JPH0750290A - 低温エッチング装置 - Google Patents
低温エッチング装置Info
- Publication number
- JPH0750290A JPH0750290A JP19464193A JP19464193A JPH0750290A JP H0750290 A JPH0750290 A JP H0750290A JP 19464193 A JP19464193 A JP 19464193A JP 19464193 A JP19464193 A JP 19464193A JP H0750290 A JPH0750290 A JP H0750290A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chamber
- vacuum preliminary
- preliminary chamber
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温エッチング装置のスループットを向上さ
せる。 【構成】 低温エッチング装置はエッチング処理室とこ
のエッチング処理室でエッチング処理されたウエハＷが
搬入される第２真空予備室４とを有している。第２真空
予備室４には、エッチング処理室で処理されたウエハを
常温程度に加熱するヒータ１３が設けられている。した
がって、エッチング処理されたウエハＷは第２真空予備
室４内で迅速に常温にまで加熱されることになるので、
第２真空予備室４内であまり止め置くことなく、迅速に
外部に排出することができ、エッチング処理のスループ
ットが向上する。
せる。 【構成】 低温エッチング装置はエッチング処理室とこ
のエッチング処理室でエッチング処理されたウエハＷが
搬入される第２真空予備室４とを有している。第２真空
予備室４には、エッチング処理室で処理されたウエハを
常温程度に加熱するヒータ１３が設けられている。した
がって、エッチング処理されたウエハＷは第２真空予備
室４内で迅速に常温にまで加熱されることになるので、
第２真空予備室４内であまり止め置くことなく、迅速に
外部に排出することができ、エッチング処理のスループ
ットが向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低温エッチング処理室か
ら取り出されたウエハが搬入される真空予備室を有する
低温エッチング装置に関する。
ら取り出されたウエハが搬入される真空予備室を有する
低温エッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの集積度の増大に伴って
回路パターンの微細化が進み、ドライエッチングの技術
が採用されるようになっている。このドライエッチング
の技術には、被処理物であるウエハの温度を下げること
により、反応を抑えて加速されたイオンのみで回路パタ
ーンを形成するために低温エッチング装置が開発されて
いる。
回路パターンの微細化が進み、ドライエッチングの技術
が採用されるようになっている。このドライエッチング
の技術には、被処理物であるウエハの温度を下げること
により、反応を抑えて加速されたイオンのみで回路パタ
ーンを形成するために低温エッチング装置が開発されて
いる。
【０００３】このような低温エッチング装置にあって
は、エッチング処理を行うエッチング処理室の搬入側と
搬出側とにロードロック室とも言われる真空予備室が配
置されている。ウエハは搬入側の真空予備室に搬入さ
れ、エッチング処理室とほぼ同じ圧力ないし真空度に設
定された後に、真空予備室とエッチング処理室とを区画
するゲートを開いてエッチング処理室内に送り込まれ
る。処理室においてウエハは−６０℃程度の低い温度条
件の下でエッチング処理がなされる。
は、エッチング処理を行うエッチング処理室の搬入側と
搬出側とにロードロック室とも言われる真空予備室が配
置されている。ウエハは搬入側の真空予備室に搬入さ
れ、エッチング処理室とほぼ同じ圧力ないし真空度に設
定された後に、真空予備室とエッチング処理室とを区画
するゲートを開いてエッチング処理室内に送り込まれ
る。処理室においてウエハは−６０℃程度の低い温度条
件の下でエッチング処理がなされる。
【０００４】エッチング処理が終了したならば、処理室
から搬出側の真空予備室内に処理終了後のウエハが搬出
される。この真空予備室をＮ2 ガス等の不活性ガスによ
りパージした後に、ウエハは外部の大気中に払い出され
る。
から搬出側の真空予備室内に処理終了後のウエハが搬出
される。この真空予備室をＮ2 ガス等の不活性ガスによ
りパージした後に、ウエハは外部の大気中に払い出され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな低温エッチング装置にあっては、処理完了後のウエ
ハが常温よりも低いので、真空予備室でウエハを大気に
開放する際、ウエハに大気中の水分が結露してしまう。
これを防止するために、従来ではＮ2 ガスでパージした
後にウエハが常温に戻るまで真空予備室内でウエハを放
置しているが、放置時間が長くなり、スループットが低
下するという問題点がある。
うな低温エッチング装置にあっては、処理完了後のウエ
ハが常温よりも低いので、真空予備室でウエハを大気に
開放する際、ウエハに大気中の水分が結露してしまう。
これを防止するために、従来ではＮ2 ガスでパージした
後にウエハが常温に戻るまで真空予備室内でウエハを放
置しているが、放置時間が長くなり、スループットが低
下するという問題点がある。
【０００６】本発明の目的は、低温処理室から搬出され
たウエハを真空予備室内で迅速に常温に戻してウエハの
処理効率を向上させることにある。
たウエハを真空予備室内で迅速に常温に戻してウエハの
処理効率を向上させることにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【０００９】すなわち、低温エッチング装置はエッチン
グ処理室と当該処理室でエッチング処理されたウエハが
搬入される真空予備室とを有している。真空予備室には
エッチング処理された後に搬入されるウエハを常温まで
加熱する加熱手段が設けられている。
グ処理室と当該処理室でエッチング処理されたウエハが
搬入される真空予備室とを有している。真空予備室には
エッチング処理された後に搬入されるウエハを常温まで
加熱する加熱手段が設けられている。
【００１０】
【作用】エッチング処理室でエッチング処理されたウエ
ハは、エッチング処理室から真空予備室に搬出される。
この真空予備室には加熱手段が設けられており、ウエハ
はこの真空予備室で迅速に常温まで加熱されることにな
る。したがって、真空予備室内で長時間放置することな
く真空予備室から外部にウエハを払い出しても、ウエハ
に結露が発生することがなくなる。これにより、低温エ
ッチング装置におけるスループットの向上が図られる。
ハは、エッチング処理室から真空予備室に搬出される。
この真空予備室には加熱手段が設けられており、ウエハ
はこの真空予備室で迅速に常温まで加熱されることにな
る。したがって、真空予備室内で長時間放置することな
く真空予備室から外部にウエハを払い出しても、ウエハ
に結露が発生することがなくなる。これにより、低温エ
ッチング装置におけるスループットの向上が図られる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】（実施例１）図１は本発明の低温エッチン
グ装置の全体を示す概略図であり、低温エッチング処理
装置本体１はエッチング処理室２と、これの一方側に配
置された第１ロードロック室つまり搬入側の第１真空予
備室３と、他方側に配置された第２ロードロック室つま
り搬出側の第２真空予備室４とを有している。
グ装置の全体を示す概略図であり、低温エッチング処理
装置本体１はエッチング処理室２と、これの一方側に配
置された第１ロードロック室つまり搬入側の第１真空予
備室３と、他方側に配置された第２ロードロック室つま
り搬出側の第２真空予備室４とを有している。
【００１３】エッチング処理がなされる図示しない半導
体ウエハは、カセット５により第１真空予備室３内に搬
入され、この中がエッチング処理室２内と同様の真空度
に設定されたならば、ウエハはエッチング処理室２内に
搬入される。このエッチング処理室２内において、プラ
ズマエッチング等のドライエッチング処理がなされるこ
とになるが、その際にはウエハは、たとえば−６０℃程
度に常温よりも低い温度に冷却される。
体ウエハは、カセット５により第１真空予備室３内に搬
入され、この中がエッチング処理室２内と同様の真空度
に設定されたならば、ウエハはエッチング処理室２内に
搬入される。このエッチング処理室２内において、プラ
ズマエッチング等のドライエッチング処理がなされるこ
とになるが、その際にはウエハは、たとえば−６０℃程
度に常温よりも低い温度に冷却される。
【００１４】エッチング処理が完了したならば、エッチ
ング処理室２内と同様の圧力に設定されている第２真空
予備室４内にウエハが搬入される。
ング処理室２内と同様の圧力に設定されている第２真空
予備室４内にウエハが搬入される。
【００１５】図２は図１に示す第２真空予備室４を示す
断面図であり、低温でエッチング処理されたウエハＷが
ステージ１１に載置された状態を示す。
断面図であり、低温でエッチング処理されたウエハＷが
ステージ１１に載置された状態を示す。
【００１６】この第２真空予備室４には、この中に不活
性ガスとしてのＮ2 ガスを供給するガス供給管１２が接
続されており、このガス供給管１２に装着されたヒータ
１３によりＮ2 ガスは常温以上の温度、たとえば２０〜
３０℃に加熱されるようになっている。このように、第
２真空予備室４を加熱されたＮ2 ガスによりパージする
ようにしたので、ウエハＷは迅速に常温に戻ることにな
る。
性ガスとしてのＮ2 ガスを供給するガス供給管１２が接
続されており、このガス供給管１２に装着されたヒータ
１３によりＮ2 ガスは常温以上の温度、たとえば２０〜
３０℃に加熱されるようになっている。このように、第
２真空予備室４を加熱されたＮ2 ガスによりパージする
ようにしたので、ウエハＷは迅速に常温に戻ることにな
る。
【００１７】したがって、第２真空予備室４から図１に
示すカセット６にウエハＷを搬出してウエハＷが大気開
放されても、ウエハＷには結露が発生することがなくな
るので、ウエハＷを迅速に取り出すことができ、スルー
プットを向上させることができる。なお、ガス供給管１
２を熱交換器に通すことにより、Ｎ2 ガスを加熱するよ
うにしても良い。
示すカセット６にウエハＷを搬出してウエハＷが大気開
放されても、ウエハＷには結露が発生することがなくな
るので、ウエハＷを迅速に取り出すことができ、スルー
プットを向上させることができる。なお、ガス供給管１
２を熱交換器に通すことにより、Ｎ2 ガスを加熱するよ
うにしても良い。
【００１８】（実施例２）図３は本発明の他の実施例に
係る低温エッチング装置における図２と同様の部分を示
す図であり、図２における部位と共通する部位には同一
の符号が付されている。
係る低温エッチング装置における図２と同様の部分を示
す図であり、図２における部位と共通する部位には同一
の符号が付されている。
【００１９】この場合には、ウエハＷを支持するための
ステージ１１内にヒータ１４が組み込まれており、この
ヒータ１４によりステージ１１を介してウエハＷが加熱
されるようになっている。ヒータ１４としては、電熱線
を用いるようにしても、熱媒体を循環させるようにして
も良い。
ステージ１１内にヒータ１４が組み込まれており、この
ヒータ１４によりステージ１１を介してウエハＷが加熱
されるようになっている。ヒータ１４としては、電熱線
を用いるようにしても、熱媒体を循環させるようにして
も良い。
【００２０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２１】たとえば、ロードロック室つまり真空予備
室を１つのみ設けることにより、そのロードロック室を
エッチング処理室２内へのウエハＷの搬入用と、処理後
のウエハＷの搬出用とに使用する場合にも本発明を適用
することができる。
室を１つのみ設けることにより、そのロードロック室を
エッチング処理室２内へのウエハＷの搬入用と、処理後
のウエハＷの搬出用とに使用する場合にも本発明を適用
することができる。
【００２２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００２３】(1).エッチング処理室から真空予備室内に
搬出されたウエハを迅速に常温にまで戻すことができ
る。
搬出されたウエハを迅速に常温にまで戻すことができ
る。
【００２４】(2).その結果、低温エッチング装置におけ
るスループットの向上が達成される。
るスループットの向上が達成される。
【図１】本発明による低温エッチング装置の一実施例の
全体構成を示す概略図である。
全体構成を示す概略図である。
【図２】図１に示された真空予備室を示す断面図であ
る。
る。
【図３】真空予備室の他の実施例を示す断面図である。
１ 低温エッチング処理装置本体 ２ エッチング処理室 ３ 第１真空予備室 ４ 第２真空予備室 ５，６ カセット １１ ステージ １２ ガス供給管 １３ ヒータ １４ ヒータ Ｗ ウエハ
Claims (3)
- 【請求項１】 エッチング処理室と当該エッチング処理
室で処理されたウエハが搬入される真空予備室とを有す
る低温エッチング処理装置であって、前記真空予備室に
搬入された前記ウエハを常温まで加熱する加熱手段を前
記真空予備室に設けたことを特徴とする低温エッチング
装置。 - 【請求項２】 前記真空予備室内に供給されるパージ用
の不活性ガスを供給するガス供給管にヒータを設けて前
記加熱手段を構成したことを特徴とする請求項１記載の
低温エッチング装置。 - 【請求項３】 前記ウエハを支持するステージにヒータ
を設けて前記加熱手段を構成したことを特徴とする請求
項１記載の低温エッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19464193A JPH0750290A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | 低温エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19464193A JPH0750290A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | 低温エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750290A true JPH0750290A (ja) | 1995-02-21 |
Family
ID=16327898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19464193A Pending JPH0750290A (ja) | 1993-08-05 | 1993-08-05 | 低温エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750290A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970003600A (ko) * | 1995-06-29 | 1997-01-28 | 김주용 | 저온 에칭방법 |
| US8869418B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-10-28 | Lg Display Co. Ltd. | Apparatus for fabricating display device |
| JP2020184575A (ja) * | 2019-05-08 | 2020-11-12 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | ロボット用ハンド、ウェハ搬送用ロボット及びウェハ搬送装置 |
-
1993
- 1993-08-05 JP JP19464193A patent/JPH0750290A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970003600A (ko) * | 1995-06-29 | 1997-01-28 | 김주용 | 저온 에칭방법 |
| US8869418B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-10-28 | Lg Display Co. Ltd. | Apparatus for fabricating display device |
| JP2020184575A (ja) * | 2019-05-08 | 2020-11-12 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | ロボット用ハンド、ウェハ搬送用ロボット及びウェハ搬送装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6869500B2 (en) | Method for processing a wafer and apparatus for performing the same | |
| JP4732475B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
| JP5025878B2 (ja) | 半導体ウエハを処理するためのチャンバ | |
| US6073636A (en) | Dry etcher apparatus and method of preventing residual reaction gas from condensing on wafers after etching | |
| TW509963B (en) | Method for manufacturing a semiconductor device and device for manufacturing a semiconductor | |
| JP4124543B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
| JPH0750290A (ja) | 低温エッチング装置 | |
| JPH08264618A (ja) | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4124800B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
| JP3207402B2 (ja) | 半導体用熱処理装置および半導体基板の熱処理方法 | |
| KR19990076407A (ko) | 반도체장치의 제조공정에 있어서의 박막 형성방법 | |
| JP3449630B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR20020081730A (ko) | 흄제거를 위한 반도체 제조장치 | |
| JP3429786B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH08195382A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000243719A (ja) | ランプアニール方法とその装置 | |
| JPH10173025A (ja) | 半導体製造装置のロードロック室 | |
| KR100578122B1 (ko) | 반도체 기판의 애싱 방법 | |
| JPH05206063A (ja) | 積層配線形成用スパッタ装置 | |
| JP2004127990A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60150633A (ja) | プラズマエツチング装置のロ−ドロツク室 | |
| JP2879047B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JP2607851Y2 (ja) | 枚葉式ドライエッチング装置 | |
| JP4612063B2 (ja) | 表面処理方法及びその装置 | |
| JPH1041277A (ja) | ドライエッチング装置およびこれを用いたドライエッチング方法 |