JP4541864B2 - シリコン酸窒化膜の形成方法、形成装置及びプログラム - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 109
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 109
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 155
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 145
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 110
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 90
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 71
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 27
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 15
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 14
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 12
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 claims description 5
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 122
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 94
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 28
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- ODUCDPQEXGNKDN-UHFFFAOYSA-N Nitrogen oxide(NO) Natural products O=N ODUCDPQEXGNKDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- -1 silicon oxide nitride Chemical class 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
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- H01L21/0214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
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- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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Description
また、本発明は、シリコン酸窒化膜中に含まれる窒素濃度の変化を抑制することができるシリコン酸窒化膜の形成方法、形成装置及びプログラムを提供することを目的とする。
さらに、本発明は、シリコン酸窒化膜中に含まれる窒素濃度を向上させることができるシリコン酸窒化膜の形成方法、形成装置及びプログラムを提供することを目的とする。
被処理体にシリコン酸化膜を形成し、該形成したシリコン酸化膜を窒化してシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜の形成方法であって、
前記被処理体にシリコン酸窒化膜を形成する前に、前記被処理体を収容する反応室内に活性化された窒素系ガスを供給し、前記反応室内の材料の表面を窒化する窒化工程を備え、
前記窒化工程では、前記反応室内の材料の表面が飽和するまで窒化する、ことを特徴とする。
前記反応室内の材料は、例えば、石英と炭化珪素との少なくとも一方を含む。
被処理体にシリコン酸化膜を形成し、該形成したシリコン酸化膜を窒化してシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜の形成装置であって、
前記被処理体にシリコン酸窒化膜を形成する前に、前記被処理体を収容する反応室内に活性化された窒素系ガスを供給し、前記反応室内の材料の表面を窒化させる窒化手段を備え、
前記窒化手段は、前記反応室内の材料の表面が飽和するまで窒化する、ことを特徴とする。
被処理体を収容する反応室と、該反応室に窒素系ガスを供給する機能とを備えるシリコン酸窒化膜の形成装置を制御するコンピュータを制御するプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記被処理体を収容する反応室内に活性化された窒素系ガスを供給させ、前記反応室内の材料の表面が飽和するまで窒化する窒化手順を前記シリコン酸窒化膜の形成装置に実行させ、
続いて、前記窒化された反応室内に収容した被処理体にシリコン酸化膜を形成し、形成したシリコン酸化膜を窒化してシリコン酸窒化膜を形成する手順を前記シリコン酸窒化膜の形成装置に実行させることを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内及び排気管5内の各部の圧力を測定し、測定値を制御部100に通知する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 頂部
4 排気口
5 排気管
6 蓋体
7 保温筒
8 ヒータ
9 支持体
10 回転テーブル
11 ウエハボート
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転導入部
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (15)
- 被処理体にシリコン酸化膜を形成し、該形成したシリコン酸化膜を窒化してシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜の形成方法であって、
前記被処理体にシリコン酸窒化膜を形成する前に、前記被処理体を収容する反応室内に活性化された窒素系ガスを供給し、前記反応室内の材料の表面を窒化する窒化工程を備え、
前記窒化工程では、前記反応室内の材料の表面が飽和するまで窒化する、ことを特徴とするシリコン酸窒化膜の形成方法。 - 前記窒素系ガスに、アンモニア、酸化窒素、一酸化二窒素、または、二酸化窒素を用いる、ことを特徴とする請求項1に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 前記反応室内の材料は、石英と炭化珪素との少なくとも一方を含む、ことを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 前記窒化工程では、前記窒素系ガスを所定の温度に昇温した反応室内に供給して活性化させる、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 前記窒化工程では、前記反応室内を少なくとも600℃に昇温する、ことを特徴とする請求項4に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 前記窒化工程では、前記反応室内を665Pa〜100kPaに維持する、ことを特徴とする請求項4または5に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 前記窒化工程では、前記窒素系ガスを反応室内に少なくとも4時間供給する、ことを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 前記窒化工程では、プラズマ発生手段により前記窒素系ガスを励起させることにより活性化させる、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 前記窒化工程では、前記反応室内を200℃〜800℃に昇温する、ことを特徴とする請求項8に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 前記窒化工程では、前記反応室内の前記窒素系ガスの圧力を13.3Pa〜16000Paに維持する、ことを特徴とする請求項8または9に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 前記窒化工程では、13.56MHzの高周波電力を50〜2000W印加することにより前記窒素系ガスを励起させ、活性化させる、ことを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載のシリコン酸窒化膜の形成方法。
- 被処理体にシリコン酸化膜を形成し、該形成したシリコン酸化膜を窒化してシリコン酸窒化膜を形成するシリコン酸窒化膜の形成装置であって、
前記被処理体にシリコン酸窒化膜を形成する前に、前記被処理体を収容する反応室内に活性化された窒素系ガスを供給し、前記反応室内の材料の表面を窒化させる窒化手段を備え、
前記窒化手段は、前記反応室内の材料の表面が飽和するまで窒化する、ことを特徴とするシリコン酸窒化膜の形成装置。 - 前記窒化手段は、前記反応室内を少なくとも600℃に昇温する加熱手段を備え、
前記加熱手段により少なくとも600℃に昇温された反応室内に窒素系ガスを供給して活性化させ、該活性化された窒素系ガスにより前記反応室内の材料の表面を窒化する、ことを特徴とする請求項12に記載のシリコン酸窒化膜の形成装置。 - 前記窒化手段は、プラズマ発生手段を備え、
前記プラズマ発生手段により前記窒素系ガスを励起させることにより活性化させ、該活性化された窒素系ガスにより前記反応室内の材料の表面を窒化する、ことを特徴とする請求項12に記載のシリコン酸窒化膜の形成装置。 - 被処理体を収容する反応室と、該反応室に窒素系ガスを供給する機能とを備えるシリコン酸窒化膜の形成装置を制御するコンピュータを制御するプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記被処理体を収容する反応室内に活性化された窒素系ガスを供給させ、前記反応室内の材料の表面が飽和するまで窒化する窒化手順を前記シリコン酸窒化膜の形成装置に実行させ、
続いて、前記窒化された反応室内に収容した被処理体にシリコン酸化膜を形成し、形成したシリコン酸化膜を窒化してシリコン酸窒化膜を形成する手順を前記シリコン酸窒化膜の形成装置に実行させる、
プログラム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004361108A JP4541864B2 (ja) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | シリコン酸窒化膜の形成方法、形成装置及びプログラム |
US11/298,607 US7981809B2 (en) | 2004-12-14 | 2005-12-12 | Film formation method and apparatus for semiconductor process |
KR1020050122312A KR100964045B1 (ko) | 2004-12-14 | 2005-12-13 | 반도체 처리용의 성막 방법 및 장치 및 컴퓨터로 판독 가능한 매체 |
TW094144286A TWI375259B (en) | 2004-12-14 | 2005-12-14 | Film formation method and apparatus for semiconductor process |
CNB2005101343349A CN100474528C (zh) | 2004-12-14 | 2005-12-14 | 半导体处理用成膜方法和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004361108A JP4541864B2 (ja) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | シリコン酸窒化膜の形成方法、形成装置及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006173236A JP2006173236A (ja) | 2006-06-29 |
JP4541864B2 true JP4541864B2 (ja) | 2010-09-08 |
Family
ID=36584565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004361108A Expired - Fee Related JP4541864B2 (ja) | 2004-12-14 | 2004-12-14 | シリコン酸窒化膜の形成方法、形成装置及びプログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7981809B2 (ja) |
JP (1) | JP4541864B2 (ja) |
KR (1) | KR100964045B1 (ja) |
CN (1) | CN100474528C (ja) |
TW (1) | TWI375259B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2005-12-13 KR KR1020050122312A patent/KR100964045B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-12-14 TW TW094144286A patent/TWI375259B/zh not_active IP Right Cessation
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