JP5025878B2 - 半導体ウエハを処理するためのチャンバ - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 19
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/4557—Heated nozzles
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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Description
【０００１】
（発明の属する技術分野）
本発明は、一般に、半導体回路を製造する装置に関し、より詳細には、半導体ウェハを処理する装置に関する。
【０００２】
（発明の背景）
半導体回路の製造のためには、様々な輸送および処理工程が、半導体ウェハ（直径例えば３００ｍｍ）に対して連続的に適用される。通常、ウェハは室温（例えば２０〜３０℃）でクリーンルームに輸送されるが、例えば薄膜を周知技術（例えば化学蒸着ＣＶＤ）によって堆積させるには、実質的により高い処理温度（例えばプロセスによって３００〜５００℃）で処理されることが多い。処理のため、ウェハは通常は処理温度であるチャック上に配置される。
【０００３】
しかしながら、室温から処理温度までウェハの環境温度を急速に変化させると、熱衝撃と広く呼ばれている即時のウェハ膨張が起こる。シリコン中に内在する不純物や汚染物質により、熱はウェハ中を不均一に伝わり、ウェハのたわみ、チャック上での置き違い、または故障のようなさらに望ましくない結果を引き起こす。つまり、熱いチャック表面に冷たいウェハを配置することは回避すべきである。
【０００４】
クリーンルームと処理チャンバをつなぐロードロック方式は、ウェハの環境温度を段階的に上昇させることができる。しかしながら、予備加熱のためのロードロック方式の使用は望ましくない場合があるため、以下のスキームが代わりに使用される。
【０００５】
第１の工程で、ウェハを処理チャンバへ輸送し、チャックの近くに配置する。第２の工程（浸漬、加熱）で、ウェハが処理温度に予め加熱（例えば９０秒間）されるように、ウェハ付近の環境温度をヒーターブロックにより上昇させる。第３の工程で、ウェハをチャック上に配置し、処理する。
【０００６】
このスキームは、ウェハの機械的ストレスと熱衝撃を低減するが、加熱工程でヒーターブロックが実質的に放射のみによって熱を伝えるように、チャンバは真空にされる。さらに、チャンバは一時的に処理を免れるので、それにより、スループットが減少する。言いかえれば、低い価値を付加する望ましくない長時間の加熱工程のために、高価なチャンバが使用される。本発明の目的は、そのようなおよび他の欠点や先行技術の制限を軽減または回避する装置を提供することにある。
この目的を達成するため、本発明の装置は、前面と裏面を有する半導体ウェハを処理するためのチャンバであって、
表面と複数の支持要素とを有するウェハチャックであって、該支持要素は、第１態様では前記ウェハを前記ウェハチャックの表面に対して所定距離を開けて前記ウェハの裏面で保持するために前記ウェハチャックの表面から一時的に延び、第２態様では前記ウェハの裏面が前記ウェハチャックの表面と直接接した状態で前記ウェハを配置するためにウェハチャックに格納される、ウェハチャックと、
ガスを前記ウェハの前記前面に放出するための、複数のノズルを有するシャワーヘッドと、
前記チャンバが前記ウェハを加熱すべく前記第１態様にあるときは加熱ガスを前記シャワーヘッドに供給するための、および、前記チャンバが前記第２態様にあるときは処理ガスを前記シャワーヘッドに供給するための手段と、
を備えている。
【０００７】
（好ましい実施形態の詳細な説明）
本発明は、時間を浪費する加熱工程を、ウェハ前面に短時間高温ヘリウムのシャワーを浴びせる工程と置き換える。熱は強制対流により実質的に伝達される。そのため、ウェハの機械的ストレス、熱衝撃、およびたわみも回避される。
【０００８】
図１〜２は、第１態様（図１）と第２態様（図２）における本発明の処理室すなわち処理チャンバ１００の略側面図により、本発明の方法を示している。
図３に関して、配置工程２１０、放出工程２２０、移動工程２３０を有する方法２００のための詳細が図３に関しても説明される。工程２１０，２２０はチャンバ１００が第１態様である場合に行なわれ、工程２３０はチャンバ１００が第２の態様に入る場合に行なわれる。
【０００９】
半導体ウェハ１５０は前面１５１と裏面１５２を有する。チャンバ１００は、上部表面１１５と複数の支持要素１１２とを備えたウェハチャック１１０を有する。好ましくは、要素１１２はニードルである。要素１１２は表面１１５まで垂直に（Ｚ方向）延びるか、またはチャック１１０内の凹部１１１の中に格納される。ウェハ１５０がＸまたはＹ方向へ移動するのを防止するリングなどの要素がよく知られているが、よく知られているので図示しない。
【００１０】
さらに、チャンバ１００は、好ましくはヘリウムである加熱ガス１２２を一時的に放出するための複数のノズル１２１（「シャワーホール」）を有するシャワーヘッド１２０を有する。図示されているように、ノズル１２１は例えば質量流量制御装置（ＭＦＣ）１３０によって、ガス１２２を受け取ることができる。ＭＦＣ１３０は、供給管１３１（圧力約２５〜５０ｐｓｉ（約１．７〜３．４×１０５Ｐａ））からガスを受け取り、約８〜１０ｓｃｃｍ（標準立方メートル／秒）の合計ガス流をノズル１２１に供給する。任意選択で、ＭＦＣは、各ノズルに別々に作用することもできる。シャワーヘッド１２０は、例えばチャンバ１００内のプラズマまたは処理ガスにより、連続的に処理温度まで加熱され、その結果、好ましくはガス１２２は供給管１３１からノズル１２１へ行くまでの間に熱くなる。
【００１１】
第１態様（図１参照）では、要素１１２はチャック１１０の表面１１５から延び、チャック１１０がその表面１１５に対して所定距離Ｄ１を開けてウェハ１５０を保持するように、要素１１２がウェハ１５０を裏面１５２で保持する。好ましくは、距離Ｄ１ （ウェハ裏面１５２とチャック１１０の表面１１５の間の距離）は、すべてのＸおよびＹ座標に関して実質的に等しい。ノズル１２１は、ウェハ１５０を所定の処理温度まで加熱するために、ウェハ１５０の前面１５１に加熱ガス１２２を放出する。
【００１２】
第２態様（図２参照）では、ウェハ１５０がチャック１１０の表面１１５の上に直接接触配置される（つまりＤ１＝０）ように、要素１１２はチャック１１０の凹部１１１の中に格納される。ノズル１２１は実質的にガスを放出しない。ウェハ１５０はその処理温度に達しており、処理を開始することができる。
【００１３】
都合のよい場合には、第１態様でのヘッド１２０の表面１２５とチャック１１０の表面１１５間の距離Ｄ２は、第２態様でよりも短い。これはチャック１１０またはヘッド１２０をＺ方向に変位させることにより遂行される。
両方の態様で、チャンバ１００の圧力は低真空（約２トル（約２．６×１０２Ｐａ））に維持されることが望ましい。
【００１４】
図３は、処理チャンバ１００にて半導体ウェハ１５０を加熱する方法２００についての簡略化した方法のフローチャート図を示す。工程は以下のように行なわれる。配置工程２１０では、ウェハ１５０が、その裏面１５２がチャック１１０（図１参照）から延びる複数の支持要素１１２の上に接触した状態で配置される。これは例えば当該技術分野において周知のロボットによって遂行することができる。
【００１５】
放出工程２２０では、シャワーヘッド１２０（チャンバ１００内に配置、ノズル１２１を介して）から前面１５１へと加熱ガス１２２が放出される。この時点でウェハ１５０の温度は、所定の処理温度まで上昇している。工程２２０は、例えば所定の期間にわたって継続される。あるいは工程２２０は、ウェハ１５０が処理温度に近い所定閾値温度に達するまで継続される。ウェハ温度の監視は当該技術分野では周知であり、ここでさらに詳しく説明しなくても遂行することができる。
【００１６】
移動工程２３０では、支持要素１１２が、ウェハ裏面１５２がチャック１１０と表面１５０で接触するようにチャック１００内の凹部１１１へ入る（距離Ｄ１＝０）。
【００１７】
先行技術に従う上述の方法と比較して、ウェハの処理温度への加熱は、対流により遂行され、所要時間はより少ない（例えば７〜１０秒）。
当業者は、例えば加熱ガスがＣＶＤに使用されるプロセスガスに干渉しないよう（工程２１０の後に）加熱ガスを送出する工程のような、さらなる工程を追加することができる。
【００１８】
本発明を特定の構造、デバイスおよび方法の点から説明しているが、当業者は本願の説明に基づいて、本発明はそのような例にのみ制限されるわけではなく、本発明の全範囲は特許請求の範囲により適切に決定されることを、理解するだろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１態様における本発明の処理チャンバの略側面図により、本発明の方法を示す。
【図２】第２態様における本発明の処理チャンバの略側面図により、本発明の方法を示す。
【図３】方法についての簡略化した方法のフローチャート図を示す。
（発明の属する技術分野）
本発明は、一般に、半導体回路を製造する装置に関し、より詳細には、半導体ウェハを処理する装置に関する。
【０００２】
（発明の背景）
半導体回路の製造のためには、様々な輸送および処理工程が、半導体ウェハ（直径例えば３００ｍｍ）に対して連続的に適用される。通常、ウェハは室温（例えば２０〜３０℃）でクリーンルームに輸送されるが、例えば薄膜を周知技術（例えば化学蒸着ＣＶＤ）によって堆積させるには、実質的により高い処理温度（例えばプロセスによって３００〜５００℃）で処理されることが多い。処理のため、ウェハは通常は処理温度であるチャック上に配置される。
【０００３】
しかしながら、室温から処理温度までウェハの環境温度を急速に変化させると、熱衝撃と広く呼ばれている即時のウェハ膨張が起こる。シリコン中に内在する不純物や汚染物質により、熱はウェハ中を不均一に伝わり、ウェハのたわみ、チャック上での置き違い、または故障のようなさらに望ましくない結果を引き起こす。つまり、熱いチャック表面に冷たいウェハを配置することは回避すべきである。
【０００４】
クリーンルームと処理チャンバをつなぐロードロック方式は、ウェハの環境温度を段階的に上昇させることができる。しかしながら、予備加熱のためのロードロック方式の使用は望ましくない場合があるため、以下のスキームが代わりに使用される。
【０００５】
第１の工程で、ウェハを処理チャンバへ輸送し、チャックの近くに配置する。第２の工程（浸漬、加熱）で、ウェハが処理温度に予め加熱（例えば９０秒間）されるように、ウェハ付近の環境温度をヒーターブロックにより上昇させる。第３の工程で、ウェハをチャック上に配置し、処理する。
【０００６】
このスキームは、ウェハの機械的ストレスと熱衝撃を低減するが、加熱工程でヒーターブロックが実質的に放射のみによって熱を伝えるように、チャンバは真空にされる。さらに、チャンバは一時的に処理を免れるので、それにより、スループットが減少する。言いかえれば、低い価値を付加する望ましくない長時間の加熱工程のために、高価なチャンバが使用される。本発明の目的は、そのようなおよび他の欠点や先行技術の制限を軽減または回避する装置を提供することにある。
この目的を達成するため、本発明の装置は、前面と裏面を有する半導体ウェハを処理するためのチャンバであって、
表面と複数の支持要素とを有するウェハチャックであって、該支持要素は、第１態様では前記ウェハを前記ウェハチャックの表面に対して所定距離を開けて前記ウェハの裏面で保持するために前記ウェハチャックの表面から一時的に延び、第２態様では前記ウェハの裏面が前記ウェハチャックの表面と直接接した状態で前記ウェハを配置するためにウェハチャックに格納される、ウェハチャックと、
ガスを前記ウェハの前記前面に放出するための、複数のノズルを有するシャワーヘッドと、
前記チャンバが前記ウェハを加熱すべく前記第１態様にあるときは加熱ガスを前記シャワーヘッドに供給するための、および、前記チャンバが前記第２態様にあるときは処理ガスを前記シャワーヘッドに供給するための手段と、
を備えている。
【０００７】
（好ましい実施形態の詳細な説明）
本発明は、時間を浪費する加熱工程を、ウェハ前面に短時間高温ヘリウムのシャワーを浴びせる工程と置き換える。熱は強制対流により実質的に伝達される。そのため、ウェハの機械的ストレス、熱衝撃、およびたわみも回避される。
【０００８】
図１〜２は、第１態様（図１）と第２態様（図２）における本発明の処理室すなわち処理チャンバ１００の略側面図により、本発明の方法を示している。
図３に関して、配置工程２１０、放出工程２２０、移動工程２３０を有する方法２００のための詳細が図３に関しても説明される。工程２１０，２２０はチャンバ１００が第１態様である場合に行なわれ、工程２３０はチャンバ１００が第２の態様に入る場合に行なわれる。
【０００９】
半導体ウェハ１５０は前面１５１と裏面１５２を有する。チャンバ１００は、上部表面１１５と複数の支持要素１１２とを備えたウェハチャック１１０を有する。好ましくは、要素１１２はニードルである。要素１１２は表面１１５まで垂直に（Ｚ方向）延びるか、またはチャック１１０内の凹部１１１の中に格納される。ウェハ１５０がＸまたはＹ方向へ移動するのを防止するリングなどの要素がよく知られているが、よく知られているので図示しない。
【００１０】
さらに、チャンバ１００は、好ましくはヘリウムである加熱ガス１２２を一時的に放出するための複数のノズル１２１（「シャワーホール」）を有するシャワーヘッド１２０を有する。図示されているように、ノズル１２１は例えば質量流量制御装置（ＭＦＣ）１３０によって、ガス１２２を受け取ることができる。ＭＦＣ１３０は、供給管１３１（圧力約２５〜５０ｐｓｉ（約１．７〜３．４×１０５Ｐａ））からガスを受け取り、約８〜１０ｓｃｃｍ（標準立方メートル／秒）の合計ガス流をノズル１２１に供給する。任意選択で、ＭＦＣは、各ノズルに別々に作用することもできる。シャワーヘッド１２０は、例えばチャンバ１００内のプラズマまたは処理ガスにより、連続的に処理温度まで加熱され、その結果、好ましくはガス１２２は供給管１３１からノズル１２１へ行くまでの間に熱くなる。
【００１１】
第１態様（図１参照）では、要素１１２はチャック１１０の表面１１５から延び、チャック１１０がその表面１１５に対して所定距離Ｄ１を開けてウェハ１５０を保持するように、要素１１２がウェハ１５０を裏面１５２で保持する。好ましくは、距離Ｄ１ （ウェハ裏面１５２とチャック１１０の表面１１５の間の距離）は、すべてのＸおよびＹ座標に関して実質的に等しい。ノズル１２１は、ウェハ１５０を所定の処理温度まで加熱するために、ウェハ１５０の前面１５１に加熱ガス１２２を放出する。
【００１２】
第２態様（図２参照）では、ウェハ１５０がチャック１１０の表面１１５の上に直接接触配置される（つまりＤ１＝０）ように、要素１１２はチャック１１０の凹部１１１の中に格納される。ノズル１２１は実質的にガスを放出しない。ウェハ１５０はその処理温度に達しており、処理を開始することができる。
【００１３】
都合のよい場合には、第１態様でのヘッド１２０の表面１２５とチャック１１０の表面１１５間の距離Ｄ２は、第２態様でよりも短い。これはチャック１１０またはヘッド１２０をＺ方向に変位させることにより遂行される。
両方の態様で、チャンバ１００の圧力は低真空（約２トル（約２．６×１０２Ｐａ））に維持されることが望ましい。
【００１４】
図３は、処理チャンバ１００にて半導体ウェハ１５０を加熱する方法２００についての簡略化した方法のフローチャート図を示す。工程は以下のように行なわれる。配置工程２１０では、ウェハ１５０が、その裏面１５２がチャック１１０（図１参照）から延びる複数の支持要素１１２の上に接触した状態で配置される。これは例えば当該技術分野において周知のロボットによって遂行することができる。
【００１５】
放出工程２２０では、シャワーヘッド１２０（チャンバ１００内に配置、ノズル１２１を介して）から前面１５１へと加熱ガス１２２が放出される。この時点でウェハ１５０の温度は、所定の処理温度まで上昇している。工程２２０は、例えば所定の期間にわたって継続される。あるいは工程２２０は、ウェハ１５０が処理温度に近い所定閾値温度に達するまで継続される。ウェハ温度の監視は当該技術分野では周知であり、ここでさらに詳しく説明しなくても遂行することができる。
【００１６】
移動工程２３０では、支持要素１１２が、ウェハ裏面１５２がチャック１１０と表面１５０で接触するようにチャック１００内の凹部１１１へ入る（距離Ｄ１＝０）。
【００１７】
先行技術に従う上述の方法と比較して、ウェハの処理温度への加熱は、対流により遂行され、所要時間はより少ない（例えば７〜１０秒）。
当業者は、例えば加熱ガスがＣＶＤに使用されるプロセスガスに干渉しないよう（工程２１０の後に）加熱ガスを送出する工程のような、さらなる工程を追加することができる。
【００１８】
本発明を特定の構造、デバイスおよび方法の点から説明しているが、当業者は本願の説明に基づいて、本発明はそのような例にのみ制限されるわけではなく、本発明の全範囲は特許請求の範囲により適切に決定されることを、理解するだろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１態様における本発明の処理チャンバの略側面図により、本発明の方法を示す。
【図２】第２態様における本発明の処理チャンバの略側面図により、本発明の方法を示す。
【図３】方法についての簡略化した方法のフローチャート図を示す。
Claims (2)
- 前面と裏面を有する半導体ウェハ（１５０）を処理するためのチャンバであって、
該チャンバ（１００）が、表面（１１５）と複数の支持要素（１１２）とを有するウェハチャック（１１０）であって、該支持要素（１１２）は、第１態様では前記ウェハを前記ウェハチャック（１１０）の表面（１１５）に対して所定距離を開けて前記ウェハ（１５０）の裏面で保持するために前記ウェハチャック（１１０）の表面（１１５）から一時的に延び、第２態様では前記ウェハ（１５０）の裏面が前記ウェハチャック（１１０）の表面と直接接した状態で前記ウェハを配置するためにウェハチャック（１１０）に格納される、ウェハチャック（１１０）と、
ガスを前記ウェハの前記前面に放出するための、複数のノズルを有するシャワーヘッド（１２０）と、
前記チャンバが前記ウェハを加熱すべく前記第１態様にあるときは加熱ガスを前記シャワーヘッドに供給するための、および、前記チャンバが前記第２態様にあるときは処理ガスを前記シャワーヘッドに供給するための手段と、
を備えたチャンバ。 - 前記支持要素がニードルであり、前記加熱ガスがヘリウムである、請求項１に記載のチャンバ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/607,155 | 2000-06-29 | ||
| US09/607,155 US6290491B1 (en) | 2000-06-29 | 2000-06-29 | Method for heating a semiconductor wafer in a process chamber by a shower head, and process chamber |
| PCT/IB2001/001163 WO2002007193A1 (en) | 2000-06-29 | 2001-06-29 | Method for heating a semiconductor wafer in a process chamber, and process chamber |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004504717A JP2004504717A (ja) | 2004-02-12 |
| JP2004504717A5 JP2004504717A5 (ja) | 2008-08-14 |
| JP5025878B2 true JP5025878B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=24431054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002513004A Expired - Lifetime JP5025878B2 (ja) | 2000-06-29 | 2001-06-29 | 半導体ウエハを処理するためのチャンバ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6290491B1 (ja) |
| EP (1) | EP1305820A1 (ja) |
| JP (1) | JP5025878B2 (ja) |
| KR (1) | KR100790765B1 (ja) |
| TW (1) | TW503455B (ja) |
| WO (1) | WO2002007193A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6561796B1 (en) * | 1999-09-07 | 2003-05-13 | Novellus Systems, Inc. | Method of semiconductor wafer heating to prevent bowing |
| US6852167B2 (en) * | 2001-03-01 | 2005-02-08 | Micron Technology, Inc. | Methods, systems, and apparatus for uniform chemical-vapor depositions |
| US6521503B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-02-18 | Asm America, Inc. | High temperature drop-off of a substrate |
| US7231141B2 (en) * | 2001-04-23 | 2007-06-12 | Asm America, Inc. | High temperature drop-off of a substrate |
| US6953730B2 (en) | 2001-12-20 | 2005-10-11 | Micron Technology, Inc. | Low-temperature grown high quality ultra-thin CoTiO3 gate dielectrics |
| US6861321B2 (en) * | 2002-04-05 | 2005-03-01 | Asm America, Inc. | Method of loading a wafer onto a wafer holder to reduce thermal shock |
| US7160577B2 (en) * | 2002-05-02 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits |
| US7135421B2 (en) | 2002-06-05 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer-deposited hafnium aluminum oxide |
| US7221586B2 (en) | 2002-07-08 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Memory utilizing oxide nanolaminates |
| US6884296B2 (en) * | 2002-08-23 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Reactors having gas distributors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
| US20040040502A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-04 | Micron Technology, Inc. | Micromachines for delivering precursors and gases for film deposition |
| US20040040503A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-04 | Micron Technology, Inc. | Micromachines for delivering precursors and gases for film deposition |
| US7997288B2 (en) | 2002-09-30 | 2011-08-16 | Lam Research Corporation | Single phase proximity head having a controlled meniscus for treating a substrate |
| US7675000B2 (en) | 2003-06-24 | 2010-03-09 | Lam Research Corporation | System method and apparatus for dry-in, dry-out, low defect laser dicing using proximity technology |
| US7647886B2 (en) | 2003-10-15 | 2010-01-19 | Micron Technology, Inc. | Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers |
| US7258892B2 (en) | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
| US7906393B2 (en) | 2004-01-28 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming small-scale capacitor structures |
| US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
| US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
| US7927948B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
| US7928366B2 (en) | 2006-10-06 | 2011-04-19 | Lam Research Corporation | Methods of and apparatus for accessing a process chamber using a dual zone gas injector with improved optical access |
| US8146902B2 (en) | 2006-12-21 | 2012-04-03 | Lam Research Corporation | Hybrid composite wafer carrier for wet clean equipment |
| US8464736B1 (en) | 2007-03-30 | 2013-06-18 | Lam Research Corporation | Reclaim chemistry |
| US8141566B2 (en) | 2007-06-19 | 2012-03-27 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for maintaining separation of liquids in a controlled meniscus |
| KR101223489B1 (ko) * | 2010-06-30 | 2013-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 가공 장치 |
| US8188575B2 (en) * | 2010-10-05 | 2012-05-29 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and method for uniform metal plating |
| CN102433551A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-05-02 | 汉能科技有限公司 | 一种反应腔室喷淋系统 |
| JP6615153B2 (ja) | 2017-06-16 | 2019-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板載置機構、および基板処理方法 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4680061A (en) | 1979-12-21 | 1987-07-14 | Varian Associates, Inc. | Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment |
| US4356384A (en) * | 1980-03-03 | 1982-10-26 | Arnon Gat | Method and means for heat treating semiconductor material using high intensity CW lamps |
| JPH0333058Y2 (ja) * | 1987-06-26 | 1991-07-12 | ||
| US4949783A (en) | 1988-05-18 | 1990-08-21 | Veeco Instruments, Inc. | Substrate transport and cooling apparatus and method for same |
| US5248370A (en) | 1989-05-08 | 1993-09-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for heating and cooling semiconductor wafers in semiconductor wafer processing equipment |
| US5213650A (en) * | 1989-08-25 | 1993-05-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for removing deposits from backside and end edge of semiconductor wafer while preventing removal of materials from front surface of wafer |
| US5133284A (en) | 1990-07-16 | 1992-07-28 | National Semiconductor Corp. | Gas-based backside protection during substrate processing |
| JP2963210B2 (ja) * | 1991-01-10 | 1999-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置 |
| US5199483A (en) * | 1991-05-15 | 1993-04-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cooling wafers |
| JP3115134B2 (ja) * | 1992-11-27 | 2000-12-04 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜処理装置および薄膜処理方法 |
| KR950020993A (ko) * | 1993-12-22 | 1995-07-26 | 김광호 | 반도체 제조장치 |
| JP3204836B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2001-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| JPH09205130A (ja) | 1996-01-17 | 1997-08-05 | Applied Materials Inc | ウェハ支持装置 |
| JPH1092754A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置及び熱処理方法 |
| WO1997031389A1 (fr) * | 1996-02-23 | 1997-08-28 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement thermique |
| US6048798A (en) * | 1996-06-05 | 2000-04-11 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing process drift in inductive coupled plasma etching such as oxide layer |
| US6143081A (en) * | 1996-07-12 | 2000-11-07 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and method, and film modifying apparatus and method |
| US5781693A (en) * | 1996-07-24 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween |
| US5936829A (en) | 1997-01-02 | 1999-08-10 | Cvc Products, Inc. | Thermally conductive chuck for vacuum processor |
| JPH10284382A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Komatsu Ltd | 温度制御装置 |
| JPH11251402A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 半導体ウエハ搬送装置 |
| JP2000306978A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-11-02 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置、基板搬送装置、および基板処理方法 |
| JP3437118B2 (ja) * | 1999-04-23 | 2003-08-18 | 東芝機械株式会社 | ウエーハ加熱装置及びその制御方法 |
| US6151794A (en) * | 1999-06-02 | 2000-11-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for heat treating an object |
| JP2001319885A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-11-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体製造方法 |
-
2000
- 2000-06-29 US US09/607,155 patent/US6290491B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-06-28 TW TW090115770A patent/TW503455B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-06-29 WO PCT/IB2001/001163 patent/WO2002007193A1/en active Application Filing
- 2001-06-29 KR KR1020027017838A patent/KR100790765B1/ko active IP Right Grant
- 2001-06-29 EP EP01943732A patent/EP1305820A1/en not_active Withdrawn
- 2001-06-29 JP JP2002513004A patent/JP5025878B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6290491B1 (en) | 2001-09-18 |
| KR20030017572A (ko) | 2003-03-03 |
| TW503455B (en) | 2002-09-21 |
| EP1305820A1 (en) | 2003-05-02 |
| JP2004504717A (ja) | 2004-02-12 |
| KR100790765B1 (ko) | 2008-01-03 |
| WO2002007193A1 (en) | 2002-01-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040927 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080625 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080625 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110125 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110425 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110506 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110525 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110530 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110601 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111025 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120120 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120529 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120620 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5025878 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |