JP2020184575A - ロボット用ハンド、ウェハ搬送用ロボット及びウェハ搬送装置 - Google Patents

ロボット用ハンド、ウェハ搬送用ロボット及びウェハ搬送装置 Download PDF

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Abstract

【課題】ウェハの搬送中にウェハを加熱することを可能としたロボット用ハンドを提供する。【解決手段】ウェハＷを搬送するウェハ搬送用ロボットに取り付けられるロボット用ハンド１であって、ウェハＷが載置される載置領域２ａを有する搬送用プレート２と、搬送用プレート２の載置領域２ａ上に載置されたウェハＷを吸着する吸着機構３と、搬送用プレート２の載置領域２ａ上に載置されたウェハＷを加熱する加熱機構４とを備える。【選択図】図４

Description

本発明は、ロボット用ハンド、ウェハ搬送用ロボット及びウェハ搬送装置に関する。
例えば、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という。）に対して成膜処理やエッチング処理、イオン注入などの加工処理を行う半導体製造装置がある。半導体製造装置では、減圧可能なチャンバ内に、ウェハが載置されるサセプタと、サセプタの載置面上に載置されたウェハを冷却する冷却機構とを備え、ウェハを冷却しながら、ウェハに対するエッチング処理、イオン注入などの加工処理を行うことがある。また、サセプタに静電チャックを設けて、載置面上に載置されたウェハを吸着しながら、ウェハを載置面上に保持している（例えば、下記特許文献１，２を参照。）。
一方、半導体製造装置では、ウェハ搬送用ロボットを用いて、チャンバとの間でウェハの出し入れとウェハの搬送とを行っている。ウェハ搬送用ロボットは、アームの先端に取り付けられたロボット用ハンドによって、サセプタの載置面に対してウェハを載置したり、載置面上に載置されたウェハを持ち上げたりすることが可能となっている。
特開平６−２９１１７５号公報 特開平９−８２７８８号公報
ところで、上述した半導体製造装置では、高真空なチャンバ内で、載置面上に載置されたウェハを、例えば−１００℃程度に冷却することがある。このため、チャンバ内で冷却されたウェハを常温の大気雰囲気中へと取り出す過程で、ウェハに結露や着霜（以下、まとめて「結露」という。）が発生することがあった。
ウェハに結露が発生した場合、ウェハの面上に成膜された薄膜等に悪影響を及ぼすことになる。したがって、ウェハに結露が発生することを防ぐためには、チャンバ内で冷却されたウェハを常温に戻しながら、大気雰囲気中へと取り出す必要がある。
チャンバ内で冷却されたウェハを常温に戻すためには、ウェハに対する加工処理を行うプロセスチャンバや、ウェハの外部との出し入れを行うトランスファーチャンバにおいて、ウェハを加熱する必要がある。しかしながら、これらのチャンバ内でウェハを加熱する場合、ウェハを加熱するのに必要な時間を確保する分だけ１枚のウェハに対してプロセスを完了するまでに必要な時間が増加する、いわゆるスループットが悪化してしまうことがあった。
本発明の一つの態様は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、ウェハの搬送中にウェハを加熱することを可能としたロボット用ハンド、並びに、そのようなロボット用ハンドを備えたウェハ搬送用ロボット、並びに、そのようなウェハ搬送用ロボットを備えたウェハ搬送装置を提供することを目的の一つとする。
〔１〕 本発明の一つの態様に係るロボット用ハンドは、ウェハを搬送するウェハ搬送用ロボットに取り付けられるロボット用ハンドであって、前記ウェハが載置される載置領域を有する搬送用プレートと、前記搬送用プレートの載置領域上に載置されたウェハを吸着する吸着機構と、前記搬送用プレートの載置領域上に載置されたウェハを加熱する加熱機構とを備えることを特徴とする。
〔２〕 前記〔１〕に記載のロボット用ハンドにおいて、前記加熱機構は、前記搬送用プレートの表面又は内部に発熱抵抗体を有することを特徴とする。
〔３〕 前記〔２〕に記載のロボット用ハンドにおいて、前記発熱抵抗体は、少なくとも前記載置領域の中央部と外周部とに分割して配置されていることを特徴とする。
〔４〕 前記〔１〕〜〔３〕の何れか一項に記載のロボット用ハンドにおいて、前記吸着機構は、前記搬送用プレートに設けられた電極に電圧を印加することによって、前記載置領域に前記ウェハを吸着させる静電チャックを有することを特徴とする。
〔５〕 前記〔１〕〜〔４〕の何れか一項に記載のロボット用ハンドにおいて、前記搬送用プレートの載置領域上に載置されたウェハの温度を測定する温度測定機構を備えることを特徴とする。
〔６〕 前記〔５〕に記載のロボット用ハンドにおいて、前記温度測定機構は、前記搬送用プレートに設けられた温度センサを有することを特徴とする。
〔７〕 前記〔１〕〜〔６〕の何れか一項に記載のロボット用ハンドにおいて、前記搬送用プレートは、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２の中から選ばれる少なくとも１種の基板により構成されていることを特徴とする。
〔８〕 前記〔１〕〜〔７〕の何れか一項に記載のロボット用ハンドにおいて、前記搬送用プレートは、少なくとも前記載置領域における厚みが１０ｍｍ以下であることを特徴とする。
〔９〕 本発明の一つの態様に係るウェハ搬送用ロボットは、ウェハを搬送するウェハ搬送用ロボットであって、前記〔１〕〜〔８〕の何れか一項に記載のロボット用ハンドを備えることを特徴とする。
〔１０〕 前記〔９〕に記載のウェハ搬送用ロボットは、前記ロボット用ハンドが取り付けられたアームを水平方向に動作させるスカラロボットであることを特徴とする。
〔１１〕 本発明の一つの態様に係るウェハ搬送装置は、チャンバの間でウェハの搬送を行うウェハ搬送装置であって、前記〔９〕又は〔１０〕に記載のウェハ搬送用ロボットを備えることを特徴とする。
〔１２〕 前記〔１１〕に記載のウェハ搬送装置において、前記ウェハ搬送用ロボットは、減圧雰囲気下で前記ウェハの温度が相対的に低温となるチャンバから、大気雰囲気下で前記ウェハの温度が相対的に高温となるチャンバへと、前記ウェハを搬送する間に、当該ウェハに対する加熱を行うことを特徴とする。
以上のように、本発明の一つの態様によれば、ウェハの搬送中にウェハを加熱することを可能としたロボット用ハンド、並びに、そのようなロボット用ハンドを備えたウェハ搬送用ロボット、並びに、そのようなウェハ搬送用ロボットを備えたウェハ搬送装置を提供することが可能である。
本発明の一実施形態に係る半導体製造装置の構成を示す平面図である。 図１に示す半導体製造装置が備えるウェハ搬送ロボットの構成を示す側面図である。 図２に示すウェハ搬送ロボットが備えるロボット用ハンドの構成を示す平面図である。 図３中に示す線分Ａ−Ａによるロボット用ハンドの構成を示す断面図である。 ロボット用ハンドを構成する搬送用プレートの別の構成を示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがあり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らないものとする。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
本発明の一実施形態として、例えば図１及び図２に示す半導体製造装置１００について説明する。
なお、図１は、半導体製造装置１００の構成を示す平面図である。図２は、半導体製造装置１００が備える第１のウェハ搬送ロボット１０８の構成を示す側面図である。
本実施形態の半導体製造装置１００は、図１に示すように、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という。）Ｗに対して、例えば成膜処理やエッチング処理、イオン注入などの加工処理を行うものである。
なお、本実施形態では、ウェハＷとして、直径が約３００ｍｍ、厚みが約０．８ｍｍとなるシリコンウェハに対して加工処理を行う場合を例示している。また、半導体製造装置１００は、室内雰囲気（空気）が所定の清掃度で管理されたクリーンルーム内に設置されている。
半導体製造装置１００は、複数（本実施形態では３つ）のプロセスチャンバ１０１と、複数（本実施形態では２つ）のトランスファーチャンバ１０２と、第１のウェハ搬送用ロボット１０３と、ケース設置部１０４と、第２のウェハ搬送用ロボット１０５とを備えている。
プロセスチャンバ１０１は、ウェハＷに対する加工処理を行うチャンバであり、高真空に減圧可能な構成となっている。また、複数のプロセスチャンバ１０１のうち少なくとも１つ（本実施形態では２つ）は、ウェハＷが載置されるサセプタ１０６と、サセプタ１０６の載置面１０６ａ上に載置されたウェハＷを冷却する冷却機構（図示せず。）とを備えている。プロセスチャンバ１０１では、減圧雰囲気下でウェハＷを冷却しながら、ウェハＷに対するエッチング処理、イオン注入などの加工処理が行われる。また、サセプタ１０６に静電チャックを設けて、載置面１０６ａ上に載置されたウェハＷを吸着しながら、ウェハＷを載置面１０６ａ上に保持している。
トランスファーチャンバ１０２は、ウェハＷの外部との出し入れを行うチャンバであり、高真空に減圧可能な構成となっている。また、トランスファーチャンバ１０２は、ウェハＷが載置されると共に、回転しながらウェハＷの位置決めを行う位置決めステージ１０７と、位置決めステージ１０７に載置されたウェハＷを加熱する加熱機構（図示せず。）とを備えている。
トランスファーチャンバ１０２では、ウェハＷの外部との出し入れの際に、内部の減圧雰囲気と外部の大気雰囲気との間で、チャンバ内の気圧を切り替えることが行われる。また、加工処理後のウェハＷを外部へと取り出す際に、プロセスチャンバ１０１内で冷却されたウェハＷを加熱しながら、ウェハＷの温度を常温（結露が発生しない温度）へと戻すことが行われる。
第１のウェハ搬送用ロボット１０３は、ロボット用ハンドが取り付けられたアームを水平方向に動作させるスカラロボットであり、減圧雰囲気下で、プロセスチャンバ１０１とトランスファーチャンバ１０２との間でウェハＷの出し入れ及びウェハＷの搬送を行う。
具体的に、この第１のウェハ搬送用ロボット１０３は、図２に示すように、基台１０９に第１の回動軸ＡＸ１１を介して基端側が回動自在に支持された第１のアーム１１０と、第１のアーム１１０の先端側に第２の回動軸ＡＸ１２を介して基端側が回動自在に支持された第２のアーム１１１と、第２のアーム１１１の先端側に第３の回動軸ＡＸ１３を介して基端側が回動自在に支持された第３のアーム１１２と、第３のアーム１１２の先端側に第４の回動軸ＡＸ１４を介して基端側が回動自在に支持されたロボット用ハンド１とを備えている。
第１のウェハ搬送用ロボット１０３は、図１に示すように、第１〜第３のアーム１１０〜１１２及びロボット用ハンド１を回動させながら、ロボット用ハンド１により保持されたウェハＷをプロセスチャンバ１０１とトランスファーチャンバ１０２との間で搬送する。
第１のウェハ搬送用ロボット１０３は、減圧可能な第１の搬送用チャンバ１０８の内部に設置されている。第１の搬送用チャンバ１０８は、プロセスチャンバ１０１内の減圧雰囲気に合わせて、高真空に減圧可能な構成となっている。第１の搬送用チャンバ１０８には、シャッタ１０１ａを介してプロセスチャンバ１０１が接続されている。また、第１の搬送用チャンバ１０８には、シャッタ１０２ａを介してトランスファーチャンバ１０２が接続されている。
第１の搬送用チャンバ１０８では、ウェハＷの搬送が行われるプロセスチャンバ１０１とトランスファーチャンバ１０２との間でシャッタ１０１ａ，１０２ａを開放し、第１のウェハ搬送用ロボット１０３によりウェハＷの出し入れ及びウェハＷの搬送が行われる。
ケース設置部１０４は、複数（本実施形態では３つ）のウェハ収納ケースＣが設置されると共に、各ウェハ収納ケースＣを上下方向に昇降させる昇降機構（図示せず。）を備えている。ウェハ収納ケースＣは、複数枚のウェハＷを上下方向に並べて収納している。
ケース設置部１０４では、昇降機構によりウェハ収納ケースＣに収納されたウェハＷの高さを変えながら、ウェハＷが選択的に出し入れされる。
第２のウェハ搬送用ロボット１０５は、ロボット用ハンドが取り付けられたアームを水平方向に動作させるスカラロボットであり、大気雰囲気下で、トランスファーチャンバ１０２とウェハ収納ケースＣとの間でウェハＷの出し入れ及びウェハＷの搬送を行う。
具体的に、この第２のウェハ搬送用ロボット１０５は、基台１１４に第１の回動軸ＡＸ２１を介して基端側が回動自在に支持された第１のアーム１１５と、第１のアーム１１５の先端側に第２の回動軸ＡＸ２２を介して基端側が回動自在に支持された第２のアーム１１６と、第２のアーム１１６の先端側に第３の回動軸ＡＸ２３を介して基端側が回動自在に支持された第３のアーム１１７と、第３のアーム１１７の先端側に第４の回動軸ＡＸ２４を介して基端側が回動自在に支持されたロボット用ハンド１１８とを備えている。
第２のウェハ搬送用ロボット１０５は、第１〜第３のアーム１１５〜１１７及びロボット用ハンド１１８を回動させながら、ロボット用ハンド１１８により保持されたウェハＷをウェハ収納ケースＣとトランスファーチャンバ１０２との間で搬送する。
第２のウェハ搬送用ロボット１０５は、第２の搬送用チャンバ１１３の内部に設置されている。第２の搬送用チャンバ１１３には、各ウェハ収納ケースＣに対応したシャッタ１０４ａを介してケース設置部１０４が接続されている。また、第２の搬送用チャンバ１１３には、シャッタ１０２ｂを介してトランスファーチャンバ１０２が接続されている。
第２の搬送用チャンバ１１３では、ウェハＷの搬送が行われるウェハ収納ケースＣとトランスファーチャンバ１０２との間でシャッタ１０４ａ，１０２ｂを開放し、第２のウェハ搬送用ロボット１０５によりウェハＷの出し入れ及びウェハＷの搬送が行われる。
ところで、本実施形態の半導体製造装置１００のうち、第１のウェハ搬送用ロボット１０３は、第１の搬送用チャンバ１０８を介してプロセスチャンバ１０１とトランスファーチャンバ１０２との間でウェハＷの搬送を行うウェハ搬送装置を構成している。
また、第１のウェハ搬送用ロボット１０８は、減圧雰囲気下でウェハＷの温度が相対的に低温となるプロセスチャンバ１０１から、大気雰囲気下でウェハＷの温度が相対的に高温となるトランスファーチャンバ１０２へと、ウェハＷを搬送する間に、ロボット用ハンド１により当該ウェハＷに対する加熱を行う構成となっている。
具体的に、このロボット用ハンド１の構成について、図３、図４及び図５を参照しながら説明する。
なお、図３は、ロボット用ハンド１の構成を示す平面図である。図４は、図３中に示す線分Ａ−Ａによるロボット用ハンド１の構成を示す断面図である。図５は、ロボット用ハンド１を構成する搬送用プレート２の別の構成を示す断面図である。
本実施形態のロボット用ハンド１は、図３及び図４示すように、ウェハＷが載置される載置領域２ａを有する搬送用プレート２と、搬送用プレート２の載置領域２ａ上に載置されたウェハＷを吸着する吸着機構３と、搬送用プレート２の載置領域２ａ上に載置されたウェハＷを加熱する加熱機構４と、搬送用プレート２の載置領域２ａ上に載置されたウェハＷの温度を測定する温度測定機構５とを備えている。
搬送用プレート２は、例えば、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、石英ガラス（ＳｉＯ２）の中から選ばれる少なくとも１種の基板により構成されている。搬送用プレート２は、複数の基板を積層した積層体からなる。また、搬送用プレート２の少なくとも載置領域２ａにおける厚みが１０ｍｍ以下である。具体的には、搬送用プレート２が３〜８ｍｍの厚みを有している。
搬送用プレート２は、ウェハＷの外径よりも小さい円板形状を有している。また、搬送用プレート２には、一対のスリット６が設けられている。一対スリット６は、上述したサセプタ１０６側のピンの逃げとなる部分であり、搬送用プレート２の先端部を挟んだ両側から基端側に向かって互いに一定の幅で平行に切り欠くように設けられている。
吸着機構３は、搬送用プレート２に設けられた電極７に電圧を印加し、ウェハＷとの間に働くジョンソン・ラーベック（ＪＲ）力によって、載置領域２ａにウェハＷを吸着させる静電チャック（ＥＳＣ）を有している。電極７は、例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔなどの高融点金属材料からなる導電膜からなり、搬送用プレート２を構成する基板の間に挟み込まれた状態で設けられている。電極７には、搬送用プレート２の基端側に設けられた給電部８を介して電力の供給が可能となっている。
加熱機構４は、搬送用プレート２の表面又は内部に発熱抵抗体９を有している。発熱抵抗体９としては、−２００〜４００℃の範囲における抵抗値の変化率が１０％以下のものを用いることが好ましい。そのような発熱抵抗体９として、例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉなどの高融点金属又はその炭化物を用いることができる。
発熱抵抗体９は、薄膜の細線により形成されて、搬送用プレート２を構成する基板の間に挟み込まれた状態で設けられている。また、発熱抵抗体９は、電極７よりも下層（載置領域２ａとは反対側）に設けられている。
発熱抵抗体９には、搬送用プレート２の基端側に設けられた給電部１０を介して電力の供給が行われる。これにより、発熱抵抗体９が発熱し、載置領域２ａ上に載置されたウェハＷを加熱することが可能となっている。
また、発熱抵抗体９は、少なくとも載置領域２ａの中央部Ｅ１と外周部Ｅ２とに分割して配置されている。これにより、載置領域２ａの中央部Ｅ１と外周部Ｅ２とを別々に加熱することが可能となっている。
載置領域２ａの中央部Ｅ１は、一対のスリット６の間に設けられている。載置領域２ａの外周部Ｅ２は、中央部Ｅ１の周囲を囲むように設けられている。載置領域２ａの中央部Ｅ１と外周部Ｅ２とは、載置領域２ａの面内においてほぼ同一の面積割合となるように分割して配置されている。
温度測定機構５は、搬送用プレート２に設けられた温度センサ１１を有している。温度センサ１１は、搬送用プレート２の基端側を厚み方向に貫通する孔部２ｂの内側に配置されている。温度センサ１１は、耐熱性接着剤等を用いて、孔部２ｂの内側に固定されている。
温度センサ１１は、載置領域２ａ上に載置されたウェハＷの外周部側と接触しながら、ウェハＷの温度測定を行う。また、温度センサ１１は、その測定した信号を搬送用プレート２の基端側に設けられた信号線１２を介して温度制御部（図示せず。）へと供給する。温度制御部は、温度センサ１１から供給された信号に基づいて、発熱抵抗体９に供給される電力を制御し、ウェハＷに対する加熱温度を調整する。
また、加熱機構４は、上述した図４に示す搬送用プレート２を構成する基板の間に発熱抵抗体９が挟み込まれた構成に限らず、例えば図５に示すように、搬送用プレート２の載置領域２ａとは反対側の面に発熱抵抗体９が設けられた構成であってもよい。
以上のような構成を有する本実施形態のロボット用ハンド１では、搬送用プレート２の載置領域２ａ上に載置されたウェハＷを吸着機構３により吸着することによって、ウェハＷの反りを矯正しながら、搬送時にウェハＷを載置領域２ａの全面に接触した状態で保持することが可能である。
また、本実施形態のロボット用ハンド１では、搬送用プレート２の載置領域２ａ上に載置されたウェハＷを加熱機構４により加熱する。これにより、上述したトランスファーチャンバ１０２内でウェハＷを加熱するのとは別に、ウェハＷの搬送中にウェハＷの温度を常温（結露が発生しない温度）へと戻すことが可能である。
すなわち、本実施形態の半導体製造装置１００では、減圧雰囲気下でウェハＷの温度が相対的に低温となるプロセスチャンバ１０１から、大気雰囲気下でウェハＷの温度が相対的に高温となるトランスファーチャンバ１０２へと、ウェハＷを搬送する間に、ロボット用ハンド１によりウェハＷを加熱しながら、ウェハＷの温度を常温（結露が発生しない温度）へと戻すことが可能である。
また、本実施形態のロボット用ハンド１では、例えば、載置領域２ａの中央部Ｅ１側からウェハＷに対する加熱を開始する。ウェハＷは、熱伝導率が良いことから、中央部Ｅ１に設けられた発熱抵抗体９の温度調整により外周部の温度が上昇し始める。また、ウェハＷの外周部の温度は、温度センサ１１により測定される。温度センサ１１によりウェハＷ全体の温度上昇を確認したところで、載置領域２ａの外周部Ｅ２側からウェハＷに対する加熱を開始する。これにより、ウェハＷ全体を効率良く加熱することができ、ウェハＷの温度を速やかに常温（結露が発生しない温度）へと戻すことが可能である。
なお、ロボット用ハンド１では、上述したウェハＷに対する加熱方法に限らず、ウェハＷに対する加熱方法を適宜変更することが可能である。例えば、ウェハＷの中央部側から加熱を開始し、その後、ウェハＷの外周部側を加熱する方法に限らず、ウェハの外周部側から加熱を開始し、その後、ウェハＷの中央部側を加熱する方法としてもよい。
以上のように、本実施形態の半導体製造装置１００では、上述したプロセスチャンバ１０１内で−１００℃程度に冷却されたウェハＷを常温の大気雰囲気中へと取り出す過程で、ウェハＷの温度を常温に戻すことによって、ウェハＷに結露が発生することを未然に防ぐことが可能である。
また、本実施形態の半導体製造装置１００では、上述したトランスファーチャンバ１０２内でウェハＷを加熱するのとは別に、ウェハＷの搬送中にロボット用ハンド１によりウェハＷの加熱を行うことで、トランスファーチャンバ１０２内でウェハＷを加熱しながら、ウェハＷの温度を常温へと戻す場合に比べて、スループットを向上させることが可能である。
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、上述した半導体製造装置１００において、プロセスチャンバ１０１内で−１００℃程度に冷却されたウェハＷを常温の大気雰囲気中へと取り出す過程で、ウェハＷの温度を常温に戻す場合を例示しているが、チャンバの間でウェハの搬送を行うウェハ搬送装置において、減圧雰囲気下でウェハの温度が相対的に低温となるチャンバから、大気雰囲気下でウェハの温度が相対的に高温となるチャンバへとウェハを搬送する間に、当該ウェハに対する加熱を行う場合に、本発明を好適に用いることが可能である。
また、本発明が適用されるウェハ搬送用ロボットについては、上述した第１のウェハ搬送用ロボット１０３の構成に必ずしも限定されるものではなく、上記ロボット用ハンド１が取り付け可能なウェハ搬送用ロボットに対して、本発明を幅広く適用することが可能である。
また、上記ロボット用ハンド１では、上述したサセプタ１０６側のピンの位置に合わせた一対のスリット６が搬送用プレート２に設けられた構成となっているが、このような形状を有する搬送用プレート２に限らず、搬送用プレート２の形状等についても適宜変更を加えることが可能である。
１…ロボット用ハンド ２…搬送用プレート ２ａ…載置領域 ３…吸着機構 ４…加熱機構 ５…温度測定機構 ７…電極 ９…発熱抵抗体 １１…温度センサ １００…半導体製造装置 １０１…プロセスチャンバ １０２…トランスファーチャンバ １０３…第１のウェハ搬送用ロボット １０４…ケース設置部 １０５…第２のウェハ搬送用ロボット １０８…第１の搬送用チャンバ １１３…第２の搬送用チャンバ Ｗ…ウェハ Ｃ…ウェハ収納ケース Ｅ１…載置領域の中央部 Ｅ２…載置領域の外周部

Claims (12)

  1. ウェハを搬送するウェハ搬送用ロボットに取り付けられるロボット用ハンドであって、
    前記ウェハが載置される載置領域を有する搬送用プレートと、
    前記搬送用プレートの載置領域上に載置されたウェハを吸着する吸着機構と、
    前記搬送用プレートの載置領域上に載置されたウェハを加熱する加熱機構とを備えることを特徴とするロボット用ハンド。
  2. 前記加熱機構は、前記搬送用プレートの表面又は内部に発熱抵抗体を有することを特徴とする請求項１に記載のロボット用ハンド。
  3. 前記発熱抵抗体は、少なくとも前記載置領域の中央部と外周部とに分割して配置されていることを特徴とする請求項２に記載のロボット用ハンド。
  4. 前記吸着機構は、前記搬送用プレートに設けられた電極に電圧を印加することによって、前記載置領域に前記ウェハを吸着させる静電チャックを有することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のロボット用ハンド。
  5. 前記搬送用プレートの載置領域上に載置されたウェハの温度を測定する温度測定機構を備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のロボット用ハンド。
  6. 前記温度測定機構は、前記搬送用プレートに設けられた温度センサを有することを特徴とする請求項５に記載のロボット用ハンド。
  7. 前記搬送用プレートは、ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２の中から選ばれる少なくとも１種の基板により構成されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載のロボット用ハンド。
  8. 前記搬送用プレートは、少なくとも前記載置領域における厚みが１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載のロボット用ハンド。
  9. ウェハを搬送するウェハ搬送用ロボットであって、
    請求項１〜８の何れか一項に記載のロボット用ハンドを備えることを特徴とするウェハ搬送用ロボット。
  10. 前記ロボット用ハンドが取り付けられたアームを水平方向に動作させるスカラロボットであることを特徴とする請求項９に記載のウェハ搬送用ロボット。
  11. チャンバの間でウェハの搬送を行うウェハ搬送装置であって、
    請求項９又は１０に記載のウェハ搬送用ロボットを備えることを特徴とするウェハ搬送装置。
  12. 前記ウェハ搬送用ロボットは、減圧雰囲気下で前記ウェハの温度が相対的に低温となるチャンバから、大気雰囲気下で前記ウェハの温度が相対的に高温となるチャンバへと、前記ウェハを搬送する間に、当該ウェハに対する加熱を行うことを特徴とする請求項１１に記載のウェハ搬送装置。
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