JP4157508B2 - Cvd成膜方法 - Google Patents
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Description
2……サセプター
5……ヒーター
8……排気ポート
9……排気系
10……シャワーヘッド
10a,10b……ガス吐出孔
19……NH3源
20……N2源
21……TiCl4源
22……ClF3源
30……トランスファーチャンバー
31……支持ピン
W……半導体ウエハ
Claims (1)
- 処理チャンバー内で被処理基板を載置台に載置し、載置台内に設けられた加熱手段で被処理基板を450〜600℃の温度に加熱しつつ被処理基板にCVDにより薄膜を形成するにあたり、
被処理基板を処理チャンバー内に搬入して載置台の上に載置するまでの間、および被処理基板に対して減圧状態で成膜工程を含む一連のプロセスが終了してから被処理基板を処理チャンバーから搬出するまでの間、被処理基板に急激な温度変動が生じないように搬送シーケンスを調整するCVD成膜方法であって、
被処理基板を処理チャンバー内に搬入して載置台の上に載置するまでの間の前記搬送シーケンスは、トランスファーチャンバーから被処理基板を処理チャンバー内に搬入し、載置台に昇降可能に設けられた被処理基板支持ピンを載置台の上方へ上昇させて被処理基板を該支持ピン上に保持した状態で、トランスファーチャンバーと処理チャンバーとの間のゲートバルブを閉じ、被処理基板を該支持ピン上に所定時間保持後に前記被処理基板支持ピンを下降させて被処理基板を載置台に載置することを含み、
被処理基板に対して減圧状態で成膜工程を含む一連のプロセスが終了してから被処理基板を処理チャンバーから搬出するまでの前記搬送シーケンスは、前記一連のプロセス終了後に、前記被処理基板支持ピンを前記載置台の上方へ上昇させて被処理基板を該支持ピン上に所定時間保持後、前記ゲートバルブを開けて被処理基板を前記トランスファーチャンバーへ搬出することを含むことを特徴とするCVD成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004236728A JP4157508B2 (ja) | 2004-08-16 | 2004-08-16 | Cvd成膜方法 |
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JP2004236728A JP4157508B2 (ja) | 2004-08-16 | 2004-08-16 | Cvd成膜方法 |
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- 2004-08-16 JP JP2004236728A patent/JP4157508B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JP2004332118A (ja) | 2004-11-25 |
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