薄膜電極２２５ａ及び２２５ｂ間に電位差が生じることで、半導体ウエハが静電チャック２０４に吸着する。
　このように本実施形態では、双極方式の静電チャック２０４が用いられる。図９に示す薄膜電極２２５ａ及び２２５ｂに代えて、複数の歯を有する櫛歯状の薄膜電極が２つ形成されてもよい。あるいは、基板２２４に１つの薄膜電極が形成され、その１つの薄膜電極と半導体ウエハとの間に電圧差を生じさせる単極方式の静電チャックが設けられてもよい。
　＜第３の実施形態＞
　図１０は、本発明の第３の実施形態に係る保持装置を示す模式的な平面図である。図１１は、図１０に示すＣ－Ｃ線における断面図である。
　本実施形態に係る保持装置３００は、例えば成膜室やエッチング室等の処理室に設けられるものであり、搬送された半導体ウエハ３０２を保持することが可能である。この保持装置３００に保持された半導体ウエハ３０２に、各種の加工処理が行われる。
　図１０及び図１１に示すように、保持装置３００は半導体ウエハ３０２が載置されるステージ３２５を有する。ステージ３２５は、載置された半導体ウエハ３０２と対面する支持面３１１を有する。ステージ３２５の材料としては、アルミナ等の絶縁材料が用いられる。
　ステージ３２５の中央部３２６には、半導体ウエハ３０２の中央部３０２ｃと接触しこれを保持する静電チャック３０４が、支持面３１１から突出するように設けられる。静電チャック３０４の周囲には、半導体ウエハ３０２の周囲の領域３０２ｄを保持する保持ピン３０５が複数設けられている。上記した実施形態で説明したものと同様に、保持ピン３０５は突出方向で移動可能となっており、半導体ウエハ３０２と接触する本体３１５と、本体３１５を突出する向きに付勢するバネ３１８とを有する。
　このような構成を有する保持装置３００により、半導体ウエハ３０２に反りが発生した場合でも、反りによる変形の少ない半導体ウエハ３０２の中央部３０２ｃが静電チャック３０４により十分に保持される。また半導体ウエハ３０２の変形に合わせて移動可能な複数の保持ピン３０５により、半導体ウエハ３０２の周囲の領域３０２ｄが十分に保持される。
　静電チャック３０４や保持ピン３０５等の各寸法や、形成される位置等は、半導体ウエハ３０２の反り量に基づいて適宜設定されればよい。
　本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更され得る。
　例えば図１２及び図１３は、図２に示すエンドエフェクタ１の変形例を示す図である。図１２に示すエンドエフェクタは、図２に示すエンドエフェクタ１と比べて、静電チャックが設けられる台部の平面形状が異なるものである。
　図１２（Ａ）に示すエンドエフェクタ４０１が有する台部４０８は、静電チャック４０４と基部４０６との間に配置され、基部４０６に接続される部分４０８ａの平面から見た幅の大きさが、図２に示す台部８よりも小さく設定されている。図１２（Ｂ）に示すエンドエフェクタ５０１では、２本のフィンガー部５０７の間に、２つの台部５０８ａ及び５０８ｂが形成されている。そして２つの台部５０８ａ及び５０８ｂが交差する領域に、静電チャック５０４が設けられている。このように、載置される半導体ウエハの中心部に静電チャックが接触するのであれば、エンドエフェクタが有する台部の形状は適宜設定されてよい。
　図１３に示すエンドエフェクタ６０１は、基部６０６から延在する３本のフィンガー部６０７ａ～６０７ｃを有しており、３つのフィンガー部６０７ａ～６０７ｃのうち中央に位置するフィンガー部６０７ｂに静電チャック６０４が形成されている。すなわち、図１３に示すエンドエフェクタ６０１では、フィンガー部６０７ｂが上記の実施形態で説明した台部としても機能する。このように静電チャックがフィンガー部に設けられてもよい。またフィンガー部の数も適宜設定可能である。
　上記した各実施形態に係る基板搬送装置では、エンドエフェクタについて詳しく説明し、エンドエフェクタ以外の多関節アーム等の構成は、図１に示すものを例示した。しかしながら、エンドエフェクタ以外の、被処理基板を搬送するための構成は、図１に示すものに限られず適宜設定されてよい。
　図４等に示すように、上記の各実施形態では、保持ピンが取り付け孔に嵌め込まれた。しかしながら、支持面から突出する方向に移動可能であるならば、保持ピンが支持面上に伸縮可能なように形成されてもよい。
　また図１４に示す保持装置７００のように、半導体ウエハ７０２の中央部７０２ｃを保持する静電チャック７０４のみが支持面７１１上に形成され、保持ピンが形成されない構成でもよい。このような構成でも、半導体ウエハ７０２の材料、重量、または反り量によっては、半導体ウエハ７０２を十分に保持することができる。なお本発明の一実施形態に係る基板搬送装置として、半導体ウエハの中央部を保持する静電チャックのみが支持面上に形成され、保持ピンが形成されない構成を有するエンドエフェクタを具備するものも考えられる。
　被処理基板としては、半導体ウエハに限られず、ディスプレイ、ソーラーパネル等に用いられるガラス基板であってもよい。あるいは、基板に限られず、部品や部材等の被処理物が搬送又は保持される場合でも、本発明は適用可能である。
　Ｏ…円
　２、２’、２’’、３０２、７０２…半導体ウエハ
　２ｂ、２’ｂ、２’’ｂ…半導体ウエハの中心
　２ｃ、２’ｃ、２’’ｃ、３０２ｃ、７０２ｃ…半導体ウエハの中心部
　２ｄ、２’ｄ、２’’ｄ、３０２ｄ…半導体ウエハの周囲の領域
　４、２０４、３０４、４０４、５０４、６０４、７０４…静電チャック
　５、２０５、３０５…保持ピン
　１１、３１１、７１１…支持面
　１２…静電チャックの中心部
　１４、２１４…静電チャックの接触面
　１５、３１５…保持ピンの本体
　１６、２１６…保持ピンの接触面
　１８、３１８…バネ
　１００…基板搬送装置
　３００、７００…保持装置

Claims (11)

  1. 　被処理基板に対面するように構成された支持面と、
    　前記被処理基板の中心を含む中央部に接触して前記被処理基板を保持するために、前記支持面に設けられるように構成された静電チャックと
    　を具備する基板搬送装置。
  2. 　請求項１に記載の基板搬送装置であって、
    　前記静電チャックは、前記支持面から突出して設けられている基板搬送装置。
  3. 　請求項１又は２に記載の基板搬送装置であって、
    　前記静電チャックの代表長さが、前記被処理基板の代表長さの１／４以下である基板搬送装置。
  4. 　請求項１又は２に記載の基板搬送装置であって、
    　前記静電チャックの形状が円形状の平面形状である基板搬送装置。
  5. 　請求項４に記載の基板搬送装置であって、
    　前記被処理基板の前記中央部の周囲に接触して前記被処理基板を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成された保持体をさらに具備する基板搬送装置。
  6. 　被処理基板に対面するように構成された支持面と、
    　前記被処理基板の中心を含む中央部に接触して前記被処理基板を保持するために、前記支持面から突出して設けられるように構成された静電チャックと、
    　前記被処理基板の前記中央部の周囲に接触して前記被処理基板を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成された保持体と
    　を具備する基板搬送装置。
  7. 　請求項５に記載の基板搬送装置であって、
    　前記保持体は、前記被処理基板を保持する本体と、前記本体を前記支持面から突出する向きに付勢する付勢部材とを有する基板搬送装置。
  8. 　請求項６に記載の基板搬送装置であって、
    　前記静電チャックは、前記被処理基板と接触する第１の接触面を有し、
    　前記本体は、前記被処理基板と接触する第２の接触面を有し、
    　前記静電チャック及び前記本体により前記被処理基板が保持されない状態において、前記支持面に対する前記第２の接触面の高さが、前記支持面に対する前記第１の接触面の高さよりも大きい
    　基板搬送装置。
  9. 　請求項７に記載の基板搬送装置であって、
    　前記支持面は、円形状を有する前記被処理基板と対面し、
    　前記静電チャックは、前記被処理基板の前記中心に接触する接触中心部を有し、
    　前記保持体は、前記接触中心部を中心とする同一円上に複数設けられる
    　基板搬送装置。
  10. 　被処理物に対面するように構成された支持面と、
    　前記被処理物の中心を含む中央部に接触して前記被処理物を保持するために、前記支持面に設けられるように構成された静電チャックと
    　を具備する保持装置。
  11. 　被処理物に対面するように構成された支持面と、
    　前記被処理物の中心を含む中央部に接触して前記被処理物を保持するために、前記支持面から突出して設けられるように構成された静電チャックと、
    　前記被処理物の前記中央部の周囲に接触して前記被処理物を保持するために、前記静電チャックの周囲に前記支持面から突出して設けられ、前記支持面から突出する方向で移動可能であるように構成された保持体と
    　を具備する保持装置。
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