JP5554469B2 - 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 - Google Patents
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Description
また、本発明は、薄膜中への汚染物質の混入を抑制することができる薄膜形成装置、薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを前記反応室内に供給して、前記付着物を除去する付着物除去工程と、
前記付着物除去工程により前記付着物を除去した後、前記反応室内に活性化可能な酸素と水素とを含むパージアウトガスを供給して、当該反応室内をパージするパージ工程を備え、
前記パージ工程では、前記反応室内の温度を400℃〜1050℃とし、前記反応室内の圧力を133Pa以下とした状態で、前記パージアウトガスを活性化させて、そのラジカルを生成し、生成したラジカルにより、前記付着物除去工程で前記反応室を形成する石英中に入り込んだ金属コンタミを当該石英中から除去する、ことを特徴とする。
本発明の第1の観点にかかる薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
被処理体を収容する反応室内を所定の温度に昇温し、当該昇温した反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する成膜工程と、
を備える、ことを特徴とする。
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを、前記反応室内に供給するクリーニングガス供給手段と、
前記クリーニングガス供給手段を制御して、装置内部に付着した付着物を除去する付着物除去手段と、
前記付着物除去手段により前記付着物を除去した前記反応室内に、活性化可能な酸素と水素とを含むパージアウトガスを供給するパージアウトガス供給手段と、
前記反応室内の温度を400℃〜1050℃とし、前記反応室内の圧力を133Pa以下とした状態で、前記パージアウトガスを活性化させる活性化手段と、
前記活性化手段を制御して前記パージアウトガスを活性化させて、そのラジカルを生成し、生成したラジカルにより、前記付着物除去手段によって前記反応室を形成する石英中に入り込んだ金属コンタミを当該石英中から除去する汚染物質除去手段と、
を備える、ことを特徴とする。
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを、前記反応室内に供給するクリーニングガス供給手段、
前記クリーニングガス供給手段を制御して、装置内部に付着した付着物を除去する付着物除去手段、
前記付着物除去手段により前記付着物を除去した前記反応室内に、活性化可能な酸素と水素とを含むパージアウトガスを供給するパージアウトガス供給手段、
前記反応室内の温度を400℃〜1050℃とし、前記反応室内の圧力を133Pa以下とした状態で、前記パージアウトガスを活性化させる活性化手段、
前記活性化手段を制御して前記パージアウトガスを活性化させて、そのラジカルを生成し、生成したラジカルにより、前記付着物除去手段によって前記反応室を形成する石英中に入り込んだ金属コンタミを当該石英中から除去する汚染物質除去手段、
として機能させることを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内、排気管5内、処理ガス導入管17内等の各部の圧力を測定し、測定値を制御部100に通知する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 頂部
4 排気口
5 排気管
6 蓋体
7 保温筒
8 ヒータ
9 支持体
10 回転テーブル
11 ウエハボート
12 回転支柱
13 回転機構
14 回転軸
15 回転導入部
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC制御部
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
W 半導体ウエハ
Claims (6)
- 被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを前記反応室内に供給して、前記付着物を除去する付着物除去工程と、
前記付着物除去工程により前記付着物を除去した後、前記反応室内に活性化可能な酸素と水素とを含むパージアウトガスを供給して、当該反応室内をパージするパージ工程を備え、
前記パージ工程では、前記反応室内の温度を400℃〜1050℃とし、前記反応室内の圧力を133Pa以下とした状態で、前記パージアウトガスを活性化させて、そのラジカルを生成し、生成したラジカルにより、前記付着物除去工程で前記反応室を形成する石英中に入り込んだ金属コンタミを当該石英中から除去する、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記パージアウトガスに、酸素と水素と窒素とを含むガスを用いる、ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 請求項1または2に記載の薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
被処理体を収容する反応室内を所定の温度に昇温し、当該昇温した反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する成膜工程と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを、前記反応室内に供給するクリーニングガス供給手段と、
前記クリーニングガス供給手段を制御して、装置内部に付着した付着物を除去する付着物除去手段と、
前記付着物除去手段により前記付着物を除去した前記反応室内に、活性化可能な酸素と水素とを含むパージアウトガスを供給するパージアウトガス供給手段と、
前記反応室内の温度を400℃〜1050℃とし、前記反応室内の圧力を133Pa以下とした状態で、前記パージアウトガスを活性化させる活性化手段と、
前記活性化手段を制御して前記パージアウトガスを活性化させて、そのラジカルを生成し、生成したラジカルにより、前記付着物除去手段によって前記反応室を形成する石英中に入り込んだ金属コンタミを当該石英中から除去する汚染物質除去手段と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記パージアウトガスは、酸素と水素と窒素とを含むガスである、ことを特徴とする請求項4に記載の薄膜形成装置。
- 被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記被処理体への薄膜形成により装置内部に付着した付着物を除去可能なクリーニングガスを、前記反応室内に供給するクリーニングガス供給手段、
前記クリーニングガス供給手段を制御して、装置内部に付着した付着物を除去する付着物除去手段、
前記付着物除去手段により前記付着物を除去した前記反応室内に、活性化可能な酸素と水素とを含むパージアウトガスを供給するパージアウトガス供給手段、
前記反応室内の温度を400℃〜1050℃とし、前記反応室内の圧力を133Pa以下とした状態で、前記パージアウトガスを活性化させる活性化手段、
前記活性化手段を制御して前記パージアウトガスを活性化させて、そのラジカルを生成し、生成したラジカルにより、前記付着物除去手段によって前記反応室を形成する石英中に入り込んだ金属コンタミを当該石英中から除去する汚染物質除去手段、
として機能させるためのプログラム。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007128149A JP5554469B2 (ja) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
US12/149,537 US8080109B2 (en) | 2007-05-14 | 2008-05-02 | Film formation apparatus and method for using the same |
TW097116367A TWI424105B (zh) | 2007-05-14 | 2008-05-02 | 成膜裝置及使用其之方法 |
CN2008100964529A CN101311336B (zh) | 2007-05-14 | 2008-05-09 | 薄膜形成装置及其使用方法 |
KR1020080043927A KR101139078B1 (ko) | 2007-05-14 | 2008-05-13 | 반도체 처리용 성막 장치 및 그 사용 방법과, 컴퓨터로판독 가능한 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007128149A JP5554469B2 (ja) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013128997A Division JP5571233B2 (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008283126A JP2008283126A (ja) | 2008-11-20 |
JP5554469B2 true JP5554469B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=40100166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007128149A Active JP5554469B2 (ja) | 2007-05-14 | 2007-05-14 | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5554469B2 (ja) |
CN (1) | CN101311336B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5067381B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の運転方法 |
JP5293866B2 (ja) * | 2012-07-30 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の運転方法 |
JP5549761B2 (ja) * | 2013-06-04 | 2014-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置のクリーニング方法 |
JP6496510B2 (ja) * | 2014-10-02 | 2019-04-03 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6779165B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2020-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属汚染防止方法及び成膜装置 |
JP2020500412A (ja) * | 2017-09-25 | 2020-01-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 真空チャンバを洗浄するためのシステム、真空チャンバを洗浄するための方法、及び真空チャンバを洗浄するコンプレッサの使用 |
JP6654232B2 (ja) * | 2018-12-25 | 2020-02-26 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
CN111947450A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-11-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体腔室及退火装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6200412B1 (en) * | 1996-02-16 | 2001-03-13 | Novellus Systems, Inc. | Chemical vapor deposition system including dedicated cleaning gas injection |
JP2003077839A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 半導体製造装置のパージ方法及び半導体装置の製造方法 |
CN101457338B (zh) * | 2003-02-14 | 2011-04-27 | 应用材料股份有限公司 | 利用含氢自由基清洁自生氧化物的方法和设备 |
JP4430918B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2010-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成方法 |
US7189291B2 (en) * | 2003-06-02 | 2007-03-13 | Entegris, Inc. | Method for the removal of airborne molecular contaminants using oxygen gas mixtures |
WO2006082724A1 (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-10 | Tokyo Electron Limited | クリーニング方法およびプラズマ処理方法 |
-
2007
- 2007-05-14 JP JP2007128149A patent/JP5554469B2/ja active Active
-
2008
- 2008-05-09 CN CN2008100964529A patent/CN101311336B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101311336A (zh) | 2008-11-26 |
CN101311336B (zh) | 2012-08-29 |
JP2008283126A (ja) | 2008-11-20 |
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