JP3341619B2 - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JP3341619B2 JP3341619B2 JP06545397A JP6545397A JP3341619B2 JP 3341619 B2 JP3341619 B2 JP 3341619B2 JP 06545397 A JP06545397 A JP 06545397A JP 6545397 A JP6545397 A JP 6545397A JP 3341619 B2 JP3341619 B2 JP 3341619B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- film
- processing
- shower head
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 74
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 121
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 36
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 34
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 24
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 8
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 235000001630 Pyrus pyrifolia var culta Nutrition 0.000 description 1
- 240000002609 Pyrus pyrifolia var. culta Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/08—Preparation of the foundation plate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理体に形成されるゲート電極などの成膜装置に関す
る。
被処理体に形成されるゲート電極などの成膜装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路の製造工程にお
いては、被処理体である半導体ウエハやガラス基板等に
成膜とパターンエッチング等を繰り返し施すことにより
所望の素子を得るようになっている。例えば半導体ウエ
ハを用いてＭＯＳＦＥＴのゲート素子を表面に作る場合
には、図９（Ａ）に示すように、ウエハＷの表面にソー
ス２とドレイン４となるべき位置に不純物を拡散させ
て、これらの間の表面に例えばＳｉＯ2 よりなるゲート
酸化膜６を形成し、この下方にソース−ドレイン間のチ
ャネルを形成する。そして、ゲート酸化膜６上に、導電
性膜のゲート電極８を積層させて、１つのトランジスタ
が構成される。ゲート電極８としては、単層ではなく、
最近においては導電性等を考慮して、２層構造になされ
ている。例えば、ゲート酸化膜６の上にリンドープの多
結晶シリコン層１０と金属シリサイド、例えばタングス
テンシリサイド層１１を順次積層してゲート電極８を形
成している。
いては、被処理体である半導体ウエハやガラス基板等に
成膜とパターンエッチング等を繰り返し施すことにより
所望の素子を得るようになっている。例えば半導体ウエ
ハを用いてＭＯＳＦＥＴのゲート素子を表面に作る場合
には、図９（Ａ）に示すように、ウエハＷの表面にソー
ス２とドレイン４となるべき位置に不純物を拡散させ
て、これらの間の表面に例えばＳｉＯ2 よりなるゲート
酸化膜６を形成し、この下方にソース−ドレイン間のチ
ャネルを形成する。そして、ゲート酸化膜６上に、導電
性膜のゲート電極８を積層させて、１つのトランジスタ
が構成される。ゲート電極８としては、単層ではなく、
最近においては導電性等を考慮して、２層構造になされ
ている。例えば、ゲート酸化膜６の上にリンドープの多
結晶シリコン層１０と金属シリサイド、例えばタングス
テンシリサイド層１１を順次積層してゲート電極８を形
成している。
【０００３】ところで、半導体集積回路の微細化及び高
集積化に伴って、加工線幅やゲート幅もより狭くなさ
れ、また、多層化の要求に従って膜厚も薄くなる傾向に
あり、従って、各層或いは各層間の電気的特性は、線幅
等が狭くなっても従来通り、或いはそれ以上の高い性能
が要求される。このような要求に応じて、例えば前述の
ようにゲート電極８もリンドープの多結晶シリコン層１
０とタングステンシリサイド層１１の２層構造が採用さ
れることになった。
集積化に伴って、加工線幅やゲート幅もより狭くなさ
れ、また、多層化の要求に従って膜厚も薄くなる傾向に
あり、従って、各層或いは各層間の電気的特性は、線幅
等が狭くなっても従来通り、或いはそれ以上の高い性能
が要求される。このような要求に応じて、例えば前述の
ようにゲート電極８もリンドープの多結晶シリコン層１
０とタングステンシリサイド層１１の２層構造が採用さ
れることになった。
【０００４】ところで、シリコン材料よりなる成膜、例
えばリンドープの多結晶シリコン層１０の表面には、こ
れが大気や水分等に晒されると容易に自然酸化膜が付着
する傾向にあり、この自然酸化膜が付着したまま、次の
層であるタングステンシリサイド層１２を積層すると、
両者の密着性が劣化したり或いは両者間の導電性を十分
に確保できず、電気的特性が劣化するという問題が発生
する。また、この多結晶シリコン層１０は、通常、多数
枚、例えば１５０枚を一単位とするバッチ処理で膜付け
が行なわれるのに対して、タングステンシリサイド層１
２は、１枚毎に膜付けを行なう枚葉式処理により膜付け
されることから、当然、ウエハ毎に大気等に晒される時
間も異なり、自然酸化膜の厚さも異なってくる。そのた
め、タングステンシリサイド層１２を積層する直前に、
例えばＨＦ系ベーパを用いたウェット洗浄を行い、図９
（Ｂ）に示すように多結晶シリコン層１０上に付着して
しまった自然酸化膜１４を剥ぐようになっている。
えばリンドープの多結晶シリコン層１０の表面には、こ
れが大気や水分等に晒されると容易に自然酸化膜が付着
する傾向にあり、この自然酸化膜が付着したまま、次の
層であるタングステンシリサイド層１２を積層すると、
両者の密着性が劣化したり或いは両者間の導電性を十分
に確保できず、電気的特性が劣化するという問題が発生
する。また、この多結晶シリコン層１０は、通常、多数
枚、例えば１５０枚を一単位とするバッチ処理で膜付け
が行なわれるのに対して、タングステンシリサイド層１
２は、１枚毎に膜付けを行なう枚葉式処理により膜付け
されることから、当然、ウエハ毎に大気等に晒される時
間も異なり、自然酸化膜の厚さも異なってくる。そのた
め、タングステンシリサイド層１２を積層する直前に、
例えばＨＦ系ベーパを用いたウェット洗浄を行い、図９
（Ｂ）に示すように多結晶シリコン層１０上に付着して
しまった自然酸化膜１４を剥ぐようになっている。
【０００５】しかしなから、タングステンシリサイド層
１２を積層する直前に、ウェット洗浄を行なったといえ
ども、表面に付着してしまった自然酸化膜を、この下の
下地層に悪影響を与えることなく完全に除去することは
非常に困難である。そこで、例えば特開平２−２９２８
６６号公報等に開示されるようにチャンバ内でリンドー
プの多結晶シリコン層１０を形成した後に、引き続き、
同一のチャンバ内にてタングステンシリサイド層１２を
連続的に形成する方法も提案されている。
１２を積層する直前に、ウェット洗浄を行なったといえ
ども、表面に付着してしまった自然酸化膜を、この下の
下地層に悪影響を与えることなく完全に除去することは
非常に困難である。そこで、例えば特開平２−２９２８
６６号公報等に開示されるようにチャンバ内でリンドー
プの多結晶シリコン層１０を形成した後に、引き続き、
同一のチャンバ内にてタングステンシリサイド層１２を
連続的に形成する方法も提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
に、同一のチャンバ内にてリンドープの多結晶シリコン
層１０とタングステンシリサイド層１２を連続成膜する
と、シリコン層１０の表面には自然酸化膜が付着せず、
良好な電気的特性を得ることが可能になる。しかしなが
ら、この場合には次に示すような新たな問題点が生じて
しまう。すなわち、例えば１ロット２５枚のウエハを連
続的に処理する場合、チャンバ内の壁面や内部構造物が
熱的に、或いは熱放射率等の面で安定化していない状態
で成膜処理を行なうと、成膜の再現性が劣化してしまう
という問題があった。
に、同一のチャンバ内にてリンドープの多結晶シリコン
層１０とタングステンシリサイド層１２を連続成膜する
と、シリコン層１０の表面には自然酸化膜が付着せず、
良好な電気的特性を得ることが可能になる。しかしなが
ら、この場合には次に示すような新たな問題点が生じて
しまう。すなわち、例えば１ロット２５枚のウエハを連
続的に処理する場合、チャンバ内の壁面や内部構造物が
熱的に、或いは熱放射率等の面で安定化していない状態
で成膜処理を行なうと、成膜の再現性が劣化してしまう
という問題があった。
【０００７】また、両層を連続して成膜すると、上層の
タングステンシリサイド層にストレスが残留し、これが
ために下層の多結晶シリコン層との密着性が相対的に劣
化してしまう場合もある。更には、この成膜後の後工程
において、例えば９００℃程度まで加熱するアニール処
理が行なわれるが、この時、タングステンシリサイド層
１２中に酸素が拡散して電気的特性を劣化させてしまう
という問題もあった。また、多結晶シリコン層の成膜反
応は反応律速で行なわれるのに対して、タングステンシ
リサイドの成膜反応は供給律速で行なわれるが、成膜用
ガスを導入する従来のシャワーヘッド構造ではこれらの
律速形態の相異に対応できないことから、いずれかの成
膜時にガス流が偏流してしまって成膜の面内均一性が劣
化するという問題もあった。
タングステンシリサイド層にストレスが残留し、これが
ために下層の多結晶シリコン層との密着性が相対的に劣
化してしまう場合もある。更には、この成膜後の後工程
において、例えば９００℃程度まで加熱するアニール処
理が行なわれるが、この時、タングステンシリサイド層
１２中に酸素が拡散して電気的特性を劣化させてしまう
という問題もあった。また、多結晶シリコン層の成膜反
応は反応律速で行なわれるのに対して、タングステンシ
リサイドの成膜反応は供給律速で行なわれるが、成膜用
ガスを導入する従来のシャワーヘッド構造ではこれらの
律速形態の相異に対応できないことから、いずれかの成
膜時にガス流が偏流してしまって成膜の面内均一性が劣
化するという問題もあった。
【０００８】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、反応律速と供給律速の両成膜反応に対して面
内均一に成膜用ガスを供給することができる成膜装置を
提供することにある。
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、反応律速と供給律速の両成膜反応に対して面
内均一に成膜用ガスを供給することができる成膜装置を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明方法は、処理室内
に被処理体を設置しないで、前記処理室内に第１の膜、
第２の膜、第３の膜を順次連続的に成膜する前処理ステ
ップと、前記処理室内に被処理体を設置し、前記被処理
体上に第１の膜、第２の膜、第３の膜を順次連続的に成
膜する成膜ステップと、を有するように構成したもので
ある。
に被処理体を設置しないで、前記処理室内に第１の膜、
第２の膜、第３の膜を順次連続的に成膜する前処理ステ
ップと、前記処理室内に被処理体を設置し、前記被処理
体上に第１の膜、第２の膜、第３の膜を順次連続的に成
膜する成膜ステップと、を有するように構成したもので
ある。
【００１０】これにより、被処理体に実際に成膜を施す
前に、前処理ステップにおいて成膜数に対応するだけの
複数のプリコートを施すようにしたので、処理室の内壁
や内部構造物に複数層のプリコートが形成されることに
なる。従って、処理室の内壁や構造物からの熱放射率等
の内部環境が実際の成膜時と同様に安定化するので、そ
の後、被処理体に連続成膜を行なうことにより、成膜の
再現性を向上させることが可能となる。また、各被処理
体に後処理を施すことにより、シリコンが成膜表面に僅
かに付着し、これが膜のストレスを緩和するように作用
するので、相対的に膜の密着性を向上させることが可能
となる。更には、後工程において、被処理体に熱処理が
行なわれても、上記後処理で付着したシリコンが酸素の
アタックを阻止し、酸素が膜内に拡散することも防止す
ることができる。
前に、前処理ステップにおいて成膜数に対応するだけの
複数のプリコートを施すようにしたので、処理室の内壁
や内部構造物に複数層のプリコートが形成されることに
なる。従って、処理室の内壁や構造物からの熱放射率等
の内部環境が実際の成膜時と同様に安定化するので、そ
の後、被処理体に連続成膜を行なうことにより、成膜の
再現性を向上させることが可能となる。また、各被処理
体に後処理を施すことにより、シリコンが成膜表面に僅
かに付着し、これが膜のストレスを緩和するように作用
するので、相対的に膜の密着性を向上させることが可能
となる。更には、後工程において、被処理体に熱処理が
行なわれても、上記後処理で付着したシリコンが酸素の
アタックを阻止し、酸素が膜内に拡散することも防止す
ることができる。
【００１１】このような成膜ステップと後処理ステップ
は１枚の被処理体に対して連続的に行なわれた後、この
被処理体をアンロードして他の新しい被処理体を処理室
内にロードし、同様に成膜ステップと後処理ステップを
連続的に行なう。このような操作を、例えば１ロット２
５枚の被処理体に対して連続的に行なうことになる。上
述のように一定枚数の被処理体の成膜処理が完了したな
らば、処理室内にクリーニングガスを流してクリーニン
グ処理を行ない、更に、その後、処理室内にシランガス
を流して熱処理を行なう。このクリーニング後処理にお
いてシラン系ガスを流して熱処理を行なうことにより、
処理室内に残留するハロゲンの低減化を図ることがで
き、次の成膜操作のための前処理ステップにおけるプリ
コートの付着を短時間で行なうことが可能となる。
は１枚の被処理体に対して連続的に行なわれた後、この
被処理体をアンロードして他の新しい被処理体を処理室
内にロードし、同様に成膜ステップと後処理ステップを
連続的に行なう。このような操作を、例えば１ロット２
５枚の被処理体に対して連続的に行なうことになる。上
述のように一定枚数の被処理体の成膜処理が完了したな
らば、処理室内にクリーニングガスを流してクリーニン
グ処理を行ない、更に、その後、処理室内にシランガス
を流して熱処理を行なう。このクリーニング後処理にお
いてシラン系ガスを流して熱処理を行なうことにより、
処理室内に残留するハロゲンの低減化を図ることがで
き、次の成膜操作のための前処理ステップにおけるプリ
コートの付着を短時間で行なうことが可能となる。
【００１２】以上のような成膜処理は、リンドープされ
た多結晶シリコン層上にタングステンシリサイド層を堆
積して、例えばＭＯＳＦＥＴのゲート電極を形成する時
に用いることができる。また、上記方法を実施する本発
明の成膜装置としては、処理室内の被処理体に対して、
処理ガスを均一に噴射するシャワーヘッド部を有する成
膜装置において、前記シャワーヘッド部は、前記処理室
内全体に均一に処理ガスを噴射するように複数のガス噴
出孔を有するガス噴射面と、前記シャワーヘッド部内に
配置され、前記シャワーヘッド部内に複数の拡散室を形
成されるように所定の間隔で設けられる分散板と、前記
シャワーヘッド部内に、反応律速状態となるガスと供給
律速状態となるガスが別々に供給されるガス導入口とを
有し、前記分散板は、その面内に前記処理ガスを均一に
分散させるための複数の分散孔が設けられ、供給律速状
態で用いても、反応律速状態で用いても被処理体上に均
一な膜を形成されるように、前記処理室内に前記処理ガ
スを均一な流れで噴出させるように設定されており、前
記分散孔の直径は０．７ｍｍ以下であり、且つ、前記分
散孔の分布密度は０．３個／ｃｍ 2 以上であることを特
徴とする成膜装置を用いる。
た多結晶シリコン層上にタングステンシリサイド層を堆
積して、例えばＭＯＳＦＥＴのゲート電極を形成する時
に用いることができる。また、上記方法を実施する本発
明の成膜装置としては、処理室内の被処理体に対して、
処理ガスを均一に噴射するシャワーヘッド部を有する成
膜装置において、前記シャワーヘッド部は、前記処理室
内全体に均一に処理ガスを噴射するように複数のガス噴
出孔を有するガス噴射面と、前記シャワーヘッド部内に
配置され、前記シャワーヘッド部内に複数の拡散室を形
成されるように所定の間隔で設けられる分散板と、前記
シャワーヘッド部内に、反応律速状態となるガスと供給
律速状態となるガスが別々に供給されるガス導入口とを
有し、前記分散板は、その面内に前記処理ガスを均一に
分散させるための複数の分散孔が設けられ、供給律速状
態で用いても、反応律速状態で用いても被処理体上に均
一な膜を形成されるように、前記処理室内に前記処理ガ
スを均一な流れで噴出させるように設定されており、前
記分散孔の直径は０．７ｍｍ以下であり、且つ、前記分
散孔の分布密度は０．３個／ｃｍ 2 以上であることを特
徴とする成膜装置を用いる。
【００１３】これによれば、シャワーヘッド部内の均一
分散板の分散孔の直径及び配置密度を適切に設定したの
で、反応律速となる成膜用ガスの供給時と、供給律速と
なる成膜用ガスの供給時も共に処理室内の成膜用ガスを
均一に拡散した状態で供給することが可能となり、各膜
厚の均一性を高く維持することができる。このような均
一分散板は、ガス噴出面の直上段の分散板であり、ま
た、その分散孔の直径は０．７ｍｍ以下であり、その分
布密度は、０．３個／ｃｍ2 以上とする。
分散板の分散孔の直径及び配置密度を適切に設定したの
で、反応律速となる成膜用ガスの供給時と、供給律速と
なる成膜用ガスの供給時も共に処理室内の成膜用ガスを
均一に拡散した状態で供給することが可能となり、各膜
厚の均一性を高く維持することができる。このような均
一分散板は、ガス噴出面の直上段の分散板であり、ま
た、その分散孔の直径は０．７ｍｍ以下であり、その分
布密度は、０．３個／ｃｍ2 以上とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る成膜装置の
一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明
方法を実施するために用いる成膜装置を示す断面図、図
２は成膜装置のシャワーヘッド部内の均一分散板を示す
部分平面図である。まず、本発明の成膜装置について説
明する。本実施例では、成膜装置１６として加熱ランプ
を用いた高速昇温が可能な枚葉式成膜装置を例にとって
説明する。
一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明
方法を実施するために用いる成膜装置を示す断面図、図
２は成膜装置のシャワーヘッド部内の均一分散板を示す
部分平面図である。まず、本発明の成膜装置について説
明する。本実施例では、成膜装置１６として加熱ランプ
を用いた高速昇温が可能な枚葉式成膜装置を例にとって
説明する。
【００１５】この成膜装置１６は、例えばアルミニウム
等により円筒状或いは箱状に成形された処理容器１８を
有しており、この容器１８内が処理室２０として構成さ
れる。この処理容器１８内には、処理容器底部より起立
させた支柱２２上に、例えば断面Ｌ字状の保持部材２４
を介して被処理体としての半導体ウエハＷを載置するた
めの載置台２６が設けられている。この支柱２２及び保
持部材２４は、熱線透過性の材料、例えば石英により構
成されており、また、載置台２６は、厚さ１ｍｍ程度の
例えばカーボン素材、アルミ化合物等により構成されて
いる。
等により円筒状或いは箱状に成形された処理容器１８を
有しており、この容器１８内が処理室２０として構成さ
れる。この処理容器１８内には、処理容器底部より起立
させた支柱２２上に、例えば断面Ｌ字状の保持部材２４
を介して被処理体としての半導体ウエハＷを載置するた
めの載置台２６が設けられている。この支柱２２及び保
持部材２４は、熱線透過性の材料、例えば石英により構
成されており、また、載置台２６は、厚さ１ｍｍ程度の
例えばカーボン素材、アルミ化合物等により構成されて
いる。
【００１６】この載置台２６の下方には、複数本、例え
ば３本のリフタピン２８が支持部材３０に対して上方へ
起立させて設けられており、この支持部材３０を処理容
器底部に貫通して設けられた押し上げ棒３２により上下
動させることにより、上記リフタピン２８を載置台２６
に貫通させて設けたリフタピン穴３４に挿通させてウエ
ハＷを持ち上げ得るようになっている。
ば３本のリフタピン２８が支持部材３０に対して上方へ
起立させて設けられており、この支持部材３０を処理容
器底部に貫通して設けられた押し上げ棒３２により上下
動させることにより、上記リフタピン２８を載置台２６
に貫通させて設けたリフタピン穴３４に挿通させてウエ
ハＷを持ち上げ得るようになっている。
【００１７】上記押し上げ棒３２の下端は、処理室２０
内の気密状態を保持するために伸縮可能なベローズ３６
を介してアクチュエータ３８に接続されている。上記載
置台２６の周縁部には、ウエハＷの周縁部を保持してこ
れを載置台２６側へ固定するためのリング状のセラミッ
ク製クランプリング４０が設けられており、このクラン
プリング４０は、上記保持部材２４を遊嵌状態で貫通し
た支持棒４２を介して上記支持部材３０に連結されてお
り、リフタピン２８と一体的に昇降するようになってい
る。ここで保持部材２４と支持部材３０との間の支持棒
４２にはコイルバネ４４が介設されており、クランプリ
ング４０等の降下を助け、且つウエハのクランプを確実
ならしめている。これらのリフタピン２８、支持部材３
０及び保持部材２４も石英等の熱線透過部材により構成
されている。
内の気密状態を保持するために伸縮可能なベローズ３６
を介してアクチュエータ３８に接続されている。上記載
置台２６の周縁部には、ウエハＷの周縁部を保持してこ
れを載置台２６側へ固定するためのリング状のセラミッ
ク製クランプリング４０が設けられており、このクラン
プリング４０は、上記保持部材２４を遊嵌状態で貫通し
た支持棒４２を介して上記支持部材３０に連結されてお
り、リフタピン２８と一体的に昇降するようになってい
る。ここで保持部材２４と支持部材３０との間の支持棒
４２にはコイルバネ４４が介設されており、クランプリ
ング４０等の降下を助け、且つウエハのクランプを確実
ならしめている。これらのリフタピン２８、支持部材３
０及び保持部材２４も石英等の熱線透過部材により構成
されている。
【００１８】また、載置台２６の直下の処理容器底部に
は、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓４６が気密に
設けられており、この下方には、透過窓４６を囲むよう
に箱状のランプ室４８が設けられている。このランプ室
４８内には加熱手段として複数の加熱ランプ５０が反射
鏡も兼ねる回転台５２に取り付けられており、この回転
台５２は、回転軸を介してランプ室４８の底部に設けた
回転モータ５４により回転される。従って、この加熱ラ
ンプ５０より放出された熱線は、透過窓４６を透過して
載置台２６の下面を照射してこれを加熱し得るようにな
っている。このランプ室４８の側壁には、この室内や透
過窓４６を冷却するための冷却エアを導入する冷却エア
導入口５６及びこのエアを排出する冷却エア排出口５８
が設けられている。
は、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓４６が気密に
設けられており、この下方には、透過窓４６を囲むよう
に箱状のランプ室４８が設けられている。このランプ室
４８内には加熱手段として複数の加熱ランプ５０が反射
鏡も兼ねる回転台５２に取り付けられており、この回転
台５２は、回転軸を介してランプ室４８の底部に設けた
回転モータ５４により回転される。従って、この加熱ラ
ンプ５０より放出された熱線は、透過窓４６を透過して
載置台２６の下面を照射してこれを加熱し得るようにな
っている。このランプ室４８の側壁には、この室内や透
過窓４６を冷却するための冷却エアを導入する冷却エア
導入口５６及びこのエアを排出する冷却エア排出口５８
が設けられている。
【００１９】また、載置台２６の外周側には、多数の整
流孔６０を有するリング状の整流板６２が、上下方向に
環状に成形された支持コラム６４により支持させて設け
られている。整流板６２の内周側には、クランプリング
４０の外周部と接触してこの下方にガスが流れないよう
にするリング状の石英製アタッチメント６６が設けられ
る。整流板６２の下方の底部には排気口６８が設けら
れ、この排気口６８には図示しない真空ポンプに接続さ
れた排気路７０が接続されており、処理室２０内を所定
の真空度（例えば１００Ｔｏｒｒ〜１０-6Ｔｏｒｒ）に
維持し得るようになっている。
流孔６０を有するリング状の整流板６２が、上下方向に
環状に成形された支持コラム６４により支持させて設け
られている。整流板６２の内周側には、クランプリング
４０の外周部と接触してこの下方にガスが流れないよう
にするリング状の石英製アタッチメント６６が設けられ
る。整流板６２の下方の底部には排気口６８が設けら
れ、この排気口６８には図示しない真空ポンプに接続さ
れた排気路７０が接続されており、処理室２０内を所定
の真空度（例えば１００Ｔｏｒｒ〜１０-6Ｔｏｒｒ）に
維持し得るようになっている。
【００２０】一方、上記載置台２６と対向する処理室天
井部には、成膜用ガスやクリーニングガス等の必要ガス
を処理室２０内へ導入するためのシャワーヘッド部７２
が設けられている。具体的には、このシャワーヘッド部
７２は、例えばアルミニウム等により円形箱状に成形さ
れたヘッド本体７４を有し、この天井部にはガス導入口
７６が設けられている。
井部には、成膜用ガスやクリーニングガス等の必要ガス
を処理室２０内へ導入するためのシャワーヘッド部７２
が設けられている。具体的には、このシャワーヘッド部
７２は、例えばアルミニウム等により円形箱状に成形さ
れたヘッド本体７４を有し、この天井部にはガス導入口
７６が設けられている。
【００２１】ヘッド本体７４の下面であるガス噴出面７
８には、ヘッド本体７４内へ供給されたガスを放出する
ための多数のガス噴出孔８０が面内に均等に配置されて
おり、ウエハ表面に亘って均等にガスを放出するように
なっている。このガス噴出面７８の直径は３１６ｍｍ程
度である。このガス噴出孔８０の直径は略１ｍｍであ
り、略１０個／ｃｍ2 程度（直径２３０ｍｍ以内で）の
密度で設けられている。この数値は、従来タイプのシャ
ワーヘッド部と略同じである。また、ヘッド本体７４内
には、上下２段に本発明の特徴とする分散板が所定の間
隔を隔てて配置されており、複数の拡散室を形成してい
る。この分散板の内、上方に位置する上段分散板８２
は、１つ或いは数個程度の非常に少ない数のガス流出孔
８４が形成されている。図示例では１個のガス流出孔８
４が設けられており、ガス流出孔８４の直径は略１．５
ｍｍ程度に設定されている。
８には、ヘッド本体７４内へ供給されたガスを放出する
ための多数のガス噴出孔８０が面内に均等に配置されて
おり、ウエハ表面に亘って均等にガスを放出するように
なっている。このガス噴出面７８の直径は３１６ｍｍ程
度である。このガス噴出孔８０の直径は略１ｍｍであ
り、略１０個／ｃｍ2 程度（直径２３０ｍｍ以内で）の
密度で設けられている。この数値は、従来タイプのシャ
ワーヘッド部と略同じである。また、ヘッド本体７４内
には、上下２段に本発明の特徴とする分散板が所定の間
隔を隔てて配置されており、複数の拡散室を形成してい
る。この分散板の内、上方に位置する上段分散板８２
は、１つ或いは数個程度の非常に少ない数のガス流出孔
８４が形成されている。図示例では１個のガス流出孔８
４が設けられており、ガス流出孔８４の直径は略１．５
ｍｍ程度に設定されている。
【００２２】これに対して、下段の均一分散板８６に
は、多数の分散孔８８が面内に均一に分散させて設けら
れている。この場合、分散孔８８の直径と分布密度の関
係は、このシャワーヘッド部７２から反応形態が反応律
速の成膜用ガスを供給する時も、供給律速の成膜用ガス
を供給する時も、共に処理室２０内に面内に亘って均一
にガス流を供給できるような関係に設定する。すなわち
分散孔８８の直径が大き過ぎる場合には、分布密度を変
化させても反応律速には対応できるが、供給律速に対応
することができない。また逆に、分散孔８８の直径が小
さ過ぎると、この分布密度を大きくしても供給律速には
対応できるが、反応律速には対応することができない。
従って、供給律速と反応律速の双方に対応できるように
するためには、分散孔８８の直径とこの分布密度を適切
に選択しなければならない。
は、多数の分散孔８８が面内に均一に分散させて設けら
れている。この場合、分散孔８８の直径と分布密度の関
係は、このシャワーヘッド部７２から反応形態が反応律
速の成膜用ガスを供給する時も、供給律速の成膜用ガス
を供給する時も、共に処理室２０内に面内に亘って均一
にガス流を供給できるような関係に設定する。すなわち
分散孔８８の直径が大き過ぎる場合には、分布密度を変
化させても反応律速には対応できるが、供給律速に対応
することができない。また逆に、分散孔８８の直径が小
さ過ぎると、この分布密度を大きくしても供給律速には
対応できるが、反応律速には対応することができない。
従って、供給律速と反応律速の双方に対応できるように
するためには、分散孔８８の直径とこの分布密度を適切
に選択しなければならない。
【００２３】本実施例では、この分散孔８８の直径は、
略０．７ｍｍ以下であり、しかも分布密度は０．３個／
ｃｍ2 以上となるように設定する。例えば直径略３０ｃ
ｍ程度の均一分散板８６に対しては、分散孔８８の直径
が０．６５ｍｍの場合には、１９０個程度の分散孔８８
を均一に設ける。図２はこの時の均一分散板８６の一部
を示している。このようにすることにより、反応律速の
成膜用ガスを供給するときも、供給律速の成膜用ガスを
供給するときも、共に面内に亘って均一にガスを供給す
ることが可能となる。
略０．７ｍｍ以下であり、しかも分布密度は０．３個／
ｃｍ2 以上となるように設定する。例えば直径略３０ｃ
ｍ程度の均一分散板８６に対しては、分散孔８８の直径
が０．６５ｍｍの場合には、１９０個程度の分散孔８８
を均一に設ける。図２はこの時の均一分散板８６の一部
を示している。このようにすることにより、反応律速の
成膜用ガスを供給するときも、供給律速の成膜用ガスを
供給するときも、共に面内に亘って均一にガスを供給す
ることが可能となる。
【００２４】一方、上記シャワーヘッド部７２のガス導
入口７６には、ガス通路９０及び複数の分岐路９２を介
して種々の成膜用ガスやクリーニングガス等の使用ガス
源が接続されている。ここでは、使用ガス源として、キ
ャリアガスとしてのＡｒガスを貯留するＡｒガス源９
４、成膜用ガス源としてＳｉＨ4 源９６、ＳｉＨ2 Ｃｌ
2 源９８、ＷＦ6 源１００、ドープガス源としてＰＨ3
源１０２、クリーニングガス源としてＣｌＦ3 源１０４
等が接続されている。また、各分岐路９２には、例えば
マスフローコントローラのごとき流量制御弁１０６及び
その前後に開閉弁１０８が介設されている。
入口７６には、ガス通路９０及び複数の分岐路９２を介
して種々の成膜用ガスやクリーニングガス等の使用ガス
源が接続されている。ここでは、使用ガス源として、キ
ャリアガスとしてのＡｒガスを貯留するＡｒガス源９
４、成膜用ガス源としてＳｉＨ4 源９６、ＳｉＨ2 Ｃｌ
2 源９８、ＷＦ6 源１００、ドープガス源としてＰＨ3
源１０２、クリーニングガス源としてＣｌＦ3 源１０４
等が接続されている。また、各分岐路９２には、例えば
マスフローコントローラのごとき流量制御弁１０６及び
その前後に開閉弁１０８が介設されている。
【００２５】次に、以上のように構成された装置例に基
づいて行なわれる本発明の方法について説明する。図３
は、本発明方法のプロセスを示すフローチャートであ
る。本発明の特徴は、同一の処理室内で異なる種類の成
膜をする場合に前処理としてウエハなしの状態で成膜時
と同じガスを順に流してプリコートを行ない、また、成
膜後にはウエハ存在下でシラン系ガスで表面処理を行な
う点にあり、ここでは図９（Ａ）に示すようにリンドー
プのポリシリコン層１０とタングステンシリサイド層１
２を連続的に成膜する場合について説明する。
づいて行なわれる本発明の方法について説明する。図３
は、本発明方法のプロセスを示すフローチャートであ
る。本発明の特徴は、同一の処理室内で異なる種類の成
膜をする場合に前処理としてウエハなしの状態で成膜時
と同じガスを順に流してプリコートを行ない、また、成
膜後にはウエハ存在下でシラン系ガスで表面処理を行な
う点にあり、ここでは図９（Ａ）に示すようにリンドー
プのポリシリコン層１０とタングステンシリサイド層１
２を連続的に成膜する場合について説明する。
【００２６】まず、処理室２０内にウエハＷをロードす
る前に前処理ステップを実行する（Ｓ１）。この前処理
においては、後工程の成膜時や後処理時において流すガ
スをウエハ不存在下で順次流して、内壁や内部構造物の
表面にプリコートを施し、熱的反射率や輻射率等を実際
の成膜時と同じ状態にして再現性を高めることを目的と
している。まず、処理室２０内を所定の真空状態にする
と共に内部を例えば５００℃〜８００℃に加熱し、この
状態で、リンドープの多結晶シリコン膜を形成する時の
成膜用ガスと同じガス、すなわちＡｒガス、ＳｉＨ4 ガ
ス、ＰＨ3 ガスをそれぞれ所定量ずつ流し、リンドープ
の多結晶シリコン膜を内壁や内部構造物の表面にプリコ
ートする。尚、ドーパントガスであるＰＨ3 ガスは、こ
れが熱反射率等に及ぼす影響は非常に少ないことから、
ＰＨ3 ガスの供給を省略することもできる。
る前に前処理ステップを実行する（Ｓ１）。この前処理
においては、後工程の成膜時や後処理時において流すガ
スをウエハ不存在下で順次流して、内壁や内部構造物の
表面にプリコートを施し、熱的反射率や輻射率等を実際
の成膜時と同じ状態にして再現性を高めることを目的と
している。まず、処理室２０内を所定の真空状態にする
と共に内部を例えば５００℃〜８００℃に加熱し、この
状態で、リンドープの多結晶シリコン膜を形成する時の
成膜用ガスと同じガス、すなわちＡｒガス、ＳｉＨ4 ガ
ス、ＰＨ3 ガスをそれぞれ所定量ずつ流し、リンドープ
の多結晶シリコン膜を内壁や内部構造物の表面にプリコ
ートする。尚、ドーパントガスであるＰＨ3 ガスは、こ
れが熱反射率等に及ぼす影響は非常に少ないことから、
ＰＨ3 ガスの供給を省略することもできる。
【００２７】次に、内部雰囲気を排気した後に、タング
ステンシリサイド（ＷＳｉｘ）膜を形成する時の成膜用
ガスと同じガス、すなわちＡｒガス、ＷＦ6 ガス、Ｓｉ
Ｈ2Ｃｌ2 ガスをそれぞれ所定量ずつ流し、タングステ
ンシリサイド膜を内壁やナイフ構造物の表面にプリコー
トする。各膜のプリコート量は、実際のウエハのそれぞ
れの成膜量よりも多めにして再現性を高めるようにして
おく。
ステンシリサイド（ＷＳｉｘ）膜を形成する時の成膜用
ガスと同じガス、すなわちＡｒガス、ＷＦ6 ガス、Ｓｉ
Ｈ2Ｃｌ2 ガスをそれぞれ所定量ずつ流し、タングステ
ンシリサイド膜を内壁やナイフ構造物の表面にプリコー
トする。各膜のプリコート量は、実際のウエハのそれぞ
れの成膜量よりも多めにして再現性を高めるようにして
おく。
【００２８】次に、本実施例では実際の成膜時に後処理
としてシラン系ガスを流して膜表面にシリコンを付着さ
せることから、ここでも内部雰囲気を排除した後に、シ
ラン系ガスとしてＳｉＨ4 ガスをＡｒガスと共に所定量
流して熱処理を行ない、上記プリコート面上に少量のシ
リコンを付着させる。尚、このシラン系ガスとしてＳｉ
Ｈ2 Ｃｌ2 ガスを用いてもよい。このようにして、ウエ
ハ不存在下で前処理を行なったならば、次にウエハＷを
処理室２０内にロードする（Ｓ２）。
としてシラン系ガスを流して膜表面にシリコンを付着さ
せることから、ここでも内部雰囲気を排除した後に、シ
ラン系ガスとしてＳｉＨ4 ガスをＡｒガスと共に所定量
流して熱処理を行ない、上記プリコート面上に少量のシ
リコンを付着させる。尚、このシラン系ガスとしてＳｉ
Ｈ2 Ｃｌ2 ガスを用いてもよい。このようにして、ウエ
ハ不存在下で前処理を行なったならば、次にウエハＷを
処理室２０内にロードする（Ｓ２）。
【００２９】まず、ロードロックロック室１１０内に収
容されている未処理の半導体ウエハＷを処理室２０にゲ
ートバルブＧを介して搬入し、リフタピン２８を押し上
げることによりウエハＷをリフタピン２８側に受け渡
す。そして、リフタピン２８を、押し上げ棒３２を下げ
ることによって降下させ、ウエハＷを載置台２６上に載
置すると共に更に押し上げ棒３２を下げることによって
ウエハＷの周縁部をクランプリング４０で押圧してこれ
を固定する。尚、未処理の半導体ウエハＷとは、ここで
は図９においてゲート酸化膜６まで他の処理炉で成膜さ
れたものをいう。このように、ウエハのロードが完了し
たならば、次に、実際の成膜ステップを実行する（Ｓ
３）。
容されている未処理の半導体ウエハＷを処理室２０にゲ
ートバルブＧを介して搬入し、リフタピン２８を押し上
げることによりウエハＷをリフタピン２８側に受け渡
す。そして、リフタピン２８を、押し上げ棒３２を下げ
ることによって降下させ、ウエハＷを載置台２６上に載
置すると共に更に押し上げ棒３２を下げることによって
ウエハＷの周縁部をクランプリング４０で押圧してこれ
を固定する。尚、未処理の半導体ウエハＷとは、ここで
は図９においてゲート酸化膜６まで他の処理炉で成膜さ
れたものをいう。このように、ウエハのロードが完了し
たならば、次に、実際の成膜ステップを実行する（Ｓ
３）。
【００３０】まず、リンドープのポリシリコン成膜処理
を行なう。処理室２０内を真空排気しつつランプ室４８
内の加熱ランプ５０を駆動しながら回転させ、熱エネル
ギを放射する。放射された熱線は、透過窓４６を透過し
た後、石英製の支持部材３０等も透過して載置台２６の
裏面を照射してこれを加熱する。この載置台２６は、前
述のように１ｍｍ程度と非常に薄いことから迅速に加熱
され、従って、この上に載置してあるウエハＷを迅速に
所定の温度まで加熱することができる。ウエハＷがプロ
セス温度、例えば略７００℃に達したならば、ＳｉＨ4
ガス、ＰＨ3 ガスをＡｒガスのキャリアガスに乗せて搬
送してこのガスを処理室２０内にシャワーヘッド部７２
を介して供給する。ホスフィン及びシランの供給量は、
それぞれ略１５０ｓｃｃｍ及び略４００ｓｃｃｍ程度で
ある。
を行なう。処理室２０内を真空排気しつつランプ室４８
内の加熱ランプ５０を駆動しながら回転させ、熱エネル
ギを放射する。放射された熱線は、透過窓４６を透過し
た後、石英製の支持部材３０等も透過して載置台２６の
裏面を照射してこれを加熱する。この載置台２６は、前
述のように１ｍｍ程度と非常に薄いことから迅速に加熱
され、従って、この上に載置してあるウエハＷを迅速に
所定の温度まで加熱することができる。ウエハＷがプロ
セス温度、例えば略７００℃に達したならば、ＳｉＨ4
ガス、ＰＨ3 ガスをＡｒガスのキャリアガスに乗せて搬
送してこのガスを処理室２０内にシャワーヘッド部７２
を介して供給する。ホスフィン及びシランの供給量は、
それぞれ略１５０ｓｃｃｍ及び略４００ｓｃｃｍ程度で
ある。
【００３１】供給された混合ガスは所定の化学反応を生
じ、ウエハＷのゲート酸化膜６上に不純物としてＰ（リ
ン）のドープされたポリシリコン層１０（図９参照）が
成膜される。尚、ドーパントとしてはリンの外に、Ａ
ｓ、Ｓｂ、Ｂ等を用いることができる。この成膜処理
は、所定の膜厚を得るために例えば１分程度行なわれ
る。尚、この時のプロセス圧力は略１０Ｔｏｒｒ程度で
ある。
じ、ウエハＷのゲート酸化膜６上に不純物としてＰ（リ
ン）のドープされたポリシリコン層１０（図９参照）が
成膜される。尚、ドーパントとしてはリンの外に、Ａ
ｓ、Ｓｂ、Ｂ等を用いることができる。この成膜処理
は、所定の膜厚を得るために例えば１分程度行なわれ
る。尚、この時のプロセス圧力は略１０Ｔｏｒｒ程度で
ある。
【００３２】このようにして、ポリシリコン層１０の成
膜処理が完了したならば、次に、タングステンシリサイ
ドの成膜処理へ移行する。まず、ＰＨ3 及びＳｉＨ4 の
供給を停止し、Ａｒガスを流して処理室２０からホスフ
ィンをパージすると共に加熱ランプ５０の電力を調整し
てウエハＷをタングステンシリサイドのプロセス温度、
例えば６００℃程度まで僅かな温度だけ降温させる。こ
のＡｒガスパージ期間は、略数分程度である。この時、
ポリシリコンとタングステンシリサイドのプロセス温度
を同一に設定してもよい。
膜処理が完了したならば、次に、タングステンシリサイ
ドの成膜処理へ移行する。まず、ＰＨ3 及びＳｉＨ4 の
供給を停止し、Ａｒガスを流して処理室２０からホスフ
ィンをパージすると共に加熱ランプ５０の電力を調整し
てウエハＷをタングステンシリサイドのプロセス温度、
例えば６００℃程度まで僅かな温度だけ降温させる。こ
のＡｒガスパージ期間は、略数分程度である。この時、
ポリシリコンとタングステンシリサイドのプロセス温度
を同一に設定してもよい。
【００３３】プロセス温度に達したならば、次に、タン
グステンシリサイド用の成膜用ガスとしてＳｉＨ2 Ｃｌ
2 とＷＦ6 を、キャリアガスとしてＡｒガスを用いて、
処理室２０内へ供給する。ＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＷＦ6 の流
量は、それぞれ略２００ｓｃｃｍと略１０ｓｃｃｍ程度
である。処理ガスとしてＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジクロルシア
ン）に替えてＳｉＨ4 ガス等を用いることもでき、ま
た、キャリアガスとしてはＡｒガスに替えてＮ2 ガスや
Ｈｅガスも用いることができる。供給された混合ガス
は、所定の化学反応を生じ、タングステンシリサイド層
１２がポリシリコン層上に形成されることになる。この
成膜処理は、所定の膜厚を得るために例えば２分程度行
なわれる。この時のプロセス圧力は、略１Ｔｏｒｒ程度
である。
グステンシリサイド用の成膜用ガスとしてＳｉＨ2 Ｃｌ
2 とＷＦ6 を、キャリアガスとしてＡｒガスを用いて、
処理室２０内へ供給する。ＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＷＦ6 の流
量は、それぞれ略２００ｓｃｃｍと略１０ｓｃｃｍ程度
である。処理ガスとしてＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジクロルシア
ン）に替えてＳｉＨ4 ガス等を用いることもでき、ま
た、キャリアガスとしてはＡｒガスに替えてＮ2 ガスや
Ｈｅガスも用いることができる。供給された混合ガス
は、所定の化学反応を生じ、タングステンシリサイド層
１２がポリシリコン層上に形成されることになる。この
成膜処理は、所定の膜厚を得るために例えば２分程度行
なわれる。この時のプロセス圧力は、略１Ｔｏｒｒ程度
である。
【００３４】ここで、リンドープ多結晶シリコン層１０
の成膜反応は、反応律速であるのに対して、タングステ
ンシリサイド層１２の成膜反応は供給律速であるが、本
発明装置においては、シャワーヘッド部７２の均一分散
板８６の分散孔８８の直径、及び分布密度を適切に設け
ていることから、どちらの反応時においても成膜用ガス
は処理室２０内に略面内に亘って均一な流量で供給する
ことができ、その結果、両層１０、１２の膜厚を面内に
亘って均一に成膜することが可能となる。このようにし
て成膜ステップが完了したならば、ウエハＷを載置した
状態で後処理ステップを実行する（Ｓ４）。
の成膜反応は、反応律速であるのに対して、タングステ
ンシリサイド層１２の成膜反応は供給律速であるが、本
発明装置においては、シャワーヘッド部７２の均一分散
板８６の分散孔８８の直径、及び分布密度を適切に設け
ていることから、どちらの反応時においても成膜用ガス
は処理室２０内に略面内に亘って均一な流量で供給する
ことができ、その結果、両層１０、１２の膜厚を面内に
亘って均一に成膜することが可能となる。このようにし
て成膜ステップが完了したならば、ウエハＷを載置した
状態で後処理ステップを実行する（Ｓ４）。
【００３５】ここでは内部雰囲気を真空引きした後に、
温度を成膜ステップの時と同じ温度に維持したままシラ
ン系ガス、例えばＳｉＨ4 を僅かな時間、例えば６０秒
程度流して、成膜の表面にシリコン膜が形成されるか、
或いは形成されない程度に、シリコンを僅かに付着させ
る。これにより、後述するように成膜のストレスを緩和
してこれの相対的な密着性を向上させることが可能とな
ると共に、後工程における熱処理時に、先の成膜が酸素
のアタックを受けることを防止することが可能となる。
温度を成膜ステップの時と同じ温度に維持したままシラ
ン系ガス、例えばＳｉＨ4 を僅かな時間、例えば６０秒
程度流して、成膜の表面にシリコン膜が形成されるか、
或いは形成されない程度に、シリコンを僅かに付着させ
る。これにより、後述するように成膜のストレスを緩和
してこれの相対的な密着性を向上させることが可能とな
ると共に、後工程における熱処理時に、先の成膜が酸素
のアタックを受けることを防止することが可能となる。
【００３６】このようにして後処理ステップが終了した
ならば、残留する処理ガスをＡｒガスによりパージしつ
つウエハＷの温度を搬送に適した温度、例えば３００℃
程度まで降温し、ゲートバルブＧを開いて処理済みのウ
エハを搬出し（Ｓ５）、搬出が終了したならば未処理の
ウエハを前述したと同様にして搬入する（Ｓ６のＮ
Ｏ）。以後同様にして、新しい未処理のウエハＷに対し
て成膜ステップ（Ｓ３）及び後処理ステップ（Ｓ４）が
前述したように連続的に行なわれることになる。このよ
うな連続処理は、例えば１ロット２５枚に対して連続的
に行なわれる。
ならば、残留する処理ガスをＡｒガスによりパージしつ
つウエハＷの温度を搬送に適した温度、例えば３００℃
程度まで降温し、ゲートバルブＧを開いて処理済みのウ
エハを搬出し（Ｓ５）、搬出が終了したならば未処理の
ウエハを前述したと同様にして搬入する（Ｓ６のＮ
Ｏ）。以後同様にして、新しい未処理のウエハＷに対し
て成膜ステップ（Ｓ３）及び後処理ステップ（Ｓ４）が
前述したように連続的に行なわれることになる。このよ
うな連続処理は、例えば１ロット２５枚に対して連続的
に行なわれる。
【００３７】そして、所定の枚数、例えば２５枚のウエ
ハの処理が終了すると、処理室の内壁面や内部構造物の
表面にもある程度の成膜が付着することから、これを除
去する目的でクリーニングステップを実行する（Ｓ
７）。まず、クリーニングガスとしてＣｌＦ3 ガスを供
給し、温度例えば２００℃程度でクリーニング処理を数
分間程度行なう。これにより、処理室内に付着した不要
な成膜を除去することができることから、成膜の剥離に
よるパーティクル等の発生を抑制することができる。こ
のクリーニング操作は、成膜量に応じて行なえばよく、
例えば、１枚のウエハの処理毎に行なってもよく、その
回数はスループットとパーティクルの発生量とを勘案し
て行なえばよい。また、クリーニングガスとしては、ポ
リシリコンに対してもタングステンシリサイドに対して
も同様に効果的に除去が可能なＣｌＦ3 系ガスを用いる
のが好ましいが、これに限定されるものではない。
ハの処理が終了すると、処理室の内壁面や内部構造物の
表面にもある程度の成膜が付着することから、これを除
去する目的でクリーニングステップを実行する（Ｓ
７）。まず、クリーニングガスとしてＣｌＦ3 ガスを供
給し、温度例えば２００℃程度でクリーニング処理を数
分間程度行なう。これにより、処理室内に付着した不要
な成膜を除去することができることから、成膜の剥離に
よるパーティクル等の発生を抑制することができる。こ
のクリーニング操作は、成膜量に応じて行なえばよく、
例えば、１枚のウエハの処理毎に行なってもよく、その
回数はスループットとパーティクルの発生量とを勘案し
て行なえばよい。また、クリーニングガスとしては、ポ
リシリコンに対してもタングステンシリサイドに対して
も同様に効果的に除去が可能なＣｌＦ3 系ガスを用いる
のが好ましいが、これに限定されるものではない。
【００３８】このようにして、クリーニングステップが
完了したならば、次にクリーニング後処理ステップを実
行する（Ｓ８）。この処理では、前述の成膜ステップの
後処理と同様にシラン系ガスを流すことにより、クリー
ニング時に用いたハロゲンガスの排出を促進させ、次に
行なわれるであろう前処理ステップにおけるプリコート
の付着性を改善する。まず、クリーニングガスの排気を
行なったならば、処理室内を例えば６００℃程度まで昇
温し、この中にＳｉＨ4 ガスを所定量流しつつ、１分程
度の間、熱処理を行なう。これにより、処理室の壁面や
内部構造物の表面に付着していたハロゲンガスがシラン
ガスにより還元されて、ハロゲンガスの排出が促進され
ることになる。尚、ＳｉＨ4 に代えて、ＳｉＨ2 Ｃｌ2
ガスを流してもよい。以上のようにして、全体の処理が
完了することになる。
完了したならば、次にクリーニング後処理ステップを実
行する（Ｓ８）。この処理では、前述の成膜ステップの
後処理と同様にシラン系ガスを流すことにより、クリー
ニング時に用いたハロゲンガスの排出を促進させ、次に
行なわれるであろう前処理ステップにおけるプリコート
の付着性を改善する。まず、クリーニングガスの排気を
行なったならば、処理室内を例えば６００℃程度まで昇
温し、この中にＳｉＨ4 ガスを所定量流しつつ、１分程
度の間、熱処理を行なう。これにより、処理室の壁面や
内部構造物の表面に付着していたハロゲンガスがシラン
ガスにより還元されて、ハロゲンガスの排出が促進され
ることになる。尚、ＳｉＨ4 に代えて、ＳｉＨ2 Ｃｌ2
ガスを流してもよい。以上のようにして、全体の処理が
完了することになる。
【００３９】このように、本発明方法においては、リン
ドープのポリシリコン層１０を形成した後に、同一処理
室内で、すなわちウエハＷを炉から搬出することなく、
そのまま次のタングステンシリサイド層１２の成膜処理
へ移行するようにしたので、ポリシリコン層１０上に自
然酸化膜が形成される恐れがほとんどない。従って、低
抵抗化を図ることができ、この電気的特性も大幅に改善
することが可能となる。
ドープのポリシリコン層１０を形成した後に、同一処理
室内で、すなわちウエハＷを炉から搬出することなく、
そのまま次のタングステンシリサイド層１２の成膜処理
へ移行するようにしたので、ポリシリコン層１０上に自
然酸化膜が形成される恐れがほとんどない。従って、低
抵抗化を図ることができ、この電気的特性も大幅に改善
することが可能となる。
【００４０】また、ウエハに対して実際に成膜処理を施
す前に、前処理ステップで、連続成膜時及び後処理時に
流すガスを順次流して多層にプリコートを施すようにし
たので、処理室内が熱的に安定化し、成膜時の再現性を
高く維持することが可能となる。更に、各ウエハに対し
て、後処理を施すことにより成膜上にシリコンを付着さ
せたので、成膜のストレスを緩和し、また、後工程の熱
処理時における酸素アタックも阻止することが可能とな
る。
す前に、前処理ステップで、連続成膜時及び後処理時に
流すガスを順次流して多層にプリコートを施すようにし
たので、処理室内が熱的に安定化し、成膜時の再現性を
高く維持することが可能となる。更に、各ウエハに対し
て、後処理を施すことにより成膜上にシリコンを付着さ
せたので、成膜のストレスを緩和し、また、後工程の熱
処理時における酸素アタックも阻止することが可能とな
る。
【００４１】次に、前処理ステップにおいて、多層のプ
リコートを施した時の効果について説明する。図４は２
ロット５０枚のウエハを成膜処理した時の各ウエハのシ
ート抵抗（ゲート電極）を示すグラフであり、１ロット
目の直前と２ロット目の直前に前処理ステップにて多層
のプリコートを施している。これによれば、シート抵抗
の最大値と最小値の差は約５Ω程度であり、従って、ウ
エハ間におけるシート抵抗のばらつきは３％程度であ
り、再現性はかなり良好であることが判明する。
リコートを施した時の効果について説明する。図４は２
ロット５０枚のウエハを成膜処理した時の各ウエハのシ
ート抵抗（ゲート電極）を示すグラフであり、１ロット
目の直前と２ロット目の直前に前処理ステップにて多層
のプリコートを施している。これによれば、シート抵抗
の最大値と最小値の差は約５Ω程度であり、従って、ウ
エハ間におけるシート抵抗のばらつきは３％程度であ
り、再現性はかなり良好であることが判明する。
【００４２】次に、成膜ステップの直後に、後処理ステ
ップを行なって成膜表面にシリコンを付着させた時の効
果について説明する。図５はシリコンを付着させた時と
付着させない時の酸素に対する拡散の度合いを示すグラ
フである。図中、横軸はウエハの深さ方向を示し、縦軸
は酸素量を間接的に示す。また、酸素アタックは、ウエ
ハを９００℃程度に加熱することにより行なった。グラ
フから明らかなように、後処理を行なってシリコンを膜
表面に付着させた場合には、付着させない場合と比較し
てタングステンシリサイド層（ＷＳｉｘ）における酸素
量は少なく、酸素拡散が抑制されていることが判明す
る。
ップを行なって成膜表面にシリコンを付着させた時の効
果について説明する。図５はシリコンを付着させた時と
付着させない時の酸素に対する拡散の度合いを示すグラ
フである。図中、横軸はウエハの深さ方向を示し、縦軸
は酸素量を間接的に示す。また、酸素アタックは、ウエ
ハを９００℃程度に加熱することにより行なった。グラ
フから明らかなように、後処理を行なってシリコンを膜
表面に付着させた場合には、付着させない場合と比較し
てタングステンシリサイド層（ＷＳｉｘ）における酸素
量は少なく、酸素拡散が抑制されていることが判明す
る。
【００４３】また、図６は上記後処理ステップの他の効
果として成膜ストレスの緩和状態を示すグラフであり、
ここでは横軸にシランガス（ＳｉＨ4 ）或いはジクロル
シラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）の流量を、縦軸に成膜のスト
レスをそれぞれとっている。尚、この後処理ステップに
おける成膜条件は、シランガスを流す時はＳｉＨ4 ／Ａ
ｒ＝５００／４００ｓｃｃｍであり、ジクロルシランガ
スを流す時はＳｉＨ2Ｃｌ2 ／Ａｒ＝１５０／３５０ｓ
ｃｃｍであり、また、プロセス圧力はそれぞれ０．７Ｔ
ｏｒｒである。
果として成膜ストレスの緩和状態を示すグラフであり、
ここでは横軸にシランガス（ＳｉＨ4 ）或いはジクロル
シラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）の流量を、縦軸に成膜のスト
レスをそれぞれとっている。尚、この後処理ステップに
おける成膜条件は、シランガスを流す時はＳｉＨ4 ／Ａ
ｒ＝５００／４００ｓｃｃｍであり、ジクロルシランガ
スを流す時はＳｉＨ2Ｃｌ2 ／Ａｒ＝１５０／３５０ｓ
ｃｃｍであり、また、プロセス圧力はそれぞれ０．７Ｔ
ｏｒｒである。
【００４４】グラフより明らかなように、後処理を行な
わない時には膜のストレスは１．３０×１０10（後処理
時間＝０）程度と高いのに対して、後処理を行なう程、
ストレスが低下して良好であることが判明する。これに
より、多結晶シリコン層とタングステンシリサイド層の
層間の密着性を相対的に高くできることが判る。また、
後処理に用いるガスとしては、シランガスでもジクロル
シランガスでも共に同様な効果を発揮することができ
る。
わない時には膜のストレスは１．３０×１０10（後処理
時間＝０）程度と高いのに対して、後処理を行なう程、
ストレスが低下して良好であることが判明する。これに
より、多結晶シリコン層とタングステンシリサイド層の
層間の密着性を相対的に高くできることが判る。また、
後処理に用いるガスとしては、シランガスでもジクロル
シランガスでも共に同様な効果を発揮することができ
る。
【００４５】次に、クリーニング後処理ステップで、処
理室内壁や内部構造物の表面にシリコンを付着した時の
効果について説明する。図７はクリーニング後処理を行
なった時と行なわない時のウエハ表面のハロゲン量（Ｃ
ｌ量）を示すグラフである。このグラフから明らかなよ
うに、ＳｉＨ4 ガスによるクリーニング後処理を行なっ
た方が、成膜中の残留ハロゲン量を抑制できることが判
明する。このため、クリーニング後処理を行なうことに
よって、タングステンシリサイド層の金属膜がハロゲン
によって悪影響を受けることを抑制することができる。
理室内壁や内部構造物の表面にシリコンを付着した時の
効果について説明する。図７はクリーニング後処理を行
なった時と行なわない時のウエハ表面のハロゲン量（Ｃ
ｌ量）を示すグラフである。このグラフから明らかなよ
うに、ＳｉＨ4 ガスによるクリーニング後処理を行なっ
た方が、成膜中の残留ハロゲン量を抑制できることが判
明する。このため、クリーニング後処理を行なうことに
よって、タングステンシリサイド層の金属膜がハロゲン
によって悪影響を受けることを抑制することができる。
【００４６】また、図８はクリーニング後処理を行なっ
た場合と行なわない場合の次工程における前処理時のプ
リコートの付着状況を示すグラフである。グラフ中の縦
軸は、内部構造物表面に一定厚のプリコート膜が付着す
るまでの時間を示している。グラフから明らかなよう
に、クリーニング後処理を行なった方が、供給律速の場
合も、反応律速の場合も共にプリコート時間が短くて済
み、処理時間の短縮化に寄与できることが判明する。こ
のようにプリコート時間を短くできる理由は、成膜が生
じないインキュベーション時間を、前工程でシランパー
ジを行なったことにより短くできるからである。
た場合と行なわない場合の次工程における前処理時のプ
リコートの付着状況を示すグラフである。グラフ中の縦
軸は、内部構造物表面に一定厚のプリコート膜が付着す
るまでの時間を示している。グラフから明らかなよう
に、クリーニング後処理を行なった方が、供給律速の場
合も、反応律速の場合も共にプリコート時間が短くて済
み、処理時間の短縮化に寄与できることが判明する。こ
のようにプリコート時間を短くできる理由は、成膜が生
じないインキュベーション時間を、前工程でシランパー
ジを行なったことにより短くできるからである。
【００４７】次に、本発明装置のシャワーヘッド部構造
が２層の連続成膜処理において有効である点について説
明する。表１は、上段分散板８２と均一分散板８６の孔
径や孔数を適宜変更した時の両層の成膜状態を示してい
る。
が２層の連続成膜処理において有効である点について説
明する。表１は、上段分散板８２と均一分散板８６の孔
径や孔数を適宜変更した時の両層の成膜状態を示してい
る。
【００４８】
【表１】
【００４９】ここでガス噴出面７８（直径は３１６ｍｍ
程度）のガス噴出孔８０の直径及び個数（分布密度）は
従来と同様ものを用いており、例えば直径は１ｍｍであ
り、個数は直径２３０ｍｍの範囲のエリア内において４
３９７個（約１０個／ｃｍ2）である。尚、ここでは分
散板の直径は略２６０ｍｍに設定している。また、ガス
を面内に亘って均一的に供給するには、上段分散板より
もその下段の均一分散板の構造が重要であることから、
この構成を主に種々変更している。この表１から明らか
なように、上段分散板８２の孔の直径が１３ｍｍや３ｍ
ｍと大きく設定し、且つ設ける数も８個程度と多い場合
であって、均一分散板８２の孔の直径が４ｍｍ程度と大
きい場合には（比較例１、２）、供給律速のタングステ
ンシリサイド層は、ウエハのエッジ部分のみに成膜され
てしまう。
程度）のガス噴出孔８０の直径及び個数（分布密度）は
従来と同様ものを用いており、例えば直径は１ｍｍであ
り、個数は直径２３０ｍｍの範囲のエリア内において４
３９７個（約１０個／ｃｍ2）である。尚、ここでは分
散板の直径は略２６０ｍｍに設定している。また、ガス
を面内に亘って均一的に供給するには、上段分散板より
もその下段の均一分散板の構造が重要であることから、
この構成を主に種々変更している。この表１から明らか
なように、上段分散板８２の孔の直径が１３ｍｍや３ｍ
ｍと大きく設定し、且つ設ける数も８個程度と多い場合
であって、均一分散板８２の孔の直径が４ｍｍ程度と大
きい場合には（比較例１、２）、供給律速のタングステ
ンシリサイド層は、ウエハのエッジ部分のみに成膜され
てしまう。
【００５０】また、上段分散板８２の孔の直径を１．５
ｍｍ程度と小さく設定し、且つ設ける個数も１個とした
場合であって、均一分散板８６の孔の直径及び個数を比
較例１、２と同じにした場合には（比較例３）、タング
ステンシリサイド層はウエハの中心部にも成膜された
が、エッジ部と比較してかなり薄い。これに対して、上
段分散板８２を、比較例３と同じものを用い、均一分散
板８６の孔の直径を０．６５ｍｍに設定して１８８個
（略０．３個／ｃｍ2 ）形成した場合（実施例１）及び
均一分散板８６の孔の直径を０．５ｍｍに設定して７２
２個（略１．４個／ｃｍ2 ）形成した場合には（実施例
２）、タングステンシリサイド層の膜厚の面内均一性は
２％程度になって非常に改善され、好ましいことが判明
する。
ｍｍ程度と小さく設定し、且つ設ける個数も１個とした
場合であって、均一分散板８６の孔の直径及び個数を比
較例１、２と同じにした場合には（比較例３）、タング
ステンシリサイド層はウエハの中心部にも成膜された
が、エッジ部と比較してかなり薄い。これに対して、上
段分散板８２を、比較例３と同じものを用い、均一分散
板８６の孔の直径を０．６５ｍｍに設定して１８８個
（略０．３個／ｃｍ2 ）形成した場合（実施例１）及び
均一分散板８６の孔の直径を０．５ｍｍに設定して７２
２個（略１．４個／ｃｍ2 ）形成した場合には（実施例
２）、タングステンシリサイド層の膜厚の面内均一性は
２％程度になって非常に改善され、好ましいことが判明
する。
【００５１】尚、孔の直径の下限は、穴空け工作機械の
性能により規定されてしまい、例えば厚みが１０ｍｍ程
度の分散板に対しては孔の直径の下限は０．２ｍｍ程度
である。また、ここでは、実施例１、２の上段分散板８
２の孔の数は、１個に設定したが、この直径をそれ程大
きくすることなく数個、例えば２〜４個程度設けるよう
にしてもよい。更には、上記実施例においては、被処理
体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに
限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等にも適用し得る
のは勿論である。
性能により規定されてしまい、例えば厚みが１０ｍｍ程
度の分散板に対しては孔の直径の下限は０．２ｍｍ程度
である。また、ここでは、実施例１、２の上段分散板８
２の孔の数は、１個に設定したが、この直径をそれ程大
きくすることなく数個、例えば２〜４個程度設けるよう
にしてもよい。更には、上記実施例においては、被処理
体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに
限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等にも適用し得る
のは勿論である。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の成膜装置
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。本発明によれば、シャワーヘッド部内の均一分
散板の分散孔の直径を小さくして、この分布密度をある
程度以上に大きくすることにより、反応律速となる成膜
用ガスの供給時と、供給律速となる成膜用ガスの供給時
に対して共にガス流量が面内において均一化できるよう
にガスフローの状態を改善することができる。従って、
上述のように種類の異なる成膜を同一処理室内において
連続的に成膜する場合にもこの面内均一性を高く維持す
ることができる。
によれば、次のように優れた作用効果を発揮することが
できる。本発明によれば、シャワーヘッド部内の均一分
散板の分散孔の直径を小さくして、この分布密度をある
程度以上に大きくすることにより、反応律速となる成膜
用ガスの供給時と、供給律速となる成膜用ガスの供給時
に対して共にガス流量が面内において均一化できるよう
にガスフローの状態を改善することができる。従って、
上述のように種類の異なる成膜を同一処理室内において
連続的に成膜する場合にもこの面内均一性を高く維持す
ることができる。
【図１】本発明方法を実施するために用いる成膜装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】成膜装置のシャワーヘッド部内の均一分散板を
示す部分平面図である。
示す部分平面図である。
【図３】本発明方法のプロセスを示すフローチャートで
ある。
ある。
【図４】２ロット２５枚のウエハを成膜処理した時の各
ウエハのシート抵抗を示すグラフである。
ウエハのシート抵抗を示すグラフである。
【図５】シリコンを付着させた時と付着させない時の酸
素に対する拡散の度合いを示すグラフである。
素に対する拡散の度合いを示すグラフである。
【図６】後処理ステップによる成膜ストレスの緩和状態
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図７】クリーニング後処理を行なった時と行なわない
時のウエハ表面のハロゲン量を示すグラフである。
時のウエハ表面のハロゲン量を示すグラフである。
【図８】クリーニング後処理を行なった場合と行なわな
い場合の次工程における前処理時のプリコートの付着状
況を示すグラフである。
い場合の次工程における前処理時のプリコートの付着状
況を示すグラフである。
【図９】ＭＯＳＦＥＴを示す図である。
６ ゲート酸化膜 ８ ゲート電極 １０ 多結晶シリコン層 １２ タングステンシリサイド層 １６ 成膜装置 １８ 処理容器 ２０ 処理室 ２６ 載置台 ４６ 透過窓 ５０ 加熱ランプ ７８ ガス噴出面 ８２ 上段分散板 ８４ ガス流出孔 ８６ 均一分散板 ８８ 分散孔 Ｗ 被処理体（半導体ウエハ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 毅 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−94487（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−94488（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−246154（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−50965（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/28 301 H01L 21/285 H01L 21/203 - 21/205 C23C 14/00 C23C 16/02 C23C 16/44
Claims (3)
- 【請求項１】 処理室内の被処理体に対して、処理ガス
を均一に噴射するシャワーヘッド部を有する成膜装置に
おいて、 前記シャワーヘッド部は、 前記処理室内全体に均一に処理ガスを噴射するように複
数のガス噴出孔を有するガス噴射面と、 前記シャワーヘッド部内に配置され、前記シャワーヘッ
ド部内に複数の拡散室を形成されるように所定の間隔で
設けられる分散板と、 前記シャワーヘッド部内に、反応律速状態となるガスと
供給律速状態となるガスが別々に供給されるガス導入口
とを有し、 前記分散板は、その面内に前記処理ガスを均一に分散さ
せるための複数の分散孔が設けられ、供給律速状態で用
いても、反応律速状態で用いても被処理体上に均一な膜
を形成されるように、前記処理室内に前記処理ガスを均
一な流れで噴出させるように設定されており、 前記分散孔の直径は０．７ｍｍ以下であり、且つ、前記
分散孔の分布密度は０．３個／ｃｍ2 以上であることを
特徴とする成膜装置。 - 【請求項２】 処理室内の被処理体に対して、処理ガス
を均一に噴射するシャワーヘッド部を有する成膜装置に
おいて、 前記シャワーヘッド部は、前記処理室内全体に均一に処
理ガスを噴射するように複数のガス噴出孔を有するガス
噴射面と、 前記シャワーヘッド部内に配置され、前記シャワーヘッ
ド部内に複数の拡散室を形成されるように所定の間隔で
設けられる複数の分散板と、 前記シャワーヘッド部内に、反応律速状態となるガスと
供給律速状態となるガスが別々に供給されるガス導入口
とを有し、 前記複数の分散板は、 １つ或いは数個のガス流出孔を有する上部分散板と、 この上部分散板の下方に配置し、この上部分散板のガス
流出孔から噴出する前記処理ガスを、更に均一に分散さ
せる均一分散板とからなり、 前記均一分散板は、その面内に均一に分散させるための
複数の分散孔が設けられ、供給律速状態で用いても、反
応律速状態で用いても、被処理体上に均一な膜を形成さ
れるように、前記処理室内に前記処理ガスを均一な流れ
で噴出されるように設定されており、 前記分散孔の直径は０．７ｍｍ以下であり、且つ、前記
分散孔の分布密度は０．３個／ｃｍ2 以上であることを
特徴とする成膜装置。 - 【請求項３】 前記ガス流出孔の数は１〜４個であるこ
とを特徴とする請求項２記載の成膜装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06545397A JP3341619B2 (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 成膜装置 |
| US09/028,645 US6022586A (en) | 1997-03-04 | 1998-02-24 | Method and apparatus for forming laminated thin films or layers |
| TW087102706A TW419790B (en) | 1997-03-04 | 1998-02-25 | Method and apparatus for forming laminated thin films or layers |
| EP98103808A EP0863227B1 (en) | 1997-03-04 | 1998-03-04 | Method and apparatus for forming laminated thin films or layers |
| DE69806281T DE69806281T2 (de) | 1997-03-04 | 1998-03-04 | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen laminierter dünnen Schichten |
| KR10-1998-0007161A KR100373790B1 (ko) | 1997-03-04 | 1998-03-04 | 성막방법및그장치 |
| US09/473,682 US6251188B1 (en) | 1997-03-04 | 1999-12-29 | Apparatus for forming laminated thin films or layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06545397A JP3341619B2 (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 成膜装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002026492A Division JP2002289557A (ja) | 2002-02-04 | 2002-02-04 | 成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247627A JPH10247627A (ja) | 1998-09-14 |
| JP3341619B2 true JP3341619B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=13287588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06545397A Expired - Fee Related JP3341619B2 (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 成膜装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6022586A (ja) |
| EP (1) | EP0863227B1 (ja) |
| JP (1) | JP3341619B2 (ja) |
| KR (1) | KR100373790B1 (ja) |
| DE (1) | DE69806281T2 (ja) |
| TW (1) | TW419790B (ja) |
Families Citing this family (68)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6127269A (en) * | 1996-11-12 | 2000-10-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for enhancing sheet resistance uniformity of chemical vapor deposited (CVD) tungsten silicide layers |
| US6316052B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-11-13 | Anelva Corporation | Method for the surface treatment of vacuum materials and surface treated vacuum |
| KR100273767B1 (ko) * | 1998-10-28 | 2001-01-15 | 윤종용 | 반도체소자의 텅스텐막 제조방법 및 그에 따라 제조되는 반도체소자 |
| JP2000294775A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US6181727B1 (en) * | 1999-04-19 | 2001-01-30 | General Electric Company | Coating for reducing operating temperatures of chamber components of a coating apparatus |
| TW469519B (en) * | 1999-05-19 | 2001-12-21 | Applied Materials Inc | Utilization of SiH4 soak and purge in deposition processes |
| US6817381B2 (en) * | 1999-08-24 | 2004-11-16 | Tokyo Electron Limited | Gas processing apparatus, gas processing method and integrated valve unit for gas processing apparatus |
| DE19945299A1 (de) * | 1999-09-22 | 2001-03-29 | Gfe Met & Mat Gmbh | Plasmabeschichtungsverfahren und dreidimensionales Kunststoffsubstrat mit einer metallhaltigen Beschichtung auf der Kunststoffoberfläche |
| JP2001196326A (ja) | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Tokyo Electron Ltd | タングステンシリサイド膜の成膜方法及びゲート電極／配線の作製方法 |
| US6767429B2 (en) * | 2000-01-12 | 2004-07-27 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| JP4505915B2 (ja) * | 2000-01-13 | 2010-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| US6756088B2 (en) * | 2000-08-29 | 2004-06-29 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming coatings on gas-dispersion fixtures in chemical-vapor-deposition systems |
| US7018504B1 (en) * | 2000-09-11 | 2006-03-28 | Asm America, Inc. | Loadlock with integrated pre-clean chamber |
| CN1328766C (zh) * | 2001-01-22 | 2007-07-25 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置和处理方法 |
| KR100430473B1 (ko) * | 2001-02-06 | 2004-05-10 | 삼성전자주식회사 | 텅스텐 실리사이드 형성방법 |
| JP3990881B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2007-10-17 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造装置及びそのクリーニング方法 |
| US7204886B2 (en) * | 2002-11-14 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for hybrid chemical processing |
| US6899507B2 (en) * | 2002-02-08 | 2005-05-31 | Asm Japan K.K. | Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections |
| US6776849B2 (en) * | 2002-03-15 | 2004-08-17 | Asm America, Inc. | Wafer holder with peripheral lift ring |
| US6772513B1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-08-10 | Sandia Corporation | Method for making electro-fluidic connections in microfluidic devices |
| US20050136657A1 (en) * | 2002-07-12 | 2005-06-23 | Tokyo Electron Limited | Film-formation method for semiconductor process |
| US7494560B2 (en) * | 2002-11-27 | 2009-02-24 | International Business Machines Corporation | Non-plasma reaction apparatus and method |
| EP1611602A1 (en) * | 2003-03-28 | 2006-01-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for epitaxial deposition of an n-doped silicon layer |
| KR100520837B1 (ko) * | 2003-04-01 | 2005-10-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
| KR100529675B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2005-11-17 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| US7364007B2 (en) * | 2004-01-08 | 2008-04-29 | Schlumberger Technology Corporation | Integrated acoustic transducer assembly |
| JP2005259870A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 基板保持装置、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
| US20050260354A1 (en) * | 2004-05-20 | 2005-11-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | In-situ process chamber preparation methods for plasma ion implantation systems |
| KR100596327B1 (ko) * | 2004-09-08 | 2006-07-06 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
| JP2006140492A (ja) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造に使用される乾式クリーニング装置 |
| JP4541864B2 (ja) * | 2004-12-14 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン酸窒化膜の形成方法、形成装置及びプログラム |
| KR100686724B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2007-02-26 | 삼성전자주식회사 | 화학기상증착장치 |
| US7550381B2 (en) * | 2005-07-18 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Contact clean by remote plasma and repair of silicide surface |
| US20070054045A1 (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Hsienting Hou | Method for conditioning chemical vapor deposition chamber |
| KR100735520B1 (ko) * | 2005-09-23 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 텅스텐 실리사이드막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체소자의 제조 방법 |
| TWI381470B (zh) * | 2007-05-08 | 2013-01-01 | Tokyo Electron Ltd | And a treatment device provided with the valve |
| US7993461B2 (en) * | 2007-05-30 | 2011-08-09 | Intermolecular, Inc. | Method and system for mask handling in high productivity chamber |
| KR100903565B1 (ko) * | 2007-07-11 | 2009-06-23 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 탄소나노튜브 도전막 제조 장비 |
| US8673080B2 (en) | 2007-10-16 | 2014-03-18 | Novellus Systems, Inc. | Temperature controlled showerhead |
| WO2009085866A2 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-09 | Lam Research Corporation | Gas transport delay resolution for short etch recipes |
| JP4430718B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2010-03-10 | 三井造船株式会社 | 原子層成膜装置 |
| JP5352103B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置および処理システム |
| JP5102706B2 (ja) * | 2008-06-23 | 2012-12-19 | 東京エレクトロン株式会社 | バッフル板及び基板処理装置 |
| JP5457021B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置 |
| US8440048B2 (en) | 2009-01-28 | 2013-05-14 | Asm America, Inc. | Load lock having secondary isolation chamber |
| KR101336363B1 (ko) * | 2009-01-29 | 2013-12-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 가스 토출 부재 |
| JP5158068B2 (ja) | 2009-02-20 | 2013-03-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び熱処理方法 |
| WO2010107837A2 (en) * | 2009-03-16 | 2010-09-23 | Alta Devices, Inc. | Wafer carrier track |
| TWI385272B (zh) * | 2009-09-25 | 2013-02-11 | Ind Tech Res Inst | 氣體分佈板及其裝置 |
| US20110097489A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | Kerr Roger S | Distribution manifold including multiple fluid communication ports |
| DE102009051347A1 (de) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Sunfilm Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterschichten |
| KR101130618B1 (ko) * | 2010-04-20 | 2012-05-22 | (주)엔티아 | 웨이퍼 증착 장치 |
| US20120083129A1 (en) | 2010-10-05 | 2012-04-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for focusing plasma |
| US9478428B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-10-25 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for shielding a plasma etcher electrode |
| US9441296B2 (en) | 2011-03-04 | 2016-09-13 | Novellus Systems, Inc. | Hybrid ceramic showerhead |
| US10316409B2 (en) * | 2012-12-21 | 2019-06-11 | Novellus Systems, Inc. | Radical source design for remote plasma atomic layer deposition |
| CN104250727A (zh) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学气相沉积设备保养后复机方法 |
| US10741365B2 (en) * | 2014-05-05 | 2020-08-11 | Lam Research Corporation | Low volume showerhead with porous baffle |
| KR101707102B1 (ko) * | 2014-11-05 | 2017-02-27 | (주)에스아이 | 화학기상증착용 가스분사노즐 |
| US10378107B2 (en) | 2015-05-22 | 2019-08-13 | Lam Research Corporation | Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity |
| US10023959B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Anti-transient showerhead |
| CN107667418B (zh) * | 2015-06-05 | 2022-03-01 | 应用材料公司 | 用于降低基板温度非均匀性的改良式装置 |
| US10604841B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-03-31 | Lam Research Corporation | Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition |
| US11015247B2 (en) | 2017-12-08 | 2021-05-25 | Lam Research Corporation | Integrated showerhead with improved hole pattern for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition |
| US10950449B2 (en) * | 2018-01-12 | 2021-03-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
| US20190311887A1 (en) * | 2018-04-06 | 2019-10-10 | Applied Materials, Inc. | Multizone gas distribution apparatus |
| CN111864529B (zh) * | 2019-04-30 | 2021-12-07 | 潍坊华光光电子有限公司 | 一种半导体激光器cos固晶快速压膜拆膜装置及压膜拆膜方法 |
| CN114351118A (zh) * | 2020-10-13 | 2022-04-15 | 东部超导科技（苏州）有限公司 | Mocvd反应系统及rebco高温超导带材的制法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3709066A1 (de) | 1986-03-31 | 1987-10-01 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zum erzeugen eines duennen metallfilms durch chemisches aufdampfen |
| US4792378A (en) * | 1987-12-15 | 1988-12-20 | Texas Instruments Incorporated | Gas dispersion disk for use in plasma enhanced chemical vapor deposition reactor |
| JPH02111032A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Matsushita Electron Corp | Ｍｏｓ集積回路装置の製造方法 |
| JPH02181918A (ja) * | 1989-01-09 | 1990-07-16 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02292866A (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-04 | Nec Corp | Ｍｉｓ型半導体装置の製造方法 |
| JP2773938B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1998-07-09 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE4029268C2 (de) * | 1990-09-14 | 1995-07-06 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur gleichspannungs-bogenentladungs-unterstützten, reaktiven Behandlung von Gut und Vakuumbehandlungsanlage zur Durchführung |
| US5326723A (en) * | 1992-09-09 | 1994-07-05 | Intel Corporation | Method for improving stability of tungsten chemical vapor deposition |
| JP2909364B2 (ja) * | 1993-09-20 | 1999-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びそのクリーニング方法 |
| JP2881371B2 (ja) * | 1993-09-20 | 1999-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び真空処理装置集合体のクリーニング方法 |
| JPH07172809A (ja) * | 1993-10-14 | 1995-07-11 | Applied Materials Inc | 基板上への珪化タングステンコーティングの堆積操作の事前に堆積チャンバのアルミニウムを有する表面を処理する予備処理プロセス |
| US5653806A (en) * | 1995-03-10 | 1997-08-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Showerhead-type discharge assembly for delivery of source reagent vapor to a substrate, and CVD process utilizing same |
| JP3362552B2 (ja) * | 1995-03-10 | 2003-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理装置 |
| JP3430277B2 (ja) * | 1995-08-04 | 2003-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 枚葉式の熱処理装置 |
| US5747845A (en) * | 1995-08-22 | 1998-05-05 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor memory device with memory cells each having transistor and capacitor and method of making the same |
| KR100492258B1 (ko) * | 1996-10-11 | 2005-09-02 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 반응가스분출헤드 |
| KR100252210B1 (ko) * | 1996-12-24 | 2000-04-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 건식식각장치 |
| US6063198A (en) * | 1998-01-21 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | High pressure release device for semiconductor fabricating equipment |
-
1997
- 1997-03-04 JP JP06545397A patent/JP3341619B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-02-24 US US09/028,645 patent/US6022586A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-25 TW TW087102706A patent/TW419790B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-03-04 KR KR10-1998-0007161A patent/KR100373790B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-04 DE DE69806281T patent/DE69806281T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-04 EP EP98103808A patent/EP0863227B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-12-29 US US09/473,682 patent/US6251188B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6022586A (en) | 2000-02-08 |
| KR19980079901A (ko) | 1998-11-25 |
| DE69806281T2 (de) | 2003-01-16 |
| KR100373790B1 (ko) | 2003-04-21 |
| TW419790B (en) | 2001-01-21 |
| DE69806281D1 (de) | 2002-08-08 |
| US6251188B1 (en) | 2001-06-26 |
| EP0863227A1 (en) | 1998-09-09 |
| EP0863227B1 (en) | 2002-07-03 |
| JPH10247627A (ja) | 1998-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3341619B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP5252417B2 (ja) | 深トレンチのドープシリコン充填のプロセスシーケンス | |
| JP3386651B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| US8197636B2 (en) | Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching | |
| KR102407734B1 (ko) | 가스 분배 및 개별적인 펌핑을 갖는 배치 경화 챔버 | |
| US7514120B2 (en) | Precoat film forming method | |
| KR101882774B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 | |
| US10546761B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| US9508546B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| US20120220116A1 (en) | Dry Chemical Cleaning For Semiconductor Processing | |
| JP2009239289A (ja) | 基板支持体、基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPWO2007018139A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
| US8084088B2 (en) | Method of improving the wafer-to-wafer thickness uniformity of silicon nitride layers | |
| KR100885834B1 (ko) | 질화티타늄막의 성막 | |
| JP2004235456A (ja) | 成膜装置、成膜方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP3667038B2 (ja) | Ｃｖｄ成膜方法 | |
| JP2002289557A (ja) | 成膜方法 | |
| JPH10321556A (ja) | 成膜方法 | |
| US6514869B2 (en) | Method for use in manufacturing a semiconductor device | |
| JPH0917705A (ja) | 連続熱処理方法 | |
| JP2004193396A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| US20100203243A1 (en) | Method for forming a polysilicon film | |
| KR20220041736A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
| US20030235652A1 (en) | Precoat film forming method | |
| JP4157508B2 (ja) | Ｃｖｄ成膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080823 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110823 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140823 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |