JP2010283385A - シリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラム - Google Patents
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 79
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 157
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 92
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 66
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 28
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 20
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 74
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 42
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 42
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 49
- 239000010408 film Substances 0.000 description 80
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 57
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】まず、反応管2内にジクロロシランを供給し、半導体ウエハWにジクロロシランと反応した反応物を形成する。次に、反応管2内に水素ラジカルを供給してこの反応物と反応させ、反応物に含まれる塩素を除去する。続いて、反応管2内を40Pa〜100Paに設定し、この設定した反応管2内にアンモニアラジカルを供給する。これにより、アンモニアラジカルと反応物とが反応して、半導体ウエハWにシリコン窒化膜が形成される。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン窒化膜を形成することができる。
【選択図】図1
Description
また、本発明は、ウエットエッチングレートを抑制することができるシリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラムを提供することを目的とする。
さらに、本発明は、シリコン窒化膜のストレスを制御することができるシリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラムを提供することを目的とする。
被処理体が収容された反応室内にジクロロシランを供給し、当該被処理体に前記ジクロロシランと反応した反応物を形成する反応物形成工程と、
前記反応物形成工程で形成された反応物に含まれる塩素を除去し水素化する塩素除去工程と、
前記反応室内にアンモニアラジカルを供給し、前記塩素除去工程で水素化された反応物と反応させ、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程と、
を1サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返す、ことを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。
前記塩素除去工程では、前記プラズマ発生室内に水素を0.5〜5slm供給し、
前記シリコン窒化膜形成工程では、前記プラズマ発生室内にアンモニアを1〜5slm供給することが好ましい。
被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内のガスを排気する排気手段と、
前記反応室内にジクロロシランを供給するジクロロシラン供給手段と、
前記反応室内に水素ラジカルを供給する水素ラジカル供給手段と、
前記反応室内にアンモニアラジカルを供給するアンモニアラジカル供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記ジクロロシラン供給手段を制御して反応室内にジクロロシランを供給させ、前記反応室内に収容された被処理体に前記ジクロロシランと反応した反応物を形成し、
前記水素ラジカル供給手段を制御して反応室内に水素ラジカルを供給させて前記反応物と反応させ、当該反応物に含まれる塩素を除去して水素化し、
前記アンモニアラジカル供給手段を制御して反応室内に前記アンモニアラジカルを供給させて前記水素化された反応物と反応させ、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成する処理を1サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返す、ことを特徴とする。
コンピュータに、
被処理体が収容された反応室内にジクロロシランを供給し、当該被処理体に前記ジクロロシランと反応した反応物を形成する反応物形成工程と、
前記反応物形成工程で形成された反応物に含まれる塩素を除去し水素化する塩素除去工程と、
前記反応室内にアンモニアラジカルを供給し、前記塩素除去工程で水素化された反応物と反応させ、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程と、を1サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返す手順、
を実行させることを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内及び排気部3内の各部の圧力を測定し、測定値を制御部100に通知する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
(反応式1)
−NH2 + SiH2Cl2 → −NH−SiH2Cl + HCl ↑
(反応式2)
−NH−SiH2Cl + H2 → −NH−SiH3 + HCl ↑
(反応式3)
−NH−SiH3 + NH3 → −NH−SiH2(NH2) + H2 ↑
(反応式4)
−NH−SiH2Cl + NH3 → −NH−SiH2(NH2) + HCl ↑
(反応式5)
−NH−SiH2Cl + NH3 → −NH−SiHCl(NH2) + H2 ↑
2 反応管
3 排気部
4 排気口
5 蓋体
6 ウエハボート
7 昇温用ヒータ
8、9 処理ガス供給管
10 プラズマ発生部
11 電極
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転供給部
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
129 プラズマ制御部
W 半導体ウエハ
Claims (8)
- 被処理体が収容された反応室内にジクロロシランを供給し、当該被処理体に前記ジクロロシランと反応した反応物を形成する反応物形成工程と、
前記反応物形成工程で形成された反応物に含まれる塩素を除去し水素化する塩素除去工程と、
前記反応室内にアンモニアラジカルを供給し、前記塩素除去工程で水素化された反応物と反応させ、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程と、
を1サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返す、ことを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。 - 前記塩素除去工程では、前記反応室内に水素ラジカルを供給して前記反応物と反応させ、当該反応物に含まれる塩素を除去し水素化する、ことを特徴とする請求項1に記載のシリコン窒化膜の形成方法。
- 前記塩素除去工程では、プラズマ発生室に水素を供給して水素ラジカルを形成し、形成した水素ラジカルを前記プラズマ発生室から前記反応室内に供給する、ことを特徴とする請求項2に記載のシリコン窒化膜の形成方法。
- 前記シリコン窒化膜形成工程では、プラズマ発生室にアンモニアを供給してアンモニアラジカルを形成し、形成したアンモニアラジカルを前記プラズマ発生室から前記反応室内に供給する、ことを特徴とする請求項3に記載のシリコン窒化膜の形成方法。
- 前記反応物形成工程では、前記反応室内にジクロロシランを1〜5slm供給し、
前記塩素除去工程では、前記プラズマ発生室内に水素を0.5〜5slm供給し、
前記シリコン窒化膜形成工程では、前記プラズマ発生室内にアンモニアを1〜5slm供給する、ことを特徴とする請求項4に記載のシリコン窒化膜の形成方法。 - 前記シリコン窒化膜形成工程では、前記反応室内を200℃〜410℃に設定する、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のシリコン窒化膜の形成方法。
- 被処理体を収容する反応室と、
前記反応室内のガスを排気する排気手段と、
前記反応室内にジクロロシランを供給するジクロロシラン供給手段と、
前記反応室内に水素ラジカルを供給する水素ラジカル供給手段と、
前記反応室内にアンモニアラジカルを供給するアンモニアラジカル供給手段と、
装置の各部を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記ジクロロシラン供給手段を制御して反応室内にジクロロシランを供給させ、前記反応室内に収容された被処理体に前記ジクロロシランと反応した反応物を形成し、
前記水素ラジカル供給手段を制御して反応室内に水素ラジカルを供給させて前記反応物と反応させ、当該反応物に含まれる塩素を除去して水素化し、
前記アンモニアラジカル供給手段を制御して反応室内に前記アンモニアラジカルを供給させて前記水素化された反応物と反応させ、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成する処理を1サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返す、ことを特徴とするシリコン窒化膜の形成装置。 - コンピュータに、
被処理体が収容された反応室内にジクロロシランを供給し、当該被処理体に前記ジクロロシランと反応した反応物を形成する反応物形成工程と、
前記反応物形成工程で形成された反応物に含まれる塩素を除去し水素化する塩素除去工程と、
前記反応室内にアンモニアラジカルを供給し、前記塩素除去工程で水素化された反応物と反応させ、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程と、を1サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返す手順、
を実行させるためのプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010200384A JP5247781B2 (ja) | 2010-09-07 | 2010-09-07 | シリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010200384A JP5247781B2 (ja) | 2010-09-07 | 2010-09-07 | シリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラム |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005092353A Division JP4607637B2 (ja) | 2005-03-28 | 2005-03-28 | シリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010283385A true JP2010283385A (ja) | 2010-12-16 |
JP5247781B2 JP5247781B2 (ja) | 2013-07-24 |
Family
ID=43539787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010200384A Active JP5247781B2 (ja) | 2010-09-07 | 2010-09-07 | シリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5247781B2 (ja) |
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US11380538B2 (en) | 2019-01-09 | 2022-07-05 | Tokyo Electron Limited | Method of forming nitride film and apparatus for forming nitride film |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2010
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---|---|
JP5247781B2 (ja) | 2013-07-24 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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