JP2008283126A - 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱処理装置1の反応管2内に処理ガスを供給して半導体ウエハ上にシリコン窒化膜を成膜した後、反応管2内にクリーニングガスを供給して熱処理装置1の内部に付着した窒化珪素を除去する。そして、反応管2内を所定の温度に昇温し、昇温した反応管2内にパージアウトガスを供給する。これにより、反応管2を構成する石英中に含まれる汚染物質がパージアウトされる。
【選択図】図1
Description
また、本発明は、薄膜中への汚染物質の混入を抑制することができる薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室内に活性化可能なパージアウトガスを供給して、当該反応室内をパージするパージ工程を備え、
前記パージ工程では、前記パージアウトガスを活性化させて、そのラジカルを生成し、生成したラジカルにより、前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質を前記材料中から除去する、ことを特徴とする。
前記パージアウトガスの総流量を、例えば、1slm〜5slmに設定する。
前記パージアウトガスの水素の流量割合を、例えば、30%〜70%に設定する。
前記パージ工程では、例えば、前記反応室内を600℃〜1050℃に昇温する。
前記反応室内の材料は、例えば、石英である。
本発明の第1の観点にかかる薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
被処理体を収容する反応室内を所定の温度に昇温し、当該昇温した反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する成膜工程と、
を備える、ことを特徴とする。
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記反応室内に、活性化可能なパージアウトガスを供給するパージアウトガス供給手段と、
前記パージアウトガスを活性化させる活性化手段と、
前記活性化手段を制御して前記パージアウトガスを活性化させて、そのラジカルを生成し、生成したラジカルにより、前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質を前記材料中から除去する汚染物質除去手段と、
を備える、ことを特徴とする。
前記クリーニングガス供給手段を制御して、装置内部に付着した付着物を除去する付着物除去手段と、をさらに備えてもよい。この場合、前記汚染物質除去手段は、前記付着物除去手段により装置内部に付着した付着物が除去された後、前記活性化手段を制御して前記材料中から汚染物質を除去する。
前記パージアウトガスは、その総流量が、例えば、1slm〜5slmである。
前記パージアウトガスの水素の流量割合は、例えば、30%〜70%である。
前記活性化手段は、例えば、加熱手段、プラズマ発生手段、光分解手段、または、触媒活性化手段である。
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記反応室内に、活性化可能なパージアウトガスを供給するパージアウトガス供給手段、
前記パージアウトガスを活性化させる活性化手段、
前記活性化手段を制御して前記パージアウトガスを活性化させて、そのラジカルを生成し、生成したラジカルにより、前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質を前記材料中から除去する汚染物質除去手段、
として機能させることを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内、排気管5内、処理ガス導入管17内等の各部の圧力を測定し、測定値を制御部100に通知する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 頂部
4 排気口
5 排気管
6 蓋体
7 保温筒
8 ヒータ
9 支持体
10 回転テーブル
11 ウエハボート
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転導入部
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC制御部
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (17)
- 被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室内に活性化可能なパージアウトガスを供給して、当該反応室内をパージするパージ工程を備え、
前記パージ工程では、前記パージアウトガスを活性化させて、そのラジカルを生成し、生成したラジカルにより、前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質を前記材料中から除去する、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを前記反応室内に供給して、前記付着物を除去する付着物除去工程をさらに備え、
前記付着物除去工程により前記付着物を除去した後、前記パージ工程を行う、ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記パージアウトガスに、酸素と水素とを含むガスを用いる、ことを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記パージアウトガスの総流量を1slm〜5slmに設定する、ことを特徴とする請求項3に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記パージアウトガスの水素の流量割合を、30%〜70%に設定する、ことを特徴とする請求項3または4に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記パージ工程では、前記パージアウトガスを所定の温度に昇温した反応室内に供給して活性化させる、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記パージ工程では、前記反応室内を600℃〜1050℃に昇温する、ことを特徴とする請求項6に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記反応室内の材料が石英である、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
被処理体を収容する反応室内を所定の温度に昇温し、当該昇温した反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する成膜工程と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記反応室内に、活性化可能なパージアウトガスを供給するパージアウトガス供給手段と、
前記パージアウトガスを活性化させる活性化手段と、
前記活性化手段を制御して前記パージアウトガスを活性化させて、そのラジカルを生成し、生成したラジカルにより、前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質を前記材料中から除去する汚染物質除去手段と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを、前記反応室内に供給するクリーニングガス供給手段と、
前記クリーニングガス供給手段を制御して、装置内部に付着した付着物を除去する付着物除去手段と、をさらに備え、
前記汚染物質除去手段は、前記付着物除去手段により装置内部に付着した付着物が除去された後、前記活性化手段を制御して前記材料中から汚染物質を除去する、ことを特徴とする請求項10に記載の薄膜形成装置。 - 前記パージアウトガスは、酸素と水素とを含むガスである、ことを特徴とする請求項10または11に記載の薄膜形成装置。
- 前記パージアウトガスは、その総流量が1slm〜5slmである、ことを特徴とする請求項12に記載の薄膜形成装置。
- 前記パージアウトガスの水素の流量割合は、30%〜70%である、ことを特徴とする請求項12または13に記載の薄膜形成装置。
- 前記活性化手段は、前記反応室内を600℃〜1050℃に昇温する加熱手段である、ことを特徴とする請求項10乃至14のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。
- 前記活性化手段は、加熱手段、プラズマ発生手段、光分解手段、または、触媒活性化手段である、ことを特徴とする請求項10乃至15のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。
- 被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記反応室内に、活性化可能なパージアウトガスを供給するパージアウトガス供給手段、
前記パージアウトガスを活性化させる活性化手段、
前記活性化手段を制御して前記パージアウトガスを活性化させて、そのラジカルを生成し、生成したラジカルにより、前記反応室内の材料中に含まれる汚染物質を前記材料中から除去する汚染物質除去手段、
として機能させるためのプログラム。
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