WO2011077678A1 - 基板保持装置 - Google Patents

基板保持装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2011077678A1
WO2011077678A1 PCT/JP2010/007319 JP2010007319W WO2011077678A1 WO 2011077678 A1 WO2011077678 A1 WO 2011077678A1 JP 2010007319 W JP2010007319 W JP 2010007319W WO 2011077678 A1 WO2011077678 A1 WO 2011077678A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
processed
semiconductor wafer
holding
electrostatic chuck
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/007319
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
展史 南
和博 武者
Original Assignee
株式会社アルバック
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社アルバック filed Critical 株式会社アルバック
Priority to JP2011547285A priority Critical patent/JPWO2011077678A1/ja
Publication of WO2011077678A1 publication Critical patent/WO2011077678A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Definitions

  • the present invention relates to a substrate holding apparatus provided with a holding body that holds a substrate to be processed such as a semiconductor wafer during transportation.
  • An apparatus used for manufacturing semiconductor devices, electronic products, and the like includes a plurality of process chambers for variously processing a substrate to be processed and a substrate transfer device for taking the substrate into and out of the process chamber.
  • the substrate transfer apparatus has a drive unit, an arm connected to the drive unit, an end effector connected to the tip of the arm, supports the back surface of the semiconductor wafer on the top surface of the end effector, and performs processing between a plurality of process chambers. Deliver the board.
  • the end effector is generally made of ceramics or stainless steel. For this reason, if the arm is extended and retracted or swiveled at a high speed, the end effector also operates at a high speed. Therefore, the semiconductor wafer slips on the end effector due to the acceleration applied to the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer cannot be transported to the correct position. There is. Therefore, a non-slip pad made of rubber is provided on the upper surface of the end effector (hand portion) and brought into contact at a predetermined position on the back surface of the semiconductor wafer to suppress the slip of the semiconductor wafer (for example, paragraph [ 0026], see FIG.
  • an electrostatic chuck made of ceramic made of alumina or the like is provided on the entire upper surface of the end effector (wafer blade) to suppress slipping of the back surface of the semiconductor wafer (for example, the first in Patent Document 2). (Refer to page 4, left column, line 7 to page right column, line 35).
  • JP 2002-353291 A Japanese Patent Publication No. 5-66022
  • a non-slip pad formed of a resin-based elastic material such as elastomer is efficiently processed when the temperature of the substrate to be processed such as a semiconductor wafer or the ambient temperature is relatively low, for example, 200 ° C. or lower.
  • the slippage of the substrate is suppressed.
  • the substrate to be processed is stuck with the non-slip pad adhesive, and may not be separated from the substrate holding portion and may be cracked.
  • the substrate to be processed cannot be transported to the correct position when the substrate is transferred between the chambers.
  • the slip of the substrate to be processed is suppressed by the frictional force between the non-slip pad and the substrate to be processed in principle, the acceleration that exceeds the maximum static friction force determined by both substances is applied to the substrate to be processed.
  • the substrate to be processed slips on the substrate holding part. Therefore, there is a problem that the operating speed of the transfer device cannot be increased faster than the maximum static frictional force between the non-slip pad and the substrate to be processed.
  • the entire back surface of the substrate to be processed contacts the electrostatic chuck.
  • This method can be used even when the temperature is as high as 300 to 500 ° C., for example.
  • the substrate to be processed is warped in a convex shape due to the influence of temperature during the processing step or the stress of the film to be deposited, or if the substrate to be processed is warped in a concave shape, the back surface of the substrate to be processed will be There is a problem that the substrate to be processed cannot be held sufficiently and the substrate to be processed cannot be sufficiently held, and the substrate to be processed cannot be transported to the correct position.
  • an object of the present invention is to provide a substrate holding device that can be held in a correct position even if the substrate to be processed is warped without being affected by the processing temperature.
  • a substrate holding apparatus includes a support member and a holding body.
  • the support member has a surface facing the substrate to be processed.
  • the holding body includes a voltage applying unit to which a voltage is applied, and the substrate to be processed facing the surface of the support member and an electrical insulator disposed between the voltage applying unit.
  • the holding body contacts the region between the central portion including the center of the substrate to be processed and the edge portion of the substrate to be processed and holds the substrate to be processed on the support member.
  • the holding force of the substrate to be processed can be controlled by projecting from the surface of the member and controlling the application of voltage to the voltage application unit.
  • FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view of an end effector constituting a part of the substrate transfer apparatus shown in FIG. 1. It is sectional drawing of the electrostatic chuck provided in the end effector shown in FIG. It is a top view which shows the planar shape of the electrode of a monopolar electrostatic chuck. It is a top view which shows the planar shape of the electrode of another monopolar electrostatic chuck. It is a top view which shows the planar shape of the electrode of a bipolar electrostatic chuck. It is a top view which shows the planar shape of the electrode of another bipolar type electrostatic chuck.
  • a substrate holding device includes a support member and a holding body.
  • the support member has a surface facing the substrate to be processed.
  • the holding body includes a voltage applying unit to which a voltage is applied, and the substrate to be processed facing the surface of the support member and an electrical insulator disposed between the voltage applying unit.
  • the holding body contacts the region between the central portion including the center of the substrate to be processed and the edge portion of the substrate to be processed and holds the substrate to be processed on the support member.
  • the holding force of the substrate to be processed can be controlled by projecting from the surface of the member and controlling the application of voltage to the voltage application unit.
  • the substrate holding device includes a holding body that protrudes in contact with the region between the center portion and the edge portion of the substrate to be processed, the substrate processing device is subjected to the temperature of the film forming process and the stress of the film formed. Even when the substrate is warped, it can be held without significantly reducing the contact area between the substrate to be processed and the holding body as compared with the case where a flat substrate to be processed is placed. Therefore, even if the substrate to be processed is warped, the substrate to be processed can be stably held without being displaced.
  • the holding body is provided corresponding to only the central portion of the substrate to be processed, for example, when holding the substrate to be processed that is warped in a concave shape, a flat substrate to be processed is placed without warping.
  • the contact area between the holding body and the substrate to be processed is reduced, the holding becomes unstable, and the position is shifted.
  • the holding body is provided corresponding to only the edge portion of the substrate to be processed, for example, when holding the substrate to be processed that is warped in a concave shape, compared with a case where a flat substrate to be processed is placed without warping.
  • the contact area between the substrate to be processed and the holding body is reduced, the holding becomes unstable, and this causes a displacement.
  • the holding body is provided corresponding to the entire surface of the substrate to be processed
  • the substrate to be processed is held as compared with the case where a flat substrate to be processed is placed without warping when the substrate to be processed is warped.
  • the contact area with the body is reduced, the holding becomes unstable, and this causes displacement.
  • the holding body is provided corresponding to the region between the center portion and the edge portion of the substrate to be processed, even if the substrate to be processed is warped, a flat substrate to be processed is provided. Compared with the case where it mounts, it can hold
  • the holding body is provided in the region between the center portion and the edge portion, generation of dust, contamination of the substrate to be processed, and the like can be prevented. That is, when the holding body is provided corresponding to the edge portion of the substrate to be processed, when the substrate to be processed is warped in a concave shape, the center of the back surface of the substrate to be processed may come into contact with the mounting portion. Further, when the holding body is provided corresponding to the central portion of the substrate to be processed, the edge portion of the substrate to be processed may come into contact with the placement portion when the substrate to be processed is along the convex shape. Such contact generates dust and contaminates the substrate to be processed.
  • the height of the holding body In order to prevent such contact, it may be possible to increase the height of the holding body, but by providing the holding body in the region between the center part and the edge part, the height of the holding body is designed to be low. It becomes possible to do. Therefore, it is possible to widen the design range of the processing chamber in which, for example, the substrate holding device is accommodated while preventing generation of dust and contamination of the substrate to be processed.
  • the substrate to be processed may have a circular shape, and the holding body may be provided on a concentric circle of the substrate to be processed.
  • the holding body is used to indicate the location where the degree of warping of the substrate to be processed is approximately equal. It can be held securely. Therefore, it is possible to further prevent the displacement due to the warp of the substrate to be processed.
  • the holding body has a first seat surface parallel to the surface, a second seat surface inclined downward toward the center portion, and a third seat surface inclined downward toward the edge portion. It may be.
  • the holding body can be in contact with the back surface of the substrate to be processed in the areas of the first seat surface and the second seat surface, so that a sufficient contact area can be obtained and the substrate to be processed can be reliably held without being displaced. Can be done.
  • the substrate to be processed is flat without warping, the substrate to be processed contacts the first seat surface, the second seat surface, and the third seat surface. Accordingly, the holding body can be in contact with the back surface of the substrate to be processed in the areas of the first seat surface, the second seat surface, and the third seat surface, so that a sufficient contact area can be obtained and the processing target is not displaced. The substrate can be reliably held.
  • the substrate to be processed warps in a convex shape
  • the substrate to be processed comes into contact with the inclined surfaces of the first seat surface and the third seat surface.
  • the holding body can be in contact with the back surface of the substrate to be processed in the areas of the first seat surface and the third seat surface, so that a sufficient contact area can be obtained and the substrate to be processed can be reliably held without being displaced. Can be done.
  • the holding body may have a convex curved surface at the top of its cross section.
  • the holding body may be a monopolar electrostatic chuck.
  • the holding body may be a bipolar electrostatic chuck.
  • a plurality of the holding bodies may be provided, and the support member may have a plurality of finger portions on which the plurality of holding bodies are respectively arranged. In this way, it may be applied to a holding body of a substrate transfer apparatus having a finger part for transferring a substrate to be processed, even if there is a warp of the substrate to be processed due to heat or film stress due to film formation during the processing step.
  • the substrate to be processed can be transported without being displaced.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a plan view of an end effector as a substrate holding device that constitutes a part of the substrate transfer apparatus of FIG.
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 3 is a cross-sectional view of an electrostatic chuck as a holding body.
  • FIG. 3A is a state in which a semiconductor wafer as a substrate to be processed is held along a concave shape, and FIG. 3B is flat without warping.
  • 3 (c) shows a state in which a semiconductor wafer is held, and FIG. 3 (c) shows a state in which a semiconductor wafer along a convex shape is held. 3, the center of the semiconductor wafer W is located on the right side of the drawing.
  • the substrate transfer device is provided, for example, under vacuum.
  • the scale of each component is changed in order to make the drawings easier to see.
  • the substrate transport apparatus 100 includes a drive unit 50, an arm 60 connected to the drive unit 50, and an end effector 1 connected to the tip of the arm 60.
  • the substrate transfer apparatus 100 supports the back surface of the semiconductor wafer W as a circular substrate to be processed on the upper surface of the end effector 1 and transfers the semiconductor wafer W between the chambers.
  • the semiconductor wafer W has a diameter of 100 to 300 mm and a thickness of 0.5 to 1 mm, and the warp of the semiconductor wafer W is ⁇ 1 mm. In the case of a semiconductor wafer having a diameter of 300 mm, the thickness is 0.775 mm.
  • the end effector 1 has a base portion 2 and a plurality of finger portions 3 extending from the base portion 2, in this embodiment.
  • a supporting member 9 that supports the semiconductor wafer is formed by the base 2 and the finger 3.
  • the semiconductor wafer W is supported by the support member 9 via an electrostatic chuck described later so as to face the surface of the support member 9.
  • the two finger portions 3 and 3 are spaced apart.
  • the semiconductor wafer W is supported by a part of the base part 2 and finger parts 3 connected to a part of the base part 2.
  • the end effector 1 is made of ceramics such as alumina.
  • a part of the base part 2 and a part of the finger part 3 have a recess 7 as a mounting part for accommodating the semiconductor wafer W.
  • the recess 7 on which the semiconductor wafer W is placed is not provided corresponding to the entire back surface of the semiconductor wafer W, but is provided partially correspondingly.
  • the planar outline of the recess 7 has an arc shape substantially along the edge portion 74 of the semiconductor wafer W.
  • the concave portion 7 has an inclined side surface 11 such that the opening surface becomes smaller toward the bottom surface 10 of the concave portion 7 which is a part of the surface of the support member 9 up to the bottom surface 10 of the concave portion 7.
  • the diameter a of the opening surface at the inner periphery of the inclined side surface 11 is 302 mm.
  • the thickness b of the region corresponding to the concave portion 7 of the end effector 1 is 1.8 mm.
  • the thickness c of the base 2 other than the region corresponding to the recess 7 is 4 mm, and the thickness d of the finger portion 3 other than the region corresponding to the recess 7 is 3 mm.
  • the concave portion 7 includes a circular first region 21 corresponding to the central portion including the center 20 of the semiconductor wafer W, a ring-shaped second region 22 corresponding to the vicinity of the edge portion 74 of the semiconductor wafer W, and the first region 21. And a ring-shaped third region 23 sandwiched between the second regions 22.
  • the center 20 of the semiconductor wafer W refers to the center when the semiconductor wafer W is disposed on the end effector 1 at a correct position without being displaced.
  • the center 20 of the semiconductor wafer W is located in a region sandwiched between the two finger portions 3 and 3.
  • the third region 23 of the base 2 is provided with an electrostatic chuck 5 as an arcuate holding body, and the third region 23 of the finger part 3 is provided with an electrostatic chuck 6 as an arcuate holding body. ing.
  • the electrostatic chucks 5 and 6 can control the holding force of the semiconductor wafer W by controlling the application of a voltage to an electrode 15 (16) which is a voltage application unit described later.
  • the control of the holding force here is not limited to a mode in which there is a holding force, that is, an ON / OFF control of the applied voltage, but also includes a mode in which the holding force is variably controlled.
  • the electrostatic chucks 5 and 6 are provided so as to protrude from the bottom surface 10 of the recess 7.
  • the semiconductor wafer W is partially supported and attracted and held by the electrostatic chucks 5 and 6 in a region corresponding to the third region 23. That is, the electrostatic chucks 5 and 6 are regions on the back side of the semiconductor wafer W, and are regions between the central portion including the central portion 20 including the center 20 of the semiconductor wafer W and the edge portion 74 of the semiconductor wafer W.
  • the semiconductor wafer W is held by contacting the substrate.
  • the semiconductor wafer W is in a state of being separated from the bottom surface 10 of the recess 7 except for the region supported by the electrostatic chucks 5 and 6.
  • the range of the ring-shaped third region 23 is represented by an outer circle radius of the third region 23 of about 0.87r, and an inner circle radius of the third region 23 is about It is represented by 0.56r.
  • the diameter of the semiconductor wafer W is 300 mm, but is not limited to this size, and by providing an electrostatic chuck within the range of the third region described above, Even if the semiconductor wafer W is warped, a sufficient contact area can be obtained between the electrostatic chuck and the semiconductor wafer.
  • the electrostatic chucks 5 and 6 are provided on a concentric circle 73 of a circular semiconductor wafer W.
  • the semiconductor wafer W is attracted and held at three points: two electrostatic chucks 6 and 6 provided on the finger portions 3 and 3 and one electrostatic chuck 5 provided on the base 2. .
  • the electrostatic chucks 5 and 6 have a width and height of 8 mm (a height h of a first seating surface 27 described later) 0.5 mm, and a distance i from the center 20 to the outer peripheral edge of the electrostatic chucks 5 and 6 is The distance j from the center 20 to the inner peripheral edge of the electrostatic chucks 5 and 6 is 111 mm.
  • the electrostatic chucks 5 and 6 are disposed in a region from the center 20 to 85 mm to 130 mm.
  • the center in the width direction of the electrostatic chuck was set to be about 115 mm from the center 20.
  • the electrostatic chucks 5 and 6 When the electrostatic chucks 5 and 6 are positioned outside 130 mm from the center, when the semiconductor wafer W warps in a concave shape, the back surface of the semiconductor wafer W comes into contact with the bottom surface 10 of the concave portion 7. When the electrostatic chucks 5 and 6 are located on the inner side of 85 mm from the center, the edge portion 74 of the semiconductor wafer W comes into contact with the bottom surface 10 of the recess 7 when the semiconductor wafer W warps in a convex shape.
  • the semiconductor wafer W does not contact the end effector 1 even if the semiconductor wafer W warps in a concave shape or a convex shape. It is possible to prevent generation of dust due to contact, contamination of the semiconductor wafer W, and the like.
  • a region from 85 mm to 130 mm from the center 20 of the semiconductor wafer W corresponds to the third region 23 described above.
  • the electrostatic chucks 5 and 6 protrude from the bottom surface 10 of the recess 7 which is the surface of the support member 9 on which the semiconductor wafer W is disposed in order to contact and hold the semiconductor wafer W. It has.
  • the electrostatic chuck 5 (6) has a substantially hexagonal cross section.
  • the electrostatic chuck 5 (6) has a first seat surface 27, a second seat surface 28, and a third seat surface 29.
  • the first seat surface 27 is parallel to the bottom surface 10, that is, in the first region 21 of the recess 7. It is provided parallel to the surface.
  • the second seating surface 28 is provided so as to be inclined downward toward the center 20 of the semiconductor wafer W, that is, toward the first region 21.
  • the third seating surface 29 is provided to be inclined downward toward the edge portion 74 of the semiconductor wafer W, that is, toward the second region 22.
  • the width e is 8 mm
  • the width f of the first seat surface 27 is 4 mm
  • each width g of the second seat surface 28 and the third seat surface 29 is 2 mm
  • the height at the first seat surface 27 is high.
  • the height h is 0.5 mm
  • the height i of the second seat surface 28 and the third seat surface 29 is 0.4 mm.
  • the electrostatic chucks 5 and 6 are provided on the concentric circles 73 of the semiconductor wafer W in a convex shape in the third region 23. Thereby, even if the semiconductor wafer W is warped, the semiconductor wafer W can be attracted and held by the electrostatic chucks 5 and 6 at a location where the degree of warpage is the same, and misalignment due to warpage can be prevented. On the other hand, when the electrostatic chuck is provided on the entire back surface of the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer and the electrostatic chuck do not come into full contact with each other due to warpage, and the contact area is changed, resulting in misalignment. End up.
  • the first seat surface 27, the second seat surface 28, and the third seat surface 29 are provided on the electrostatic chucks 5 and 6, so that the semiconductor wafer W can be reliably secured even if the semiconductor wafer W is warped.
  • the semiconductor wafer W can be more reliably prevented from being displaced due to warpage. That is, as shown in FIG. 3A, when the semiconductor wafer W warps in a concave shape, the semiconductor wafer W comes into contact with the inclined surface of the second seat surface 28. Therefore, the first seat surface 27 and the second seat surface 28 of the electrostatic chucks 5 and 6 are in contact with the back surface of the semiconductor wafer W in the contact area indicated by reference numeral 70, and a sufficient contact area can be obtained.
  • the semiconductor wafer W can be securely held without being displaced.
  • FIG. 3B when the semiconductor wafer W is flat without warping, the semiconductor wafer W contacts the first seat surface 27, each second seat surface 28, and part of the third seat surface 29. To do. Accordingly, the first seating surface 27 of the electrostatic chucks 5 and 6, the second seating surface 28, and a part of the third seating surface 29 are in contact with the back surface of the semiconductor wafer W in the contact area indicated by reference numeral 71. A large contact area can be obtained, and the semiconductor wafer W can be securely held without being displaced. As shown in FIG. 3C, when the semiconductor wafer W warps in a convex shape, the semiconductor wafer W comes into contact with the inclined surface of the third seat surface 29.
  • the first seat surface 27 and the third seat surface 29 of the electrostatic chucks 5 and 6 are in contact with the back surface of the semiconductor wafer W in the contact area indicated by reference numeral 72, and a sufficient contact area can be obtained.
  • the semiconductor wafer W can be securely held without being displaced.
  • the width of the contact regions 70 to 72 between the semiconductor wafer W and the electrostatic chucks 5 and 6 can be increased regardless of whether or not the semiconductor wafer W is warped.
  • the thickness can be about 6 mm, and electrostatic chuck failure due to warpage of the semiconductor wafer W can be prevented.
  • the electrostatic chucks 5 and 6 serving as holding bodies are electrically connected to an electrode 15 (16) made of copper, aluminum, gold, or the like, and an alumina or the like covering the electrode 15 (16). And an insulator 25 (26).
  • the width of the electrode 15 (16) is 6 mm.
  • application of a voltage to the electrical insulator 25 (26) is controlled by supplying a voltage to the electrode 15 (16), and suction holding of the semiconductor wafer W is controlled.
  • a monopolar system or a bipolar system can be used for the electrostatic chuck.
  • a potential difference is generated between one electrode and the semiconductor wafer W, and the semiconductor wafer W can be attracted to the electrostatic chuck.
  • voltages having different polarities are applied to the two electrodes, respectively, and a potential difference is generated between the two electrodes, so that the semiconductor wafer W can be attracted to the electrostatic chuck.
  • the electrostatic chucks 5 and 6 can be formed by forming a thin film electrode in an arc shape on the end effector 1 made of alumina using vapor deposition or printing technology, and then covering the electrode with an electrical insulator.
  • an electrical insulator polyimide, silicon carbide ceramics, alumina, aluminum nitride, or the like can be used.
  • alumina is used as the electrical insulator. .
  • FIG. 4 and FIG. 5 are used to show examples of planar shapes of electrodes in the monopolar system
  • FIGS. 6 and 7 are used to show examples of planar shapes of electrodes in the bipolar system.
  • illustration of the electrical insulator which covers the electrode which comprises an electrostatic chuck is abbreviate
  • the electrodes 115 and 116 constituting the monopolar electrostatic chucks 5 and 6 will be described with reference to FIG.
  • voltages having the same polarity are applied to the electrodes 115 and 116.
  • the electrodes 116 and 116 of the electrostatic chuck 6 provided on the finger portions 3 and 3 each have an arc shape.
  • the electrode 115 of the electrostatic chuck 5 provided on the base 2 also has an arc shape.
  • On the end effector 1 a wiring 130 and a wiring 131 are provided on the end effector 1.
  • the wiring 130 is formed so as to extend to the electrode extraction portion 133 that is electrically connected to the electrodes 116 and 116 and is located in the vicinity of the connection portion between the arm 60 and the end effector 1.
  • the wiring 131 is formed so as to extend to the electrode extraction portion 132 that is electrically connected to the electrode 115 and located near the connection portion between the arm 60 and the end effector 1.
  • the electrodes 115 and 116 are designed to be able to supply voltage collectively.
  • the electrode take-out portion is arranged in the vicinity of the connection portion between the arm 60 and the end effector 1 so that the voltage can be supplied in a lump.
  • the present invention is not limited to this.
  • wirings 134 and 134 are provided so that the electrode extraction portions 135 and 135 are positioned in the immediate vicinity of the electrodes 116 and 116 (for example, on the finger portion 3), and the electrode extraction portion is in the immediate vicinity of the electrode 115.
  • the wiring 138 may be provided so that the 139 is located, and voltage may be individually supplied.
  • the electrostatic chuck 6 provided in each finger part 3, 3 has comb-like electrodes 170, 180 having a plurality of teeth to which voltages of different polarities are respectively applied.
  • the teeth of the electrodes 170 and 180 are alternately arranged so that adjacent teeth are different electrodes, and the teeth of the electrodes 170 and 180 are both provided in an arc shape.
  • the electrical insulator that forms the electrostatic chuck 6 is formed so as to cover both the electrodes 170 and 180, and the arc-shaped electrostatic chucks 6 and 6 are formed on the finger portions 3 and 3, respectively.
  • the electrostatic chuck 5 provided on the base 2 includes comb-like electrodes 174 and 184 having a plurality of teeth to which voltages of different polarities are respectively applied.
  • the teeth of the electrodes 174 and 184 are alternately arranged so that adjacent teeth are different electrodes, and the teeth of the electrodes 174 and 184 are both provided in an arc shape.
  • the electrical insulator forming the electrostatic chuck 5 is formed so as to cover both the electrodes 174 and 184.
  • the electrodes 170, 170 provided on each finger part 3 are electrically connected to the electrode 174 provided on the base part 2, and are located in the vicinity of a connecting portion between the arm 60 and the end effector 1.
  • a wiring 171 extending to the electrode extraction portion 175 is provided.
  • the electrodes 180 and 180 provided on the finger portions 3 and 3 are electrically connected to the electrode 184 provided on the base 2, and a connecting portion between the arm 60 and the end effector 1 is connected.
  • a wiring 181 extending to the electrode extraction portion 185 located in the vicinity is provided.
  • the electrode take-out portions 175 and 185 are provided close to each other, and are designed to be able to supply voltage collectively.
  • the electrode take-out portion is arranged in the vicinity of the connecting portion between the arm 60 and the end effector 1 so that the voltage can be supplied in a lump.
  • the present invention is not limited to this.
  • the wirings 176, 186, 173, and 183 are arranged so that the electrode extraction portions 175, 185, 172, and 182 of the respective electrodes are positioned in the immediate vicinity of the electrodes 170, 180, 174, and 184. It may be provided so that the voltage can be supplied individually.
  • the electrostatic chuck has a shape in which the upper shape in the cross section has three seating surfaces, but is not limited thereto.
  • FIG. 8A is a plan view of an end effector provided with an electrostatic chuck having another cross-sectional shape
  • FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 8A.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck provided on the end effector shown in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of an electrostatic chuck having still another cross-sectional shape.
  • symbol is attached
  • the cross-sectional shapes of the electrostatic chucks 205 and 206 provided in the end effector 101 may be rectangular.
  • the electrostatic chuck 205 (206) includes an electrode 215 (216) and an electrical insulator 225 (226) covering the electrode 215 (216).
  • the electrostatic chuck 205 (206) has a seating surface 227 parallel to the bottom surface 10. Even in such a configuration, by providing a convex electrostatic chuck in the third region 23, as in the above-described embodiment, the generation of dust due to misalignment or contact of the semiconductor wafer W due to warpage of the semiconductor wafer W, or Contamination of the semiconductor wafer W can be prevented.
  • the upper portion 327 of the electrostatic chuck 305 having the electrode 315 and the electrical insulator 325 covering the electrode 315 may have a convex curved surface.
  • the semiconductor wafer W is displaced due to warpage of the semiconductor wafer W, the generation of dust due to contact, and the semiconductor wafer W. Contamination can be prevented.
  • the upper portion 327 has a convex curved surface shape, even if the semiconductor wafer W is warped, the semiconductor wafer W comes into contact with the curved surface of the convex upper portion 327, so that the semiconductor wafer W and the electrostatic chuck 305 are contacted. A sufficient contact area can be secured.
  • the cross-sectional shape of the electrostatic chuck may be a trapezoidal shape whose upper side is shorter than the bottom side.
  • a first seat surface parallel to the bottom surface 10 corresponding to the upper side of the trapezoid, and a second seat surface and a third seat surface that follow the warp of the semiconductor wafer W are provided. Accordingly, even if the semiconductor wafer W is warped, the semiconductor wafer W comes into contact with the second and third seating surfaces, which are tapered portions, so that a sufficient contact area can be obtained and an electrostatic chuck failure can occur. Therefore, misalignment is unlikely to occur.
  • one electrostatic chuck 5, 6, 6 is provided on the end effector in plan view.
  • a plurality of arc-shaped electrostatic chucks are provided in the radial direction. They may be arranged side by side.
  • the electrostatic chuck 5 provided in the base 2 does not have a shape extending to the end of the end effector 1, but extends on a concentric circle 73 to the end of the end effector 1.
  • the existing shape may be used.
  • the electrical insulator 25 and the like cover the electrode 16 and are in contact with the electrode 16. However, if the electrical insulator 25 is disposed between the electrode 16 and the semiconductor wafer W, it is in contact with the electrode 16. It does not have to be.
  • FIG. 11A is a plan view of a substrate holding device 400 including a substrate mounting table 402 as a supporting member for supporting a semiconductor wafer W as a substrate to be processed
  • FIG. 11B is a cross-sectional view thereof.
  • the substrate holding device 400 includes a substrate mounting table 402 and an electrostatic chuck 401 having a convex electrical insulator provided on a concentric circle of the semiconductor wafer W from the surface of the substrate mounting table 402.
  • the substrate mounting table 402 includes a first region 421 corresponding to the central portion including the center of the semiconductor wafer W when the semiconductor wafer W is mounted, a second region 422 corresponding to the edge portion of the semiconductor wafer W, and a first region 422.
  • a third region 423 sandwiched between the region 421 and the second region 422;
  • the electrostatic chuck 401 is provided in the third region 423.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manipulator (AREA)

Abstract

【課題】処理温度に影響されることなく、被処理基板が反っても正しい位置に保持することが可能な基板保持装置を提供すること。【解決手段】基板保持装置（１）は、支持部材（９）と、保持体（５、６）とを具備する。支持部材（９）は、表面（１０）を有し、表面（１０）は被処理基板（Ｗ）と対面している。静電チャック（５、６）は、電気的絶縁体を有し、電気的絶縁体内に設けられた電極に電圧が印加されるようになっている。静電チャック（５、６）は、被処理基板（Ｗ）の中心を含む中央部（２１）と被処理基板（Ｗ）のエッジ部（７４）との間の領域（２３）に接触して支持部材（９）上で被処理基板（Ｗ）を保持するために支持部材（９）の表面（１０）から突出して設けられ、電極への電圧の印加を制御することにより被処理基板（Ｗ）の保持力を制御可能である。

Description

基板保持装置
　本発明は、例えば半導体ウエハ等の被処理基板の搬送時等の保持を行う保持体を備えた基板保持装置に関する。
　半導体デバイスや電子製品等の製造に用いられる装置には、被処理基板を各種加工処理する複数のプロセスチャンバと、プロセスチャンバに対して被処理基板を出し入れする基板搬送装置が備えられている。
　基板搬送装置は、駆動部、駆動部に連結されたアーム、アームの先端に連結されたエンドエフェクタを有し、エンドエフェクタの上面で半導体ウエハの裏面を支持し、複数のプロセスチャンバ間で被処理基板の受け渡しを行う。
　エンドエフェクタは、一般には、セラミックスやステンレス鋼などで製作されている。そのため、アームを高速で伸縮動作や旋回動作させるとエンドエフェクタも高速で動作するので、半導体ウエハに加わる加速度の影響で半導体ウエハがエンドエフェクタ上で滑ってしまい、半導体ウエハを正しい位置に搬送できない問題がある。そこで、エンドエフェクタ（ハンド部）の上面に、ゴムからなる滑り止めパッドを設け、半導体ウエハの裏面の所定箇所で接触させて、半導体ウエハのすべりを抑制している（例えば特許文献１の段落[００２６]、図１参照）。また、他の装置では、エンドエフェクタ（ウエハ・ブレード）の上面の全面にアルミナなどからなるセラミックからなる静電チャックを設け、半導体ウエハの裏面の滑りを抑制している（例えば特許文献２の第４頁左欄第７行～同頁右欄第３５行参照）。
特開２００２－３５３２９１号公報 特公平５－６６０２２号公報
　しかしながら、例えばエストラマー等の樹脂系弾性材料で形成された滑り止めパッドは、半導体ウエハ等の被処理基板の温度や周囲の温度が比較的低い、例えば２００℃以下の場合には、効率よく被処理基板の滑りは抑制される。しかし、例えば３００～５００℃の温度が高い場合には、滑り止めパッドが熱による変質や変形で、被処理基板の滑りを抑制できなくなってしまうという問題がある。また、温度が比較的低い場合であって、被処理基板が滑り止めパッドの粘着で貼りつき、基板保持部から離れなくなり、割れてしまうこともある。このため、チャンバ間の基板の受け渡しの際、被処理基板を正しい位置に搬送することができない、という問題がある。また、原理的に滑り止めパッドと被処理基板との間の摩擦力により被処理基板のすべりを抑制しているので、双方の物質で決まる最大静止摩擦力を超えるような加速度が被処理基板に加わると、被処理基板が基板保持部上で滑ってしまう。従って、搬送装置の動作速度は、滑り止めパッドと被処理基板との間の最大静止摩擦力を超えて早くすることができない、という問題がある。
　また、基板保持部の上面の全面にアルミナなどからなるセラミックからなる静電チャックを設ける方法では、被処理基板の裏面全面が静電チャックに接触する。この方法では、例えば３００～５００℃といった温度が高い場合であっても使用することができる。しかし、被処理基板が処理工程中の温度の影響や成膜される膜の応力で凸状に反った場合や、凹状に反った場合には、被処理基板の裏面が静電チャックの上面に接触しなくなり、被処理基板が十分保持できず、また、正しい位置に被処理基板を搬送することができない、という問題がある。
　以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、処理温度に影響されることなく、被処理基板が反っても正しい位置に保持することが可能な基板保持装置を提供することにある。
　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る基板保持装置は、支持部材と、保持体とを具備する。
　上記支持部材は、被処理基板と対面する表面を有する。
　上記保持体は、電圧が印加される電圧印加部と、上記支持部材の上記表面と対面する上記被処理基板及び上記電圧印加部の間に設置された電気的絶縁体とを有する。また、上記保持体は、上記被処理基板の中心を含む中央部と上記被処理基板のエッジ部との間の領域に接触して上記支持部材上で上記被処理基板を保持するために上記支持部材の上記表面から突出して設けられ、上記電圧印加部への電圧の印加が制御されることにより、上記被処理基板の保持力を制御可能である。
本発明の一実施形態に係る基板搬送装置の斜視図である。 図１に示す基板搬送装置の一部を構成するエンドエフェクタの平面図及び断面図である。 図２に示すエンドエフェクタに設けられる静電チャックの断面図である。 単極方式の静電チャックの電極の平面形状を示す平面図である。 他の単極方式の静電チャックの電極の平面形状を示す平面図である。 双極方式の静電チャックの電極の平面形状を示す平面図である。 他の双極方式の静電チャックの電極の平面形状を示す平面図である。 他の実施形態に係る基板搬送装置の一部を構成するエンドエフェクタの平面図及び断面図である。 図８に示すエンドエフェクタに設けられる静電チャックの断面図である。 更に他の実施形態に係る静電チャックの断面図である。 更に他の実施形態に係る基板保持装置の概略平面図及び断面図である。
　本発明の一形態に係る基板保持装置は、支持部材と、保持体とを具備する。
　上記支持部材は、被処理基板と対面する表面を有する。
　上記保持体は、電圧が印加される電圧印加部と、上記支持部材の上記表面と対面する上記被処理基板及び上記電圧印加部の間に設置された電気的絶縁体とを有する。また、上記保持体は、上記被処理基板の中心を含む中央部と上記被処理基板のエッジ部との間の領域に接触して上記支持部材上で上記被処理基板を保持するために上記支持部材の上記表面から突出して設けられ、上記電圧印加部への電圧の印加が制御されることにより、上記被処理基板の保持力を制御可能である。
　基板保持装置は、被処理基板の中央部とエッジ部との間の領域に接触して突出した保持体を備えているので、成膜工程中の温度や成膜された膜の応力で被処理基板に反りが生じても、平坦な被処理基板を載置した場合と比較して、被処理基板と保持体との接触面積を大幅に減少させることなく保持することができる。従って、被処理基板の反りが生じても、位置ずれすることなく安定して被処理基板を保持することができる。
　ここで、仮に、保持体を被処理基板の中央部のみに対応して設けた場合、例えば凹状に反った被処理基板を保持する際、反らずに平坦な被処理基板を載置した場合と比較して、保持体と被処理基板との接触面積が減少し、保持が不安定となり、位置ずれの原因となる。また、保持体を被処理基板のエッジ部のみに対応して設けた場合、例えば凹状に反った被処理基板を保持する際、反らずに平坦な被処理基板を載置した場合と比較して、被処理基板と保持体との接触面積が減少し、保持が不安定となり、位置ずれの原因となる。あるいは、保持体を被処理基板の全面に対応して設けた場合、被処理基板が反った際、反らずに平坦な被処理基板を載置した場合と比較して、被処理基板と保持体との接触面積が減少し、保持が不安定となり、位置ずれの原因となる。これに対し、本発明では、保持体を被処理基板の中央部とエッジ部との間の領域に対応して設けているので、被処理基板に反りが生じても、平坦な被処理基板を載置した場合と比較して、被処理基板と保持体との接触面積を大幅に減少させることなく保持することができ、位置ずれすることなく被処理基板を保持することができる。
　また、保持体を中央部とエッジ部との間の領域に設けているので、ゴミの発生や被処理基板の汚染等を防止することができる。すなわち、保持体を被処理基板のエッジ部に対応して設ける場合、被処理基板が凹状に反った際に、被処理基板の裏面中央部が載置部に接触してしまうことがある。また、保持体を被処理基板の中央部に対応して設ける場合、被処理基板が凸状に沿った際に、被処理基板のエッジ部が載置部に接触してしまうことがある。このような接触によりゴミが発生し、被処理基板の汚染が生じてしまう。このような接触を防止するために、保持体の高さを高くすることも考えられるが、中央部とエッジ部との間の領域に保持体を設けることにより、保持体の高さを低く設計することが可能となる。従って、ゴミの発生や被処理基板の汚染を防止しつつ、例えば基板保持装置が収容される処理室の設計範囲を広くすることが可能となる。
　上記被処理基板は円形状を有し、上記保持体は上記被処理基板の同心円上に設けられていてもよい。これにより、被処理基板の中心から同じ距離の位置に保持体が設けられるので、被処理基板に反りが生じた場合、被処理基板の反りの度合がほぼ同等に生じている箇所を保持体によって確実に保持することができる。従って、被処理基板の反りによる位置ずれを更に防止することができる。
　上記保持体は、上記表面と平行な第１座面と、上記中央部に向かって下方に傾斜した第２座面と、上記エッジ部に向かって下方に傾斜した第３座面とを有していてもよい。これにより、被処理基板が反っても、被処理基板と保持体との接触面積を十分に確保することができるので、被処理基板をより確実に保持体によって保持することができ、反りによる被処理基板の位置ずれをより一層確実に防止することができる。すなわち、被処理基板が凹状に反った場合、被処理基板は第１座面と第２座面の傾斜面に追従するように接触する。従って、保持体は、第１座面及び第２座面の領域で、被処理基板の裏面と接触し、十分な接触面積を得ることができ、位置ずれすることなく被処理基板の保持を確実に行うことができる。また、被処理基板が反らずに平坦な場合、被処理基板は第１座面、第２座面及び第３座面に接触する。従って、保持体は、第１座面、第２座面及び第３座面の領域で、被処理基板の裏面と接触し、十分な接触面積を得ることができ、位置ずれすることなく被処理基板の保持を確実に行うことができる。また、被処理基板が凸状に反った場合、被処理基板は第１座面、第３座面の傾斜面に追従するように接触する。従って、保持体は、第１座面及び第３座面の領域で、被処理基板の裏面と接触し、十分な接触面積を得ることができ、位置ずれすることなく被処理基板の保持を確実に行うことができる。
　上記保持体は、その断面の上部が凸状の曲面を有していても良い。これにより、被処理基板が反っても被処理基板をより確実に保持体によって保持することができ、反りによる被処理基板の位置ずれをより一層確実に防止することができる。すなわち、被処理基板が反った場合でも、被処理基板は凸状の曲面に追従するように接触するので、保持体と被処理基板の接触面積を十分に得ることができ、位置ずれすることなく被処理基板の保持を確実に行うことができる。
　上記保持体は単極方式の静電チャックであってもよい。
　上記保持体は双極方式の静電チャックであってもよい。
　上記保持体は複数設けられ、上記支持部材は、上記複数の保持体がそれぞれ配置された複数のフィンガー部を有していてもよい。このように、被処理基板を搬送するフィンガー部を備えた基板搬送装置の保持体に適用してもよく、処理工程中における熱や成膜による膜の応力による被処理基板の反りがあっても、位置ずれすることなく、被処理基板を搬送することができる。
　以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
　図１は、本発明の一実施形態に係る基板搬送装置を示す斜視図である。図２（ａ）は、図１の基板搬送装置の一部を構成する、基板保持装置としてのエンドエフェクタの平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）の線Ａ－Ａ´における断面図である。図３は保持体としての静電チャックの断面図であり、図３（ａ）は凹状に沿った被処理基板としての半導体ウエハが保持された状態、図３（ｂ）は反らずに平坦な半導体ウエハが保持された状態、図３（ｃ）は凸状に沿った半導体ウエハが保持された状態を示す。図３各図において、図面右側に半導体ウエハＷの中心が位置する。基板搬送装置は、例えば真空下に設けられる。尚、図面において、図面を見やすくするために、各構成の縮尺の度合を変えている。
　図１に示すように、基板搬送装置１００は、駆動部５０、駆動部５０に連結されたアーム６０、アーム６０の先端に連結されたエンドエフェクタ１を有している。基板搬送装置１００は、エンドエフェクタ１の上面で円形状の被処理基板としての半導体ウエハＷの裏面を支持し、チャンバ間での半導体ウエハＷの受け渡しを行う。本実施形態においては、半導体ウエハＷは、直径１００～３００ｍｍ、厚さ０．５～１ｍｍの寸法を有し、半導体ウエハＷの反りが±１ｍｍであることを想定している。直径３００ｍｍの半導体ウエハの場合、厚さは０．７７５ｍｍである。
　図２に示すように、エンドエフェクタ１は、基部２と、基部２から延在する複数、本実施形態においては２本のフィンガー部３を有している。基部２とフィンガー部３とにより半導体ウエハを支持する支持部材９が形成される。半導体ウエハＷは、この支持部材９の表面に対面するようにして、後述の静電チャックを介して支持部材９に支持される。２本のフィンガー部３、３は離間して配置されている。半導体ウエハＷは、基部２の一部と、この基部２の一部と連結されているフィンガー部３によって支持される。エンドエフェクタ１は例えばアルミナ等のセラミックスなどから構成される。
　基部２の一部及びフィンガー部３の一部には、半導体ウエハＷを収容する、載置部としての凹部７がある。半導体ウエハＷが載置される凹部７は、半導体ウエハＷの裏面全面に対応して設けられておらず、部分的に対応して設けられている。凹部７の平面外形は半導体ウエハＷのエッジ部７４に略沿った円弧状を有している。凹部７は、凹部７の底面１０まで、支持部材９の表面の一部である凹部７の底面１０に向かって開口面が小さくなるような傾斜側面１１を有しており、平面的に見た時に傾斜側面１１の内周縁における開口面の直径ａは３０２ｍｍとなっている。エンドエフェクタ１の凹部７に対応する領域の厚さｂは１．８ｍｍである。凹部７に対応する領域以外の基部２の厚さｃは４ｍｍ、凹部７に対応する領域以外のフィンガー部３の厚さｄは３ｍｍである。
　凹部７は、半導体ウエハＷの中心２０を含む中央部に対応する円形の第１領域２１と、半導体ウエハＷのエッジ部７４付近に対応するリング状の第２領域２２と、第１領域２１と第２領域２２とにより挟まれたリング状の第３領域２３とを有する。半導体ウエハＷの中心２０とは、半導体ウエハＷが位置ずれすることなく正しい位置でエンドエフェクタ１上に配置されたときの中心を指す。半導体ウエハＷの中心２０は、２本のフィンガー部３、３に挟まれた領域に位置する。
　基部２の第３領域２３には、円弧状の保持体としての静電チャック５が設けられ、フィンガー部３の第３領域２３には、円弧状の保持体としての静電チャック６が設けられている。静電チャック５、６は、後述する電圧印加部である電極１５（１６）への電圧の印加を制御することにより半導体ウエハＷの保持力を制御することが可能である。ここでいう保持力の制御とは、保持力があるかないか、つまり印加電圧をＯＮ／ＯＦＦ制御する形態に限られず、保持力を可変に制御する形態も含む。静電チャック５、６は、凹部７の底面１０から突出して設けられている。半導体ウエハＷは、その第３領域２３に対応する領域を部分的に静電チャック５、６によって支持され且つ吸着保持される。すなわち、静電チャック５、６は、半導体ウエハＷの裏面側の領域であって、半導体ウエハＷの中心２０を含む中央部２０を含む中央部と半導体ウエハＷのエッジ部７４との間の領域に接触することで半導体ウエハＷを保持する。半導体ウエハＷは、静電チャック５、６によって支持される領域以外は、凹部７の底面１０から離間した状態となっている。
　半導体ウエハＷの半径をｒとしたとき、リング状の第３領域２３の範囲は、第３領域２３の外円半径が約０．８７ｒで表わされ、第３領域２３の内円半径が約０．５６ｒで表わされる。本実施形態においては、半導体ウエハＷの直径が３００ｍｍのときを想定しているが、この大きさに限定されず、上述に示した第３領域の範囲内に静電チャックを設けるることにより、半導体ウエハＷの反りが生じても、静電チャックと半導体ウエハとで十分な接触面積を得ることができる。
　静電チャック５、６は、円形の半導体ウエハＷの同心円７３上に設けられている。本実施形態において、各フィンガー部３、３に設けられた２つの静電チャック６、６と基部２に設けられた１つの静電チャック５との３点で、半導体ウエハＷは吸着保持される。
　静電チャック５、６は８ｍｍの幅と高さ（後述する第１座面２７の高さｈ）０．５ｍｍを有し、中心２０から静電チャック５、６の外周縁までの距離ｉは１１９ｍｍ、中心２０から静電チャック５、６の内周縁までの距離ｊは１１１ｍｍである。本実施形態において、直径３００ｍｍの半導体ウエハＷの反りを±１ｍｍと想定した場合、静電チャック５、６は、中心２０から８５ｍｍ以上１３０ｍｍ以下の領域に配置されている。ここでは、静電チャックの幅方向における中心が、中心２０から１１５ｍｍ付近となるように設定した。静電チャック５、６が中心から１３０ｍｍよりも外側に位置すると、半導体ウエハＷが凹状に反った場合に、凹部７の底面１０に半導体ウエハＷの裏面が接触してしまう。静電チャック５、６が中心から８５ｍｍよりも内側に位置すると、半導体ウエハＷが凸状に反った場合に、凹部７の底面１０に半導体ウエハＷのエッジ部７４が接触してしまう。従って、静電チャック５、６を、中心から８５ｍｍ以上１３０ｍｍ以下の領域の配置することにより、半導体ウエハＷが凹状や凸状に反っても、半導体ウエハＷがエンドエフェクタ１に接触することがなく、接触によるゴミの発生や半導体ウエハＷの汚染等を防止することができる。本実施形態においては、半導体ウエハＷの中心２０から８５ｍｍ以上１３０ｍｍ以下の領域が前述した第３領域２３に相当する。
　前述のように、静電チャック５、６は、半導体ウエハＷに接触してこれを保持するために、半導体ウエハＷが配置される支持部材９の表面である凹部７の底面１０から突出した形状を備えている。図２（ｂ）及び図３に示すように、静電チャック５（６）は、断面が略六角形状を有している。静電チャック５（６）は、第１座面２７、第２座面２８、第３座面２９を有する、第１座面２７は、底面１０に平行、すなわち凹部７の第１領域２１における表面と平行に設けられている。第２座面２８は、半導体ウエハＷの中心２０に向かって、すなわち第１領域２１に向かって、下方に傾斜して設けられている。第３座面２９は、半導体ウエハＷのエッジ部７４に向かって、すなわち第２領域２２に向かって下方に傾斜して設けられている。静電チャック５（６）において、幅ｅは８ｍｍ、第１座面２７の幅ｆは４ｍｍ、第２座面２８及び第３座面２９の各幅ｇは２ｍｍ、第１座面２７における高さｈは０．５ｍｍ、第２座面２８及び第３座面２９における高さｉは０．４ｍｍである。
　本実施形態において、静電チャック５、６を、第３領域２３に凸状に半導体ウエハＷの同心円７３上に設けている。これにより、半導体ウエハＷが反っても、その反りの度合が同等の箇所で、静電チャック５、６によって半導体ウエハＷを吸着保持することができ、反りによる位置ずれを防止することができる。これに対し、半導体ウエハＷの裏面全面に対して静電チャックを設けた場合では、反りによって半導体ウエハと静電チャックとが全面接触せず、その接触領域が変わってしまい、位置ずれが生じてしまう。
　更に、本実施形態において、静電チャック５、６の上部に第１座面２７、第２座面２８及び第３座面２９を設けることにより、半導体ウエハＷが反っても半導体ウエハＷを確実に吸着保持することができ、反りによる半導体ウエハＷの位置ずれをより一層確実に防止することができる。すなわち、図３（ａ）に示すように、半導体ウエハＷが凹状に反った場合、半導体ウエハＷは第２座面２８の傾斜面に追従するように接触する。従って、静電チャック５、６の第１座面２７と第２座面２８は、半導体ウエハＷの裏面と、符号７０で示す接触領域で接触し、十分な接触面積を得ることができ、位置ずれすることなく半導体ウエハＷの吸着保持を確実に行うことができる。図３（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷが反らずに平坦な場合、半導体ウエハＷは第１座面２７と、各第２座面２８、第３座面２９の一部に接触する。従って、静電チャック５、６の第１座面２７と各第２座面２８、第３座面２９の一部は、半導体ウエハＷの裏面と、符号７１で示す接触領域で接触し、十分な接触面積を得ることができ、位置ずれすることなく半導体ウエハＷの吸着保持を確実に行うことができる。図３（ｃ）に示すように、半導体ウエハＷが凸状に反った場合、半導体ウエハＷは第３座面２９の傾斜面に追従するように接触する。従って、静電チャック５、６の第１座面２７と第３座面２９は、半導体ウエハＷの裏面と、符号７２で示す接触領域で接触し、十分な接触面積を得ることができ、位置ずれすることなく半導体ウエハＷの吸着保持を確実に行うことができる。
　図３（ａ）～図３（ｃ）に示すように、半導体ウエハＷの反りが生じても生じていなくとも、半導体ウエハＷと静電チャック５、６との接触領域７０～７２の幅を約６ｍｍとすることができ、半導体ウエハＷの反りによる静電チャック不良を防止することができる。
　保持体としての静電チャック５、６は、図３に示すように、銅、アルミニウム、または、金等からなる電極１５（１６）と、この電極１５（１６）を覆うアルミナ等からなる電気的絶縁体２５（２６）とを有している。図３においては、電極１５（１６）の幅は６ｍｍである。静電チャック５、６では、電極１５（１６）へ電圧を供給することにより電気的絶縁体２５（２６）への電圧の印加を制御し、半導体ウエハＷの吸着保持が制御される。静電チャックには、単極方式、双極方式のいずれの方式を用いることもできる。単極方式では、１つの電極と半導体ウエハＷとの間に電位差を生じさせて半導体ウエハＷを静電チャックに吸着させることができる。双極方式では、２つの電極それぞれに極性の異なる電圧を印加し、２つの電極間に電位差を生じさせて半導体ウエハＷを静電チャックに吸着することができる。
　静電チャック５、６は、アルミナ製のエンドエフェクタ１に蒸着やプリント技術を使って薄膜電極を円弧状に形成した後、その電極を電気的絶縁体で覆うことにより形成することができる。電気的絶縁体としては、ポリイミド、炭化ケイ素セラミックス、アルミナ、窒化アルミニウムなどを用いることができ、本実施形態においては、エンドエフェクタをアルミナで形成しているので、電気的絶縁体としてアルミナを用いた。
　次に、図４及び図５を用いて単極方式における電極の平面形状例、図６及び図７を用いて双極方式における電極の平面形状例を示す。各図において、静電チャックを構成する電極を覆う電気的絶縁体の図示は省略している。
　図４を用いて単極方式の静電チャック５、６を構成する電極１１５、１１６の形状例について説明する。単極方式の場合、電極１１５、１１６には同じ極性の電圧が印加される。フィンガー部３、３に設けられる静電チャック６の電極１１６、１１６は、それぞれ円弧状を有している。基部２に設けられる静電チャック５の電極１１５も円弧状を有している。エンドエフェクタ１上には、配線１３０と配線１３１が設けられている。配線１３０は、電極１１６、１１６に電気的に接続されアーム６０とエンドエフェクタ１との連結部分付近に位置する電極取り出し部１３３まで延在されて形成されている。配線１３１は、電極１１５と電気的に接続されアーム６０とエンドエフェクタ１との連結部分付近に位置する電極取り出し部１３２まで延在されて形成されている。各電極１１５、１１６の電極取り出し部１３２、１３３を、ともにアーム６０とエンドエフェクタ１との連結部分付近に設けることにより、一括して電圧供給できるように設計されている。
　図４における単極方式の静電チャックでは、一括して電圧供給できるように、電極取り出し部を、アーム６０とエンドエフェクタ１との連結部分付近に配置したが、これに限定されるものではない。例えば、図５に示すように、各電極１１６、１１６の直近（例えばフィンガー部３上）に電極取り出し部１３５、１３５が位置するように配線１３４、１３４を設け、電極１１５の直近に電極取り出し部１３９が位置するように配線１３８を設け、個々に電圧供給できるようにしてもよい。
　図６を用いて双極方式の静電チャック５、６を構成する電極１７０、１８０、１７４、１８４の形状例について説明する。双極方式の場合、電極１７０、１７４に印加される電圧の極性と、電極１８０、１８４に印加される電圧の極性とが異なる。各フィンガー部３、３に設けられる静電チャック６は、異なる極性の電圧がそれぞれ印加される複数の歯を有する櫛歯状の電極１７０、１８０を有している。各電極１７０、１８０の歯は、隣り合う歯が異なる電極となるように交互に配置されており、電極１７０、１８０の歯はいずれも円弧状に設けられている。静電チャック６を形成する電気的絶縁体は、電極１７０、１８０の双方を覆うように形成され、各フィンガー部３、３では、それぞれ１つずつ円弧状の静電チャック６、６が形成される。基部２に設けられる静電チャック５は、異なる極性の電圧がそれぞれ印加される複数の歯を有する櫛歯状の電極１７４、１８４を有している。各電極１７４、１８４の歯は、隣り合う歯が異なる電極となるように交互に配置されており、電極１７４、１８４の歯はいずれも円弧状に設けられている。静電チャック５を形成する電気的絶縁体は、電極１７４、１８４の双方を覆うように形成される。エンドエフェクタ１上には、各フィンガー部３に設けられた電極１７０、１７０と基部２に設けられた電極１７４とを電気的に接続し、アーム６０とエンドエフェクタ１との連結部分付近に位置する電極取り出し部１７５まで延在する配線１７１が設けられている。更に、エンドエフェクタ１上には、各フィンガー部３、３に設けられた電極１８０、１８０と基部２に設けられた電極１８４とを電気的に接続し、アーム６０とエンドエフェクタ１との連結部分付近に位置する電極取り出し部１８５まで延在する配線１８１が設けられている。各電極取り出し部１７５、１８５は近接して設けられ、一括して電圧供給できるように設計されている。
　図６における双極方式の静電チャックでは、一括して電圧供給できるように、電極取り出し部を、アーム６０とエンドエフェクタ１との連結部分付近に配置したが、これに限定されるものではない。例えば、図７に示すように、各電極１７０、１８０、１７４、１８４の直近にそれぞれの電極の電極取り出し部１７５、１８５、１７２、１８２が位置するように各配線１７６、１８６、１７３、１８３を設け、個々に電圧供給できるようにしてもよい。
　本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更され得る。
　例えば、上述の実施形態においては、静電チャックは、その断面における上部形状が３つの座面を有する形状となっているが、これに限定されるものではない。以下、図８～１０を用いて説明する。図８（ａ）は、他の断面形状を有する静電チャックを備えたエンドエフェクタの平面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）の線Ｂ－Ｂ´における断面図である。図９は、図８に示すエンドエフェクタに設けられた静電チャックの断面図である。図１０は、更に他の断面形状を有する静電チャックの断面図である。尚、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付し、その説明を省略する。
　図８及び図９に示すように、エンドエフェクタ１０１に設けられる静電チャック２０５及び２０６の断面形状が矩形であってもよい。静電チャック２０５（２０６）は、電極２１５（２１６）と、これを覆う電気的絶縁体２２５（２２６）とからなる。静電チャック２０５（２０６）は、底面１０と平行な座面２２７を有する。このような構成においても、第３領域２３に凸状の静電チャックを設けることにより、上述の実施形態と同様に、半導体ウエハＷの反りによる半導体ウエハＷの位置ずれや接触によるゴミの発生や半導体ウエハＷの汚染等を防止することができる。
　また、図１０に示すように、電極３１５と該電極３１５を覆う電気的絶縁体３２５を有する静電チャック３０５の上部３２７が凸状の曲面を有する構造としてもよい。このような構成においても、第３領域２３に静電チャックを設けることにより、上述の実施形態と同様に、半導体ウエハＷの反りによる半導体ウエハＷの位置ずれや接触によるゴミの発生や半導体ウエハＷの汚染等を防止することができる。更に、上部３２７が凸状の曲面形状を有するので、半導体ウエハＷが反っても、半導体ウエハＷが凸状の上部３２７の曲面に追従するように接触するので、半導体ウエハＷと静電チャック３０５との接触面積を十分に確保することができる。
　また、ここでは図示を省略しているが、静電チャックの断面形状を上辺が底辺よりも短い台形形状としても良い。この場合、台形の上辺に相当する底面１０と平行な第１座面と、半導体ウエハＷの反りに追従する第２座面、第３座面が設けられる。従って、半導体ウエハＷに反りが生じてもテーパー部である第２座面、第３座面で半導体ウエハＷが接触するので、接触面積を十分に得ることができ、静電チャック不良が発生せず、位置ずれが生じにくい。
　また、上述の実施形態においては、平面的にみて、各静電チャック５、６、６はエンドエフェクタ上に１つずつ設けられているが、例えば、円弧状の静電チャックを径方向に複数並べて構成しても良い。
　また、上述の実施形態においては、基部２に設けられる静電チャック５は、エンドエフェクタ１の端部まで延在された形状となっていないが、エンドエフェクタ１の端部まで同心円７３上で延在した形状としてもよい。
　また上述の実施形態においては、電気的絶縁体２５等は、電極１６を覆い電極１６と接触しているが、電極１６と半導体ウエハＷの間に設置されていれば、電極１６と接触していなくてもよい。
　また、図４における単極方式の静電チャックでは、電極取り出し部１３２、１３３に一括して同じ極性の電圧が印加されるようにしたが、電極取り出し部１３２と電極取り出し部１３３に印加される電圧の極性を異なるようにして、ウエハ全面に渡っての双極方式の静電チャックとして使用しても良い。また、図４における単極方式の静電チャックでは、電極取り出し部１３５、１３９に一括して同じ極性の電圧が印加されるようにしたが、電極取り出し部１３５と電極取り出し部１３９に印加される電圧の極性を異なるようにして、ウエハ全面に渡っての双極方式の静電チャックとして使用しても良い。
　また、上述の実施形態においては、基板保持装置として基板搬送装置のハンド部に凸状の保持体を設けた例を示したが、これに限定されるものではない。例えば、図１１に示すように、成膜処理などに用いられるプロセスチャンバ内の基板載置台に本発明の凸状の保持体を設けてもよい。図１１（ａ）は、被処理基板として半導体ウエハＷを支持する支持部材として基板載置台４０２を具備する基板保持装置４００の平面図であり、図１１（ｂ）はその断面図である。
　図１１に示すように、基板保持装置４００は、基板載置台４０２と、基板載置台４０２の表面から、半導体ウエハＷの同心円上に設けられた凸状の電気的絶縁体を有する静電チャック４０１とを備える。基板載置台４０２は、半導体ウエハＷを載置した際の半導体ウエハＷの中心を含む中央部に対応する第１領域４２１と、半導体ウエハＷのエッジ部に対応する第２領域４２２と、第１領域４２１と第２領域４２２とにより挟まれた第３領域４２３とを有する。静電チャック４０１は第３領域４２３に設けられる。このような構成においても、第３領域４２３に静電チャック４０１を設けることにより、半導体ウエハＷの反りによる半導体ウエハＷの位置ずれや接触によるゴミの発生や半導体ウエハＷの汚染等を防止することができる。
　１…エンドエフェクタ
　３…フィンガー部
　５、６、２０５、２０６、３０５、４０１…静電チャック
　７…凹部
　９・・・支持部材
　１０・・・底面
　２０…中心
　２１、４２１…第１領域
　２２、４２２…第２領域
　２３、４２３…第３領域
　２５、２６、２２５、２２６、３２５…電気的絶縁体
　２７・・・第１座面
　２８・・・第２座面
　２９・・・第３座面
　７４…エッジ部
　１００…基板搬送装置
　２００…基板保持装置
　３２７・・・上部
　４２０・・・基板載置台
　Ｗ…半導体ウエハ

Claims (7)

  1. 　被処理基板と対面する表面を有する支持部材と、
    　電圧が印加される電圧印加部と、前記支持部材の前記表面と対面する前記被処理基板及び前記電圧印加部の間に設置された電気的絶縁体とを有し、前記被処理基板の中心を含む中央部と前記被処理基板のエッジ部との間の領域に接触して前記支持部材上で前記被処理基板を保持するために前記支持部材の前記表面から突出して設けられ、前記電圧印加部への電圧の印加が制御されることにより、前記被処理基板の保持力を制御可能な保持体と
    　を具備する基板保持装置。
  2. 　請求項１に記載の基板保持装置であって、
    　前記被処理基板は円形状を有し、前記保持体は前記被処理基板の同心円上に設けられている基板保持装置。
  3. 　請求項２に記載の基板保持装置であって、
    　前記保持体は、前記表面と平行な第１座面と、前記中央部に向かって下方に傾斜した第２座面と、前記エッジ部に向かって下方に傾斜した第３座面とを有する基板保持装置。
  4. 　請求項２に記載の基板保持装置であって、
    　前記保持体は、その断面の上部が凸状の曲面を有する基板保持装置。
  5. 　請求項１～４のうちいずれか１項に記載の基板保持装置であって、
    　前記保持体は単極方式の静電チャックである基板保持装置。
  6. 　請求項１～４のうちいずれか１項に記載の基板保持装置であって、
    　前記保持体は双極方式の静電チャックである基板保持装置。
  7. 　請求項１～６のうちいずれか１項に記載の基板保持装置であって、
    　前記保持体は複数設けられ、
    　前記支持部材は、前記複数の保持体がそれぞれ配置された複数のフィンガー部を有する基板保持装置。
PCT/JP2010/007319 2009-12-22 2010-12-17 基板保持装置 WO2011077678A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011547285A JPWO2011077678A1 (ja) 2009-12-22 2010-12-17 基板保持装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-290432 2009-12-22
JP2009290432 2009-12-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011077678A1 true WO2011077678A1 (ja) 2011-06-30

Family

ID=44195232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/007319 WO2011077678A1 (ja) 2009-12-22 2010-12-17 基板保持装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2011077678A1 (ja)
TW (1) TW201133701A (ja)
WO (1) WO2011077678A1 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013151035A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Ulvac Japan Ltd 静電チャック付きロボットハンド
JP2014112595A (ja) * 2012-12-05 2014-06-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 搬送装置及び搬送用部材
JPWO2013132803A1 (ja) * 2012-03-07 2015-07-30 日本特殊陶業株式会社 搬送装置およびセラミック部材
KR20170060575A (ko) * 2015-11-24 2017-06-01 히라따기꼬오 가부시키가이샤 핸드 부재 및 핸드
WO2019208439A1 (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 京セラ株式会社 フォーカスリング搬送部材およびこれを備えるプラズマ処理装置
JP2020072193A (ja) * 2018-10-31 2020-05-07 株式会社プロセス・ラボ・ミクロン ワーク運搬装置
JP2020184575A (ja) * 2019-05-08 2020-11-12 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． ロボット用ハンド、ウェハ搬送用ロボット及びウェハ搬送装置
JP2021036080A (ja) * 2020-11-20 2021-03-04 株式会社荏原製作所 基板ホルダ、電子デバイス製造装置において基板を搬送する搬送システム、および電子デバイス製造装置
CN112442724A (zh) * 2016-06-30 2021-03-05 株式会社荏原制作所 搬送系统及基板支承构件
KR20210100782A (ko) * 2020-02-06 2021-08-18 주식회사 글린트머티리얼즈 컨벡스, 컨케이브 및 플랫 웨이퍼 이송 로봇암에 장착되는 미끄럼 방지 패드
JP7469561B2 (ja) 2020-09-11 2024-04-16 北京北方華創微電子装備有限公司 マニピュレーター

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109461693B (zh) 2017-09-06 2023-06-02 台湾积体电路制造股份有限公司 晶片传送装置、晶片处理系统及方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH056932A (ja) * 1991-06-28 1993-01-14 Hitachi Ltd ウエハ搬送装置
JPH0927533A (ja) * 1995-07-12 1997-01-28 Nissin Electric Co Ltd 基板取り出し用ピック
JPH09148420A (ja) * 1995-09-20 1997-06-06 Hitachi Ltd 静電吸着電極およびその製作方法
JPH11168132A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Hitachi Ltd 静電吸着装置
JP2002305231A (ja) * 2000-12-27 2002-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 縦型バッチ処理装置並びに移載機及び基板の搬送方法
JP2004047979A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Integrated Dynamics Engineering Gmbh 静電把持装置及びそれを製造する方法
WO2009099107A1 (ja) * 2008-02-06 2009-08-13 Ulvac, Inc. 基板搬送用のロボットハンド

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH056932A (ja) * 1991-06-28 1993-01-14 Hitachi Ltd ウエハ搬送装置
JPH0927533A (ja) * 1995-07-12 1997-01-28 Nissin Electric Co Ltd 基板取り出し用ピック
JPH09148420A (ja) * 1995-09-20 1997-06-06 Hitachi Ltd 静電吸着電極およびその製作方法
JPH11168132A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Hitachi Ltd 静電吸着装置
JP2002305231A (ja) * 2000-12-27 2002-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 縦型バッチ処理装置並びに移載機及び基板の搬送方法
JP2004047979A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Integrated Dynamics Engineering Gmbh 静電把持装置及びそれを製造する方法
WO2009099107A1 (ja) * 2008-02-06 2009-08-13 Ulvac, Inc. 基板搬送用のロボットハンド

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013151035A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Ulvac Japan Ltd 静電チャック付きロボットハンド
JPWO2013132803A1 (ja) * 2012-03-07 2015-07-30 日本特殊陶業株式会社 搬送装置およびセラミック部材
JP2017208572A (ja) * 2012-03-07 2017-11-24 日本特殊陶業株式会社 搬送装置およびセラミック部材
JP2014112595A (ja) * 2012-12-05 2014-06-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 搬送装置及び搬送用部材
KR20170060575A (ko) * 2015-11-24 2017-06-01 히라따기꼬오 가부시키가이샤 핸드 부재 및 핸드
KR101882903B1 (ko) 2015-11-24 2018-07-27 히라따기꼬오 가부시키가이샤 핸드 부재 및 핸드
CN112442724B (zh) * 2016-06-30 2024-02-06 株式会社荏原制作所 搬送系统及基板支承构件
CN112442724A (zh) * 2016-06-30 2021-03-05 株式会社荏原制作所 搬送系统及基板支承构件
JP7036905B2 (ja) 2018-04-26 2022-03-15 京セラ株式会社 フォーカスリング搬送部材およびこれを備えるプラズマ処理装置
WO2019208439A1 (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 京セラ株式会社 フォーカスリング搬送部材およびこれを備えるプラズマ処理装置
JPWO2019208439A1 (ja) * 2018-04-26 2021-05-13 京セラ株式会社 フォーカスリング搬送部材およびこれを備えるプラズマ処理装置
JP2020072193A (ja) * 2018-10-31 2020-05-07 株式会社プロセス・ラボ・ミクロン ワーク運搬装置
JP2020184575A (ja) * 2019-05-08 2020-11-12 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． ロボット用ハンド、ウェハ搬送用ロボット及びウェハ搬送装置
KR20210100782A (ko) * 2020-02-06 2021-08-18 주식회사 글린트머티리얼즈 컨벡스, 컨케이브 및 플랫 웨이퍼 이송 로봇암에 장착되는 미끄럼 방지 패드
KR102382452B1 (ko) * 2020-02-06 2022-04-05 주식회사 글린트머티리얼즈 컨벡스, 컨케이브 및 플랫 웨이퍼 이송 로봇암에 장착되는 미끄럼 방지 패드
JP7469561B2 (ja) 2020-09-11 2024-04-16 北京北方華創微電子装備有限公司 マニピュレーター
JP2021036080A (ja) * 2020-11-20 2021-03-04 株式会社荏原製作所 基板ホルダ、電子デバイス製造装置において基板を搬送する搬送システム、および電子デバイス製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201133701A (en) 2011-10-01
JPWO2011077678A1 (ja) 2013-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011077678A1 (ja) 基板保持装置
JP6506290B2 (ja) 基板粒子生成が低減する基板支持装置
JP5574553B2 (ja) 基板搬送装置及び保持装置
JP4680657B2 (ja) 基板搬送システム
JP4030350B2 (ja) 分割型静電吸着装置
US8717737B2 (en) Substrate conveyance method and substrate conveyance system
TWI740278B (zh) 具有電荷消散塗層之靜電卡盤
KR101119075B1 (ko) 웨이퍼 이송 장치
US10964560B2 (en) Substrate chuck and substrate bonding system including the same
US6117246A (en) Conductive polymer pad for supporting a workpiece upon a workpiece support surface of an electrostatic chuck
JP2021048406A (ja) 基板移送ロボットエンドエフェクタ
WO1999025017A1 (en) Apparatus for retaining a workpiece
CN111916390A (zh) 机器人手、晶片转移机器人和晶片转移装置
JP4774025B2 (ja) 吸着装置、搬送装置
US20170346418A1 (en) Chucking device and vacuum processing apparatus
CN109964310B (zh) 混合基板载具
KR100968725B1 (ko) 기판 반송용 블레이드 및 이를 구비하는 기판 반송 장치
JPH11233587A (ja) ウエハ移載用フォーク
JP2012191104A (ja) エンドエフェクタ及び基板搬送装置
CN111433903A (zh) 晶圆支撑装置
JP4812675B2 (ja) 縦型ウエハボート
JP6567901B2 (ja) ウエハ搬送用ブレード
JP6312926B2 (ja) 吸着方法及び真空処理方法
JP6490004B2 (ja) 電極内蔵基材
JP5373198B2 (ja) 搬送処理装置及び処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10838918

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011547285

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10838918

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1