JPH08264618A

JPH08264618A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH08264618A
Application number: JP7068189A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Tomita; 健一冨田; Takeshi Sunada; 武砂田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1995-03-27
Filing date: 1995-03-27
Publication date: 1996-10-11

Abstract

(57)【要約】【目的】この発明は、全体のウエハ処理時間を短縮する
ことにより、生産性の向上を実現する。【構成】半導体製造装置は、第１、第２のプロセスチャ
ンバー1,2,ハンドラーユニット3 及び第１、第２のカセ
ットユニット4,5 から構成されている。即ち、ハンドラ
ーユニット3 はウエハハンドラ3aとウエハハンドリング
室3bとからなる。ウエハハンドラ3aにウエハを搬送する
際にウエハの温度を 300℃及び50℃に保持する図示せぬ
加熱手段を取り付けている。第１のプロセスチャンバー
1 に、チャンバを 300℃のプロセス温度に加熱する図示
せぬ加熱手段及びチャンバ内に所定のガス系を導入する
図示せぬガス導入経路を設け、第２のプロセスチャンバ
ー2に、チャンバを50℃のプロセス温度に設定する図示
せぬ加熱手段及び所定のガス系を導入する図示せぬガス
導入経路を設けている。従って、生産性の向上を実現で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造装置及び
半導体装置の製造方法に関するもので、特に互いに異な
るプロセス実行温度を有するプロセスチャンバーを複数
個備えたマルチチャンバー方式のＣＶＤ(Chemical Vapo
r Deposition) 装置又はＲＩＥ(Reactive Ion Etching)
装置又はスパッタ装置に適用されるものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のマルチチャンバー型のＣＶＤ装置
又はＲＩＥ装置又はスパッタ装置では、ウエハを各プロ
セスチャンバーに搬送するためのロボットを備えたハン
ドラーユニットを有している。このハンドラーユニット
による従来の搬送ロボットは、特別な温度に設定された
環境下には置かれていない。従って、ハンドラ表面は、
ほぼ室温近傍になっている。このハンドラ表面の温度が
上昇する唯一の場合は、プロセスが終了して加熱された
状態のウエハを、プロセスチャンバーからカセット室へ
搬出する時のみである。この時、ハンドラはウエハの余
熱によって加熱される。

【０００３】一方、デバイスの微細化に対応した高度な
プロセスが要求されるに従い、マルチチャンバー方式の
ＣＶＤ装置又はＲＩＥ装置又はスパッタ装置において
も、最適なプロセス温度をより厳密に設定・管理する必
要が強まっている。また、上記マルチチャンバー型の装
置においても、各チャンバー毎に異なった設定温度にて
プロセスを実施する例が現実化している。このような状
況において、プロセスシーケンスも複雑化していくた
め、ウエハ処理時間の増大がより懸念される。特に、プ
ロセスシーケンスの増加に伴って、各チャンバー間のウ
エハ搬送時間やウエハを昇降温する時間が全体の処理に
要する時間に占める割合が大きくなる。このため、これ
らの所要時間の短縮が強く求められている。

【０００４】しかしながら、従来のマルチチャンバー型
の装置では、ウエハを搬送している間には搬送のみの処
理しか行われない。このため、ウエハを昇温するステッ
プやプリベークステップあるいはポストベークステップ
が後の工程で行われる場合、前記ウエハ搬送ステップは
後工程の所要時間の短縮に何等寄与しないという問題が
あった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のマルチチャンバー型のＣＶＤ装置又はＲＩＥ装置又は
スパッタ装置では、チャンバー毎に異なる温度が設定さ
れるような複雑化したプロセスステップが行われる場
合、全体の処理に要する時間が長くなる。即ち、複雑化
したプロセスステップ、例えばプリベークステップある
いはポストベークステップ等によって、ウエハの処理時
間が増大し、全体の処理時間が長くなる。この結果、生
産性の低下を招くこととなる。

【０００６】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、ウエハの処理時間を短
縮することにより、全体の処理時間を短縮し、生産性を
向上し得る半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を
提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、ウエハが収納されているカセットユニッ
トと、前記ウエハに所定の処理を第１の温度で行う第１
のチャンバーと、前記ウエハに所定の処理を前記第１の
温度より高い第２の温度で行う第２のチャンバーと、前
記カセットユニット、前記第１のチャンバー及び前記第
２のチャンバーの相互間において前記ウエハを搬送する
搬送手段と、前記搬送手段に設けられ、前記ウエハを前
記第１の温度以上且つ前記第２の温度以下の温度に保持
する保持手段と、を具備することを特徴としている。

【０００８】また、ウエハが収納されているカセットユ
ニットと、前記ウエハに所定の処理を互いに異なる温度
で行う複数のチャンバーと、前記カセットユニット及び
前記複数のチャンバーの相互間において前記ウエハを搬
送する搬送手段と、前記搬送手段に設けられ、前記チャ
ンバーの数に相当する数だけ設けられた前記ウエハを支
持する支持手段と、前記支持手段それぞれに設けられ、
前記ウエハを前記複数のチャンバーそれぞれにおける処
理の際の温度近傍に保持する保持手段と、を具備するこ
とを特徴としている。

【０００９】また、カセットユニットに収納されたウエ
ハを、搬送手段により前記カセットユニットから第１の
チャンバーに搬送している際、このウエハを前記第１の
チャンバーにおいて処理する時の温度近傍に加熱保持す
る工程と、前記ウエハを前記搬送手段により前記第１の
チャンバーから第２のチャンバーに搬送している際、こ
のウエハを前記第２のチャンバーにおいて処理する時の
温度近傍に加熱保持する工程と、を具備することを特徴
としている。

【００１０】また、カセットユニット及び複数のチャン
バーの相互間においてウエハを搬送している際、このウ
エハを前記複数のチャンバーそれぞれにおける処理の際
の温度のうちの最低温度以上且つ最高温度以下の温度に
加熱保持することを特徴としている。

【００１１】

【作用】この発明は、ウエハを搬送する搬送手段に、第
１のチャンバーの処理温度である第１の温度以上且つ第
２のチャンバーの処理温度である第２の温度以下の温度
に保持する保持手段を設けている。このため、カセット
ユニット及び第１、第２のチャンバーの相互間において
前記ウエハを搬送手段により搬送する際、このウエハを
第１の温度以上且つ第２の温度以下に加熱保持すること
ができる。この結果、従来技術のようにチャンバー内で
ウエハを室温から第１の温度まで昇温させる必要がない
ので、第１及び第２のチャンバー内における処理時間を
従来より短縮することができる。したがって、全体のウ
エハ処理時間を短縮することができ、生産性の向上を実
現できる。

【００１２】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例を説
明する。図１は、この発明の第１の実施例による半導体
製造装置を示す概略図である。この半導体製造装置は、
マルチチャンバー方式のＣＶＤ装置であり、第１、第２
のプロセスチャンバー１、２、ハンドラーユニット３、
第１、第２のカセットユニット４、５、及び真空予備室
としてのロードロック６、７とから構成されている。

【００１３】前記ハンドラーユニット３はウエハハンド
ラ３ａとウエハハンドリング室３ｂとからなり、ウエハ
ハンドリング室３ｂ内にはウエハハンドラ３ａが設けら
れている。前記ウエハハンドリング室３ｂは、第１及び
第２のプロセスチャンバー１、２それぞれに連結されて
いる。第１のプロセスチャンバー（専用プラズマチャン
バ）１には、チャンバ内を３００℃のプロセス温度に加
熱するための図示せぬ加熱手段としてのヒータ、５００
Ｗ程度の高周波電力を印加するための図示せぬ高周波電
源及びチャンバ内にＳｉＨ₄ −Ｎ₂ Ｏ−Ｎ₂ ガス系を導
入するための図示せぬガス導入経路が設けられている。
第２のプロセスチャンバー２には、チャンバ内を５０℃
のプロセス温度に設定するための図示せぬ加熱手段とし
てのヒータおよびＳｉＨ₄ −Ｏ₂ −Ｎ₂ ガス系を導入す
るための図示せぬガス導入経路が設けられている。

【００１４】前記第１のカセットユニット４内は処理前
の図示せぬ複数のウエハを収容し、第２のカセットユニ
ット５は、処理後のウエハを搬入するためのものであ
る。前記ウエハハンドリング室３ｂ内には図示せぬ駆動
装置が設けられている。前記ウエハハンドラ３ａは前記
駆動装置によって、前記ウエハハンドリング室３ｂ内を
移動する。ウエハハンドラ３ａ内には、例えばヒータ２
１、冷却ガスが導入される冷却パイプ２２、及びウエハ
ハンドラ３ａの温度を検出する例えば熱電対からなる温
度センサ２３が配設されている。ウエハハンドラ３ａに
保持されたウエハは搬送途中において、前記ヒータ２
１、冷却パイプ２２、温度センサ２３を用いてその温度
が制御される。ウエハハンドラ３ａ内における前記ヒー
タ２１、冷却パイプ２２、温度センサ２３の配設位置は
図１に限定されるものではなく、種々変形可能である。

【００１５】図２は、ウエハハンドラ３ａの温度制御装
置を示すものである。前記ヒータ２１及び温度センサ２
３は温度制御部２４に接続され、前記冷却パイプ２２は
冷却部２５に接続されている。この冷却部２５は前記冷
却パイプ２２内のガスを冷却するものであり、この冷却
部２５は前記温度制御部２４に接続されている。前記温
度制御部２４はプロセス全体を制御するプロセス制御部
２６に接続されている。前記温度制御部２４はプロセス
制御部２６の制御及び温度センサ２３の出力信号に応じ
て、前記ヒータ２１及び冷却部２５を制御し、ウエハハ
ンドラ３ａ及びウエハを所定の温度とする。

【００１６】図３は、図１、図２に示す半導体製造装置
において半導体装置を製造する際のプロセスシーケンス
を示すものである。先ず、室温に保持されている第１の
カセットユニット４内の図示せぬウエハは、ウエハハン
ドラ３ａによって取り出される。この後、このウエハ
は、ウエハハンドラ３ａによってウエハハンドリング室
３ｂを経て温度が３００℃に設定されている専用プラズ
マチャンバ１内へ移送される。この際、図３に示すＨ１
−加熱ハンドラ工程（〜３００℃）が実施される。即
ち、ウエハハンドラ３ａはヒータ２１によって、その温
度を専用プラズマチャンバ１内におけるＰ（プラズマ）
−ＳｉＯ膜を堆積する時の温度に近い温度に設定され
る。これにより、室温のウエハはハンドラ３ａ上で３０
０℃近傍まで昇温される。

【００１７】次に、図３に示す下層Ｐ（プラズマ）−Ｓ
ｉＯデポ工程（３００℃）が実施される。すなわち、こ
の専用プラズマチャンバ１内にはＳｉＨ₄ −Ｎ₂ Ｏ−Ｎ
₂ ガス系が導入されるとともに、５００Ｗ程度の高周波
電力が印加される。これにより、ウエハの表面上には下
層として厚さが１０００〜２０００オングストロームの
Ｐ（プラズマ）−ＳｉＯ膜（純然たるプラズマＳｉＯ₂
膜）が成膜される。

【００１８】この後、前記ウエハは、ウエハハンドラ３
ａによって専用プラズマチャンバ１からウエハハンドリ
ング室３ｂを通って温度が５０℃に設定されている第２
のプロセスチャンバー（専用ＬＰ(Low Pressure)チャン
バ）２に移送される。この際、図３に示すＨ２−冷却ハ
ンドラ工程（〜５０℃）が実施される。即ち、ウエハハ
ンドラ３ａは、冷却パイプ２２を介して冷却部２５から
供給される冷却ガスによって、専用ＬＰチャンバ２内に
おけるＬＰ(Low Pressure)−ＳｉＯ膜を堆積する時の温
度５０℃に近い温度に設定される。これにより３００℃
に加熱されたウエハはハンドラ３ａ上で５０℃近傍まで
冷却される。

【００１９】次に、図３に示す中層ＬＰ(Low Pressure)
−ＳｉＯデポ工程（５０℃）が実施される。すなわち、
この専用ＬＰチャンバ２内にはＳｉＨ₄ −Ｏ₂ −Ｎ₂ ガ
ス系が導入される。これにより、前記下層のＰ−ＳｉＯ
膜の上には厚さが８０００〜１００００オングストロー
ムの中層のＬＰ−ＳｉＯ膜が成膜される。この中層のＬ
Ｐ−ＳｉＯ膜は、高周波電力が用いられていない純然た
る化学反応で成膜されたＬＰ−ＳｉＯ₂ 膜であり、リフ
ロー性に富んでいるため多層配線の平坦化を実施する際
のキーとなる膜である。このリフロー性の確保には成膜
温度の管理が重要であることが解っている。また、ＬＰ
−ＳｉＯ膜は成膜直後には膜中に多量の水分を含有して
おり、成膜後の適切なポストベークによって水分を除去
する必要がある。このポストベーク方法を誤ると、膜中
にクラッキングが容易に発生するために注意を要する。

【００２０】この後、前記ウエハは、ウエハハンドラ３
ａによって専用ＬＰチャンバ２からウエハハンドリング
室３ｂを経て温度が３００℃に設定されている専用プラ
ズマチャンバ１に移送される。この際、図３に示すＨ３
−ステップ昇温ハンドラ工程（５０〜１５０〜３００
℃）が実施される。

【００２１】このＨ３−工程においては、ウエハ上のＬ
Ｐ−ＳｉＯ₂ 膜からの脱水プロセスを効果的に行う必要
がある。具体的には、ポストベーク工程と呼ばれるマル
チステップ昇温シーケンスが施される。このポストベー
クが適切に実行されない場合、例えば脱水過程が図４に
Ａで示すような急激にすぎる場合、ＬＰ−ＳｉＯ₂ 膜に
は過度の膜収縮が起こり、クラッキングが発生する。一
方、図４にＢで示すように昇温速度が遅すぎる場合、脱
水が不十分となり、ＬＰ−ＳｉＯ₂ 膜中の残存水分量が
増大してトランジスタの動作信頼性不良を引き起こすこ
とが知られている。このようにＬＰ−ＳｉＯ₂ 膜での適
切な脱水過程を図４にＣで示すように適切な昇温速度で
制御することがプロセスにおいて非常に重要な要件とな
っている。従来は、ＬＰチャンバ内で昇温を行っていた
ので、ＬＰチャンバの熱容量で制限される昇温レートの
限界によって図４にＣで示すような最適なマルチステッ
プシーケンスを実行することができなかった。また、た
とえプラズマチャンバ内で同じく昇温を試みた場合に
も、同様の理由による限界が生じることは明らかであ
る。すなわち、ＬＰ−ＳｉＯ膜での最適な脱水過程を確
保するためには、ある程度熱容量の小さい系にウエハを
保持する必要があるからである。

【００２２】前記Ｈ３−ステップ昇温ハンドラ工程（５
０〜１５０〜３００℃）では、温度制御部２４によって
ヒータ２１の温度が制御され、ハンドラ３ａの温度が図
４にＣで示すマルチステップ昇温シーケンスに従って、
７５℃、１７５℃、３００℃に設定される。即ち、ウエ
ハ上に５０℃で成膜をした後、先ず、７５℃にてポスト
ベークを行い、続いて１７５℃にてポストベークを行
い、この後３００℃にて成膜するものである。これによ
り、従来に比べてポストベーク時間の短縮が達成され
る。

【００２３】次に、図３に示す上層Ｐ（プラズマ）−Ｓ
ｉＯデポ工程（３００℃）が実施される。即ち、専用プ
ラズマチャンバ１内にはＳｉＨ₄ −Ｎ₂ Ｏ−Ｎ₂ ガス系
が導入されるとともに、５００Ｗ程度の高周波電力が印
加される。これにより、前記中層のＬＰ−ＳｉＯ膜の上
には上層として厚さが３０００〜５０００オングストロ
ームのＰ−ＳｉＯ膜（純然たるプラズマＳｉＯ₂ 膜）が
成膜される。この結果、ウエハの表面上には下層からＰ
−ＳｉＯ／ＬＰ−ＳｉＯ／Ｐ−ＳｉＯの三層が積層成膜
される。尚、下層のＰ−ＳｉＯ膜は、下地との密着性を
確保するため、及び中層のＬＰ−ＳｉＯ膜を成膜する時
の異常成長を抑制するために形成されるものである。

【００２４】この後、前記ウエハは、ウエハハンドラ３
ａによって専用プラズマチャンバ１からウエハハンドリ
ング室３ｂを経て室温の第２のカセットユニット５に移
送される。この際、図２に示すＨ４−冷却ハンドラ工程
（〜室温）が実施される。すなわち、ウエハハンドラ３
ａは冷却ガスによって、第２のカセットユニット５内に
おける室温に近い温度に設定される。したがって、３０
０℃に加熱されたウエハはハンドラ３ａ上で室温近傍ま
で冷却される。これにより、第２のカセットユニット５
内でのウエハの冷却時間を短縮できる。

【００２５】このように、Ｈ１、Ｈ２、Ｈ４の各工程は
処理時間を短縮できる利点を有し、Ｈ３の工程はクラッ
クの発生を抑制できる利点を有している。上記第１の実
施例によれば、ウエハを第１のカセットユニット４から
ウエハハンドリング室３ｂを経て専用プラズマチャンバ
１内に移送する際、このウエハをウエハハンドラ３ａに
よって加熱している。この結果、従来技術のようにチャ
ンバ１内でウエハを室温から３００℃まで昇温させる必
要がないため、チャンバ１内においてウエハ表面に下層
を堆積する時間を５０％近く短縮することができる。即
ち、従来では専用プラズマチャンバ内でウエハを昇温し
ていたため、堆積時間に占めるウエハ昇温時間の割合は
多くて５０％にも及んでいたが、上記実施例ではウエハ
を移送する際にウエハを昇温しているので、堆積時間を
短縮できる。したがって、全体のウエハ処理時間を短縮
することができる。これにより、プロセス生産性の向上
及び製造コストの低減を図ることができる。

【００２６】また、ウエハを専用プラズマチャンバ１か
らウエハハンドリング室３ｂを経て専用ＬＰチャンバ２
内に移送する際、このウエハをウエハハンドラ３ａによ
って冷却している。この結果、従来技術のようにチャン
バ２内でウエハを３００℃から５０℃まで冷却させる必
要がないため、チャンバ２内においてウエハ表面に中層
を堆積する時間を短縮することができる。すなわち、従
来では、ＬＰチャンバ内でウエハを冷却するために、５
０℃程度の低温に保持されたＬＰチャンバ内に前工程の
プラズマチャンバ内で加熱されたウエハをすぐに搬入し
ていた。このため、ウエハの冷却時間が増大するととも
に、ＬＰチャンバ内の低温雰囲気が乱され、ＬＰチャン
バ内の温度が当初の低温安定状態に復帰するための待ち
時間を必要としていた。

【００２７】これに対して、上記実施例では、専用ＬＰ
チャンバ２内に移送する際にウエハをウエハハンドラ３
ａによって冷却しているため、チャンバ２内においてウ
エハの下層上に中層を堆積する時間を短縮することがで
きる。したがって、プロセス生産性の向上及び製造コス
トの低減を図ることができる。さらに、従来技術に比べ
てＬＰチャンバ２内の温度を一定の低温に管理すること
が容易である。つまり、中層のＬＰ−ＳｉＯ膜のリフロ
ー性を確保するためには膜を堆積させる際の温度の低温
管理が重要である。逆に言えば低温安定状態が乱されが
ちな場合には膜のリフロー不足を招く可能性が大きく、
ＬＰチャンバ内のパ−ティクル数が増大するデメリット
も生ずる。従来の方法ではこのようなプロセス上の問題
点を含んでいたが、本実施例の方法を採用することによ
って、これらのプロセス上の問題点を回避することがで
きる。

【００２８】尚、上記第１の実施例では、第１のプロセ
スチャンバーのプロセス温度を３００℃に設定している
が、この設定温度に限られず、例えば４００℃に設定す
ることも可能である。

【００２９】また、第２のプロセスチャンバーのプロセ
ス温度を５０℃に設定しているが、この設定温度に限ら
れず、例えば１００℃に設定することも可能である。ま
た、図３に示すＨ１−工程、Ｈ３−工程でのウエハ加熱
工程およびＨ２−工程、Ｈ４−工程でのウエハ冷却工程
を、一つのウエハハンドラ３ａを用いて行っているが、
二つ以上のウエハハンドラ３ａを保持した構造を採るこ
とも可能であり、例えば、加熱手段のみを有するウエハ
加熱工程専用のウエハハンドラ、及び冷却手段のみを有
するウエハ冷却工程専用のウエハハンドラを保持した構
造を採ることも可能である。

【００３０】また、この発明をマルチチャンバー方式の
ＣＶＤ装置に適用しているが、マルチチャンバー方式の
ＲＩＥ装置又はスパッタ装置に適用することも可能であ
る。また、半導体製造装置は、第１、第２のプロセスチ
ャンバー１、２からなる二つのプロセスチャンバーを設
けているが、半導体製造装置に三つ以上のプロセスチャ
ンバーを設けることも可能である。

【００３１】図５は、この発明の第２の実施例による半
導体製造装置を示す概略図であり、図１と同一部分には
同一符号を付し、第１の実施例と異なる部分についての
み説明する。

【００３２】この実施例において、第１のプロセスチャ
ンバーに設定されるプロセス温度は４００℃であり、第
２のプロセスチャンバーに設定されるプロセス温度は１
００℃である。

【００３３】ウエハハンドラ３ａには、ウエハ１３を載
置する第１及び第２のヘッド１３ａ、１３ｂが設けられ
ている。第１のヘッド１３ａには、加熱手段としての図
示せぬ第１のヒータが設けられている。この第１のヒー
タは、ウエハ１３を第１のプロセスチャンバーでの成膜
温度である４００℃に保持する。第２のヘッド１３ｂに
は、加熱手段としての図示せぬ第２のヒータが設けられ
ている。この第２のヒータは、ウエハ１３を第２のプロ
セスチャンバーでの成膜温度である１００℃に保持す
る。

【００３４】上記半導体製造装置において、先ず、第１
のカセットユニット４に収納されているウエハを、第１
のヘッド１３ａにて第１のプロセスチャンバー１へ移送
する。この際、ウエハは第１のヘッド１３ａによってプ
ロセス温度の４００℃まで加熱され、この後、プロセス
チャンバー１内に導入される。

【００３５】次に、第１のプロセスチャンバー１からウ
エハを搬出する場合、ハンドラユニット３内の第２のヘ
ッド１３ｂにてウエハの搬出を実行する。この時、第２
のヘッド１３ｂは第２のプロセスチャンバー２のプロセ
ス温度である１００℃に保持されている。このため、こ
の搬出動作中にウエハはその温度が１００℃へ変温され
る。

【００３６】この後、前記ウエハを第２のプロセスチャ
ンバー２から第２のカセットユニット５に移送する。こ
の際、第２のヘッド１３ｂの温度は室温近傍に保持さ
れ、ウエハはこの移送の際に室温まで降温される。尚、
ハンドラユニット３中の第１、第２のヘッド１３ａ、１
３ｂは一般にプロセスチャンバー１、２よりも熱容量が
遥かに小さいため、ウエハを速やかに昇降温調整するこ
とが容易である。上記第２の実施例によっても第１の実
施例と同様の効果を得ることができる。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
ウエハを搬送する搬送手段に、第１のチャンバーの処理
温度である第１の温度以上且つ第２のチャンバーの処理
温度である第２の温度以下の温度に保持する保持手段を
設けている。したがって、全体のウエハ処理時間を短縮
することができ、生産性の向上を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例による半導体製造装置
を示す概略図。

【図２】図１の要部を取り出して示す構成図。

【図３】この発明の図１に示す半導体製造装置において
半導体装置を製造する際のプロセスシーケンスを示す
図。

【図４】この発明の図１に示す半導体製造装置におい
て、ウエハ上にＬＰ−ＳｉＯ膜を堆積した後、Ｐ−Ｓｉ
Ｏ膜を堆積する前に行われるマルチステップ昇温シーケ
ンスを示す図。

【図５】この発明の第２の実施例による半導体製造装置
を示す概略図。

【符号の説明】

1 …第１のプロセスチャンバー、2 …第２のプロセスチ
ャンバー、3 …ハンドラーユニット、3a…ウエハハンド
ラ、3b…ウエハハンドリング室、4 …第１のカセットユ
ニット、5 …第２のカセットユニット、13…ウエハ、13
a …第１のヘッド、13b …第２のヘッド、２１…ヒー
タ、２２…冷却パイプ、２３…温度センサ、２４…温度
制御部、２５…冷却部、２６…プロセス制御部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ 21/31 21/302 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウエハが収納されているカセットユニッ
トと、前記ウエハに所定の処理を第１の温度で行う第１のチャ
ンバーと、前記ウエハに所定の処理を前記第１の温度より高い第２
の温度で行う第２のチャンバーと、前記カセットユニット、前記第１のチャンバー及び前記
第２のチャンバーの相互間において前記ウエハを搬送す
る搬送手段と、前記搬送手段に設けられ、前記ウエハを前記第１の温度
以上且つ前記第２の温度以下の温度に保持する保持手段
と、を具備することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】ウエハが収納されているカセットユニッ
トと、前記ウエハに所定の処理を互いに異なる温度で行う複数
のチャンバーと、前記カセットユニット及び前記複数のチャンバーの相互
間において前記ウエハを搬送する搬送手段と、前記搬送手段に設けられ、前記チャンバーの数に相当す
る数だけ設けられた前記ウエハを支持する支持手段と、前記支持手段それぞれに設けられ、前記ウエハを前記複
数のチャンバーそれぞれにおける処理の際の温度近傍に
保持する保持手段と、を具備することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】カセットユニットに収納されたウエハ
を、搬送手段により前記カセットユニットから第１のチ
ャンバーに搬送している際、このウエハを前記第１のチ
ャンバーにおいて処理する時の温度近傍に加熱保持する
工程と、前記ウエハを前記搬送手段により前記第１のチャンバー
から第２のチャンバーに搬送している際、このウエハを
前記第２のチャンバーにおいて処理する時の温度近傍に
加熱保持する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】カセットユニット及び複数のチャンバー
の相互間においてウエハを搬送している際、このウエハ
を前記複数のチャンバーそれぞれにおける処理の際の温
度のうちの最低温度以上且つ最高温度以下の温度に加熱
保持することを特徴とする半導体装置の製造方法。