JP6946769B2 - 成膜方法、成膜装置、及び記憶媒体 - Google Patents
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Description
SiN膜は、例えばエッチング処理のハードマスクや、スペーサ絶縁膜、封止膜など(以下、これらをまとめて「保護膜」ともいう)として用いられ、これらの用途のSiN膜は、凹凸パターンに対するステップ・カバレッジ(SC)が良好なことや、ウェットエッチング速度(WER)が小さいことが求められる。
一方で、SiN膜の原料には、高温での成膜処理を行うと、SiN膜の下地側の物質との相互作用により、他の問題が発生する場合がある。このように、良好な膜質を得るための高温での成膜処理と、SiN膜の下地側の物質との相互作用の抑制との間には、トレードオフの関係が存在することがある。
凹凸パターンが形成されると共に、ハロゲンと反応する金属であって、チタン、タングステン、コバルトからなる金属群から選択される少なくとも一つの金属の下地が露出した基板の表面に、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、テトラクロロシラン、トリクロロシランからなるハロゲン化ケイ素群から選択される少なくとも一つのハロゲン化ケイ素を含む原料ガスを供給し、前記ハロゲン化ケイ素を吸着させる吸着工程と、前記ハロゲン化ケイ素を吸着させた基板の表面に、プラズマ化した窒化ガスを供給して前記ハロゲン化ケイ素を窒化する窒化工程と、を交互に実施し、前記基板の表面にシリコン窒化物の分子層を堆積させてシリコン窒化膜を成膜する成膜処理を含むことと、
前記成膜処理は、前記ハロゲン化ケイ素と、プラズマ化した窒化ガスとが反応して前記シリコン窒化物の分子層が形成される最低成膜温度以上、前記金属の下地とハロゲン化ケイ素との反応が進行する最高成膜温度未満の範囲内の成膜温度に基板を加熱した条件下で実施されることと、
前記窒化工程は、(i)前記凹凸パターンに対する前記シリコン窒化膜のステップ・カバレッジ(SC)が予め設定されたSC値範囲内の値となること、または(ii)前記シリコン窒化膜のウェットエッチング速度(WER)が、予め設定されたWER上限値以下の値となること、の少なくとも一方を満たす最低窒化時間以上の時間をかけて行われることと、を特徴とする。
一方で、基板に形成された凹凸パターンに対するステップ・カバレッジや、ウェットエッチング速度について具体的な目標値を設定し、成膜された膜がこの目標値を満たす最低窒化時間を確保するので、良好な膜質のシリコン窒化膜を得ることができる。
真空容器11は、その側壁及び底部を成す容器本体11Aと、天板11Bとにより構成され、平面が概ね円形の扁平な形状となっている。
以下の説明では、所定の基準位置から見て、回転テーブル2の回転方向に沿った方向を「回転方向の下流側」、これと反対の方向を「回転方向の上流側」ともいう。
図2に示すように真空容器11の側壁には、図示しないゲートバルブによって開閉されるウエハWの搬送口16が設けられ、この搬送口16を用いて外部の基板搬送機構(不図示)と各凹部14との間でウエハWの搬入出が実施される。
吸着領域R1には、原料ガス供給部をなすガス給排気ユニット2を介して原料ガスが供給される。
これらの区域24A、24B、24Cは、回転テーブル12の中央側から周縁部側へ向けて区画され、各区域24A、24B、24Cに設けられたガス吐出口21には、図3に示すように異なるガス流路25A、25B、25Cを介して原料ガスが供給される。
本例では、原料ガス供給源26からDCSを含む原料ガスを供給する例について説明する。
ガス流路23Bの上流側には、開閉バルブやマスフローコントローラを含むガス供給機器20を介してArガス供給源29が接続されている。また、ガス流路23Aの下流側は排気装置28に接続されている。
そして分離領域61は、既述の第2の改質領域R3及び反応領域R4よりも天板11Bの天井面が低く形成された扇形の領域であり、第2の改質領域R3、反応領域R4の間の雰囲気を区画する。
例えば図1、2、5に示すように、各ガスインジェクター41、42、43は、先端側が閉じられた細長い管状体により構成されている。これらガスインジェクター41、42、43は、真空容器11の側壁から中央部領域に向かって横方向に伸び出すように設けられ、凹部14に収容されたウエハWが通過する領域と交差するように配置されている。
ガス供給機器442は、改質ガス供給源44から第1、第2の改質ガスインジェクター41、42へのH2ガスの給断及び流量を制御するための開閉バルブやマスフローコントローラを備えている。
本例では、窒化ガス供給源45からNH3を含む窒化ガスを供給する例について説明する。改質ガスには、NH3ガスのプラズマの形成を補助するためのArガスを添加してもよい。NH3を含む窒化ガスは、後述の第3のプラズマ形成ユニット3Cによってプラズマ化され、当該プラズマに含まれるNH3ガスの活性種により、吸着領域R1にてウエハWに吸着したDCS(ハロゲン化ケイ素)が窒化されSiNの分子層が形成される。
第1の排気口51は、第1の改質ガスインジェクター41から供給され、第1の改質領域R2を流れた改質ガスを排気する。第2の排気口52は、第2の改質ガスインジェクター42から供給され、第2の改質領域R3を流れた改質ガスを排気する。また、第3の排気口53は、反応ガスインジェクター43から供給され、反応領域R4を流れた窒化ガスを排気する。
各排気路511、521、531には、夫々図示しない排気量調整部が設けられ、第1〜第3の排気口51〜53からの排気量は例えば個別に調整することができる。
第1のプラズマ形成ユニット3A、及び第2のプラズマ形成ユニット3Bは、改質ガス用のプラズマ発生部を構成し、第3のプラズマ形成ユニット3Cは反応ガス用のプラズマ発生部を構成している。
プラズマ形成ユニット3Cは、反応ガスインジェクター43から供給された窒化ガスにマイクロ波を供給し、窒化ガスのプラズマを発生させる。プラズマ形成ユニット3Cは、上記のマイクロ波を供給するためのマイクロ波供給部31を備え、当該マイクロ波供給部31は、誘電体板32と金属製の導波管33とを含む。
これと同様に、反応領域(窒化領域)R4では、第3のプラズマ形成ユニット3Cにより、誘電体板32の下方を第3の排気口53へ向けて流れる窒化ガスにマイクロ波が印加されることにより、反応領域R4に限定して窒化ガスのプラズマが形成される。
具体的には、回転機構13による回転テーブル12の単位時間あたりの回転数、各ガス供給機器による各ガスの給断及び流量調節、各排気装置28、54による排気量の調節、マイクロ波発生器37からマイクロ波供給部31へのマイクロ波の給断、ヒーター15によるウエハWの加熱温度の調節などが、プログラムによって制御される。このプログラムは、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカードなどの記憶媒体から制御部10にインストールされる。
例えばゲート電極の比抵抗を下げ、高速化する目的で形成されるメタル層の上面に、上述の成膜装置1を用い、400〜500℃の温度範囲でSiN膜を成膜すると、DCSに含まれる塩素とメタル層の金属とが反応し、反応生成物である金属塩化物が生成してしまう場合があることが分かった。SiN膜とその下地との間に金属塩化物などの反応生成物が存在すると、成膜後にSiN膜の膜剥がれが発生する要因となる。
さらには、低い成膜温度で成膜されたSiN膜には、SCの悪化も観察された。
即ち、回転機構13による回転テーブル12の単位時間あたりの回転数を調節し、従来よりもゆっくりと回転テーブル12を回転させれば、ウエハWが反応領域R4を通過する時間が長くなり、DCSを十分に窒化させることが可能となる。
これにより、良好な膜質のSiN膜を得るために必要な最低の回転数が明らかとなり、生産性の過度な低下を抑えることができる。
参考として、当該検討の開始当初の回転テーブル12の回転数は、5rpm(窒化時間:約6秒)に設定されていた。
はじめに、不図示のゲートバルブを開き、隣接する真空搬送室に配置された基板搬送機構によって、搬送口16を介して成膜対象のウエハWを搬入し、不図示の昇降ピンにウエハWを受け渡し凹部14内に収容する。回転テーブル12を間欠的に回転移動させながらこの動作を繰り返し、全ての凹部14にウエハWを配置する。
また、ヒーター15によって凹部14に載置されたウエハWを既述の250℃に加熱する。このとき、ガス給排気ユニット2ではパージガス吐出口23からのパージガス(Arガス)の供給のみが行われ、ガス給排気ユニット2と回転テーブル12との隙間内に流れ込んだパージガスは、排気口22より排気されている。
しかる後、原料ガスの供給流量が安定した時刻t3にて、全てのプラズマ形成ユニット3A〜3Cのマイクロ波発生器37からマイクロ波を印加することにより、成膜処理を開始する。
余剰な原料ガスは、扇状領域24の周囲に設けられた排気口22より排気される。
また、DCSを吸着したウエハWがパージガス吐出口23の下方側を通過する際にウエハWの表面にパージガスが吹きつけられることにより、余剰に吸着したDCSを除去する作用もある。
当該改質ガスに対してマイクロ波を印加してH2ガスをプラズマ化すると、ウエハWの表面に順次、堆積されるSiNの分子層中の未結合手にHを結合させ、DCSに含まれる塩素の取り込みを抑えて、緻密なSiN膜を成膜することができる。
そして、上述の吸着工程と窒化工程とを交互に繰り返すことにより、SiNの分子層を堆積させて、所望の膜厚のSiN膜を成膜することができる。
この結果、ウエハWが反応領域R4をゆっくりと通過することにより、比較的低温の成膜条件下でもDCSを十分に窒化させてSCや膜質の良好なSiN膜を成膜することができる。
そして、所定時間経過後の時刻t5にて、改質ガス、窒化ガスの供給、マイクロ波の印加を停止し、真空容器11内の設定圧力を240Pa(1.8Torr)に戻す。しかる後、真空容器11内の圧力が安定した時刻t6にて、成膜処理を終えた各ウエハWを搬入時とは逆の手順で搬出した後、次のウエハWの搬入を待つ。
一方で、ウエハWに形成された凹凸パターンに対するSCや、WERについて具体的な目標値(SC値範囲、WER上限値)を設定し、成膜されたSiN膜がこの目標値を満たす最低窒化時間を確保するので、良好な膜質のSiN膜を得ることができる。
なお、図8に示す成膜装置1aにおいて、図1〜6を用いて説明したセミバッチ式の成膜装置1と共通の機能を有する構成要素には、これらの図に付したものと共通の符号を付してある。
支持部12Aには、ヒーター15aが設けられていて、支持部12Aに載置されたウエハWを既述の最低成膜温度以上、最高成膜温度未満の範囲内の例えば250℃に加熱する。
図8に記載のマイクロ波供給部31aは、マイクロ波発生器37にて発生させた、例えば2.45GHzのTEモードのマイクロ波を、導波管351を介してモード変換器352へ供給し、TEMモードへと変換した後、同軸導波管353、スロット孔36Aが形成されたスロット板36、及び誘電体板32を介して真空容器11内に供給することにより、既述の窒化ガスや改質ガスをプラズマ化する。
一方、原料ガス供給源26から供給されるDCSを含む原料ガスや、Arガス供給源29から供給されるArガス(パージガス)は、ガス供給管211を介して真空容器11内に供給される。
成膜装置1を用いて凹凸パターン表面へのSiN膜の成膜を行うにあたり、単位時間あたりの回転テーブル12の回転数がSiN膜の膜質に与える影響を調べた。
A.実験条件
メタル層の凹凸パターンが形成されたウエハWの表面、及び凹凸パターンが形成されていないウエハWの表面に、図1〜6を用いて説明した成膜装置1を用いてSiN膜の成膜を行った。SiN膜の成膜は、各実施例間で回転テーブル12の回転数を変化させた点を除いて、図7に記載のタイムチャートに基づき、SiN膜の成膜を行った(成膜処理の時間は約30分である)。
(実施例1−1)単位時間あたりの回転数を3rpmに設定してSiN膜の成膜を行い、SiN膜の成膜状態をSEM(Scanning Electron Microscope)により観察した。また、凹凸パターンの頂部に形成されるシリコン窒化膜の膜厚(T1)に対する、前記凹凸パターンの底部に形成されるシリコン窒化膜の膜厚(T2)の割合であるSC値({T2/T1}×100[%])を算出した。さらに、上記凹凸パターンに成膜されたSiN膜を1vol%の希フッ酸でエッチングしたときの凹凸パターンにおけるエッチングの均一性(Etching Conformality)、及び凹凸パターンが形成されていないウエハWの表面に成膜されたSiN膜(ブランケット膜)を1vol%の希フッ酸でエッチングしたときの単位時間あたりのエッチング量であるWER[Å/分]を求めた。
(実施例1−2、1−3)回転テーブル12の単位時間当たりの回転数を、各々、4rpm、5rpmに設定した点を除いて、実施例1−1と同様の条件でSiN膜の成膜を行い、SC値、凹凸パターンにおけるエッチングの均一性、WERを求めた。
次に、実施例1−1のSC値は、130.7%であり、目標値である95〜140%の範囲内に含まれている。また、凹凸パターンに形成されたSiN膜を希フッ酸によりエッチングした結果、凹凸パターンの頂部、側面、底部の異なる位置にて、SiN膜はほぼ均一にエッチングされた(エッチング・コンフォーマリティ:OK、エッチング結果の図示省略)。さらに、実施例1−1のSiN膜(ブランケット膜)のWERは9.3Å/分であり、WER上限値(20Å/分)以下の値となった。
また、実施例1−3においても同様に、パターンの底部、及び側面の底部側の領域にてSiN膜のエッチングが早く進行した結果、下地の露出が見られたが、露出の程度は実施例1−2の場合よりも大きかった(エッチング・コンフォーマリティ:NG、エッチング結果の図示省略)。
さらに、ウェットエッチング後の状態も考慮したエッチング・コンフォーマリティの評価まで含めると、表1に示すように回転テーブル12の回転数が最も小さい実施例1の保護膜としての評価が高くなった。そして、回転数が大きくなるに従ってエッチング・コンフォーマリティが悪化したことに伴い、実施例1−2、1−3について、保護膜としての評価はやや悪化した。但し、ウェット・コンフォーマリティについては、さらに高品質の保護膜を得るうえでの指標であり、実施例1−2、1−3においてもSC値やWERの要求を満足していることは既述の通りである。
成膜温度を変化させて成膜されたSiN膜のWERへの影響を調べた。
A.実験条件
実施例1−1と同様の条件(回転テーブル12の単位時間あたりの回転数3rpm)にて、成膜温度を変化させて形成されたSiN膜(ブランケット膜)のWER[Å/分]の変化を求めた。
(実施例2−1)成膜温度を250、300、400℃に設定して成膜された膜につき、実施例1−1と同様の手法によりWERを求めた。
(比較例2−1)成膜温度を、450、500、550℃に設定して成膜された膜につき、実施例1−1と同様の手法によりWERを求めた。
実施例2−1、比較例2−1の各成膜温度で成膜されたSiN膜のWERを図10に示す。図10のグラフの横軸は成膜温度を示し、縦軸はWERを示している。また、図10のグラフ中、実施例2−1に係る各WERは白抜きの四角でプロットし、比較例2−1に係る各WERは黒塗りの四角でプロットしてある。
SiN膜が緻密になるほど、WERの値が小さくなる傾向が確認できるところ、図10に示す実施例2−1、比較例2−1の結果は、成膜温度を高くするほど、緻密なSiN膜を成膜することが可能であることを示している。
これら、実施例、比較例の結果から、反応生成物の生成を抑えつつ、好適なWERの値を有するSiN膜を成膜することが可能な、成膜温度と窒化時間(回転テーブル12の単位時間あたりの回転数)の組み合わせが存在することが確認できた。
1、1a 成膜装置
11 真空容器
12 回転テーブル
15、15a
ヒーター
2 ガス給排気ユニット
3B 第2のプラズマ形成ユニット
3C 第3のプラズマ形成ユニット
42 第1の反応ガスインジェクター
43 第2の反応ガスインジェクター
Claims (11)
- シリコン窒化膜の成膜方法において、
凹凸パターンが形成されると共に、ハロゲンと反応する金属であって、チタン、タングステン、コバルトからなる金属群から選択される少なくとも一つの金属の下地が露出した基板の表面に、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、テトラクロロシラン、トリクロロシランからなるハロゲン化ケイ素群から選択される少なくとも一つのハロゲン化ケイ素を含む原料ガスを供給し、前記ハロゲン化ケイ素を吸着させる吸着工程と、前記ハロゲン化ケイ素を吸着させた基板の表面に、プラズマ化した窒化ガスを供給して前記ハロゲン化ケイ素を窒化する窒化工程と、を交互に実施し、前記基板の表面にシリコン窒化物の分子層を堆積させてシリコン窒化膜を成膜する成膜処理を含むことと、
前記成膜処理は、前記ハロゲン化ケイ素と、プラズマ化した窒化ガスとが反応して前記シリコン窒化物の分子層が形成される最低成膜温度以上、前記金属の下地とハロゲン化ケイ素との反応が進行する最高成膜温度未満の範囲内の成膜温度に基板を加熱した条件下で実施されることと、
前記窒化工程は、(i)前記凹凸パターンに対する前記シリコン窒化膜のステップ・カバレッジ(SC)が予め設定されたSC値範囲内の値となること、または(ii)前記シリコン窒化膜のウェットエッチング速度(WER)が、予め設定されたWER上限値以下の値となること、の少なくとも一方を満たす最低窒化時間以上の時間をかけて行われることと、を特徴とするシリコン窒化膜の成膜方法。 - 前記窒化ガスは、アンモニア、一酸化窒素、一酸化二窒素、二酸化窒素、窒素からなる窒化ガス原料群から選択される少なくとも一つの窒化ガス原料を含むことを特徴とする請求項1に記載のシリコン窒化膜の成膜方法
- 前記ステップ・カバレッジは、前記凹凸パターンの頂部に形成されるシリコン窒化膜の膜厚(T1)に対する、前記凹凸パターンの底部に形成されるシリコン窒化膜の膜厚(T2)の割合({T2/T1}×100[%])であり、前記SC値範囲は95〜140%の範囲に設定されていることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
- 前記ウェットエッチング速度は、1vol%の希フッ酸でシリコン窒化膜をエッチングしたときのエッチング速度であり、前記WER上限値は20[Å/分]以下の値に設定されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
- 前記成膜処理は、真空容器内に設けられ、基板が載置される基板載置領域を備えた回転テーブルを回転させることにより、当該回転テーブルの回転中心の周りに前記基板載置領域に載置された基板を公転させ、当該基板が公転する方向に沿って互いに離れて設けられた前記ハロゲン化ケイ素の供給領域と、前記プラズマ化した窒化ガスの供給領域とを通過させることにより、前記吸着工程と窒化工程とを交互に実施するものであることと、
前記基板載置領域に載置された基板が、前記最低窒化時間以上の時間をかけて窒化ガスの供給領域を通過するように、前記回転テーブルの単位時間あたりの回転数を調節することと、を特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の成膜方法。 - シリコン窒化膜を成膜する成膜装置において、
凹凸パターンが形成されると共に、ハロゲンと反応する金属であって、チタン、タングステン、コバルトからなる金属群から選択される少なくとも一つの金属の下地が露出した基板が載置される基板載置領域を備え、回転中心周りに回転することにより、前記基板載置領域に載置された基板を当該回転中心の周りに公転させる回転テーブルと、
前記回転テーブルに対向し、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、テトラクロロシラン、トリクロロシランからなるハロゲン化ケイ素群から選択される少なくとも一つのハロゲン化ケイ素を含む原料ガスを吐出する吐出部及び当該吐出部を囲む排気口を備えた原料ガス供給部と、
前記原料ガス供給部に対し、前記基板載置領域に載置された基板が公転する方向に離れた位置に設けられると共に、その長さ方向に沿って窒化ガスを吐出する吐出口が形成され、前記基板載置領域に載置された基板が通過する領域と交差するように配置されたガスインジェクターと、
前記回転テーブルの外側であって、前記ガスインジェクターの配置位置に対して、前記基板の公転方向の上流側、または下流側の離れた位置に設けられた窒化ガス用の排気口と、
前記ガスインジェクターと窒化ガス用の排気口との間の窒化領域を流れる窒化ガスをプラズマ化するためのプラズマ発生部と、
前記ハロゲン化ケイ素と、プラズマ化した窒化ガスとが反応してシリコン窒化物の分子層が形成される最低成膜温度以上、前記金属の下地とハロゲン化ケイ素との反応が進行する最高成膜温度未満の範囲内の成膜温度に基板を加熱する加熱部と、
前記シリコン窒化物の分子層を堆積させて成膜されたシリコン窒化膜について、(i)前記凹凸パターンに対する前記シリコン窒化膜のステップ・カバレッジ(SC)が予め設定されたSC値範囲内の値となること、または(ii)前記シリコン窒化膜のウェットエッチング速度(WER)が、予め設定されたWER上限値以下の値となること、の少なくとも一方を満たす最低窒化時間以上の時間をかけて、前記基板載置領域に載置された基板が前記窒化領域を通過するように、前記回転テーブルの単位時間あたりの回転数を調節する制御部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記窒化ガスは、アンモニア、一酸化窒素、一酸化二窒素、二酸化窒素、窒素からなる窒化ガス原料群から選択される少なくとも一つの窒化ガス原料を含むことを特徴とする請求項6に記載の成膜装置。
- 前記ステップ・カバレッジは、前記凹凸パターンの段差の頂部に形成されるシリコン窒化膜の膜厚(T1)に対する、前記凹凸パターンの底部に形成されるシリコン窒化膜の膜厚(T2)の割合({T2/T1}×100[%])であり、前記SC値範囲は95〜140%の範囲内の値に設定されていることを特徴とする請求項6または7に記載の成膜装置。
- ウェットエッチング速度は、1vol%の希フッ酸でシリコン窒化膜をエッチングしたときのエッチング速度であり、前記WER上限値は20[Å/分]以下の値に設定されていることを特徴とする請求項6ないし8のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記プラズマ発生部は、前記窒化ガスにマイクロ波を供給して当該窒化ガスをプラズマ化することを特徴とする請求項6ないし9のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 真空容器内に配置された基板に対してシリコン窒化膜を成膜する成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし5のいずれか一つに記載のシリコン窒化膜の成膜方法を実行するように制御を行うことを特徴とする記憶媒体。
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